JPH08190882A - 電子ビーム描画装置 - Google Patents
電子ビーム描画装置Info
- Publication number
- JPH08190882A JPH08190882A JP7001503A JP150395A JPH08190882A JP H08190882 A JPH08190882 A JP H08190882A JP 7001503 A JP7001503 A JP 7001503A JP 150395 A JP150395 A JP 150395A JP H08190882 A JPH08190882 A JP H08190882A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- light source
- electron
- pattern
- desired pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】任意のパターンの描画に対応でき、スループッ
トが改善された電子ビーム描画装置を提供する。 【構成】例えばシリコン基板１１上に多数の微細な電子
銃１５を形成した平板型光源１０を使用し、この光源か
らの電子ビームを等倍で又は縮小して被感光体を露光す
る。
トが改善された電子ビーム描画装置を提供する。 【構成】例えばシリコン基板１１上に多数の微細な電子
銃１５を形成した平板型光源１０を使用し、この光源か
らの電子ビームを等倍で又は縮小して被感光体を露光す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スループットを向上さ
せた電子ビーム描画装置に関する。
せた電子ビーム描画装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子ビーム（ＥＢ）直接描画技術は、微
細パターンの形成に非常に優れた方法であるが、スルー
プットが極端に遅いため用途がデバイス試作に限られて
おり、量産用としては一部特殊なデバイスに用いられて
いるにすぎなかった。
細パターンの形成に非常に優れた方法であるが、スルー
プットが極端に遅いため用途がデバイス試作に限られて
おり、量産用としては一部特殊なデバイスに用いられて
いるにすぎなかった。
【０００３】この欠点を改善する技術として、「セル・
プロジェクション」、あるいは「ブロック描画」と呼ば
れる技術が近年注目を集めている。これらの技術は、繰
り返しパターンの多いデバイス用であり、繰り返しパタ
ーンの形に穴を開けたアパーチャを用意し、アパーチャ
の穴に電子線を通すことで電子ビームをパターンの形に
整形し、レジストを一括露光するものである。これによ
りスループットの大幅な向上が図れるとされている。
プロジェクション」、あるいは「ブロック描画」と呼ば
れる技術が近年注目を集めている。これらの技術は、繰
り返しパターンの多いデバイス用であり、繰り返しパタ
ーンの形に穴を開けたアパーチャを用意し、アパーチャ
の穴に電子線を通すことで電子ビームをパターンの形に
整形し、レジストを一括露光するものである。これによ
りスループットの大幅な向上が図れるとされている。
【０００４】しかしながら、ＡＳＩＣのような繰り返し
の少ないパターンには適用できず、ＤＲＡＭのような繰
り返しパターンが多い場合にも、繰り返しでない周辺部
分は、可変整形ビームで描画せざるを得ず、このためス
ループットが低下してしまうという問題がある。
の少ないパターンには適用できず、ＤＲＡＭのような繰
り返しパターンが多い場合にも、繰り返しでない周辺部
分は、可変整形ビームで描画せざるを得ず、このためス
ループットが低下してしまうという問題がある。
【０００５】また、ビームブランキングと呼ばれる方法
も提案されている。これは、多数の穴を開けたアパーチ
ャを用意し、ここを通るビームを電気的にＯＮ、ＯＦＦ
することで任意の形状のビームを作り出すものである
が、未だ実用の域には達していない。
も提案されている。これは、多数の穴を開けたアパーチ
ャを用意し、ここを通るビームを電気的にＯＮ、ＯＦＦ
することで任意の形状のビームを作り出すものである
が、未だ実用の域には達していない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来電子
ビーム直描技術によるスループットの改善は、かなり進
んできてはいるが、未だ不十分であり、特に任意のパタ
ーンの描画には、問題が多い。
ビーム直描技術によるスループットの改善は、かなり進
んできてはいるが、未だ不十分であり、特に任意のパタ
ーンの描画には、問題が多い。
