JPH08198941A - エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置Info
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- JPH08198941A JPH08198941A JP2754795A JP2754795A JPH08198941A JP H08198941 A JPH08198941 A JP H08198941A JP 2754795 A JP2754795 A JP 2754795A JP 2754795 A JP2754795 A JP 2754795A JP H08198941 A JPH08198941 A JP H08198941A
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- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 title claims abstract description 41
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 28
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 58
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims abstract description 19
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims abstract description 11
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims abstract description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims abstract description 4
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 27
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 10
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 8
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 15
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 5
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 abstract 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract 1
- LMBFAGIMSUYTBN-MPZNNTNKSA-N teixobactin Chemical compound C([C@H](C(=O)N[C@@H]([C@@H](C)CC)C(=O)N[C@@H](CO)C(=O)N[C@H](CCC(N)=O)C(=O)N[C@H]([C@@H](C)CC)C(=O)N[C@@H]([C@@H](C)CC)C(=O)N[C@@H](CO)C(=O)N[C@H]1C(N[C@@H](C)C(=O)N[C@@H](C[C@@H]2NC(=N)NC2)C(=O)N[C@H](C(=O)O[C@H]1C)[C@@H](C)CC)=O)NC)C1=CC=CC=C1 LMBFAGIMSUYTBN-MPZNNTNKSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 27
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Chemical compound O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 7
- 239000004203 carnauba wax Substances 0.000 description 6
- 235000013869 carnauba wax Nutrition 0.000 description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 5
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical group C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 4
- VEORPZCZECFIRK-UHFFFAOYSA-N 3,3',5,5'-tetrabromobisphenol A Chemical compound C=1C(Br)=C(O)C(Br)=CC=1C(C)(C)C1=CC(Br)=C(O)C(Br)=C1 VEORPZCZECFIRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- -1 cyclic organic bases Chemical class 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 3
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 3
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 2
