JPH0819119B2

JPH0819119B2 - プロピレンカーボネートの回収方法

Info

Publication number: JPH0819119B2
Application number: JP5160619A
Authority: JP
Inventors: ナゲシュウェル・アール・バントゥ; アニクマル・シー・バット; ロス・ダブリュー・ケースラー; コンスタンティノス・パパソマス; テリー・ディー・シンクレア; ジェローム・ジェイ・ワグナー
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1992-08-04
Filing date: 1993-06-30
Publication date: 1996-02-28
Anticipated expiration: 2011-02-28
Also published as: JPH06128249A; ES2151501T3; DE69329537D1; EP0582538A3; EP0582538B1; ATE196902T1; US5281723A; CA2094407C; CA2094407A1; EP0582538A2; BR9302987A; DE69329537T2

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、環境と調和する、フォ
トレジスト材料用の現像剤及び剥離用溶剤に関するもの
である。具体的には、本発明は、メチルクロロホルム
（ＭＣＦ、１，１，１−トリクロロエタン）や塩化メチ
レン（ＭＣ、ジクロロメタン）などの塩素化溶剤の代替
品として使用する、プロピレンカーボネートなどの環状
アルキレンカーボネート溶剤に関するものである。プロ
ピレンカーボネートとフォトレジストやはんだマスク材
料の低純度の液状組成物が回路板製造工程から回収され
る。本明細書に記載する本発明によれば、製造工程の低
純度の液状生成物を処理して、環状アルキレンカーボネ
ート、たとえばプロピレンカーボネートを回収する。

【０００２】

【従来の技術】パッケージングにおけるフォトリソグラ
フィ工程は、トゥンマラ（Tummala）他編 "Microelectr
onics Packaging Handbook"、Pub. Van Nostrand Reinh
old（ニューヨーク）1989年刊のpp.898〜903、及びセラ
フィム（Seraphim）他編 "Principles of Electronic P
ackaging", McGraw-Hill Book Company（ニューヨー
ク）1989年刊の第１２章、pp.372〜393、及びコンシデ
ィン（Considine）他編 "Scientific Encyclopedia"、
第６版第II巻、Pub. Van Nostrand Reinhold Company
（ニューヨーク）1983年刊のpp.1877〜1881に記載され
ている。これらは、背景技術として本明細書において参
照されたい。

【０００３】フォトリソグラフィは、プリント回路パッ
ケージングの技術分野で重大な役割を演じている。フォ
トリソグラフィは、銅を選択的にエッチングしてサブト
ラクティブに回路を形成すべき領域、または銅を選択的
にめっきしてアディティブに回路を形成すべき領域をフ
ォトレジスト薄膜内で画定するのに使用される。

【０００４】フォトレジストには、ネガティブとポジテ
ィブの２種がある。ネガティブ・フォトレジストは、露
光によって、たとえばそれが感光性を有する特定の化学
線で十分な時間選択的に露光することによって重合す
る。次いで、現像剤にさらす。現像剤は、レジストの化
学線で露光されなかった領域を溶解する。ネガティブ・
レジストの化学線で露光された領域は、架橋によって硬
化し、非露光領域よりも現像剤に対する抵抗力が高くな
る。

【０００５】ポジティブ・レジストはこれと逆の挙動を
示す。化学線によってポジティブ・フォトレジストは現
像剤に可溶性となり、露光領域が希アルカリ性現像剤に
よって優先的に除去される。

【０００６】ポジティブ・フォトレジストは、シリコン
・デバイスの製造及びプリント回路板のサブトラクティ
ブ回路形成に広く使用されている。しかし、ポジティブ
・フォトレジストは、希アルカリ性水溶液で容易に現像
でき、やや濃いアルカリ性水溶液で剥離できるが、高苛
性環境及び高温では性能が不十分である。

【０００７】一方、ネガティブ・レジストは、銅を所望
の場所からエッチングによって除去するのではなく、銅
を所望の場所にアディティブにめっきする際に、すなわ
ち無電解めっきまたは無電解めっきと電解めっきによっ
て回路線を設ける際に使用される。

【０００８】ネガティブ・フォトレジストは、光活性剤
に対する化学線エネルギーの作用によって、重合を開始
または支援するのに必要な遊離基またはイオンを形成さ
せることによって架橋する。市販のフォトレジストは、
その組成に応じて紫外線、Ｘ線、電子線などに対して感
受性を持つ。放射線は、エマルジョン・マスクやクロム
・マスクなどのマスク中のパターンを通して、密着また
は投射によってレジストに供給でき、あるいは放射線ビ
ームをラスタ化することができる。

【０００９】ネガティブ・フォトレジストは、有機樹脂
バインダ、光開始剤／光増感剤及び反応性モノマーを含
んでいる。ネガティブ・フォトレジストはまた、任意選
択で、充填剤たとえば有機または無機充填剤、防火剤、
可塑剤、染料、可撓化剤、熱安定剤、及びパッケージの
加工特性を改善するためのその他の添加剤を含んでい
る。

【００１０】典型的なネガティブ・フォトレジストの組
成は、全成分の重量に対してバインダ４０〜７０重量
％、モノマー１０〜４０重量％、光開始剤０．５〜１５
重量％を含み、合計１００％となるものである。

【００１１】このような組成の例は、米国特許第４３２
６０１０号に記載されている（例１）。

【００１２】一般にネガティブ・レジストは、米国特許
第３４６９９８２号、米国特許第４２７３８５７号、米
国特許第４２９３６３５号に記載されているタイプの光
重合可能材料、及び米国特許第３５２６５０４号に開示
されているタイプの光架橋可能化学種である。

