JPH0362927A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH0362927A JPH0362927A JP1199799A JP19979989A JPH0362927A JP H0362927 A JPH0362927 A JP H0362927A JP 1199799 A JP1199799 A JP 1199799A JP 19979989 A JP19979989 A JP 19979989A JP H0362927 A JPH0362927 A JP H0362927A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- semiconductor element
- protruding electrode
- wiring board
- protruding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
- H10W72/07251—Connecting or disconnecting of bump connectors characterised by changes in properties of the bump connectors during connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特
にマイクロコンピュータや、ゲートアレイ等の多電極、
狭ピンチのＬＳＩチップ（半導体素子）の実装に関する
ものである。
にマイクロコンピュータや、ゲートアレイ等の多電極、
狭ピンチのＬＳＩチップ（半導体素子）の実装に関する
ものである。
半導体装置の典型的な従来の技術を第３図とともに説明
する。
する。
まず、第３図（ａｌに示すように、セラξ７り、ガラス
等よりなる絶縁性の配線基板１４の導体配線１５を有す
る面の半導体素子接続部位に、絶縁性樹脂１３を塗布す
る。導体配線１５は、Ｃｒ−Ａｕ、Ａｆｆｉ、ＩＴＯ等
であり、絶縁性樹脂１３は熱硬化あるいは紫外線硬化の
エポキシ、アクリル等である。
等よりなる絶縁性の配線基板１４の導体配線１５を有す
る面の半導体素子接続部位に、絶縁性樹脂１３を塗布す
る。導体配線１５は、Ｃｒ−Ａｕ、Ａｆｆｉ、ＩＴＯ等
であり、絶縁性樹脂１３は熱硬化あるいは紫外線硬化の
エポキシ、アクリル等である。
つぎに、第３図（ｂｌに示すように、Ａｕ等よりなる突
起電極１２を有したＬＳＩチップ等の半導体素子１）を
、突起電極１２と導体配線１５が整合するように配線基
板１４の絶縁性樹脂１３が塗布された領域に設置し、加
圧ツール１６にて半導体素子１）を配線基板１４に対し
て加圧する。このとき、半導体素子１）の突起電極１２
は金属であるため塑性変形し、絶縁性樹脂１３は周囲に
押し出され、半導体素子１）の突起電極１２と導体配線
１５とは電気的に接触する。
起電極１２を有したＬＳＩチップ等の半導体素子１）を
、突起電極１２と導体配線１５が整合するように配線基
板１４の絶縁性樹脂１３が塗布された領域に設置し、加
圧ツール１６にて半導体素子１）を配線基板１４に対し
て加圧する。このとき、半導体素子１）の突起電極１２
は金属であるため塑性変形し、絶縁性樹脂１３は周囲に
押し出され、半導体素子１）の突起電極１２と導体配線
１５とは電気的に接触する。
つぎに、加圧ツール１６で半導体素子１）を配線基板１
４に対して加圧した状態で、絶縁性樹脂１３を硬化させ
、その後第３図（Ｃ１に示すように、加圧ツール１６を
除去する。このとき、半導体素子１）は配線基板１４に
絶縁性樹脂１３により固着されるとともに、半導体素子
１）の塑性変形された突起電極１２と導体配線１５は接
触により電気的に接続される。
４に対して加圧した状態で、絶縁性樹脂１３を硬化させ
、その後第３図（Ｃ１に示すように、加圧ツール１６を
除去する。このとき、半導体素子１）は配線基板１４に
絶縁性樹脂１３により固着されるとともに、半導体素子
１）の塑性変形された突起電極１２と導体配線１５は接
触により電気的に接続される。
前述した従来の技術では、半導体素子１）の突起電極１
２を塑性変形させているため、半導体素子１）を固着し
ている絶縁性樹脂１３が熱膨張した際に、突起電極１２
と導体配＆１ｌ１５との間に隙間が生じて電気的な接続
不良が生し、耐熱性の低いものである。
２を塑性変形させているため、半導体素子１）を固着し
ている絶縁性樹脂１３が熱膨張した際に、突起電極１２
と導体配＆１ｌ１５との間に隙間が生じて電気的な接続
不良が生し、耐熱性の低いものである。
また、金属製の突起電極１２の変形を極力小さくして弾
性変形にとどめておき、絶縁性樹脂１３の熱膨張に突起
電極１２の変形を追従させる方法もあるが、変形量が非