【０００７】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、任意のパターンの描画に対応でき、スループットが
改善された電子ビーム描画装置を提供することを目的と
する。
で、任意のパターンの描画に対応でき、スループットが
改善された電子ビーム描画装置を提供することを目的と
する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、下記の電子ビーム描画装置を提供する。 （１）所望のパターンの電子ビームを被感光体に照射し
て被感光体に所望のパターンを転写する電子ビーム描画
装置において、それぞれが電子ビームを発生する微細な
電子銃を、被感光体に転写される所望のパターンと同一
の形状及び同一の大きさとなるようなパターンで平面的
に複数個配置した平板型光源を具備し、該平板型光源か
ら放出される電子ビームを被感光体に等倍で転写するこ
とを特徴とする電子ビーム描画装置。 （２）所望のパターンの電子ビームを被感光体に照射し
て被感光体に所望のパターンを転写する電子ビーム描画
装置において、それぞれが電子ビームを発生する微細な
電子銃を、被感光体に転写される所望のパターンと相似
形となるようなパターンで複数個配置した平板型光源を
具備し、該平板型光源から放出される電子ビームを被感
光体に縮小転写することを特徴とする電子ビーム描画装
置。 （３）所望のパターンの電子ビームを被感光体に照射し
て被感光体に所望のパターンを転写する電子ビーム描画
装置において、それぞれが電子ビームを発生する微細な
電子銃を行列状に配置した平板型光源と、該平板型光源
を制御し、被感光体に転写すべき所望のパターンと相似
形となるパターンの複数の電子銃から電子ビームを発生
させる光源制御回路とを具備し、該平板型光源から放出
される電子ビームを被感光体に縮小転写することを特徴
とする電子ビーム描画装置。 （４）前記微細な電子銃が、基板上に行列状に配置され
たカソードと、このカソードから放出される電子ビーム
を制御するゲート電極とを有する上記（１）〜（３）の
いずれかに記載の電子ビーム描画装置。
成するため、下記の電子ビーム描画装置を提供する。 （１）所望のパターンの電子ビームを被感光体に照射し
て被感光体に所望のパターンを転写する電子ビーム描画
装置において、それぞれが電子ビームを発生する微細な
電子銃を、被感光体に転写される所望のパターンと同一
の形状及び同一の大きさとなるようなパターンで平面的
に複数個配置した平板型光源を具備し、該平板型光源か
ら放出される電子ビームを被感光体に等倍で転写するこ
とを特徴とする電子ビーム描画装置。 （２）所望のパターンの電子ビームを被感光体に照射し
て被感光体に所望のパターンを転写する電子ビーム描画
装置において、それぞれが電子ビームを発生する微細な
電子銃を、被感光体に転写される所望のパターンと相似
形となるようなパターンで複数個配置した平板型光源を
具備し、該平板型光源から放出される電子ビームを被感
光体に縮小転写することを特徴とする電子ビーム描画装
置。 （３）所望のパターンの電子ビームを被感光体に照射し
て被感光体に所望のパターンを転写する電子ビーム描画
装置において、それぞれが電子ビームを発生する微細な
電子銃を行列状に配置した平板型光源と、該平板型光源
を制御し、被感光体に転写すべき所望のパターンと相似
形となるパターンの複数の電子銃から電子ビームを発生
させる光源制御回路とを具備し、該平板型光源から放出
される電子ビームを被感光体に縮小転写することを特徴
とする電子ビーム描画装置。 （４）前記微細な電子銃が、基板上に行列状に配置され
たカソードと、このカソードから放出される電子ビーム
を制御するゲート電極とを有する上記（１）〜（３）の
いずれかに記載の電子ビーム描画装置。
【０００９】
【作用】本発明の電子ビーム描画装置は、被感光体を広
範囲に露光するために、例えばシリコン基板上に多数の
微細な電子銃を形成した平板型光源を使用するもので、
近年ＦＥＤ（Field Emission display）用に開発された
微小電子銃配列を応用したものである。従来方法が、光
源から放出された電子ビームをアパーチャ等で整形して
レジストなどの被感光体を露光するものであるのに対し
て、光源から放出された段階で被感光体に転写すべきパ
ターンの形状のビームを得るものである。
範囲に露光するために、例えばシリコン基板上に多数の
微細な電子銃を形成した平板型光源を使用するもので、
近年ＦＥＤ（Field Emission display）用に開発された
微小電子銃配列を応用したものである。従来方法が、光
