JPH08188570A - スルホニウム化合物の製造方法 - Google Patents
スルホニウム化合物の製造方法Info
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 化１で表されるｐ−オキシ置換フェニルアル
キルスルフィド化合物とＲ3Ｘで表されるハライド化合
物を水中で反応させることを特徴とする化２で表される
スルホニウム化合物の製造方法。（ただし、式中Ｒ
1は、水素、メチル基、アセチル基、メトキシカルボニ
ル基、エトキシカルボニル基、ベンゾイル基、フェノキ
シカルボニル基、クロロアセチル基、ジクロロアセチル
基、トリクロロアセチル基、トリフルオロアセチル基の
いずれかを、Ｒ2は、炭素数１〜４のアルキル基または
ベンジル基を、Ｒ3は、炭素数１〜４のアルキル基、ベ
ンジル基、置換ベンジル基、α−ナフチルメチル基、β
−ナフチルメチル基、ビニルベンジル基、シンナミル基
のいずれかを、Ｘはハロゲン原子を示す。） 【効果】本発明の製造方法によれば、高収率で高純度の
特定のスルホニウムハライドが得られる。また、有機溶
媒の取り扱いを省略できるため、製造環境も悪化せず、
工業的に適した製造方法である。 【化１】 【化２】
キルスルフィド化合物とＲ3Ｘで表されるハライド化合
物を水中で反応させることを特徴とする化２で表される
スルホニウム化合物の製造方法。（ただし、式中Ｒ
1は、水素、メチル基、アセチル基、メトキシカルボニ
ル基、エトキシカルボニル基、ベンゾイル基、フェノキ
シカルボニル基、クロロアセチル基、ジクロロアセチル
基、トリクロロアセチル基、トリフルオロアセチル基の
いずれかを、Ｒ2は、炭素数１〜４のアルキル基または
ベンジル基を、Ｒ3は、炭素数１〜４のアルキル基、ベ
ンジル基、置換ベンジル基、α−ナフチルメチル基、β
−ナフチルメチル基、ビニルベンジル基、シンナミル基
のいずれかを、Ｘはハロゲン原子を示す。） 【効果】本発明の製造方法によれば、高収率で高純度の
特定のスルホニウムハライドが得られる。また、有機溶
媒の取り扱いを省略できるため、製造環境も悪化せず、
工業的に適した製造方法である。 【化１】 【化２】
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スルホニウムハライド
化合物の製造方法に関する。更に詳しくは、光および／
または熱硬化組成物の重合触媒として効果を有するスル
ホニウム化合物の原料となるスルホニウムハライド化合
物の製造方法に関する。
化合物の製造方法に関する。更に詳しくは、光および／
または熱硬化組成物の重合触媒として効果を有するスル
ホニウム化合物の原料となるスルホニウムハライド化合
物の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、スルホニウム化合物の製造方法と
しては、数多くの方法が提案されているが、一般的に
は、反応性の高いアルキルハライドと、スルフィド化合
物との反応によって製造される。この反応において、従
来、原料を溶解させるためには有機溶媒が必要であると
されていた。この場合、反応生成物であるスルホニウム
化合物をとりだす工程で、溶媒回収を行う必要があり、
製造環境の汚染等を考慮すると工業的に好ましくない。
また、無溶媒で反応させる方法も考えられるが、生成物
が固体の場合、反応容器中で固化してしまいこの方法も
工業的に好ましくない。
しては、数多くの方法が提案されているが、一般的に
は、反応性の高いアルキルハライドと、スルフィド化合
物との反応によって製造される。この反応において、従
来、原料を溶解させるためには有機溶媒が必要であると
されていた。この場合、反応生成物であるスルホニウム
化合物をとりだす工程で、溶媒回収を行う必要があり、
製造環境の汚染等を考慮すると工業的に好ましくない。