常に小さいため、突起電極１２の高さのばらつきや、配
線基板１４の平面度の影響により接続歩留りが非常に低
いものである。
性変形にとどめておき、絶縁性樹脂１３の熱膨張に突起
電極１２の変形を追従させる方法もあるが、変形量が非
常に小さいため、突起電極１２の高さのばらつきや、配
線基板１４の平面度の影響により接続歩留りが非常に低
いものである。
請求項（１）記載の半導体装置は、半導体素子の表面の
配線上の一部に設けられた突起電極を、弾性を有する突
起状の絶縁体からなる突起電極核と、突起電極核の上面
から半導体素子の配線に及び配線に電気的に接続された
金属層とで構成している（第１図ｆｄｌおよび第２図（
Ｃ１参照）。
配線上の一部に設けられた突起電極を、弾性を有する突
起状の絶縁体からなる突起電極核と、突起電極核の上面
から半導体素子の配線に及び配線に電気的に接続された
金属層とで構成している（第１図ｆｄｌおよび第２図（
Ｃ１参照）。
請求項（２）記載の半導体装置の製造方法では、請求項
（１）記載の半導体装置の突起電極を以下の工程で作成
している（第１図参照）。
（１）記載の半導体装置の突起電極を以下の工程で作成
している（第１図参照）。
■ 配線が形成された半導体ウェハの表面に弾性を有す
る絶縁性樹脂を塗布して硬化させる工程■ 絶縁性樹脂
の不要部を除去して弾性を有する突起状の絶縁体からな
る突起電極核を配線上の一部に形成する工程 ■ 半導体ウェハおよび突起電極核の表面に金属膜を形
成する工程 ■ 金属膜の不要部を除去して突起電極核の上面から配
線に及び配線に電気的に接続された金属層を形成するこ
とにより突起電極を得る工程請求項（３）の半導体装置
は、導体配線を有する絶縁性の配ｖＡ基板と、 弾性を有する突起状の絶縁体からなる突起電極核と突起
電極核の上面から半導体素子の配線に及び配線に電気的
に接続された金属層とで構成される突起電極を配線の一
部に有し、突起電極と配線基板の導体配線とが整合する
ように配線基板の導体配線を有する面上に位置決めした
半導体素子と、配線基板の導体配線を有する面に付着さ
れて突起電極核を弾性変形させて金属層を導体配線に電
気的に弾性接触させた状態で半導体素子を配線基板に固
定する絶縁性樹脂とを備えている（第２図（Ｃ１参照）
。
る絶縁性樹脂を塗布して硬化させる工程■ 絶縁性樹脂
の不要部を除去して弾性を有する突起状の絶縁体からな
る突起電極核を配線上の一部に形成する工程 ■ 半導体ウェハおよび突起電極核の表面に金属膜を形
成する工程 ■ 金属膜の不要部を除去して突起電極核の上面から配
線に及び配線に電気的に接続された金属層を形成するこ
とにより突起電極を得る工程請求項（３）の半導体装置
は、導体配線を有する絶縁性の配ｖＡ基板と、 弾性を有する突起状の絶縁体からなる突起電極核と突起
電極核の上面から半導体素子の配線に及び配線に電気的
に接続された金属層とで構成される突起電極を配線の一
部に有し、突起電極と配線基板の導体配線とが整合する
ように配線基板の導体配線を有する面上に位置決めした
半導体素子と、配線基板の導体配線を有する面に付着さ
れて突起電極核を弾性変形させて金属層を導体配線に電
気的に弾性接触させた状態で半導体素子を配線基板に固
定する絶縁性樹脂とを備えている（第２図（Ｃ１参照）
。
請求項（４）記載の半導体装置の製造方法は、以下の工
程で半導体装置を製造する（第２図参照）。
程で半導体装置を製造する（第２図参照）。
■ 絶縁性の配線基板の導体配線を有する面の半導体素
子接続部位に絶縁性樹脂を塗布する工程■ 弾性を有す
る突起状の絶縁体からなる突起電極核と突起電極核の上
面から半導体素子の配線に及び配線に電気的に接続され
た金属層とで構成される突起電極を配線の一部に有する
半導体素子を、突起電極と配線基板の導体配線とが整合
するように配線基板の導体配線を有する面上に位置決め
する工程 ■ 突起電極核を弾性変形させて金属層が導体配線に電
気的に弾性接触するように半導体素子を配線基板に対し
て加圧する工程 ■ 半導体素子を加圧した状態で絶縁性樹脂を硬化させ
て半導体素子を配′ｆａ基板に固着する工程〔作用〕 この発明によれば、半導体素子の突起電極が弾性を有す
る突起状の絶縁体からなる突起電極核と、突起電極核の
上面から半導体素子の配線に及び配線に電気的に接続さ
れた金属層とで構成しているので、突起電極の弾性変形
量を十分に大きくすることができる。
子接続部位に絶縁性樹脂を塗布する工程■ 弾性を有す
る突起状の絶縁体からなる突起電極核と突起電極核の上
面から半導体素子の配線に及び配線に電気的に接続され
た金属層とで構成される突起電極を配線の一部に有する
半導体素子を、突起電極と配線基板の導体配線とが整合
するように配線基板の導体配線を有する面上に位置決め
