JPH08186308A - レーザーダイオード励起固体レーザーおよびその製造方法 - Google Patents
レーザーダイオード励起固体レーザーおよびその製造方法Info
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- JPH08186308A JPH08186308A JP6327791A JP32779194A JPH08186308A JP H08186308 A JPH08186308 A JP H08186308A JP 6327791 A JP6327791 A JP 6327791A JP 32779194 A JP32779194 A JP 32779194A JP H08186308 A JPH08186308 A JP H08186308A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ２つの共振器ミラーをホルダーのミラー取付
面に接着固定するようにしたレーザーダイオード励起固
体レーザーにおいて、共振器長が周囲温度の変化によっ
て大きく変わらないようにする。 【構成】 共振器軸方向に互いに離して形成された２つ
のミラー取付面21ａ、21ｂを有するホルダー21を設け、
共振器ミラーを兼ねるＮｄ：ＹＡＧ結晶13と共振器ミラ
ー14とを、上記ミラー取付面21ａ、21ｂに各々接着固定
し、そして各接着剤の層厚を５μｍ以下とする。
面に接着固定するようにしたレーザーダイオード励起固
体レーザーにおいて、共振器長が周囲温度の変化によっ
て大きく変わらないようにする。 【構成】 共振器軸方向に互いに離して形成された２つ
のミラー取付面21ａ、21ｂを有するホルダー21を設け、
共振器ミラーを兼ねるＮｄ：ＹＡＧ結晶13と共振器ミラ
ー14とを、上記ミラー取付面21ａ、21ｂに各々接着固定
し、そして各接着剤の層厚を５μｍ以下とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体レーザー結晶を半
導体レーザー（レーザーダイオード）によって励起する
レーザーダイオード励起固体レーザーに関し、特に詳細
には、共振器ミラーの取付構造が改良されたレーザーダ
イオード励起固体レーザーに関するものである。
導体レーザー（レーザーダイオード）によって励起する
レーザーダイオード励起固体レーザーに関し、特に詳細
には、共振器ミラーの取付構造が改良されたレーザーダ
イオード励起固体レーザーに関するものである。
【０００２】また本発明は、上述のようなレーザーダイ
オード励起固体レーザーを製造する方法に関するもので
ある。
オード励起固体レーザーを製造する方法に関するもので
ある。
【０００３】
【従来の技術】例えば特開昭62-189783 号公報に示され
るように、ネオジウム等の希土類が添加された固体レー
ザー結晶を、半導体レーザーから発せられた光によって
励起するレーザーダイオード励起固体レーザーが公知と
なっている。この種のレーザーにおいては多くの場合、
共振器として、２つの共振器ミラーからなるファブリー
・ペロー型共振器が用いられている。
るように、ネオジウム等の希土類が添加された固体レー
ザー結晶を、半導体レーザーから発せられた光によって
励起するレーザーダイオード励起固体レーザーが公知と
なっている。この種のレーザーにおいては多くの場合、
共振器として、２つの共振器ミラーからなるファブリー
・ペロー型共振器が用いられている。
【０００４】このファブリー・ペロー型共振器において
は、レーザー発振を安定に維持するために、共振器部分
を温度調節する等して、共振器長（２つの共振器ミラー
のミラー面間距離）が周囲温度の変化によって大きく変
わらないようにする必要がある。この共振器長が変化し
てしまうと、レーザー出力や縦モードが変動したり、あ
るいはノイズの発生を招く。より具体的には、共振器長
変化は少なくとも発振波長の１／４以下に抑える必要が
あり、多くのレーザーダイオード励起固体レーザーの発
振波長が１μｍ近辺にあることを考えれば、理想的には
共振器長変化を概ね0.25μｍ以下に抑える必要があると
言える。
は、レーザー発振を安定に維持するために、共振器部分
を温度調節する等して、共振器長（２つの共振器ミラー
のミラー面間距離）が周囲温度の変化によって大きく変
わらないようにする必要がある。この共振器長が変化し
てしまうと、レーザー出力や縦モードが変動したり、あ
