JPH08194308A - レジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 新規な感放射線性レジスト組成物を提供す
る。 【構成】 樹脂結合剤（ａ）、活性化放射線に露光され
ると酸を生成する放射線感応性成分（ｂ）および特定化
合物（ｃ）を含む放射線感応性組成物であって、特定化
合物（ｃ）が置換基が１以上である置換アリルオキシ基
を含有する化合物であることを特徴とするレジスト組成
物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の微細加工
用レジスト組成物に関し、さらに詳しくは、遠紫外線ク
リプトンフルオライドレーザー光、電子線などの照射に
よるパターン形成材料に関し、またそれにより得られた
レジストパターンの熱的特性を改善する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子を製造する場合、シリコンウ
エハ表面にレジストを塗布して感光膜を作り、光を照射
して潜像を形成し、ついでそれを現像してネガまたはポ
ジの画像を形成するリソグラフィー技術によって画像を
得ている。ところで、ＩＣ、ＬＳＩ、更にＶＬＳＩへと
半導体の高集積化、高密度化、小型化、高速化が進むに
つれ素子の微細加工に対する要求は高まり、現在では
０．５μｍ以下の微細パターンを形成する技術が要求さ
れている。しかしながら、近紫外線や可視光線を用いる
従来のリソグラフィーではこのような微細パターンの形
成がきわめて困難であり、歩留りの低下も著しい。この
ため、波長３５０〜４５０ｎｍの近紫外線光を利用する
従来のフォトリソグラフィーに代えて、露光の解像度を
高めるために、近紫外線より波長の短い遠紫外線（短波
長紫外線）やクリプトンフルオライドレーザー（以下、
ＫｒＦエキシマレーザーという）光などを用いるリソグ
ラフィー技術が研究されている。

【０００３】しかし、短波長紫外線やＫｒＦエキシマレ
ーザー光を使用した場合、従来のオルトキノンジアジド
化合物を使用した系では感光波長範囲が限定されている
ため、解像度向上を目的とした露光波長の単波長化に単
純に適用できないという問題点が生じてきた。そのため
に近年、高感度化、高解像度化を目的に、光または電子
線などの活性化放射線の照射により酸を発生する化合物
と、酸触媒で分解し現像液に対して可溶化する化合物と
を組み合わせたレジストシステムが注目されている。た
とえば、光照射により酸を発生する化合物（光酸発生
剤）と組み合わせる化合物として、アセタール化合物
（特開昭４８−８９００３号）、エノールエーテル化合
物（特開昭５５−１２９９５号）などが開示されてい
る。また酸触媒で分解し現像液に対して可溶化する樹脂
結合剤を用いるレジスト組成物では、主鎖にオルトエス
テル基を有する重合体が樹脂結合剤である組成物（特開
昭５６−１７３４５号）、カルボン酸のｔｅｒｔ−ブチ
ルエステルまたはフェノールのｔｅｒｔ−ブチルカーボ
ネート基を有する重合体が樹脂結合剤である組成物（特
公平２−２７６６０号）なども開示されている。しか
し、これらは感度、保存安定性、経時安定性、解像性、
パターン形状などの点で十分に満足がいくようなもので
はなかった。

【０００４】また、最近の例として、高感度化、熱安定
性化を図るためアルカリ可溶性樹脂に酸または塩基によ
り分解される保護基としてｔ−ブトキシカルボニル基、
ｔ−アミルオキシカボニル基、ｔ−ブチル基、ｔ−ヘキ
シル基、アリル基、２−シクロヘキシル基等を結合させ
た例（特開平４−１５８３６３号）や分子内にｔｅｒｔ
−アミルエステル構造を有する化合物を使用する例（特
開平４−２６９７５４号）などが開示されている。この
ような検討により特性の向上は認められるものの、より
高度化しているレジストの要求特性、特に解像性に対し
ては、更なる改善が求められている。

【０００５】加えて、上記いずれのレジスト組成物を用
いたレジスト膜も、熱安定性に関しては実用レベルには
ほど遠いため、レジストパターンを基板（たとえばシリ
コン基板）に転写する際のエッチング工程において発生
する熱によりレジストの形状劣化が生じ、レジスト形状
を正確に基板に転写することができないという問題があ
った。この問題に関しては、アルカリ可溶性樹脂に酸ま
たは塩基により分解される保護基として、反応に利用可
能な陽子を有する第２カルボニウム・イオン中間体を開
裂の際に形成するような基を用いることにより、熱安定
性（耐熱性）を向上させた組成物が開示されている（特
開平５−１９１３９号）。しかし、例えばｔ−ブチル基
を酸レイビル基の置換基として有するレジストと較べた
場合、上記公報記載のレジスト膜の熱的特性向上は認め
られるもの、レジスト膜として必要な感度に関しては著
しく劣ったものとなり実用的ではない。

【０００６】このように、短波長紫外線やＫｒＦエキシ
マレーザー光を使用してレジストパターンを形成する技
術において、バランス良く優れたレジスト特性を示すレ
ジスト組成物は得られていないのが現状であった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】かかる従来技術のもと
で、発明者らは、前記の問題を解決すべく鋭意研究した
結果、置換アリルオキシ基を有する特定化合物を用いる
と高感度・高解像度のレジスト組成物が得られること、
加えてそのレジスト組成物により形成したレジストパタ
ーンを活性放射線照射処理することによって熱的特性を
大幅に改善できることを見いだし、この知見に基づき本
発明を完成するに到った。

【０００８】

【課題を解決するための手段】かくして本発明によれ
ば、樹脂結合剤（ａ）、活性化放射線に露光されると酸
を生成する放射線感応性成分（ｂ）および特定化合物
（ｃ）を含む放射線感応性組成物であって、特定化合物
（ｃ）が置換基が１以上である置換アリルオキシ基を含
有する化合物であることを特徴とするレジスト組成物が
提供される。

【０００９】以下、本発明について詳述する。樹脂結合剤（ａ） 本発明で用いられる樹脂結合剤（ａ）は、アルカリ現像
液に可溶な樹脂、あるいは酸不安定性基を有し、その分
解によりアルカリ現像液に可溶となり得る樹脂であれば
どのようなものでも使用可能である。たとえば、ノボラ
ック樹脂、部分水素添加ノボラック樹脂、ポリヒドロキ
シスチレン、部分水素添加ポリヒドロキシスチレンなど
が挙げられ、さらにフェノール性水酸基を有する単量体
とスチレン誘導体、（メタ）アクリル酸誘導体などとの
共重合体、フェノール性水酸基を有する単量体を２種類
以上共重合させた樹脂などであっても良い。また、上記
樹脂を酸不安定性基や酸不安定性基を含む基によって修
飾した樹脂（以下、修飾樹脂という）でも良く、解像性
の良好なコントラストの高い特性を得るためには修飾樹
脂のほうが好ましい。酸不安定性基は酸により開裂可能
な基として公知のものが挙げられ、具体的にはｔ−ブチ
ル、ｔ−アミル、１−メチルシクロペンチルあるいは１
−メチルシクロヘキシルなどの３級アルキルのエーテ
ル、エステル、またはカーボネートが挙げられる。その
ほか、置換基を有するアリル基のエーテル、エステルま
たはカーボネートも有用な酸不安定性基となる。

【００１０】上述の樹脂の分子量は、特に制限されるも
のではないが、解像度の点から上限は好ましくは１０
０，０００、より好ましくは３０，０００であり、成膜
性の点から下限は好ましくは１，０００、より好ましく
は２，０００である。本発明で用いられる樹脂は、常法
によって得ることができるものでよい。

【００１１】放射線感応性成分（ｂ） 本発明において用いられる放射線感応性成分（ｂ）は、
活性化放射線に露光されるとブレンステッド酸またはル
イス酸を発生する物質（以下、ＰＡＧという）であれば
特に制限はなく、オニウム塩、ハロゲン化有機化合物、
キノンジアジド化合物、α，α−ビス（スルホニル）ジ
アゾメタン系化合物、α−カルボニル−α−スルホニル
ジアゾメタン系化合物、スルホン化合物、有機酸エステ
ル化合物、有機酸アミド化合物、有機酸イミド化合物な
ど公知のものを用いることができる。オニウム塩として
は、ジアゾニウム塩、アンモニウム塩、トリフェニルヨ
ードニウム トリフレートなどのヨードニウム塩、トリ
フェニルスルホニウムトリフレートなどのスルホニウム
塩、ホスホニウム塩、アルソニウム塩、オキソニウム塩
などが挙げられる。

【００１２】ハロゲン化有機化合物としては、ハロゲン
含有オキサジアゾール系化合物、ハロゲン含有トリアジ
ン系化合物、ハロゲン含有アセトフェノン系化合物、ハ
ロゲン含有ベンゾフェノン系化合物、ハロゲン含有スル
ホキサイド系化合物、ハロゲン含有スルホン系化合物、
ハロゲン含有チアゾール系化合物、ハロゲン含有オキサ
ゾール系化合物、ハロゲン含有トリアゾール化合物、ハ
ロゲン含有２−ピロン系化合物、その他ハロゲン含有ヘ
テロ環状化合物、ハロゲン含有脂肪族炭化水素化合物、
ハロゲン含有芳香族炭化水素化合物、スルフェニルハラ
イド化合物などが挙げられ、具体的には、トリス（２，
３−ジブロモプロピル）ホスフェート、トリス（２，３
−ジブロモ−３−クロロプロピル）ホスフェート、テト
ラブロモクロロブタン、ヘキサクロロベンゼン、ヘキサ
ブロモベンゼン、ヘキサブロモシクロドデカン、ヘキサ
ブロモビフェニル、アリルトリブロモフェニルエーテ
ル、テトラクロロビスフェノールＡ、テトラブロモビス
フェノールＡ、テトラクロロビスフェノールＡのビス
（クロロエチル）エーテル、テトラブロモビスフェノー
ルＡのビス（ブロモエチル）エーテル、ビスフェノール
Ａのビス（２，３−ジクロロプロピル）エーテル、ビス
フェノールＡのビス（２，３−ジブロモプロピル）エー
テル、テトラクロロビスフェノールＡのビス（２，３−
ジクロロプロピル）エーテル、テトラブロモビスフェノ
ールＡのビス（２，３−ジブロモプロピル）エーテル、
テトラクロロビスフェノールＳ、テトラブロモビスフェ
ノールＳ、テトラクロロビスフェノールＳのビス（クロ
ロエチル）エーテル、テトラブロモビスフェノールＳの
ビス（ブロモエチル）エーテル、ビスフェノールＳのビ
ス（２，３−ジクロロプロピル）エーテル、ビスフェノ
ールＳのビス（２，３−ジブロモプロピル）エーテル、
トリス（２，３−ジブロモプロピル）イソシアヌレー
ト、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジブロモ
フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（２−ヒドロ
キシエトキシ）−３，５−ジブロモフェニル）プロパン
などのハロゲン系難燃剤やジクロロジフェニルトリクロ
ロエタン、ペンタクロロフェノール、２，４，６−トリ
クロロフェニル ４−ニトロフェニルエーテル、２，４
−ジクロロフェニル ３’−メトキシ−４’−ニトロフ
ェニルエーテル、２，４−ジクロロフェノキシ酢酸、
４，５，６，７−テトラクロロフタリド、１，１−ビス
（４−クロロフェニル）エタノール、１，１−ビス（４
−クロロフェニル）−２，２，２−トリクロロエタノー
ル、２，４，４’，５−テトラクロロジフェニルスルフ
ィド、２，４，４’，５−テトラクロロジフェニルスル
ホンなどの有機クロロ系農薬などが例示される。

【００１３】キノンジアジド化合物の具体例としては、
１，２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸エステ
ル、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エ
ステル、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン
酸エステル、２，１−ナフトキノンジアジド−４−スル
ホン酸エステル、２，１−ベンゾキノンジアジド−５−
スルホン酸エステルのようなキノンジアジド誘導体のス
ルホン酸エステルや１，２−ベンゾキノン−２−ジアジ
ド−４−スルホン酸クロライド、１，２−ナフトキノン
−２−ジアジド−４−スルホン酸クロライド、１，２−
ナフトキノン−２−ジアジド−５−スルホン酸クロライ
ド、１，２−ナフトキノン−１−ジアジド−６−スルホ
ン酸クロライド、１，２−ベンゾキノン−１−ジアジド
−５−スルホン酸クロライド等のキノンジアジド誘導体
のスルホン酸クロライドなどが挙げられる。

【００１４】α，α−ビス（スルホニル）ジアゾメタン
系化合物としては、未置換、対称的にまたは非対称的に
置換されたアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、
芳香族基、またはヘテロ環状基を有するα，α−ビス
（スルホニル）ジアゾメタンなどが挙げられる。α−カ
ルボニル−α−スルホニルジアゾメタン系化合物の具体
例としては、未置換、対称的にまたは非対称的に置換さ
れたアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、芳香族
基、またはヘテロ環状基を有するα−カルボニル−α−
スルホニルジアゾメタンなどが挙げられる。スルホン化
合物の具体例としては、未置換、対称的にまたは非対称
的に置換されたアルキル基、アルケニル基、アラルキル
基、芳香族基、またはヘテロ環状基を有するスルホン化
合物、ジスルホン化合物などが挙げられる。有機酸エス
テルとしては、カルボン酸エステル、スルホン酸エステ
ル、リン酸エステルなどが挙げられ、有機酸アミドとし
ては、カルボン酸アミド、スルホン酸アミド、リン酸ア
ミドなどが挙げられ、有機酸イミドとしては、カルボン
酸イミド、スルホン酸イミド、リン酸イミドなどが挙げ
られる。

【００１５】これらのＰＡＧは、単独で使用しても２種
類以上を混合して用いてもよい。これらのＰＡＧの配合
量は、本発明で用いる樹脂１００重量部に対して下限は
通常０．０１重量部、好ましくは０．２重量部であり、
上限は通常６０重量部、好ましくは３０重量部である。
０．０１重量部未満ではパターンの形成が不可能とな
り。６０重量部を超えると現像残が発生し易くなった
り、パターン形状が悪化するなどの問題が生じ、いずれ
の場合もレジストの性能上好ましくない。

【００１６】特定化合物（ｃ） 本発明で用いられる特定化合物（ｃ）は置換基が１以上
である置換アリルオキシ基を含有する化合物であり、置
換基が１以上である置換アリルオキシ基は、酸により分
解される酸不安定性基として機能する限り如何なる基で
あってもよく、その具体例としては次式（１）

【化２】 （式中、Ｒ¹〜Ｒ⁵は同一又は互いに異なってもよく、水
素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、置換可ア
ルキル基、置換可アルケニル基、置換可アルカジエニル
基、置換可ビニル基であり、Ｒ¹〜Ｒ⁵のうち少なくとも
一つは水素原子以外の置換基である。Ｒ¹とＲ⁴、Ｒ³と
Ｒ⁵、Ｒ⁴とＲ⁵はそれぞれ独立して環を形成していても
よい。各基とも炭素数はそれぞれ１２以下である。）で
表される基が挙げられる。

【００１７】前記式（１）中のＲ¹〜Ｒ⁵の具体例として
は、水素原子、ニトロ基、シアノ基のほか、塩素原子、
臭素原子などのハロゲン原子；メチル基、エチル基、プ
ロピル基、ブチル基、ペンチル基、シクロペンチル基、
シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、１−メチルシク
ロペンチル基、２−エチルシクロペンチル基、１−エチ
ルシクロヘキシル基、２−メチルシクロヘキシル基など
の置換可アルキル基；ビニル基、１−プロペニル基、ア
リル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、３−ブテニ
ル基、１−ペンテニル基、２−ペンテニル基、３−ペン
テニル基、４−ペンテニル基、ヘキセニル基、２−シク
ロブテニル基、２−シクロペンテニル基、１−メチル−
２−シクロペンテニル基、２−シクロヘキセニル基、３
−メチル−２−シクロヘキセニル基などの置換可アルケ
ニル基；２，４−シクロペンタジエニル基、１−メチル
−２，４−シクロペンタジエニル基、３−メチル−２，
４−シクロペンタジエニル基、３，４−ジメチル−２，
４−シクロペンタジエニル基、２，５−シクロヘキサジ
エニル基、３，５−ジメチル−２，５−シクロヘキサジ
エニル基などの置換可シクロアルカジエニル基；ビニル
基、１−プロペニル基、１−ブテン−１−イル基、１−
ブテン−２−イル基、２−ブテン−２−イル基などの置
換化ビニル基等が挙げられる。尚、前記置換基具体例
中、プロピルはｎ−プロピル、イソプロピルを表し、ブ
チルはｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチ
ルを表し、ペンチルはｎ−ペンチル、１−メチルブチ
ル、２−メチルブチル、３−メチルブチル、１−エチル
プロピル、１，１−ジメチルプロピル、１，２−ジメチ
ルプロピル、２，２−ジメチルプロピルを表す。更に、
Ｒ¹とＲ⁴は結合して、例えばシクロヘキセン、シクロペ
ンテンなどの環を形成していてもよく、同様にＲ³と
Ｒ⁵、Ｒ⁴とＲ⁵も環を形成していてもよい。但し、環化
すると感度の低下が起こる可能性もあり余り好ましくな
い。前記式（１）中のＲ¹〜Ｒ⁵の水素原子以外の置換基
として好ましい例は、ハロゲン原子や炭素数１〜４各置
換基であり、とりわけ炭素数１〜４のアルキル基や炭素
数１〜４のアルケニル基が好ましい。

【００１８】本発明の好ましい置換アリルオキシ基を有
する化合物の具体例としては、次式（２）〜（１８）

【化３】

【化４】

【化５】

【化６】

【化７】

【化８】

【化９】

【化１０】

【化１１】

【化１２】

【化１３】

【化１４】

【化１５】

【化１６】

【化１７】

【化１８】

【化１９】 などの一般式（１９）

【化２０】 （式（１９）中、Ｒ¹〜Ｒ⁵は同一又は互いに異なっても
よく、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、
置換可アルキル基、置換可アルケニル基、置換可アルカ
ジエニル基、置換可ビニル基であり、Ｒ¹〜Ｒ⁵のうち少
なくとも一つは水素原子以外の置換基である。Ｒ¹と
Ｒ⁴、Ｒ³とＲ⁵、Ｒ⁴とＲ⁵はそれぞれ独立して環を形成
していてもよい。Ｒ⁶〜Ｒ⁷は水素原子または置換可アル
キル基である。Ｒ⁸〜Ｒ⁹はハロゲン原子、アルキル基、
シアノ基、ニトロ基である。Ｘは二価の有機基である。
各基とも炭素数はそれぞれ１２以下である。）で表され
る化合物；次式（２０）〜（２１）

【化２１】

【化２２】 などの一般式（２２）

【化２３】 （式（２２）中、Ｒ¹〜Ｒ⁵は同一又は互いに異なっても
よく、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、
置換可アルキル基、置換可アルケニル基、置換可アルカ
ジエニル基、置換可ビニル基であり、Ｒ¹〜Ｒ⁵のうち少
なくとも一つは水素原子以外の置換基である。Ｒ¹と
Ｒ⁴、Ｒ³とＲ⁵、Ｒ⁴とＲ⁵はそれぞれ独立して環を形成
していてもよい。Ｒ⁶〜Ｒ⁸は水素原子またはアルキル基
であり、Ｒ⁹はハロゲン原子、アルキル基、シアノ基、
ニトロ基であり、Ｘは二価の有機基である。各基とも炭
素数はそれぞれ１２以下である。）で表わされる化合
物；次式（２３）〜（２４）

【化２４】

【化２５】 などの一般式（２５）

【化２６】 （式（２５）中、Ｒ¹〜Ｒ⁵は同一又は互いに異なっても
よく、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、
置換可アルキル基、置換可アルケニル基、置換可アルカ
ジエニル基、置換可ビニル基であり、Ｒ¹〜Ｒ⁵のうち少
なくとも一つは水素原子以外の置換基である。Ｒ¹と
Ｒ⁴、Ｒ³とＲ⁵、Ｒ⁴とＲ⁵はそれぞれ独立して環を形成
していてもよい。Ｒ⁶〜Ｒ⁷は水素原子またはアルキル基
であり、Ｒ⁸〜Ｒ⁹はハロゲン原子、アルキル基、シアノ
基、ニトロ基であり、Ｘは単結合または二価の有機基で
ある。各基とも炭素数はそれぞれ１２以下である。）で
表される化合物；次式（２６）〜（２９）

【化２７】

【化２８】

【化２９】

【化３０】 などの一般式（３０）

【化３１】 （式（３０）中、Ｒ¹〜Ｒ⁵は同一又は互いに異なっても
よく、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、
置換可アルキル基、置換可アルケニル基、置換可アルカ
ジエニル基、置換可ビニル基であり、Ｒ¹〜Ｒ⁵のうち少
なくとも一つは水素原子以外の置換基である。Ｒ¹と
Ｒ⁴、Ｒ³とＲ⁵、Ｒ⁴とＲ⁵はそれぞれ独立して環を形成
していてもよい。Ｒ⁶〜Ｒ⁷は水素原子またはアルキル基
であり、Ｒ⁸〜Ｒ⁹はハロゲン原子、アルキル基、シアノ
基、ニトロ基であり、ｎは整数である。各基とも炭素数
はそれぞれ１２以下である。）で表される化合物；次式
（３１）〜（３３）

【化３２】

【化３３】

【化３４】 などの一般式（３４）

【化３５】 （式（３４）中、Ｒ¹〜Ｒ⁵は同一又は互いに異なっても
よく、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、
置換可アルキル基、置換可アルケニル基、置換可アルカ
ジエニル基、置換可ビニル基であり、Ｒ¹〜Ｒ⁵のうち少
なくとも一つは水素原子以外の置換基である。Ｒ¹と
Ｒ⁴、Ｒ³とＲ⁵、Ｒ⁴とＲ⁵はそれぞれ独立して環を形成
していてもよい。Ｒ¹〜Ｒ⁵の炭素数はそれぞれ１２以下
である。Ｒ⁶は２以上の環を有する炭素数１０以上の一
価の有機基である。）で表わされる化合物；次式（３
５）〜（３８）

【化３６】

【化３７】

【化３８】

【化３９】 などの一般式（３９）

【化４０】 （式（３９）中、Ｒ¹〜Ｒ⁵は同一又は互いに異なっても
よく、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、
置換可アルキル基、置換可アルケニル基、置換可アルカ
ジエニル基、置換可ビニル基であり、Ｒ¹〜Ｒ⁵のうち少
なくとも一つは水素原子以外の置換基である。Ｒ¹と
Ｒ⁴、Ｒ³とＲ⁵、Ｒ⁴とＲ⁵はそれぞれ独立して環を形成
していてもよい。Ａは単結合、または二価の有機基であ
る。各基とも炭素数はそれぞれ１２以下である。）で表
される化合物；次式（４０）〜（４５）

【化４１】

【化４２】

【化４３】

【化４４】

【化４５】

【化４６】 などの一般式（４６）

【化４７】 （式（４６）中、Ｒ¹〜Ｒ⁵は同一又は互いに異なっても
よく、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、
置換可アルキル基、置換可アルケニル基、置換可アルカ
ジエニル基、置換可ビニル基であり、Ｒ¹〜Ｒ⁵のうち少
なくとも一つは水素原子以外の置換基である。Ｒ¹と
Ｒ⁴、Ｒ³とＲ⁵、Ｒ⁴とＲ⁵はそれぞれ独立して環を形成
していてもよい。Ｘは二価の有機基である。各基とも炭
素数はそれぞれ１２以下である。）で表わされる化合
物；次式（４７）〜（４８）

【化４８】

【化４９】 などの一般式（４９）

【化５０】 （式（４９）中、Ｒ¹〜Ｒ⁵は同一又は互いに異なっても
よく、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、
置換可アルキル基、置換可アルケニル基、置換可アルカ
ジエニル基、置換可ビニル基であり、Ｒ¹〜Ｒ⁵のうち少
なくとも一つは水素原子以外の置換基である。Ｒ¹と
Ｒ⁴、Ｒ³とＲ⁵、Ｒ⁴とＲ⁵はそれぞれ独立して環を形成
していてもよい。）で表わされるものが例示される。

【００１９】前記一般式（１９）、（２２）、（２
５）、（３０）、（３４）、（３９）において、Ｒ¹〜
Ｒ⁵の置換基の具体例は前記式（１）と同様の基が挙げ
られ、中でも炭素数１〜４のアルキル基が好ましい。一
般式（１９）におけるＲ⁶〜Ｒ⁹、一般式（２２）におけ
るＲ⁶〜Ｒ⁸、及び一般式（２５）〜（３０）におけるＲ
⁶〜Ｒ⁷の置換基としては水素原子のほか炭素数１〜４の
アルキル基が好ましい。一般式（１９）、（２２）、
（２５）、（４６）においてＸで表わされる二価の有機
基の具体例としては、−ＳＯ₂−、−Ｃ（＝Ｏ）−、次
式（５０）

【化５１】 （式（５０）中、ｍは０または１である。） 次式（５１）

【化５２】 （式（５１）中、Ｒ¹¹〜Ｒ¹²は水素原子、アルキル基、
フェニル基またはＲ¹¹とＲ¹²とが一緒になって環を形成
してもよい。各基とも炭素数はそれぞれ１２以下であ
る。）が挙げられ、式（５１）のＲ¹¹およびＲ¹²の好ま
しい例としては水素原子、メチル基、フェニル基および
Ｒ¹¹とＲ¹²とが一緒になってシクロヘキシル環を形成し
たものが挙げられる。一般式（３９）においてＡで表わ
される二価の有機基の具体例としては、前記式（５１）
や次式（５２）

【化５３】 （式（５２）中、Ｒ¹¹〜Ｒ¹²は水素原子または炭素数１
２以下のアルキル基である。）が挙げられる。上記各置
換基としてアルキル基を選択する場合、合成の容易さか
らメチル基が特に好ましい。

【００２０】前記化合物のうち、特に式（１２）、（１
３）、（１４）、（１５）、（１６）、（１７）、（２
０）、（２４）、（３４）、（３７）、（４３）、（４
４）および（４８）は好ましい化合物である。

【００２１】本発明において用いられる置換アリルオキ
シ基を有する化合物は、単独で使用しても２種類以上を
混合して用いても良い。これらの化合物の配合量は、本
発明で用いる樹脂１００重量部に対して下限は通常２重
量部、好ましくは８重量部であり、上限は１００重量
部、好ましくは８０重量部である。２重量部未満ではパ
ターンの形成が不可能となる場合があり、また、１００
重量部を超えると成膜性が悪化するなどの弊害が生じる
ため、いずれも好ましくない。

【００２２】溶剤 本発明に於て、樹脂結合剤、ＰＡＧと置換基が１以上で
ある置換アリルオキシ基を含む特定化合物とからなるレ
ジスト組成物は、溶剤に溶解させて用いる。溶剤は、一
般にレジスト組成物用の溶剤として使用されているもの
を用いることができ、具体例としては、アセトン、メチ
ルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノ
ン、シクロヘプタノンなどのケトン類；ｎ−プロパノー
ル、ｉ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｉ−ブタノー
ル、ｔ−ブタノール、シクロヘキサノールなどのアルコ
ール類；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレ
ングリコールジエチルエーテル、ジオキサンなどのエー
テル類；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレ
ングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコー
ルモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチ
ルエーテルなどのアルコールエーテル類；ギ酸プロピ
ル、ギ酸ブチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオ
ン酸メチル、プロピオン酸エチル、酪酸メチル、酪酸エ
チルなどのエステル類；２−オキシプロピオン酸メチ
ル、２−オキシプロピオン酸エチル、２−メトキシプロ
ピオン酸メチル、２−メトキシプロピオン酸エチルなど
のオキシカルボン酸エステル類；セロソルブアセテー
ト、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブア
セテート、プロピルセロソルブアセテート、ブチルセロ
ソルブアセテートなどのセロソルブエステル類；プロピ
レングリコール、プロピレングリコールモノメチルエー
テルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエー
テルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエー
テルなどのプロピレングリコール類；ジエチレンギリコ
ールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエ
チルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジエチルエーテルなどのジエ
チレングリコール類；トリクロロエチレンなどのハロゲ
ン化炭化水素類；トルエン、キシレンなどの芳香族炭化
水素類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルアセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ−メチ
ルピロリドンなどの極性溶媒などが例示され、これらは
単独または２種類以上を混合して用いてもよい。

【００２３】その他の成分 本発明においては、添加剤としてレジスト組成物に一般
に添加されているもの、例えば界面活性剤、保存安定
剤、増感剤、ストリエーション防止剤など相溶性のある
添加剤を含有させることができる。

【００２４】現像液 本発明のレジスト組成物は現像液としては通常アルカリ
水溶液を用いるが、具体例としては、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニアな
どの無機アルカリの水溶液；エチルアミン、プロピルア
ミンなどの第一アミン類の水溶液；ジエチルアミン、ジ
プロピルアミンなどの第二アミンの水溶液；トリメチル
アミン、トリエチルアミンなどの第三アミンの水溶液；
ジエチルエタノールアミン、トリエタノールアミンなど
のアルコールアミン類の水溶液；テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキ
シド、トリメチルヒドロキシメチルアンモニウムヒドロ
キシド、トリエチルヒドロキシメチルアンモニウムヒド
ロキシド、トリメチルヒドロキシエチルアンモニウムヒ
ドロキシドなどの第四級アンモニウムヒドロキシドの水
溶液などが挙げられる。また、必要に応じて、上記アル
カリ水溶液にメタノール、エタノール、プロパノール、
エチレングリコールなどの水溶性有機溶媒、界面活性
剤、樹脂の溶解抑止剤などを添加することができる。

【００２５】レジスト組成物 本発明のレジスト組成物は、上述のような樹脂、酸発生
剤、特定化合物のほか必要に応じて添加剤を含むもので
あり、通常これらを溶剤に溶解させたものがレジスト組
成物溶液として用いられる。例えば、この溶液をシリコ
ンウエハーなどの基板表面に常法により塗布した後、溶
剤を乾燥除去することによりレジスト膜を形成すること
ができ、このときの塗布法としては、特にスピンコーテ
ィングが賞用される。パターン形成のための露光は、遠
紫外線やＫｒＦエキシマレーザー、電子線をレジスト膜
へ照射することに行われ、更に熱処理（露光後ベーク）
を行うことにより高感度化することができる。

【００２６】本発明のレジスト組成物を用いて得られる
レジストパターンは、更に活性放射線照射することによ
り、パターンの熱的特性を改善させる事ができる。用い
る活性放射線源としては高圧水銀灯、低圧水銀灯、蛍光
灯、白熱灯などが挙げられるが、高圧水銀灯、低圧水銀
灯が好ましい。この時の処理温度は特に限定されるもの
ではないが、６０℃〜１３０℃が好ましい。６０℃未満
では十分なキュア効果を生じせしめることができず、１
３０℃を超えるとキュア以前にパターン形状の劣化が認
められる場合があり、いずれも好ましくない。このよう
にして得られたレジストパターンは、感度・解像度等の
レジスト特性に優れているだけでなく、耐熱性にも優れ
たものであるといえる。

【００２７】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的
に説明する。なお、各例中の部及び％は、特に断りのな
い限り重量基準である。

【００２８】（参考例１）２−ブテニル ブロモアセテ
ートの合成 ２−ブテン−１−オール３６．８ｇ（０．５１ｍｏ
ｌ）、トリエチルアミン５１．６ｇ（０．５１ｍｏ
ｌ）、ジクロロメタン３００ｍｌを１リットルフラスコ
に仕込み０℃に冷却した。これを０℃下で攪拌しなが
ら、ブロモアセチルブロマイド１００．９ｇ（０．５０
ｍｏｌ）を１時間かけて滴下し、さらに室温で３時間攪
拌を続けた。得られた反応液から固形分をろ過し、３回
水洗後、蒸留し、５０．２ｇの２−ブテニル ブロモア
セテートを得た。

