JPH0819754A - 接触素子の膠着を減少する方法 - Google Patents

接触素子の膠着を減少する方法

Info

Publication number
JPH0819754A
JPH0819754A JP7061130A JP6113095A JPH0819754A JP H0819754 A JPH0819754 A JP H0819754A JP 7061130 A JP7061130 A JP 7061130A JP 6113095 A JP6113095 A JP 6113095A JP H0819754 A JPH0819754 A JP H0819754A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
layer
polymer
protective layer
deposition layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7061130A
Other languages
English (en)
Inventor
Douglas A Webb
エイ．ウェッブ ダグラス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Texas Instruments Inc
Original Assignee
Texas Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Texas Instruments Inc filed Critical Texas Instruments Inc
Publication of JPH0819754A publication Critical patent/JPH0819754A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0002—Arrangements for avoiding sticking of the flexible or moving parts
    • B81B3/0005—Anti-stiction coatings
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D5/00—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures
    • B05D5/08—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures to obtain an anti-friction or anti-adhesive surface
    • B05D5/083—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures to obtain an anti-friction or anti-adhesive surface involving the use of fluoropolymers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
    • G02B26/0841—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting element being moved or deformed by electrostatic means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/11—Treatments for avoiding stiction of elastic or moving parts of MEMS
    • B81C2201/112—Depositing an anti-stiction or passivation coating, e.g. on the elastic or moving parts

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 微小機械装置の接触素子の間の膠着を減少す
る。 【構成】 微小機械装置の接触素子の間の膠着を減少す
る方法を説明した。更に、装置の素子が膠着する惧れが
少なくした微小機械装置を説明した。微小機械装置（１
０）に於ける膠着を減少する方法は、第１の接触素子
（１４）の上に保護層（２６）を形成して、第１の接触
素子（１４）が別の接触素子（２０）に膠着する惧れを
減少する。保護層（２６）はテフロン−ＡＦの様なフル
オロ重合体で形成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は全般的に微小機械装
置、更に具体的に云えば、微小機械装置の選ばれた面に
重合体被覆を適用する方法、及び重合体被覆を有する微
小機械装置に関する。
【０００２】
【従来の技術及び課題】マイクロモータ、マイクロギ
ア、及び変形可能なミラー装置の様な微小機械装置は、
絶えずか間欠的にか、互いに接触する可動面を持つ場合
が多い。例えば、微小機械としての変形可能なミラー装
置（ＤＭＤ）は典形的にはアドレス電極、着地電極、１
つ又は更に多くの支持柱及び撓み可能なはり（deflecta
ble beam）を持っている。ＤＭＤは主に光学装置に用い
られ、撓み可能なはりが鏡面を持つ。然し、ＤＭＤは加
速度計の様な他の用途に使うことができ、撓み可能なは
りは鏡面を持つ必要がない。
【０００３】ＤＭＤの場合、撓み可能なはりとアドレス
電極の間に電圧を印加し、アドレス電極と撓み可能なは
りの間に静電引力を生じさせる。この引力により、撓み
可能なはりが、着地電極に接触するまで、アドレス電極
に向って撓む。電荷が取去られた時、撓み可能なはりが
撓みのない位置に復帰する。
【０００４】微小機械装置で素子の間に接触が起こる
と、膠着が起こることがある。例えば、ＤＭＤでは、撓
み可能なはりが着地電極と接触した後、撓んだ位置に膠
着することがある。膠着の持続時間に応じて、この為に
装置の誤動作が起こり得る。撓み可能なはりと着地電極
の間の頻繁な接触が、着地電極の表面を疲労させる傾向
があって、この為装置の寿命が短くなる。
【０００５】
【課題を解決する為の手段及び作用】この発明の一面
は、微小機械装置の接触素子の膠着を減少する方法であ
る。膠着の惧れを減らす為、重合体（polymeric ）被覆
を用いて第１の接触素子の上に保護層を形成して、被覆
素子を形成する。保護層は、被覆素子が別の接触素子と
膠着する惧れを減少する。この保護層は、微小機械装置
の製造中に形成される。例えば、ＤＭＤでは、着地電極
に重合体被覆を適用して、撓み可能なはりが撓んだ時、
撓み可能なはりが着地電極に膠着するのを防止すること
ができる。
【０００６】保護層は標準的な集積回路デポジッション
技術を用いて形成することができる。保護層で被覆しよ
うとする層はデポジットするか形成する。その後、この
面のエッチングの前又は後に、重合体をデポジットする
ことができる。
【０００７】この発明は多数の重要な技術的な利点を有
する。重合体被覆が、軍用で普通要求される温度範囲で
の温度安定性を保つ。標準的な半導体製造技術を用いて
重合体被覆を適用することができ、こうして被覆を形成
する場所を容易に制御することができる。標準的な製造
技術を使うことにより、重合体被覆の厚さも制御でき
る。被覆が着地電極の上に耐久力のある層を作り、こう
して装置の寿命を長くする。
【０００８】この発明並びにこの利点が更によく理解さ