また、無溶媒で反応させる方法も考えられるが、生成物
が固体の場合、反応容器中で固化してしまいこの方法も
工業的に好ましくない。
【０００３】また、特開昭４９−５５６５７号では、特
定のビススルホニウム塩の製造方法として酸性水系での
方法が開示されている。しかし、この方法は、特定のス
ルホニウム化合物のみに有効であるということ、さら
に、強酸性の水溶液中での反応を特徴としており、取り
扱いに問題があることや、予め水溶液の酸度調整をする
必要がある。
定のビススルホニウム塩の製造方法として酸性水系での
方法が開示されている。しかし、この方法は、特定のス
ルホニウム化合物のみに有効であるということ、さら
に、強酸性の水溶液中での反応を特徴としており、取り
扱いに問題があることや、予め水溶液の酸度調整をする
必要がある。
【０００４】
【発明の構成】本発明は、化３で示されるスルホニウム
化合物を製造するにあたり、化４で表されるｐ−オキシ
置換フェニルアルキルスルフィド化合物とＲ4Ｘで表さ
れるハライド化合物を有機溶媒を用いることなく、水中
で反応させ、生成させるものである。さらに記述するな
らば、化３で示されるスルホニウム化合物を製造するに
あたり、化４で表されるｐ−オキシ置換フェニルアルキ
ルスルフィド化合物とＲ4Ｘで表されるハライド化合物
の反応は有機溶媒を用いることなく、水中で好ましく進
行するという知見に基づいてなされたものである。
化合物を製造するにあたり、化４で表されるｐ−オキシ
置換フェニルアルキルスルフィド化合物とＲ4Ｘで表さ
れるハライド化合物を有機溶媒を用いることなく、水中
で反応させ、生成させるものである。さらに記述するな
らば、化３で示されるスルホニウム化合物を製造するに
あたり、化４で表されるｐ−オキシ置換フェニルアルキ
ルスルフィド化合物とＲ4Ｘで表されるハライド化合物
の反応は有機溶媒を用いることなく、水中で好ましく進
行するという知見に基づいてなされたものである。
【０００５】
【化３】
【０００６】
【化４】
【０００７】（ただし、式中Ｒ1は、水素、メチル基、
アセチル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニ
ル基、ベンゾイル基、フェノキシカルボニル基、クロロ
アセチル基、ジクロロアセチル基、トリクロロアセチル
基、トリフルオロアセチル基のいずれかを、Ｒ2は、水
素、ハロゲン、炭素数１〜４のアルキル基のいずれか
を、Ｒ3は、炭素数１〜４のアルキル基またはベンジル
基を、Ｒ4は、炭素数１〜４のアルキル基、ベンジル
基、置換ベンジル基、α−ナフチルメチル基、β−ナフ
チルメチル基、ビニルベンジル基、シンナミル基のいず
れかを、Ｘはハロゲン原子を示す。）
アセチル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニ
ル基、ベンゾイル基、フェノキシカルボニル基、クロロ
アセチル基、ジクロロアセチル基、トリクロロアセチル
基、トリフルオロアセチル基のいずれかを、Ｒ2は、水
素、ハロゲン、炭素数１〜４のアルキル基のいずれか
を、Ｒ3は、炭素数１〜４のアルキル基またはベンジル
基を、Ｒ4は、炭素数１〜４のアルキル基、ベンジル
基、置換ベンジル基、α−ナフチルメチル基、β−ナフ
チルメチル基、ビニルベンジル基、シンナミル基のいず
れかを、Ｘはハロゲン原子を示す。）
【０００８】ここで、Ｒ4に記載の置換ベンジル基とし
ては、ハロゲノベンジル基、メチルベンジル基、ジメチ
ルベンジル基、トリメチルベンジル基、メトキシベンジ
ル基、クロロベンジル基、ジクロロベンジル基、トリク
ロロベンジル基、ニトロベンジル基、ジニトロベンジル
基、トリニトロベンジル基が例示される。
ては、ハロゲノベンジル基、メチルベンジル基、ジメチ
ルベンジル基、トリメチルベンジル基、メトキシベンジ
ル基、クロロベンジル基、ジクロロベンジル基、トリク
