JPH08201007A - Position detection device and magnetoresistive effect element - Google Patents
Position detection device and magnetoresistive effect elementInfo
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高精度の位置情報を得ることができる位置検
出装置および磁気抵抗効果素子を提供する。
【構成】 本発明による磁気抵抗効果素子は、所定の間
隔で交互に着磁された磁極を有するスケール部7の磁界
に応答して抵抗値が変化する少なくとも2つの磁気検出
子M1,M2が配置され、これら磁気検出子が直列に接
続され、その両端に電圧を印加し、中点から出力が得ら
れるように構成され、さらに、電圧印加あるいは信号出
力のために必要な外部接続端子401,501,601
の前記スケール部における磁界と平行な方向の幅が、前
記スケール部の磁極形成幅Pの2m倍(m=1,2,・
・・)に形成されている。
(57) [Summary] [Object] To provide a position detection device and a magnetoresistive effect element capable of obtaining highly accurate position information. According to the magnetoresistive effect element of the present invention, at least two magnetic detectors M1 and M2 whose resistance value changes in response to a magnetic field of a scale portion 7 having magnetic poles alternately magnetized at predetermined intervals are arranged. These magnetic detectors are connected in series, a voltage is applied to both ends of the magnetic detector, and an output is obtained from a midpoint. Further, external connection terminals 401 and 501 required for voltage application or signal output are provided. , 601
The width of the scale portion in the direction parallel to the magnetic field is 2 m times the magnetic pole formation width P of the scale portion (m = 1, 2 ,.
・ ・)
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、物体の位置を検出する
位置検出装置に関するものであり、特に、磁気抵抗効果
素子(MR素子)を用いて物体の位置を高精度、高分解
能で検出する位置検出装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a position detecting device for detecting the position of an object, and more particularly to detecting the position of an object with high accuracy and high resolution by using a magnetoresistive effect element (MR element). The present invention relates to a position detection device.
【0002】[0002]
【従来の技術】高い分解能で位置検出が必要な物として
は、例えば、ビデオカメラ内のズーム機構、フォーカス
機構を有するレンズシステムがある。このようなレンズ
システムにおいて、合焦点における被写体距離、ズーム
レンズ位置、フォーカスレンズ位置は、レンズ設計から
決定される所定の位置関係になければならない。この位
置関係を満足するために、従来は、機械的なカムを用い
る方法、またはズームレンズ位置とフォーカスレンズ位
置とを検出し演算による電子カムを構成する方法が用い
られている。2. Description of the Related Art For example, a lens system having a zoom mechanism and a focus mechanism in a video camera is one of those requiring high-resolution position detection. In such a lens system, the subject distance at the focal point, the zoom lens position, and the focus lens position must have a predetermined positional relationship determined by the lens design. In order to satisfy this positional relationship, conventionally, a method of using a mechanical cam or a method of detecting the zoom lens position and the focus lens position and forming an electronic cam by calculation is used.
【0003】機械的なカムを用いる方法は、装置構成が
大きくなる、機械的磨耗により精度が低下する、等の問
題ある。The method using a mechanical cam has problems such as a large device structure and a decrease in accuracy due to mechanical abrasion.
【0004】また、電子カムによる方法としては、位置
検出器としてポテンショメータを用いる方法、レンズの
駆動用モータにステッピングモータを用いてステッピン
グモータの制御信号を計数する方法等がある。しかしな
がら、ポテンショメータを用いる方法は、接触式である
ためにモータにかかる負荷が増大する、抵抗膜のばらつ
きにより直線性が劣る、信頼性が低い等の問題がある。
一方、ステッピングモータの制御信号を計数する方法
は、モータにステッピングモータを用いたレンズシステ
ムでなければ適用できない。また、モータとレンズの間
に介在する物体、例えばギア等が存在するとそのガタ
(遊び)等により誤差が生じる。As a method using an electronic cam, there are a method using a potentiometer as a position detector, a method using a stepping motor as a lens driving motor, and a method for counting control signals of the stepping motor. However, the method using the potentiometer has problems that the load applied to the motor is increased because of the contact type, the linearity is deteriorated due to the dispersion of the resistance film, the reliability is low, and the like.
On the other hand, the method of counting the control signals of the stepping motor can be applied only to the lens system using the stepping motor as the motor. Further, if there is an object, such as a gear, interposed between the motor and the lens, an error occurs due to the play (play).
