JPH10292093A - エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 - Google Patents

エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置

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JPH10292093A
JPH10292093A JP11756297A JP11756297A JPH10292093A JP H10292093 A JPH10292093 A JP H10292093A JP 11756297 A JP11756297 A JP 11756297A JP 11756297 A JP11756297 A JP 11756297A JP H10292093 A JPH10292093 A JP H10292093A
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JP
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epoxy resin
aluminum nitride
nitride powder
resin composition
coupling agent
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Satoshi Sado
智 佐渡
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 耐湿性、半田耐熱性、成形性、流動性に優
れ、吸湿による影響が少なく、電極の腐蝕による断線や
水分によるリーク電流の発生もなく、長期信頼性を保証
できるエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置を提供
する。 【解決手段】 (A)ジシクロペンタン骨格含有エポキ
シ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)アミンなど有機
塩基を微量添加した、エポキシ基を含有するシランカッ
プリング剤、(D)最大粒径が100 μm以下の窒化アル
ミニウム粉末および(E)硬化促進剤を必須成分とし、
全体の樹脂組成物に対して前記(D)の窒化アルミニウ
ム粉末を25〜90重量%の割合で含有してなるエポキシ樹
脂組成物であり、また、このエポキシ樹脂組成物の硬化
物によって、半導体チップを封止した半導体封止装置で
ある。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、耐湿性、半田耐熱性、
成形性に優れたエポキシ樹脂組成物および半導体封止装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の分野において、
高集積化、高信頼性化の技術開発と同時に半導体装置の
実装工程の自動化が推進されている。例えばフラットパ
ッケージ型の半導体装置を回路基板に取り付ける場合
に、従来、リードピン毎に半田付けを行っていたが、最
近では半田浸漬方式や半田リフロー方式が採用されてい
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来のノボラック型エ
ポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ノボラック型フェノール
樹脂および無機充填剤からなる樹脂組成物によって封止
した半導体装置は、装置全体の半田浴浸漬を行うと耐湿
性が低下するという欠点があった。特に吸湿した半導体
装置を浸漬すると、封止樹脂と半導体チップ、あるいは
封止樹脂とリードフレームとの間の剥がれや、内部樹脂
クラックが生じて著しい耐湿性劣化を起こし、電極の腐
蝕による断線や水分によるリーク電流を生じ、その結
果、半導体装置は、長期間の信頼性を保証することがで
きないという欠点があった。
【0004】また、無機充填剤を高充填することによ
り、樹脂分の割合が少なくなり、樹脂組成物の低吸湿化
を図れるが、それに伴い流動性が著しく損なわれるばか
りでなく、樹脂等の有機分と無機質充填剤との界面が多
くなるため、内部樹脂クラックがその界面を伝って外部
樹脂クラックへと進行するという欠点があった。
【0005】本発明は、上記の欠点を解消するためにな
されたもので、吸湿の影響が少なく、特に半田浴浸漬後
の耐湿性、半田耐熱性、成形性、流動性に優れ、封止樹
脂と半導体チップあるいは封止樹脂とリードフレームと
の間の剥がれや、内部樹脂クラックの発生がなく、また
電極の腐蝕による断線や水分によるリーク電流の発生も
