JPH0329310A

JPH0329310A - 半導体ウェハ

Info

Publication number: JPH0329310A
Application number: JP1163534A
Authority: JP
Inventors: Takao Yasue; 孝夫安江
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1989-06-26
Filing date: 1989-06-26
Publication date: 1991-02-07
Anticipated expiration: 2013-04-22
Also published as: JP2742710B2; US5147824A; US5060043A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］この発明は、半導体ウェハに関するものであり、特に半
導体ウェハの特定の結晶方位を識別するために、半導体
ウェハに設けられる、半導体ウェハの結晶方位識別用マ
ークの改良に関するものである。

［従来の技術］半導体ウェハには、結晶方位識別の基準となるオリエン
テーションフラットが設けられている。

第６図は、オリエンテーションフラットが設けられた半
導体ウェハの平面図である。この半導体ウェハ１の主面
２の面方位は（１００）である。この半導体ウェハ１の
結晶方位の１つである＜１１０〉は、Ａで示す方向と、
Ａで示す方向に対して直角に交わるＢで示す方向にある
。この半導体ウェハ１の外周部の一部を、Ａで示す方向
に沿って切断することにより、半導体ウェハ１にオリエ
ンテーションフラット３が設けられる。オリエンテーシ
ョンフラット３は次の２つの働きをする。

まず１つは、半導体装置作製の際に行なわれるリソグラ
フィにおいて、オリエンテーションフラット３は位置合
わせの基準となる。

もう１つは、半導体ウェハを個々の半導体チップにダイ
シングする際には、オリエンテーションフラット３が基
準となる。

しかしながら、半導体ウェハにオリエンテーションフラ
ットを設けると、以下のような問題を生じる。つまり、
オリエンテーションフラットは先ほど述べたように位置
合わせの基準となる。正確な位置合わせを行なうために
は、オリエンテーションフラットはある程度の長さがな
ければならない。このため半導体ウェハにオリエンテー
ションフラットを設ける際に、削られる半導体ウェハの
面積が大きくなる。これにより１枚の半導体ウェハ上に
形成できる半導体チップの数は少なくなる。

また、半導体ウェハにオリエンテーションフラットを設
けることにより、半導体ウェハの外周部は、曲線と直線
とによって規定されることになる。

よって、オリエンテーションフラットが設けられた半導
体ウェハに熱処理をすると、半導体ウエ／＼の外周部は
均一に膨張しないため、半導体ウェノ＼内部には応力が
発生する。ところで、形状が急変する部分のある部材に
、力を加えると、その部分に応力が集中するという現象
が生じる。オリエンテーションフラットが設けられた半
導体ウェハも、オリエンテーションフラットの部分で半
導体ウェハの形状が急変している。このため半導体ウェ
ハを熱処理すると、オリエンテーションフラットの部分
に応力が集中する。これにより半導体ウェハのうちオリ
エンテトションフラットの部分には、結晶欠陥が発生す
る。結晶欠陥は、スリップラインとなって観察される。

第７図は、スリップラインが発生した半導体ウェハの平
面図である。半導体ウェハ４の主面５の面方位は（１０
０）である。半導体ウェハ４の結晶方位の１つである＜
１１０＞は、Ｃで示す方向と、Ｃの方向に対して直角の
方向であるＤで示す方向にある。オリエンテーションフ
ラット６は、半導体ウェハ４の外周部の一部をＣで示す
方向に沿って切断することにより形成される。スリップ
ライン７は、半導体ウェハ４のうちオリエンテーション
フラット６の部分に現われている。スリップライン７は
、Ｄで示す方向に延びている。半導体ウェハ４の外周部
を規定する曲線と不連続になる部分、すなわちオリエン
テーションフラット６の部分は、先程説明したようにあ
る程度の長さがなければならない。よって、半導体ウェ
ハ４の熱処理の際に応力が集中する部分は広範囲となる
ので、スリップライン７は広範囲に発生する。

