JPH08199360A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPH08199360A JPH08199360A JP7258883A JP25888395A JPH08199360A JP H08199360 A JPH08199360 A JP H08199360A JP 7258883 A JP7258883 A JP 7258883A JP 25888395 A JP25888395 A JP 25888395A JP H08199360 A JPH08199360 A JP H08199360A
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- Japan
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- gas
- vapor phase
- phase growth
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、流量制御機構内に残留したソース
ガスを効率良く除去できる構成を有する気相成長装置を
提供することを課題とする。 【解決手段】 本発明は、気相成長処理を行なう処理室
１と、処理室１に供給される単一種類の有機系反応ガス
の流量を制御し、有機系反応ガスを排気する大気ベント
ライン１２が設けられた流量制御機構４２とを有する気
相成長装置において、大気ベントライン１２に有機系反
応ガスを除去するトラップ２１を具備して構成される。
ガスを効率良く除去できる構成を有する気相成長装置を
提供することを課題とする。 【解決手段】 本発明は、気相成長処理を行なう処理室
１と、処理室１に供給される単一種類の有機系反応ガス
の流量を制御し、有機系反応ガスを排気する大気ベント
ライン１２が設けられた流量制御機構４２とを有する気
相成長装置において、大気ベントライン１２に有機系反
応ガスを除去するトラップ２１を具備して構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体気相成長装置
に関し、特に詳細には、装置内の残留ソ―スガスを効率
良く除去するガス処理手段を具備した気相成長装置に関
するものである。
に関し、特に詳細には、装置内の残留ソ―スガスを効率
良く除去するガス処理手段を具備した気相成長装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】第４図は従来用いられている気相成長装
置の概略図である。従来の気相成長装置は、主として反
応管１、反応管１内に所定量の反応ガスを供給するため
の流量制御機構３、反応管１の出口側に連結されたガス
フーラトラップ５、排気管６、ゲート弁７および真空ポ
ンプ８から構成されている。そして、流量制御機構３
は、主として複数のマスフローコントローラ４から構成
されている。
置の概略図である。従来の気相成長装置は、主として反
応管１、反応管１内に所定量の反応ガスを供給するため
の流量制御機構３、反応管１の出口側に連結されたガス
フーラトラップ５、排気管６、ゲート弁７および真空ポ
ンプ８から構成されている。そして、流量制御機構３
は、主として複数のマスフローコントローラ４から構成
されている。
【０００３】上記構成を有する従来の気相成長装置の動
作について説明する。例えば、ソースガスとしてジクロ
ルシラン（Ｓi Ｈ2 Ｃｌ2 ）ガスおよびアンモニア（Ｎ
Ｈ3 ）ガスを用い、パージガスとして窒素（Ｎ2 ）ガス
を用いた場合を考える。反応管１以外の管内、例えばジ
クロルシランガス供給配管９、主ガスライン１０、真空
ベントライン１１、大気ベントライン１２およびＮ2 ガ
ス供給管１３内でジクロルシランガスおよびアンモニア
ガスが混合された場合、パーティクルである粉末の塩化
アンモニウムが生じ、これらの管内に詰まることにな
る。これを回避するため従来では反応工程終了後、Ｎ2
ガス供給管１３および真空ベントライン１１のラインで
Ｎ2 ガスを用いてジクロルシランのパージを行ない、時
間をずらせて、Ｎ2 ガス供給管１３および真空ベントラ
イン１１を組み合わせてアンモニアガスのパージを行な
っていた。しかし、上記方法では、マスフローコントロ
ーラ４内に溜ったソースガスの除去を十分に行なうこと
ができないという問題があった。
作について説明する。例えば、ソースガスとしてジクロ
ルシラン（Ｓi Ｈ2 Ｃｌ2 ）ガスおよびアンモニア（Ｎ
Ｈ3 ）ガスを用い、パージガスとして窒素（Ｎ2 ）ガス
を用いた場合を考える。反応管１以外の管内、例えばジ
クロルシランガス供給配管９、主ガスライン１０、真空
ベントライン１１、大気ベントライン１２およびＮ2 ガ
ス供給管１３内でジクロルシランガスおよびアンモニア
ガスが混合された場合、パーティクルである粉末の塩化
アンモニウムが生じ、これらの管内に詰まることにな
る。これを回避するため従来では反応工程終了後、Ｎ2
ガス供給管１３および真空ベントライン１１のラインで
Ｎ2 ガスを用いてジクロルシランのパージを行ない、時
間をずらせて、Ｎ2 ガス供給管１３および真空ベントラ
イン１１を組み合わせてアンモニアガスのパージを行な
っていた。しかし、上記方法では、マスフローコントロ