【0005】以上の課題を解決する方法として、MR素
子を用いることが考えられる。すなわち、磁界の変化に
よってMR素子の抵抗値が変化する特性を利用する。例
えば、レンズ側に磁石を装着して、固定側にMR素子を
配置し、レンズの移動により磁石をMR素子に対して移
動させ、その抵抗変化を位置変化として取り出す方法で
ある。As a method for solving the above problems, it is possible to use an MR element. That is, the characteristic that the resistance value of the MR element changes according to the change of the magnetic field is used. For example, there is a method in which a magnet is mounted on the lens side, an MR element is arranged on the fixed side, the magnet is moved with respect to the MR element by moving the lens, and the resistance change is extracted as a position change.
【0006】図4に従来のMR素子の形成パターン図を
示す。MR素子は、2個の磁気検出子M1,M2から成
る。これら磁気検出子M1,M2は、強磁性薄膜、例え
ば、磁場中で真空蒸着またはスパッタリングによりガラ
ス基板上に薄いニッケル−鉄合金膜を成膜するととも
に、エッチング等で、細線を折り返した2本の線を形成
する。折り返し部1は、抵抗値を下げるため、線幅は太
く形成される。磁気検出子M1,M2は、磁石(スケー
ル部)7の磁界によって抵抗値に変化が生ずるように、
磁石7の磁界の向きと直交する方向に長く形成されてい
る。磁気検出子M1とM2間あるいは磁気検出子M1,
M2と後述する外部接続端子をそれぞれ接続する接続線
2あるいは配線部3は、磁気検出子M1,M2と同じ強
磁性薄膜で形成されている。接続線2は、磁石7の磁界
によって抵抗変化を生じない方向、すなわち磁石7の磁
界の向きと平行する方向に形成されている。抵抗値を下
げるために、接続線2、配線部3の線幅は太く形成され
る。4,6はMR素子に電源を印加する外部接続端子、
5はMR素子の出力信号を取り出すための外部接続端子
である。外部接続端子4,5,6は、磁気検出子M1,
M2と同じ強磁性薄膜で形成されている。磁石7は、あ
る所定の間隔PでN磁極、S磁極が交互に形成されてい
る。FIG. 4 shows a pattern diagram of a conventional MR element. The MR element is composed of two magnetic detectors M1 and M2. These magnetic detectors M1 and M2 are ferromagnetic thin films, for example, a thin nickel-iron alloy film is formed on a glass substrate by vacuum vapor deposition or sputtering in a magnetic field, and two thin lines are folded back by etching or the like. Form a line. The folded portion 1 has a large line width in order to reduce the resistance value. In the magnetic detectors M1 and M2, the resistance value is changed by the magnetic field of the magnet (scale part) 7,
It is formed long in the direction orthogonal to the direction of the magnetic field of the magnet 7. Between the magnetic detectors M1 and M2 or the magnetic detectors M1,
The connection line 2 or the wiring portion 3 for connecting M2 and an external connection terminal described later is formed of the same ferromagnetic thin film as the magnetic detectors M1 and M2. The connection line 2 is formed in a direction in which resistance change does not occur due to the magnetic field of the magnet 7, that is, in a direction parallel to the direction of the magnetic field of the magnet 7. In order to reduce the resistance value, the line widths of the connection line 2 and the wiring portion 3 are formed thick. 4 and 6 are external connection terminals for applying power to the MR element,
Reference numeral 5 is an external connection terminal for extracting the output signal of the MR element. The external connection terminals 4, 5, 6 are connected to the magnetic detector M1,
It is formed of the same ferromagnetic thin film as M2. The magnet 7 has N magnetic poles and S magnetic poles alternately formed at a certain predetermined interval P.
【0007】図5にMR素子の等価回路図を示す。ま
た、図6にMR素子の各磁気検出子と磁石内の磁極との
関係およびMR素子の出力信号波形を示す。磁気検出子
M1,M2は、出力信号を正弦波状にするために実質的
にP/2だけ位相をずらして形成されている。FIG. 5 shows an equivalent circuit diagram of the MR element. FIG. 6 shows the relationship between the magnetic detectors of the MR element and the magnetic poles in the magnet, and the output signal waveform of the MR element. The magnetic detectors M1 and M2 are formed with a phase shift of substantially P / 2 in order to make the output signal sinusoidal.