オリエンテーションフラット以外の結晶方位識別用マー
クを備えた半導体ウェハの先行技術として次の２つのも
のがある。

１つは、特開昭６０−１１９７０９号公報に記載されて
いる先行技術である。この先行技術は、半導体ウェハに
貫通孔や半円形状の切欠き溝を設けている。この先行技
術においては、これらを半導体ウェハの結晶方位識別用
のマークとしている。

具体的にその内容を以下説明する。特開昭６０−１１９
７０９号公報には、３つの半導体ウェハが開示されてい
る。１つは、第８図に示すように、外周部が円形をした
半導体ウェハ８の中心部に、結晶方位識別用マークとし
て貫通孔９を設けたものである。貫通孔９の形状は、二
等辺三角形である。二等辺三角形の同じ長さの辺と辺と
が交わる部分が頂点１０となっている。頂点１０に対向
する位置には辺１１がある。辺１１と頂点１０とを結ぶ
直線が、この半導体ウェハ８の結晶方位を示しているも
のと思われる。

第８図に示す半導体ウェハ８においては、貫通孔９の面
積をオリエンテーションフラットを設けることにより損
失するウェハの面積よりも小さくしている。したがって
半導体ウェハ８の面積損失は、オリエンテーションフラ
ットが設けられた半導体ウェハよりも小さくできる。し
かし、頂点１０と辺１１との間の距離は短いので、貫通
孔９は結晶方位を正確に示さない。

また、半導体ウェハ８の外周部は円形なので、半導体ウ
ェハ８に熱処理をしても半導体ウェハ８の外周部は均一
に膨張する。よって、半導体ウェハ８内部には応力が発
生しないので、半導体ウェハ８にはスリップラインは発
生しない。

特開昭６０−１１９７０９号公報に開示されている他の
半導体ウェハは、第９図に示すように、外周部が円形を
した半導体ウェハに結晶方位識別用マークとして貫通孔
と切欠き溝とを設けたものである。半導体ウェハ１２の
中心部には円形をした貫通孔１３が設けられている。さ
らに半導体ウェハ１２の外周部には、半円形状をした切
欠き溝１４が設けられている。貫通孔１３と切欠き溝１
４とを結ぶ直線が、この半導体ウェハ１２の特定の結晶
方位を示しているものと思われる。この直線のうち両端
の部分、つまり貫通孔１３と切欠溝１４の部分しか半導
体ウェハ１２の面積は損失していない。貫通孔１３の切
欠溝１４とは、結晶方位識別の基準となる直線を特定す
るためのものだから、小さなものであっても構わない。

よって、この結晶方位識別用マークは、オリエンテーシ
ョンフラットに此べ半導体ウェハの面積損失を少なくで
きる。

切欠溝１４は先程説明したように、小さなものであって
も構わない。したがって半導体ウェハ１２の外周部は、
円形に近い形状なので、半導体ウェハ１２に熱処理をし
ても、半導体ウェハ１２の外周部はほぼ均一に膨張する
。よって半導体ウェハ１２内部に発生する応力は小さい
ので、切欠溝１４に応力が集中しても、スリップライン
は発生しにくい。

特開昭６０−１１９７０９号公報に開示されているさら
に他の半導体ウェハは、第１０図に示すように、外周部
が円形をした半導体ウェハ１５に結晶方位識別用マーク
として貫通孔を２つ設けたものである。半導体ウェハ１
５の外周部近傍には貫通孔１６と貫通孔１７とが設けら
れている。貫通孔１６と貫通孔１７とは、共に円形をし
ている。

貫通孔１６と貫通孔１７とを結ぶ直線が、この半導体ウ
ェハ１５の結晶方位を示しているものと思われる。この
半導体ウェハ１５の面積損失を少なくできる理由は、先
ほど説明した第９図に示す半導体ウェハ１２と同じ理由
である。また、この半導体ウェハ１５にスリップライン
が発生しない理由は、先程説明した第８図に示す半導体
ウェハ８と同じ理由である。

