JPH081979A

JPH081979A - サーマルヘッド

Info

Publication number: JPH081979A
Application number: JP14500294A
Authority: JP
Inventors: Koji Shigemura; 幸治重村
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1994-06-27
Filing date: 1994-06-27
Publication date: 1996-01-09

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明の目的は、コストが安く、高速印字がで
き、低消費電力駆動可能でかつ信頼性の高いサーマルヘ
ッドを提供することである。【構成】絶縁基板１上の所定の領域に定められた発熱部
２と、この発熱部２を挟んで前記絶縁基板１上に形成さ
れた電極３，３’と、発熱部２及び電極３，３’を連続
的に覆う抵抗体４と、この抵抗体４の表面を陽極酸化し
た陽極酸化膜５とから構成されており、発熱部付近の抵
抗体４の幅Ｗ₁ 、電極３，３’の幅をＷ₂、発熱部２の
幅をＷ₃ 、発熱部２の長さをＬ、Ｗ₃ の終端部分とＷ₁
の発熱部側の終端部分との長さ方向の差をΔＬと定義し
た場合、（１）Ｗ₁ ≧Ｗ₃ ≧Ｗ₂ かつＷ₁ ／Ｗ₂ ≦１．
３０の関係、（２）０．９６Ｗ₁ ＞Ｗ₃ ≧Ｗ₂ かつＷ₁
／Ｗ₂ ≦１．２０かつΔＬ／Ｌ≦０．３０の関係の少な
くともいずれか一つが成立する抵抗体形状を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はインクジェットプリン
タ，または熱転写式プリンタ，または感熱式プリンタに
使用されるサーマルヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種のサーマルヘッドは、特開
昭６１−２６０６０４号公報に開示されており、図１４
はそのサーマルヘッドの構造及びローラを示す断面図で
ある。図１４において、このサーマルヘッドは、基板３
１上に低抗体３２が形成されており、その上に発熱部３
３となる部分以外に導体３４が形成されている。さら
に、発熱部３３の所の低抗体３２の表面は陽極酸化膜３
５で覆われており、陽極酸化膜３５と導体３４はさらに
保護層３６で覆われている。感熱紙３７はゴムローラ３
８により発熱部３３上の保護層３６に押し付けられて記
録される。

【０００３】このような構造のサーマルヘッドにおい
て、導体３４に通電すると、発熱部３３の所の低抗体３
２が加熱され、感熱紙上にドットが印字される。

【０００４】また、別の従来のサーマルヘッドが、特開
昭６０−１０９８５０号公報に開示されており、図１５
はそのサーマルヘッドの構造を示す断面図である。

【０００５】図１５において、このサーマルヘッドは、
シリコン基板４１上に断熱層４２，低抗体４３及び導体
４４を形成し、発熱部４５となる部分の上の導体４４を
除去し、そして低抗体４３及び導体４４，４４’を陽極
酸化して表面に五酸化タンタル４６及び酸化アルミニウ
ム４７，４７’を形成したものである。またこのサーマ
ルヘッドの上に粘着層４８，４８’を介して障壁４９，
４９’及びオリフィスプレート５０，５０’が接着され
ている。

【０００６】このような構造のサーマルヘッドにおい
て、導体４４，４４’を通電すると、発熱部４５の所の
低抗体４３が加熱し、サーマルヘッド上のインク（図示
せず）が沸騰し、インクがオリフィス５１より叶出し、
印字用紙（図示せず）上にドットが印字される。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記特開昭６１−２６
０６０４号公報に記載のサーマルヘッドでは、低抗体３
２，導体３４及び保護層３６がスパッタリングより成膜
されるため、スパッタリングプロセスが３回必要であ
る。このスパッタリングプロセスはその設備及びスパッ
タリング用ターゲットが高価であるため、コストが高く
なるという問題点があった。