源から放出された電子ビームをアパーチャ等で整形して
レジストなどの被感光体を露光するものであるのに対し
て、光源から放出された段階で被感光体に転写すべきパ
ターンの形状のビームを得るものである。
【００１０】このため、転写範囲が広く、場合によって
はウエハと同じ大きさの平板型光源を用いてワンショッ
トで等倍露光できるなど、高スループット化を達成する
ことができる。また、転写パターンと相似形のパターン
で微細な電子銃を複数個配置した平板型光源を用いれ
ば、その形状の電子ビームをレンズ系で縮小して被感光
体に転写することができ、やはり広い範囲を一括露光す
ることができる。
はウエハと同じ大きさの平板型光源を用いてワンショッ
トで等倍露光できるなど、高スループット化を達成する
ことができる。また、転写パターンと相似形のパターン
で微細な電子銃を複数個配置した平板型光源を用いれ
ば、その形状の電子ビームをレンズ系で縮小して被感光
体に転写することができ、やはり広い範囲を一括露光す
ることができる。
【００１１】更に、微細な電子銃を行列状に複数個配置
した平板型光源を用い、被感光体に転写すべき所望のパ
ターンと相似形になるパターンで複数の電子銃から電子
ビームを発生させるように平板型光源を制御しても同様
の効果が得られる。この場合、繰り返しパターン以外の
部分の配線のようなランダムなパターンにも対応するこ
とができる。
した平板型光源を用い、被感光体に転写すべき所望のパ
ターンと相似形になるパターンで複数の電子銃から電子
ビームを発生させるように平板型光源を制御しても同様
の効果が得られる。この場合、繰り返しパターン以外の
部分の配線のようなランダムなパターンにも対応するこ
とができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら具体的に説明する。図１は、本発明の電子ビーム
露光装置で使用する平板型光源の一例を示す断面図であ
る。
ながら具体的に説明する。図１は、本発明の電子ビーム
露光装置で使用する平板型光源の一例を示す断面図であ
る。
【００１３】この平板型光源１０は、シリコン基板（半
導体基板）などの基板１１を用い、その表面に行列状
（マトリックス状）に微小電子銃１５が形成してある。
この平板型光源１０では、基板１１上に例えばシリコン
酸化膜からなる絶縁膜１２が形成されており、この絶縁
膜１２上に例えばポリシリコン膜、ポリサイド膜、タン
グステン膜等からなるゲート電極膜１３が形成されてい
る。ゲート電極１３及び絶縁膜１２間には、行列状にホ
ールが形成され、そのホール内に例えばモリブデン等か
らなる先端が鋭角に形成されたカソード（エミッタ）１
４がそれぞれ設けられている。このゲート電極１３とカ
ソード１４とで電子銃１５が構成されている。
導体基板）などの基板１１を用い、その表面に行列状
（マトリックス状）に微小電子銃１５が形成してある。
この平板型光源１０では、基板１１上に例えばシリコン
酸化膜からなる絶縁膜１２が形成されており、この絶縁
膜１２上に例えばポリシリコン膜、ポリサイド膜、タン
グステン膜等からなるゲート電極膜１３が形成されてい
る。ゲート電極１３及び絶縁膜１２間には、行列状にホ
ールが形成され、そのホール内に例えばモリブデン等か
らなる先端が鋭角に形成されたカソード（エミッタ）１
４がそれぞれ設けられている。このゲート電極１３とカ
ソード１４とで電子銃１５が構成されている。
【００１４】このような平板型光源１０は、シリコン基
板などの上にリソグラフィ技術などを用いて構成するこ
とができるため、極めて微細な電子銃１５の集合体であ
り、しかも各電子銃１５を任意の位置に配置することが
できる。 ＜第１実施例＞本電子ビーム描画装置１Ａは、平板型光
源から直接被感光体に光源と等倍のパターンを形成する
もので、図２に示すように、平板型光源１０Ａと、この
光源１０Ａと対向する被感光体２１を載置するステージ
２２、及びアライメント装置（図示せず）等が真空装置
（図示せず）内に配置された簡単な構成を有する。
板などの上にリソグラフィ技術などを用いて構成するこ
とができるため、極めて微細な電子銃１５の集合体であ
り、しかも各電子銃１５を任意の位置に配置することが
できる。 ＜第１実施例＞本電子ビーム描画装置１Ａは、平板型光
源から直接被感光体に光源と等倍のパターンを形成する
もので、図２に示すように、平板型光源１０Ａと、この
光源１０Ａと対向する被感光体２１を載置するステージ
２２、及びアライメント装置（図示せず）等が真空装置
（図示せず）内に配置された簡単な構成を有する。
【００１５】図２では、平板型光源１０Ａとして、ウエ
ハ又はＬＣＤ用の基板等の被感光体２１全面を一括露光