オリエンテーションフラット以外の結晶方位識別用マー
クを備えた半導体ウェハの先行技術の他の１つは、特開
昭６３−１４８６１４号公報に記載されている。この先
行技術は、以下のようにして、半導体ウェハに結晶方位
識別用マークを付けている。まず、外周部が円形をした
半導体ウェハの主表面の上からＸ線を半導体ウェハの主
表面に照射する。そして回折されたＸ線を検知器で測定
することにより、この半導体ウェハの結晶方位を検知す
る。そして結晶方位を示すマークを半導体ウェハの表面
に付ける。この先行技術は、半導体ウェハの表面に結晶
方位を示すマークを付けるので、半導体ウェハの面積損
失はない。また半導体ウェハの外周部の形状は円形なの
で、半導体ウェハを熱処理しても、半導体ウェハの外周
部は均一に膨張する。よって、半導体ウェハ内部には応
力が発生しないので、半導体ウェハにはスリップライン
は発生しない。

［発明が解決しようとする課題］半導体ウ土ハは、棒状の状態の半導体をスライスするこ
とにより作製する。この棒はかなり長いので、この棒の
長手方向に貫通孔を設けるのは困難である。このため、
半導体ウェハに結晶方位識別用のマークとして貫通孔を
設ける特開昭６０−１１９７０９号公報に記載の先行技
術においては、半導体ウェハにスライスした段階で、半
導体ウェハに貫通孔を設けなければならない。半導体ウ
ェハ１枚１枚に貫通孔を設けることは、半導体装置の生
産効率が悪くなる。

また、特開昭６０−１１９７０９号公報に記載の先行技
術のうち、第８図に示す結晶方位識別用マークは、先程
説明したように、オリエンテーションフラットよりも半
導体ウェハの結晶方位を正確に示さない。この結晶方位
識別用マークが結晶方位を正確に示さないのは次の点か
らも言える。

すなわち、第８図に示す結晶方位識別用マークは、辺１
１と頂点１０とを結ぶ直線で特定の結晶方位を示してい
る。しかし辺１１と頂点１ｏとを結ぶ直線は何通りもあ
るので、この結晶方位識別用マークは、この点からも結
晶方位を正確に示すことができない。

第９図に示す結晶方位識別用マークも同様である。つま
り円形の貫通孔１３と半円形状の切欠き溝１４とを結ぶ
直線は何通りもあるので、結晶方位を正確に示すことが
できない。第１０図に示す結晶方位識別用マークも全く
同じである。

また特開昭６３−１４８６１４号公報に記載の先行技術
は、先程説明したように、半導体ウェハの表面に結晶方
位を示すマークを付けている。よってマークは、スライ
ス加工前の棒部材のときは付けられないので、マークは
、半導体ウェハの段階で付けなければならない。したが
って、この先行技術においても半導体ウェハ１枚１枚に
マークを付けなければならないので、半導体装置の生産
効率は悪くなる。

また、特開昭６３−１４８６１４号公報に記載の結晶方
位識別用マークは、どのようなマークを半導体ウェハの
表面に付けるか具体的に開示されていない。したがって
この先行技術によっては、結晶方位を正確に示すことが
できるか否かが不明である。

この発明はかかる従来の問題点を解決するためになされ
たもので、その目的は、スライス加工前の棒部材の状態
のときでも容易に付けることができ、かつ半導体ウェハ
の面積損失を少なくでき、かつスリップラインの発生を
抑える、特定の結晶方位を識別するためのマークを備え
た半導体ウェハを提供することである。

［課題を解決するための手段］この発明は、特定の結晶方位を識別するためのマークを
備えた半導体ウェハに関するものである。

この発明に従った半導体ウェハは外周部が円形となって
いる。

この発明の１つの局面においては、半導体ウェハの外周
部に間を隔てて第１の切欠満と第２の切欠溝とを設ける
。そして、第１の切欠溝と第２の切欠溝とを結ぶ直線が
特定の結晶方位を識別するための基準となっている。

この発明の他の局面においては、半導体ウェハの外周部
に結晶方位を識別するためのマークとなる切欠満を設け
る。この切欠溝は直角に交わる２つの切欠而によってそ
の形状が規定されている。