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 2
- CMQUQOHNANGDOR-UHFFFAOYSA-N 2,3-dibromo-4-(2,4-dibromo-5-hydroxyphenyl)phenol Chemical compound BrC1=C(Br)C(O)=CC=C1C1=CC(O)=C(Br)C=C1Br CMQUQOHNANGDOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000010680 novolac-type phenolic resin Substances 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 125000005480 straight-chain fatty acid group Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 本発明は、（Ａ）ジシクロペンタジエン骨格
含有エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）アミ
ンなどの有機塩基をごく微量添加した、エポキシ基を含
有するシランカップリング剤、（Ｄ）角とり結晶シリカ
粉末および（Ｅ）硬化促進剤を必須成分とし、樹脂組成
物に対して前記（Ｄ）の角とり結晶シリカ粉末を25〜90
重量％の割合で含有してなるエポキシ樹脂組成物であ
り、また、このエポキシ樹脂組成物の硬化物によって、
半導体チップを封止した半導体封止装置である。 【効果】 本発明のエポキシ樹脂組成物および半導体封
止装置は、相乗的に耐湿性、半田耐熱性、成形性、高熱
伝導性に優れ、また、薄型パッケージ等の充填性にも優
れ、吸湿による影響が少なく、電極の腐蝕による断線や
水分によるリーク電流の発生等を著しく低減することが
でき、しかも長期間にわたって信頼性を保証することが
できる。
含有エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）アミ
ンなどの有機塩基をごく微量添加した、エポキシ基を含
有するシランカップリング剤、（Ｄ）角とり結晶シリカ
粉末および（Ｅ）硬化促進剤を必須成分とし、樹脂組成
物に対して前記（Ｄ）の角とり結晶シリカ粉末を25〜90
重量％の割合で含有してなるエポキシ樹脂組成物であ
り、また、このエポキシ樹脂組成物の硬化物によって、
半導体チップを封止した半導体封止装置である。 【効果】 本発明のエポキシ樹脂組成物および半導体封
止装置は、相乗的に耐湿性、半田耐熱性、成形性、高熱
伝導性に優れ、また、薄型パッケージ等の充填性にも優
れ、吸湿による影響が少なく、電極の腐蝕による断線や
水分によるリーク電流の発生等を著しく低減することが
でき、しかも長期間にわたって信頼性を保証することが
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、耐湿性、半田耐熱性、
成形性、熱伝導性に優れたエポキシ樹脂組成物および半
導体封止装置に関する。
成形性、熱伝導性に優れたエポキシ樹脂組成物および半
導体封止装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の分野において、
高集積化、高信頼性化の技術開発と同時に半導体装置の
実装工程の自動化が推進されている。例えばフラットパ
ッケージ型の半導体装置を回路基板に取り付ける場合
に、従来、リードピン毎に半田付けを行っていたが、最
近では半田浸漬方式や半田リフロー方式が採用されてい
る。
高集積化、高信頼性化の技術開発と同時に半導体装置の
実装工程の自動化が推進されている。例えばフラットパ
ッケージ型の半導体装置を回路基板に取り付ける場合
に、従来、リードピン毎に半田付けを行っていたが、最
近では半田浸漬方式や半田リフロー方式が採用されてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のノボラック型エ
ポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ノボラック型フェノール
樹脂および無機充填剤からなる樹脂組成物によって封止
した半導体装置は、装置全体の半田浴浸漬を行うと耐湿
性が低下するという欠点があった。特に吸湿した半導体
装置を浸漬すると、封止樹脂と半導体チップ、あるいは
封止樹脂とリードフレームとの間の剥がれや、内部樹脂
クラックが生じて著しい耐湿性劣化を起こし、電極の腐
蝕による断線や水分によるリーク電流を生じ、その結
果、半導体装置は、長期間の信頼性を保証することがで
きないという欠点があった。
ポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ノボラック型フェノール
樹脂および無機充填剤からなる樹脂組成物によって封止
した半導体装置は、装置全体の半田浴浸漬を行うと耐湿
性が低下するという欠点があった。特に吸湿した半導体
装置を浸漬すると、封止樹脂と半導体チップ、あるいは
封止樹脂とリードフレームとの間の剥がれや、内部樹脂
クラックが生じて著しい耐湿性劣化を起こし、電極の腐
蝕による断線や水分によるリーク電流を生じ、その結
果、半導体装置は、長期間の信頼性を保証することがで
きないという欠点があった。
【０００４】また、無機充填剤を高充填することによ
り、樹脂分の割合が少なくなり、樹脂組成物の低吸湿化
を図れるが、それに伴い流動性が著しく損なわれるばか
りでなく、樹脂等の有機分と無機質充填剤との界面が多
くなるため、内部樹脂クラックがその界面を伝って外部
樹脂クラックへと進行するという欠点があった。
り、樹脂分の割合が少なくなり、樹脂組成物の低吸湿化
を図れるが、それに伴い流動性が著しく損なわれるばか
りでなく、樹脂等の有機分と無機質充填剤との界面が多