るいはノイズの発生を招く。より具体的には、共振器長
変化は少なくとも発振波長の１／４以下に抑える必要が
あり、多くのレーザーダイオード励起固体レーザーの発
振波長が１μｍ近辺にあることを考えれば、理想的には
共振器長変化を概ね0.25μｍ以下に抑える必要があると
言える。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】２つの共振器ミラーを
所定位置に固定する方法の１つとして、共振器軸方向に
互いに離して形成された２つのミラー取付面を有するホ
ルダーを設け、このホルダーのミラー取付面のそれぞれ
に、共振器ミラーの光軸と交わる端面を接着固定するこ
とが考えられる。
所定位置に固定する方法の１つとして、共振器軸方向に
互いに離して形成された２つのミラー取付面を有するホ
ルダーを設け、このホルダーのミラー取付面のそれぞれ
に、共振器ミラーの光軸と交わる端面を接着固定するこ
とが考えられる。
【０００６】しかしそのようにする場合、共振器長変化
を上述の数値以下に抑えることは困難となっている。す
なわち、高分子材料等からなる接着剤は理想的に完全硬
化する訳ではなく、経年変化や高温保存等で硬化収縮が
進行することがある。また、低温、高温保存で、共振器
ミラー部材とホルダー部材の線膨張率差による応力のた
めに接着層厚が変化することがある。そこで、レーザー
をある所定温度に温度調節して使用するとしても、例え
ば使用休止、運搬等のためにレーザー電源を切って温度
調節を解除した際の接着剤の硬化率変化、応力による接
着層厚変化がそのまま残り、それが共振器長の経時変化
となって現れるのである。
を上述の数値以下に抑えることは困難となっている。す
なわち、高分子材料等からなる接着剤は理想的に完全硬
化する訳ではなく、経年変化や高温保存等で硬化収縮が
進行することがある。また、低温、高温保存で、共振器
ミラー部材とホルダー部材の線膨張率差による応力のた
めに接着層厚が変化することがある。そこで、レーザー
をある所定温度に温度調節して使用するとしても、例え
ば使用休止、運搬等のためにレーザー電源を切って温度
調節を解除した際の接着剤の硬化率変化、応力による接
着層厚変化がそのまま残り、それが共振器長の経時変化
となって現れるのである。
【０００７】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、２つの共振器ミラーをホルダーのミラー取付面
に接着固定する構造を採用しても、共振器長が周囲温度
の変化によって大きく変わることのないレーザーダイオ
ード励起固体レーザーを提供することを目的とする。
であり、２つの共振器ミラーをホルダーのミラー取付面
に接着固定する構造を採用しても、共振器長が周囲温度
の変化によって大きく変わることのないレーザーダイオ
ード励起固体レーザーを提供することを目的とする。
【０００８】また本発明は、そのように共振器長が周囲
温度の変化によって大きく変わることのないレーザーダ
イオード励起固体レーザーを製造する方法を提供するこ
とを目的とする。
温度の変化によって大きく変わることのないレーザーダ
イオード励起固体レーザーを製造する方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によるレーザーダ
イオード励起固体レーザーは、前述したように２つの共
振器ミラーからなるファブリー・ペロー型共振器を有す
るレーザーダイオード励起固体レーザーにおいて、共振
器軸方向に互いに離して形成された２つのミラー取付面
を有するホルダーが設けられ、２つの共振器ミラーが、
上記ミラー取付面のそれぞれに、光軸と交わる端面を接
着剤により接着して固定され、そして、この接着剤の層
厚が５μｍ以下とされていることを特徴とするものであ
る。
イオード励起固体レーザーは、前述したように２つの共
振器ミラーからなるファブリー・ペロー型共振器を有す
るレーザーダイオード励起固体レーザーにおいて、共振
器軸方向に互いに離して形成された２つのミラー取付面
を有するホルダーが設けられ、２つの共振器ミラーが、
上記ミラー取付面のそれぞれに、光軸と交わる端面を接
着剤により接着して固定され、そして、この接着剤の層
厚が５μｍ以下とされていることを特徴とするものであ
る。
【００１０】なお上記の構成におけるミラー取付面は、
好ましくは、表面粗さが発振波長以下となるように仕上
げられたものとされる。