［作用・効果］この発明の１つの局面においては、半導体ウェハの外周
部に間を隔てて第１の切欠溝と第２の切欠溝とが設けら
れている。そして、第１の切欠溝と第２の切欠溝とを結
ぶ直線が特定の結晶方位を識別するための基準となって
いる。この直線のうち両端の部分、つまり切欠溝の部分
しか半導体ウェハの面積は損失していない。切欠溝は結
晶方位識別の基準となる直線を特定するためのものだか
ら、小さなものであっても構わない。よって、この発明
の１つの局面によれば、半導体ウェハにオリエンテーシ
ョンフラットを設ける場合に比べ、半導体ウェハの面積
損失を少なくできる。

また、切欠溝は先程説明したように小さなものであって
も構わない。したがって、半導体ウェハの外周部は円形
に近い形状になっている。このため半導体ウェハに熱処
理をしても、半導体ウェハの外周部はほぼ均一に膨張す
るので、半導体ウェハ内部に発坐する応力は小さい。よ
って切欠溝に応力が集中しても、スリップラインは発生
しにくい。

さらに、切欠溝は、半導体ウェハの外周部に設けられる
ので、スライス加工前の棒部材の状態のときでも付けら
れる。よって、切欠溝を結晶方位識別用マークにすると
、貫通孔や半導体ウェハの表面に付けられたマークを結
晶方位識別用マークにするのに比べ、半導体装置の生産
効率の向上を図ることができる。

この発明の他の局面においては、半導体ウェハの外周部
に結晶方位を識別するためのマークとなる切欠溝を設け
る。この切欠溝は直角に交わる２つの切矢面によって、
その形状が規定されている。

そして、切欠満を規定する２つの切矢面と半導体ウェハ
の主面とが交わることによって形成される直線が特定の
結晶方位を識別するための基準となっている。

面積損失を少なくするために、切欠き溝はあまり大きく
できない。よって切欠き面と半導体ウェハの主面とが交
わることによって形成される直線を長くすることはでき
ない。したがって、オリエンテーションフラットよりは
りソグラフィの際の位置合わせの精度は劣る。しかしな
がら、一方の切矢面と半導体ウェハの主面とが交わるこ
とによって形威される直線（以下第１基準線という）の
直角方向には、他方の切欠面と半導体ウェハの主面とが
交わることによって形成される直線（以下第２基準線と
いう）がある。よって、半導体ウェハを個々のチップに
ダイシングする際には便利である。すなわち、ダイシン
グは次のように行なえばよい。第１基準線を基準に、半
導体ウェハの表面に切込みを数本平行に入れる。次に第
２基準線を基準に、半導体ウェハの表面に切込みを数本
平行に入れる。このようにした半導体ウェハに曲げ応力
をかけ、個々のチップに分離する。

切欠溝は先程説明したようにあまり大きくない。

したがって、半導体ウェハの熱処理の際に、切欠溝にス
リップラインが発生しにくいのは、この発明の１つの局
面と同じである。

また、結晶方位識別用のマークが切欠満なので、スライ
ス加工前の棒部材の状態のときでも容易に付けることが
できる。よって、貫通孔や半導体ウェハの表面に付けら
れたマークを結晶方位識別用マークにするのに比べ、半
導体装置の生産効率は向上する。特に、この発明の他の
局面においては、半導体ウェハに切欠溝を１箇所設ける
だけなので、この発明の一つの局面に比べ半導体装置の
生産効率はさらにに向上する。

［実施例〕この発明に従った半導体ウェハの第１実施例を第１図を
用いて以下説明する。半導体ウェハ２１の外周部は円形
をしている。円の直径は２００ｍｍである。この半導体
ウェハ２１はシリコンからできており、主面２２の面方
位は（１００）である。半導体ウェハ２１の外周部には
、第１の切欠き溝２３と第２の切欠き溝２４とが設けら
れている。第１の切欠き溝２３および第２の切欠き溝２
４は、共にＶ字形をしている。第１切欠き溝２３のＶ字
形の頂点のところは底部２５となっている。