できる大きさで、所望のパターンと同一の形状及び大き
さとなるパターンで複数個の電子銃を配置したものを用
いており、主にホールを形成する場合に適している。な
お、平板型光源１０Ａを１〜数チップの大きさにしてス
テップアンドリピートで露光するようにしてもよい。む
ろんそれ以下で繰り返しパターンの単位で形成してもよ
いが、機械的にステップアンドリピートしなければなら
ないため、スループット的に不利である。
ハ又はＬＣＤ用の基板等の被感光体２１全面を一括露光
できる大きさで、所望のパターンと同一の形状及び大き
さとなるパターンで複数個の電子銃を配置したものを用
いており、主にホールを形成する場合に適している。な
お、平板型光源１０Ａを１〜数チップの大きさにしてス
テップアンドリピートで露光するようにしてもよい。む
ろんそれ以下で繰り返しパターンの単位で形成してもよ
いが、機械的にステップアンドリピートしなければなら
ないため、スループット的に不利である。
【００１６】本装置においては、デバイスの変更に対応
できるように、光源を取り替え自在としておくことが可
能な機構を設けることが望ましい。使用に際しては、平
板型光源と平行になるようにウエハ等の被感光体をロー
ディングしアライメントを行う。本装置では、通常のＥ
Ｂ描画と異なり、ビームを振る機能を有しないため、光
学的なアライメント装置を設置することが望ましい。こ
うして電圧をかけて電子銃から一斉に電子ビームを引き
出し、ウエハ等の上に設けられたレジスト２１ａを露光
する。上記光源１０Ａの電圧は１００ボルト程度である
ので、光源１０Ａと被感光体２１とのギャップを狭くす
る必要がある。なお、引き出し電極を別に設けて高加速
で引き出し、照射する方式を採用してもよい。
できるように、光源を取り替え自在としておくことが可
能な機構を設けることが望ましい。使用に際しては、平
板型光源と平行になるようにウエハ等の被感光体をロー
ディングしアライメントを行う。本装置では、通常のＥ
Ｂ描画と異なり、ビームを振る機能を有しないため、光
学的なアライメント装置を設置することが望ましい。こ
うして電圧をかけて電子銃から一斉に電子ビームを引き
出し、ウエハ等の上に設けられたレジスト２１ａを露光
する。上記光源１０Ａの電圧は１００ボルト程度である
ので、光源１０Ａと被感光体２１とのギャップを狭くす
る必要がある。なお、引き出し電極を別に設けて高加速
で引き出し、照射する方式を採用してもよい。
【００１７】本実施例の電子ビーム描画装置によれば、
光源を大きく作製することで、大面積の描画が可能にな
り、スループットが向上し、平板型光源を取り替えるこ
とにより、任意のパターンを転写することができる。 ＜第２実施例＞第２実施例の電子ビーム描画装置１Ｂの
構成例を図３に示す。装置自体は、図１に示した平板型
光源１０を使用することを除いて通常の電子ビーム描画
装置とほぼ同じ構造である。
光源を大きく作製することで、大面積の描画が可能にな
り、スループットが向上し、平板型光源を取り替えるこ
とにより、任意のパターンを転写することができる。 ＜第２実施例＞第２実施例の電子ビーム描画装置１Ｂの
構成例を図３に示す。装置自体は、図１に示した平板型
光源１０を使用することを除いて通常の電子ビーム描画
装置とほぼ同じ構造である。
【００１８】第２実施例で使用する平板型光源は、デバ
イスパターンに合わせて電子銃を配置したものを用いる
もので、本例の装置では、デバイスあるいはレイヤー毎
に平板型光源を取り替え可能に構成されていて、電子銃
から出た電子ビームを引き出し電極で高加速で引き出
し、加速した電子ビームをレンズ系で偏向縮小してレジ
スト等を露光する。
イスパターンに合わせて電子銃を配置したものを用いる
もので、本例の装置では、デバイスあるいはレイヤー毎
に平板型光源を取り替え可能に構成されていて、電子銃
から出た電子ビームを引き出し電極で高加速で引き出
し、加速した電子ビームをレンズ系で偏向縮小してレジ
スト等を露光する。
【００１９】第１実施例では等倍露光であったため対象
は主にホールパターンであり、電子銃を近接して並べて
も微細パターンの形成は困難であったが、第２実施例で
は縮小することから任意の微細パターンの描画が可能と
なる。平板型光源は、素子分離（ＬＯＣＯＳ）パター
ン、電極（ＰＯＬＹ）パターン等の形状を実物の数倍か
ら数十倍の大きさのパターンで複数個の電子銃を平面的
に並べて構成する。図４に、本例で使用する平板型光源
１０Ｂにおける電子銃１５の配置例を示す。図４に示す
ように、平板型光源１０Ｂの電子銃１５の配置パターン
と、レジストパターンとは鏡面対称の関係にある。この