好ましくは、表面粗さが発振波長以下となるように仕上
げられたものとされる。
【００１１】一方本発明によるレーザーダイオード励起
固体レーザーの製造方法は、レーザーダイオード励起固
体レーザーの共振器長を決定する光学部材を、ホルダー
の共振器軸と交わる部品取付面に接着固定する際に、こ
の部品取付面に光学部材を密着させた後、これら両者の
隙間から接着剤を浸透させることを特徴とするものであ
る。
固体レーザーの製造方法は、レーザーダイオード励起固
体レーザーの共振器長を決定する光学部材を、ホルダー
の共振器軸と交わる部品取付面に接着固定する際に、こ
の部品取付面に光学部材を密着させた後、これら両者の
隙間から接着剤を浸透させることを特徴とするものであ
る。
【００１２】
【作用および発明の効果】本発明者の研究によると、共
振器ミラーの接着に用いられる一般的な接着剤、すなわ
ち２液混合・室温硬化型エポキシ接着剤や、シリコンＲ
ＴＶゴム接着剤の硬化時の硬化収縮率（線収縮率）は２
％程度である。したがって、ミラー取付面における接着
剤の層厚が５μｍ以下に調整されていれば、この接着剤
層の未硬化部分の硬化収縮が進行しても収縮は５×0.02
＝0.1 μｍ程度となる。そこで、２つのミラー取付面の
合計で考えても、接着剤層の硬化収縮（すなわち共振器
長の経時変化）は上記の２倍の0.2 μｍ程度となり、先
に述べた0.25μｍ以下に抑えられるようになる。
振器ミラーの接着に用いられる一般的な接着剤、すなわ
ち２液混合・室温硬化型エポキシ接着剤や、シリコンＲ
ＴＶゴム接着剤の硬化時の硬化収縮率（線収縮率）は２
％程度である。したがって、ミラー取付面における接着
剤の層厚が５μｍ以下に調整されていれば、この接着剤
層の未硬化部分の硬化収縮が進行しても収縮は５×0.02
＝0.1 μｍ程度となる。そこで、２つのミラー取付面の
合計で考えても、接着剤層の硬化収縮（すなわち共振器
長の経時変化）は上記の２倍の0.2 μｍ程度となり、先
に述べた0.25μｍ以下に抑えられるようになる。
【００１３】そうであれば、共振器長の経時変化は発振
波長（１μｍ近辺）の１／４以下となり、レーザー出力
や縦モードが変動したり、あるいはノイズが発生するこ
とを防止できる。
波長（１μｍ近辺）の１／４以下となり、レーザー出力
や縦モードが変動したり、あるいはノイズが発生するこ
とを防止できる。
【００１４】なお、ミラー取付面の表面粗さが発振波長
以下の程度である場合は、接着剤が均一に広く延びやす
くなるので、接着剤層をより薄くして、共振器長の変化
量を少なく抑えることができる。
以下の程度である場合は、接着剤が均一に広く延びやす
くなるので、接着剤層をより薄くして、共振器長の変化
量を少なく抑えることができる。
【００１５】また、上述した本発明によるレーザーダイ
オード励起固体レーザーの製造方法を用いれば、接着剤
の層厚を容易に５μｍ以下に調整可能となる。つまり、
共振器ミラーをミラー取付面に密着させた後、これら両
者の隙間から接着剤を浸透させると、接着剤は極めて薄
く延びるようになる。
オード励起固体レーザーの製造方法を用いれば、接着剤
の層厚を容易に５μｍ以下に調整可能となる。つまり、
共振器ミラーをミラー取付面に密着させた後、これら両
者の隙間から接着剤を浸透させると、接着剤は極めて薄
く延びるようになる。
【００１６】このような方法は、共振器ミラーをミラー
取付面に接着する場合に限らず、共振器長を決定するそ
の他の光学部材を、ホルダーの共振器軸と交わる部品取
付面に接着固定する際に適用されても、同様に接着剤層
を薄くして、その硬化率変化、応力による接着層厚変化
による共振器長の変化を少なく抑える効果を奏するもの
である。
取付面に接着する場合に限らず、共振器長を決定するそ
の他の光学部材を、ホルダーの共振器軸と交わる部品取
付面に接着固定する際に適用されても、同様に接着剤層
を薄くして、その硬化率変化、応力による接着層厚変化
による共振器長の変化を少なく抑える効果を奏するもの
である。
【００１７】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図１は、本発明の一実施例によるレーザー
ダイオード励起固体レーザーを示すものである。このレ
ーザーダイオード励起固体レーザーは、励起光としての
レーザービーム10を発するチップ状態の半導体レーザー
11と、発散光である上記レーザービーム10を集光する集
光レンズ12と、ネオジウム（Ｎｄ）がドーピングされた
固体レーザー媒質であるＹＡＧ結晶（以下、Ｎｄ：ＹＡ
Ｇ結晶と称する）13と、このＮｄ：ＹＡＧ結晶13の前方
側（図中右方側）に配された共振器ミラー14とを有して
いる。
に説明する。図１は、本発明の一実施例によるレーザー
ダイオード励起固体レーザーを示すものである。このレ
ーザーダイオード励起固体レーザーは、励起光としての
レーザービーム10を発するチップ状態の半導体レーザー
11と、発散光である上記レーザービーム10を集光する集
光レンズ12と、ネオジウム（Ｎｄ）がドーピングされた
固体レーザー媒質であるＹＡＧ結晶（以下、Ｎｄ：ＹＡ
Ｇ結晶と称する）13と、このＮｄ：ＹＡＧ結晶13の前方
側（図中右方側）に配された共振器ミラー14とを有して
いる。
【００１８】そしてこの共振器ミラー14とＮｄ：ＹＡＧ
結晶13との間には、Ｎｄ：ＹＡＧ結晶13側から順に、非
線形光学材料であるＫＮｂＯ3 結晶（以下、ＫＮ結晶と
称する）15、および石英板からなるエタロン16が配置さ
れている。
結晶13との間には、Ｎｄ：ＹＡＧ結晶13側から順に、非
線形光学材料であるＫＮｂＯ3 結晶（以下、ＫＮ結晶と
称する）15、および石英板からなるエタロン16が配置さ
れている。
【００１９】半導体レーザー11としては、波長809 ｎｍ
のレーザービーム10を発するものが用いられている。Ｎ
ｄ：ＹＡＧ結晶13は入射したレーザービーム10によって
ネオジウムイオンが励起されて、波長946 ｎｍの光を発
する。Ｎｄ：ＹＡＧ結晶13の励起光入射側の端面13ａに
は、波長946 ｎｍの光は良好に反射させ（反射率99.9％
以上）、波長809 ｎｍの励起用レーザービーム10は良好
に透過させる（透過率99％以上）コーティングが施され
ている。一方石英からなる共振器ミラー14のミラー面14
ａには、波長946 ｎｍの光は良好に反射させ下記の波長
473 ｎｍの光は透過させるコーティングが施されてい
る。
のレーザービーム10を発するものが用いられている。Ｎ
ｄ：ＹＡＧ結晶13は入射したレーザービーム10によって
ネオジウムイオンが励起されて、波長946 ｎｍの光を発
する。Ｎｄ：ＹＡＧ結晶13の励起光入射側の端面13ａに
は、波長946 ｎｍの光は良好に反射させ（反射率99.9％
以上）、波長809 ｎｍの励起用レーザービーム10は良好
に透過させる（透過率99％以上）コーティングが施され
ている。一方石英からなる共振器ミラー14のミラー面14
ａには、波長946 ｎｍの光は良好に反射させ下記の波長
473 ｎｍの光は透過させるコーティングが施されてい
る。
【００２０】したがって、波長946 ｎｍの光は上記各面
13ａ、14ａ間に閉じ込められてレーザー発振を引き起こ
し、こうして発生したレーザービーム18はＫＮ結晶15に
より波長が１／２すなわち473 ｎｍの第２高調波19に変
換され、この第２高調波19が共振器ミラー14から出射す
る。
13ａ、14ａ間に閉じ込められてレーザー発振を引き起こ
し、こうして発生したレーザービーム18はＫＮ結晶15に
より波長が１／２すなわち473 ｎｍの第２高調波19に変
換され、この第２高調波19が共振器ミラー14から出射す
る。
【００２１】半導体レーザー11および集光レンズ12はホ
ルダー20に固定され、一方Ｎｄ：ＹＡＧ結晶13、ＫＮ結
晶15、エタロン16および共振器ミラー14は別のホルダー
21に固定され、これらのホルダー20および21が基準板22
に固定されている。そしてこの基準板22は、ヒートシン
ク23に接合されたペルチェ素子24の上に固定されてい
る。
ルダー20に固定され、一方Ｎｄ：ＹＡＧ結晶13、ＫＮ結
晶15、エタロン16および共振器ミラー14は別のホルダー
21に固定され、これらのホルダー20および21が基準板22
に固定されている。そしてこの基準板22は、ヒートシン
ク23に接合されたペルチェ素子24の上に固定されてい
る。
【００２２】上に述べた通り本実施例においては、Ｎ
ｄ：ＹＡＧ結晶13と共振器ミラー14とによってファブリ
ー・ペロー型共振器が構成され、この共振器の部分と半
導体レーザー11および集光レンズ12は、上記ペルチェ素
子24が図示しない温調回路によって駆動制御されること
により、所定温度に保たれる。
ｄ：ＹＡＧ結晶13と共振器ミラー14とによってファブリ
ー・ペロー型共振器が構成され、この共振器の部分と半
導体レーザー11および集光レンズ12は、上記ペルチェ素
子24が図示しない温調回路によって駆動制御されること
により、所定温度に保たれる。
【００２３】次に、ホルダー21に対するレーザー構成部
品の取付け構造について説明する。このホルダー21は例
えば銅からなり、概略角筒状に形成され、その両端面は
共振器軸に対して垂直となるように研磨されてミラー取
付面21ａ、21ｂとされている。共振器ミラーとしても作
用するＮｄ：ＹＡＧ結晶13は、その１つの光通過端面13
ｂをミラー取付面21ａに接着することにより、ホルダー
21に固定されている。一方共振器ミラー14は、そのミラ
ー面14ａの周外方側に続く面14ｂをミラー取付面21ｂに
接着することにより、ホルダー21に固定されている。ま
たＫＮ結晶15およびエタロン16は、ホルダー21内を共振
器軸方向に延びる貫通孔の周壁に接着して、ホルダー21
に固定されている。これらの接着は、一例として２液混
合・室温硬化型エポキシ接着剤を用いてなされる。
品の取付け構造について説明する。このホルダー21は例
えば銅からなり、概略角筒状に形成され、その両端面は
共振器軸に対して垂直となるように研磨されてミラー取
付面21ａ、21ｂとされている。共振器ミラーとしても作
用するＮｄ：ＹＡＧ結晶13は、その１つの光通過端面13
ｂをミラー取付面21ａに接着することにより、ホルダー
21に固定されている。一方共振器ミラー14は、そのミラ
ー面14ａの周外方側に続く面14ｂをミラー取付面21ｂに
接着することにより、ホルダー21に固定されている。ま
たＫＮ結晶15およびエタロン16は、ホルダー21内を共振
器軸方向に延びる貫通孔の周壁に接着して、ホルダー21
に固定されている。これらの接着は、一例として２液混
合・室温硬化型エポキシ接着剤を用いてなされる。
【００２４】ここで、上記ミラー取付面21ａ、21ｂは、
面粗さが固体レーザーの発振波長つまり946 ｎｍより小
さくなるように、鏡面研磨仕上げされている。なお、こ
の鏡面研磨仕上げに代えて超精密切削仕上げ等が適用さ
れても構わない。一方これらのミラー取付面21ａ、21ｂ
に対するＮｄ：ＹＡＧ結晶13の接着面13ｂ、および共振
器ミラー14の接着面14ｂも、面粗さが上記発振波長より
小さくなるようにして、それぞれ光軸に垂直に仕上げら
れている。
面粗さが固体レーザーの発振波長つまり946 ｎｍより小
さくなるように、鏡面研磨仕上げされている。なお、こ
の鏡面研磨仕上げに代えて超精密切削仕上げ等が適用さ
れても構わない。一方これらのミラー取付面21ａ、21ｂ
に対するＮｄ：ＹＡＧ結晶13の接着面13ｂ、および共振
器ミラー14の接着面14ｂも、面粗さが上記発振波長より
小さくなるようにして、それぞれ光軸に垂直に仕上げら
れている。
【００２５】共振器ミラー14は、図２に示すように、そ
の接着面14ｂをホルダー21のミラー取付面21ｂに密着さ
せた後、滴下させた接着剤30をこれら両者の隙間から浸
透させることにより、ホルダー21に接着固定されてい
る。Ｎｄ：ＹＡＧ結晶13も同様に、その接着面13ｂをホ
ルダー21のミラー取付面21ａに密着させた後、接着剤を
これら両者の隙間から浸透させることにより、ホルダー
21に接着固定されている。このように接着剤を接着面間
に浸透させた後、該接着剤を室温下に24時間放置して硬
化させ、次いで80℃で12時間、接着剤をベーキングし
た。
の接着面14ｂをホルダー21のミラー取付面21ｂに密着さ
せた後、滴下させた接着剤30をこれら両者の隙間から浸
透させることにより、ホルダー21に接着固定されてい
る。Ｎｄ：ＹＡＧ結晶13も同様に、その接着面13ｂをホ
ルダー21のミラー取付面21ａに密着させた後、接着剤を
これら両者の隙間から浸透させることにより、ホルダー
21に接着固定されている。このように接着剤を接着面間
に浸透させた後、該接着剤を室温下に24時間放置して硬
化させ、次いで80℃で12時間、接着剤をベーキングし
た。
【００２６】このベーキングの後に、ミラー取付面21ａ
とＮｄ：ＹＡＧ結晶13との間、ミラー取付面21ｂと共振
器ミラー14との間の各接着剤の層厚を測定したところ、
約１〜２μｍであった。これは、先に述べた５μｍ以下
という条件を満足するものである。そしてこの接着剤
は、体積硬化収縮が５〜６％であり、上記ベーキングを
してから−25℃〜70℃の保存試験を行なった後の各接着
剤層の厚さ変化は、0.1μｍ以下に抑えられた。
とＮｄ：ＹＡＧ結晶13との間、ミラー取付面21ｂと共振
器ミラー14との間の各接着剤の層厚を測定したところ、
約１〜２μｍであった。これは、先に述べた５μｍ以下
という条件を満足するものである。そしてこの接着剤
は、体積硬化収縮が５〜６％であり、上記ベーキングを
してから−25℃〜70℃の保存試験を行なった後の各接着
剤層の厚さ変化は、0.1μｍ以下に抑えられた。
【００２７】したがって、これら接着剤層の層厚変化に
よる共振器長（Ｎｄ：ＹＡＧ結晶13の端面13ａと共振器
ミラー14のミラー面14ａとの間の距離）の変化は、0.2
μｍ以下となる。これは、固体レーザー発振波長946 ｎ
ｍの１／４以下であるから、レーザー出力や縦モードが
変動したり、あるいはノイズが発生することが確実に防
止される。なお、本実施例において発振波長変化は0.01
ｎｍ以下であった。
よる共振器長（Ｎｄ：ＹＡＧ結晶13の端面13ａと共振器
ミラー14のミラー面14ａとの間の距離）の変化は、0.2
μｍ以下となる。これは、固体レーザー発振波長946 ｎ
ｍの１／４以下であるから、レーザー出力や縦モードが
変動したり、あるいはノイズが発生することが確実に防
止される。なお、本実施例において発振波長変化は0.01
ｎｍ以下であった。
【００２８】＜比較例＞本発明の効果を確認するため
に、ホルダー21のミラー取付面21ａ、21ｂを通常のフラ
イス加工で仕上げ、それ以外は上記実施例と同様にし
て、比較例としてのレーザーダイオード励起固体レーザ
ーを作製した。この比較例においては、前記ベーキング
の後に、ミラー取付面21ａとＮｄ：ＹＡＧ結晶13との
間、ミラー取付面21ｂと共振器ミラー14との間の各接着
剤の層厚を測定したところ、５μｍを上回る約10μｍで
あった。そして、上記ベーキングをしてから−25℃〜70
℃の保存試験を行なった後の各接着剤層の厚さ変化は、
約0.2 μｍであった。
に、ホルダー21のミラー取付面21ａ、21ｂを通常のフラ
イス加工で仕上げ、それ以外は上記実施例と同様にし
て、比較例としてのレーザーダイオード励起固体レーザ
ーを作製した。この比較例においては、前記ベーキング
の後に、ミラー取付面21ａとＮｄ：ＹＡＧ結晶13との
間、ミラー取付面21ｂと共振器ミラー14との間の各接着
剤の層厚を測定したところ、５μｍを上回る約10μｍで
あった。そして、上記ベーキングをしてから−25℃〜70
℃の保存試験を行なった後の各接着剤層の厚さ変化は、
約0.2 μｍであった。
【００２９】したがって、これら接着剤層の層厚変化に
よる共振器長の変化は約0.4 μｍとなり、固体レーザー
発振波長946 ｎｍの１／４を超えてしまう。
よる共振器長の変化は約0.4 μｍとなり、固体レーザー
発振波長946 ｎｍの１／４を超えてしまう。
【００３０】以上、固体レーザー結晶としてＮｄ：ＹＡ
Ｇ結晶を用い、そして固体レーザービームを第２高調波
に変換するようにした実施例について説明したが、本発
明はそれ以外の固体レーザー結晶を使用するレーザーダ
イオード励起固体レーザーに対しても、また特に波長変
換は行なわないレーザーダイオード励起固体レーザーに
対しても同様に適用可能で、そして同様の効果を奏する
ものである。
Ｇ結晶を用い、そして固体レーザービームを第２高調波
に変換するようにした実施例について説明したが、本発
明はそれ以外の固体レーザー結晶を使用するレーザーダ
イオード励起固体レーザーに対しても、また特に波長変
換は行なわないレーザーダイオード励起固体レーザーに
対しても同様に適用可能で、そして同様の効果を奏する
ものである。
【図１】本発明の一実施例装置を示す概略側面図
【図２】上記実施例装置における共振器ミラーの接着方
法を説明する説明図
法を説明する説明図
10 レーザービーム（励起光） 11 半導体レーザー 12 集光レンズ 13 Ｎｄ：ＹＡＧ結晶 13ｂ Ｎｄ：ＹＡＧ結晶の接着面 14 共振器ミラー 14ｂ 共振器ミラーの接着面 15 ＫＮ結晶 16 エタロン 18 固体レーザービーム 19 第２高調波 20、21 ホルダー 21ａ、21ｂ ホルダーのミラー取付面 22 基準板 23 ヒートシンク 24 ペルチェ素子 30 接着剤
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 久保 和美 神奈川県足柄上郡開成町宮台798番地 富 士写真フイルム株式会社内 (72)発明者 小林 富美男 埼玉県大宮市植竹町１丁目324番地 富士 写真光機株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 ２つの共振器ミラーからなるファブリー
・ペロー型共振器を有するレーザーダイオード励起固体
レーザーにおいて、 共振器軸方向に互いに離して形成された２つのミラー取
付面を有するホルダーが設けられ、 前記共振器ミラーが、前記ミラー取付面のそれぞれに、
光軸と交わる端面を接着剤により接着して固定され、 この接着剤の層厚が５μｍ以下とされていることを特徴
とするレーザーダイオード励起固体レーザー。 - 【請求項２】 前記ミラー取付面が、表面粗さが発振波
長以下となるように仕上げられたものであることを特徴
とする請求項１記載のレーザーダイオード励起固体レー
ザー。 - 【請求項３】 レーザーダイオード励起固体レーザーの
共振器長を決定する光学部材を、ホルダーの共振器軸と
交わる部品取付面に接着固定する際に、 この部品取付面に光学部材を密着させた後、これら両者
の隙間から接着剤を浸透させることを特徴とするレーザ
ーダイオード励起固体レーザーの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32779194A JP3450073B2 (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | レーザーダイオード励起固体レーザーおよびその製造方法 |
| US08/580,183 US5703900A (en) | 1994-12-28 | 1995-12-28 | Laser-diode-pumped solid state laser and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32779194A JP3450073B2 (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | レーザーダイオード励起固体レーザーおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08186308A true JPH08186308A (ja) | 1996-07-16 |
| JP3450073B2 JP3450073B2 (ja) | 2003-09-22 |
Family
ID=18203033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32779194A Expired - Fee Related JP3450073B2 (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | レーザーダイオード励起固体レーザーおよびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5703900A (ja) |
| JP (1) | JP3450073B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004296706A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Sony Corp | 光共振器及びレーザ発振器 |
| JP2005352037A (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Nikon Corp | 光学部材の保持構造、露光装置 |
| JP2010109094A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Fujifilm Corp | モード同期レーザ装置 |
| JP4827983B1 (ja) * | 2010-09-10 | 2011-11-30 | パナソニック株式会社 | レーザ光源装置 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000275488A (ja) * | 1999-03-25 | 2000-10-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光学部材固定方法及び光学部材の支持部材 |
| JP2000315833A (ja) * | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 単一縦モード固体レーザー |
| JP4099573B2 (ja) * | 2002-06-26 | 2008-06-11 | ソニー株式会社 | 光学素子、光出射装置及び光学素子の製造方法 |
| JP3741108B2 (ja) * | 2003-03-18 | 2006-02-01 | ソニー株式会社 | レーザー発光モジュール |
| US7804600B1 (en) | 2007-04-30 | 2010-09-28 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Ring-laser gyroscope system using dispersive element(s) |
| JP2010045147A (ja) | 2008-08-12 | 2010-02-25 | Fujifilm Corp | モード同期レーザ装置、パルスレーザ光源装置、及び顕微鏡装置 |
| JP2010103291A (ja) | 2008-10-23 | 2010-05-06 | Fujifilm Corp | モード同期レーザ装置 |
| US11881676B2 (en) * | 2019-01-31 | 2024-01-23 | L3Harris Technologies, Inc. | End-pumped Q-switched laser |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4847851A (en) * | 1988-05-19 | 1989-07-11 | University Of South Florida | Butt-coupled single transverse mode diode pumped laser |
| US4930131A (en) * | 1989-01-06 | 1990-05-29 | At&T Bell Laboratories | Source of high repetition rate, high power optical pulses |
| GB2231713B (en) * | 1989-03-30 | 1994-03-23 | Toshiba Kk | Semiconductor laser apparatus |
| US5212745A (en) * | 1991-12-02 | 1993-05-18 | Micron Optics, Inc. | Fixed and temperature tuned fiber fabry-perot filters |
| JP2824884B2 (ja) * | 1992-10-16 | 1998-11-18 | 富士写真フイルム株式会社 | 偏光制御素子および固体レーザー装置 |
-
1994
- 1994-12-28 JP JP32779194A patent/JP3450073B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-12-28 US US08/580,183 patent/US5703900A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004296706A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Sony Corp | 光共振器及びレーザ発振器 |
| JP2005352037A (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Nikon Corp | 光学部材の保持構造、露光装置 |
| JP2010109094A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Fujifilm Corp | モード同期レーザ装置 |
| JP4827983B1 (ja) * | 2010-09-10 | 2011-11-30 | パナソニック株式会社 | レーザ光源装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3450073B2 (ja) | 2003-09-22 |
| US5703900A (en) | 1997-12-30 |
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