ーラ４内に溜ったソースガスの除去を十分に行なうこと
ができないという問題があった。
【０００４】一方、反応ガスとして有機系ガスを使用す
る場合、露結を防ぐため配管を加熱する加熱手段が必要
となり、加えて操作方法もその分複雑となる。従って、
マスターフローコントローラ４内の残留ガスのパージは
さらに難しいという問題があった。
る場合、露結を防ぐため配管を加熱する加熱手段が必要
となり、加えて操作方法もその分複雑となる。従って、
マスターフローコントローラ４内の残留ガスのパージは
さらに難しいという問題があった。
【０００５】このように残留ガスのパージが十分になさ
れなかった場合、マスフローコントローラ４に接続され
た配管１０，１１，１２および真空ポンプ８内でパーテ
ィクルが発生することになる。パーティクルの発生を回
避するためには大規模な加熱システムを必要とするとい
う問題があった。
れなかった場合、マスフローコントローラ４に接続され
た配管１０，１１，１２および真空ポンプ８内でパーテ
ィクルが発生することになる。パーティクルの発生を回
避するためには大規模な加熱システムを必要とするとい
う問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記したように従来の
気相成長装置においては、流量制御機構内および反応室
に至る管内に残留したソースガスを十分に除去すること
ができないという問題があった。そして、この残留ガス
は他のソースガスと混合し、例えばパーティクルである
塩化物を形成し、それが管内に蓄積するという問題があ
った。
気相成長装置においては、流量制御機構内および反応室
に至る管内に残留したソースガスを十分に除去すること
ができないという問題があった。そして、この残留ガス
は他のソースガスと混合し、例えばパーティクルである
塩化物を形成し、それが管内に蓄積するという問題があ
った。
【０００７】そこで本発明は上記した問題に鑑みてなさ
れたもので、その目的とするところは、流量制御機構内
に残留したソースガスを効率良く除去できる構成を有す
る気相成長装置を提供することにある。
れたもので、その目的とするところは、流量制御機構内
に残留したソースガスを効率良く除去できる構成を有す
る気相成長装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の気相成長装置
は、気相成長処理を行なう処理室と、前記処理室に供給
される単一種類の反応ガスの流量を制御し、前記反応ガ
スを排気する排気手段が設けられたガス流量制御手段と
を有する気相成長装置において、前記排気手段に前記反
応ガスを除去するガス処理手段を具備していることを特
徴としている。
は、気相成長処理を行なう処理室と、前記処理室に供給
される単一種類の反応ガスの流量を制御し、前記反応ガ
スを排気する排気手段が設けられたガス流量制御手段と
を有する気相成長装置において、前記排気手段に前記反
応ガスを除去するガス処理手段を具備していることを特
徴としている。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面を参照して説
明する。
明する。
【００１０】第１図は本発明の一参考例である気相成長
装置の部分構成図であり、主としてガス流量制御手段、
即ち流量制御機構２０の概略構成図である。尚、従来例
で示した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付
しその説明は省略する。同図において、２０はガス流量
制御手段、即ち複数個のマスフローコントローラ４を備
えた流量制御機構、２１はガス処理手段、例えばガスの
種類に応じた吸着剤を備えているトラップである。この
トラップ２１は、排気手段、即ち大気ベントライン１２
の一部に設けられている。これ以外は従来と同一の構成
を有している。以下に、上記構成を有する本参考例の気
相成長装置の動作について説明する。
装置の部分構成図であり、主としてガス流量制御手段、
即ち流量制御機構２０の概略構成図である。尚、従来例
で示した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付
しその説明は省略する。同図において、２０はガス流量
制御手段、即ち複数個のマスフローコントローラ４を備
えた流量制御機構、２１はガス処理手段、例えばガスの
種類に応じた吸着剤を備えているトラップである。この
トラップ２１は、排気手段、即ち大気ベントライン１２
の一部に設けられている。これ以外は従来と同一の構成
を有している。以下に、上記構成を有する本参考例の気
相成長装置の動作について説明する。
【００１１】まずバルブ２２および２３を開放し、バル
ブ２４，２５および２６を閉鎖する。次に、マスフロー
コントローラ４内をＮ2 ガスによりパージする。次に、
バルブ２２，２３，２５および２６を閉鎖し、同時にバ
ルブ２４を開放し残留するガスを真空ベントライン１１
を介して除去する。その後バルブ２４を閉鎖し、バルブ
２５および２６を開放しマスフローコントローラ４内の
雰囲気をソースガス、例えばジクロルシランに切換え
る。そして、マスフローコントローラ４により、ガス流
量を制御し同時にヒータエレメント（図示せず）により
減圧下の反応管（図示せず）を加熱する。これにより、