なく、長期信頼性を保証できるエポキシ樹脂組成物およ
び半導体封止装置を提供しようとするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、特定のエポキ
シ樹脂、特定のシランカップリング剤を用いることによ
って、耐湿性、半田耐熱性、成形性等に優れた樹脂組成
物が得られることを見いだし、本発明を完成したもので
ある。
【0007】即ち、本発明は、(A)次の一般式で示さ
れるエポキシ樹脂、
【0008】
【化5】 (但し、式中n は0 又は1 以上の整数を表す) (B)フェノール樹脂、(C)有機塩基を極微量添加し
た、次の一般式で示されるエポキシ基を有するシランカ
ップリング剤、
【0009】
【化6】R1 −Cn 2n−Si (OR2 3 (但し、式中R1 はエポキシ基を有する原子団を、R2
はメチル基又はエチル基を、n は0 又は1 以上の整数を
それぞれ表す) (D)最大粒径が100 μm以下の窒化アルミニウム粉末
および(E)硬化促進剤を必須成分とし、全体の樹脂組
成物に対して前記(D)の窒化アルミニウム粉末を25〜
90重量%の割合で含有してなることを特徴とするエポキ
シ樹脂組成物である。また、このエポキシ樹脂組成物の
硬化物によって、半導体チップが封止されてなることを
特徴とする半導体封止装置である。
【0010】以下、本発明を詳細に説明する。
【0011】本発明に用いる(A)エポキシ樹脂は、前
記の一般式化5で示されるものが使用される。また、こ
のエポキシ樹脂には、ノボラック系エポキシ樹脂、エピ
ビス系エポキシ樹脂、その他の公知のエポキシ樹脂を併
用することができる。
【0012】本発明に用いる(B)フェノール樹脂とし
ては、前記(A)のエポキシ樹脂のエポキシ基と反応し
得るフェノール性水酸基を2 個以上有するものであれば
特に制限するものではない。具体的な化合物として例え
【0013】
【化7】 (但し、n は0 又は1 以上の整数を表す)
【0014】
【化8】 (但し、n は0 又は1 以上の整数を表す)
【0015】
【化9】 (但し、n は0 又は1 以上の整数を表す)
【0016】
【化10】 (但し、n は0 又は1 以上の整数を表す)
【0017】
【化11】 (但し、n は0 又は1 以上の整数を表す)等が挙げら
れ、これらは単独又は混合して使用することができる。
【0018】本発明に用いる(C)エポキシ基を有する
シランカップリング剤としては、前記の一般式化6で示
されるものが使用される。具体的なものとして、例え
ば、
【0019】
【化12】
【0020】
【化13】 等が挙げられ、これらは単独又は混合して使用すること
ができる。
【0021】このシランカップリング剤には極微量の有
機塩基を添加処理することが重要である。有機塩基で処
理することによって加水分解性を高めることができる。
ここで処理する有機塩基としては、ジメチルアミン、ジ
エチルアミン、ピリジン、キノリン、ピペリジン等の環
状有機塩基を挙げることができ、これらは単独又は2種
以上混合して使用することができる。有機塩基の配合割
合は、シランカップリング剤に対して0.05〜5 重量%の
範囲内で使用することが望ましい。この配合量が0.05重
量%未満ではシランカップリング剤の加水分解を十分に
促進することができず、また、5 重量%を超えると耐湿
信頼性が低下して好ましくない。
【0022】本発明に用いる(D)窒化アルミニウム粉
末としては、不純物濃度が低く最大粒径が100 μm以下
で、特に平均粒径30μm以下の窒化アルミニウム粉末が
好ましく使用される。平均粒径30μmを超えると耐湿性
および成形性が劣り好ましくない。窒化アルミニウム粉
末の配合割合は、全体の樹脂組成物に対して25〜90重量
%含有するように配合することか好ましい。その割合が
25重量%未満では樹脂組成物の吸湿性が高く、半田浸漬
後の耐湿性に劣り、また90重量%を超えると極端に流動
性が悪くなり、成形性に劣り好ましくない。これらの窒
化アルミニウム粉末に、シランカップリング剤に有機塩
基を添加し、直ちにヘンシェルミキサー、スーパーミキ
サー等で処理を行うと均一に表面処理ができ、その効果
が十分に発揮できる。
【0023】本発明に用いる(E)硬化促進剤として
は、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、D
BU系硬化促進剤その他の硬化促進剤等を広く使用する
ことができる。これらは単独又は2 種以上併用すること
ができる。硬化促進剤の配合割合は、全体の樹脂組成物
に対して0.01〜5 重量%含有するように配合することが
望ましい。その割合が0.01重量%未満では樹脂組成物の
ゲルタイムが長く、硬化特性も悪くなり、また、5 重量
%を超えると極端に流動性が悪くなって成形性に劣り、
さらに電気特性も悪くなり耐湿性に劣り好ましくない。
【0024】本発明のエポキシ樹脂組成物は、前述した
特定のエポキシ樹脂、フェノール樹脂、特定のシランカ
ップリング剤、窒化アルミニウム粉末および硬化促進剤
を必須成分とするが、本発明の目的に反しない限度にお
いて、また必要に応じて、例えば天然ワックス類、合成
ワックス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド類、エステ
ル類、パラフィン類等の離型剤、三酸化アンチモン等の
難燃剤、カーボンブラック等の着色剤、ゴム系やシリコ
ーン系の低応力付与剤等を適宜添加配合することができ
る。
【0025】本発明のエポキシ樹脂組成物を成形材料と
して調製する場合の一般的方法は、窒化アルミニウム粉
末に特定のシランカップリング剤と有機塩基を配合して
表面処理し、前述した特定のエポキシ樹脂、フェノール
樹脂、シランカップリング剤処理をした窒化アルミニウ
ム粉末および硬化促進剤その他の成分を配合し、ミキサ
ー等によって十分均一に混合した後、さらに熱ロールに
よる溶融混合処理またはニーダ等による混合処理を行
い、次いで冷却固化させ適当な大きさに粉砕して成形材
料とすることができる。こうして得られた成形材料は、
半導体装置をはじめとする電子部品或いは電気部品の封
止・被覆・絶縁等に適用すれば優れた特性と信頼性を付
与させることができる。
【0026】また、本発明の半導体封止装置は、上述の
成形材料を用いて半導体チップを封止することにより容
易に製造することができる。封止を行う半導体チップと
しては、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジス
タ、サイリスタ、ダイオード等で特に限定されるもので
はない。封止の最も一般的な方法としては、低圧トラン
スファー成形法があるが、射出成形、圧縮成形、注形等
による封止も可能である。成形材料で封止後加熱して硬
化させ、最終的にはこの硬化物によって封止された半導
体封止装置が得られる。加熱による硬化は、150 ℃以上
に加熱して硬化させることが望ましい。
【0027】
【作用】本発明のエポキシ樹脂組成物および半導体封止
装置は、特定のエポキシ樹脂、フェノール樹脂、特定の
シランカップリング剤、窒化アルミニウム粉末および硬
化促進剤を用いることによって、樹脂組成物の吸水性を
低減し、成形性、流動性、熱機械的特性と低応力性が向
上し、半田浸漬、半田リフロー後の樹脂クラックの発生
がなくなり、耐湿性劣化が少なくなるものである。
【0028】
【実施例】次に本発明を実施例によって説明するが、本
発明はこれらの実施例によって限定されるものではな
い。以下の実施例および比較例において「%」とは「重
量%」を意味する。
【0029】実施例1 窒化アルミニウム粉末(最大粒径100 μm以下で平均粒
径20μm)77%、微細な溶融球状シリカ粉末(平均粒径
0.5 μm)10%をヘンシェルミキサーに入れ、攪拌しな
がら前述した化12のシランカップリング剤0.4 %、ジ
エチルアミン4×10-4%を加えて窒化アルミニウム粉末
の表面処理をした。次に次式に示したジシクロペンタジ
エン骨格を有するエポキシ樹脂5.7 %、
【0030】
【化14】 テトラブロモビスフェノールA型エポキシ樹脂1.0 %、
前述した化7のフェノール樹脂1.0 %、前述した化8の
フェノール樹脂2.0 %、トリフェニルホスフィン0.2
%、カルナバワックス類0.4 %、カーボンブラック0.3
%、三酸化アンチモン2.0 %を常温で混合し、さらに70
〜100 ℃で混練冷却した後、粉砕して成形材料(A)を
製造した。
【0031】実施例2 窒化アルミニウム粉末(最大粒径100 μm以下で平均粒
径20μm)77%、微細な溶融球状シリカ粉末(平均粒径
0.5 μm)10%をヘンシェルミキサーに入れ、攪拌しな
がら前述した化13のシランカップリング剤0.4 %、ジ
エチルアミン4×10-4%を加えて窒化アルミニウム粉末
の表面処理をした。次に実施例1に用いたジシクロペン
タジエン骨格を有するエポキシ樹脂5.7 %、テトラブロ
モビスフェノールA型エポキシ樹脂1.0 %、前述した化
7のフェノール樹脂1.0 %、前述した化8のフェノール
樹脂2.0 %、トリフェニルホスフィン0.2 %、カルナバ
ワックス類0.4 %、カーボンブラック0.3 %、三酸化ア
ンチモン2.0 %を常温で混合し、さらに70〜100 ℃で混
練冷却した後、粉砕して成形材料(B)を製造した。
【0032】実施例3 窒化アルミニウム粉末(最大粒径100 μm以下で平均粒
径20μm)77%微細な溶融球状シリカ粉末(平均粒径0.
5 μm)10%をヘンシェルミキサーに入れ、攪拌しなが
ら前述した化12のシランカップリング剤0.4 %、ジエ
チルアミン4 ×10-4%を加えて窒化アルミニウム粉末の
表面処理をした。次に実施例1に用いたジシクロペンタ
ジエン骨格を有するエポキシ樹脂5.7 %、テトラブロモ
ビスフェノールA型エポキシ樹脂1.0 %、前述した化7
のフェノール樹脂1.0 %、前述した化9のフェノール樹
脂2.0 %、トリフェニルホスフィン0.2 %、カルナバワ
ックス類0.4 %、カーボンブラック0.3 %、三酸化アン
チモン2.0 %を常温で混合し、さらに70〜100 ℃で混練
冷却した後、粉砕して成形材料(C)を製造した。 比較例1 窒化アルミニウム粉末(最大粒径100 μm以下で平均粒
径20μm)73%、微細な溶融球状シリカ粉末(平均粒径
0.5 μm)10%をヘンシェルミキサーに入れ、攪拌しな
がら前述した化12のシランカップリング剤0.4 %を加
えて窒化アルミニウム粉末の表面処理をした。次にテト
ラブロモビスフェノールA型エポキシ樹脂1.5 %、o-ク
レゾールノボラック型エポキシ樹脂8.1 %、前述した化
7のフェノール樹脂1.7 %、前述した化8のフェノール
樹脂3.5 %、トリフェニルホスフィン0.2 %、カルナバ
ワックス類0.4 %、カーボンブラック0.3 %、三酸化ア
ンチモン2.0 %を常温で混合し、さらに70〜100 ℃で混
練冷却した後、粉砕して成形材料(D)を製造した。
【0033】比較例2 窒化アルミニウム粉末(最大粒径100 μm以下で平均粒
径20μm)77%、微細な溶融球状シリカ粉末(平均粒径
0.5 μm)10%をヘンシェルミキサーに入れ、攪拌しな
がら前述した化12のシランカップリング剤0.4 %を加
えて窒化アルミニウム粉末の表面処理をした。次にテト
ラブロモビスフェノールA型エポキシ樹脂1.0 %、o-ク
レゾールノボラック型エポキシ樹脂5.0 %、前述した化
7のフェノール樹脂1.2 %、前述した化8のフェノール
樹脂2.5 %、トリフェニルホスフィン0.2 %、カルナバ
ワックス類0.4 %、カーボンブラック0.3 %、三酸化ア
ンチモン2.0 %を常温で混合し、さらに70〜100 ℃で混
練冷却した後、粉砕して成形材料(E)を製造した。
【0034】比較例3 窒化アルミニウム粉末(最大粒径100 μm以下で平均粒
径20μm)77%、微細な溶融球状シリカ粉末(平均粒径
0.5 μm)10%をヘンシェルミキサーに入れ、攪拌しな
がら前述した化12のシランカップリング剤0.4 %を加
えて窒化アルミニウム粉末等の表面処理をした。次に実
施例1に用いたジシクロペンタジエン骨格含有エポキシ
樹脂5.7 %、テトラブロモビスフェノールA型エポキシ
樹脂1.0%、前述した化7のフェノール1.0 %、前述し
た化8のフェノール樹脂2.0 %、トリフェニルホスフィ
ン0.2 %、カルナバワックス類0.4 %、カーボンブラッ
ク0.3 %、三酸化アンチモン2.0 %を常温で混合し、さ
らに70〜100 ℃で混練冷却した後、粉砕して成形材料
(F)を製造した。
【0035】こうして製造した成形材料(A)〜(F)
を用いて 175℃に加熱した金型内にトランスファー注
入、半導体チップを封止し硬化させて半導体封止装置を
製造した。これらの半導体封止装置について、諸試験を
行ったのでその結果を表1に示したが、本発明のエポキ
シ樹脂組成物および半導体封止装置は、耐湿性、半田耐
熱性、成形性に優れており、本発明の顕著な効果を確認
することができた。
【0036】
【表1】 *1 :EMMI−I−66に準じてスパイラルフロー測定した(175 ℃)。 *2 :高化式フロー粘度(175 ℃)。 *3 :175 ℃,80kg/cm2 ,2 分間のトランスファー成形によって得られた成形 品(試験片)をつくり、175 ℃,8 時間の後硬化を行い、JIS−K−6911 に準じて試験した。 *4 :*3 と同様な成形品を作り、175 ℃,8 時間の後硬化を行い、適当な大き さの試験片とし、熱機械分析装置を用いて測定した。 *5 :φ100 ,2.5mm 厚さの成形品(試験片)を作り、熱伝導率計を用いて測定 した。 *6 、*7 :5.3 ×5.3mm チップをVQFP 80pin(12×12×1.4mm 厚)パッケ ージに納め、成形材料を用いて175 ℃,2 分間トランスファー成形した後、175 ℃,8 時間の後硬化を行った。こうして得た半導体封止装置を85℃,85%,48時 間の吸湿処理した後、増加した重量によって計算した。また、これをエアーリフ ローマシン(Max 240℃)に通し、外部および内部クラックの有無を調査した。
【0037】
【発明の効果】以上の説明および表1から明らかなよう
に、本発明のエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置
は、耐湿性、半田耐熱性、成形性に優れ、また、薄型パ
ッケージ等の充填性にも優れ、吸湿による影響が少な
く、電極の腐蝕による断線や水分によるリーク電流の発
生等を著しく低減することができ、しかも長期間にわた
って信頼性を保証することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 23/29 H01L 23/30 R 23/31

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (A)次の一般式に示されるエポキシ樹
    脂、 【化1】 (但し、式中n は0 又は1 以上の整数を表す) (B)フェノール樹脂、(C)有機塩基を極微量添加し
    た、次の一般式で示されるエポキシ基を有するシランカ
    ップリング剤、 【化2】R1 −Cn 2n−Si (OR2 3 (但し、式中R1 はエポキシ基を有する原子団を、R2
    はメチル基又はエチル基を、n は0 又は1 以上の整数を
    それぞれ表す) (D)最大粒径が100 μm以下の窒化アルミニウム粉末
    および(E)硬化促進剤を必須成分とし、全体の樹脂組
    成物に対して前記(D)の窒化アルミニウム粉末を25〜
    90重量%の割合で含有してなることを特徴とするエポキ
    シ樹脂組成物。
  2. 【請求項2】 (A)次の一般式で示されるエポキシ樹
    脂、 【化3】 (但し、式中n は0 又は1 以上の整数を表す) (B)フェノール樹脂、(C)有機塩基を極微量添加し
    た、次の一般式で示されるエポキシ基を有するシランカ
    ップリング剤、 【化4】R1 −Cn 2n−Si (OR2 3 (但し、式中R1 はエポキシ基を有する原子団を、R2
    はメチル基又はエチル基を、n は0 又は1 以上の整数を
    それぞれ表す) (D)最大粒径が100 μm以下の窒化アルミニウム粉末
    および(E)硬化促進剤を必須成分とし、全体の樹脂組
    成物に対して前記(D)の窒化アルミニウム粉末を25〜
    90重量%の割合で含有したエポキシ樹脂組成物の硬化物
    によって、半導体チップが封止されてなることを特徴と
    する半導体封止装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2014208352A1 (ja) * 2013-06-25 2014-12-31 味の素株式会社 樹脂組成物
KR102158938B1 (ko) 2019-09-18 2020-09-23 (주) 매그나텍 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 방열회로기판

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