第２の切欠き溝２４のＶ字形の頂点のところは底部２６
となっている。底部２５と底部２６とを結ぶ直線２７は
、半導体ウェハ２１の外周部を規定する円の直径上にあ
る。したがって底部２５と底部２６とを結ぶ直［２７は
、半導体ウェハ２１の外周部を規定する円の直径と同程
度の長さになっている。底部２５と底部２６とを結ぶこ
の直線２７が、Ｅで示す半導体ウェハ２１の結晶方位の
１つである＜１１０＞を示している。なお、直線２７は
想像線である。よって半導体ウェハ２１の上に直線２７
が描かれているわけではない。＜１１０〉を識別するた
めのマークである第１の切欠き溝２３、第２の切欠き溝
２４を半導体ウェハ２１に設ける方法を第５Ａ図から第
５Ｄ図を用いて説明する。

まず、第５Ａ図に示すように、単結晶シリコン棒２７を
準備する。単結晶シリコン棒２７は外面が研摩されてい
る。

次に、第５Ｂ図に示すように単結晶シリコン枠２７にＸ
線を照射し、Ｘ線回折によって結晶方位＜１１０＞を検
知する。そして第１の切欠き溝２３の底部２５と第２の
切欠き溝２４の底部２６とを結ぶ直線が、結晶方位＜１
１０＞を示すように、単結晶シリコン棒２７の外周部に
第１の切欠き満２３、第２の切欠き溝２４を設ける。第
１の切欠き溝２３、第２の切欠き溝２４は、単結晶シリ
コン棒２７の母線に沿って設けられる。なお、第５Ｂ図
には、第２の切欠き溝２４は現われていない。

次に、第５Ｃ図に示すように、１１１結晶シリコン棒２
７の両端をカットする。そして面方位（１００）の面２
２を露出させる。

次に、第５Ｄ図に示すように、単結晶シリコン捧２７を
スライスし、半導体ウェハ２１にする。

以上の工程により、結晶方位＜１１０＞を識別するため
のマークである第１の切欠き溝２３、第２の切欠き溝２
４が設けられた半導体ウェハ２１が作製される。

この実施例の特有の効果を以下説明する。第１図に示す
ように、第１の切欠き溝２３、第２の切欠き満２４は■
字形をしているので、その底部２５、２６はそれぞれ一
義的定まる。よって半導体ウェハ２１の結晶方位を示す
底部２５と底部２６とを結ぶ直線２７は一義的に定まる
。よって、この実施例によれば、半導体ウェハ２１の結
晶方位を正確に表わすことができる。

この実施例においては、底部２５と底部２６とを結ぶ直
線２７が半導体ウェハ２１の特定の結晶方位を示してい
る。したがって、底部と底部とを結ぶ直線が半導体ウェ
ハの特定の結晶方位に対して一定角度で交差するように
切欠き溝を設けた場合に比べて、リソグラフィにおける
位置合わせを容易に行なえる。

また、この実施例においては底部２５と底部２６とを結
ぶ直線２７は、半導体ウェハ２１の外周部を規定する円
の直径と同じ程度の長さになっている。これは通常のオ
リエンテーションフラットよりも長い。したがってリソ
グラフィにおいて、位置合わせを正確に行なえる。

さらに、オリエンテーションフラットが設けられた半導
体ウェハに熱処理をすると、半導体ウェハの外周部は均
一に膨張しないため、半導体ウェハが反ることがある。

特に半導体ウェハの外周部を規定する円の直径が、２０
０ｍｍ以上の半導体ウェハの場合は、ウェハが反る量は
無視できなくなる。これに対しこの実施例においては半
導体ウェハの外周部は円形に近い形状なので、熱処理の
際には半導体ウェハの外周部は均一に膨張する。

よって半導体ウェハの外周部を規定する円の直径が大き
くなっても、半導体ウェハの反りの問題はあまりない。

この実施例においては、底部２５と底部２６とを結ぶ直
線２７が、半導体ウェハ２１の外周部を規定する円の直
径上に来るように第１の切欠き溝２３と第２の切欠き溝
２４とを設けた。しかしながら、この発明においてはこ
れに限定されるわけではなく、底部と底部とを結ぶ直線
が、半導体ウェハの外周部を規定する円の直径上に来な
い位置に切欠き溝を設けてもよい。