【０００８】また、感熱式プリンタに使用されるサーマ
ルヘッドを例に説明したが、インクジェットプリンタの
サーマルヘッドも構造は同様である。インクジェットプ
リンタの場合、サーマルヘッドはインク雰囲気中に置か
れる。導体３４はアルミニウムまたは銅などが使用され
るが、これらはインクに接すると腐食する。従って保護
層３６はインクの浸入を防ぐ必要がある。保護層３６は
スパッタリングにより成膜されるがスパッタリング膜は
微視的に多孔性であり、スパッタリング膜を保護層とし
て使用するには膜圧を厚くする必要がある。したがっ
て、従来のサーマルヘッドは保護層が厚くなっているた
め、保護層の部分の熱容量が大きく、熱応答性が悪く、
印字速度を速くできないばかりでなく、入力電力を大き
くしなければならず、消費電力が大きいという問題点が
あった。

【０００９】例えば、上述の構造のサーマルヘッドの場
合、保護層のピンホールの影響をなくすためには、１．
５μｍの厚さの保護層が必要で、この時、基板として熱
酸化膜が１．３５μｍ付いたシリコンウェーハを用い、
保護層として窒化シリコンを用いた場合、熱応答性は約
１０ｋＨｚであり、発熱部への入力電力はバブルを発生
させるために１０００Ｗ／ｍｍ２必要であった。

【００１０】また、特開昭６０−１０９８５０号公報に
記載のサーマルヘッドにおいては、スパッタリングプロ
セスは低抗体４３と導体４４の２回であり、コストは安
価になるが次のような問題点があった。すなわち、サー
マルヘッド表面は五酸化タンタル４６及び酸化アルミニ
ウム４７，４７’で覆われているが、両者が別物質であ
り化学的に結合しないため、両者の境界部Ｂ，Ｂ’にマ
イクロスリットが生じやすく、又サーマルヘッド駆動時
熱ストレスが境界部に発生するため、境界部からのイン
ク浸入や境界部の破壊が置き、耐久性が短い。

【００１１】また、低抗体４３と導体４４，４４’は別
物質であるため、それぞれに最適な陽極酸化条件は異な
るが、このサーマルヘッドの場合、五酸化タンタル４６
と酸化アルミニウム４７の形成のため同時に陽極酸化す
るので、両者に最適な陽極酸化膜の形成が難しいという
問題点があった。例えば、この構造のサーマルヘッドの
場合、耐久性は１０の６乗パルス程度であり、破壊は両
者の境界部Ｂ，Ｂ’で生じていた。

【００１２】それ故、本発明は、このような問題点を解
決するもので、サーマルヘッドの耐久性を向上させ、安
価でかつ低消費電力でしかも高速印字を行うことができ
るサーマルヘッドを提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記した問題点を解消す
るため、本発明によるサーマルヘッドは、絶縁基板上の
所定の領域に定められた発熱部と、この発熱部を挟んで
絶縁基板上に形成された電極と、発熱部及び電極を連続
的に覆う低抗体と、この低抗体表面を陽極酸化した保護
層とを含んでおり、発熱部付近の電極を覆う抵抗体幅を
Ｗ₁ 、発熱部付近の電極幅をＷ₂ 、発熱部幅Ｗ₃ 、発熱
部長さをＬ、Ｗ₃ の終端部分とＷ₁ の発熱部側の終端部
分との長さ方向の差をΔＬと定義した場合、（１）Ｗ₁
≧Ｗ₃ ≧Ｗ₂ かつＷ₁ ／Ｗ₂ ≦１．３０の関係、（２）
０．９６Ｗ₁ ＞Ｗ₃ ≧Ｗ₂ かつＷ₁ ／Ｗ₂ ≦１．２０か
つΔＬ／Ｌ≦０．３０の関係の少なくともいずれか一つ
が成立することを特徴とする。この関係を満たすことに
より、発熱ピーク部の発熱量Ｐｍａｘと発熱部の中心で
の発熱量ＰＯとの比Ｐｍａｘ／ＰＯが２．００以下にな
り、熱的破壊がなく、長時間使用しても信頼性が低下し
ない。

【００１４】

【実施例】本発明の実施例について図面を参照して説明
する。

【００１５】図１は、本発明の代表的実施例を示すサー
マルヘッドを示す平面図、図２は図１のサーマルヘッド
のＡ−Ａ’断面である。

【００１６】図において、シリコン基板１の表面に導体
の電極３，３’が形成され、その上が低抗体４で覆われ
ている。発熱部２は電極３，３’の間に形成され、その
発熱部は導体でなく低抗体４だけが形成される。低抗体
４の表面は陽極酸化され、保護層として陽極酸化膜５が
形成される。なお、電極３，３’の発熱部２との境界面
は、傾斜している。