れる様に、次に図面について説明する。
【０００９】
【実施例】この発明の好ましい実施例並びにその利点
は、図１−３を参照すれば最もよく理解されよう。図面
全体に亘り、同様な部分には同じ参照数字を用いてい
る。
【００１０】図１は全体を１０で示した微小機械装置を
示しており、これは変形可能なミラー装置（ＤＭＤ）の
名前で知られている。ＤＭＤ １０は半導体基板１２、
１つ又は更に多くの着地電極１４、１つ又は更に多くの
アドレス電極１６、１つ又は更に多くの支持柱１８、撓
み可能なはり２０及び保護層２６で構成されている。半
導体基板１２が、当業者に知られた方法を用いて形成さ
れた、ＤＭＤ １０に対するアドレス及び制御回路を持
っている。１つ又は更に多くの着地電極１４及び１つ又
は更に多くのアドレス電極１６が半導体基板１２に結合
される。１つ又は更に多くの支持柱１８が撓み可能なは
り２０を支持していて、撓み可能なはり２０を着地電極
１４及びアドレス電極１６の上に懸架する。着地電極１
４の表面は保護層２６によって保護されている。
【００１１】図１では、ＤＭＤ １０が撓んだ位置にあ
る場合が示されている。動作について説明すると、撓み
可能なはり２０と１つのアドレス電極１６の間に電圧が
印加される。この電圧により、通常、撓み可能なはり２
０がそのアドレス電極１６に向って撓み、すぐ近くの着
地電極１４と接触する。電圧を取去ると、撓み可能なは
りが撓んでいない位置に復帰する。
【００１２】この発明は接触素子を持つ微小機械装置に
於ける膠着の惧れを減少する。具体的に云うと、この発
明は、微小機械装置の第１の接触素子が、それらの面が
互いに接触する時に、装置の別の接触素子に膠着する惧
れを減少する。膠着を防ぐ為、この発明の一面として、
装置の一方の面の上に重合体被覆を形成して、膠着を防
ぐ。例えば、図１に示す様に、ＤＭＤ １０の着地電極
１４が保護層２６を形成する重合体被覆を有する。保護
層２６は、撓み可能なはり２０が着地電極１４に膠着す
ることを防止する。この発明はＤＭＤ １０に於ける膠
着を防止する為に利用することができるが、集積回路製
造技術を用いて製造される任意の微小機械装置に於ける
膠着を防止する為にも用いることができる。
【００１３】フルオロ重合体系が、この目的の為に使う
ことができる重合体系の一例である。受入れ得るフロオ
ロ重合体の一例は、ペルフルオロ（２−２ジメチル−
１，３−ジオキソール）及びテトラフルオロエチレンの
共重合体である。この重合体はデュポン社から入手可能
であり、テフロン−ＡＦの名前で知られている。
【００１４】図２ａ−２ｄ及び３ａ−３ｃは、微小機械
装置の面に重合体被覆を適用する異なる２つの方法を例
示している。図２ａ−２ｄ及び３ａ−３ｃは、この様な
保護被覆を用いてＤＭＤ １０をどの様に作るかをも示
している。この為、これらの図はこの発明の特定の実施
例を示している。
【００１５】図２ａ−２ｄは、微小機械装置の表面に重
合体被覆を形成する１つの方法を示す。ＤＭＤ １０を
製造する時の最初の工程は、半導体基板１２の上にアド
レス及び制御回路を形成することである。次に、半導体
基板１２の上にアドレス電極１６及び着地電極１４を形
成する。図２ａは、着地電極１４及びアドレス電極１６
が既に形成されている半導体基板１２を示す。半導体基
板１２はアドレス及び制御回路（図面に示していない）
をも含む。図２ａに示す構造を形成する方法は公知であ
る。こう云う構造は、例えば、出願人に譲渡された発明
の名称「空間光変調器」という米国特許第４，９５６，
６１９号の考えを利用して製造することができる。
【００１６】次に着地電極１４の上に重合体被覆を形成
する。重合体被覆を形成する為、重合体デポジッション
層２２及びマスク層２４を形成しなければならない。図
２ｂは、半導体基板１２、着地電極１４及びアドレス電
極１６の上に形成された重合体デポジッション層２２を
示す。重合体デポジッション層２２の上でマスク層２４
がパターンぎめされてエッチングされる。この代わり
に、装置の構造によってそう云う順序が許されれば、重
合体デポジッション層２２の上に他のデポジッション層
を形成し、重合体デポジッション層２２をこう云う他の
デポジッション層と共にエッチングしてもよい。
【００１７】重合体デポジッション層２２を形成するの
に数多くの異なる種類の重合体を使うことができるが、
受入れ得る重合体は、フルオロカーボン重合体の名前で
知られる重合体系を含む。この系はフルオロ重合体の名
前でも知られている。こう云う重合体は、その湿潤特性
によって示される様に、表面エネルギが小さい傾向があ
る。現存の半導体製造技術と共にフルオロ重合体を使う
為、重合体は普通は液体溶液の状態で適用される。こう
云う重合体は重合体の形又はモノマーの形の何れかで適
用することができる。
【００１８】受入れ得るモノマーとしては、フルオロア
ルキル−アクリレート及びフルオロアルキル−メタクリ
レートがある。使うことのできる１つのモノマー溶液は
１Ｈ，１Ｈペルフルオロオクチル−メタクリレートの溶
液である。フルオロ重合体を形成する為に使われるこの
他のモノマーも使うことができる。
【００１９】モノマー溶液を用いて重合体デポジッショ
ン層２２を形成する為、所望の硬化前の厚さを達成する
為に、毎分数百乃至数千回転で回転するウェーハを用い
て溶液を適用する。モノマー溶液から重合体被覆を形成
するには、モノマーを交差結合させて重合体を形成す
る。交差結合を助ける為、モノマー溶液に紫外線増感剤
（ultraviolet sensitizer）を添加することができる。
モノマー溶液を回転付着した後、紫外線又は熱に対する
露出を利用して、モノマーの交差結合を行なわせること
ができる。その後、適当な硬化サイクルを使って、溶媒
を蒸発させ、重合体を接着させる。
【００２０】溶液状態にあるフルオロ重合体は余り普通
ではない。然し、デュポン社から入手し得る製品は、テ
フロン−ＡＦの名前で知られている溶液状態のフルオロ
重合体を含む。このテフロン−ＡＦの名前は、テフロン
−非晶質フルオロ重合体の略である。この溶液はペルフ
ルオロ（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソール）及
びテトラフルオロエチレンの共重合体で構成される。
【００２１】重合体溶液を用いて重合体デポジッション
層２２を形成するには、所望の硬化前の厚さを達成する
様に、毎分数百乃至数千回転で、ウェーハ上に溶液を回
転付着させる。重合体溶液を回転付着させた後、従来公
知の適当な硬化サイクルを使って、溶媒を蒸発させて重
合体を接着させる。テフロン−ＡＦを硬化させる加熱サ
イクルの一例は、回転付着させた溶液と共にウェーハを
５０℃で１０分間加熱し、その後溶媒の沸点より１０℃
高い温度で１０分間加熱し、その後２４５℃で５分間、
更に３３０℃で１５分間加熱する。テフロン−ＡＦを使
うことにより、モノマー溶液を使う時に必要な交差結合
処理工程が省略される。
【００２２】重合体デポジッション層２２を形成した
後、公知の技術を用いてマスク層２４を形成する。マス
ク層２４は、重合体デポジッション層２２に対するパタ
ーンとして作用する。マスク層２４はフォトレジスト層
で構成される。マスク層２４が重合体デポジッション層
２２に適正に接着する様に保証する為、表面張力の小さ
いフォトレジストを使うのが普通である。マスク層２４
を使って重合体デポジッション層２２がパターンぎめさ
れた後、重合体デポジッション層２２をエッチングする
ことができる。
【００２３】図２ｃは、重合体デポジッション層２２及
びマスク層２４がエッチングされた後に残る保護層２６
を示す。図２ｂに示す構造をエッチングして、図２ｃに
示す構造を形成する為、最初に平行極板無線周波アッシ
ュ過程を適用して、重合体デポジッション層２２の露出
部分を除去する。この工程の後、重合体デポジッション
層２２の内、残っているのは、マスク層２４によって覆
われていた為に露出されなかった部分だけである。その
後、遠隔プラズマ・アッシャを用いてマスク層２４を除
去することができる。こう云う２つのエッチング工程を
実施することにより、図２ｃに示す構造が得られ、保護
層２６が１つ又は更に多くの所望の領域だけに形成され
る。
【００２４】図２ｄは、この発明に従って作られ、保護
層２６を持つＤＭＤ １０を示す。支持柱１８及び撓み
可能なはり２０は公知の技術を用いて作られている。支
持柱１８をエッチングする時、普通は、１０：１乃至１
００：１又はそれ以上の支持柱と保護層の間の高いエッ
チング選択性を用いるべきである。保護層２６を持つ数
多くの異なる形式のＤＭＤ １０を作ることができる。
例えば、何れも出願人に譲渡された発明の名称「空間光
変調器」と云う米国特許第４，９５６，６１９号、発明
の名称「多重レベルの撓み可能なミラー装置」と云う同
第５，０８３，８５７号、発明の名称「ＤＭＤを制御回
路基板と集積する構造と方法」と云う同第５，０１８，
２５６号、及び発明の名称「空間光変調器及び方法」と
云う同第５，０６１，０４９号に記載されたＤＭＤは、
何れもこの発明の考えに従って構成することができる。
【００２５】この為、図２に示す微小機械装置は多くの
利点を有する。保護層２６が撓み可能なはり２０が着地
電極１４に膠着する惧れを減少する。更に、保護層２６
は着地電極１４の実質的な疲労を防止し、こうして装置
の寿命を長くする。保護層２６が、軍用に通常要求され
る温度より高い温度で熱的に安定である。例えば、テフ
ロン−ＡＦは少なくとも１５０℃より高い温度で熱的に
安定である。ここに説明した方法は、標準的な半導体処
理技術を用いて保護層２６を適用することができる様に
し、こうして保護層２６の配置並びに厚さを容易に制御
することができる様にする。
【００２６】図２ａ−２ｄは、微小機械装置の表面に重
合体被覆を形成する１つの方法を例示している。別の方
法が図３ａ−３ｃに示されている。
【００２７】図３ａは、半導体基板１２、電極デポジッ
ション層２８、重合体デポジッション層２２及びマスク
層２４を示す。アドレス及び制御回路（図に示していな
い）が前もって半導体基板１２の上に形成されている。
次に、電極デポジッション層２８が半導体基板１２の上
に形成されている。通常、電極デポジッション層２８は
金属層であるが、他の何等かの材料で形成することも考
えられる。公知の技術を用いて電極デポジッション層２
８を形成した後、前に述べた方法を用いて、重合体デポ
ジッション層２２を形成する。この場合も、重合体デポ
ジッション層２２にフルオロ重合体を使うのが普通であ
る。例えば、テフロン−ＡＦを使うことができる。
【００２８】電極デポジッション層２８及び重合体デポ
ジッション層２２を形成した後、電極デポジッション層
２８及び重合体デポジッション層２２に対するパターン
として作用するマスク層２４を形成する。マスク層２４
は公知の技術を用いて形成される。前と同じく、マスク
層２４が重合体デポジッション層２２に正しく接着する
様に保証する為に、表面張力の小さいフォトレジスト溶
液を使ってマスク層２４を形成することができる。これ
らの全ての層が形成された後、この後この構造をエッチ
ングすることができる。この代わりに、装置の構造がそ
う云う処理順序を許すものであれば、マスク層２４を形
成する前に、重合体デポジッション層２２の上に他のデ
ポジッション層を形成してもよい。
【００２９】図３ｂはエッチング後の図３ａの構造を示
す。最初に重合体デポジッション層２２及び電極デポジ
ッション層２８をエッチングして、これらの層の内、マ
スク層２４によって露出から保護されていない部分を全
て除去する。次に、マスク層２４をエッチングして、図
３ｂに示す構造を残すことができる。
【００３０】エッチングは、上に述べた様な業界で使わ
れている技術を用いて実施することができる。図３ｂに
示す様に、この結果得られた構造は、着地電極１４及び
アドレス電極１６の上に保護層２６を有する。この場合
も、図３に示す方法を使って、上に引用した米国特許に
記載される様なＤＭＤを構成することができる。この方
法は、他のどの形式の微小機械装置にも使うことができ
る。
【００３１】最後に、図３ｃに示す様に、支持柱１８及
び撓み可能なはり２０を形成する。図３ｃに示すＤＭＤ
１０は、着地電極１４及びアドレス電極１６の両方の
上に保護層２６を有する。フルオロ重合体は通常は誘電
率が小さいので、保護層２６は普通は薄手である。撓み
可能なはり２０が、アドレス電極１６と撓み可能なはり
２０の間に電位差を印加することによって発生された電
界によって撓むから、厚手の保護層２６であると、撓み
を起こさせるのに必要な電圧がかなり増加する。この
為、保護層２６が、アドレス電極１６を使って撓み可能
なはり２０を容易に撓ませることができる様に薄く作る
べきである。
【００３２】この発明並びにその利点を詳しく説明した
が、特許請求の範囲によって定められたこの発明の範囲
を逸脱せずに、種々の変更を加えることができることを
承知されたい。
【００３３】更に以下の事項を開示する。 （１） 微小機械装置の接触素子の膠着を減少する方法
に於て、重合体被覆を用いて第１の接触素子の上に保護
層を形成して被覆素子を形成し、こうして該被覆素子が
別の接触素子に膠着する惧れを減少し、前記保護層を形
成する工程は、前記微小機械装置の製造中に行なわれる
方法。
【００３４】（２） （１）記載の方法に於て、保護層
を形成する工程が、前記第１の接触素子の上に保護層を
形成する前に、前記第１の接触素子を形成する工程を含
む方法。
【００３５】（３） （２）記載の方法に於て、保護層
を形成する工程が、フルオロ重合体を回転付着し、該フ
ルオロ重合体を硬化させて重合体デポジッション層を形
成する工程を含む方法。
【００３６】（４） （２）記載の方法に於て、保護層
を形成する工程が、フルオロ重合体を回転付着し、該フ
ルオロ重合体を硬化させて重合体デポジッション層を形
成し、該重合体デポジッション層をパターンぎめすると
共にエッチングして、１つ又は更に多くの所望の領域だ
けに前記保護層を形成する工程を含む方法。
【００３７】（５） （２）記載の方法に於て、保護層
を形成する工程が、テフロン−ＡＦを回転付着し、該テ
フロン−ＡＦを硬化させて重合体デポジッション層を形
成する工程を含む方法。
【００３８】（６） （２）記載の方法に於て、保護層
を形成する工程が、テフロン−ＡＦを回転付着し、該テ
フロン−ＡＦを硬化させて重合体デポジッション層を形
成し、該重合体デポジッション層をパターンぎめすると
共にエッチングして、１つ又は更に多くの所望の領域だ
けに前記保護層を形成する工程を含む方法。
【００３９】（７） （２）記載の方法に於て、保護層
を形成する工程が、フルオロ−アルキル・アクリレート
・モノマー溶液を回転付着し、該フルオロ−アルキル・
アクリレート・モノマー溶液内で交差結合を行なわせる
ことによって重合体を形成し、該重合体を硬化させて重
合体デポジッション層を形成する工程を含む方法。
【００４０】（８） （１）記載の方法に於て、形成す
る工程が、素子デポジッション層を形成し、該素子デポ
ジッション層の上にフルオロ重合体デポジッション層を
形成し、前記素子デポジッション層及び前記フルオロ重
合体デポジッション層をパターンぎめすると共にエッチ