くなるため、内部樹脂クラックがその界面を伝って外部
樹脂クラックへと進行するという欠点があった。
【０００５】さらに、高集積化に伴う半導体素子の発熱
量の増大により、パッケージ構造ばかりでなく封止樹脂
においても、熱伝導率のよい材料が求められつつある。
結晶シリカは溶融シリカ等に比べて熱伝導率が高いた
め、これを充填材として用いた組成物は、高い熱伝導率
が期待できるが、鋭角な破砕形の結晶シリカでは高充填
化した際に良好な流動性が得られないという欠点があっ
た。
量の増大により、パッケージ構造ばかりでなく封止樹脂
においても、熱伝導率のよい材料が求められつつある。
結晶シリカは溶融シリカ等に比べて熱伝導率が高いた
め、これを充填材として用いた組成物は、高い熱伝導率
が期待できるが、鋭角な破砕形の結晶シリカでは高充填
化した際に良好な流動性が得られないという欠点があっ
た。
【０００６】本発明は、上記の欠点を解消するためにな
されたもので、吸湿の影響が少なく、特に半田浴浸漬後
の耐湿性、半田耐熱性、成形性、流動性、高熱伝導性に
優れ、封止樹脂と半導体チップあるいは封止樹脂とリー
ドフレームとの間の剥がれや、内部樹脂クラックの発生
がなく、また電極の腐蝕による断線や水分によるリーク
電流の発生もなく、長期信頼性を保証できるエポキシ樹
脂組成物および半導体封止装置を提供しようとするもの
である。
されたもので、吸湿の影響が少なく、特に半田浴浸漬後
の耐湿性、半田耐熱性、成形性、流動性、高熱伝導性に
優れ、封止樹脂と半導体チップあるいは封止樹脂とリー
ドフレームとの間の剥がれや、内部樹脂クラックの発生
がなく、また電極の腐蝕による断線や水分によるリーク
電流の発生もなく、長期信頼性を保証できるエポキシ樹
脂組成物および半導体封止装置を提供しようとするもの
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、特定のエポキシ
樹脂、特定のシランカップリング剤、特定の充填材を用
いることによって、耐湿性、半田耐熱性、成形性等に優
れた樹脂組成物が得られることを見いだし、本発明を完
成したものである。
を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、特定のエポキシ
樹脂、特定のシランカップリング剤、特定の充填材を用
いることによって、耐湿性、半田耐熱性、成形性等に優
れた樹脂組成物が得られることを見いだし、本発明を完
成したものである。
【０００８】即ち、本発明は、（Ａ）次の一般式で示さ
れるエポキシ樹脂、
れるエポキシ樹脂、
【０００９】
【化５】 （但し、式中n は0 又は1 以上の整数を表す） （Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）有機塩基を極微量添加し
た、次の一般式で示されるエポキシ基を有するシランカ
ップリング剤、
た、次の一般式で示されるエポキシ基を有するシランカ
ップリング剤、
【００１０】
【化６】Ｒ1 −Ｃn Ｈ2n−Ｓi （ＯＲ2 ）3 （但し、式中Ｒ1 はエポキシ基を有する原子団を、Ｒ2
はメチル基又はエチル基を、n は0 又は1 以上の整数を
それぞれ表す） （Ｄ）最大粒径が100 μm 以下の角とり結晶シリカ粉末
および（Ｅ）硬化促進剤を必須成分とし、全体の樹脂組
成物に対して前記（Ｄ）の角とり結晶シリカ粉末を25〜
90重量％の割合で含有してなることを特徴とするエポキ
シ樹脂組成物である。また、このエポキシ樹脂組成物の
硬化物によって、半導体チップが封止されてなることを
特徴とする半導体封止装置である。
はメチル基又はエチル基を、n は0 又は1 以上の整数を
それぞれ表す） （Ｄ）最大粒径が100 μm 以下の角とり結晶シリカ粉末
および（Ｅ）硬化促進剤を必須成分とし、全体の樹脂組
成物に対して前記（Ｄ）の角とり結晶シリカ粉末を25〜
90重量％の割合で含有してなることを特徴とするエポキ
シ樹脂組成物である。また、このエポキシ樹脂組成物の
硬化物によって、半導体チップが封止されてなることを
特徴とする半導体封止装置である。
【００１１】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１２】本発明に用いる（Ａ）エポキシ樹脂は、前
記の一般式化５で示されるものが使用される。また、こ
のエポキシ樹脂には、ノボラック系エポキシ樹脂、エピ
ビス系エポキシ樹脂、その他の公知のエポキシ樹脂を併
用することができる。
記の一般式化５で示されるものが使用される。また、こ
のエポキシ樹脂には、ノボラック系エポキシ樹脂、エピ
ビス系エポキシ樹脂、その他の公知のエポキシ樹脂を併
用することができる。
【００１３】本発明に用いる（Ｂ）フェノール樹脂とし
ては、前記（Ａ）のエポキシ樹脂のエポキシ基と反応し
得るフェノール性水酸基を2 個以上有するものであれば
特に制限するものではない。具体的な化合物として例え
ば
ては、前記（Ａ）のエポキシ樹脂のエポキシ基と反応し
得るフェノール性水酸基を2 個以上有するものであれば
特に制限するものではない。具体的な化合物として例え
ば
【００１４】
【化７】 （但し、n は0 又は1 以上の整数を表す）
【００１５】
【化８】 （但し、n は0 又は1 以上の整数を表す）
【００１６】
【化９】 （但し、n は0 又は1 以上の整数を表す）
【００１７】
【化１０】 （但し、n は0 又は1 以上の整数を表す）
【００１８】
【化１１】 （但し、n は0 又は1 以上の整数を表す）等が挙げら
れ、これらは単独又は混合して使用することができる。
れ、これらは単独又は混合して使用することができる。
【００１９】本発明に用いる（Ｃ）エポキシ基を有する
シランカップリング剤としては、前記の一般式化６で示
されるものが使用される。具体的なものとして、例え
ば、