【００１７】本実施例では、発熱部２とその周辺の電極
３，３’と低抗体４の形状が発熱部２の発熱分布に影響
するが、このことについては後述するとして、ここでは
はじめに実施例のサーマルヘッドの製造方法について説
明する。

【００１８】最初、表面に膜厚が１．３５μｍの熱酸化
膜が付いたシリコン基板１上に導体材料としてアルミニ
ウムがスパッタリングで０．５μｍ成膜される。次に、
フォトリソグラフィ工程により、発熱部２となる部分及
び隣接する導体との間の部分がエッチング液で除去され
電極３，３’が形成される。電極３，３’は図１の破線
で囲まれた領域の電極パターンである。

【００１９】次に、抵抗体材料としてタンタルがスパッ
タリングで０．２６μｍ成膜され、フォトリソグラフィ
工程により、電極３，３’及び発熱部２を連続的に覆う
ように、隣接する低抗体との間の部分が除去され低抗体
４が形成される。低抗体４は図１の実線で囲まれた領域
の低抗体パターンである。

【００２０】次に、０．１％燐酸水溶液中で低抗体４を
陽極として１４７Ｖが印加されて低抗体４の表面が陽極
酸化され、０．３μｍの五酸化タンタルの陽極酸化膜５
が形成される。この時、陽極酸化されなかった低抗体４
の厚さは０．１μｍとなる。

【００２１】電極３，３’を構成する材料としては、電
気伝導性の高いアルミニウムやアルミニウム−銅、アル
ミニウム−シリコンなどのアルミニウム合金を使用する
ことができる。また、低抗体４を構成する材料として
は、ある程度の大きさの体積抵抗率を有し、かつ耐熱性
の優れたタンタル、窒化タンタル等を使用することがで
きる。

【００２２】このような構造のサーマルヘッドにおい
て、電極３，３’間に電圧を印加することにより、発熱
部２には電極が存在せず低抗体のみで構成されているの
で抵抗値が高くなっているため発熱部２で発熱するよう
になっている。

【００２３】ここで、本発明の実施例においてはスパッ
タリグプロセスは導体３，３’及び抵抗体４の２回であ
り、安価になる。また、バブルを発生させるために必要
な発熱部への入力電力は６５０Ｗ／ｍｍ２であり、低消
費電力である。

【００２４】さらに、低抗体のタンタルの陽極酸化膜５
は科学量論的に五酸化タンタル（Ｔａ２０５）になって
おり、非常に緻密であるため、陽極酸化されなかった低
抗体４の膜圧は０．１μｍ以上あれば良く、非常に薄く
できる。その結果、２０ｋＨｚ以上の高速で駆動でき
る。

【００２５】また、陽極参加する材料は、抵抗体材料の
タンタルのみであるので、これに合った最適な条件で行
うことができ、また、導体３，３’及び発熱部２は表面
が陽極酸化された低抗体で連続的に覆われており、不連
続部がないため、耐久性が向上する。本実施例の場合、
１０７パルス程度の耐久性があるサーマルヘッドが得ら
れた。これは、従来のサーマルヘッドに比べて約１０倍
耐久性が向上している。

【００２６】本実施例のサーマルヘッドでは、発熱部２
の発熱分布が発熱部２の形状によって大きく影響を受け
ることが判明した。図１１は、図１０に示すサーマルヘ
ッドの抵抗体形状について、低抗体の電位分布に関する
ラプラスの方程式を基にしたシミュレーションによって
算出した発熱分布である。ここで、図１０に示す抵抗体
形状は上下左右対称であることから、図１に示すよう
に、図１０の左下１／４の領域だけの発熱分布を示せば
十分である。シミュレーションに用いた条件は、入力電
圧が５．８Ｖ、低抗体４の膜圧が０．１μｍ、低抗体４
の抵抗率が１．５５μΩｍである。図１１より発熱部２
の絞り込みの部分で発熱のピークが発生していることが
確認される。この時、発熱部２の中心位置の発熱量ＰＰ
Ｏに対する発熱ピーク部の発熱量Ｐｍａｘの割合Ｐｍａ
ｘ／ＰＯは２．６６である。この場合、サーマルヘッド
駆動時に発熱部２領域内において、Ｐｍａｘの発熱量を
もつ７，７’で大きな熱的衝撃がかかり、長時間サーマ
ルヘッドを駆動していくと、そこから破壊が発生する。
その結果、サーマルヘッドの信頼性低下の大きな原因と
なる。

