JPH0818329B2 - ウエ−ハの切断不良検出方法 - Google Patents
ウエ−ハの切断不良検出方法Info
- Publication number
- JPH0818329B2 JPH0818329B2 JP28118286A JP28118286A JPH0818329B2 JP H0818329 B2 JPH0818329 B2 JP H0818329B2 JP 28118286 A JP28118286 A JP 28118286A JP 28118286 A JP28118286 A JP 28118286A JP H0818329 B2 JPH0818329 B2 JP H0818329B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cutting
- wafer
- shape
- single crystal
- detection method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体単結晶棒を内周刃により順次切断し
て多数のウェーハを製造する場合のウェーハの切断不良
検出方法に関する。
て多数のウェーハを製造する場合のウェーハの切断不良
検出方法に関する。
一般に、半導体素子用のシリコンウェーハのソリと厚
さ不良は次のようにして発生する。すなわち、ウェーハ
のソリは内周刃が切削途中で湾曲することにより発生す
る。そして、この切削時の内周刃の湾曲は、内周刃の両
側面における刃先形状の対称性、切削抵抗のバランス、
切削粒子の逃げ易さのバランスがくずれた場合、刃先の
片側に大きな応力が加わるために生ずる。この場合、上
記湾曲は、一般にインゴットの直径部位で最大となり、
切断開始点と終了点で略復元状態となるため、インゴッ
トの切断面は円環体レンズ状を呈する。また、切断の途
中で湾曲の方向が反転したり、湾曲とは逆方向に刃先が
スライドし、切断面が鞍型になる場合があるなど多様で
ある。特に、切断開始点と終了点付近等での急激な湾曲
の発生や復元は、局所的ソリを生じさせ、ラッピングを
行なってもスライド面が部分的に除去できなくなる。ま
た、ソリの形状の変化は、第４図に示すように、ウェー
ハの厚みのバラツキやテーパ不良の発生原因となる。な
お、図中符号１〜10は切断番号、Ａ〜Ｉはウェーハ、11
は内周刃を示す。
さ不良は次のようにして発生する。すなわち、ウェーハ
のソリは内周刃が切削途中で湾曲することにより発生す
る。そして、この切削時の内周刃の湾曲は、内周刃の両
側面における刃先形状の対称性、切削抵抗のバランス、
切削粒子の逃げ易さのバランスがくずれた場合、刃先の
片側に大きな応力が加わるために生ずる。この場合、上
記湾曲は、一般にインゴットの直径部位で最大となり、
切断開始点と終了点で略復元状態となるため、インゴッ
トの切断面は円環体レンズ状を呈する。また、切断の途
中で湾曲の方向が反転したり、湾曲とは逆方向に刃先が
スライドし、切断面が鞍型になる場合があるなど多様で
ある。特に、切断開始点と終了点付近等での急激な湾曲
の発生や復元は、局所的ソリを生じさせ、ラッピングを
行なってもスライド面が部分的に除去できなくなる。ま
た、ソリの形状の変化は、第４図に示すように、ウェー
ハの厚みのバラツキやテーパ不良の発生原因となる。な
お、図中符号１〜10は切断番号、Ａ〜Ｉはウェーハ、11
は内周刃を示す。
本発明が解決しようとするのは、次工程のウェーハ面
取工程やラップ工程において障害となるウェーハの厚さ
不良及びテーパ不良の問題である。
取工程やラップ工程において障害となるウェーハの厚さ
不良及びテーパ不良の問題である。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その目
的とするところは、ソリの形状の変化を検出することに
より、これに基づいてウェーハの厚さ不良及びテーパ不
良を確実にかつ円滑に検出することができ、切断された
ウェーハの不良を迅速に検知できて、不良ウェーハの発
生量を抑制できる上に、次工程に不良品を送り込むこと
を防止できるウェーハの切断不良検出方法を提供するこ
とにある。
的とするところは、ソリの形状の変化を検出することに
より、これに基づいてウェーハの厚さ不良及びテーパ不
良を確実にかつ円滑に検出することができ、切断された
ウェーハの不良を迅速に検知できて、不良ウェーハの発
生量を抑制できる上に、次工程に不良品を送り込むこと
を防止できるウェーハの切断不良検出方法を提供するこ
とにある。
上記目的を達成するために、本発明は、半導体単結晶
棒を切断する際に、ウェーハの切断形状を検知し、一つ
の切断形状と次の切断形状との差をとり、この差が設定
値以上になった場合に半導体単結晶棒の切断操作を停止
させるものである。
棒を切断する際に、ウェーハの切断形状を検知し、一つ
の切断形状と次の切断形状との差をとり、この差が設定
値以上になった場合に半導体単結晶棒の切断操作を停止
させるものである。
本発明のウェーハの切断不良検出方法にあっては、半
導体単結晶棒を切断するたびに、その切断形状を検知
し、一つの切断形状と次の切断形状とを比較して、その
差が設定値以上になった場合に、切断されたウェーハが
厚さ不良、あるいはテーパ不良を生じていると判断して
切断操作を中断する。
導体単結晶棒を切断するたびに、その切断形状を検知
し、一つの切断形状と次の切断形状とを比較して、その
差が設定値以上になった場合に、切断されたウェーハが
厚さ不良、あるいはテーパ不良を生じていると判断して
切断操作を中断する。
以下、第１図ないし第６図に基づいて本発明の一実施
例を説明する。
例を説明する。
第１図と第２図は本発明の方法を実施する切断装置の
一例を示すもので、第１図は概略構成を示す斜視図、第
２図はブロック図である。これらの図において、符号11
はブレード（内周刃）であり、このブレード11は、薄板
ドーナツ状の台金12の内周部に砥石部13が形成されたも
のである。そして、この砥石部13によって円柱状のシリ
コン等の半導体単結晶棒14を切断して多数のウェーハＡ
〜Ｉ（第４図参照）を得るようになっている。なお、15
は、切断後のウェーハを繋ぎとめるためのカーボン等の
付着部材である。
一例を示すもので、第１図は概略構成を示す斜視図、第
２図はブロック図である。これらの図において、符号11
はブレード（内周刃）であり、このブレード11は、薄板
ドーナツ状の台金12の内周部に砥石部13が形成されたも
のである。そして、この砥石部13によって円柱状のシリ
コン等の半導体単結晶棒14を切断して多数のウェーハＡ
〜Ｉ（第４図参照）を得るようになっている。なお、15
は、切断後のウェーハを繋ぎとめるためのカーボン等の
付着部材である。
上記ブレード11の台金12の、上記砥石部13との境界部
に対向離間して、該台金12の湾曲状態（半導体単結晶棒
の切断形状）を検知する磁気センサー16が配置されてい
る。そして、この磁気センサー16の検知信号は、トラッ
キング装置17に入力されており、このトラッキング装置
17は、この検知信号に基づいて、一つの切断形状と次の
切断形状とを対比して、差が出た場合に、警報信号を主
制御装置18に対して出力すると共に、第５図に示すよう
に、切断番号１〜10に対応するトラッキングカーブを表
示するようになっている。また、上記主制御装置18は、
トラッキング装置17からの警報信号によって、切断を中
断するようになっている。
に対向離間して、該台金12の湾曲状態（半導体単結晶棒
の切断形状）を検知する磁気センサー16が配置されてい
る。そして、この磁気センサー16の検知信号は、トラッ
キング装置17に入力されており、このトラッキング装置
17は、この検知信号に基づいて、一つの切断形状と次の
切断形状とを対比して、差が出た場合に、警報信号を主
制御装置18に対して出力すると共に、第５図に示すよう
に、切断番号１〜10に対応するトラッキングカーブを表
示するようになっている。また、上記主制御装置18は、
トラッキング装置17からの警報信号によって、切断を中
断するようになっている。
次に、上記のように構成された切断装置を用いて、本
発明の切断不良検出方法を実施する場合について第３図
に示す流れ図を参照して説明する。
発明の切断不良検出方法を実施する場合について第３図
に示す流れ図を参照して説明する。
まず、上記切断装置においては、従来同様、ブレード
11の中心部に半導体単結晶棒14を挿し込んで上下方向に
移動することにより、該半導体単結晶棒14が切断され
て、ウェーハＡ〜Ｉが順次得られる。
11の中心部に半導体単結晶棒14を挿し込んで上下方向に
移動することにより、該半導体単結晶棒14が切断され
て、ウェーハＡ〜Ｉが順次得られる。
この場合、半導体単結晶棒14を切断するたびに、磁気
センサー16によって、切断形状（トラッキングカーブ）
が検出される。そして、この検出信号は、トラッキング
装置17に入力され、アナログ・ディジタル変換されて記
憶される（第３図ステップSP1参照）。次いで、ステッ
プSP2に示すように、前回採取されたデータがあるかど
うかを判別する。すなわち、切断番号１の場合（最初の
切断時）には、前回のデータはないので、ステップSP5
に示すように、次の切断操作を行なう。また、前回採取
されたデータが記憶されている場合には、前回の切断形
状データと今回の切断形状データとを比較し（ステップ
SP3参照）、その差をとる。このとき、上記差が所定値
以下の場合には、正常と判定し、ステップSP5に進み、
また、差が所定値を越えると、切断不良と判定して、サ
イクル停止（切断操作中断）の処理を行なう（ステップ
SP6参照）。この判定処理を具体的に示したのが、第６
図であり、この図において、ウェーハB,D,E,G,Iは２つ
のトラッキングカーブ間の差が大きいため不良と判定さ
れ、ウェーハA,C,F,Hは差がないので良品と判定されて
いる。
センサー16によって、切断形状（トラッキングカーブ）
が検出される。そして、この検出信号は、トラッキング
装置17に入力され、アナログ・ディジタル変換されて記
憶される（第３図ステップSP1参照）。次いで、ステッ
プSP2に示すように、前回採取されたデータがあるかど
うかを判別する。すなわち、切断番号１の場合（最初の
切断時）には、前回のデータはないので、ステップSP5
に示すように、次の切断操作を行なう。また、前回採取
されたデータが記憶されている場合には、前回の切断形
状データと今回の切断形状データとを比較し（ステップ
SP3参照）、その差をとる。このとき、上記差が所定値
以下の場合には、正常と判定し、ステップSP5に進み、
また、差が所定値を越えると、切断不良と判定して、サ
イクル停止（切断操作中断）の処理を行なう（ステップ
SP6参照）。この判定処理を具体的に示したのが、第６
図であり、この図において、ウェーハB,D,E,G,Iは２つ
のトラッキングカーブ間の差が大きいため不良と判定さ
れ、ウェーハA,C,F,Hは差がないので良品と判定されて
いる。
以上説明したように、本発明によれば、半導体単結晶
棒を切断する際に、ウェーハの切断形状を検知し、一つ
の切断形状と次の切断形状との差をとり、この差が設定
値以上になった場合に半導体単結晶棒の切断操作を停止
させるものであるから、ウェーハの厚さ不良及びテーパ
不良を確実にかつ円滑に検出することができ、切断され
たウェーハの不良を迅速に検知できて、不良ウェーハの
発生量を抑制できる上に、次工程に不良品を送り込むこ
とを防止できるという優れた効果を有する。
棒を切断する際に、ウェーハの切断形状を検知し、一つ
の切断形状と次の切断形状との差をとり、この差が設定
値以上になった場合に半導体単結晶棒の切断操作を停止
させるものであるから、ウェーハの厚さ不良及びテーパ
不良を確実にかつ円滑に検出することができ、切断され
たウェーハの不良を迅速に検知できて、不良ウェーハの
発生量を抑制できる上に、次工程に不良品を送り込むこ
とを防止できるという優れた効果を有する。
第１図ないし第６図は本発明の一実施例を示すもので、
第１図は斜視図、第２図はブロック図、第３図は流れ
図、第４図は切断形状を示す説明図、第５図はトラッキ
ングカーブを示す説明図、第６図は切断形状とウェーハ
形状とを示す説明図である。 11……ブレード（内周刃）、 14……半導体単結晶棒、 16……磁気センサー、 17……トラッキング装置、 Ａ〜Ｉ……ウェーハ。
第１図は斜視図、第２図はブロック図、第３図は流れ
図、第４図は切断形状を示す説明図、第５図はトラッキ
ングカーブを示す説明図、第６図は切断形状とウェーハ
形状とを示す説明図である。 11……ブレード（内周刃）、 14……半導体単結晶棒、 16……磁気センサー、 17……トラッキング装置、 Ａ〜Ｉ……ウェーハ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 家入 健治 千葉県野田市西三ヶ尾金打314 日本シリ コン株式会社野田工場内 (56)参考文献 特開 昭57−168854（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】半導体単結晶棒を内周刃により順次切断し
て多数のウェーハを製造する際に、各ウェーハの切断形
状をそれぞれ検知し、一つの切断形状と次の切断形状と
の差をとり、この差が設定値以上になった場合に半導体
単結晶棒の切断操作を停止させることを特徴とするウェ
ーハの切断不良検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28118286A JPH0818329B2 (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | ウエ−ハの切断不良検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28118286A JPH0818329B2 (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | ウエ−ハの切断不良検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63134206A JPS63134206A (ja) | 1988-06-06 |
| JPH0818329B2 true JPH0818329B2 (ja) | 1996-02-28 |
Family
ID=17635485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28118286A Expired - Lifetime JPH0818329B2 (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | ウエ−ハの切断不良検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0818329B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2599996B2 (ja) * | 1989-07-10 | 1997-04-16 | 株式会社東京精密 | スライシングマシンの切断方法 |
| JPH05318460A (ja) * | 1992-05-25 | 1993-12-03 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 半導体ウエハのスライシング方法 |
-
1986
- 1986-11-26 JP JP28118286A patent/JPH0818329B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63134206A (ja) | 1988-06-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |