JPH08190882A - Electron beam writer - Google Patents
Electron beam writerInfo
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- JPH08190882A JPH08190882A JP7001503A JP150395A JPH08190882A JP H08190882 A JPH08190882 A JP H08190882A JP 7001503 A JP7001503 A JP 7001503A JP 150395 A JP150395 A JP 150395A JP H08190882 A JPH08190882 A JP H08190882A
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- electron beam
- light source
- electron
- pattern
- desired pattern
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- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】任意のパターンの描画に対応でき、スループッ
トが改善された電子ビーム描画装置を提供する。
【構成】例えばシリコン基板11上に多数の微細な電子
銃15を形成した平板型光源10を使用し、この光源か
らの電子ビームを等倍で又は縮小して被感光体を露光す
る。
(57) [Abstract] [Purpose] To provide an electron beam writing apparatus capable of writing arbitrary patterns and having improved throughput. [Structure] For example, a plate type light source 10 in which a large number of fine electron guns 15 are formed on a silicon substrate 11 is used, and an electron beam from this light source is magnified or reduced to expose a photoreceptor.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、スループットを向上さ
せた電子ビーム描画装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron beam drawing apparatus having improved throughput.
【0002】[0002]
【従来の技術】電子ビーム(EB)直接描画技術は、微
細パターンの形成に非常に優れた方法であるが、スルー
プットが極端に遅いため用途がデバイス試作に限られて
おり、量産用としては一部特殊なデバイスに用いられて
いるにすぎなかった。2. Description of the Related Art The electron beam (EB) direct writing technique is a very excellent method for forming a fine pattern, but its application is limited to device trial production because of its extremely slow throughput, and it is not suitable for mass production. It was only used for special devices.
【0003】この欠点を改善する技術として、「セル・
プロジェクション」、あるいは「ブロック描画」と呼ば
れる技術が近年注目を集めている。これらの技術は、繰
り返しパターンの多いデバイス用であり、繰り返しパタ
ーンの形に穴を開けたアパーチャを用意し、アパーチャ
の穴に電子線を通すことで電子ビームをパターンの形に
整形し、レジストを一括露光するものである。これによ
りスループットの大幅な向上が図れるとされている。As a technique for improving this drawback, "cell
A technique called "projection" or "block drawing" has been attracting attention in recent years. These technologies are for devices with many repeating patterns.Prepare an aperture with holes in the shape of the repeating pattern, shape the electron beam into a pattern by passing an electron beam through the holes in the aperture, and remove the resist. It is a batch exposure. It is said that this can significantly improve the throughput.
【0004】しかしながら、ASICのような繰り返し
の少ないパターンには適用できず、DRAMのような繰
り返しパターンが多い場合にも、繰り返しでない周辺部
分は、可変整形ビームで描画せざるを得ず、このためス
ループットが低下してしまうという問題がある。However, it cannot be applied to a pattern having a small number of repetitions such as an ASIC, and even when there are a large number of repeating patterns such as a DRAM, the peripheral portion which is not repeated is inevitably drawn by a variable shaped beam. There is a problem that throughput decreases.
【0005】また、ビームブランキングと呼ばれる方法
も提案されている。これは、多数の穴を開けたアパーチ
ャを用意し、ここを通るビームを電気的にON、OFF
することで任意の形状のビームを作り出すものである
が、未だ実用の域には達していない。A method called beam blanking has also been proposed. This is to prepare an aperture with a large number of holes and to electrically turn on and off the beam passing through it.
By doing so, a beam of arbitrary shape is produced, but it has not yet reached the practical range.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】このように、従来電子
ビーム直描技術によるスループットの改善は、かなり進
んできてはいるが、未だ不十分であり、特に任意のパタ
ーンの描画には、問題が多い。As described above, although the improvement of the throughput by the conventional electron beam direct writing technique has been considerably advanced, it is still insufficient, and there is a problem particularly in the drawing of an arbitrary pattern. Many.
【0007】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、任意のパターンの描画に対応でき、スループットが
改善された電子ビーム描画装置を提供することを目的と
する。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide an electron beam drawing apparatus which can cope with drawing an arbitrary pattern and have improved throughput.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、下記の電子ビーム描画装置を提供する。 (1)所望のパターンの電子ビームを被感光体に照射し
て被感光体に所望のパターンを転写する電子ビーム描画
装置において、それぞれが電子ビームを発生する微細な
電子銃を、被感光体に転写される所望のパターンと同一
の形状及び同一の大きさとなるようなパターンで平面的
に複数個配置した平板型光源を具備し、該平板型光源か
ら放出される電子ビームを被感光体に等倍で転写するこ
とを特徴とする電子ビーム描画装置。 (2)所望のパターンの電子ビームを被感光体に照射し
て被感光体に所望のパターンを転写する電子ビーム描画
装置において、それぞれが電子ビームを発生する微細な
電子銃を、被感光体に転写される所望のパターンと相似
形となるようなパターンで複数個配置した平板型光源を
具備し、該平板型光源から放出される電子ビームを被感
光体に縮小転写することを特徴とする電子ビーム描画装
置。 (3)所望のパターンの電子ビームを被感光体に照射し
て被感光体に所望のパターンを転写する電子ビーム描画
装置において、それぞれが電子ビームを発生する微細な
電子銃を行列状に配置した平板型光源と、該平板型光源
を制御し、被感光体に転写すべき所望のパターンと相似
形となるパターンの複数の電子銃から電子ビームを発生
させる光源制御回路とを具備し、該平板型光源から放出
される電子ビームを被感光体に縮小転写することを特徴
とする電子ビーム描画装置。 (4)前記微細な電子銃が、基板上に行列状に配置され
たカソードと、このカソードから放出される電子ビーム
を制御するゲート電極とを有する上記(1)〜(3)の
いずれかに記載の電子ビーム描画装置。In order to achieve the above object, the present invention provides the following electron beam drawing apparatus. (1) In an electron beam drawing apparatus that irradiates a photosensitive member with an electron beam having a desired pattern to transfer the desired pattern to the photosensitive member, a fine electron gun that generates an electron beam is attached to the photosensitive member. It is provided with a flat plate type light source in which a plurality of patterns are arranged in a plane so as to have the same shape and the same size as a desired pattern to be transferred, and an electron beam emitted from the flat plate type light source is applied to a photosensitive member. An electron beam drawing device, which is characterized by double transfer. (2) In an electron beam drawing apparatus for irradiating a photosensitive member with an electron beam having a desired pattern to transfer the desired pattern to the photosensitive member, a fine electron gun for generating an electron beam is attached to the photosensitive member. An electron characterized by comprising a plurality of flat plate type light sources arranged in a pattern similar to a desired pattern to be transferred, and reducing and transferring an electron beam emitted from the flat plate type light source to a photoreceptor. Beam drawing device. (3) In an electron beam drawing apparatus that irradiates a photoconductor with a desired pattern of an electron beam to transfer the desired pattern onto the photoconductor, fine electron guns each generating an electron beam are arranged in a matrix. A flat plate type light source; and a light source control circuit for controlling the flat plate type light source to generate electron beams from a plurality of electron guns having a pattern similar to a desired pattern to be transferred to a photoreceptor An electron beam drawing apparatus, which reduces and transfers an electron beam emitted from a mold light source onto a photosensitive member. (4) In any one of the above (1) to (3), the fine electron gun has cathodes arranged in a matrix on a substrate and a gate electrode for controlling an electron beam emitted from the cathode. The electron beam writing apparatus described.
【0009】[0009]
【作用】本発明の電子ビーム描画装置は、被感光体を広
範囲に露光するために、例えばシリコン基板上に多数の
微細な電子銃を形成した平板型光源を使用するもので、
近年FED(Field Emission display)用に開発された
微小電子銃配列を応用したものである。従来方法が、光
源から放出された電子ビームをアパーチャ等で整形して
レジストなどの被感光体を露光するものであるのに対し
て、光源から放出された段階で被感光体に転写すべきパ
ターンの形状のビームを得るものである。The electron beam drawing apparatus of the present invention uses, for example, a flat plate type light source in which a large number of fine electron guns are formed on a silicon substrate in order to expose a photosensitive body over a wide area.