【００２７】図３は、実施例１のサーマルヘッドで、サ
ーマルヘッド駆動時における局所的な電流集中を低減さ
せた抵抗体形状で、この形状は低抗体の電位分布に関す
るラプラスの方程式を基にしたシミュレーションによっ
て算出した発熱分布より決定した例である。形状を決定
する際のパラメータとして、電極３，３’を覆う低抗体
４の幅Ｗ1 、電極３，３’の幅Ｗ₂ 、発熱部２の幅Ｗ
₃ 、発熱部２の長さＬに対する発熱部２の幅Ｗ₃ の終端
部分と低抗体４の幅Ｗ₁ の発熱部側の終端部分との長さ
方向の差ΔＬの４つが上げられる。

【００２８】図４から図６は４つのパラメータに対する
発熱分布に及ぼす影響を示す特性図である。ここで発熱
分布に及ぼす影響というのは、発熱部２の中心位置の発
熱量ＰＯに対する発熱ピーク部の発熱量Ｐｍａｘの割合
Ｐｍａｘ／ＰＯが１．００に近い値ほど発熱部２の発熱
分布が均一に近いといえる。一方、発熱分布を種々変え
た発熱部を有するサーマルヘッドを試作し評価したとこ
ろ、割合Ｐｍａｘ／ＰＯが２．００以下であれば、サー
マルヘッドの寿命に大きな影響を及ぼさないことが判明
した。従って、Ｐｍａｘ／ＰＯの値は２．００以下が望
ましい。

【００２９】図４は電極３，３’の幅Ｗ₂ に対する低抗
体４の幅Ｗ₁ を変化させたときの割合Ｐｍａｘ／ＰＯの
変化を示す図である。図４において、Ｗ₁ ／Ｗ₂ が１．
３０を越えると、電極を覆わない低抗体の幅（Ｗ₁ −Ｗ
₂ ）の部分の領域が増大することによる電流の回り込み
が発生し、局所的な電流集中を引き起こすことが確認さ
れる。Ｗ₁ ／Ｗ₂ が１．３０以下ではＰｍａｘ／ＰＯが
２．００以下であることから、Ｗ₁ ／Ｗ₂ は１．３０以
下が望ましい。また、Ｗ₁ ／Ｗ₂ が１．２０以下になる
と、Ｐｍａｘ／ＰＯが１．５０以下と小さくなる。この
ため、低抗体パターン形成時のアライメント精度などに
よる製造条件上の制約が無ければ、Ｗ₁／Ｗ₂ が１．２
０以下にする方が発熱分布のさらなる均一化を図ること
ができる。

【００３０】図５は電極３，３’を覆う低抗体４の幅Ｗ
1 に対する発熱部２の幅Ｗ₃ を変化させたときのＰｍａ
ｘ／ＰＯの変化を示す図である。図５において、Ｗ₃ ／
Ｗ₁が１．００を越えると、発熱部２幅Ｗ₃ が低抗体４
幅Ｗ1 を越えた領域で電流の回り込みが発生し、局所的
な電流集中が引き起こされる。このため、Ｗ₃ ／Ｗ₁が
１．００以下であることが望ましい。また、Ｗ₃ ／Ｗ₁
が１．００以下であることが望ましい。また、Ｗ₃ ／Ｗ
₁ が０．８９以上（Ｗ₃ ／Ｗ₂ が１．０より大きい）で
０．９６以下のところではＰｍａｘ／ＰＯが１．５０以
下であるため、発熱分布はより均一化される。