【0008】このように構成されたMR素子の出力信号
をパルス信号に波形整形して、そのエッジを計測するこ
とにより位置情報を得ることができ、さらに、出力信号
をアナログ的に内挿することで、より高分解能の位置情
報が得られる。Position information can be obtained by waveform-shaping the output signal of the MR element thus constructed into a pulse signal and measuring the edge thereof, and further, interpolating the output signal in an analog manner. Thus, position information with higher resolution can be obtained.
【0009】[0009]
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、上
記従来例においては、磁気検出子M1,M2のみなら
ず、外部接続端子4,5,6あるいは配線部3において
も磁界による抵抗値変化が発生してしまう。However, in the above-mentioned conventional example, the resistance value change due to the magnetic field occurs not only in the magnetic detectors M1 and M2 but also in the external connection terminals 4, 5 and 6 or the wiring portion 3. I will end up.
【0010】また、MR素子においては,一般に、MR
素子に印加される磁界の増加時と減少時とで抵抗値変化
の履歴が異なるヒステリシスを有する特性がある。図7
にMR素子に直交する方向に磁界を印加した時のMR素
子の抵抗値変化の例を示す。図7において、実線は磁界
の減少時における抵抗値変化を示す曲線であり、破線は
磁界の増加時における抵抗値変化を示す曲線である。外
部接続端子4,5,6あるいは配線部3は、このような
ヒステリシスを有する特性に関してはなにも考慮せず形
成されている。したがって、従来のMR素子において
は、より高精度に位置を測定する場合に誤差を生じる。Further, in the MR element, the MR element is generally
There is a characteristic that the hysteresis of the resistance value change is different when the magnetic field applied to the element is increased and when it is decreased. Figure 7
An example of a change in resistance value of the MR element when a magnetic field is applied in a direction orthogonal to the MR element is shown in FIG. In FIG. 7, the solid line is a curve showing the resistance value change when the magnetic field is decreased, and the broken line is the curve showing the resistance value change when the magnetic field is increased. The external connection terminals 4, 5, 6 or the wiring portion 3 are formed without considering the characteristics having such hysteresis. Therefore, in the conventional MR element, an error occurs when the position is measured with higher accuracy.
【0011】上記課題を解決するため、本発明は、高精
度の位置情報を得ることができる位置検出装置および磁
気抵抗効果素子を提供することを目的とする。In order to solve the above problems, it is an object of the present invention to provide a position detecting device and a magnetoresistive effect element which can obtain highly accurate position information.
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】上記従来の課題を解決す
るとともに上記目的を達成するため、本発明による磁気
抵抗効果素子は、所定の間隔で交互に着磁された磁極を
有するスケール部の磁界に応答して抵抗値が変化する少
なくとも2つの磁気検出子が配置され、これら磁気検出
子が直列に接続され、その両端に電圧を印加し、中点か
ら出力が得られるように構成され、さらに、電圧印加あ
るいは信号出力のために必要な外部接続端子の前記スケ
ール部における磁界と平行な方向の幅が、前記スケール
部の磁極形成幅Pの2m倍(m=1,2,・・・)に形
成されている。In order to solve the above-mentioned conventional problems and to achieve the above-mentioned objects, a magnetoresistive effect element according to the present invention has a magnetic field of a scale portion having magnetic poles alternately magnetized at predetermined intervals. At least two magnetic detectors whose resistance values change in response to the magnetic detectors are connected in series, and a voltage is applied across the magnetic detectors to obtain an output from the midpoint. , The width of the external connection terminal required for voltage application or signal output in the direction parallel to the magnetic field in the scale portion is 2 m times the magnetic pole formation width P of the scale portion (m = 1, 2, ...) Is formed in.
【0013】また、磁気抵抗効果素子の別の構成とし
て、所定の間隔で交互に着磁された磁極を有するスケー
ル部の磁界に応答して抵抗値が変化する少なくとも2つ
の磁気検出子が配置され、これら磁気検出子が直列に接
続され、その両端に電圧を印加し、中点から出力が得ら
れるように構成され、さらに、前記スケール部における
磁界の向きと直交する方向の配線部の前記磁界と平行な
方向の幅が、前記スケール部の磁極形成幅Pの2n倍
(n=1,2,・・・)に形成されている。As another structure of the magnetoresistive effect element, at least two magnetic detectors whose resistance value changes in response to the magnetic field of the scale portion having magnetic poles alternately magnetized at predetermined intervals are arranged. , These magnetic detectors are connected in series, a voltage is applied to both ends of the magnetic detector, and an output is obtained from a midpoint, and further, the magnetic field of the wiring part in the direction orthogonal to the direction of the magnetic field in the scale part. The width in the direction parallel to is 2n times (n = 1, 2, ...) The magnetic pole formation width P of the scale portion.