ロロベンジル基、ニトロベンジル基、ジニトロベンジル
基、トリニトロベンジル基が例示される。
【０００９】
【作用】本発明の実施にあたって、出発原料である化４
で表されるｐ−オキシ置換フェニルアルキルスルフィド
化合物の具体例としては、４−ヒドロキシフェニルメチ
ルスルフィド、４−アセトキシフェニルメチルスルフィ
ド、４−（メトキシカルボニルオキシ）フェニルメチル
スルフィド、４−（エトキシカルボニルオキシ）フェニ
ルメチルスルフィド、４−（ベンゾイルオキシ）フェニ
ルメチルスルフィド、４−（フェノキシカルボニルオキ
シ）フェニルメチルスルフィド、４−（クロロアセチル
オキシ）フェニルメチルスルフィド、４−（トリフルオ
ロアセチルオキシ）フェニルメチルスルフィド、４−ヒ
ドロキシフェニルエチルスルフィド、４−アセトキシフ
ェニルエチルスルフィド、４−（メトキシカルボニルオ
キシ）フェニルエチルスルフィド、４−ヒドロキシフェ
ニルプロピルスルフィド、４−（メトキシカルボニルオ
キシ）フェニルプロピルスルフィド、４−ヒドロキシフ
ェニルベンジルスルフィド、４−（メトキシカルボニル
オキシ）フェニルベンジルスルフィド等が例示される。
で表されるｐ−オキシ置換フェニルアルキルスルフィド
化合物の具体例としては、４−ヒドロキシフェニルメチ
ルスルフィド、４−アセトキシフェニルメチルスルフィ
ド、４−（メトキシカルボニルオキシ）フェニルメチル
スルフィド、４−（エトキシカルボニルオキシ）フェニ
ルメチルスルフィド、４−（ベンゾイルオキシ）フェニ
ルメチルスルフィド、４−（フェノキシカルボニルオキ
シ）フェニルメチルスルフィド、４−（クロロアセチル
オキシ）フェニルメチルスルフィド、４−（トリフルオ
ロアセチルオキシ）フェニルメチルスルフィド、４−ヒ
ドロキシフェニルエチルスルフィド、４−アセトキシフ
ェニルエチルスルフィド、４−（メトキシカルボニルオ
キシ）フェニルエチルスルフィド、４−ヒドロキシフェ
ニルプロピルスルフィド、４−（メトキシカルボニルオ
キシ）フェニルプロピルスルフィド、４−ヒドロキシフ
ェニルベンジルスルフィド、４−（メトキシカルボニル
オキシ）フェニルベンジルスルフィド等が例示される。
【００１０】Ｒ4Ｘで表されるハライド化合物として
は、塩化メチル、ベンジルクロライイド、クロルベンジ
ルクロライド、メチルベンジルクロライド、メトキシベ
ンジルクロライド、ニトロベンジルクロライド、α−ナ
フチルメチルクロライド、シンナミルクロライド、ベン
ジルブロマイド、メチルベンジルブロマイド、ニトロベ
ンジルブロマイド、α−ナフチルメチルブロマイド、シ
ンナミルブロマイド等がある。
は、塩化メチル、ベンジルクロライイド、クロルベンジ
ルクロライド、メチルベンジルクロライド、メトキシベ
ンジルクロライド、ニトロベンジルクロライド、α−ナ
フチルメチルクロライド、シンナミルクロライド、ベン
ジルブロマイド、メチルベンジルブロマイド、ニトロベ
ンジルブロマイド、α−ナフチルメチルブロマイド、シ
ンナミルブロマイド等がある。
【００１１】上記ハライド化合物をスルフィド化合物１
モルに対して１．０〜３．０モル比使用する。好ましく
は、１．０〜１．２モル比である。媒体としての水の投
入量は、攪拌可能量以上であれば良い。また、反応触媒
や硫酸、塩酸等の添加、共存があってもさしつかえな
い。反応温度は６０℃以下、好ましくは、２５〜４５℃
の範囲である。６０℃を越えても反応そのものは可能で
あるが、生成したスルホニウム化合物が熱分解を起こ
し、収率が低下する可能性がある。１０℃未満であれ
ば、スルホニウム化反応が緩慢になる。反応時間は０．
５〜１２０時間、好ましくは１０〜２４時間であり、２
４時間程度で反応は実用上、完結する。
モルに対して１．０〜３．０モル比使用する。好ましく
は、１．０〜１．２モル比である。媒体としての水の投