ングして、前記保護層を持つ前記第１の接触素子を形成
する工程を含む方法。
【００４１】（９） （８）記載の方法に於て、電極金
属デポジッション層の上に、フルオロ重合体デポジッシ
ョン層を形成する工程が、テフロン−ＡＦを回転付着
し、該テフロン−ＡＦを硬化させて前記フルオロ重合体
デポジッション層を形成する工程を含む方法。
【００４２】（１０） アドレス電極、着地電極及び撓
み可能なはりを持ち、該撓み可能なはりと前記アドレス
電極の間に印加された電圧によって、該撓み可能なはり
を前記着地電極に向って撓ませて該着地電極に接触させ
るような変形可能なミラー装置に於ける膠着を減少する
方法に於て、重合体被覆を使って前記着地電極の上に保
護層を形成して、前記撓み可能なはりが前記着地電極に
膠着する惧れを減少する工程を含み、前記保護層を形成
する工程は、前記変形可能なミラー装置の製造中に行な
われる方法。
【００４３】（１１） （１０）記載の方法に於て、前
記形成する工程は、前記アドレス電極及び前記着地電極
を形成し、重合体被覆を使って前記着地電極の上に前記
保護層を形成する工程を含み、前記保護層は、前記アド
レス電極及び着地電極が形成された後に形成される方
法。
【００４４】（１２） （１１）記載の方法に於て、保
護層を形成する工程が、フルオロ重合体を回転付着さ
せ、該フルオロ重合体を硬化させて重合体デポジッショ
ン層を形成する工程を含む方法。
【００４５】（１３） （１１）記載の方法に於て、保
護層を形成する工程が、テフロン−ＡＦを回転付着さ
せ、該テフロン−ＡＦを硬化させて重合体デポジッショ
ン層を形成し、該重合体デポジッション層をパターンぎ
めすると共にエッチングして、１つ又は更に多くの所望
の領域だけに前記保護層を形成する工程を含む方法。
【００４６】（１４） （１１）記載の方法に於て、保
護層を形成する工程が、フルオロ−アルキル・アクリレ
ート・モノマー溶液を回転付着し、該フルオロ−アルキ
ル・アクリレート・モノマー溶液内で交差結合を行なわ
せることによって重合体を形成し、該重合体を硬化させ
て重合体デポジッション層を形成する工程を含む方法。
【００４７】（１５） （１０）記載の方法に於て、保
護層を形成する工程が、電極デポジッション層を形成
し、該電極デポジッション層の上にフルオロ重合体デポ
ジッション層を形成し、前記電極デポジッション層及び
フルオロ重合体デポジッション層をパターンぎめすると
共にエッチングして、前記アドレス電極及び前記着地電
極を形成する工程を含み、前記電極の上には前記保護層
が形成されている方法。 （１６） 撓み可能なはりと、該はりに隣接したアドレ
ス電極と、前記はりに隣接していて、重合体被覆で被覆
されている着地電極とを有し、前記はり及び前記アドレ
ス電極の間に印加された電圧が、前記はりを前記着地電
極に向って撓ませ、前記着地電極は、該着地電極に向け
て撓ませたはりと接触して、該撓ませたはりが前記アド
レス電極に接触するのを防ぐように位置ぎめされてお
り、前記はりが前記アドレス電極に向って撓ませられた
時、前記はりが前記着地電極上の重合体被覆に接触する
微小機械装置。
【００４８】（１７） （１６）記載の微小機械装置に
於て、前記重合体被覆がフルオロ重合体である微小機械
装置。
【００４９】（１８） （１６）記載の微小機械装置に
於て、前記重合体被覆がテフロン−ＡＦである微小機械
装置。
【００５０】（１９） （１６）記載の微小機械装置に
於て、前記重合体被覆が交差結合したフルオロアルキル
・アクリレートで構成される微小機械装置。
【００５１】（２０） （１６）記載の微小機械装置に
於て、前記重合体被覆が交差結合したフルオロアルキル
・メタクリレートで構成される微小機械装置。
【００５２】（２１） 微小機械装置の接触素子の間の
膠着を減少する方法を説明した。更に、装置の素子が膠
着する惧れが少なくした微小機械装置を説明した。微小
機械装置（１０）に於ける膠着を減少する方法は、第１
の接触素子（１４）の上に保護層（２６）を形成して、
第１の接触素子（１４）が別の接触素子（２０）に膠着
する惧れを減少する。保護層（２６）はテフロン−ＡＦ
の様なフルオロ重合体で形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明による保護層を持つ微小機械装置の一
例を示す図。
【図２】この発明に従って微小機械装置を製造する１つ
の方法を示す図。
【図３】この発明に従って微小機械装置を製造する別の
方法を示す図。
【符号の説明】
１０ 微小機械装置 １４ 第１の接触素子 ２０ 別の接触素子 ２６ 保護層

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 微小機械装置の接触素子の膠着を減少す
    る方法に於て、重合体被覆を用いて第１の接触素子の上
    に保護層を形成して被覆素子を形成し、こうして該被覆
    素子が別の接触素子に膠着する惧れを減少し、前記保護
    層を形成する工程は、前記微小機械装置の製造中に行な
    われる方法。
  2. 【請求項２】 撓み可能なはりと、該はりに隣接したア
    ドレス電極と、前記はりに隣接していて、重合体被覆で
    被覆されている着地電極とを有し、前記はり及び前記ア
    ドレス電極の間に印加された電圧が、前記はりを前記着
    地電極に向って撓ませ、前記着地電極は、該着地電極に
    向けて撓ませたはりと接触して、該撓ませたはりが前記
    アドレス電極に接触するのを防ぐように位置ぎめされて
    おり、前記はりが前記アドレス電極に向って撓ませられ
    た時、前記はりが前記着地電極上の重合体被覆に接触す
    る微小機械装置。
JP7061130A 1994-03-21 1995-03-20 接触素子の膠着を減少する方法 Pending JPH0819754A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US216194 1994-03-21
US08/216,194 US5447600A (en) 1994-03-21 1994-03-21 Polymeric coatings for micromechanical devices

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0819754A true JPH0819754A (ja) 1996-01-23

Family

ID=22806111

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7061130A Pending JPH0819754A (ja) 1994-03-21 1995-03-20 接触素子の膠着を減少する方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5447600A (ja)
JP (1) JPH0819754A (ja)

Families Citing this family (92)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6219015B1 (en) 1992-04-28 2001-04-17 The Board Of Directors Of The Leland Stanford, Junior University Method and apparatus for using an array of grating light valves to produce multicolor optical images
US6467345B1 (en) 1993-10-18 2002-10-22 Xros, Inc. Method of operating micromachined members coupled for relative rotation
US6426013B1 (en) 1993-10-18 2002-07-30 Xros, Inc. Method for fabricating micromachined members coupled for relative rotation
US6044705A (en) * 1993-10-18 2000-04-04 Xros, Inc. Micromachined members coupled for relative rotation by torsion bars
DE4423396C2 (de) * 1994-07-04 2001-10-25 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zum Herstellen einer mikromechanischen Oberflächenstruktur
US6053617A (en) * 1994-09-23 2000-04-25 Texas Instruments Incorporated Manufacture method for micromechanical devices
US5939171A (en) * 1995-01-24 1999-08-17 Siemens Aktiengesellschaft Micromechanical component
SE9500849D0 (sv) * 1995-03-10 1995-03-10 Pharmacia Ab Methods for the manufacturing of micromachined structures and micromachined structures manufactured using such methods
HU219899B (hu) * 1995-04-14 2001-09-28 Glaxo Wellcome Inc. Inhalálóberendezés flutikaszon-propionát adagolására mért dózisban
TR199701170T1 (xx) 1995-04-14 1998-02-21 Glaxo Wellcome Inc. Beklometazon dipropionat i�in �l��lm�� doz inhaleri.
US5841579A (en) 1995-06-07 1998-11-24 Silicon Light Machines Flat diffraction grating light valve
JP3512963B2 (ja) * 1995-12-15 2004-03-31 テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド マイクロメカニカルデバイス
US5638946A (en) * 1996-01-11 1997-06-17 Northeastern University Micromechanical switch with insulated switch contact
US5694740A (en) * 1996-03-15 1997-12-09 Analog Devices, Inc. Micromachined device packaged to reduce stiction
US6624944B1 (en) 1996-03-29 2003-09-23 Texas Instruments Incorporated Fluorinated coating for an optical element
KR100243190B1 (ko) * 1996-06-10 2000-02-01 윤종용 가동미러장치 및 그 제조방법
US5982553A (en) 1997-03-20 1999-11-09 Silicon Light Machines Display device incorporating one-dimensional grating light-valve array
US20030103906A1 (en) * 1997-10-14 2003-06-05 Smithkline Beecham Corporation Metered dose inhaler having internal surfaces coated with fluorocarbon polymer
US6088102A (en) 1997-10-31 2000-07-11 Silicon Light Machines Display apparatus including grating light-valve array and interferometric optical system
US6323982B1 (en) 1998-05-22 2001-11-27 Texas Instruments Incorporated Yield superstructure for digital micromirror device
US6271808B1 (en) 1998-06-05 2001-08-07 Silicon Light Machines Stereo head mounted display using a single display device
US6130770A (en) 1998-06-23 2000-10-10 Silicon Light Machines Electron gun activated grating light valve
US6101036A (en) 1998-06-23 2000-08-08 Silicon Light Machines Embossed diffraction grating alone and in combination with changeable image display
US6215579B1 (en) 1998-06-24 2001-04-10 Silicon Light Machines Method and apparatus for modulating an incident light beam for forming a two-dimensional image
US6303986B1 (en) 1998-07-29 2001-10-16 Silicon Light Machines Method of and apparatus for sealing an hermetic lid to a semiconductor die
US6872984B1 (en) 1998-07-29 2005-03-29 Silicon Light Machines Corporation Method of sealing a hermetic lid to a semiconductor die at an angle
US6956878B1 (en) 2000-02-07 2005-10-18 Silicon Light Machines Corporation Method and apparatus for reducing laser speckle using polarization averaging