する工程 ■ 突起電極核を弾性変形させて金属層が導体配線に電
気的に弾性接触するように半導体素子を配線基板に対し
て加圧する工程 ■ 半導体素子を加圧した状態で絶縁性樹脂を硬化させ
て半導体素子を配′ｆａ基板に固着する工程〔作用〕 この発明によれば、半導体素子の突起電極が弾性を有す
る突起状の絶縁体からなる突起電極核と、突起電極核の
上面から半導体素子の配線に及び配線に電気的に接続さ
れた金属層とで構成しているので、突起電極の弾性変形
量を十分に大きくすることができる。
したがって、配ｖＡ基板の半導体素子を固定して、半導
体素子の突起電極と配線基板の導体配線の電気的接続を
得る場合において、半導体素子を配線基板に対して加圧
した状態で絶縁性樹脂を硬化させることで、突起電極の
突起電極核が弾性変形して金属層が配線基板の導体配線
に弾性接触した状態になる。
体素子の突起電極と配線基板の導体配線の電気的接続を
得る場合において、半導体素子を配線基板に対して加圧
した状態で絶縁性樹脂を硬化させることで、突起電極の
突起電極核が弾性変形して金属層が配線基板の導体配線
に弾性接触した状態になる。
このため、仮に半導体素子固定用の絶縁性樹脂が膨張し
、絶縁性樹脂の寸法変化が生じても突起電極の弾性復元
により、導体配線と突起電極は常に接触した状態を保持
するものである。
、絶縁性樹脂の寸法変化が生じても突起電極の弾性復元
により、導体配線と突起電極は常に接触した状態を保持
するものである。
また、突起電極の変形量を大きくした場合でも、弾性変
形状態を保っているため、高い接続歩留りを得ることが
できるものである。
形状態を保っているため、高い接続歩留りを得ることが
できるものである。
この発明の一実施例を第１図および第２図を参照して説
明する。第１図で突起電極の形成方法をについて述べ、
第２図でこの発明の突起電極を有する半導体素子の配線
基板への接続方法について述べる。
明する。第１図で突起電極の形成方法をについて述べ、
第２図でこの発明の突起電極を有する半導体素子の配線
基板への接続方法について述べる。
最初に、第１図に基づいて半導体素子への突起電極の形
成方法について説明する（請求項（２）に対応する）。
成方法について説明する（請求項（２）に対応する）。
まず、第１図０１）に示すように、配線を構成するＡ１
電極２３および保護膜２１が形成された半導体ウェハ２
０に、シリコンゴム、ブタジェンゴム等の硬化後に弾性
体となる絶縁性樹脂２２を塗布し、硬化させる。絶縁性
樹脂２２の塗布厚は５〜１５μｍ程度である。硬化の方
法は、熱硬化あるいは紫外線硬化を用いる。
電極２３および保護膜２１が形成された半導体ウェハ２
０に、シリコンゴム、ブタジェンゴム等の硬化後に弾性
体となる絶縁性樹脂２２を塗布し、硬化させる。絶縁性
樹脂２２の塗布厚は５〜１５μｍ程度である。硬化の方
法は、熱硬化あるいは紫外線硬化を用いる。
つぎに第１図０１）に示すように、Ａ６電極２３上の一
部の絶縁性樹脂２２を残し、他の領域の絶縁性樹脂２２
は除去することで、弾性を有する突起状の絶縁体からな
る突起電極核２４を得る。絶縁性樹脂２２の除去は、フ
ォトリソ技術を用い、フォトレジストでパターンニング
した後、ドライエツチング等により除去する。また、絶
縁性樹脂２２に感光性のシリコンゴム等を用いることに
より、直接絶縁性樹脂２２にフォトマスクを介して露光
し、現像することにより、簡単な工程で突起電極核２４
を得ることができる。
部の絶縁性樹脂２２を残し、他の領域の絶縁性樹脂２２
は除去することで、弾性を有する突起状の絶縁体からな
る突起電極核２４を得る。絶縁性樹脂２２の除去は、フ
ォトリソ技術を用い、フォトレジストでパターンニング
した後、ドライエツチング等により除去する。また、絶
縁性樹脂２２に感光性のシリコンゴム等を用いることに
より、直接絶縁性樹脂２２にフォトマスクを介して露光
し、現像することにより、簡単な工程で突起電極核２４
を得ることができる。
つぎに、第１図（Ｃ）に示すように、半導体ウェハ２０
上に、Ｃｒ−Ａｕ、Ｔｉ−Ｐｄ−Ａｕ等からなる金属膜
２５′を、蒸着あるいはスパッタリング等により表面全
面に形成する。
上に、Ｃｒ−Ａｕ、Ｔｉ−Ｐｄ−Ａｕ等からなる金属膜
２５′を、蒸着あるいはスパッタリング等により表面全
面に形成する。
つぎに、フォトリソ技術を用い、第１図ｆｄｌに示すよ
うに、不要部の金属膜２５′を除去し、金属層２５を突
起電極核２４の上面からＡＩ電極に渡る範囲で残して突
起電極２６を得る。この場合、金属層２５は、Ａ１電極
２３に電気的に接続されている。
うに、不要部の金属膜２５′を除去し、金属層２５を突
起電極核２４の上面からＡＩ電極に渡る範囲で残して突
起電極２６を得る。この場合、金属層２５は、Ａ１電極
２３に電気的に接続されている。