【００１３】単独でまたは他のものと組み合わせて使用
してネガティブ・フォトレジストを形成することのでき
るモノマーとしては、アクリル酸−ｔ−ブチル、ジアク
リル酸−１，５−ペンタンジオール、アクリル酸−Ｎ，
Ｎ−ジエチルアミノエチル、ジアクリル酸エチレングリ
コール、ジアクリル酸−１，４−ブタンジオール、ジア
クリル酸ジエチレングリコール、ジアクリル酸ヘキサメ
チレングリコール、ジアクリル酸−１，３−プロパンジ
オール、ジアクリル酸デカメチレングリコール、ジメタ
クリル酸デカメチレングリコール、ジアクリル酸−１，
４−シクロヘキサンジオール、ジアクリル酸−２，２−
ジメチロールプロパン、ジアクリル酸グリセロール、ジ
アクリル酸トリプロピレングリコール、トリアクリル酸
グリセロール、トリアクリル酸トリメチロールプロパ
ン、トリアクリル酸ペンタエリスリトール、ポリオキシ
エチル化トリアクリル酸及びトリメタクリル酸トリメチ
ロールプロパン、ならびに米国特許第３３８０８３１号
に開示されている同様の化合物、ジアクリル酸−２，２
−ジ（ｐ−ヒドロキシフェニル）プロパン、テトラアク
リル酸ペンタエリスリトール、ジメタクリル酸−２，２
−ジ（ｐ−ヒドロキシフェニル）プロパン、ジアクリル
酸トリエチレングリコール、ジメタクリル酸ポリオキシ
エチル−２，２−ジ（ｐ−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、ビスフェノールＡのジ（３−メタクリルオキシ−２
−ヒドロキシプロピル）エーテル、ビスフェノールＡの
ジ（２−メタクリルオキシエチル）エーテル、ビスフェ
ノールＡのジ（３−アクリルオキシ−２−ヒドロキシプ
ロピル）エーテル、ビスフェノールＡのジ（２−アクリ
ルオキシエチル）エーテル、テトラクロロビスフェノー
ルＡのジ（３−メタクリルオキシ−２−ヒドロキシプロ
ピル）エーテル、テトラクロロビスフェノールＡのジ
（２−メタクリルオキシエチル）エーテル、テトラブロ
モビスフェノールＡのジ（３−メタクリルオキシ−２−
ヒドロキシプロピル）エーテル、テトラブロモビスフェ
ノールＡのジ（２−メタクリルオキシエチル）エーテ
ル、１，４ブタンジオールのジ（３−メタクリルオキシ
−２−ヒドロキシプロピル）エーテル、ジフェノール酸
のジ（３−メタクリオキシ−２−ヒドロキシプロピル）
エーテル、ジメタクリル酸トリエチレングリコール、ト
リアクリル酸ポリオキシプロピルトリメチロールプロパ
ン、ジメタクリル酸エチレングリコール、ジメタクリル
酸ブチレングリコール、ジメタクリル酸−１，３−プロ
パンジオール、トリメタクリル酸−１，２，４−ブタン
トリオール、ジメタクリル酸−２，２，４−トリメチル
−１，３−ペンタンジオール、トリメタクリル酸ペンタ
エリスリトール、１，２−ジメタクリル酸−１−フェニ
ルエチレン、テトラメタクリル酸ペンタエリスリトー
ル、トリメタクリル酸トリメチロールプロパン、ジメタ
クリル酸−１，５−ペンタンジオール、フマール酸ジア
リル、スチレン、ジメタクリル酸−１，４−ベンゼンジ
オール、１，４−ジイソプロペニルベンゼン、１，３，
５−トリイソプロプニルベンゼンが含まれる。

【００１４】フォトレジスト材料は、上記のモノマーの
他に、分子量が少なくとも約３００の、遊離基で開始さ
れ重合可能な化学種を１種またはそれ以上含むことがで
きる。このタイプのモノマーは、ジアクリル酸のアルキ
レンまたはポリアルキレングリコール、及び米国特許第
２９２７０２２号に記載されているものである。

【００１５】化学線によって活性化できる、１８５℃以
下では熱的に不活性な遊離基開始剤としては、次に列挙
する置換または未置換多核キノンが含まれる；９，１０
−アントラキノン、１−クロロアントラキノン、２−ク
ロロアントラキノン、２−メチルアントラキノン、２−
tert−ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキ
ノン、１，４−ナフトキノン、９，１０−フェナントロ
キノン、１，２−ベンズアントラキノン、２，３−ベン
ズアントラキノン、２−メチル−１，４−ナフトキノ
ン、２，３−ジクロロナフトキノン、１，４−ジメチル
アントラキノン、２，３−ジメチルアントラキノン、２
−フェニルアントラキノン、２，３−ジフェニルアント
ラキノン、２，３−ジフェニルアントラキノン、アント
ラキノン−α−スルホン酸ナトリウム塩、３−クロロ−
２−メチルアントラキノン、レテンキノン、７，８，
９，１０−テトラヒドロナフタセンキノン、１，２，
３，４−テトラヒドロベンズアントラセン−７，１２−
ジオン。

【００１６】８５℃以下の温度で熱的に活性なものも含
めて他の有用な光開始剤は、米国特許第２７６０８６３
号に記載されている。

【００１７】光還元性の染料及びその他の還元剤は、米
国特許第２８５０４４５号、第２８７５０４７号、第３
０９７０９６号、第３０７４９７４号、第３０９７０９
７号、第３１４５１０４号に記載されており、また米国
特許３４２７１６１号、第３４７９１８５号、第３５４
９３６７号に記載されているフェナジン類、オキサジン
類、キノン類の染料、ミヒラーのケトン、ベンゾフェノ
ン、水素供与体を含む２，４，５−トリフェニルイミダ
ゾリル２量体、及びそれらの混合物も開始剤として使用
できる。米国特許第４３４１８６０号のシクロヘキサジ
エノン化合物も開始剤として有用である。さらに、米国
特許第４１６２１６２号に記載されている増感剤が、光
開始剤及び光抑制剤と組み合わせて有用である。

【００１８】単独でまたは重合可能モノマーと組み合わ
せて使用できる重合性バインダとしては、下記のものが
含まれる。ポリアクリレート及びα−アルキルポリアク
リレートエステル類、すなわちポリメチルメタクリレー
ト及びポリエチルメタクリレート、ポリビニルエステル
類、すなわちポリ酢酸ビニル、ポリ酢酸／アクリル酸ビ
ニル及び加水分解ポリ酢酸ビニル、エチレン／酢酸ビニ
ル共重合体、ポリスチレン及び共重合体、すなわち無水
マレイン酸との共重合体及びエステル、塩化ビニリデン
の共重合体、すなわち塩化ビニリデン／メタクリレート
共重合体及び塩化ビニリデン／酢酸ビニル共重合体、ポ
リ塩化ビニル及び共重合体、すなわちポリ塩化／酢酸ビ
ニル、飽和及び不飽和ポリウレタン類、合成ゴム類、す
なわちブタジエン／アクリロニトリル、アクリロニトリ
ル／ブタンジエン／スチレン、メタクリレート／アクリ
ロニトリル／ブタジエン／スチレン共重合体、２−クロ
ロブタジエン−１，３重合体、塩素化ゴム、及びスチレ
ン／ブタジエン／スチレン、スチレン／イソプレン／ス
チレン・ブロック共重合体、平均分子量が約４，０００
ないし１，０００，０００のポリグリコールの高分子量
ポリエチレンオキサイド、エポキシド類、すなわちアク
リレート基またはメタクリレート基を含むエポキシド、
コポリエステル類、ナイロンまたはポリアミド類、すな
わちＮ−メトキシメチルポリヘキサメチレンアジポアミ
ド、セルロースのエステル類、すなわち酢酸コハク酸セ
ルロース及び酢酸酪酸セルロース、セルロースエーテル
類、すなわちメチルセルロース、エチルセルロース及び
ベンジルセルロース、ポリカーボネート類、ポリビニル
アセタール類、すなわちポリビニルブチラール、ポリビ
ニルホルマール、ポリホルムアルデヒド類。

【００１９】上記に列挙した重合体バインダの他に、米
国特許第３７５４９２０号に記載されているような粒子
状シックナ、すなわちシリカ、粘土、アルミナ、ベント
ナイト、カオリナイトなどが使用できる。

【００２０】フォトレジストの水溶液による現像が望ま
しい場合、バインダは、組成物を水性現像液中で処理可
能にするのに十分な酸性その他の官能基を含むべきであ
る。適当な水溶液処理の可能なバインダとしては、米国
特許第３４５８３１１号及び同第４２７３８５６号に記
載されているものがある。アミノアルキルアクリレート
またはメタクリレート、酸性の膜形成性コモノマー、及
び米国特許第４２９３６３５号に記載されているような
アルキルまたはヒドロキシアルキルアクリレートを含め
ることができる。

【００２１】通常、感光性組成物の貯蔵中の安定性を高
めるために、熱重合抑制剤を加える。このような抑制剤
には、ｐ−メトキシフェノール、ヒドロキノン、アルキ
ル置換及びアリール置換のハイドロキノン及びキノン
類、tert−ブチルカテコール、ビロガロール、樹脂酸
銅、ナフチルアミン、β−ナフトール、塩化第一銅、
２，６−ジ−tert−ブチル−ｐ−クレゾール、フェノチ
アジン、ピリジン、ニトロベンゼン及びジニトロベンゼ
ン、Ｐ−トルエキノン及びクロラニルがある。また米国
特許第４１６８９８２号に記載されているニトロソ組成
物も熱重合抑制剤として有用である。

【００２２】レジスト・イメージの可視性を高めるため
に染料及び顔料を加えてもよい。ただし、使用する着色
剤は、使用する化学線に対して透過性をもつべきであ
る。

【００２３】そのような感光性組成物の例が、米国特許
第４６９３９５９号の表１に記載されている。

【００２４】こうした処方を調製する際に、一般に、常
圧で揮発性の不活性溶剤を使用する。その例としては、
アルコール類及びエーテルアルコール類、エステル類、
芳香剤、ケトン類、塩素化炭化水素、脂肪族炭化水素、
その他の溶剤、たとえばジメチルスルホキシド、ピリジ
ン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジシアノシクロ
ブタン、１−メチル−２−オキソヘキサメチレンイミ
ン、及び溶液を得るのに必要な様々な比率によるこれら
の溶剤の混合物がある。コーティングが支持ファイルに
粘着するのを防止するための粘着防止剤を含めることも
できる。

【００２５】ある種の重合体では、被膜または被覆に可
撓性を与えるために固体または液体の可塑剤を加えるこ
とが望ましい。適当な可塑剤が米国特許第３６５８５４
３号に記載されている。好ましい液体可塑剤はノリルフ
ェノキシポリ（エチレンオキシ）エタノールである。好
ましい固体可塑剤はＮ−エチル−ｐ−トルエンスルホン
アミドである。

【００２６】光結像可能組成物ははんだマスクとしても
利用される。そのような応用例では、光結像可能組成物
を使用する際には、それをプリント回路板に塗布し、続
いてフォトリソグラフィ技術によって他のものをマスク
しながら回路板上の様々の下部フィーチャを露出させ
る。はんだ付け工程中にはんだが露出した下部構成要素
上に付着する。はんだマスク材料を、適当な方法、例え
ばカーテン・コーティングによって塗布できるような処
方にする必要がある。エポキシ類を使用する多数のもの
も含めて、適当な光結像可能組成物は、米国特許第４２
７９９８５号、第４４５８８９０号、第４３５１７０８
号、第４１３８２５５号、第４０６９０５５号、第４２
５００５３号、第４０５８４０１号、第４６５９６４９
号、第４５４４６２３号、第４６８４６７１号、第４６
２４９１２号、第４１７５９６３号、第４０８１２７６
号、第４６９３９６１号、第４４４２１９７号に記載さ
れている。

【００２７】最近になって、改良型のカチオン性光結像
可能はんだマスクが、本出願人に譲渡された米国特許第
５０２６６２４号に記載されている。同明細書を本明細
書において参照されたい。実際に米国特許第５０２６６
２４号は、エポキシを主体とする改良型の光結像可能な
カチオン性重合可能コーティング材料を教示している。

【００２８】ネガティブ・レジストを処理する際、結像
済み被膜の非露光領域は通常、スプレイ形の現像液の作
用によって数分以内にプリント回路板または基板の表面
から除去される。フォトレジスト組成物の種類に応じ
て、現像液は、単純な有機溶剤、無機塩基の水溶液、あ
るいは米国特許第３４７５１７１号に記載のように、有
機溶剤と塩基水溶液を組み合わせて形成した半水性現像
剤とすることができる。

【００２９】メチルクロロホルム（ＭＣＦ、１，１，１
−トリクロロエタン）及び塩化メチレン（ＭＣ、ジクロ
ロメタン）が、電子実装技術及びその他の技術で、通常
なら化学的攻撃に対して抵抗力のあるいくつかのフォト
レジストを現像し除去するために広く使用されている溶
剤である。

【００３０】アディティブ法で使用される高度にアルカ
リ性の無電解銅メッキ浴は、フォトレジストにとって厳
しい環境をもたらす。一般に、化学的に比較的不活性な
レジストは塩化メチレンなどの有機溶剤中で除去でき
る。それほど厳しくない環境では、水溶液で現像可能な
フォトレジストで十分であろう。しかし、有機溶剤で現
像可能なレジストが、無電解銅環境及びプリント・バン
ド及び薄膜技術で、デュポン社のリストンＴ−１６８な
どアクリレートを主体とするレジスト及びデュポン社の
Vacrel 700及び900シリーズなどの溶剤処理済みはんだ
マスクと共に引続き使用されている。この環境では、水
性レジストが損傷を受けやすい。

【００３１】１，１，１−トリクロロエタン及び塩化メ
チレンの使用は、地球のオゾン層の減少に対する気状ハ
ロゲン化炭化水素の影響に関する環境問題上の関心、及
び大気中への発ガン性の疑いのある物質の排出に関する
関心の増大に伴って不都合になってきた。いくつかの国
ではその完全撤廃を目標として設定している。しかし、
水溶液で現像可能なレジストの使用が実用的でない製造
工程は依然として沢山ある。