US6500547B1 (en) 2000-03-06 2002-12-31 General Electric Company Coating materials for sensors and monitoring systems, methods for detecting using sensors and monitoring systems
US20040080484A1 (en) * 2000-11-22 2004-04-29 Amichai Heines Display devices manufactured utilizing mems technology
US7177081B2 (en) 2001-03-08 2007-02-13 Silicon Light Machines Corporation High contrast grating light valve type device
US6707591B2 (en) 2001-04-10 2004-03-16 Silicon Light Machines Angled illumination for a single order light modulator based projection system
US6865346B1 (en) 2001-06-05 2005-03-08 Silicon Light Machines Corporation Fiber optic transceiver
US6747781B2 (en) 2001-06-25 2004-06-08 Silicon Light Machines, Inc. Method, apparatus, and diffuser for reducing laser speckle
US6782205B2 (en) 2001-06-25 2004-08-24 Silicon Light Machines Method and apparatus for dynamic equalization in wavelength division multiplexing
US6829092B2 (en) 2001-08-15 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Blazed grating light valve
US6930364B2 (en) 2001-09-13 2005-08-16 Silicon Light Machines Corporation Microelectronic mechanical system and methods
JP2003090969A (ja) * 2001-09-17 2003-03-28 Olympus Optical Co Ltd 可変形状シリンダミラー
US6956995B1 (en) 2001-11-09 2005-10-18 Silicon Light Machines Corporation Optical communication arrangement
WO2003048836A2 (en) * 2001-12-03 2003-06-12 Flixel Ltd. Display devices
US6800238B1 (en) 2002-01-15 2004-10-05 Silicon Light Machines, Inc. Method for domain patterning in low coercive field ferroelectrics
US6728023B1 (en) 2002-05-28 2004-04-27 Silicon Light Machines Optical device arrays with optimized image resolution
US6767751B2 (en) 2002-05-28 2004-07-27 Silicon Light Machines, Inc. Integrated driver process flow
US7054515B1 (en) 2002-05-30 2006-05-30 Silicon Light Machines Corporation Diffractive light modulator-based dynamic equalizer with integrated spectral monitor
US6822797B1 (en) 2002-05-31 2004-11-23 Silicon Light Machines, Inc. Light modulator structure for producing high-contrast operation using zero-order light
KR100467318B1 (ko) 2002-06-04 2005-01-24 한국전자통신연구원 저항식 전자기계적 접촉을 이용하는 미세전자기계적 소자
US6829258B1 (en) 2002-06-26 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Rapidly tunable external cavity laser
US6714337B1 (en) 2002-06-28 2004-03-30 Silicon Light Machines Method and device for modulating a light beam and having an improved gamma response
US6908201B2 (en) 2002-06-28 2005-06-21 Silicon Light Machines Corporation Micro-support structures
US6813059B2 (en) 2002-06-28 2004-11-02 Silicon Light Machines, Inc. Reduced formation of asperities in contact micro-structures
US6801354B1 (en) 2002-08-20 2004-10-05 Silicon Light Machines, Inc. 2-D diffraction grating for substantially eliminating polarization dependent losses
US7057795B2 (en) 2002-08-20 2006-06-06 Silicon Light Machines Corporation Micro-structures with individually addressable ribbon pairs
US6712480B1 (en) 2002-09-27 2004-03-30 Silicon Light Machines Controlled curvature of stressed micro-structures
US6928207B1 (en) 2002-12-12 2005-08-09 Silicon Light Machines Corporation Apparatus for selectively blocking WDM channels
US7057819B1 (en) 2002-12-17 2006-06-06 Silicon Light Machines Corporation High contrast tilting ribbon blazed grating
US6987600B1 (en) 2002-12-17 2006-01-17 Silicon Light Machines Corporation Arbitrary phase profile for better equalization in dynamic gain equalizer
US6934070B1 (en) 2002-12-18 2005-08-23 Silicon Light Machines Corporation Chirped optical MEM device
US6927891B1 (en) 2002-12-23 2005-08-09 Silicon Light Machines Corporation Tilt-able grating plane for improved crosstalk in 1×N blaze switches
US7068372B1 (en) 2003-01-28 2006-06-27 Silicon Light Machines Corporation MEMS interferometer-based reconfigurable optical add-and-drop multiplexor
US7286764B1 (en) 2003-02-03 2007-10-23 Silicon Light Machines Corporation Reconfigurable modulator-based optical add-and-drop multiplexer
US6947613B1 (en) 2003-02-11 2005-09-20 Silicon Light Machines Corporation Wavelength selective switch and equalizer
US6922272B1 (en) 2003-02-14 2005-07-26 Silicon Light Machines Corporation Method and apparatus for leveling thermal stress variations in multi-layer MEMS devices
US6829077B1 (en) 2003-02-28 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Diffractive light modulator with dynamically rotatable diffraction plane
US7027202B1 (en) 2003-02-28 2006-04-11 Silicon Light Machines Corp Silicon substrate as a light modulator sacrificial layer
US6806997B1 (en) 2003-02-28 2004-10-19 Silicon Light Machines, Inc. Patterned diffractive light modulator ribbon for PDL reduction
US6922273B1 (en) 2003-02-28 2005-07-26 Silicon Light Machines Corporation PDL mitigation structure for diffractive MEMS and gratings
US7391973B1 (en) 2003-02-28 2008-06-24 Silicon Light Machines Corporation Two-stage gain equalizer
US7042611B1 (en) 2003-03-03 2006-05-09 Silicon Light Machines Corporation Pre-deflected bias ribbons
US7643195B2 (en) * 2003-11-01 2010-01-05 Silicon Quest Kabushiki-Kaisha Mirror device
US7933060B2 (en) * 2003-11-01 2011-04-26 Silicon Quest Kabushiki-Kaisha Three states of micro mirror device
US7876488B2 (en) * 2003-11-01 2011-01-25 Silicon Quest Kabushiki-Kaisha Mirror device having vertical hinge
US7957050B2 (en) 2003-11-01 2011-06-07 Silicon Quest Kabushiki-Kaisha Mirror device comprising layered electrode
US8064123B2 (en) * 2003-11-01 2011-11-22 Silicon Quest Kabushiki-Kaisha Mirror device and MEMS device comprising layered electrode
US7760415B2 (en) * 2003-11-01 2010-07-20 Silicon Quest Kabushiki-Kaisha Micro mirror device
US7755830B2 (en) * 2003-11-01 2010-07-13 Silicon Quest Kabushiki-Kaisha Micro mirror device
US20050106774A1 (en) * 2003-11-13 2005-05-19 Dmitri Simonian Surface processes in fabrications of microstructures
US20060007515A1 (en) * 2003-11-13 2006-01-12 Dmitri Simonian Surface lubrication in microstructures
US7514012B2 (en) * 2004-01-27 2009-04-07 Texas Instruments Incorporated Pre-oxidization of deformable elements of microstructures
US20050212067A1 (en) * 2004-03-26 2005-09-29 Robert Duboc Microelectromechanical devices with lubricants and getters formed thereon
US6979893B2 (en) * 2004-03-26 2005-12-27 Reflectivity, Inc Packaged microelectromechanical device with lubricant
US7184195B2 (en) * 2005-06-15 2007-02-27 Miradia Inc. Method and structure reducing parasitic influences of deflection devices in an integrated spatial light modulator
US7382513B2 (en) * 2005-10-13 2008-06-03 Miradia Inc. Spatial light modulator with multi-layer landing structures
US7580174B2 (en) * 2005-11-23 2009-08-25 Miradia, Inc. Anti-stiction gas-phase lubricant for micromechanical systems
US7471439B2 (en) * 2005-11-23 2008-12-30 Miradia, Inc. Process of forming a micromechanical system containing an anti-stiction gas-phase lubricant
US7616370B2 (en) * 2005-11-23 2009-11-10 Miradia, Inc. Preferentially deposited lubricant to prevent anti-stiction in micromechanical systems
US7723812B2 (en) * 2005-11-23 2010-05-25 Miradia, Inc. Preferentially deposited lubricant to prevent anti-stiction in micromechanical systems
US7463404B2 (en) * 2005-11-23 2008-12-09 Miradia, Inc. Method of using a preferentially deposited lubricant to prevent anti-stiction in micromechanical systems
US8023172B2 (en) * 2006-08-30 2011-09-20 Silicon Quest Kabushiki-Kaisha Mirror device
US7652813B2 (en) * 2006-08-30 2010-01-26 Silicon Quest Kabushiki-Kaisha Mirror device
US8096665B2 (en) * 2006-10-11 2012-01-17 Miradia, Inc. Spatially offset multi-imager-panel architecture for projecting an image
US8134772B2 (en) 2007-05-03 2012-03-13 Silicon Quest Kabushiki-Kaisha Mirror device with an anti-stiction layer
US10745268B2 (en) 2017-06-30 2020-08-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of stiction prevention by patterned anti-stiction layer
NL2021092B1 (en) * 2018-06-08 2019-12-13 Qlayers Holding B V Application of a coating on a base structure

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4172757A (en) * 1977-10-17 1979-10-30 Xerox Corporation Process for making electrode with integral dielectric layer
JPS556833A (en) * 1978-06-29 1980-01-18 Nippon Mektron Kk Cirucit board and method of manufacturing same
US5216537A (en) * 1990-06-29 1993-06-01 Texas Instruments Incorporated Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates
JP2500235B2 (ja) * 1991-02-07 1996-05-29 富士通株式会社 薄膜回路基板及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US5447600A (en) 1995-09-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0819754A (ja) 接触素子の膠着を減少する方法
KR100947813B1 (ko) Ｍｅｍｓ　장치의 구조를 제조하는 방법
JP3790285B2 (ja) マイクロメカニカルデバイス用支柱
EP0592094B1 (en) Micro-miniature structure fabrication
KR100346876B1 (ko) 디지탈마이크로-미러장치의제조방법
US6777629B2 (en) Micro electro-mechanical system with one or more moving parts method and apparatus
WO1995012480A1 (en) Microstructure arrays and methods for the fabrication thereof
US6737225B2 (en) Method of undercutting micro-mechanical device with super-critical carbon dioxide
US6099132A (en) Manufacture method for micromechanical devices
JP2000090802A (ja) マイクロ電子機械的装置
US6392221B1 (en) Micro-electro-mechanical optical device
US20150076632A9 (en) Method and apparatus for release-assisted microcontact printing of mems
KR20070026827A (ko) 다중의 높이 상태를 갖는 불연속적으로 제어되는마이크로미러
US20040136049A1 (en) Micro-mechanical device having anti-stiction layer and method of manufacturing the device
JP5374860B2 (ja) マイクロアクチュエータ及びその製造方法、マイクロアクチュエータアレー、マイクロアクチュエータ装置、光学デバイス、表示装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
US6362083B1 (en) Method for fabricating locally reinforced metallic microfeature
JP2001117029A (ja) マイクロ電気機械光学デバイス
JPH0362927A (ja) 半導体装置およびその製造方法
EP3411742A1 (en) Fabricating air gap regions in multicomponent lens systems
CN112694061A (zh) 一种基于mems技术的无磁电加热器的加工方法
JP2003139920A (ja) マイクロレンズの製造方法
US7564138B2 (en) Method for attaching chips in a flip-chip arrangement
JP4463108B2 (ja) 光造形ユニットの可動構造の製造方法
JP2007525705A (ja) 重合した液晶を含む機械的構造物及び当該構造物の製造方法
US20090231672A1 (en) Electrically conductive protection layer and a microelectromechanical device using the same