ような光源１０Ｂを用い、レンズ系で縮小してレジスト
を露光し、電子銃１５の配置パターンの形状のレジスト
パターンを得るもので、最小繰り替えし単位から数チッ
プの大きさの範囲で光源を形成し、パターン毎に光源を
用意する。この場合、光源の取り替えの自動化を図れる
ことは勿論である。なお、アライメント用に専用の電子
銃を設けることが望ましい。
は主にホールパターンであり、電子銃を近接して並べて
も微細パターンの形成は困難であったが、第２実施例で
は縮小することから任意の微細パターンの描画が可能と
なる。平板型光源は、素子分離（ＬＯＣＯＳ）パター
ン、電極（ＰＯＬＹ）パターン等の形状を実物の数倍か
ら数十倍の大きさのパターンで複数個の電子銃を平面的
に並べて構成する。図４に、本例で使用する平板型光源
１０Ｂにおける電子銃１５の配置例を示す。図４に示す
ように、平板型光源１０Ｂの電子銃１５の配置パターン
と、レジストパターンとは鏡面対称の関係にある。この
ような光源１０Ｂを用い、レンズ系で縮小してレジスト
を露光し、電子銃１５の配置パターンの形状のレジスト
パターンを得るもので、最小繰り替えし単位から数チッ
プの大きさの範囲で光源を形成し、パターン毎に光源を
用意する。この場合、光源の取り替えの自動化を図れる
ことは勿論である。なお、アライメント用に専用の電子
銃を設けることが望ましい。
【００２０】本実施例の電子ビーム描画装置によれば、
任意のパターンを形成することができ、光ステッパーの
マスクを取り替える感覚で光源を取り替えて使用するた
め、現存の電子ビーム描画装置で高精度に作製すること
ができる。 ＜第３実施例＞本実施例の電子ビーム描画装置は、図５
に示すような多数の電子銃１５を縦横に等間隔で行列状
に配置した平板型光源１０Ｃを用い、この平板型光源１
０Ｃを制御し、被感光体に転写すべき所望のパターンと
相似形になる部分の電子銃１５（図中白丸で示した）か
ら電子ビームを発生させる光源制御回路（図示せず）を
設けた以外は、図３に示した第２実施例とほとんど同じ
構成である。
任意のパターンを形成することができ、光ステッパーの
マスクを取り替える感覚で光源を取り替えて使用するた
め、現存の電子ビーム描画装置で高精度に作製すること
ができる。 ＜第３実施例＞本実施例の電子ビーム描画装置は、図５
に示すような多数の電子銃１５を縦横に等間隔で行列状
に配置した平板型光源１０Ｃを用い、この平板型光源１
０Ｃを制御し、被感光体に転写すべき所望のパターンと
相似形になる部分の電子銃１５（図中白丸で示した）か
ら電子ビームを発生させる光源制御回路（図示せず）を
設けた以外は、図３に示した第２実施例とほとんど同じ
構成である。
【００２１】光源制御回路により、平板型光源１０Ｃの
個々の電子銃１５を制御し、ちょうどディスプレーにデ
バイスパターンを映し出すように電子銃をＯＮ、ＯＦＦ
させる。そしてデバイスパターン状に整形されたビーム
をレンズ系で縮小してレジストを露光するものである。
個々の電子銃１５を制御し、ちょうどディスプレーにデ
バイスパターンを映し出すように電子銃をＯＮ、ＯＦＦ
させる。そしてデバイスパターン状に整形されたビーム
をレンズ系で縮小してレジストを露光するものである。
【００２２】本実施例の電子ビーム描画装置によれば、
上記第１及び第２実施例と異なり、光源を取り替える必
要がなく、迅速な露光が可能であり、しかも上述したセ
ル・プロジェクション法と異なり、任意のパターンを一
括露光することができる。本発明は、上記実施例に限定
されるものではない。例えば平板型光源としては、多数
の微細な電子銃を配置することができれば、上述したも
のに限らず、その他本発明の要旨を逸脱しない範囲で種
々変更することができる。
上記第１及び第２実施例と異なり、光源を取り替える必
要がなく、迅速な露光が可能であり、しかも上述したセ
ル・プロジェクション法と異なり、任意のパターンを一
括露光することができる。本発明は、上記実施例に限定
されるものではない。例えば平板型光源としては、多数
の微細な電子銃を配置することができれば、上述したも
のに限らず、その他本発明の要旨を逸脱しない範囲で種
々変更することができる。
【００２３】
【発明の効果】本発明の電子ビーム露光装置によれば、
高スループット化を達成でき、遅れている電子線描画装
置の実用化が可能になる。また、任意のパターン形状に
対応することができ、メモリーのみならず、ＡＳＩＣ等
にも適用可能である。
高スループット化を達成でき、遅れている電子線描画装
置の実用化が可能になる。また、任意のパターン形状に
対応することができ、メモリーのみならず、ＡＳＩＣ等
にも適用可能である。
【図１】本発明の電子ビーム描画装置に用いる平板型光