【００３２】したがって、当業界では、１，１，１−ト
リクロエタン及び塩化メチレンの代替品となる有機溶剤
を探し続けている。新しい溶剤は、可燃性、毒性、溶解
力、貯蔵寿命、廃棄物処理、リサイクル可能性、組成の
簡単さ、及び広範囲のレジストとの相溶性に関して特定
の製造要件及び環境要件を満たさなければならない。

【００３３】リストン・フォトレジストを剥離するため
の代替溶剤は、Research Disclosure、1989年６月、p.3
02に所載の著者不明の論文にも記載されている。

【００３４】当技術分野では、１，１，１−トリクロロ
エタン及び塩化メチレンに代わる環境にやさしい代替品
を実現するための試みが以前から報告されている。しか
し、どの参照文献にも、同時係属の米国特許出願第０７
／７８１５４１号（特願平４−２３４８６６）に記載さ
れている簡単で環境にやさしい常温現像剤及び剥離剤は
記載されていない。同特許出願は、現像剤及び剥離剤と
して４−メチル−１，２−ジオキソラン−２−オン（プ
ロピレンカーボネート、メチルエチレンカーボネート、
１，２−プロピレンカーボネート）を使用することを記
載している。この物質は、下記の化学式２で表される構
造をもつ。

【化２】

【００３５】上記出願明細書は、リストンＴ−１６８や
ポリメチルメタクリレートなどアクリレートを主体とす
るフォトレジスト及びＶａｃｒｅｌ７００及び９００
シリーズなどの溶剤処理済みはんだマスクを現像及び剥
離するのに使用されるハロゲン化炭化水素現像剤及び剥
離剤の代替品としてこれを使用することを記載してい
る。

【００３６】上記の米国特許出願第０７／７８１５４１
号（特願平４−２３４８６６）は、プロピレンカーボネ
ート（ＰＣ）、γ−ブチロラクトン（ＢＬＯ）、ベンジ
ルアルコール（ＢＡ）のうちから選択された高沸点溶剤
中で放射線で露光済みのレジストを現像することを記載
している。この工程は約２４ないし４５℃で約０．５な
いし１２分間行われ、通常はそれに続いて熱湯洗浄、冷
水洗浄、脱イオン水洗浄、水道水洗浄または低沸点の代
替溶剤による洗浄を行って過剰の現像剤を除去する。

【００３７】上記の米国特許出願第０７／７８１５４１
号（特願平４−２３４８６６）の溶剤は高沸点溶剤であ
るが、リストン型フォトレジストの現像用の従来技術の
一般的現像剤は低沸点溶剤である。メチルクロロホルム
（ＭＣＦ）、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、キシレン
またはそれらの混合物などの低沸点溶剤の使用は、塩化
メチレンによる剥離工程と類似している。

【００３８】それとは対照的に、高沸点溶剤、すなわち
ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、γ−ブチロラクトン
（ＢＬＯ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、及び
プロビレンカーボネート（ＰＣ）は、続いて相溶性のあ
る溶剤または水による洗浄ステップを施さなければなら
ない。さらに、ＭＣに匹敵する溶解時間を得るために
は、剥離中の温度を５０℃と１００℃の間に維持する必
要がある。さらに、生成物の品質と高いスループットを
得るために、剥離中にブラシングが必要である。しか
し、ブラシングをこうした比較的高い温度と併用する
と、可溶化したフォトレジスト重合体及び固体のフォト
レジスト重合体ならびにモノマー、添加剤、開始剤、界
面活性剤、染料、その他の成分を含有するフォトレジス
ト生成物が除去される。これらの成分を以下では「フォ
トレジスト生成物」及び「フォトレジスト固形物」と総
称する。

【００３９】したがって、リサイクル及び再使用のた
め、フォトレジスト材料からプロピレンカーボネートな
どの環状アルキレンカーボネート溶剤を分離し回収す
る、低コストの方法が明らかに必要とされている。

【００４０】

【発明が解決しようとする課題】本発明の主目的は、プ
ロピレンカーボネートなどの環状アルキレンカーボネー
トをリサイクルして再使用するための、簡単で低コスト
の方法を提供することにある。

【００４１】本発明の他の目的は、環状アルキレンカー
ボネートが加水分解されて対応するグリコールになる、
たとえばプロピレンカーボネート及びその同族体が加水
分解されてプロピレングリコール及びその同族体になる
のを最小限に抑えながら、フォトリソグラフィ工程の廃
棄物ストリームから環状アルキレンカーボネートを、た
とえばプロピレンカーボネートをリサイクルして再使用
することにある。

【００４２】本発明の他の目的は、燃焼及び爆発の危険
が最小となる温度及び圧力条件でカーボネートを回収
し、特別な構造の必要をなくすことにある。

【００４３】

【課題を解決するための手段】本発明は、米国特許出願
第０７／７８１５４１号（特願平４−２３４３６６）に
記述されているタイプの非毒性溶媒を回収することに関
する。上記特許出願の溶媒は高沸点溶媒である。これと
は対照的に、リストン型フォトレジストの現像用の従来
技術の一般的現像剤は、低沸点溶媒である。

【００４４】米国特許出願第０７／７８１５４１号（特
願平４−２３４３６６）の高沸点溶媒、すなわちｎ−メ
チルピロリドン（ＮＭＰ）、γ−ブチロラクトン（ＢＬ
Ｏ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、及びプロピ
レンカーボネート（ＰＣ）を用いて有機重合体被膜を現
像及び剥離するには、その後に相溶性のある溶媒または
水による洗浄ステップが必要である。このため、環状ア
ルキレンカーボネート溶媒が、洗浄ステップ中に導入さ
れる溶媒または水で汚染され、その回収が厄介になる。

【００４５】さらに、ハロゲン化溶媒に匹敵する重合体
溶解時間を得るためには、剥離中の温度を約５０℃以
上、一般に約５０℃と１００℃の間に維持する必要があ
る。このため、環状アルキレンカーボネート溶媒が分解
され、分解生成物が形成されるので、その回収がさらに
厄介になる。

【００４６】しかし、これらの問題は、本明細書に記載
する、プロピレンカーボネートの回収方法によって解決
される。本明細書に記載する方法によれば、プロピレン
カーボネートを使用して有機重合体物質を含むフォトレ
ジスト材料を基板から除去する工程の排出物ストリーム
からプロピレンカーボネートが回収される。