シランカップリング剤としては、前記の一般式化６で示
されるものが使用される。具体的なものとして、例え
ば、
【００２０】
【化１２】
【００２１】
【化１３】 等が挙げられ、これらは単独又は混合して使用すること
ができる。
ができる。
【００２２】このシランカップリング剤には極微量の有
機塩基を添加処理することが重要である。有機塩基で処
理することによって加水分解性を高めることができる。
ここで処理する有機塩基としては、ジメチルアミン、ジ
エチルアミン、ピリジン、キノリン、ピペリジン等の環
状有機塩基を挙げることができ、これらは単独又は2種
以上混合して使用することができる。有機塩基の配合割
合は、シランカップリング剤に対して0.05〜5 重量％の
範囲内で使用することが望ましい。この配合量が0.05重
量％未満ではシランカップリング剤の加水分解を十分に
促進することができず、また、5 重量％を超えると耐湿
信頼性が低下して好ましくない。
機塩基を添加処理することが重要である。有機塩基で処
理することによって加水分解性を高めることができる。
ここで処理する有機塩基としては、ジメチルアミン、ジ
エチルアミン、ピリジン、キノリン、ピペリジン等の環
状有機塩基を挙げることができ、これらは単独又は2種
以上混合して使用することができる。有機塩基の配合割
合は、シランカップリング剤に対して0.05〜5 重量％の
範囲内で使用することが望ましい。この配合量が0.05重
量％未満ではシランカップリング剤の加水分解を十分に
促進することができず、また、5 重量％を超えると耐湿
信頼性が低下して好ましくない。
【００２３】本発明に用いる（Ｄ）角とり結晶シリカ粉
末としては、不純物濃度が低く最大粒径が100 μm 以下
で、平均粒径30μm 以下の角とり結晶シリカ粉末が好ま
しく使用される。平均粒径30μm を超えると耐湿性およ
び成形性が劣り好ましくない。角とり結晶シリカ粉末の
配合割合は、全体の樹脂組成物に対して25〜90重量％含
有するように配合することか好ましい。その割合が25重
量％未満では樹脂組成物の吸湿性が高く、半田浸漬後の
耐湿性に劣り、また90重量％を超えると極端に流動性が
悪くなり、成形性に劣り好ましくない。これらの角とり
結晶シリカ粉末に、シランカップリング剤に有機塩基を
添加し、直ちにヘンシェルミキサー、スーパーミキサー
等で処理を行うと均一に表面処理ができ、その効果が十
分に発揮できる。
末としては、不純物濃度が低く最大粒径が100 μm 以下
で、平均粒径30μm 以下の角とり結晶シリカ粉末が好ま
しく使用される。平均粒径30μm を超えると耐湿性およ
び成形性が劣り好ましくない。角とり結晶シリカ粉末の
配合割合は、全体の樹脂組成物に対して25〜90重量％含
有するように配合することか好ましい。その割合が25重
量％未満では樹脂組成物の吸湿性が高く、半田浸漬後の
耐湿性に劣り、また90重量％を超えると極端に流動性が
悪くなり、成形性に劣り好ましくない。これらの角とり
結晶シリカ粉末に、シランカップリング剤に有機塩基を
添加し、直ちにヘンシェルミキサー、スーパーミキサー
等で処理を行うと均一に表面処理ができ、その効果が十
分に発揮できる。
【００２４】本発明に用いる（Ｅ）硬化促進剤として
は、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、Ｄ
ＢＵ系硬化促進剤その他の硬化促進剤等を広く使用する
ことができる。これらは単独又は2 種以上併用すること
ができる。硬化促進剤の配合割合は、全体の樹脂組成物
に対して0.01〜5 重量％含有するように配合することが
望ましい。その割合が0.01重量％未満では樹脂組成物の
ゲルタイムが長く、硬化特性も悪くなり、また、5 重量
％を超えると極端に流動性が悪くなって成形性に劣り、
さらに電気特性も悪くなり耐湿性に劣り好ましくない。
は、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、Ｄ
ＢＵ系硬化促進剤その他の硬化促進剤等を広く使用する
ことができる。これらは単独又は2 種以上併用すること
ができる。硬化促進剤の配合割合は、全体の樹脂組成物
に対して0.01〜5 重量％含有するように配合することが
望ましい。その割合が0.01重量％未満では樹脂組成物の
ゲルタイムが長く、硬化特性も悪くなり、また、5 重量
％を超えると極端に流動性が悪くなって成形性に劣り、
さらに電気特性も悪くなり耐湿性に劣り好ましくない。
【００２５】本発明のエポキシ樹脂組成物は、前述した
特定のエポキシ樹脂、フェノール樹脂、特定のシランカ
ップリング剤、角とり結晶シリカ粉末および硬化促進剤
を必須成分とするが、本発明の目的に反しない限度にお
いて、また必要に応じて、例えば天然ワックス類、合成
ワックス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド類、エステ
ル類、パラフィン類等の離型剤、三酸化アンチモン等の
難燃剤、カーボンブラック等の着色剤、ゴム系やシリコ
ーン系の低応力付与剤等を適宜添加配合することができ
る。
特定のエポキシ樹脂、フェノール樹脂、特定のシランカ
ップリング剤、角とり結晶シリカ粉末および硬化促進剤
を必須成分とするが、本発明の目的に反しない限度にお
いて、また必要に応じて、例えば天然ワックス類、合成
ワックス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド類、エステ
ル類、パラフィン類等の離型剤、三酸化アンチモン等の
難燃剤、カーボンブラック等の着色剤、ゴム系やシリコ
ーン系の低応力付与剤等を適宜添加配合することができ
る。
【００２６】本発明のエポキシ樹脂組成物を成形材料と
して調製する場合の一般的方法は、角とり結晶シリカ粉
末に特定のシランカップリング剤と有機塩基を配合して
表面処理し、前述した特定のエポキシ樹脂、フェノール
樹脂、特定のシランカップリング剤で処理をした角とり
結晶シリカ粉末および硬化促進剤その他の成分を配合
し、ミキサー等によって十分均一に混合した後、さらに
熱ロールによる溶融混合処理またはニーダ等による混合
処理を行い、次いで冷却固化させ適当な大きさに粉砕し
て成形材料とすることができる。こうして得られた成形
材料は、半導体装置をはじめとする電子部品或いは電気
部品の封止・被覆・絶縁等に適用すれば優れた特性と信
頼性を付与させることができる。
して調製する場合の一般的方法は、角とり結晶シリカ粉
末に特定のシランカップリング剤と有機塩基を配合して
表面処理し、前述した特定のエポキシ樹脂、フェノール
樹脂、特定のシランカップリング剤で処理をした角とり
結晶シリカ粉末および硬化促進剤その他の成分を配合
し、ミキサー等によって十分均一に混合した後、さらに
熱ロールによる溶融混合処理またはニーダ等による混合
処理を行い、次いで冷却固化させ適当な大きさに粉砕し
て成形材料とすることができる。こうして得られた成形
材料は、半導体装置をはじめとする電子部品或いは電気
部品の封止・被覆・絶縁等に適用すれば優れた特性と信
頼性を付与させることができる。
【００２７】また、本発明の半導体封止装置は、上述の
成形材料を用いて半導体チップを封止することにより容
易に製造することができる。封止を行う半導体チップと
しては、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジス
タ、サイリスタ、ダイオード等で特に限定されるもので
はない。封止の最も一般的な方法としては、低圧トラン
スファー成形法があるが、射出成形、圧縮成形、注形等
による封止も可能である。成形材料で封止後加熱して硬
化させ、最終的にはこの硬化物によって封止された半導
体封止装置が得られる。加熱による硬化は、150 ℃以上
に加熱して硬化させることが望ましい。
成形材料を用いて半導体チップを封止することにより容
易に製造することができる。封止を行う半導体チップと
しては、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジス
タ、サイリスタ、ダイオード等で特に限定されるもので
はない。封止の最も一般的な方法としては、低圧トラン
スファー成形法があるが、射出成形、圧縮成形、注形等
による封止も可能である。成形材料で封止後加熱して硬
化させ、最終的にはこの硬化物によって封止された半導
体封止装置が得られる。加熱による硬化は、150 ℃以上
に加熱して硬化させることが望ましい。
【００２８】
【作用】本発明のエポキシ樹脂組成物および半導体封止
装置は、特定のエポキシ樹脂、フェノール樹脂、特定の
シランカップリング剤、角とり結晶シリカ粉末および硬
化促進剤を用いることによって、相乗的に樹脂組成物の
吸水性を低減し、成形性、流動性、熱機械的特性と低応
力性が向上し、半田浸漬、半田リフロー後の樹脂クラッ
クの発生がなくなり、耐湿性劣化が少なくなるものであ
る。
装置は、特定のエポキシ樹脂、フェノール樹脂、特定の
シランカップリング剤、角とり結晶シリカ粉末および硬
化促進剤を用いることによって、相乗的に樹脂組成物の
吸水性を低減し、成形性、流動性、熱機械的特性と低応
力性が向上し、半田浸漬、半田リフロー後の樹脂クラッ
クの発生がなくなり、耐湿性劣化が少なくなるものであ
る。
【００２９】
【実施例】次に本発明を実施例によって説明するが、本
発明はこれらの実施例によって限定されるものではな
い。以下の実施例および比較例において「％」とは「重
量％」を意味する。
発明はこれらの実施例によって限定されるものではな
い。以下の実施例および比較例において「％」とは「重
量％」を意味する。
【００３０】実施例１ 角とり結晶シリカ粉末（平均粒径20μm 、最大粒径100
μｍ以下）74％、微細な溶融球状シリカ（平均粒径0.5
μm ）10％をヘンシェルミキサーに入れ、攪拌しながら
前述した化１２のシランカップリング剤0.4 ％、ジエチ
ルアミン4 ×10-4％を加えて角とり結晶シリカ粉末およ
び微細な溶融球状シリカの表面処理をした。次に前述し
た化５のジシクロペンタジエン骨格含有エポキシ樹脂7.
1 ％、前述した化７のフェノール樹脂1.2 ％、前述した
化８のフェノール樹脂2.9 ％、トリフェニルホスフィン
0.2 ％、カルナバワックス類0.4 ％、カーボンブラック
0.3 ％、三酸化アンチモン2.0 ％を常温で混合し、さら
に70〜100 ℃で混練冷却した後、粉砕して成形材料
（Ａ）を製造した。
μｍ以下）74％、微細な溶融球状シリカ（平均粒径0.5
μm ）10％をヘンシェルミキサーに入れ、攪拌しながら
前述した化１２のシランカップリング剤0.4 ％、ジエチ
ルアミン4 ×10-4％を加えて角とり結晶シリカ粉末およ
び微細な溶融球状シリカの表面処理をした。次に前述し
た化５のジシクロペンタジエン骨格含有エポキシ樹脂7.
1 ％、前述した化７のフェノール樹脂1.2 ％、前述した
化８のフェノール樹脂2.9 ％、トリフェニルホスフィン
0.2 ％、カルナバワックス類0.4 ％、カーボンブラック
0.3 ％、三酸化アンチモン2.0 ％を常温で混合し、さら
に70〜100 ℃で混練冷却した後、粉砕して成形材料
（Ａ）を製造した。
【００３１】実施例２ 角とり結晶シリカ粉末（平均粒径20μm 、最大粒径100
μｍ以下）74％、微細な溶融球状シリカ（平均粒径0.5
μm ）10％をヘンシェルミキサーに入れ、攪拌しながら
前述した化１３のシランカップリング剤0.4 ％、ジエチ
ルアミン4 ×10-4％を加えて角とり結晶シリカ粉末およ
び微細な溶融球状シリカの表面処理をした。次に前述し
た化５のジシクロペンタジエン骨格含有エポキシ樹脂7.
1 ％、テトラブロモビスフェノールＡ型エポキシ樹脂1.