【0014】また、前記磁気検出子、外部接続端子およ
び配線部は、強磁性薄膜で形成されることが望ましい。Further, it is desirable that the magnetic detector, the external connection terminal and the wiring portion are formed of a ferromagnetic thin film.
【0015】また、上述したスケール部と、上述した磁
気抵抗効果素子からなるセンサ部を有することで高精度
な位置検出装置が提供できる。Further, a highly accurate position detecting device can be provided by having the scale section described above and the sensor section composed of the magnetoresistive effect element described above.
【0016】[0016]
【実施例】以下、本発明の実施例を基に詳細に説明す
る。なお、従来技術と同様の構成あるいは機能を有する
ものには同一の符号を付して説明する。Embodiments will be described in detail below with reference to embodiments of the present invention. It should be noted that components having the same configurations or functions as those of the conventional technique are designated by the same reference numerals and described.
【0017】〔第1の実施例〕図1は、本発明の第1の
実施例のセンサ部としてのMR素子の形成パターン図を
示している。MR素子は、2個の磁気検出子M1,M2
を有して構成される。磁気検出子M1,M2は、磁場中
で真空蒸着またはスパッタリングにより、不図示のガラ
ス基板上に厚さ500〜1000オングストローム程度
の強磁性薄膜、例えばニッケル−鉄合金膜を成膜し、エ
ッチング等により10μm程度の線幅の細線を折り返し
て2本の線を形成する。折り返し部1は、抵抗値を下げ
るために、線幅100μm程度として広く形成する。磁
気検出子M1,M2は、スケール部(磁石)7の磁界に
よって抵抗値に変化が生ずるように、スケール部7の磁
界の向きと直交する方向に長く形成されている。[First Embodiment] FIG. 1 shows a pattern diagram of forming an MR element as a sensor portion according to a first embodiment of the present invention. The MR element has two magnetic detectors M1 and M2.
Is configured. The magnetic detectors M1 and M2 are formed by vacuum deposition or sputtering in a magnetic field on a glass substrate (not shown) to form a ferromagnetic thin film having a thickness of about 500 to 1000 Å, for example, a nickel-iron alloy film, and etching. A thin line having a line width of about 10 μm is folded back to form two lines. The folded portion 1 is formed to have a wide line width of about 100 μm in order to reduce the resistance value. The magnetic detectors M1 and M2 are formed long in a direction orthogonal to the direction of the magnetic field of the scale part 7 so that the resistance value is changed by the magnetic field of the scale part (magnet) 7.
【0018】一方、磁気検出子M1とM2間あるいは磁
気検出子M1,M2と後述する外部接続端子をそれぞれ
接続する接続線2あるいは配線部3は、磁気検出子M
1,M2と同じ強磁性薄膜で形成されている。接続線2
は、スケール部7の磁界によって抵抗変化を生じない方
向、すなわち、スケール部7の磁界の向きと平行する方
向に形成されている。また、抵抗値を下げるために、接
続線2、配線部3の線幅は広く、約100μmとしてい
る。401,601はMR素子に電源を印加する外部接
続端子、501はMR素子の出力信号を取り出すための
外部接続端子である。外部接続端子401,501,6
01は、磁気検出部と同じ強磁性薄膜で形成されてい
る。これら外部接続端子401,501,601の線幅
dは、スケール部7の磁極形成幅Pの2m倍(ただし、
m=1,2,・・・)で形成されている。本実施例にお
いては、m=1で形成されている。スケール部7は、あ
る所定の間隔PでN磁極、S磁極が交互に形成されてい
る。On the other hand, the connecting wire 2 or the wiring portion 3 for connecting between the magnetic detectors M1 and M2 or between the magnetic detectors M1 and M2 and an external connection terminal described later is the magnetic detector M.