【００３１】図６は０．９６Ｗ₁ ＞Ｗ₃ ≧Ｗ₂ かつＷ₂
≦１．２０である時の、発熱部２の長さＬに体する発熱
部２の幅Ｗ₃ の終端部分と低抗体４幅Ｗ₁ の発熱部側の
終端部分との上では、電流の回り込みが発熱部２の中央
近辺にまで及ぶため急激にＰｍａｘ／ＰＯの値が増加す
る。ΔＬ／Ｌが０．３０以下のところでは、Ｐｍａｘ／
ＰＯが１．５０以下であるため、発熱分布はより均一化
され、望ましい。

【００３２】図３のサーマルヘッドは前記４つのパラメ
ータを考慮した抵抗体形状を有する。図３に示したサー
マルヘッドの抵抗体形状は、Ｗ₃ ＝０．９２Ｗ₁ ＞Ｗ
₂ 、Ｗ₁ ／Ｗ₂ ＝１．１３、ΔＬ／Ｌ＝０．０５であ
る。このとき低抗体の電位分布に関するラプラスの方程
式を基にしたシミュレーションによって算出した発熱分
布を図７に示す。ここで、図３のサーマルヘッドの抵抗
体形状は上下左右対称であることから、図３の左下１／
４の領域での発熱分布を図７に示す。また、シミュレー
ションに用いた条件は、入力電圧が５．８Ｖ、低抗体４
の膜厚が０．１μｍ、低抗体４の抵抗率が１．５５μΩ
ｍである。図１２，１３の場合と比較しても明らかなよ
うに、絞り込みの部分での発熱のピークが緩和されてお
り、この時のＰｍａｘ／ＰＯは１．１９である。その結
果、低抗体の負荷は軽減されるため、耐電力性が向上す
る。

【００３３】図８は本発明の第二の実施例（実施例２）
のサーマルヘッドの一部平面図である。図８に示すサー
マルヘッドの抵抗体形状は、Ｗ₃ ＝Ｗ₁ ＞Ｗ₂ 、Ｗ₁ ／
Ｗ₂＝１．１３、ΔＬ＝０である。図９は、この抵抗体
形状に対して低抗体の電位分布に関するラプラスの方程
式を基にしたシミュレーションによって算出した発熱分
布を示す平面図である。ここで、図８に示すサーマルヘ
ッドの抵抗体形状は上下左右対称であることから、図９
は図８の左下１／４の領域での発熱分布を示す。シミュ
レーションに用いた条件は、入力電圧が５．８Ｖ、低抗
体４の膜厚が５．８Ｖ、抵抗体４の膜厚が０．１μｍ、
低抗体４の抵抗率が１．５５μΩｍである。図１２，１
３と比較すると、図８のサーマルヘッドは絞り込みの部
分が存在いないため、発熱のピークが電力３，３’付近
で見られるが、Ｐｍａｘ／ＰＯは１．７５と図１３の場
合よりも改善されている。その結果、低抗体の付加は軽
減されるため、耐電力性が向上する。

【００３４】前述の実施例１，２と同様にして、４つの
パラメータを考慮した抵抗体形状を有するサーマルヘッ
ドの実施例３，４，５，の諸特性を表１に示す。また比
較例として２つの抵抗体計形状を記した。それぞれの抵
抗体形状においてのＰｍａｘ／ＰＯ、また抵抗体４にタ
ンタルを適用した試作品の破壊電力値のデータも合わせ
て表１に示す。全ての資料のデータにおいて、Ｐｍａｘ
／ＰＯの値が１．００に近いほど破壊電力値が大きくな
ることから、シミュレーションの妥当性が確認される。

【００３５】全ての実施例では、（１）Ｗ₁ ≧Ｗ₃ ≧Ｗ
₂ かつＷ₁ ／Ｗ₂ ≦１．３０の関係を満たし、（２）
０．９６Ｗ₁ ／Ｗ₂ ≦１．２０かつΔＬ／Ｌ≦０．３０
の関係を満たす。（１），（２）の少なくともいずれか
一つが成立すればよい。ここで（２）の関係は（１）の
関係も含んでいることから、（２）の関係が成立する抵
抗体形状は（１）の関係も満足する。実施例１，３，
４，５は（２）の関係を満足し、実施例２，６（１）の
みを満足した抵抗体形状を有する例である。