また第１の切欠き溝２３、第２の切欠き溝２４は特定の
結晶方位を識別するための基準となる直線２７の両端を
特定するためのものだから、第１の切欠き溝２３、第２
の切欠き溝２４の深さは１ｍｍ程度あれば十分である。

この発明に従った半導体ウェハの第２実施例を第２図を
用いて以下説明する。半導体ウェハ３１の外周部は固形
をしている。半導体ウェハ３１はシリコンからできてい
る。主面３２の面方位は（１００）となっている。半導
体ウェハ３１の外周部には、第１の切欠き溝３３と第２
の切欠き溝３４とが設けられている。第１の切欠き溝３
３、第２の切欠き溝３４は共にＶ字形をしている。第１
の切欠き満３３のＶ字形の頂点のところは、底部３５と
なっている。第２の切欠き溝３４のＶ字形の頂点のとこ
ろは、底部３６となって．いる。底部３５と底部３６と
を結ぶ直線３７は、半導体ウェハ３１の外周部を規定す
る円の直径上にある。

したがって底部３５と底部３６とを結ぶ直線３７は、半
導体ウェハ３１の外周部を規定する円の直径と同程度の
長さになっている。底部３５と底部３６とを結ぶ直線３
７が、Ｆで示す半導体ウェハ３１の結晶方位＜１１０＞
に対して一定の角度で交差するように第１の切欠き溝３
３、第２の切欠き溝３４が設けられている。この点が第
１実施例と違うところである。なお、直線３７は想像線
である。よって半導体ウェハ３１の上に直線３７が描か
れているわけではない。

このような位置に切欠き溝を設けると、半導体ウェハの
熱処理の際に、切欠き溝のところに応力が集中しても、
スリップラインはオリエンテーションフラットが設けら
れた半導体ウェハに比べ発生しにくい。

この発明に従った半導体ウェハの第３実施例を第３図を
用いて以下説明する。半導体ウェハ４１は外周部が円形
をしている。主面４２の面方位は（１００）である。半
導体ウェハ４１の外周部には、第１の切欠き溝４３、第
２の切欠き溝４４が設けられている。第１の切欠き溝４
３は、切欠面４７と切欠面４８とによって規定されてい
る。切欠面４７と切欠面４８とは直角に接している。直
角に接しているところが底部４５となっている。

第２の切欠き溝４４は、切欠面４９と切欠面５０とによ
って規定されている。切欠き面４つと切欠き面５０とは
直角に接している。直角に接しているところが底部４６
となっている。

底部４５と底部４６を結ぶ直線５８が、Ｈで示す半導体
ウェハ４１の結晶方位の１つであるく１１０＞を示して
いる。切欠き面４８と切欠き面５０とは同一平面上にあ
る。切矢面４８、５０が、半導体ウェハ４１の主面４２
と交わることによって形成される直線も、Ｈで示す半導
体ウェハ４１の結晶方位の１つである＜１１０＞を示し
ている。

また切欠き面４７が主面４２と交わることによって形成
される直線を延長した直線５つは、Ｇで示す半導体ウェ
ハ４１の結晶方位の１つであるく１１０〉を示している
。切矢面４つが主面４２と交わることによって形成され
る直線を延長した直線６０も、Ｇで示す半導体ウェハ４
１の結晶方位の１つである＜１１０＞を示している。

この実施例の特有の効果を以下説明する。第６図に示す
ように、オリエンテーションフラット３が設けられた半
導体ウェハ１においてはＢで示す結晶方位＜１１０＞の
認識はオリエンテーションフラット３の直角方向を探す
ことにより行なっていた。これに対し、この実施例にお
いては、第３図に示すように、直線５８がＨで示す粘晶
方位く１１０〉を示している。そして直線５９、６０が
Ｇで示す結晶方位＜１１０＞を示している。なお、直線
５８、５９、６０は想像線である。よって半導体ウェハ
４１の上に直線５８、５９、６０が描かれているわけで
はない。

この発明に従った半導体ウェハの第４実施例を第４図を
用いて以下説明する。半導体ウェハ５１の外周部は円形
をしている。また半導体ウェハ５１はシリコンからでき
ており、主面５２の面方位は（１００）となっている。