It is formed of the same ferromagnetic thin film as 1 and M2. Connection line 2
Are formed in a direction in which resistance change does not occur by the magnetic field of the scale portion 7, that is, in a direction parallel to the magnetic field direction of the scale portion 7. Further, in order to reduce the resistance value, the line width of the connection line 2 and the wiring portion 3 is wide, and is about 100 μm. 401 and 601 are external connection terminals for applying power to the MR element, and 501 is an external connection terminal for taking out an output signal of the MR element. External connection terminals 401, 501, 6
01 is formed of the same ferromagnetic thin film as that of the magnetic detection unit. The line width d of these external connection terminals 401, 501, 601 is 2 m times the magnetic pole formation width P of the scale portion 7 (however,
m = 1, 2, ...). In this embodiment, it is formed with m = 1. In the scale portion 7, N magnetic poles and S magnetic poles are alternately formed at a certain predetermined interval P.
【0019】図2は、磁極形成幅Pで磁極の形成された
スケールを用いて、MR素子に磁界を印加した場合の抵
抗値変化を示す図である。MR素子に印加される磁界の
増加時と減少時とで抵抗値変化の履歴が異なるヒステリ
シスを有する特性があるため、実線と破線は異なる波形
となる。FIG. 2 is a diagram showing changes in resistance value when a magnetic field is applied to the MR element using a scale having a magnetic pole formation width P and magnetic poles formed therein. The solid line and the broken line have different waveforms because the hysteresis of the resistance value change history is different when the magnetic field applied to the MR element is increased and when it is decreased.
【0020】しかし、上述したように、外部接続端子の
線幅dをスケール部7の磁極形成幅Pの2m倍(m=
1,2,・・・)とすることにより、外部接続端子40
1,501,601の抵抗値は、dの区間の抵抗値を平
均した一定の抵抗値となる。したがって、外部接続端子
の抵抗変化に起因する位置情報の誤差成分を低減でき、
より正確な位置情報を得ることができる。However, as described above, the line width d of the external connection terminal is 2 m times the magnetic pole formation width P of the scale portion 7 (m =
1, 2, ...)
The resistance values of 1,501,601 are constant resistance values obtained by averaging the resistance values in the section d. Therefore, the error component of the position information due to the resistance change of the external connection terminal can be reduced,
More accurate position information can be obtained.
【0021】〔第2の実施例〕次に、本発明の第2の実
施例を図3を基に説明する。図3は、第2の実施例のM
R素子の形成パターン図を示している。図3において、
図1と同一の構成要素についてはその説明を省略する。[Second Embodiment] Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 3 shows M of the second embodiment.
The formation pattern figure of R element is shown. In FIG.
Description of the same components as those in FIG. 1 will be omitted.
【0022】図3において、301は、スケール部7の
磁界の向きと直交する方向に形成されている配線部であ
る。配線部301は、磁気検出子M1,M2と同じ強磁
性薄膜で形成されおり、その線幅は、スケール部7の磁
極形成幅Pの2n倍(ただし、n=1,2,・・・)で
形成されている。本実施例においては、n=1で形成さ
れている。401,601はMR素子に電源を印加する
外部接続端子、501はMR素子の出力信号を取り出す
ための外部接続端子である。外部接続端子401,50
1,601は磁気検出部と同じ強磁性薄膜で形成されて
いる。これら外部接続端子のスケール部7が発生する磁
界と平行な方向の幅dは、スケール部7の磁極形成幅P
の2m倍(m=1,2,・・・)で形成されている。本
実施例においては、m=1で形成されている。In FIG. 3, reference numeral 301 denotes a wiring portion formed in a direction orthogonal to the direction of the magnetic field of the scale portion 7. The wiring portion 301 is formed of the same ferromagnetic thin film as the magnetic detectors M1 and M2, and its line width is 2n times the magnetic pole formation width P of the scale portion 7 (where n = 1, 2, ...). Is formed by. In the present embodiment, n = 1. 401 and 601 are external connection terminals for applying power to the MR element, and 501 is an external connection terminal for taking out an output signal of the MR element. External connection terminals 401, 50
Reference numerals 1 and 601 are formed of the same ferromagnetic thin film as that of the magnetic detection unit. The width d of these external connection terminals in the direction parallel to the magnetic field generated by the scale portion 7 is the magnetic pole formation width P of the scale portion 7.
2m times (m = 1, 2, ...) In this embodiment, it is formed with m = 1.