【００３６】これに対し、比較例１は（１）のみを満足
していないＷ₁ ＝Ｗ₃ である抵抗体形状を有した例であ
り、比較例２は（１），（２）のいずれかの関係も満足
していないＷ₁ ＞Ｗ₃ である抵抗体形状を有した例であ
る。また、図１０に示すサーマルヘッドでの抵抗体形状
においても、（１），（２）のいずれの関係も満足して
いない。

【００３７】この結果、図１０と比較例１，２ではＰｍ
ａｘ／ＰＯの値は２．００以上となっているのに対し、
実施例では全て２．００未満となっている。従って、抵
抗体の付加が軽減されたため破壊電力値が増加し信頼性
が向上した。

【００３８】また、（２）の関係を満足している実施例
１，３，４，５は、（１）のみを満足している実施例
２，６と比較してＰｍａｘ／ＰＯの値が１．００に近い
値となっている。従って、（２）の関係を満足する抵抗
体形状を適用することによって発熱分布はより均一化さ
れ、破壊電力値が増加し信頼性がより向上した。

【００３９】

【表１】

【００４０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
スパッタリングが２工程で済み低コストで、しかも抵抗
体の膜厚を薄くできるので高速印字可能・低消費電力駆
動可能であり、（１）又は（２）の条件により長寿命を
保証し得る信頼性の高いサーマルヘッドが得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の代表的実施例のサーマルヘッドを示す
平面図である。

【図２】図１のＡ−Ａ’断面図である。

【図３】本発明の実施例１のサーマルヘッドの一部を示
す平面図である。

【図４】電極幅Ｗ₂ に対する抵抗体幅Ｗ₁ を変化させた
ときの発熱分布の割合Ｐｍａｘ／ＰＯの変化を示す図で
ある。

【図５】抵抗体幅Ｗ₁ に対する発熱部幅Ｗ₃ を変化させ
たときのＰｍａｘ／ＰＯの変化を示す図である。

【図６】発熱部長さＬに対する発熱部幅Ｗ₃ の終端部分
と抵抗体幅Ｗ₁ の発熱部側の終端部分との長方向の差Δ
Ｌを変化させたときのＰｍａｘ／ＰＯの変化を示す図で
ある。

【図７】本発明の実施例１で用いた抵抗体形状について
シミュレーションによって算出した発熱分布を示す拡大
図である。

【図８】本発明の実施例２のサーマルヘッドの一部を示
す平面図である。

【図９】本発明の実施例２で用いた抵抗体形状について
シミュレーションによって算出した発熱分布を示す拡大
図である。

【図１０】比較のためのサーマルヘッドの例を示す平面
図である。

【図１１】図１０の例で用いた抵抗体形状についてシミ
ュレーションによって算出した発熱分布を示す拡大図で
ある。

【図１２】従来のサーマルヘッドを示す断面図である。

【図１３】従来の別のサーマルヘッドを示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１基板２発熱部３，３’ 電極４，４’ 抵抗体５，５’ 陽極酸化膜６電極を被覆しない抵抗体の領域７，７’ 発熱部２内の局所的な領域

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁基板上の所定の領域に定められた発
熱部と、この発熱部を挟んで前記絶縁基板上に形成され
た電極と、前記発熱部及び前記電極を連続的に覆う低抗
体と、この抵抗体表面を陽極酸化した保護層とを含み、
前記発熱部付近の電極を覆う前記低抗体の幅をＷ₁ 、前
記発熱部付近の電極幅をＷ₂ 、前記発熱部の幅をＷ₃ と
定義した場合、Ｗ₁ ≧Ｗ₃ ≧Ｗ₂ の関係かつＷ₁ ／Ｗ₂
≦１．３０の関係を満たすことを特徴とするサーマルヘ
ッド。
【請求項２】前記低抗体の幅Ｗ₁ と前記発熱部の幅Ｗ
₃ がＷ₁ ＞Ｗ₃ の関係にある時、前記発熱部の長さを
Ｌ、前記発熱部の幅Ｗ₃ の終端部分と前記低抗体の幅Ｗ
₁ の発熱部側の終端部分との長さ方向の差をΔＬを定義
した場合、０．９６Ｗ₁ ＞Ｗ₃ ≧Ｗ₂ かつＷ₁ ／Ｗ₂ ≦
１．２０かつΔＬ／Ｌ≦０．３０の関係を満たすことを
特徴とするサーマルヘッド。