【００４７】排出物ストリームは、環状アルキレンカー
ボネート、たとえばプロピレンカーボネートと、その加
水分解生成物であるグリコール、たとえばプロピレング
リコールと、水と、溶解した重合体、重合体固形物、界
面活性剤、染料、光開始剤及びそれらの破片などのフォ
トレジスト生成物を含む。回収工程では、このプロピレ
ンカーボネート排出物を、縦管型熱交換器型蒸発器など
の第１分離段に送って、（i）水及び揮発性物質と、（i
i）プロピレンカーボネートとに分離する。これによっ
て、プロピレンカーボネート中の水の濃度が、プロピレ
ンカーボネートがさらに加水分解してプロピレングリコ
ールになるのを実質上避けるのに十分な低いレベルまで
下がる。ここで、水及び揮発性物質を、選択的に揮発さ
せるには、プロピレンカーボネートを加熱する。分離手
段内の温度は１６０℃よりも低く保ち、全圧は３５トル
より低く保つ。より好ましくは、分離手段内の温度は、
プロピレンカーボネートの開放式引火点より低く（１３
２℃より低く）保つ。回収されるプロピレンカーボネー
ト留分は、水の含有量が０．１重量％未満である。

【００４８】脱水されたプロピレンカーボネートを、次
にたとえばぬぐい膜式蒸発器などで蒸発させて、プロピ
レンカーボネートを高沸点のフォトレジスト材料及び重
合体固形物から分離する。この段階で脱水済みのプロピ
レンカーボネートは、（i）プロピレンカーボネート留
分と（ii）フォトレジスト材料留分とに分離される。こ
のフォトレジスト材料留分は、プロピレンカーボネート
中にフォトレジスト材料を含んでいる。蒸発器内の圧力
は約２５トルより低く保ち、温度は１２０℃よりも低く
保つ。蒸発器の頂部でプロピレンカーボネートを、底部
でプロピレンカーボネート中のフォトレジスト材料を回
収する。さらに、底部生成物を分離手段に送り、そこか
らプロピレンカーボネートを回収することもできる。

【００４９】プロピレンカーボネート留分は、さらに分
留手段で高蒸気圧のプロピレングリコール留分と低蒸気
圧のプロピレンカーボネート留分に分離される。分離手
段の頂部圧は約１５トルより低く保ち、底部圧は約３５
トルより低く保つ。ここで、水含有量が０．０３重量％
未満で、フォトレジスト材料を実質的に含まない分留生
成物を得る。

【００５０】

【実施例】フォトレジスト材料の薄膜、層または被膜を
除去する際に、比較的高純度のプロピレンカーボネート
を現像剤または剥離剤あるいはその両方として使用する
場合、上流側の工業工程から汚れたプロピレンカーボネ
ートが排出される。この汚れたプロピレンカーボネート
は、可溶化した重合体と分散した固体の重合体を含んで
いる。本発明の一実施例では、重合体はフォトレジス
ト、たとえばデュポン社のリストンなどアクリル酸及び
アクリル酸エステルから形成されるネガティブ・レジス
トであり、排出物は、現像ステップと剥離ステップの一
方または両方の排出物である。除去されたフォトレジス
ト材料は、可溶化した重合体または分散した重合体なら
びにモノマー、溶媒、界面活性剤、開始剤、開始剤の破
片、染料などを含み、本明細書ではこれらの成分を「フ
ォトレジスト材料」及び「固形物」と総称する。

【００５１】本発明を、下記の化学式３で表されるプロ
ピレンカーボネートについて説明し図示するが、もちろ
ん、下記の化学式４で表されるプロピレンカーボネート
の同族体である高級環状アルキレンカーボネートも使用
できる。

【化３】

【化４】

【００５２】上式で、Ｒ_A及びＲ₃は短鎖のアルキル基で
ある。短鎖アルキル基の例はＣＨ₃−（ＣＨ₂）_n−であ
り、ｎはＲ_AとＲ_Bで独立な０から３までの整数である。
さらに、この環状アルキレンカーボネートの蒸気圧は、
分留または分離するに十分な高さでなければならない。

【００５３】重合体がアクリル酸−アクリル酸エステル
型のフォトレジストであり、溶剤がプロピレンカーボネ
ートである本発明の実施例では、フォトリソグラフィ工
程の排出物は、（i）約５０重量％以上、通常は約９６
ないし９９重量％のプロピレンカーボネートと、（ii）
最高で約４０重量％まで、通常は約０．２ないし１．０
重量％の「フォトレジスト材料」または「固形物」、す
なわち分散した固形重合体及び溶解した可溶性重合体
と、（iii）最高で約５重量％まで、通常は約０．１な
いし０．５重量％のプロピレングリコール、すなわちプ
ロピレンカーボネートの加水分解生成物と、（iv）最高
で約５重量％まで、通常は約０．１ないし２．５重量％
の水を含む。以上の重量％の値を合計すると１００％に
なるはずであるが、他の不純物が存在する場合は合計が
１００％に満たないこともある。

【００５４】環状アルキレンカーボネート、たとえばプ
ロピレンカーボネートを現像剤または剥離剤として再使
用するためにリサイクルするには、高純度の環状アルキ
レンカーボネート、たとえばプロピレンカーボネートを
回収する必要がある。高純度のプロピレンカーボネート
とは、一般に、固形物を実質上含まず、水の含有量が
０．１重量％未満、好ましくは０．０５０重量％未満、
プロピレングリコールが、０．０５重量％未満（白金−
コバルト標準を基準として、カラー値２０ＡＰＨＡ未満
であることによって証明される）である、プロピレンカ
ーボネート生成物を意味する。

【００５５】図１及び図２は、プロピレンカーボネート
を使って有機フォトレジスト材料を基板から除去する工
程の排出物ストリームから、プロピレンカーボネートを
回収する工程の流れ図である。この排出物ストリーム
は、プロピレンカーボネート、水及びフォトレジスト材
料固形物からなる水性プロピレンカーボネート排出物で
ある。

【００５６】図１及び図２に示した回収プロセスでは、
排出物、たとえばプロピレンカーボネート排出物を脱水
装置すなわち第１分離段１１に供給する。これは、図３
に示すような、短管形縦型熱交換器型蒸発器でよい。こ
の第１分離段で、排出物ストリームは（i）第１分離段
１１の上端から排出される水と揮発性物質からなる気体
ストリームと、（ii）液体プロピレンカーボネート・ス
トリームの２つの流れに分離される。

【００５７】この第１段の分離で、環状アルキレンカー
ボネート中の水の濃度が、カーボネートが加水分解して
対応するグリコールになるのを実質上避けるのに十分な
低いレベルに下がる。プロピレンカーボネートの場合、
プロピレンカーボネート中の水の濃度が、プロピレンカ
ーボネートが加水分解されてプロピレングリコールにな
るのを実質上避けるのに十分な低いレベルに下がる。熱
交換器型蒸発器１１などの第１段分離装置では、熱交換
器内の全圧をプロピレンカーボネートの開放式引火点で
その蒸気圧より高く保つ。プロピレンカーボネート中に
０．１重量％の水を含む工程ストリームの場合、これ
は、工程ストリームの温度をプロピレンカーボネートの
開放式引火点より低く保つことに相当する。すなわち、
工程ストリームは約１３２℃より低く保たれ、全圧は約
２５トルより低く保つことが好ましい。