なお、以上のようにして突起電極２６が形成された半導
体ウェハ２０を各区画毎に切断して分離すると、各々Ｌ
ＳＩチップなどの半導体素子となり、これが配線基板に
搭載される。
体ウェハ２０を各区画毎に切断して分離すると、各々Ｌ
ＳＩチップなどの半導体素子となり、これが配線基板に
搭載される。
つぎに第２図を用い、前述した突起電極２６を有した半
導体素子の配線基板への接続方法について説明する（請
求項（４）に対応する〉。
導体素子の配線基板への接続方法について説明する（請
求項（４）に対応する〉。
まず、第２図（ａｌに示すように、ガラス、セラミック
等よりなり、導体配線２９を有した絶縁性の配線基板３
０の導体配線２９を含む領域（半導体素子接続部位）に
絶縁性樹脂２８を塗布する。配線基板３０の厚みは、０
．１〜２． Ｑ ａｍ程度である。
等よりなり、導体配線２９を有した絶縁性の配線基板３
０の導体配線２９を含む領域（半導体素子接続部位）に
絶縁性樹脂２８を塗布する。配線基板３０の厚みは、０
．１〜２． Ｑ ａｍ程度である。
導体配線２９は、Ｃｒ−Ａｕ、ＡＣＩＴＯ等であり、そ
の厚みは０．１−１０μｍ程度である。絶縁性樹脂２８
は例えばアクリル、エポキシ等の光硬化型であり、塗布
はデイスペンサ、印刷等を用いる。
の厚みは０．１−１０μｍ程度である。絶縁性樹脂２８
は例えばアクリル、エポキシ等の光硬化型であり、塗布
はデイスペンサ、印刷等を用いる。
つぎに、第２図（ｂｌに示すように、前述した弾性を有
する突起電極核２４と金属層２５とからなる突起電極２
６を有した半導体素子２７を、突起電極２６と導体配線
２９が整合するように配線基板３０の絶縁性樹脂２８が
塗布された領域に設置する。突起電極２６の厚みは５〜
１５μｍ程度であり、その寸法は３μｍロ〜５０μｍロ
程度である。
する突起電極核２４と金属層２５とからなる突起電極２
６を有した半導体素子２７を、突起電極２６と導体配線
２９が整合するように配線基板３０の絶縁性樹脂２８が
塗布された領域に設置する。突起電極２６の厚みは５〜
１５μｍ程度であり、その寸法は３μｍロ〜５０μｍロ
程度である。
ついで、突起電極２６が弾性変形状態になるように、加
圧ツール３１にて半導体素子２７を配線基板３０に対し
て加圧する。加圧力は、０．５ｇ／電極〜５ｇ／電極程
度である。このとき、絶縁性樹脂２８は周囲に押し出さ
れ、半導体素子２７の突起電極２６の金属層２５と導体
配線２９は電気的に弾性接触する。
圧ツール３１にて半導体素子２７を配線基板３０に対し
て加圧する。加圧力は、０．５ｇ／電極〜５ｇ／電極程
度である。このとき、絶縁性樹脂２８は周囲に押し出さ
れ、半導体素子２７の突起電極２６の金属層２５と導体
配線２９は電気的に弾性接触する。
この時、突起電極２６は、ゴム状の弾性体である突起電
極核２４を有しているため、小さい加圧力で容易に変形
し、その弾性変形量が大きく、突起電極２６の厚みのば
らつきや、配線基板３０の平面度を吸収し、半導体素子
２７の全ての突起電極２６を導体配線２９に容易にかつ
確実に接触させることができる。
極核２４を有しているため、小さい加圧力で容易に変形
し、その弾性変形量が大きく、突起電極２６の厚みのば
らつきや、配線基板３０の平面度を吸収し、半導体素子
２７の全ての突起電極２６を導体配線２９に容易にかつ
確実に接触させることができる。
つぎに、半導体素子２７を加圧した状態で、絶縁性樹脂
２８を硬化させる。硬化の方法は、例えば配線基板３０
がガラス等の透明基板の場合は、配線基板３０の裏面よ
り紫外線３１を矢印の方向に照射する。また、セラミッ
ク等の不透明基板の場合は、半導体素子２７の側面より
紫外線を照射する。
２８を硬化させる。硬化の方法は、例えば配線基板３０
がガラス等の透明基板の場合は、配線基板３０の裏面よ
り紫外線３１を矢印の方向に照射する。また、セラミッ
ク等の不透明基板の場合は、半導体素子２７の側面より
紫外線を照射する。
つぎに、第２図ｆｃ）に示すように、加圧ツール３１に
よる加圧を解除する。このとき、半導体素子２７は配線
基板３０に固着されると同時に、突起電極２６と導体配
線２９とは接触により電気的に接続され、その状態が保
持される。
よる加圧を解除する。このとき、半導体素子２７は配線
基板３０に固着されると同時に、突起電極２６と導体配
線２９とは接触により電気的に接続され、その状態が保
持される。
以上のような製造方法にて、半導体装置が製造される。
この請求項（１）に記載した半導体装置は、半導体素子
２７の表面の配線であるＡＩ電極２３上の一部に設けら
れた突起電極２６を、弾性を有する突起状の絶縁体から
なる突起電極核２４と突起電極核２４の上面から半導体
素子２７のＡＮ電極２３に及びＡ１電極２３に電気的に
接続された金属層２５とで構成している。