5 ％、前述した化７のフェノール樹脂1.2 ％、前述した
化８のフェノール樹脂2.9 ％、トリフェニルホスフィン
0.2 ％、カルナバワックス類0.4 ％、カーボンブラック
0.3 ％、三酸化アンチモン2.0 ％を常温で混合し、さら
に70〜100 ℃で混練冷却した後、粉砕して成形材料
（Ｂ）を製造した。
μｍ以下）74％、微細な溶融球状シリカ（平均粒径0.5
μm ）10％をヘンシェルミキサーに入れ、攪拌しながら
前述した化１３のシランカップリング剤0.4 ％、ジエチ
ルアミン4 ×10-4％を加えて角とり結晶シリカ粉末およ
び微細な溶融球状シリカの表面処理をした。次に前述し
た化５のジシクロペンタジエン骨格含有エポキシ樹脂7.
1 ％、テトラブロモビスフェノールＡ型エポキシ樹脂1.
5 ％、前述した化７のフェノール樹脂1.2 ％、前述した
化８のフェノール樹脂2.9 ％、トリフェニルホスフィン
0.2 ％、カルナバワックス類0.4 ％、カーボンブラック
0.3 ％、三酸化アンチモン2.0 ％を常温で混合し、さら
に70〜100 ℃で混練冷却した後、粉砕して成形材料
（Ｂ）を製造した。
【００３２】実施例３ 角とり結晶シリカ粉末（平均粒径20μm 、最大粒径100
μｍ以下）74％、微細な溶融球状シリカ（平均粒径0.5
μm ）10％をヘンシェルミキサーに入れ、攪拌しながら
前述した化１２のシランカップリング剤0.4 ％、ジエチ
ルアミン4 ×10-4％を加えて角とり結晶シリカ粉末およ
び微細な溶融球状シリカの表面処理をした。次に前述し
た化５のジシクロペンタジエン骨格含有エポキシ樹脂7.
1 ％、テトラブロモビスフェノールＡ型エポキシ樹脂1.
5 ％、前述した化７のフェノール樹脂1.2 ％、前述した
化９のフェノール樹脂2.9 ％、トリフェニルホスフィン
0.2 ％、カルナバワックス類0.4 ％、カーボンブラック
0.3 ％、三酸化アンチモン2.0 ％を常温で混合し、さら
に70〜100 ℃で混練冷却した後、粉砕して成形材料
（Ｃ）を製造した。
μｍ以下）74％、微細な溶融球状シリカ（平均粒径0.5
μm ）10％をヘンシェルミキサーに入れ、攪拌しながら
前述した化１２のシランカップリング剤0.4 ％、ジエチ
ルアミン4 ×10-4％を加えて角とり結晶シリカ粉末およ
び微細な溶融球状シリカの表面処理をした。次に前述し
た化５のジシクロペンタジエン骨格含有エポキシ樹脂7.
1 ％、テトラブロモビスフェノールＡ型エポキシ樹脂1.
5 ％、前述した化７のフェノール樹脂1.2 ％、前述した
化９のフェノール樹脂2.9 ％、トリフェニルホスフィン
0.2 ％、カルナバワックス類0.4 ％、カーボンブラック
0.3 ％、三酸化アンチモン2.0 ％を常温で混合し、さら
に70〜100 ℃で混練冷却した後、粉砕して成形材料
（Ｃ）を製造した。
【００３３】比較例１ 角とり結晶シリカ粉末（平均粒径20μm ）70％、微細な
溶融球状シリカ（平均粒径0.5 μm ）10％をヘンシェル
ミキサーに入れ、攪拌しながら前述した化１２のシラン
カップリング剤0.4 ％を加えて角とり結晶シリカ粉末お
よび微細な溶融球状シリカの表面処理をした。次にテト
ラブロモビスフェノールＡ型エポキシ樹脂2.0 ％、o-ク
レゾールノボラック型エポキシ樹脂8.1 ％、前述した化
７のフェノールノ2.0 ％、前述した化８のフェノール樹
脂4.6 ％、トリフェニルホスフィン0.2 ％、カルナバワ
ックス類0.4 ％、カーボンブラック0.3 ％、三酸化アン
チモン2.0 ％を常温で混合し、さらに70〜100 ℃で混練
冷却した後、粉砕して成形材料（Ｄ）を製造した。
溶融球状シリカ（平均粒径0.5 μm ）10％をヘンシェル
ミキサーに入れ、攪拌しながら前述した化１２のシラン
カップリング剤0.4 ％を加えて角とり結晶シリカ粉末お
よび微細な溶融球状シリカの表面処理をした。次にテト
ラブロモビスフェノールＡ型エポキシ樹脂2.0 ％、o-ク
レゾールノボラック型エポキシ樹脂8.1 ％、前述した化
７のフェノールノ2.0 ％、前述した化８のフェノール樹
脂4.6 ％、トリフェニルホスフィン0.2 ％、カルナバワ
ックス類0.4 ％、カーボンブラック0.3 ％、三酸化アン
チモン2.0 ％を常温で混合し、さらに70〜100 ℃で混練
冷却した後、粉砕して成形材料（Ｄ）を製造した。
【００３４】比較例２ 角とり結晶シリカ粉末（平均粒径20μm ）74％、微細な
溶融球状シリカ（平均粒径0.5 μm ）10％をヘンシェル
ミキサーに入れ、攪拌しながら前述した化１２のシラン
カップリング剤0.4 ％を加えて角とり結晶シリカ粉末、
微細な溶融球状シリカの表面処理をした。次にテトラブ
ロモビスフェノールＡ型エポキシ樹脂1.5 ％、o-クレゾ
ールノボラック型エポキシ樹脂6.2 ％、前述した化７の
フェノール樹脂1.5 ％、前述した化８のフェノール樹脂
3.5 ％、トリフェニルホスフィン0.2 ％、カルナバワッ
クス類0.4 ％、カーボンブラック0.3 ％、三酸化アンチ
モン2.0 ％を常温で混合し、さらに70〜100 ℃で混練冷
却した後、粉砕して成形材料（Ｅ）を製造した。