【0023】第2の実施例においては、配線部301に
おいても、スケール部7の磁界による抵抗変化は、発生
せず一定の抵抗値となる。したがって、外部接続端子お
よび配線部の抵抗変化に起因する位置情報の誤差成分を
低減でき、より正確な位置情報を得ることができる。In the second embodiment, even in the wiring portion 301, the resistance change due to the magnetic field of the scale portion 7 does not occur and the resistance value becomes a constant value. Therefore, the error component of the position information due to the resistance change of the external connection terminal and the wiring portion can be reduced, and more accurate position information can be obtained.
【0024】[0024]
【発明の効果】以上、本発明によれば、外部接続端子あ
るいは配線部の磁気抵抗効果に起因する位置情報の誤差
成分を除去でき、高精度の位置情報を得ることができ
る。As described above, according to the present invention, the error component of the position information due to the magnetoresistive effect of the external connection terminal or the wiring portion can be removed, and the highly accurate position information can be obtained.
【図1】本発明の第1の実施例のMR素子の形成パター
ン図である。FIG. 1 is a formation pattern diagram of an MR element according to a first embodiment of the present invention.
【図2】磁極形成幅Pで磁極の形成されたスケールを用
いて、MR素子に磁界を印加した場合の抵抗値変化を示
す図である。FIG. 2 is a diagram showing a change in resistance value when a magnetic field is applied to an MR element using a scale having a magnetic pole formation width P and magnetic poles formed therein.
【図3】本発明の第2の実施例のMR素子の形成パター
ン図である。FIG. 3 is a formation pattern diagram of an MR element according to a second embodiment of the present invention.
【図4】従来のMR素子の形成パターン図である。FIG. 4 is a pattern diagram of a conventional MR element.
【図5】従来のMR素子の等価回路図である。FIG. 5 is an equivalent circuit diagram of a conventional MR element.
【図6】MR素子の各磁気検出子と磁石内の磁極との関
係およびMR素子の出力信号波形を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a relationship between each magnetic detector of the MR element and a magnetic pole in the magnet, and an output signal waveform of the MR element.
【図7】MR素子に直交する方向に磁界を印加した時の
MR素子の抵抗値変化の例を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing an example of a change in resistance value of an MR element when a magnetic field is applied in a direction orthogonal to the MR element.
2 接続線 3 配線部 7 スケール部(磁石) 301 配線部 401 外部接続端子 501 外部接続端子 601 外部接続端子 M1 磁気検出子 M2 磁気検出子 2 connection wire 3 wiring part 7 scale part (magnet) 301 wiring part 401 external connection terminal 501 external connection terminal 601 external connection terminal M1 magnetic detector M2 magnetic detector
Claims (8)
するスケール部と、 このスケール部の磁界に応答して抵抗値が変化する少な
くとも2つの磁気検出子が配置され、これら磁気検出子
が直列に接続され、その両端に電圧を印加し、中点から
出力が得られるように構成されたセンサ部とを有する位
置検出装置であって、 前記センサ部は、電圧印加あるいは信号出力のために必
要な外部接続端子の前記スケール部における磁界と平行
な方向の幅が、前記スケール部の磁極形成幅Pの2m倍
(m=1,2,・・・)に形成されていることを特徴と
する位置検出装置。1. A scale part having magnetic poles alternately magnetized at predetermined intervals, and at least two magnetic detectors whose resistance changes in response to a magnetic field of the scale part are arranged. Is connected in series, and a sensor unit configured to apply a voltage to both ends thereof and obtain an output from a midpoint, wherein the sensor unit is for applying a voltage or outputting a signal. The width of the external connection terminal required in the direction parallel to the magnetic field in the scale portion is 2 m times (m = 1, 2, ...) The magnetic pole formation width P of the scale portion. Position detection device.
び外部接続端子は、強磁性薄膜で形成されていることを
特徴とする位置検出装置。2. The position detecting device according to claim 1, wherein the magnetic detector and the external connection terminal are formed of a ferromagnetic thin film.