入量は、攪拌可能量以上であれば良い。また、反応触媒
や硫酸、塩酸等の添加、共存があってもさしつかえな
い。反応温度は６０℃以下、好ましくは、２５〜４５℃
の範囲である。６０℃を越えても反応そのものは可能で
あるが、生成したスルホニウム化合物が熱分解を起こ
し、収率が低下する可能性がある。１０℃未満であれ
ば、スルホニウム化反応が緩慢になる。反応時間は０．
５〜１２０時間、好ましくは１０〜２４時間であり、２
４時間程度で反応は実用上、完結する。
【００１２】生成したスルホニウム化合物は、水または
有機溶媒への溶解性等によって、各種の方法で単離する
ことができる。反応媒体である水への溶解性がない場合
は、ろ別等によって単離することができる。また、溶解
性がある場合は、冷却してろ別すること、あるいは、非
溶解性の有機溶媒を加えることにより結晶を析出させて
単離することが可能である。
有機溶媒への溶解性等によって、各種の方法で単離する
ことができる。反応媒体である水への溶解性がない場合
は、ろ別等によって単離することができる。また、溶解
性がある場合は、冷却してろ別すること、あるいは、非
溶解性の有機溶媒を加えることにより結晶を析出させて
単離することが可能である。
【００１３】本発明において製造されるスルホニウム化
合物としては、４−ヒドロキシフェニルベンジルメチル
スルホニウムクロライド、４−アセトキシフェニルベン
ジルメチルスルホニウムクロライド、４−（メトキシカ
ルボニルオキシ）フェニルベンジルメチルスルホニウム
クロライド、４−ヒドロキシフェニル（Ｏ−メチルベン
ジル）メチルスルホニウムクロライド、４−アセトキシ
フェニル（Ｏ−メチルベンジル）メチルスルホニウムク
ロライド、４−（ベンゾイルオキシ）フェニル（Ｏ−メ
チルベンジル）メチルスルホニウムクロライド、４−ヒ
ドロキシフェニル（ｐ−ニトロベンジル）メチルスルホ
ニウムクロライド、４−アセトキシフェニル（ｐ−ニト
ロベンジル）メチルスルホニウムクロライド、４−ヒド
ロキシフェニル（α−ナフチルメチル）メチルスルホニ
ウムクロライド、４−アセトキシフェニル（α−ナフチ
ルメチル）メチルスルホニウムクロライド、４−（メト
キシカルボニルオキシ）フェニル（α−ナフチルメチ
ル）メチルスルホニウムクロライド、４−ヒドロキシフ
ェニルシンナミルメチルスルホニウムクロライド、４−
ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムブロマ
イド、４−（メトキシカルボニルオキシ）フェニルベン
ジルメチルスルホニウムブロマイド、４−ヒドロキシフ
ェニル（Ｏ−メチルベンジル）メチルスルホニウムブロ
マイド、４−ヒドロキシフェニル（ｐ−ニトロベンジ
ル）メチルスルホニウムブロマイド、４−ヒドロキシフ
ェニル（α−ナフチルメチル）メチルスルホニウムブロ
マイド、４−ヒドロキシフェニルシンナミルメチルスル
ホニウムブロマイド等が挙げられる。
合物としては、４−ヒドロキシフェニルベンジルメチル
スルホニウムクロライド、４−アセトキシフェニルベン
ジルメチルスルホニウムクロライド、４−（メトキシカ
ルボニルオキシ）フェニルベンジルメチルスルホニウム
クロライド、４−ヒドロキシフェニル（Ｏ−メチルベン
ジル）メチルスルホニウムクロライド、４−アセトキシ
フェニル（Ｏ−メチルベンジル）メチルスルホニウムク
ロライド、４−（ベンゾイルオキシ）フェニル（Ｏ−メ
チルベンジル）メチルスルホニウムクロライド、４−ヒ
ドロキシフェニル（ｐ−ニトロベンジル）メチルスルホ
ニウムクロライド、４−アセトキシフェニル（ｐ−ニト
ロベンジル）メチルスルホニウムクロライド、４−ヒド
ロキシフェニル（α−ナフチルメチル）メチルスルホニ
ウムクロライド、４−アセトキシフェニル（α−ナフチ
ルメチル）メチルスルホニウムクロライド、４−（メト
キシカルボニルオキシ）フェニル（α−ナフチルメチ