【００２９】（参考例２）１−メチル−２−プロペニル
ブロモアセテートの合成 ２−ブテン−１−オールの代わりに３−ブテン−２−オ
ール３６．８ｇ（０．５１ｍｏｌ）を用いる他は、参考
例１と同様の方法により２７．２ｇの１−メチル−２−
プロペニル ブロモアセテートを得た。

【００３０】（参考例３）３−メチル−２−ブテニル
ブロモアセテートの合成 ２−ブテン−１−オールの代わりに３−メチル−２−ブ
テン−１−オール４３．９ｇ（０．５１ｍｏｌ）を用い
る他は、参考例１と同様の方法により６６．５ｇの３−
メチル−２−ブテニル ブロモアセテートを得た。

【００３１】（参考例４）１−メチル−２−ブテニル
ブロモアセテートの合成 ２−ブテン−１−オールの代わりに３−ペンテン−２−
オール４３．９ｇ（０．５１ｍｏｌ）を用いる他は、参
考例１と同様の方法により４８．５ｇの１−メチル−２
−ブテニル ブロモアセテートを得た。

【００３２】（参考例５）１，１−ジメチル−２−プロ
ペニル ブロモアセテートの合成 ２−ブテン−１−オールの代わりに２−メチル−３−ブ
テン−２−オール４３．９ｇ（０．５１ｍｏｌ）を用い
る他は、参考例１と同様の方法により２５．４ｇの１，
１−ジメチル−２−プロペニル ブロモアセテートを得
た。

【００３３】（参考例６）２−シクロヘキセニル ブロ
モアセテートの合成 ２−ブテン−１−オールの代わりに２−シクロヘキセン
−１−オール５０．０ｇ（０．５１ｍｏｌ）を用いる他
は、参考例１と同様の方法により５０．４ｇの２−シク
ロヘキセニル ブロモアセテートを得た。

【００３４】（参考例７）３−メチル−２−ブテニルオ
キシカルボニルメチル化 水素添加ポリヒドロキシスチ
レンの合成 １０％水素添加ポリヒドロキシスチレン１２．０ｇ（Ｍ
ｗ＝４，９００）、ＤＭＦ１００ｍｌを５００ｍｌフラ
スコに仕込み溶解させた。ここに、３−メチル−２−ブ
テニル ブロモアセテート４．１ｇ（０．０２ｍｏ
ｌ）、無水炭酸カリウム６．９ｇ（０．０５ｍｏｌ）、
ヨウ化カリウム８．３ｇ（０．０５ｍｏｌ）を添加し、
窒素気流下５０℃で１０時間攪拌した。その後反応液を
冷却し、塩類をろ過で除いた後、水中に注ぎ析出した沈
澱物を回収した。この沈澱物を０．１％塩酸および水で
３回ずつ洗浄し、乾燥後１３．７ｇの重合体３−メチル
−２−ブテニルオキシカルボニルメチル化 水素添加ポ
リヒドロキシスチレンを得た。得られた重合体はＧＰＣ
分析の結果、Ｍｗ＝５，６４０であった。また、この重
合体の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトル解析の結果、ヒドロキシ
ル基の修飾率は１５％であった。

【００３５】（参考例８）４−ヒドロキシスチレン／ｔ
−ブチル メタクリレート共重合体の合成 ４−ヒドロキシスチレン７２．１ｇ（０．６０ｍｏ
ｌ）、ｔ−ブチル メタクリレート１７．１ｇ（０．１
２ｍｏｌ）、アゾビスイソブチロニトリル１．５ｇ
（０．００９ｍｏｌ）、ジオキサン１５０ｍｌを５００
ｍｌフラスコに仕込み、窒素気流下８０℃で２０時間攪
拌を行った。得られた反応液を５リットルのキシレン中
に投入し、生じた沈澱物をろ過した。得られた沈澱物を
２００ｍｌのジエチルエーテルに溶解させ、３リットル
のｎ−ヘキサンに投入し、生じた沈澱物をろ過した（再
沈操作）。この再沈操作を３回繰り返し、乾燥後２６．
３ｇの４−ヒドロキシスチレン／ｔ−ブチル メタクリ
レート共重合体を得た。得られた重合体はＧＰＣ分析の
結果、Ｍｗ＝６，４１０であった。また、この重合体の
¹Ｈ−ＮＭＲスペクトル解析の結果、４−ヒドロキシス
チレン／ｔ−ブチル メタクリレートの共重合比率は７
１／２９であった。

【００３６】（合成例１）ビスフェノール−Ａ ビス
（３−メチル−２−ブテニル） エーテルの合成 １−ブロモ−３−メチル−２−ブテン１７．９ｇ（０．
１２ｍｏｌ）、ビスフェノール−Ａ １１．４ｇ（０．
０５ｍｏｌ）を３００ｍｌフラスコに仕込み、ＤＭＦ１
００ｍｌに溶解させた後、無水炭酸カリウム１６．６ｇ
（０．１２ｍｏｌ）、よう化カリウム１９．９ｇ（０．
１２ｍｏｌ）を添加し、４０℃で１０時間攪拌を行っ
た。その後反応液を冷却し、塩類のろ過および濃縮を行
った。得られた粗生成物をジクロロメタン１００ｍｌに
溶解させ、５％水酸化カリウム水溶液、飽和食塩水でそ
れぞれ３回ずつ洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶
媒溜去を行い、１４．７ｇのビスフェノール−Ａ ビス
（３−メチル−２−ブテニル） エーテル（前記式（４
２））を得た。

【００３７】（合成例２）Ｏ，Ｏ’−ビス（３−メチル
−２−ブテニル）化 ビス（４−ヒドロキシフェニル）
スルホンの合成 ビスフェノール−Ａの代わりにビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）スルホン１２．５ｇ（０．０５ｍｏｌ）を使用
する以外は合成例１と同様の方法により、１５．８ｇの
Ｏ，Ｏ’−ビス（３−メチル−２−ブテニル）化 ビス
（４−ヒドロキシフェニル）スルホン（前記式（４
３））を得た。

【００３８】（合成例３）ハイドロキノン ビス（３−
メチル−２−ブテニル） エーテルの合成 ビスフェノール−Ａの代わりにハイドロキノン５．５ｇ
（０．０５ｍｏｌ）を用いるほかは、合成例１と同様の
方法により１０．０ｇのハイドロキノン ビス（３−メ
チル−２−ブテニル） エーテル（前記式（４７））を
得た。

【００３９】（合成例４）Ｏ，Ｏ’−ビス（２−ブテニ
ルオキシカルボニルメチル）ビスフェノールＡの合成 参考例１で得られたブロモエステル１７．４ｇ（０．０
９ｍｏｌ）、ビスフェノール−Ａ１１．４ｇ（０．０５
ｍｏｌ）をＤＭＦ１００ｍｌに溶解させ、さらに無水炭
酸カリウム１６．６ｇ（０．１２ｍｏｌ）、ヨウ化カリ
ウム１９．９ｇ（０．１２ｍｏｌ）を添加し、５０℃で
１０時間攪拌した。その後、反応液を冷却し、塩類のろ
過を行い、濃縮を行った。得られた粗精製物をジクロロ
メタン５０ｍｌに溶解し、５％炭酸カリウム水溶液、飽
和食塩水でそれぞれ３回ずつ洗浄し、硫酸マグネシウム
で乾燥後、溶媒溜去を行い、１８．１ｇのＯ，Ｏ’−ビ
ス（２−ブテニルオキシカルボニルメチル）ビスフェノ
ールＡ（前記式（１３））を得た。

【００４０】（合成例５）Ｏ，Ｏ’−ビス（１−メチル
−２−プロペニルオキシカルボニルメチル）ビスフェノ
ールＡの合成 参考例１で得られたブロモエステルの代わりに参考例２
で得られたブロモエステルを１７．４ｇ（０．０９ｍｏ
ｌ）使用する他は、合成例３と同様の方法により１８．
３ｇのＯ，Ｏ’−ビス（１−メチル−２−プロペニルオ
キシカルボニルメチル）ビスフェノール−Ａ（前記式
（１４））を得た。

【００４１】（合成例６）Ｏ，Ｏ’−ビス（３−メチル
−２−ブテニルオキシカルボニルメチル）ビスフェノー
ルＡの合成 参考例１で得られたブロモエステルの代わりに参考例３
で得られたブロモエステルを１８．６ｇ（０．０９ｍｏ
ｌ）使用する他は、合成例３と同様の方法により１９．
０ｇのＯ，Ｏ’−ビス（３−メチル−２−ブテニルオキ
シカルボニルメチル）ビスフェノールＡ（前記式（１
２））を得た。

【００４２】（合成例７）Ｏ，Ｏ’−ビス（１−メチル
−２−ブテニルオキシカルボニルメチル）ビスフェノー
ル−Ａの合成 参考例１で得られたブロモエステルの代わりに参考例４
で得られたブロモエステルを１８．６ｇ（０．０９ｍｏ
ｌ）使用する他は、合成例３と同様の方法により１８．
９ｇのＯ，Ｏ’−ビス（１−メチル−２−ブテニルオキ
シカルボニルメチル）ビスフェノール−Ａ（前記式（１
６））を得た。

【００４３】（合成例８）Ｏ，Ｏ’−ビス（１，１−ジ
メチル−２−プロペニルオキシカルボニルメチル）ビス
フェノール−Ａの合成 参考例１で得られたブロモエステルの代わりに参考例５
で得られたブロモエステルを１８．６ｇ（０．０９ｍｏ
ｌ）使用する他は、合成例３と同様の方法により１８．
６ｇのＯ，Ｏ’−ビス（１，１−ジメチル−２−プロペ
ニルオキシカルボニルメチル）ビスフェノール−Ａ（前
記式（１７））を得た。

【００４４】（合成例９）Ｏ，Ｏ’−ビス（２−シクロ
ヘキセニルオキシカルボニルメチル）ビスフェノール−
Ａの合成 参考例１で得られたブロモエステルの代わりに参考例６
で得られたブロモエステルを１９．７ｇ（０．０９ｍｏ
ｌ）使用する他は、合成例３と同様の方法により１９．
７ｇのＯ，Ｏ’−ビス（２−シクロヘキセニルオキシカ
ルボニルメチル）ビスフェノール−Ａ（前記式（１
５））を得た。

【００４５】（合成例１０）トリス（４−（３−メチル
−２−ブテニルオキシカルボニルメチルオキシ）フェニ
ル）メタンの合成 ビスフェノール−Ａの代わりにトリス（４−ヒドロキシ
フェニル）メタンを９．７ｇ（０．０３３ｍｏｌ）使用
する他は、合成例５と同様の方法により１４．７ｇのト
リス（４−（３−メチル−２−ブテニルオキシカルボニ
ルメチルオキシ）フェニル）メタン（前記式（２０））
を得た。

【００４６】（合成例１１）１，１，２，２−テトラキ
ス（４−（３−メチル−２−ブテニルオキシカルボニル
メチルオキシ）フェニル）エタンの合成 ビスフェノール−Ａの代わりに１，１，２，２−テトラ
キス（４−ヒドロキシフェニル）エタンを１０．０ｇ
（０．０２５ｍｏｌ）使用する他は、合成例５と同様の
方法により１４．９ｇの１，１，２，２−テトラキス
（４−（３−メチル−２−ブテニルオキシカルボニルメ
チルオキシ）フェニル）エタン（前記式（２４））を得
た。

【００４７】（合成例１２）Ｏ，Ｏ’，Ｏ’’−トリス
（３−メチル−２−ブテニルオキシカルボニルメチル）
化 ２，６−ビス（２−ヒドロキシ−５−メチルベンジ
ル）ｐ−クレゾールの合成 ビスフェノール−Ａの代わりに２，６−ビス（２−ヒド
ロキシ−５−メチルベンジル）ｐ−クレゾールを１１．
５ｇ（０．０３３ｍｏｌ）使用する他は、合成例５と同
様の方法により２１．９ｇのＯ，Ｏ’，Ｏ’’−トリス
（３−メチル−２−ブテニルオキシカルボニルメチル）
化 ２，６−ビス（２−ヒドロキシ−５−メチルベンジ
ル）ｐ−クレゾール（前記式（２７））を得た。

【００４８】（合成例１３）３−メチル−２−ブテニル
１−アダマンタンカルボキシレートの合成 ３−メチル−２−ブテン−１−オール２．６ｇ（０．０
３ｍｏｌ）、トリエチルアミン３．１ｇ（０．０２５ｍ
ｏｌ）、ＴＨＦ２０ｍｌをフラスコに仕込み溶解させ
る。これを攪拌しながら１−アダマンタンカルボニル
クロライド５．０ｇ（０．０２５ｍｏｌ）をＴＨＦ４０
ｍｌに溶解したものを１時間かけて滴下し、、さらに５
時間攪拌を続けた。反応液から塩類をろ過により除去し
た後濃縮を行った。次に、得られた粗精製物を７０ｍｌ
の酢酸エチルに溶解させ、５％炭酸水素ナトリウム水溶
液および飽和食塩水でそれぞれ３回ずつ洗浄を行い、硫
酸マグネシウムで乾燥後溶媒溜去を行い４．９ｇの３−
メチル−２−ブテニル １−アダマンタンカルボキシレ
ート（前記式（３３））を得た。

【００４９】（合成例１４）Ｏ，Ｏ’−ビス（３−メチ
ル−２−ブテニルオキシカルボニルメチル）ハイドロキ
ノンの合成 ビスフェノールＡの代わりにハイドロキノン ５．５ｇ
（０．０５ｍｏｌ）を使用する以外は合成例５と同様の
方法により１５．９ｇのＯ，Ｏ’−ビス（３−メチル−
２−ブテニルオキシカルボニルメチル）ハイドロキノン
（前記式（３７））を得た。

【００５０】（実施例１〜１４）参考例７の方法で得ら
れた１５％ ３−メチル−２−ブテニルオキシカルボニ
ルメチル化水素添加ポリヒドロキシスチレン（Ｍｗ＝
５，６４０）１００部、合成例１〜１４で得られた特定
化合物各４０部、光酸発生剤としてトリフェニルスルホ
ニウム トリフレート５部、フッ素系界面活性剤活性剤
０．０１部を乳酸エチル４６０部に溶解させ、０．１μ
ｍのポリテトラフルオロエチレン製フィルター（ミリポ
ア社製）で濾過してレジスト溶液を調製した。これらの
レジスト溶液をシリコンウエハー上にスピンコートした
後、９０℃で９０秒間のベークを行うことにより膜厚
１．０μｍのレジスト膜を形成した。これらのウエハー
をエキシマステッパー（ＮＡ＝０．４５）とテスト用レ
クチルを用いて露光を行った。ついで、合成例４、５の
特定化合物を含むレジスト溶液を塗布したウエハについ
ては１１０℃で６０秒間のベークを行い、合成例１〜
３、６〜１４の特定化合物を含むレジスト溶液を塗布し
たウエハについては９０℃で６０秒間のベークを行っ
た。その後、各ウエハについてテトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシド水溶液で浸漬現象を行い、ポジ型パター
ンを得た。得られたレジスト膜の感度と解像度は表１に
示す通りであった。

【００５１】

【表１】

【００５２】（実施例１５）参考例８で得られた４−ヒ
ドロキシスチレン／ｔ−ブチルメタクリレートの共重合
体（共重合比率７１：２９、Ｍｗ＝６，４１０）を１０
０部、合成例６で得られた特定化合物４０部、光酸発生
剤としてトリフェニルスルホニウム トリフレート５
部、フッ素系界面活性剤活性剤０．０１部を乳酸エチル
４６０部に溶解させ、０．１μｍのポリテトラフルオロ
エチレン製フィルター（ミリポア社製）で濾過してレジ
スト溶液を調製した。このレジスト溶液をシリコンウエ
ハー上にスピンコートした後、９０℃で９０秒間のベー
クを行うことにより膜厚１．０μｍのレジスト膜を形成
した。このウエハーをエキシマステッパー（ＮＡ＝０．
４５）とテスト用レクチルを用いて露光を行った。つい
で、９０℃で６０秒間のベークを行い、その後、テトラ
メチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で浸漬現象を行
い、ポジ型パターンを得た。

【００５３】（実施例１６）ノボラック樹脂（ｍ−クレ
ゾール／ｐ−クレゾール＝５／５，Ｍｗ＝４，８５０）
を１００部、合成例６で得られた特定化合物５０部、光
酸発生剤としてトリフェニルスルホニウム トリフレー
ト５部、フッ素系界面活性剤活性剤０．０１部を乳酸エ
チル４６０部に溶解させ、０．１μｍのポリテトラフル
オロエチレン製フィルター（ミリポア社製）で濾過して
レジスト溶液を調製した。このレジスト溶液をシリコン
ウエハー上にスピンコートした後、１０５℃で９０秒間
のベークを行うことにより膜厚１．０μｍのレジスト膜
を形成した。このウエハーを電子線描画装置（加速電
圧：３０ｋｅＶ）を用いて電子線描画を行った。つい
で、９０℃で６０秒間のベークを行い、その後、テトラ
メチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で浸漬現象を行
い、ポジ型パターンを得た。実施例１５および１６で得
られたレジスト膜の感度と解像度は表２に示す通りであ
った。

【００５４】

【表２】

【００５５】（実施例１７）実施例１５で用いたレジス
ト組成物を使用し、実施例１５と同様の方法で５μmラ
イン＆スペースのレジストパターンを得た。そのレジス
トパターンについてＵＶキュア処理（９０℃／高圧水銀
灯照射１．５分）を行い、未処理のレジストパターンと
の耐熱性試験を行った。その結果、未処理のパターンで
は１１０℃以上で形状の劣化が認められたが、処理した
ものは１６０℃でも形状劣化が認められなかった。結果
を表３に示す。

【００５６】

【表３】

【００５７】以上のように、本発明の組成物はレジスト
として非常に優れた特性が得られることが判った。

【００５８】

【発明の効果】かくして本発明によれば、感度、解像度
などレジスト諸特性に優れたレジスト組成物が得られ、
加えて当該レジストを用いて得られるパターンは活性放
射線照射により耐熱性の向上を計る事ができるため、精
度良く微細加工された半導体素子を得ることができる。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 樹脂結合剤（ａ）、活性化放射線に露光
   されると酸を生成する放射線感応性成分（ｂ）および特
   定化合物（ｃ）を含む放射線感応性組成物であって、特
   定化合物（ｃ）が置換基が１以上である置換アリルオキ
   シ基を含有する化合物であることを特徴とするレジスト
   組成物。
2. 【請求項２】 特定子化合物（ｃ）の置換アリルオキシ
   基が次式（１） 【化１】 （式中、Ｒ¹〜Ｒ⁵は同一又は互いに異なってもよく、水
   素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、置換可ア
   ルキル基、置換可アルケニル基、置換可アルカジエニル
   基、置換可ビニル基であり、Ｒ¹〜Ｒ⁵のうち少なくとも
   一つは水素原子以外の置換基である。Ｒ¹とＲ⁴、Ｒ³と
   Ｒ⁵、Ｒ⁴とＲ⁵はそれぞれ独立して環を形成していても
   よい。各基とも炭素数はそれぞれ１２以下である。）で
   表される基であることを特徴とする請求項１記載のレジ
   スト組成物。