【００５８】第１分離段の底部生成物は、脱水されたプ
ロピレンカーボネートであり、（i）約９６ないし９９
重量％のプロピレンカーボネートと、（ii）約０．２な
いし０．５重量％の「固形物」すなわち分散した固体重
合体及び溶解した可溶性重合体と、（iii）約０．１な
いし０．５重量％のプロピレングリコールと、（iv）約
０．０８ないし０．１０重量％の水を含み、合計濃度が
１００重量％となるものが好ましい。

【００５９】第１段分離１１からの脱水されたプロピレ
ンカーボネートは、第２段分離４１でさらに分離され、
たとえば蒸発によって高沸点物質及び重合体固形物から
プロピレンカーボネートが分離される。第２段分離は、
図４に示す形式のぬぐい膜式蒸発器４１（wiped film e
vaporator）で実施することができるが、この分離で
は、脱水されたプロピレンカーボネートが（i）プロピ
レンカーボネート留分と（ii）フォトレジスト固形物留
分に分離される。フォトレジスト固形物留分は、プロピ
レンカーボネート中に重合体物質などのフォトレジスト
材料を含んでいる。

【００６０】蒸発器４１の圧力は、約２５トル未満、た
とえば約５ないし１５トルに保つ。蒸発器４１の温度
は、約１２０℃より高く保つ。

【００６１】この第２段分離４１により、頂部生成物と
して約９８ないし９９重量％のプロピレンカーボネート
と、底部生成物（高沸点残渣）としてプロピレンカーボ
ネート中のフォトレジスト材料が得られる。

【００６２】第２段分離４１の頂部生成物は脱水済みの
蒸発させたプロピレンカーボネートであり、分留手段７
１に送られる。この分留手段は、図５に示した形式の充
填塔７１でよいが、これを使って、脱水済みの蒸発させ
たプロピレンカーボネートがさらに、蒸気圧のより高い
プロピレングリコール留分と、蒸気圧のより低いプロピ
レンカーボネート留分に分離される。

【００６３】任意選択で、第２段４１の底部生成物から
もプロピレンカーボネートを回収することができる。こ
の底部生成物は、環状アルキレンカーボネート溶剤、た
とえばプロピレンカーボネート中のフォトレジスト材料
であり、約９０ないし９８％のプロピレンカーボネート
残留固形物を含んでいる。

【００６４】本発明のもう１つの代替方法によれば、蒸
発器４１の底部生成物は別の蒸発段６１に、その後、分
留手段７１−７１ａに送られる。第２蒸発器の頂部生成
物は、図２に示すような分留装置７１−７１ａに送られ
る。蒸発器６１の底部生成物は、重合体に富んだ物質で
あり、排出される。

【００６５】分留ステップ７１の生成物は、重合体物質
を実際上含まない分留生成物である。重合体物質を実際
上含まないとは、プロピレンカーボネート生成物のカラ
ー値が（白金コバルト標準を基準として）２０ＡＰＨＡ
未満という意味である。この分留生成物は水をも実質上
含まず、水の含有量は０．０５０重量％未満である。

【００６６】蒸発器またはポット中の底部生成物である
環状アルキレンカーボネート、たとえば高純度のプロピ
レンカーボネートを、カーボネートを劣化させずに回収
するには、塔内圧力を慎重に維持しなければならない。
分留手段７１の頂部圧は１５トル未満、通常は約６ない
し１０トルであることが好ましく、底部圧は約３５トル
未満、通常は約２０トルであることが好ましい。

【００６７】高純度の環状アルキレンカーボネート、た
とえばプロピレンカーボネートを高収量で回収するため
に重要なのは、工程中の環状アルキレンカーボネートの
損失を最小限にすることである。プロピレンカーボネー
トは固形物と一緒に失われるだけではなく、化学的に
も、たとえば加水分解生成物などの副生成物の形成によ
って失われる。

【００６８】こうした工程中損失経路の制御には、低い
操作温度と高温にさらす時間を最小限にすること、及び
水を実質上含まないことが必要である。操作温度及び熱
入力表面への露出時間を最小限に保つのは、環状アルキ
レンカーボネート、たとえばプロピレンカーボネートの
分解速度を遅くするためである。

【００６９】温度と伝熱表面への露出時間を低く抑える
には、実質上真空の条件下での処理が必要である。実質
上真空の条件では、環状アルキレンカーボネート・スト
リーム、たとえばプロピレンカーボネート・ストリーム
を高温度に加熱する必要が減り、また、加熱不要となる
場合さえある。有害な副生成物を生じないと思われる上
限温度は１６０℃である。好都合な設計及び操作温度の
限界は、環状アルキレンカーボネートの開放式引火点で
ある。プロピレンカーボネートの開放式引火点は１３２
℃である。プロピレンカーボネートの場合、１３２℃の
開放式引火点より低い温度で処理を行うと、燃焼及び爆
発の危険を最小限に抑えることが可能となる。これによ
って、損傷を抑える構造ならびに耐燃性耐爆性の回収装
置の必要が緩和される。さらに、低温では分解速度も下
がる。

【００７０】別の実施例では、窒素ブランケットが使用
できる。窒素ブランケットにより、爆発の可能性が低下
し、より高品質の生成物がもたらされる。

【００７１】さらに、工程中で早期に水が除去される場
合、たとえば加水分解によるプロピレンカーボネートな
どの環状アルキレンカーボネートの分解を最小限に抑え
ることが可能になる。これらの考慮から図１、図２及び
上記の個々の工程ステップに示す工程シーケンスが実施
される。

【００７２】次に個々の工程ステップに話を移すと、工
程の第１ステップは水の除去である。これは、図３に示
す、流下液膜式蒸発器などの短管形縦型熱交換器型蒸発
器１１で実施される。この短管形縦型熱交換器型蒸発器
１１は供給物ストリーム２１を有し、それが蒸発器１１
中で底部生成物すなわち液体ストリーム２３と頂部生成
物すなわち気体ストリーム２５に分離される。さらに、
蒸発器の頂部に水、たとえば脱イオン水を供給すること
もできる。アルキレンカーボネート蒸気からこの水に伝
達される熱が、アルキレンカーボネート蒸気を凝縮させ
る助けとなり、したがって頂部生成物２５によるアルキ
レンカーボネートの損失が減少する。

【００７３】水蒸気は、多管式熱交換器３１の水蒸気取
入口を経て熱交換器型蒸発器１１に入る。水蒸気は胴側
媒体である。ある実例では、管３９は、任意選択の下降
管３７の周囲に同心的に配置された蒸気上昇管である。
ただし、下降管は蒸発器の必須部分ではない。

【００７４】蒸発する供給物は管すなわち蒸気上昇管３
９中を上昇し、凝縮物は、たとえば下降管３７が存在す
る場合、その中を通って戻る。水蒸気は、出口３３を経
て多管式熱交換器３１から出る。

【００７５】入力ストリーム２１は、縦型熱交換器型蒸
発器１１に入る。蒸発器１１内の圧力は、約２０ないし
２５トルに保つ。供給物の温度を約１２０℃に上げて、
水と他の揮発性化学種及び気体を液体ストリームからフ
ラッシュ蒸発させる。

【００７６】第１段分離１１の液体生成物２３が、第２
段分離４１への供給物である。第２段分離装置４１は、
図４では単一効用ぬぐい膜式蒸発器である。

【００７７】単一効用ぬぐい膜式蒸発器４１内の圧力は
６ないし１５トルに保ち、供給物ストリームを加熱して
温度を約９０ないし１２０℃に保つ。プロピレンカーボ
ネートは蒸発し、凝縮して液体になり、除去される。残
りの残渣ストリームは、レジスト残渣など低蒸気圧高沸
点の成分を含み、それらの成分は非揮発性のこともあ
る。レジスト残渣はプロピレンカーボネート中にある。

【００７８】ぬぐい膜式蒸発器４１などのぬぐい膜式蒸
発器は、たとえば米国特許第４１７３２４６号明細書に
一般的に記載されている。

【００７９】ぬぐい膜式蒸発器４１は、鋼製槽などの円
筒形槽４２を有する。槽の内壁は、ステンレス鋼、超合
金などの金属でよい。あるいは、内壁をたとえばガラス
やエナメルでライニングしてもよい。エナメルとは、ほ
うろうを意味する。ほうろうは、ガラス状または部分的
に脱ガラス化した無機物質である。ガラスまたはほうろ
うのライニングは鋼製槽４２に付着する。

【００８０】ぬぐい膜式蒸発器４１は、蒸発器４１の縦
軸に沿って延びる回転式ワイパ・アセンブリ４３をその
特徴としている。回転式ワイパ・アセンブリ４３は、回
転シャフト４４と、回転シャフト４４から外側へ延びる
アーム４９と、アーム４９の端部にあり、プロピレンカ
ーボネートを槽４２の内壁上に散布するためのブレード
５０を含んでいる。

【００８１】回転シャフト４４は、軸受４６と、槽の上
端にあるシール４８中を延びるカップリング４７とを介
して、モータ４５によって駆動される。

【００８２】ぬぐい膜式蒸発器４１の壁面は、スチーム
・ジャケット５２中の水蒸気によって加熱される。

【００８３】操作に当っては、第１段蒸発器１１のプロ
ピレンカーボネート生成物２３^が、開口２３"を経てぬ
ぐい膜式蒸発器４１内に導入される。この液状供給物が
分配装置５１に送られる。遠心力と重力によってプロピ
レンカーボネートは分配装置５１からアーム４９の端部
にあるブレード５０に進む。ブレード５０は、プロピレ
ンカーボネートなどの環状アルキレンカーボネートを槽
４２の内面上に散布し、槽４２中でスチーム・ジャケッ
ト５２内の水蒸気によって環状アルキレンカーボネー
ト、たとえばプロピレンカーボネートが加熱されて蒸気
生成物を発生する。液状残渣は、円錐形の回収部５３及
び出口５４に落下する。

【００８４】第２段分離４１の液体生成物は、さらに処
理してもよく、たとえば下流側蒸発器６１を使って、レ
ジスト固形物を濃縮し、溶剤留出液の収率を高めること
ができる。下流側蒸発器６１の最終残渣がこの工程の主
要な廃棄物となる。

【００８５】蒸発器４１及び６１からの蒸気は、フォト
レジスト材料を実質上含まない環状アルキレンカーボネ
ートであり、少量の他の揮発性物質と共に分留塔７１に
入る。分留塔７１では、環状アルキレンカーボネートよ
り揮発性の低い成分、たとえばレジストが蒸気相から凝
縮する。この凝縮は、分留塔７１の頂部に導入される還
流ストリームによって行われる。液体ストリームは分留
塔７１の底部から出る。この液体ストリームは、系から
除去してもよく、また前の段に再導入してもよい。分留
塔の頂部生成物は、分留された高純度の環状アルキレン
カーボネート・ストリームである。

【００８６】第２段分離装置４１ならびに下流側蒸発器
６１がある場合はその頂部生成物は、縦型充填塔７１に
導入される。充填塔７１の詳細は図５に示してある。

【００８７】充填塔型分留塔７１は図５に示されてい
る。構造的には、充填塔７１は、胴または本体７２と、
頂部にある凝縮器７５と底部にある再沸器８１を含む。
供給物は、液体供給手段７７を通って、液体分配装置９
１及びパッキング・リストレーナ９３へ進み、分留塔７
１に導入される。液体分配装置９１とパッキング・リス
トレーナ９３は、供給物７７と凝縮器帰還物８２をパッ
キング９５に通して又はその上で分配し、また任意選択
的に液体再分配装置９７で分配する。

【００８８】上方に流れるガス、たとえば再沸器８１か
らの帰還物８５は、下方に流れる液体と接触する。こう
して凝縮器７５に低沸点高蒸気圧の頂部生成物８２を供
給する。これが凝縮器７５の熱交換器８１で凝縮され
て、低沸点高蒸気圧の液体７９として回収される。一
方、再沸器８１における高沸点低蒸気圧の生成物８３は
液体生成物８６として回収される。残りの再沸器液は、
熱交換器８７によって蒸発させられる。

【００８９】分留塔７１内の動作圧力は、頂部の６ない
し１０トルから底部の１５ないし２０トルまで変化す
る。この装置内で分留が行われ、副生成物のプロピレン
グリコールなど揮発性のより高い留分は分留塔７１の上
端へ行って凝縮し、揮発性のより低いプロピレンカーボ
ネートは、その沸点で液体として分留塔７１の底部内で
循環する。頂部還流比及び底部再沸比の制御を含めて、
通常の分留塔操作法が適用される。

【００９０】製造で再使用するのに適したプロピレンカ
ーボネート生成物が、分留塔７１の底部から排出され
る。

【００９１】本明細書に記載した多段分離工程は、目に
見える懸濁固形物を含み強い色をもつ不透明な汚染のひ
どい供給物から出発する。この供給物を処理して、懸濁
固形物を含まず、カラー値が（白金−コバルト標準を基
準として）２０ＡＰＨＡ未満の、透明な生成物が得られ
る。本発明の方法は、水の除去にも特に有効であり、水
の含有量が供給物中の１．６重量％から回収されたプロ
ピレンカーボネート生成物中の０．０３０重量％に減少
する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の環状アルキレンカーボネート回収法の
例の流れ図である。

【図２】本発明の環状アルキレンカーボネート回収法の
他の例の流れ図である。

【図３】環状アルキレンカーボネート、たとえばプロピ
レンカーボネートを水及び揮発性物質から初期分離する
際に有用な単一効用縦管型熱交換器型蒸発器の断面図で
ある。

【図４】環状アルキレンカーボネート、たとえばプロピ
レンカーボネートを固形物から分離する際に有用なぬぐ
い膜式蒸発器の断面図である。

【図５】環状アルキレンカーボネート、たとえばプロピ
レンカーボネートの固形物をアルキレングリコール汚染
物質、たとえばプロピレングリコール汚染物質から分離
する際に有用な充填膜式蒸留塔の断面図である。

【符号の説明】

１１蒸発器４１蒸発器６１蒸発器７１分留塔

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 21/30 (72)発明者アニクマル・シー・バットアメリカ合衆国 13790 ニューヨーク州ジョンソン・シティーレイノルズ・ロード 1151 (72)発明者ロス・ダブリュー・ケースラーアメリカ合衆国 13827 ニューヨーク州オウェゴフォード・ロード 100 (72)発明者コンスタンティノス・パパソマスアメリカ合衆国 13760 ニューヨーク州エンディコットコベントリー・ロード 75 (72)発明者テリー・ディー・シンクレアアメリカ合衆国 13760 ニューヨーク州エンディコットイースト・メイン・ストリート 416 (72)発明者ジェローム・ジェイ・ワグナーアメリカ合衆国 13760 ニューヨーク州エンディコットウェスト・フランクリン・ストリート 413

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】環状アルキレンカーボネートで基板から有
機フォトレジスト材料を除去することによってフォトレ
ジスト材料及び環状アルキレンカーボネート排出物が発
生される工程において、排出物ストリームから環状アル
キレンカーボネートを回収する方法であって、ａ．環状アルキレンカーボネート排出物を分離手段に送
り、水と揮発性物質を環状アルキレンカーボネートから
分離するステップと、ｂ．脱水された環状アルキレンカーボネートを回収し、
脱水済み環状アルキレンカーボネートを蒸発させて環状
アルキレンカーボネートを高沸点物質及び重合体固形物
から分離し、そこから環状アルキレンカーボネート留分
を回収するステップと、を含む方法。
【請求項２】さらに、前記脱水済み環状アルキレンカー
ボネートを、高蒸気圧の環状アルキレングリコール留分
と低蒸気圧の環状アルキレンカーボネート留分に分離す
るステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】環状アルキレンカーボネートが、下記の構
造式を有し、【化１】上式において、Ｒ_AとＲ_BはそれぞれＨ−とＣＨ₃−（Ｃ
Ｈ₂）_n−からなる群から独立に選び、ｎは０から３まで
の整数であり、Ｒ_AとＲ_Bの少なくとも一方がＣＨ₃−
（ＣＨ₂）_n−であることを特徴とする、請求項１に記載
の方法。
【請求項４】プロピレンカーボネートで基板から有機重
合体物質を除去することによってプロピレンカーボネー
ト排出物が発生される工程において、排出物ストリーム
からプロピレンカーボネートを回収する方法であって、ａ．プロピレンカーボネート排出物を分離手段に送り、
水と揮発性物質をプロピレンカーボネートから分離する
ステップと、ｂ．脱水されたプロピレンカーボネートを回収し、脱水
済みプロピレンカーボネートを蒸発させてプロピレンカ
ーボネートを高沸点物質及びフォトレジスト材料から分
離し、そこからプロピレンカーボネート留分を回収する
ステップと、を含む方法。
【請求項５】さらに、前記脱水済みプロピレンカーボネ
ートを、高蒸気圧のプロピレングリコール留分と低蒸気
圧のプロピレンカーボネート留分に分離するステップを
含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】前記環状アルキレンカーボネートに熱を伝
達し、そこから水及び揮発性物質を選択的に揮発させる
ステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】前記脱水した環状アルキレンカーボネート
を回収し、その後に脱水済みの環状アルキレンカーボネ
ートを蒸発させて、それに含まれるフォトレジスト材料
から環状アルキレンカーボネートを分離するステップを
含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】前記脱水済みの蒸発させた環状アルキレン
カーボネートを分留手段に供給し、脱水済みの蒸発させ
た環状アルキレンカーボネートをさらに、高蒸気圧の環
状アルキレングリコール留分と低蒸気圧の環状アルキレ
ンカーボネート留分に分離するステップを含む、請求項
１に記載の方法。
【請求項９】環状アルキレンカーボネート留分回収後、
残余の底部生成物を蒸発手段から回収し、その底部生成
物を分離手段に送って、そこから環状アルキレンカーボ
ネートを回収するステップを含む、請求項１に記載の方
法。
【請求項１０】前記環状アルキレンカーボネートがプロ
ピレンカーボネートである請求項６、７、８又は９に記
載の方法。
【請求項１１】プロピレンカーボネートで基板から有機
フォトレジスト材料を除去することによってプロピレン
カーボネート排出物が発生される工程において、排出物
ストリームからプロピレンカーボネートを回収する方法
であって、ａ．プロピレンカーボネート排出物を熱交換器に送り、
熱交換器内の圧力をプロピレンカーボネートの開放式引
火点での蒸気圧よりも低く保ち、水と揮発性物質をプロ
ピレンカーボネートから分離して、プロピレンカーボネ
ート中の水の濃度を、プロピレンカーボネートが加水分
解してプロピレングリコールになるのを実質上避けるの
に十分な低いレベルに下げるステップと、ｂ．脱水されたプロピレンカーボネートを回収し、その
後に脱水済みのプロピレンカーボネートを蒸発器中で蒸
発させて、プロピレンカーボネートを高沸点物質及び重
合体固形物から分離し、そこから（i）プロピレンカー
ボネート留分と、（ii）プロピレンカーボネート中のフ
ォトレジスト材料を含む重合体固形物留分とを回収する
ステップと、ｃ．蒸発させた脱水済みプロピレンカーボネートをさら
に分留手段中で約１５トルより低い圧力で高蒸気圧プロ
ピレングリコール留分と、約３５トルより低い圧力で低
蒸気圧プロピレンカーボネート留分に分離するステップ
とを含む方法。
【請求項１２】前記熱交換器内の温度を１６０℃より低
く保つステップを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】前記熱交換器内の圧力を約３５トルより
低く保つステップを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】底部生成物であるプロピレンカーボネー
ト中のフォトレジスト材料をステップｂの蒸発手段から
回収し、底部生成物を分離して、そこからプロピレンカ
ーボネートを回収するステップを含む、請求項１１に記
載の方法。