ル）メチルスルホニウムクロライド、４−ヒドロキシフ
ェニルシンナミルメチルスルホニウムクロライド、４−
ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムブロマ
イド、４−（メトキシカルボニルオキシ）フェニルベン
ジルメチルスルホニウムブロマイド、４−ヒドロキシフ
ェニル（Ｏ−メチルベンジル）メチルスルホニウムブロ
マイド、４−ヒドロキシフェニル（ｐ−ニトロベンジ
ル）メチルスルホニウムブロマイド、４−ヒドロキシフ
ェニル（α−ナフチルメチル）メチルスルホニウムブロ
マイド、４−ヒドロキシフェニルシンナミルメチルスル
ホニウムブロマイド等が挙げられる。
【００１４】
【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明の範
囲はこれに限定されるものではない。 比較例１ ４−ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムク
ロライドの合成。 ３００ｍｌ四つ口コルベンに攪拌機、温度計、コンデン
サーをそれぞれ設置する。なお、以下の実施例において
同様の装置を使用する。４−ヒドロキシフェニルメチル
スルフィド１４．５ｇ、ベンジルクロライド１４．４ｇ
を仕込む。メタノール１００ｍｌを投入し、ウオーター
バスにて４０℃に加温し２０時間反応させる。反応後エ
バポレーターでメタノールを回収し、析出した結晶をア
セトンで洗浄し、乾燥させ、白色結晶を１８．９ｇ得
た。ＮＭＲ分析、および元素分析の結果、生成物が４−
ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムクロラ
イドであることを確認した。収率は６８．４％、また、
融点は１１０．０〜１１１．０℃であった。
囲はこれに限定されるものではない。 比較例１ ４−ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムク
ロライドの合成。 ３００ｍｌ四つ口コルベンに攪拌機、温度計、コンデン
サーをそれぞれ設置する。なお、以下の実施例において
同様の装置を使用する。４−ヒドロキシフェニルメチル
スルフィド１４．５ｇ、ベンジルクロライド１４．４ｇ
を仕込む。メタノール１００ｍｌを投入し、ウオーター
バスにて４０℃に加温し２０時間反応させる。反応後エ
バポレーターでメタノールを回収し、析出した結晶をア
セトンで洗浄し、乾燥させ、白色結晶を１８．９ｇ得
た。ＮＭＲ分析、および元素分析の結果、生成物が４−
ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムクロラ
イドであることを確認した。収率は６８．４％、また、
融点は１１０．０〜１１１．０℃であった。
【００１５】実施例１ ４−ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムク
ロライドの合成。 ４−ヒドロキシフェニルメチルスルフィド１４．５ｇ、
ベンジルクロライド１４．４ｇを仕込む。水２００ｍｌ
を投入し、ウオーターバスにて４０℃に加温し２０時間
反応させる。反応後氷水で冷却し、ろ過、水洗した。４
０℃通風乾燥機で乾燥させ、白色結晶を２６．４ｇ得
た。ＮＭＲ分析、および元素分析の結果、生成物が４−
ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムクロラ
イドであることを確認した。収率は９５．７％、また、
融点は１１０．０〜１１１．０℃であった。
ロライドの合成。 ４−ヒドロキシフェニルメチルスルフィド１４．５ｇ、
ベンジルクロライド１４．４ｇを仕込む。水２００ｍｌ
を投入し、ウオーターバスにて４０℃に加温し２０時間
反応させる。反応後氷水で冷却し、ろ過、水洗した。４
０℃通風乾燥機で乾燥させ、白色結晶を２６．４ｇ得