気相成長処理を行なう。気相成長終了後、バルブ２２お
よび２３を開放し、２４，２５および２６を閉鎖しパー
ジ用のＮ2ガスを配管内に導入し、ソースガスを追い出
す。この時トラップ２１内の吸着剤によりソースガスは
トラップ２１に吸着される。その後、バルブ２３を閉鎖
し、かつバルブ２４を開放し、真空ベントライン１１か
らのパージを行なう。この時、トラップ２１によりソー
スガスは吸着除去され管内はＮ2 ガスに置換されてい
る。
ブ２４，２５および２６を閉鎖する。次に、マスフロー
コントローラ４内をＮ2 ガスによりパージする。次に、
バルブ２２，２３，２５および２６を閉鎖し、同時にバ
ルブ２４を開放し残留するガスを真空ベントライン１１
を介して除去する。その後バルブ２４を閉鎖し、バルブ
２５および２６を開放しマスフローコントローラ４内の
雰囲気をソースガス、例えばジクロルシランに切換え
る。そして、マスフローコントローラ４により、ガス流
量を制御し同時にヒータエレメント（図示せず）により
減圧下の反応管（図示せず）を加熱する。これにより、
気相成長処理を行なう。気相成長終了後、バルブ２２お
よび２３を開放し、２４，２５および２６を閉鎖しパー
ジ用のＮ2ガスを配管内に導入し、ソースガスを追い出
す。この時トラップ２１内の吸着剤によりソースガスは
トラップ２１に吸着される。その後、バルブ２３を閉鎖
し、かつバルブ２４を開放し、真空ベントライン１１か
らのパージを行なう。この時、トラップ２１によりソー
スガスは吸着除去され管内はＮ2 ガスに置換されてい
る。
【００１２】このように本参考例の気相成長装置におけ
る流量制御機構はトラップ２１を具備しているので、従
来例のように真空ベントライン１１を介して、真空ポン
プ（図示せず）へソースガスが流れ込んだり、マスフロ
ーコントローラ内にソースガスが残留することはなくな
る。よって流量制御機構２０内および真空ポンプ等の内
部にパーティクルである塩化物が蓄積する恐れはなくな
る。
る流量制御機構はトラップ２１を具備しているので、従
来例のように真空ベントライン１１を介して、真空ポン
プ（図示せず）へソースガスが流れ込んだり、マスフロ
ーコントローラ内にソースガスが残留することはなくな
る。よって流量制御機構２０内および真空ポンプ等の内
部にパーティクルである塩化物が蓄積する恐れはなくな
る。
【００１３】第２図は本発明の他の参考例である気相成
長装置の概略図である。本参考例の流量制御機構２８に
おいては、マスフローコントローラ４の出口側からバル
ブ２３，２４、および２５間の配管距離ｄを従来より長
く保つことにより、トラップ２１を反応管１により接近
させる。さらに、バルブ２３，２４、および２５と反応
管１との距離を従来例と比べて短かくすることにより、
Ｎ2 ガスによるパージを常時真空ベントライン１１を介
して減圧状態下で行なうことができる。よってマスフロ
ーコントローラ４および主ガス配管２８のパージ効率を
さらに上げることができる。
長装置の概略図である。本参考例の流量制御機構２８に
おいては、マスフローコントローラ４の出口側からバル
ブ２３，２４、および２５間の配管距離ｄを従来より長
く保つことにより、トラップ２１を反応管１により接近
させる。さらに、バルブ２３，２４、および２５と反応
管１との距離を従来例と比べて短かくすることにより、
Ｎ2 ガスによるパージを常時真空ベントライン１１を介
して減圧状態下で行なうことができる。よってマスフロ
ーコントローラ４および主ガス配管２８のパージ効率を
さらに上げることができる。
【００１４】第３図は本発明の一実施形態に係わる気相
成長装置の構成を示す図である。
成長装置の構成を示す図である。
【００１５】従来例においても説明したように有機系の
ソースガスを使用する場合、露結を防ぐため配管の加熱
機構４０および恒温槽４１を必要とする。この有機系ソ
ースガスは、気化ガスに比べ真空ポンプ（図示せず）お
よび大気ベントライン１２等に反応生成物が付着しやす
い。特に真空ポンプ内に付着した場合、真空ポンプの寿
命を縮める原因となる。本実施形態の流量制御機構４２
では、第１および第２図で示した参考例の場合と同様
に、大気ベントライン１２の途中にトラップ２１を設け
ている。これにより、真空ベントライン１１における加
熱機構は不要となり、その分構成は簡単となる。
ソースガスを使用する場合、露結を防ぐため配管の加熱
機構４０および恒温槽４１を必要とする。この有機系ソ
ースガスは、気化ガスに比べ真空ポンプ（図示せず）お
よび大気ベントライン１２等に反応生成物が付着しやす
い。特に真空ポンプ内に付着した場合、真空ポンプの寿
命を縮める原因となる。本実施形態の流量制御機構４２
では、第１および第２図で示した参考例の場合と同様
に、大気ベントライン１２の途中にトラップ２１を設け
ている。これにより、真空ベントライン１１における加
熱機構は不要となり、その分構成は簡単となる。
【００１６】尚、上記した本実施形態では、反応生成後
のガスパージの場合に関して説明したが、本発明はこれ
に限定されるものではなく、例えば反応管にソースガス
を流さないで、ソースガスの流量安定をマスフローコン
トローラにより計測している場合に適用してもよい。こ
の場合においても、高濃度のソースガスをトラップによ
り除去することができる。