This is an application of the micro electron gun array developed for FED (Field Emission display) in recent years. Whereas the conventional method is to expose an object such as a resist by shaping the electron beam emitted from the light source with an aperture, etc., the pattern to be transferred to the object when it is emitted from the light source. To obtain a beam in the shape of.
【0010】このため、転写範囲が広く、場合によって
はウエハと同じ大きさの平板型光源を用いてワンショッ
トで等倍露光できるなど、高スループット化を達成する
ことができる。また、転写パターンと相似形のパターン
で微細な電子銃を複数個配置した平板型光源を用いれ
ば、その形状の電子ビームをレンズ系で縮小して被感光
体に転写することができ、やはり広い範囲を一括露光す
ることができる。For this reason, it is possible to achieve a high throughput, such as a wide transfer range, and in some cases, a flat type light source having the same size as the wafer can be used to perform 1 × exposure in one shot. Further, if a flat plate type light source in which a plurality of fine electron guns are arranged in a pattern similar to the transfer pattern is used, the electron beam of that shape can be reduced by the lens system and transferred to the photosensitive member, which is also wide. The range can be exposed at once.
【0011】更に、微細な電子銃を行列状に複数個配置
した平板型光源を用い、被感光体に転写すべき所望のパ
ターンと相似形になるパターンで複数の電子銃から電子
ビームを発生させるように平板型光源を制御しても同様
の効果が得られる。この場合、繰り返しパターン以外の
部分の配線のようなランダムなパターンにも対応するこ
とができる。Further, by using a flat plate type light source in which a plurality of fine electron guns are arranged in a matrix, an electron beam is generated from the plurality of electron guns in a pattern similar to a desired pattern to be transferred to a photosensitive body. Similar effects can be obtained by controlling the flat light source in this manner. In this case, it is possible to deal with a random pattern such as a wiring of a portion other than the repeating pattern.
【0012】[0012]
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら具体的に説明する。図1は、本発明の電子ビーム
露光装置で使用する平板型光源の一例を示す断面図であ
る。Embodiments of the present invention will be specifically described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view showing an example of a flat plate type light source used in the electron beam exposure apparatus of the present invention.
【0013】この平板型光源10は、シリコン基板(半
導体基板)などの基板11を用い、その表面に行列状
(マトリックス状)に微小電子銃15が形成してある。
この平板型光源10では、基板11上に例えばシリコン
酸化膜からなる絶縁膜12が形成されており、この絶縁
膜12上に例えばポリシリコン膜、ポリサイド膜、タン
グステン膜等からなるゲート電極膜13が形成されてい
る。ゲート電極13及び絶縁膜12間には、行列状にホ
ールが形成され、そのホール内に例えばモリブデン等か
らなる先端が鋭角に形成されたカソード(エミッタ)1
4がそれぞれ設けられている。このゲート電極13とカ
ソード14とで電子銃15が構成されている。This flat type light source 10 uses a substrate 11 such as a silicon substrate (semiconductor substrate), and micro electron guns 15 are formed in a matrix on the surface thereof.
In this flat panel light source 10, an insulating film 12 made of, for example, a silicon oxide film is formed on a substrate 11, and a gate electrode film 13 made of, for example, a polysilicon film, a polycide film, a tungsten film, etc. is formed on the insulating film 12. Has been formed. Cathode (emitter) 1 having holes formed in a matrix between the gate electrode 13 and the insulating film 12 and having a sharp tip formed of, for example, molybdenum in the holes.
4 are provided respectively. The gate electrode 13 and the cathode 14 form an electron gun 15.
【0014】このような平板型光源10は、シリコン基
板などの上にリソグラフィ技術などを用いて構成するこ
とができるため、極めて微細な電子銃15の集合体であ
り、しかも各電子銃15を任意の位置に配置することが
できる。 <第1実施例>本電子ビーム描画装置1Aは、平板型光
源から直接被感光体に光源と等倍のパターンを形成する
もので、図2に示すように、平板型光源10Aと、この
光源10Aと対向する被感光体21を載置するステージ
22、及びアライメント装置(図示せず)等が真空装置
(図示せず)内に配置された簡単な構成を有する。Since such a flat plate type light source 10 can be formed on a silicon substrate or the like by using a lithography technique or the like, it is an assembly of extremely fine electron guns 15, and each electron gun 15 is arbitrary. Can be placed in the position. <First Embodiment> The electron beam drawing apparatus 1A of the present invention directly forms a pattern of the same size as the light source on the photoconductor from the flat plate light source. As shown in FIG. 2, the flat plate light source 10A and this light source are used. It has a simple configuration in which a stage 22 on which a photosensitive member 21 facing 10A is placed, an alignment device (not shown), and the like are arranged in a vacuum device (not shown).
【0015】図2では、平板型光源10Aとして、ウエ
ハ又はLCD用の基板等の被感光体21全面を一括露光
できる大きさで、所望のパターンと同一の形状及び大き
さとなるパターンで複数個の電子銃を配置したものを用
いており、主にホールを形成する場合に適している。な
お、平板型光源10Aを1〜数チップの大きさにしてス
テップアンドリピートで露光するようにしてもよい。む
ろんそれ以下で繰り返しパターンの単位で形成してもよ
いが、機械的にステップアンドリピートしなければなら
ないため、スループット的に不利である。In FIG. 2, a plurality of flat light sources 10A having a size capable of collectively exposing the entire surface of a photosensitive body 21 such as a wafer or a substrate for an LCD and having the same shape and size as a desired pattern. An electron gun is used, which is suitable for mainly forming holes. The flat plate type light source 10A may have a size of one to several chips and may be exposed by step-and-repeat. Needless to say, it may be formed in a unit of a repetitive pattern below that, but it is mechanically step-and-repeat, which is disadvantageous in throughput.
【0016】本装置においては、デバイスの変更に対応
できるように、光源を取り替え自在としておくことが可
能な機構を設けることが望ましい。使用に際しては、平
板型光源と平行になるようにウエハ等の被感光体をロー
ディングしアライメントを行う。本装置では、通常のE
B描画と異なり、ビームを振る機能を有しないため、光
学的なアライメント装置を設置することが望ましい。こ
うして電圧をかけて電子銃から一斉に電子ビームを引き
出し、ウエハ等の上に設けられたレジスト21aを露光
する。上記光源10Aの電圧は100ボルト程度である
ので、光源10Aと被感光体21とのギャップを狭くす
る必要がある。なお、引き出し電極を別に設けて高加速
で引き出し、照射する方式を採用してもよい。In this apparatus, it is desirable to provide a mechanism capable of replacing the light source so that the device can be changed. In use, a photosensitive body such as a wafer is loaded and aligned so as to be parallel to the flat plate type light source. With this device, the normal E
Unlike the B drawing, it does not have the function of oscillating the beam, so it is desirable to install an optical alignment device. In this way, a voltage is applied and the electron beam is simultaneously extracted from the electron gun to expose the resist 21a provided on the wafer or the like. Since the voltage of the light source 10A is about 100 V, it is necessary to narrow the gap between the light source 10A and the photoconductor 21. It is also possible to adopt a method in which an extraction electrode is separately provided and extraction is performed with high acceleration, and irradiation is performed.
【0017】本実施例の電子ビーム描画装置によれば、
光源を大きく作製することで、大面積の描画が可能にな
り、スループットが向上し、平板型光源を取り替えるこ
とにより、任意のパターンを転写することができる。 <第2実施例>第2実施例の電子ビーム描画装置1Bの
構成例を図3に示す。装置自体は、図1に示した平板型
光源10を使用することを除いて通常の電子ビーム描画
装置とほぼ同じ構造である。According to the electron beam drawing apparatus of this embodiment,
By making the light source large, it is possible to draw a large area, the throughput is improved, and by replacing the flat light source, it is possible to transfer an arbitrary pattern. <Second Embodiment> FIG. 3 shows a configuration example of an electron beam drawing apparatus 1B according to the second embodiment. The apparatus itself has almost the same structure as a normal electron beam drawing apparatus except that the flat plate type light source 10 shown in FIG. 1 is used.
【0018】第2実施例で使用する平板型光源は、デバ
イスパターンに合わせて電子銃を配置したものを用いる
もので、本例の装置では、デバイスあるいはレイヤー毎
に平板型光源を取り替え可能に構成されていて、電子銃
から出た電子ビームを引き出し電極で高加速で引き出
し、加速した電子ビームをレンズ系で偏向縮小してレジ
スト等を露光する。The flat light source used in the second embodiment is one in which an electron gun is arranged according to the device pattern. In the apparatus of this embodiment, the flat light source can be replaced for each device or layer. The electron beam emitted from the electron gun is extracted with high acceleration by the extraction electrode, the accelerated electron beam is deflected and reduced by the lens system, and the resist or the like is exposed.
【0019】第1実施例では等倍露光であったため対象
は主にホールパターンであり、電子銃を近接して並べて
も微細パターンの形成は困難であったが、第2実施例で
は縮小することから任意の微細パターンの描画が可能と
なる。平板型光源は、素子分離(LOCOS)パター
ン、電極(POLY)パターン等の形状を実物の数倍か
ら数十倍の大きさのパターンで複数個の電子銃を平面的
に並べて構成する。図4に、本例で使用する平板型光源
10Bにおける電子銃15の配置例を示す。図4に示す
ように、平板型光源10Bの電子銃15の配置パターン
と、レジストパターンとは鏡面対称の関係にある。この
ような光源10Bを用い、レンズ系で縮小してレジスト
を露光し、電子銃15の配置パターンの形状のレジスト
パターンを得るもので、最小繰り替えし単位から数チッ
プの大きさの範囲で光源を形成し、パターン毎に光源を
用意する。この場合、光源の取り替えの自動化を図れる
ことは勿論である。なお、アライメント用に専用の電子
銃を設けることが望ましい。In the first embodiment, the target is mainly the hole pattern because the exposure is the same size exposure, and it is difficult to form a fine pattern even when the electron guns are arranged close to each other. However, in the second embodiment, it is reduced. Therefore, it is possible to draw an arbitrary fine pattern. The flat-plate light source is configured by arranging a plurality of electron guns on a plane in a pattern having an element isolation (LOCOS) pattern, an electrode (POLY) pattern, etc., which is several times to several tens of times larger than the actual size. FIG. 4 shows an arrangement example of the electron guns 15 in the flat panel light source 10B used in this example. As shown in FIG. 4, the arrangement pattern of the electron guns 15 of the flat panel light source 10B and the resist pattern have a mirror-symmetrical relationship. Using such a light source 10B, the resist is exposed by being reduced by a lens system to obtain a resist pattern having the shape of the arrangement pattern of the electron gun 15. The light source is set within a range of several chips from the minimum repeating unit. After forming, a light source is prepared for each pattern. In this case, it goes without saying that the replacement of the light source can be automated. It is desirable to provide a dedicated electron gun for alignment.
【0020】本実施例の電子ビーム描画装置によれば、
任意のパターンを形成することができ、光ステッパーの
マスクを取り替える感覚で光源を取り替えて使用するた
め、現存の電子ビーム描画装置で高精度に作製すること
ができる。 <第3実施例>本実施例の電子ビーム描画装置は、図5
に示すような多数の電子銃15を縦横に等間隔で行列状
に配置した平板型光源10Cを用い、この平板型光源1
0Cを制御し、被感光体に転写すべき所望のパターンと
相似形になる部分の電子銃15(図中白丸で示した)か
ら電子ビームを発生させる光源制御回路(図示せず)を
設けた以外は、図3に示した第2実施例とほとんど同じ
構成である。According to the electron beam drawing apparatus of this embodiment,
Since an arbitrary pattern can be formed and the light source is replaced and used as if the mask of the optical stepper is replaced, it can be manufactured with high accuracy by the existing electron beam drawing apparatus. <Third Embodiment> The electron beam drawing apparatus of this embodiment is shown in FIG.
A flat plate light source 10C in which a large number of electron guns 15 as shown in FIG.
A light source control circuit (not shown) is provided to control 0C and generate an electron beam from a portion of the electron gun 15 (shown by a white circle in the figure) that is similar in shape to the desired pattern to be transferred to the photosensitive body. Except for this, the configuration is almost the same as that of the second embodiment shown in FIG.
【0021】光源制御回路により、平板型光源10Cの
個々の電子銃15を制御し、ちょうどディスプレーにデ
バイスパターンを映し出すように電子銃をON、OFF
させる。そしてデバイスパターン状に整形されたビーム
をレンズ系で縮小してレジストを露光するものである。The light source control circuit controls the individual electron guns 15 of the flat panel light source 10C, and turns the electron guns on and off so that the device pattern is projected on the display.
Let it. Then, the beam shaped into a device pattern is reduced by a lens system to expose the resist.
【0022】本実施例の電子ビーム描画装置によれば、
上記第1及び第2実施例と異なり、光源を取り替える必
要がなく、迅速な露光が可能であり、しかも上述したセ
ル・プロジェクション法と異なり、任意のパターンを一
括露光することができる。本発明は、上記実施例に限定
されるものではない。例えば平板型光源としては、多数
の微細な電子銃を配置することができれば、上述したも
のに限らず、その他本発明の要旨を逸脱しない範囲で種
々変更することができる。According to the electron beam drawing apparatus of this embodiment,
Unlike the first and second embodiments, it is not necessary to replace the light source, rapid exposure is possible, and unlike the cell projection method described above, an arbitrary pattern can be collectively exposed. The present invention is not limited to the above embodiment. For example, the flat plate type light source is not limited to the one described above as long as a large number of fine electron guns can be arranged, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.
【0023】[0023]
【発明の効果】本発明の電子ビーム露光装置によれば、
高スループット化を達成でき、遅れている電子線描画装
置の実用化が可能になる。また、任意のパターン形状に
対応することができ、メモリーのみならず、ASIC等
にも適用可能である。According to the electron beam exposure apparatus of the present invention,
A high throughput can be achieved, and a delayed electron beam writing apparatus can be put to practical use. Further, it can be applied to any pattern shape and can be applied not only to a memory but also to an ASIC or the like.
【図1】本発明の電子ビーム描画装置に用いる平板型光
源の一例を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a flat plate type light source used in an electron beam drawing apparatus of the present invention.
【図2】本発明の第1実施例の電子ビーム描画装置の一
例を示す構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram showing an example of an electron beam drawing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図3】本発明の第2及び第3実施例の電子ビーム描画
装置の一例を示す構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram showing an example of an electron beam drawing apparatus according to second and third embodiments of the present invention.
【図4】本発明の第2実施例で使用する平板型光源にお
ける電子銃の配置例を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing an arrangement example of electron guns in a flat plate type light source used in a second embodiment of the present invention.
【図5】本発明の第3実施例で使用する平板型光源にお
ける電子銃の配置例を示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing an arrangement example of electron guns in a flat plate type light source used in a third embodiment of the present invention.
1A、1B 電子ビーム描画装置 10、10A、10B、10C 平板型光源 11 導電性基板 12 絶縁膜 13 ゲート電極 14 カソード 15 電子銃 21 被感光体 22 ステージ 1A, 1B Electron beam drawing apparatus 10, 10A, 10B, 10C Flat type light source 11 Conductive substrate 12 Insulating film 13 Gate electrode 14 Cathode 15 Electron gun 21 Photosensitive body 22 Stage
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/027 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI technical display location H01L 21/027
Claims (4)
照射して被感光体に所望のパターンを転写する電子ビー
ム描画装置において、それぞれが電子ビームを発生する
微細な電子銃を、被感光体に転写される所望のパターン
と同一の形状及び同一の大きさとなるようなパターンで
平面的に複数個配置した平板型光源を具備し、該平板型
光源から放出される電子ビームを被感光体に等倍で転写
することを特徴とする電子ビーム描画装置。1. In an electron beam drawing apparatus for irradiating a photoconductor with a desired pattern of an electron beam to transfer the desired pattern onto the photoconductor, fine electron guns each generating an electron beam are exposed to light. A plurality of flat plate type light sources are arranged in a plane in a pattern having the same shape and the same size as a desired pattern to be transferred to the body, and an electron beam emitted from the flat plate type light source is received. An electron beam drawing apparatus, which transfers the image to the same size.
照射して被感光体に所望のパターンを転写する電子ビー
ム描画装置において、それぞれが電子ビームを発生する
微細な電子銃を、被感光体に転写される所望のパターン
と相似形となるようなパターンで複数個配置した平板型
光源を具備し、該平板型光源から放出される電子ビーム
を被感光体に縮小転写することを特徴とする電子ビーム
描画装置。2. An electron beam drawing apparatus for irradiating a photosensitive member with an electron beam having a desired pattern to transfer the desired pattern to the photosensitive member, each of which is provided with a fine electron gun which produces an electron beam. A plurality of flat-plate light sources arranged in a pattern similar to a desired pattern to be transferred to the body, and electron beams emitted from the flat-plate light sources are reduced and transferred to a photosensitive body. Electron beam writer.
照射して被感光体に所望のパターンを転写する電子ビー
ム描画装置において、それぞれが電子ビームを発生する
微細な電子銃を行列状に配置した平板型光源と、該平板
型光源を制御し、被感光体に転写すべき所望のパターン
と相似形となるパターンの複数の電子銃から電子ビーム
を発生させる光源制御回路とを具備し、該平板型光源か
ら放出される電子ビームを被感光体に縮小転写すること
を特徴とする電子ビーム描画装置。3. An electron beam drawing apparatus for irradiating a photosensitive member with an electron beam having a desired pattern to transfer the desired pattern to the photosensitive member, wherein fine electron guns each generating an electron beam are arranged in a matrix. And a light source control circuit that controls the flat light source and generates an electron beam from a plurality of electron guns having a pattern similar to a desired pattern to be transferred to the photoconductor, An electron beam drawing apparatus characterized by reducing and transferring an electron beam emitted from the flat plate type light source onto a photosensitive body.
置されたカソードと、このカソードから放出される電子
ビームを制御するゲート電極とを有する請求項1〜3の
いずれかに記載の電子ビーム描画装置。4. The fine electron gun has cathodes arranged in a matrix on a substrate, and a gate electrode for controlling an electron beam emitted from the cathode. Electron beam writer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7001503A JPH08190882A (en) | 1995-01-09 | 1995-01-09 | Electron beam writer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7001503A JPH08190882A (en) | 1995-01-09 | 1995-01-09 | Electron beam writer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08190882A true JPH08190882A (en) | 1996-07-23 |
Family
ID=11503283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7001503A Pending JPH08190882A (en) | 1995-01-09 | 1995-01-09 | Electron beam writer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08190882A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100438806B1 (en) * | 1997-09-12 | 2004-07-16 | 삼성전자주식회사 | Method for electron beam lithography using photo-enhanced electron emission |
-
1995
- 1995-01-09 JP JP7001503A patent/JPH08190882A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100438806B1 (en) * | 1997-09-12 | 2004-07-16 | 삼성전자주식회사 | Method for electron beam lithography using photo-enhanced electron emission |
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