た。ＮＭＲ分析、および元素分析の結果、生成物が４−
ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムクロラ
イドであることを確認した。収率は９５．７％、また、
融点は１１０．０〜１１１．０℃であった。
【００１６】実施例２ ４−ヒドロキシフェニル（Ｏ−メチルベンジル）メチル
スルホニウムクロライドの合成。 ４−ヒドロキシフェニルメチルスルフィド１３．０ｇ、
Ｏ−メチルベンジルクロライド１４．３ｇを仕込む。水
２５０ｍｌを投入し、ウオーターバスにて３５℃に加温
し２４時間反応させる。反応後氷水で冷却し、ろ過、水
洗した。４０℃通風乾燥機で乾燥させ、白色結晶を２
４．７ｇ得た。ＮＭＲ分析、および元素分析の結果、生
成物が４−ヒドロキシフェニル（Ｏ−メチルベンジル）
メチルスルホニウムクロライドであることを確認した。
収率は９５．０％、また、融点は８５．０〜８７．０℃
であった。
スルホニウムクロライドの合成。 ４−ヒドロキシフェニルメチルスルフィド１３．０ｇ、
Ｏ−メチルベンジルクロライド１４．３ｇを仕込む。水
２５０ｍｌを投入し、ウオーターバスにて３５℃に加温
し２４時間反応させる。反応後氷水で冷却し、ろ過、水
洗した。４０℃通風乾燥機で乾燥させ、白色結晶を２
４．７ｇ得た。ＮＭＲ分析、および元素分析の結果、生
成物が４−ヒドロキシフェニル（Ｏ−メチルベンジル）
メチルスルホニウムクロライドであることを確認した。
収率は９５．０％、また、融点は８５．０〜８７．０℃
であった。
【００１７】実施例３ ４−ヒドロキシフェニル（α−ナフチルメチル）メチル
スルホニウムクロライドの合成。 ４−ヒドロキシフェニルメチルスルフィド１３．０ｇ、
α−ナフチルメチルクロライド１８．１ｇを仕込む。水
２５０ｍｌを投入し、ウオーターバスにて３５℃に加温
し２４時間反応させる。反応後氷水で冷却し、ろ過、水
洗した。４０℃通風乾燥機で乾燥させ、白色結晶を２
７．７ｇ得た。ＮＭＲ分析、および元素分析の結果、生
成物が４−ヒドロキシフェニル（α−ナフチルメチル）
メチルスルホニウムクロライドであることを確認した。
収率は９４．３％、また、融点は９６．５〜９７．５℃
であった。
スルホニウムクロライドの合成。 ４−ヒドロキシフェニルメチルスルフィド１３．０ｇ、
α−ナフチルメチルクロライド１８．１ｇを仕込む。水
２５０ｍｌを投入し、ウオーターバスにて３５℃に加温
し２４時間反応させる。反応後氷水で冷却し、ろ過、水
洗した。４０℃通風乾燥機で乾燥させ、白色結晶を２
７．７ｇ得た。ＮＭＲ分析、および元素分析の結果、生
成物が４−ヒドロキシフェニル（α−ナフチルメチル）
メチルスルホニウムクロライドであることを確認した。
収率は９４．３％、また、融点は９６．５〜９７．５℃
であった。
【００１８】実施例４ ４−ヒドロキシフェニルシンナミルメチルスルホニウム
クロライドの合成。 ４−ヒドロキシフェニルメチルスルフィド１４．０ｇ、
シンナミルクロライド１６．８ｇを仕込む。水２００ｍ
ｌを投入し、ウオーターバスにて３５℃に加温し２４時
間反応させる。反応後氷水で冷却し、ろ過、水洗した。
４０℃通風乾燥機で乾燥させ、白色結晶を２７．８ｇ得
た。ＮＭＲ分析、および元素分析の結果、生成物が４−
ヒドロキシフェニルシンナミルメチルスルホニウムクロ
ライドであることを確認した。収率は９５．１％、ま
た、融点は１０７．０〜１０８．０℃であった。
クロライドの合成。 ４−ヒドロキシフェニルメチルスルフィド１４．０ｇ、
シンナミルクロライド１６．８ｇを仕込む。水２００ｍ
ｌを投入し、ウオーターバスにて３５℃に加温し２４時
間反応させる。反応後氷水で冷却し、ろ過、水洗した。
４０℃通風乾燥機で乾燥させ、白色結晶を２７．８ｇ得
た。ＮＭＲ分析、および元素分析の結果、生成物が４−
ヒドロキシフェニルシンナミルメチルスルホニウムクロ