源の一例を示す断面図である。
源の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の第１実施例の電子ビーム描画装置の一
例を示す構成図である。
例を示す構成図である。
【図３】本発明の第２及び第３実施例の電子ビーム描画
装置の一例を示す構成図である。
装置の一例を示す構成図である。
【図４】本発明の第２実施例で使用する平板型光源にお
ける電子銃の配置例を示す平面図である。
ける電子銃の配置例を示す平面図である。
【図５】本発明の第３実施例で使用する平板型光源にお
ける電子銃の配置例を示す平面図である。
ける電子銃の配置例を示す平面図である。
１Ａ、１Ｂ 電子ビーム描画装置 １０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ 平板型光源 １１ 導電性基板 １２ 絶縁膜 １３ ゲート電極 １４ カソード １５ 電子銃 ２１ 被感光体 ２２ ステージ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027
Claims (4)
- 【請求項１】所望のパターンの電子ビームを被感光体に
照射して被感光体に所望のパターンを転写する電子ビー
ム描画装置において、それぞれが電子ビームを発生する
微細な電子銃を、被感光体に転写される所望のパターン
と同一の形状及び同一の大きさとなるようなパターンで
平面的に複数個配置した平板型光源を具備し、該平板型
光源から放出される電子ビームを被感光体に等倍で転写
することを特徴とする電子ビーム描画装置。 - 【請求項２】所望のパターンの電子ビームを被感光体に
照射して被感光体に所望のパターンを転写する電子ビー
ム描画装置において、それぞれが電子ビームを発生する
微細な電子銃を、被感光体に転写される所望のパターン
と相似形となるようなパターンで複数個配置した平板型
光源を具備し、該平板型光源から放出される電子ビーム
を被感光体に縮小転写することを特徴とする電子ビーム
描画装置。 - 【請求項３】所望のパターンの電子ビームを被感光体に
照射して被感光体に所望のパターンを転写する電子ビー
ム描画装置において、それぞれが電子ビームを発生する
微細な電子銃を行列状に配置した平板型光源と、該平板
型光源を制御し、被感光体に転写すべき所望のパターン
と相似形となるパターンの複数の電子銃から電子ビーム
を発生させる光源制御回路とを具備し、該平板型光源か
ら放出される電子ビームを被感光体に縮小転写すること
を特徴とする電子ビーム描画装置。 - 【請求項４】前記微細な電子銃が、基板上に行列状に配
置されたカソードと、このカソードから放出される電子
ビームを制御するゲート電極とを有する請求項１〜３の
いずれかに記載の電子ビーム描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7001503A JPH08190882A (ja) | 1995-01-09 | 1995-01-09 | 電子ビーム描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7001503A JPH08190882A (ja) | 1995-01-09 | 1995-01-09 | 電子ビーム描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08190882A true JPH08190882A (ja) | 1996-07-23 |
Family
ID=11503283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7001503A Pending JPH08190882A (ja) | 1995-01-09 | 1995-01-09 | 電子ビーム描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08190882A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100438806B1 (ko) * | 1997-09-12 | 2004-07-16 | 삼성전자주식회사 | 광향상전자방출을이용한전자빔리소그래피방법 |
-
1995