溶融球状シリカ（平均粒径0.5 μm ）10％をヘンシェル
ミキサーに入れ、攪拌しながら前述した化１２のシラン
カップリング剤0.4 ％を加えて角とり結晶シリカ粉末、
微細な溶融球状シリカの表面処理をした。次にテトラブ
ロモビスフェノールＡ型エポキシ樹脂1.5 ％、o-クレゾ
ールノボラック型エポキシ樹脂6.2 ％、前述した化７の
フェノール樹脂1.5 ％、前述した化８のフェノール樹脂
3.5 ％、トリフェニルホスフィン0.2 ％、カルナバワッ
クス類0.4 ％、カーボンブラック0.3 ％、三酸化アンチ
モン2.0 ％を常温で混合し、さらに70〜100 ℃で混練冷
却した後、粉砕して成形材料（Ｅ）を製造した。
【００３５】比較例３ 角とり結晶シリカ粉末（平均粒径20μm ）74％、微細な
溶融球状シリカ（平均粒径0.5 μm ）10％をヘンシェル
ミキサーに入れ、攪拌しながら前述した化１２のシラン
カップリング剤0.4 ％を加えて角とり結晶シリカ粉末お
よび微細な溶融球状シリカの表面処理をした。次に前述
した化５のジシクロペンタジエン骨格含有エポキシ樹脂
7.1 ％、テトラブロモビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
1.5 ％、前述した化７のフェノール樹脂1.2 ％、前述し
た化８のフェノール樹脂2.9 ％、トリフェニルホスフィ
ン0.2 ％、カルナバワックス類0.4 ％、カーボンブラッ
ク0.3 ％、三酸化アンチモン2.0 ％を常温で混合し、さ
らに70〜100 ℃で混練冷却した後、粉砕して成形材料
（Ｆ）を製造した。
溶融球状シリカ（平均粒径0.5 μm ）10％をヘンシェル
ミキサーに入れ、攪拌しながら前述した化１２のシラン
カップリング剤0.4 ％を加えて角とり結晶シリカ粉末お
よび微細な溶融球状シリカの表面処理をした。次に前述
した化５のジシクロペンタジエン骨格含有エポキシ樹脂
7.1 ％、テトラブロモビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
1.5 ％、前述した化７のフェノール樹脂1.2 ％、前述し
た化８のフェノール樹脂2.9 ％、トリフェニルホスフィ
ン0.2 ％、カルナバワックス類0.4 ％、カーボンブラッ
ク0.3 ％、三酸化アンチモン2.0 ％を常温で混合し、さ
らに70〜100 ℃で混練冷却した後、粉砕して成形材料
（Ｆ）を製造した。
【００３６】こうして製造した成形材料（Ａ）〜（Ｆ）
を用いて 170℃に加熱した金型内にトランスファー注
入、半導体チップを封止し硬化させて半導体封止装置を
製造した。これらの半導体封止装置について、諸試験を
行ったのでその結果を表１に示したが、本発明のエポキ
シ樹脂組成物および半導体封止装置は、耐湿性、半田耐
熱性、成形性に優れており、本発明の顕著な効果を確認
することができた。
を用いて 170℃に加熱した金型内にトランスファー注
入、半導体チップを封止し硬化させて半導体封止装置を
製造した。これらの半導体封止装置について、諸試験を
行ったのでその結果を表１に示したが、本発明のエポキ
シ樹脂組成物および半導体封止装置は、耐湿性、半田耐
熱性、成形性に優れており、本発明の顕著な効果を確認
することができた。
【００３７】
【表１】 ＊1 ：ＥＭＭＩ−Ｉ−６６に準じてスパイラルフロー測
定した（175 ℃）。 ＊2 ：高化式フロー粘度（175 ℃）。 ＊3 ：175 ℃，80kg／cm2 ，2 分間のトランスファー成
形によって得られた成形品（試験片）をつくり、175
℃，8 時間の後硬化を行い、ＪＩＳ−Ｋ−６９１１に準
じて試験した。 ＊4 ：＊3 と同様な成形品を作り、175 ℃，8 時間の後
硬化を行い、適当な大きさの試験片とし、熱機械分析装
置を用いて測定した。 ＊5 ：φ100 ，25mm厚さの成形品を作り熱伝導率計を用
いて測定した。 ＊6,＊7 ：5.3 ×5.3mm チップをＶＱＦＰ 80pin（12×
12×1.4mm ）パッケージに納め、成形材料を用いて175
℃，2 分間トランスファー成形した後、175 ℃，8 時間
の後硬化を行った。こうして得た半導体封止装置を85
℃，85％，48時間の吸湿処理した後、増加した重量によ
って計算した。また、これをエアーリフローマシン（Ｍ
ax 240℃）に通し、外部および内部クラックの有無を調
査した。
定した（175 ℃）。 ＊2 ：高化式フロー粘度（175 ℃）。 ＊3 ：175 ℃，80kg／cm2 ，2 分間のトランスファー成
形によって得られた成形品（試験片）をつくり、175
℃，8 時間の後硬化を行い、ＪＩＳ−Ｋ−６９１１に準
じて試験した。 ＊4 ：＊3 と同様な成形品を作り、175 ℃，8 時間の後
硬化を行い、適当な大きさの試験片とし、熱機械分析装
置を用いて測定した。 ＊5 ：φ100 ，25mm厚さの成形品を作り熱伝導率計を用
いて測定した。 ＊6,＊7 ：5.3 ×5.3mm チップをＶＱＦＰ 80pin（12×
12×1.4mm ）パッケージに納め、成形材料を用いて175
℃，2 分間トランスファー成形した後、175 ℃，8 時間
の後硬化を行った。こうして得た半導体封止装置を85
℃，85％，48時間の吸湿処理した後、増加した重量によ
って計算した。また、これをエアーリフローマシン（Ｍ
ax 240℃）に通し、外部および内部クラックの有無を調
査した。
【００３８】
【発明の効果】以上の説明および表１から明らかなよう
に、本発明のエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置
は、相乗的に耐湿性、半田耐熱性、成形性、高熱伝導性
に優れ、また、薄型パッケージ等の充填性にも優れ、吸
湿による影響が少なく、電極の腐蝕による断線や水分に
よるリーク電流の発生等を著しく低減することができ、
しかも長期間にわたって信頼性を保証することができ
る。
に、本発明のエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置
は、相乗的に耐湿性、半田耐熱性、成形性、高熱伝導性
に優れ、また、薄型パッケージ等の充填性にも優れ、吸
湿による影響が少なく、電極の腐蝕による断線や水分に
よるリーク電流の発生等を著しく低減することができ、
しかも長期間にわたって信頼性を保証することができ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/29 23/31
Claims (2)
- 【請求項１】 （Ａ）次の一般式に示されるエポキシ樹
脂、 【化１】 （但し、式中n は0 又は1 以上の整数を表す） （Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）有機塩基を極微量添加し
た、次の一般式で示されるエポキシ基を有するシランカ
ップリング剤、 【化２】Ｒ1 −Ｃn Ｈ2n−Ｓi （ＯＲ2 ）3 （但し、式中Ｒ1 はエポキシ基を有する原子団を、Ｒ2
はメチル基又はエチル基を、n は0 又は1 以上の整数を
それぞれ表す） （Ｄ）最大粒径が100 μm 以下の角とり結晶シリカ粉末
および（Ｅ）硬化促進剤を必須成分とし、全体の樹脂組
成物に対して前記（Ｄ）の角とり結晶シリカ粉末を25〜
90重量％の割合で含有してなることを特徴とするエポキ
シ樹脂組成物。 - 【請求項２】 （Ａ）次の一般式で示されるエポキシ樹
脂、 【化３】 （但し、式中n は0 又は1 以上の整数を表す） （Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）有機塩基を極微量添加し
た、次の一般式で示されるエポキシ基を有するシランカ
ップリング剤、 【化４】Ｒ1 −Ｃn Ｈ2n−Ｓi （ＯＲ2 ）3 （但し、式中Ｒ1 はエポキシ基を有する原子団を、Ｒ2
はメチル基又はエチル基を、n は0 又は1 以上の整数を
それぞれ表す） （Ｄ）最大粒径が100 μm 以下の角とり結晶シリカ粉末
および（Ｅ）硬化促進剤を必須成分とし、全体の樹脂組
成物に対して前記（Ｄ）の角とり結晶シリカ粉末を25〜
90重量％の割合で含有したエポキシ樹脂組成物の硬化物
によって、半導体チップが封止されてなることを特徴と
する半導体封止装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2754795A JPH08198941A (ja) | 1995-01-24 | 1995-01-24 | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2754795A JPH08198941A (ja) | 1995-01-24 | 1995-01-24 | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08198941A true JPH08198941A (ja) | 1996-08-06 |
Family
ID=12224108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2754795A Pending JPH08198941A (ja) | 1995-01-24 | 1995-01-24 | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08198941A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002322243A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物の製造方法及び半導体装置 |
-
1995
- 1995-01-24 JP JP2754795A patent/JPH08198941A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002322243A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物の製造方法及び半導体装置 |
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