半導体ウェハ５１の外周部には切欠き溝５３が設けられ
ている。切欠き溝５３は、第１の切欠き面５４と第２の
切欠き面５５とによって規定されている。第１の切欠き
面５４と第２の切欠き面５５とは直角に接している。第
１の切欠き面５４と主面５２とが交わることによって形
成される直線を延長した直線５６は、■で示す半導体ウ
ェハ５１の結晶方位の１つである＜１１０＞を示してい
る。また、第２の切欠面５５と主面５２とが交わること
によって形或される直線を延長した直線５７は、Ｊで示
す半導体ウェハ５１の結晶方位の１つである＜１１０＞
を示している。なお、直線５６、５７は想像線である。

よって半導体ウェハ４１の上に直線５６、５７が描かれ
ているわけではない。

この実施例においては、１つの切欠溝により、！で示す
結晶方位＜１１０＞とＪで示す結晶方位＜１１０＞とを
識別できる。したがって、半導体ウェハ５１を個々のチ
ップにダイシングする際には次のように行なえばよい。

まず、直線５６に沿って、半導体ウェハ５１の表面に切
込みを数本平行に入れる。次に直線５７に沿って、半導
体ウェハ５１の表面に切込みを数本平行に入れる。この
ようにした半導体ウェハ５１に曲げ応力をかけ、個々の
チップに分離する。

この実施例においては、直線５６がＩで示す桔晶方位＜
１１０＞を示し、直線５７がＪで示す拮晶方位＜１１０
＞を示している。しかしながらこの発明においてはこれ
に限定されるわけではなく、直線５６が１で示す結晶方
位＜１１０＞に対して一定角度で交差し、かつ直線５７
がＪで示す結見方位＜１１０＞に対して一定角度で交差
するように切欠溝を設けてもよい。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明に従った半導体ウェハの第１実施例
の平面図である。第２図は、この発明に従った半導体ウェハの第２実施例
の平面図である。第３図は、この発明に従った半導体ウェハの第３実施例
の平面図である。第４図は、この発明に従った半導体ウェハの第４実施例
の平面図である。第５Ａ図から第５Ｄ図は、この発明に従った半導体ウェ
ハの製造方法を順に示す工程図である。第６図は、結晶方位識別用のマークとしてオリエンテー
ションフラットが設けられた従来の半導体ウェハの平面
図である。第７図はオリエンテーションフラットの部分にスリップ
ラインが発生している状態を示す図である。第８図から第１０図は、結晶方位識別用のマークとして
貫通孔等を用いた従来の半導体ウェハの平面図である。図に示すように、２１は半導体ウェハ、２３は昂１の切
欠き溝、２４は第２の切欠き溝、２７は直線、３１は半
導体ウェハ、３３は第１の切欠き満、３４は第２の切欠
き満、３７は直線、４１は半導体ウェハ、４３は第１の
切欠き満、４４は第２の切欠き溝、４７、４８、４９、
５０は切欠き面、５１は半導体ウェハ、５３は切欠き湾
、５４は第１の切欠き面、５５は第２の切欠き面、５６
、５７、５８、５つ、６０は直線を示す。第１図第２図＄５Ａ図 −１５８図弟３図第４図８ＳＣ図第６図第７図第８図萬１０図第ｑ図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）特定の結晶方位を識別するためのマークを備えた
半導体ウェハにおいて、前記半導体ウェハは、円形の外周部を有しており、前記半導体ウェハの外周部には、間を隔てて第１の切欠
溝と第２の切欠溝とが設けられており、前記第１の切欠
溝と前記第２の切欠溝とを結ぶ直線が特定の結晶方位を
識別するための基準となることを特徴とする、半導体ウ
ェハ。
（２）特定の結晶方位を識別するためのマークを備えた
半導体ウェハにおいて、前記半導体ウェハは、円形の外周部を有しており、前記半導体ウェハの外周部には、前記マークとなるべき
切欠溝が形成されており、前記切欠溝は直角に交わる２つの切欠面によってその形
状が規定されていることを特徴とする、半導体ウェハ。