２７の表面の配線であるＡＩ電極２３上の一部に設けら
れた突起電極２６を、弾性を有する突起状の絶縁体から
なる突起電極核２４と突起電極核２４の上面から半導体
素子２７のＡＮ電極２３に及びＡ１電極２３に電気的に
接続された金属層２５とで構成している。
また、請求項（３）に記載した半導体装置は、導体配線
２９を有する絶縁性の配線基板３０と、弾性を有する突
起状の絶縁体からなる突起電極核２４と突起電極核２４
の上面から半導体素子２７のＡ１電極２３に及びＡ１電
極２３に電気的に接続された金属層２５とで構成される
突起電極２６をＡｌ電極２３の一部に有し、突起電極２
６と配線基板３０の導体配線２９とが整合するように配
線基板３０の導体配線２９を有する面上に位置決めした
半導体素子２７と、 配線基板３０の導体配線２つを有する面に付着されて突
起電極核２４を弾性変形させて金属層２５を導体配線２
つに電気的に弾性接触させた状態で半導体素子２７を配
線基板３０に固定する絶縁他樹脂２８とからなる。
２９を有する絶縁性の配線基板３０と、弾性を有する突
起状の絶縁体からなる突起電極核２４と突起電極核２４
の上面から半導体素子２７のＡ１電極２３に及びＡ１電
極２３に電気的に接続された金属層２５とで構成される
突起電極２６をＡｌ電極２３の一部に有し、突起電極２
６と配線基板３０の導体配線２９とが整合するように配
線基板３０の導体配線２９を有する面上に位置決めした
半導体素子２７と、 配線基板３０の導体配線２つを有する面に付着されて突
起電極核２４を弾性変形させて金属層２５を導体配線２
つに電気的に弾性接触させた状態で半導体素子２７を配
線基板３０に固定する絶縁他樹脂２８とからなる。
〔発明の効果〕
この発明では、半導体素子の突起電極が弾性を有する突
起状の絶縁体からなる突起電極核とその上面から半導体
素子の配線にわたって形成された金属層とにより構成さ
れ、突起電極が弾性変形状態で配線基板の導体配線に接
触しているため、つぎに示す効果がある。
起状の絶縁体からなる突起電極核とその上面から半導体
素子の配線にわたって形成された金属層とにより構成さ
れ、突起電極が弾性変形状態で配線基板の導体配線に接
触しているため、つぎに示す効果がある。
（１） 半導体素子を配線基板に接続した後に、半導
体素子の固着に用いた絶縁性樹脂が熱膨張しても、突起
電極は容易に弾性復元し、突起電極と配線基板の導体配
線は常に接触した状態を保ち、耐熱性が高く、信頼性つ
ぐ高い。
体素子の固着に用いた絶縁性樹脂が熱膨張しても、突起
電極は容易に弾性復元し、突起電極と配線基板の導体配
線は常に接触した状態を保ち、耐熱性が高く、信頼性つ
ぐ高い。
（２） 突起電極の変形量を大きくしても、弾性変形
状態を保つことができるため、突起電極の厚みのばらつ
きが大きい場合や、配線基板の平面度が無い場合でも、
歩留りよく接続することができる。
状態を保つことができるため、突起電極の厚みのばらつ
きが大きい場合や、配線基板の平面度が無い場合でも、
歩留りよく接続することができる。
（３） 非常に小さい加圧力で、接続を行うことがで
きるため、半導体素子の加圧時における半導体素子のそ
りや歪の発生がなく、半導体素子の特性変動がなく高品
質の半導体装置を得ることができる。
きるため、半導体素子の加圧時における半導体素子のそ
りや歪の発生がなく、半導体素子の特性変動がなく高品
質の半導体装置を得ることができる。
第１図はこの発明の半導体装置の製造方法の一実施例を
示す工程順断面図、第２図は第１図の半導体装置の基板
への接続方法の一例を示す工程順断面図、第３図は従来
例における半導体装置の基板への接続方法を示す工程順
断面図である。 ２０・・・半導体ウェハ、２１・・・保護膜、２２・・
・絶縁性樹脂、２３・・・Ａ１電極、２４・・・突起電
極核、２５・・・金属層、２６・・・突起電極、２７・
・・半導体素子、２８・・・絶縁性樹脂、２９・・・導
体配線、３０・・・配線基板、３１・・・加圧ツール 第 （ｂ： （Ｃ： （ｄ） 図 〉 − ） Ｋ斐ζ ｌ二 にゼ２ ）
示す工程順断面図、第２図は第１図の半導体装置の基板
への接続方法の一例を示す工程順断面図、第３図は従来
例における半導体装置の基板への接続方法を示す工程順
断面図である。 ２０・・・半導体ウェハ、２１・・・保護膜、２２・・
・絶縁性樹脂、２３・・・Ａ１電極、２４・・・突起電
極核、２５・・・金属層、２６・・・突起電極、２７・
・・半導体素子、２８・・・絶縁性樹脂、２９・・・導
体配線、３０・・・配線基板、３１・・・加圧ツール 第 （ｂ： （Ｃ： （ｄ） 図 〉 − ） Ｋ斐ζ ｌ二 にゼ２ ）
Claims (4)
- （１）半導体素子の表面の配線上の一部に突起電極を設
けた半導体装置において、 前記突起電極を、弾性を有する突起状の絶縁体からなる