のガスパージの場合に関して説明したが、本発明はこれ
に限定されるものではなく、例えば反応管にソースガス
を流さないで、ソースガスの流量安定をマスフローコン
トローラにより計測している場合に適用してもよい。こ
の場合においても、高濃度のソースガスをトラップによ
り除去することができる。
【００１７】
【発明の効果】上記説明したように、本発明の気相成長
装置は、ガス流量制御手段内の、例えば排気ベントライ
ンの一部にガス処理手段を設ける。これにより、ガス流
量制御手段内に残留したソースガスを効率よく除去する
ことができる。よってガス流量制御手段内でソースガス
が反応して反応生成物を生じることはなくなる。よっ
て、ガス流量制御手段内や真空ポンプ内が反応生成物に
より詰まることはなくなるので良好な気相成長処理を行
なうことができる。
装置は、ガス流量制御手段内の、例えば排気ベントライ
ンの一部にガス処理手段を設ける。これにより、ガス流
量制御手段内に残留したソースガスを効率よく除去する
ことができる。よってガス流量制御手段内でソースガス
が反応して反応生成物を生じることはなくなる。よっ
て、ガス流量制御手段内や真空ポンプ内が反応生成物に
より詰まることはなくなるので良好な気相成長処理を行
なうことができる。
【００１８】また、加熱機構の一部が不要となり、構成
を簡略化することができる。
を簡略化することができる。
【図１】本発明の一参考例である気相成長装置の部分構
成図である、
成図である、
【図２】本発明の他の参考例である気相成長装置の部分
構成図である、
構成図である、
【図３】本発明の一実施形態である有機系のソースガス
を用いる気相成長装置の部分構成図である。
を用いる気相成長装置の部分構成図である。
【図４】従来の気相成長装置の構成図である。
１ 反応室 ２１ トラップ（ガス処理手段） ４０ 加熱機構 ４２ 流量制御機構
Claims (3)
- 【請求項１】 気相成長処理を行なう処理室と、 前記処理室に供給される単一種類の反応ガスの流量を制
御し、前記反応ガスを排気する排気手段が設けられたガ
ス流量制御手段とを有する気相成長装置において、 前記排気手段に前記反応ガスを除去するガス処理手段を
具備していることを特徴とする気相成長装置。 - 【請求項２】 前記ガス処理手段はトラップにより構成
されていることを特徴とする請求項１記載の気相成長装
置。 - 【請求項３】 前記トラップ内には前記反応ガスを吸着
する吸着剤を含んでいることを特徴とする請求項２記載
の気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25888395A JP2905126B2 (ja) | 1995-10-05 | 1995-10-05 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25888395A JP2905126B2 (ja) | 1995-10-05 | 1995-10-05 | 気相成長装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1279976A Division JPH0686661B2 (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08199360A true JPH08199360A (ja) | 1996-08-06 |
| JP2905126B2 JP2905126B2 (ja) | 1999-06-14 |
Family
ID=17326359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25888395A Expired - Lifetime JP2905126B2 (ja) | 1995-10-05 | 1995-10-05 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2905126B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015010247A (ja) * | 2013-06-27 | 2015-01-19 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及び基板処理プログラム |
-
1995
- 1995-10-05 JP JP25888395A patent/JP2905126B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015010247A (ja) * | 2013-06-27 | 2015-01-19 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及び基板処理プログラム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2905126B2 (ja) | 1999-06-14 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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