- 1995-01-09 JP JP7001503A patent/JPH08190882A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100438806B1 (ko) * | 1997-09-12 | 2004-07-16 | 삼성전자주식회사 | 광향상전자방출을이용한전자빔리소그래피방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6870172B1 (en) | Maskless reflection electron beam projection lithography | |
| US6137113A (en) | Electron beam exposure method and apparatus | |
| US6335783B1 (en) | Lithography system | |
| JP2001510625A (ja) | デジタル直接書込電子ビームリソグラフ | |
| US7075093B2 (en) | Parallel multi-electron beam lithography for IC fabrication with precise X-Y translation | |
| WO1999048121A1 (en) | Field emission device with microchannel gain element | |
| US6522061B1 (en) | Field emission device with microchannel gain element | |
| JP2957669B2 (ja) | 反射マスク及びこれを用いた荷電ビーム露光装置 | |
| US6573014B2 (en) | Charged-particle-beam microlithography methods for exposing a segmented reticle | |
| WO1999047978A1 (en) | Method and apparatus for direct writing of semiconductor die using microcolumn array | |
| EP1052677B1 (en) | Electron emitters for lithography tools | |
| US6806941B2 (en) | Pattern forming method and pattern forming apparatus | |
| JPH0468768B2 (ja) | ||
| US3619608A (en) | Multiple imaging charged particle beam exposure system | |
| US11621140B2 (en) | Multiple electron beam writing apparatus and multiple electron beam writing method | |
| US8253119B1 (en) | Well-based dynamic pattern generator | |
| US6433347B1 (en) | Charged-particle-beam projection-exposure methods and apparatus that selectively expose desired exposure units of a reticle pattern | |
| JPH01159955A (ja) | 電子イメージプロジェクタ | |
| US6352802B1 (en) | Mask for electron beam exposure and method of manufacturing semiconductor device using the same | |
| JPH08190882A (ja) | 電子ビーム描画装置 | |
| JP3340468B2 (ja) | 電子線露光装置及び電子線露光方法 | |
| US6337164B1 (en) | Charged-particle-beam microlithography methods exhibiting improved pattern-feature accuracy, and device manufacturing methods comprising same | |
| JPH10274841A (ja) | マスク及びそれを用いた電子線露光方法 | |
| JP3247700B2 (ja) | 走査形投影電子線描画装置および方法 | |
| US6171760B1 (en) | Lithographic method utilizing charged particle beam exposure and fluorescent film |