突起電極核と、前記突起電極核の上面から前記半導体素
子の配線に及び前記配線に電気的に接続された金属層と
で構成したことを特徴とする半導体装置。 - （２）請求項（１）記載の半導体装置の突起電極を作成
するに当たって、 配線が形成された半導体ウェハの表面に弾性を有する絶
縁性樹脂を塗布して硬化させる工程と、前記絶縁性樹脂
の不要部を除去して弾性を有する突起状の絶縁体からな
る突起電極核を前記配線上の一部に形成する工程と、 前記半導体ウェハおよび前記突起電極核の表面に金属膜
を形成する工程と、 前記金属膜の不要部を除去して前記突起電極核の上面か
ら前記配線に及び前記配線に電気的に接続された金属層
を形成することにより突起電極を得る工程とを含む半導
体装置の製造方法。 - （３）導体配線を有する絶縁性の配線基板と、弾性を有
する突起状の絶縁体からなる突起電極核と前記突起電極
核の上面から前記半導体素子の配線に及び前記配線に電
気的に接続された金属層とで構成される突起電極を配線
の一部に有し、前記突起電極と前記配線基板の導体配線
とが整合するように前記配線基板の前記導体配線を有す
る面上に位置決めした半導体素子と、 前記配線基板の前記導体配線を有する面に付着されて前
記突起電極核を弾性変形させて前記金属層を前記導体配
線に電気的に弾性接触させた状態で前記半導体素子を前
記配線基板に固定する絶縁性樹脂とを備えた半導体装置
。 - （４）絶縁性の配線基板の導体配線を有する面の半導体
素子接続部位に絶縁性樹脂を塗布する工程と、 弾性を有する突起状の絶縁体からなる突起電極核と前記
突起電極核の上面から前記半導体素子の配線に及び前記
配線に電気的に接続された金属層とで構成される突起電
極を配線の一部に有する半導体素子を、前記突起電極と
前記配線基板の導体配線とが整合するように前記配線基
板の前記導体配線を有する面上に位置決めする工程と、 前記突起電極核を弾性変形させて前記金属層が前記導体
配線に電気的に弾性接触するように前記半導体素子を前
記配線基板に対して加圧する工程と、 前記半導体素子を加圧した状態で前記絶縁性樹脂を硬化
させて前記半導体素子を前記配線基板に固着する工程と
を含む半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1199799A JP2744476B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1199799A JP2744476B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0362927A true JPH0362927A (ja) | 1991-03-19 |
| JP2744476B2 JP2744476B2 (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=16413818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1199799A Expired - Fee Related JP2744476B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2744476B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5749997A (en) * | 1995-12-27 | 1998-05-12 | Industrial Technology Research Institute | Composite bump tape automated bonding method and bonded structure |
| US5861661A (en) * | 1995-12-27 | 1999-01-19 | Industrial Technology Research Institute | Composite bump tape automated bonded structure |
| US6008072A (en) * | 1995-12-27 | 1999-12-28 | Industrial Technology Research Institute | Tape automated bonding method |
| US6194780B1 (en) | 1995-12-27 | 2001-02-27 | Industrial Technology Research Institute | Tape automated bonding method and bonded structure |
| US6365500B1 (en) * | 1994-05-06 | 2002-04-02 | Industrial Technology Research Institute | Composite bump bonding |
| US6881611B1 (en) | 1996-07-12 | 2005-04-19 | Fujitsu Limited | Method and mold for manufacturing semiconductor device, semiconductor device and method for mounting the device |
| JP2010093674A (ja) * | 2008-10-10 | 2010-04-22 | Epson Toyocom Corp | 圧電デバイス及び圧電基板の製造方法 |
| US7994638B2 (en) | 2007-05-11 | 2011-08-09 | Panasonic Corporation | Semiconductor chip and semiconductor device |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4572376B2 (ja) | 2007-07-30 | 2010-11-04 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法および電子デバイスの製造方法 |
| JP4396746B2 (ja) | 2007-08-13 | 2010-01-13 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス |
| JP5003592B2 (ja) * | 2008-05-21 | 2012-08-15 | セイコーエプソン株式会社 | サーマルヘッドおよびサーマルプリンタ |
| KR101381644B1 (ko) * | 2011-09-29 | 2014-04-14 | 한국과학기술원 | 반도체소자의 범프 전극 구조 및 그 제조방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61259548A (ja) * | 1985-05-14 | 1986-11-17 | Citizen Watch Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS63252447A (ja) * | 1987-04-09 | 1988-10-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の突起電極形成方法 |
| JPH02272737A (ja) * | 1989-04-14 | 1990-11-07 | Citizen Watch Co Ltd | 半導体の突起電極構造及び突起電極形成方法 |
-
1989
- 1989-07-31 JP JP1199799A patent/JP2744476B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61259548A (ja) * | 1985-05-14 | 1986-11-17 | Citizen Watch Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS63252447A (ja) * | 1987-04-09 | 1988-10-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の突起電極形成方法 |
| JPH02272737A (ja) * | 1989-04-14 | 1990-11-07 | Citizen Watch Co Ltd | 半導体の突起電極構造及び突起電極形成方法 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6365500B1 (en) * | 1994-05-06 | 2002-04-02 | Industrial Technology Research Institute | Composite bump bonding |
| US5749997A (en) * | 1995-12-27 | 1998-05-12 | Industrial Technology Research Institute | Composite bump tape automated bonding method and bonded structure |
| US5861661A (en) * | 1995-12-27 | 1999-01-19 | Industrial Technology Research Institute | Composite bump tape automated bonded structure |
| US6008072A (en) * | 1995-12-27 | 1999-12-28 | Industrial Technology Research Institute | Tape automated bonding method |
| US6194780B1 (en) | 1995-12-27 | 2001-02-27 | Industrial Technology Research Institute | Tape automated bonding method and bonded structure |
| US6881611B1 (en) | 1996-07-12 | 2005-04-19 | Fujitsu Limited | Method and mold for manufacturing semiconductor device, semiconductor device and method for mounting the device |
| US7994638B2 (en) | 2007-05-11 | 2011-08-09 | Panasonic Corporation | Semiconductor chip and semiconductor device |
| JP2010093674A (ja) * | 2008-10-10 | 2010-04-22 | Epson Toyocom Corp | 圧電デバイス及び圧電基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2744476B2 (ja) | 1998-04-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2891184B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH05144817A (ja) | 電子部品実装接続体およびその製造方法 | |
| JPH0362927A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0618555A (ja) | マイクロスプリングコンタクト、マイクロスプリングコンタクトの集合体、該マイクロスプリングコンタクトの集合体からなる電気的接続用端子及びマイクロスプリングコンタクトの製造方法 | |
| JP2502794B2 (ja) | 半導体装置 | |
| GB2378578A (en) | Semiconductor device encapsulation | |
| JPH07101691B2 (ja) | 電極の形成方法 | |
| JPH09260581A (ja) | 複合半導体装置の製造方法 | |
| JP2661382B2 (ja) | Ｌｓｉチップの接続方法 | |
| JP2532720B2 (ja) | 回路基板及び半導体装置 | |
| JPH05175199A (ja) | 突起電極の形成方法 | |
| JP3999222B2 (ja) | フリップチップ実装方法およびフリップチップ実装構造 | |
| JPS62132331A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4245365B2 (ja) | 多層基板の製造方法およびそれを用いた回路装置の製造方法 | |
| JP2503735B2 (ja) | 集積回路素子の接続方法 | |
| JP2822630B2 (ja) | 半導体素子への突起電極形成方法 | |
| JPH0536960A (ja) | イメージセンサの製造方法 | |
| JPH02267941A (ja) | 突起電極の形成方法 | |
| JPH0671027B2 (ja) | 半導体素子の実装方法 | |
| JPH02135763A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2738203B2 (ja) | 印刷配線板の製造方法 | |
| JPH06302649A (ja) | 半導体装置の接続方法 | |
| JP2998507B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0656862B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0520901B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |