JPH08190740A - 光記録デバイスの製造方法 - Google Patents
光記録デバイスの製造方法Info
- Publication number
- JPH08190740A JPH08190740A JP7259892A JP25989295A JPH08190740A JP H08190740 A JPH08190740 A JP H08190740A JP 7259892 A JP7259892 A JP 7259892A JP 25989295 A JP25989295 A JP 25989295A JP H08190740 A JPH08190740 A JP H08190740A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical recording
- dielectric layer
- recording device
- refractive index
- sputtering
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 反射防止機能を十分に果たし得る誘電体層を
形成した光記録デバイスを提供する。 【解決手段】 基板と、窒化物からなる誘電体層と、記
録媒体層とを備えた光記録デバイスの製造方法におい
て、前記窒化物誘電体層をスパッタリングによって形成
するに際して、シリコンターゲットを用いスパッタリン
グ時の窒素分圧を変化させることにより、前記窒化物か
らなる誘電体層の屈折率を調整することを特徴とする。
形成した光記録デバイスを提供する。 【解決手段】 基板と、窒化物からなる誘電体層と、記
録媒体層とを備えた光記録デバイスの製造方法におい
て、前記窒化物誘電体層をスパッタリングによって形成
するに際して、シリコンターゲットを用いスパッタリン
グ時の窒素分圧を変化させることにより、前記窒化物か
らなる誘電体層の屈折率を調整することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光によって情報の
読出しを行う光記録装置において、記録媒体に何等かの
変化を起こさせて情報の記録を行い、反射光で情報を読
出す光記録デバイスの製造方法に関するものである。
読出しを行う光記録装置において、記録媒体に何等かの
変化を起こさせて情報の記録を行い、反射光で情報を読
出す光記録デバイスの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、希土類遷移金属合金（ＴｂＦｅ、
ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＣｏ、ＧｂＴｂＣ
ｏ、ＧｄＣｏ等）の記録媒体を用いた光磁気記録では、
カー回転角が小さい為に、信号対雑音比（Ｓ／Ｎ比）を
高めることが困難であった。この為、ＳｉＯ、ＳｉＯ2
等の酸化物やＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4の窒化物、ＺｎＳ等の硫
化物若しくはＭｇＦ2等のフッ化物を記録媒体上に形成
し、反射防止層として、カー回転角を増大し、再生性能
を高める工夫がなされていた。
ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＣｏ、ＧｂＴｂＣ
ｏ、ＧｄＣｏ等）の記録媒体を用いた光磁気記録では、
カー回転角が小さい為に、信号対雑音比（Ｓ／Ｎ比）を
高めることが困難であった。この為、ＳｉＯ、ＳｉＯ2
等の酸化物やＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4の窒化物、ＺｎＳ等の硫
化物若しくはＭｇＦ2等のフッ化物を記録媒体上に形成
し、反射防止層として、カー回転角を増大し、再生性能
を高める工夫がなされていた。
【０００３】また、Ａｓ−Ｔｅ−Ｇｅ系等の非晶質半導
体にレーザ光を照射し、照射部分の非晶質半導体を結晶
化させて、非晶質部分と結晶化部分との反射率の違いを
利用して記録を行う方式の場合にも、非晶質部分と結晶
化部分との反射率の比が小さく、Ｓ／Ｎ比が悪いため、
やはり記録媒体上に上記の誘電体層を形成し、非晶質部
分の反射防止層として反射率比を増大させ、Ｓ／Ｎ比を
高める工夫がなされていた。
体にレーザ光を照射し、照射部分の非晶質半導体を結晶
化させて、非晶質部分と結晶化部分との反射率の違いを
利用して記録を行う方式の場合にも、非晶質部分と結晶
化部分との反射率の比が小さく、Ｓ／Ｎ比が悪いため、
やはり記録媒体上に上記の誘電体層を形成し、非晶質部
分の反射防止層として反射率比を増大させ、Ｓ／Ｎ比を
高める工夫がなされていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、実際に形成さ
れる上記誘電体層の屈折率は、物質に固有の値を取るた
め、完全な反射防止層とはなり得ず、十分なコントラス
トを高めることは困難であった。
れる上記誘電体層の屈折率は、物質に固有の値を取るた
め、完全な反射防止層とはなり得ず、十分なコントラス
トを高めることは困難であった。
【０００５】そこで、記録媒体上に光学的膜厚が読み出
し光の波長の１／４となるような反射防止層を複数積層
することによって反射防止機能を高め、例えば、光磁気
記録の場合、カー回転角を十分に増大させた例が報告さ
れている（Ｙ.Ｔomita、Ｔ.Ｙoshino、Ｊ.Ｏpt.Ｓoc.Ａ
m.Ｖol.1、Ｎo.8、（1984）、809）。
し光の波長の１／４となるような反射防止層を複数積層
することによって反射防止機能を高め、例えば、光磁気
記録の場合、カー回転角を十分に増大させた例が報告さ
れている（Ｙ.Ｔomita、Ｔ.Ｙoshino、Ｊ.Ｏpt.Ｓoc.Ａ
m.Ｖol.1、Ｎo.8、（1984）、809）。
【０００６】しかしながら、上記反射防止層を積層させ
る場合、少なくとも２種類以上の屈折率の異なる誘電体
層が必要であり、信頼性に優れた屈折率の異なる誘電体
を形成する難しさとともに、真空蒸着法やスパッタリン
グ法で作成する場合、複数の蒸着源やターゲットを備え
た装置が必要となってしまうため、装置の大型化、コス
ト高につながり、実用に適さなかった。
る場合、少なくとも２種類以上の屈折率の異なる誘電体
層が必要であり、信頼性に優れた屈折率の異なる誘電体
を形成する難しさとともに、真空蒸着法やスパッタリン
グ法で作成する場合、複数の蒸着源やターゲットを備え
た装置が必要となってしまうため、装置の大型化、コス
ト高につながり、実用に適さなかった。
【０００７】また、窒化シリコン膜は、緻密で、酸素を
含まない窒化膜であるため、光磁気記録媒休の酸化を防
ぐ保護膜として非常に優れた膜であることが報告されて
いる（有宗、前田ら、電気学会研究会資料ＭＡＧ−85−
81（1985）。
含まない窒化膜であるため、光磁気記録媒休の酸化を防
ぐ保護膜として非常に優れた膜であることが報告されて
いる（有宗、前田ら、電気学会研究会資料ＭＡＧ−85−
81（1985）。
【０００８】ところが、窒化シリコン膜をスパッタリン
グ法で形成する場合、ターゲットとして窯化シリコンの
焼結体を用いる従来の方法では、焼結体ターゲット中に
含まれる酸素がスパッタリング中に放出されて記録媒体
を酸化する場合があり、あまり好ましくないという問題
点を有していた。
グ法で形成する場合、ターゲットとして窯化シリコンの
焼結体を用いる従来の方法では、焼結体ターゲット中に
含まれる酸素がスパッタリング中に放出されて記録媒体
を酸化する場合があり、あまり好ましくないという問題
点を有していた。
【０００９】本発明は、このような点に鑑みなされたも
のであり、反射防止機能を十分に果たし得る誘電体層を
形成した光記録デバイスを提供することを目的としてな
されたものである。
のであり、反射防止機能を十分に果たし得る誘電体層を
形成した光記録デバイスを提供することを目的としてな
されたものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明では、窒素雰囲気中でシリコンターゲットを
用いてスパッタリングを行うとともに、その際の窒素分
圧を変化させることにより、形成される誘電体層の屈折
率を調整するものである。
め、本発明では、窒素雰囲気中でシリコンターゲットを
用いてスパッタリングを行うとともに、その際の窒素分
圧を変化させることにより、形成される誘電体層の屈折
率を調整するものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図示の一実施例に基づき詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１２】図１は、本発明の光記録デバイスの一実施
例の構成を示したものであり、１は、ガラス又はポリ炭
酸エステル重合休（polycarbonate;ＰＣ）やアクリル酸
樹脂｛例えばメタクリル酸メチル重合体（polymethyl m
ethacrylate;ＰＭＭＡ）｝、エポキシ樹脂その他のプラ
スチック基板等の基板、２は、屈折率２．３で膜厚８５
０［Å］の窒化シリコン膜、３は、屈折率２．０で膜厚
９７０［Å］の窒化シリコン膜、４は、屈折率２．３で
膜厚６５０[Å]の窒化シリコン膜、５は、膜厚１０００
［Å］のＴｂＦｅＣｏ非晶質合金膜、６は、屈折率２．
０で膜厚５００［Å］の窒化シリコン膜である。
例の構成を示したものであり、１は、ガラス又はポリ炭
酸エステル重合休（polycarbonate;ＰＣ）やアクリル酸
樹脂｛例えばメタクリル酸メチル重合体（polymethyl m
ethacrylate;ＰＭＭＡ）｝、エポキシ樹脂その他のプラ
スチック基板等の基板、２は、屈折率２．３で膜厚８５
０［Å］の窒化シリコン膜、３は、屈折率２．０で膜厚
９７０［Å］の窒化シリコン膜、４は、屈折率２．３で
膜厚６５０[Å]の窒化シリコン膜、５は、膜厚１０００
［Å］のＴｂＦｅＣｏ非晶質合金膜、６は、屈折率２．
０で膜厚５００［Å］の窒化シリコン膜である。
【００１３】ここで、上記窒化シリコン２，３，４，６
は、シリコン（Ｓｉ）ターゲットを用いて窒素雰囲気中
でスパッタリングすることにより形成する。この時、ス
パッタリング時の窒素分圧を変化させることによって上
記窒化シリコン膜の屈折率が変化する。例えば、Ｓｉタ
ーゲットを用いた高周波二極マグネトロンスパッタリン
グ装置で、アルゴン及び窒素雰囲気中、入射力１［ｋ
ｗ］、反応室内ガス圧力を６［ｍＴｏｒｒ］に保ちなが
ら窒素分圧を変化させて、反応性スパッタリングを行な
った時、上記窒化シリコン膜の屈折率の実数部分につい
て、図２に示すような結果が得られた。但し、屈折率は
波長７８０［ｎｍ］のレーザ光を照射した時の値であ
り、窒素分圧が３×１０-4［Ｔｏｒｒ］以下では、波長
７８０［ｎｍ］のレーザ光に対して光の吸収が現れた。
ここで、光記録デバイスの反射防止層として用いること
ができる材料としては、情報の記録及び読み出しに用い
る光に対して透明であることが必要であるので、波長７
８０［ｎｍ］の半導体レーザ光に対して透明な膜を考え
ると、図２から解るように、窒素分圧を夫々３．７５×
１０-4［Ｔｏｒｒ］及び１．５×１０-3［Ｔｏｒｒ］に
設定することにより、屈折率２．３及び２．０の窒化シ
リコン膜を作成することができる。
は、シリコン（Ｓｉ）ターゲットを用いて窒素雰囲気中
でスパッタリングすることにより形成する。この時、ス
パッタリング時の窒素分圧を変化させることによって上
記窒化シリコン膜の屈折率が変化する。例えば、Ｓｉタ
ーゲットを用いた高周波二極マグネトロンスパッタリン
グ装置で、アルゴン及び窒素雰囲気中、入射力１［ｋ
ｗ］、反応室内ガス圧力を６［ｍＴｏｒｒ］に保ちなが
ら窒素分圧を変化させて、反応性スパッタリングを行な
った時、上記窒化シリコン膜の屈折率の実数部分につい
て、図２に示すような結果が得られた。但し、屈折率は
波長７８０［ｎｍ］のレーザ光を照射した時の値であ
り、窒素分圧が３×１０-4［Ｔｏｒｒ］以下では、波長
７８０［ｎｍ］のレーザ光に対して光の吸収が現れた。
ここで、光記録デバイスの反射防止層として用いること
ができる材料としては、情報の記録及び読み出しに用い
る光に対して透明であることが必要であるので、波長７
８０［ｎｍ］の半導体レーザ光に対して透明な膜を考え
ると、図２から解るように、窒素分圧を夫々３．７５×
１０-4［Ｔｏｒｒ］及び１．５×１０-3［Ｔｏｒｒ］に
設定することにより、屈折率２．３及び２．０の窒化シ
リコン膜を作成することができる。
【００１４】上述の実施例のように、反射防止層をＳｉ
ターゲットを用いた反応性スパッタリングにより形成し
た場合、屈折率の異なる２種類の窒化シリコン膜、即ち
誘電体層を形成するために、ひとつのターゲットのみで
良いため、スパッタリング装置の大型化を防ぎ、コスト
グウンを実現でき、窒化シリコンの焼結体ターゲットを
用いた場合に比べて、酸素を取り込む虞れがなく、保護
膜として信頼性の高い窒化シリコン膜を形成できるとい
う利点を有する。
ターゲットを用いた反応性スパッタリングにより形成し
た場合、屈折率の異なる２種類の窒化シリコン膜、即ち
誘電体層を形成するために、ひとつのターゲットのみで
良いため、スパッタリング装置の大型化を防ぎ、コスト
グウンを実現でき、窒化シリコンの焼結体ターゲットを
用いた場合に比べて、酸素を取り込む虞れがなく、保護
膜として信頼性の高い窒化シリコン膜を形成できるとい
う利点を有する。
【００１５】尚、本実施例に於いては、記録媒体として
ＴｂＦｅＣｏ非晶質合金膜を用いたが、他の希土類遷移
金属合金（ＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＣｏ、ＧｄＴ
ｂＣｏ等）や反射率変化を利用して記録・再生を行なう
記録媒体（ＴｅＧｅ、ＡｓＴｅＧｅ、ＳｎＴｅＳｅ、Ｔ
ｅＯｘ等）にも適用可能である。更に、本発明の光記録
デバイスの各膜の膜厚、屈折率、形成条件等は、上記実
施例に示すものに限定されず、適宜選択すればよい。
ＴｂＦｅＣｏ非晶質合金膜を用いたが、他の希土類遷移
金属合金（ＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＣｏ、ＧｄＴ
ｂＣｏ等）や反射率変化を利用して記録・再生を行なう
記録媒体（ＴｅＧｅ、ＡｓＴｅＧｅ、ＳｎＴｅＳｅ、Ｔ
ｅＯｘ等）にも適用可能である。更に、本発明の光記録
デバイスの各膜の膜厚、屈折率、形成条件等は、上記実
施例に示すものに限定されず、適宜選択すればよい。
【００１６】
【発明の効果】以上のように、本発明の光記録デバイス
の製造方法では、単一のシリコンターゲットで最適な屈
折率を有する窒化物からなる誘電体層を容易に形成でき
る。また、屈折率の異なった、酸素を含まない誘電体層
即ち反射防止層を形成することができ、光記録デバイス
の再生性能及び信頼性の著しい向上が期待できる。
の製造方法では、単一のシリコンターゲットで最適な屈
折率を有する窒化物からなる誘電体層を容易に形成でき
る。また、屈折率の異なった、酸素を含まない誘電体層
即ち反射防止層を形成することができ、光記録デバイス
の再生性能及び信頼性の著しい向上が期待できる。
【図１】本発明の光記録デバイスの一実施例の構成を示
す縦断面図である。
す縦断面図である。
【図２】本発明のＳｉターゲットの反応性スパッタリン
グによる窒化シリコンの屈折率の実数部と窒素分圧との
関係を示す図である。
グによる窒化シリコンの屈折率の実数部と窒素分圧との
関係を示す図である。
１ ガラス基板 ２、３、４、６ 窒化シリコン膜 ５ ＴｂＦｅＣｏ非晶質合金膜
Claims (1)
- 【請求項１】 基板と、窒化物からなる誘電体層と、記
録媒体層とを備えた光記録デバイスの製造方法におい
て、前記窒化物誘電体層をスパッタリングによって形成
するに際して、シリコンターゲットを用いてスパッタリ
ング時の窒素分圧を変化させることにより、前記窒化物
からなる誘電体層の屈折率を調整することを特徴とする
光記録デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7259892A JPH08190740A (ja) | 1995-10-06 | 1995-10-06 | 光記録デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7259892A JPH08190740A (ja) | 1995-10-06 | 1995-10-06 | 光記録デバイスの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60278459A Division JPS62139156A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 光記録デバイスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08190740A true JPH08190740A (ja) | 1996-07-23 |
Family
ID=17340394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7259892A Pending JPH08190740A (ja) | 1995-10-06 | 1995-10-06 | 光記録デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08190740A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115125499A (zh) * | 2022-05-23 | 2022-09-30 | 张家港康得新光电材料有限公司 | 一种氮化硅薄膜的制备方法、阻隔膜 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62139156A (ja) * | 1985-12-11 | 1987-06-22 | Sharp Corp | 光記録デバイスの製造方法 |
-
1995
- 1995-10-06 JP JP7259892A patent/JPH08190740A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62139156A (ja) * | 1985-12-11 | 1987-06-22 | Sharp Corp | 光記録デバイスの製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115125499A (zh) * | 2022-05-23 | 2022-09-30 | 张家港康得新光电材料有限公司 | 一种氮化硅薄膜的制备方法、阻隔膜 |
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