するスケール部と、 このスケール部の磁界に応答して抵抗値が変化する少な
くとも2つの磁気検出子が配置され、これら磁気検出子
が直列に接続され、その両端に電圧を印加し、中点から
出力が得られるように構成されたセンサ部とを有する位
置検出装置であって、 前記センサ部は、前記スケール部における磁界の向きと
直交する方向の配線部の前記磁界と平行な方向の幅が、
前記スケール部の磁極形成幅Pの2n倍(n=1,2,
・・・)に形成されていることを特徴とする磁気抵抗効
果素子型位置検出装置。3. A scale part having magnetic poles alternately magnetized at predetermined intervals, and at least two magnetic detectors whose resistance changes in response to a magnetic field of the scale part are arranged. Are connected in series, a voltage is applied to both ends thereof, and a position detection device having a sensor unit configured to obtain an output from a midpoint, wherein the sensor unit is a magnetic field direction in the scale unit. The width of the wiring part in the direction parallel to the magnetic field in the direction orthogonal to
2n times the magnetic pole formation width P of the scale portion (n = 1, 2,
...) is formed in the magnetoresistive effect element type position detecting device.
び配線部は、強磁性薄膜で形成されていることを特徴と
する位置検出装置。4. The position detecting device according to claim 3, wherein the magnetic detector and the wiring portion are formed of a ferromagnetic thin film.
するスケール部の磁界に応答して抵抗値が変化する少な
くとも2つの磁気検出子が配置され、これら磁気検出子
が直列に接続され、その両端に電圧を印加し、中点から
出力が得られるように構成された磁気抵抗効果素子であ
って、 電圧印加あるいは信号出力のために必要な外部接続端子
の前記スケール部における磁界と平行な方向の幅が、前
記スケール部の磁極形成幅Pの2m倍(m=1,2,・
・・)に形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果
素子。5. At least two magnetic detectors whose resistance values change in response to a magnetic field of a scale portion having magnetic poles alternately magnetized at predetermined intervals are arranged, and these magnetic detectors are connected in series. , A magnetoresistive effect element that is configured so that an output can be obtained from the midpoint by applying a voltage to both ends of the magnetoresistive effect element, and is parallel to the magnetic field in the scale part of the external connection terminal required for voltage application or signal output. 2m times the magnetic pole formation width P of the scale portion (m = 1, 2, ...
..) The magnetoresistive element.
び外部接続端子は、強磁性薄膜で形成されていることを
特徴とする磁気抵抗効果素子。6. The magnetoresistive effect element according to claim 5, wherein the magnetic detector and the external connection terminal are formed of a ferromagnetic thin film.
するスケール部の磁界に応答して抵抗値が変化する少な
くとも2つの磁気検出子が配置され、これら磁気検出子
が直列に接続され、その両端に電圧を印加し、中点から
出力が得られるように構成された磁気抵抗効果素子であ
って、 前記スケール部における磁界の向きと直交する方向の配
線部の前記磁界と平行な方向の幅が、前記スケール部の
磁極形成幅Pの2n倍(n=1,2,・・・)に形成さ
れていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。7. At least two magnetic detectors, whose resistance values change in response to a magnetic field of a scale portion having magnetic poles alternately magnetized at predetermined intervals, are arranged, and these magnetic detectors are connected in series. , A magnetoresistive effect element configured to apply a voltage to both ends thereof and obtain an output from a midpoint, the direction being parallel to the magnetic field of the wiring part in a direction orthogonal to the direction of the magnetic field in the scale part. Is formed to be 2n times (n = 1, 2, ...) The magnetic pole formation width P of the scale portion.
び配線部は、強磁性薄膜で形成されていることを特徴と
する磁気抵抗効果素子。8. The magnetoresistive effect element according to claim 7, wherein the magnetic detector and the wiring portion are formed of a ferromagnetic thin film.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7008950A JPH08201007A (en) | 1995-01-24 | 1995-01-24 | Position detection device and magnetoresistive effect element |
| US08/590,834 US5886520A (en) | 1995-01-24 | 1996-01-24 | Position sensor having magnetic resistance effect devices for detecting a position of an object |
| US09/209,301 US6307366B1 (en) | 1995-01-24 | 1998-12-11 | Object position sensor using magnetic effect device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7008950A JPH08201007A (en) | 1995-01-24 | 1995-01-24 | Position detection device and magnetoresistive effect element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08201007A true JPH08201007A (en) | 1996-08-09 |
Family
ID=11706958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7008950A Withdrawn JPH08201007A (en) | 1995-01-24 | 1995-01-24 | Position detection device and magnetoresistive effect element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08201007A (en) |
-
1995
- 1995-01-24 JP JP7008950A patent/JPH08201007A/en not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020402 |