ライドであることを確認した。収率は９５．１％、ま
た、融点は１０７．０〜１０８．０℃であった。
【００１９】実施例５ ４−アセトキシフェニル（α−ナフチルメチル）メチル
スルホニウムクロライドの合成。 ４−アセトキシフェニルメチルスルフィド１８．２ｇ、
α−ナフチルメチルクロライド１９．４ｇを仕込む。水
２００ｍｌを投入し、ウオーターバスにて３５℃に加温
し２４時間反応させる。反応後氷水で冷却し、ろ過、水
洗した。４０℃通風乾燥機で乾燥させ、白色結晶を３
３．９ｇ得た。ＮＭＲ分析、および元素分析の結果、生
成物が４−アセトキシフェニル（α−ナフチルメチル）
メチルスルホニウムクロライドであることを確認した。
収率は９４．６％、また、融点は９８．５〜１００．０
℃であった。
スルホニウムクロライドの合成。 ４−アセトキシフェニルメチルスルフィド１８．２ｇ、
α−ナフチルメチルクロライド１９．４ｇを仕込む。水
２００ｍｌを投入し、ウオーターバスにて３５℃に加温
し２４時間反応させる。反応後氷水で冷却し、ろ過、水
洗した。４０℃通風乾燥機で乾燥させ、白色結晶を３
３．９ｇ得た。ＮＭＲ分析、および元素分析の結果、生
成物が４−アセトキシフェニル（α−ナフチルメチル）
メチルスルホニウムクロライドであることを確認した。
収率は９４．６％、また、融点は９８．５〜１００．０
℃であった。
【００２０】実施例６ ４−（メトキシカルボニルオキシ）フェニル（α−ナフ
チルメチル）メチルスルホニウムクロライドの合成。 ４−（メトキシカルボニルオキシ）フェニルメチルスル
フィド１９．８ｇ、α−ナフチルメチルクロライド１
９．４ｇ仕込む。水２００ｍｌを投入し、ウオーターバ
スにて３５℃に加温し２４時間反応させる。反応後氷水
で冷却し、ろ過、水洗した。４０℃通風乾燥機で乾燥さ
せ、白色結晶を３５．２ｇ得た。ＮＭＲ分析、および元
素分析の結果、生成物が４−（メトキシカルボニルオキ
シ）フェニル（α−ナフチルメチル）メチルスルホニウ
ムクロライドであることを確認した。収率は９３．９
％、また、融点は１０１．０〜１０２．０℃であった。
チルメチル）メチルスルホニウムクロライドの合成。 ４−（メトキシカルボニルオキシ）フェニルメチルスル
フィド１９．８ｇ、α−ナフチルメチルクロライド１
９．４ｇ仕込む。水２００ｍｌを投入し、ウオーターバ
スにて３５℃に加温し２４時間反応させる。反応後氷水
で冷却し、ろ過、水洗した。４０℃通風乾燥機で乾燥さ
せ、白色結晶を３５．２ｇ得た。ＮＭＲ分析、および元
素分析の結果、生成物が４−（メトキシカルボニルオキ
シ）フェニル（α−ナフチルメチル）メチルスルホニウ
ムクロライドであることを確認した。収率は９３．９
％、また、融点は１０１．０〜１０２．０℃であった。
【００２１】
【発明の効果】本発明のスルホニウム化合物の製造方法
は、反応媒体として有機溶媒を使用することのない製造
方法であり、高収率で高純度のスルホニウムハライドが
得られる。かつまた、有機溶媒の取り扱いを省略できる
ため、製造環境も悪化せず、工業的に適した製造方法で
ある。
は、反応媒体として有機溶媒を使用することのない製造
方法であり、高収率で高純度のスルホニウムハライドが
得られる。かつまた、有機溶媒の取り扱いを省略できる
ため、製造環境も悪化せず、工業的に適した製造方法で
ある。
Claims (5)
- 【請求項１】 化１で表されるスルフィド化合物とＲ4
Ｘで表されるハライド化合物を水中で反応させることを
特徴とする化２で表されるスルホニウム化合物の製造方
法。 【化１】 【化２】 （ただし、式中Ｒ1は、水素、メチル基、アセチル基、
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ベンゾ
イル基、フェノキシカルボニル基、クロロアセチル基、
ジクロロアセチル基、トリクロロアセチル基、トリフル
オロアセチル基のいずれかを、Ｒ2は、水素、ハロゲ
ン、炭素数１〜４のアルキル基のいずれかを、Ｒ3は、
炭素数１〜４のアルキル基またはベンジル基を、Ｒ
4は、炭素数１〜４のアルキル基、ベンジル基、置換ベ
ンジル基、α−ナフチルメチル基、β−ナフチルメチル
基、ビニルベンジル基、シンナミル基のいずれかを、Ｘ
はハロゲン原子を示す。） - 【請求項２】 請求項１記載のＲ4の置換ベンジル基
が、ハロゲノベンジル基、メチルベンジル基、ジメチル
ベンジル基、トリメチルベンジル基、メトキシベンジル
基、クロロベンジル基、ジクロロベンジル基、トリクロ
ロベンジル基、ニトロベンジル基、ジニトロベンジル
基、トリニトロベンジル基のいずれかであることを特徴
とするスルホニウム化合物の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の反応温度が１
０〜６０℃であることを特徴とするスルホニウム化合物
の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１または２に記載の反応温度が２
５〜４５℃であることを特徴とするスルホニウム化合物
の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１または２に記載の反応におい
て、酸を共存させることを特徴とするスルホニウム化合
物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01860595A JP3679438B2 (ja) | 1995-01-10 | 1995-01-10 | スルホニウム化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01860595A JP3679438B2 (ja) | 1995-01-10 | 1995-01-10 | スルホニウム化合物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08188570A true JPH08188570A (ja) | 1996-07-23 |
| JP3679438B2 JP3679438B2 (ja) | 2005-08-03 |
Family
ID=11976283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01860595A Expired - Lifetime JP3679438B2 (ja) | 1995-01-10 | 1995-01-10 | スルホニウム化合物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3679438B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007111074A1 (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 透明バリア性シート及び透明バリア性シートの製造方法 |
| WO2007111092A1 (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 透明バリア性シートおよび透明バリア性シートの製造方法 |
| WO2007111098A1 (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 透明バリア性シート及びその製造方法 |
| WO2007111075A1 (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 透明バリア性シート及び透明バリア性シートの製造方法 |
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