JPH08201007A - 位置検出装置および磁気抵抗効果素子 - Google Patents
位置検出装置および磁気抵抗効果素子Info
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- JPH08201007A JPH08201007A JP7008950A JP895095A JPH08201007A JP H08201007 A JPH08201007 A JP H08201007A JP 7008950 A JP7008950 A JP 7008950A JP 895095 A JP895095 A JP 895095A JP H08201007 A JPH08201007 A JP H08201007A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高精度の位置情報を得ることができる位置検
出装置および磁気抵抗効果素子を提供する。 【構成】 本発明による磁気抵抗効果素子は、所定の間
隔で交互に着磁された磁極を有するスケール部７の磁界
に応答して抵抗値が変化する少なくとも２つの磁気検出
子Ｍ１，Ｍ２が配置され、これら磁気検出子が直列に接
続され、その両端に電圧を印加し、中点から出力が得ら
れるように構成され、さらに、電圧印加あるいは信号出
力のために必要な外部接続端子４０１，５０１，６０１
の前記スケール部における磁界と平行な方向の幅が、前
記スケール部の磁極形成幅Ｐの２ｍ倍（ｍ＝１，２，・
・・）に形成されている。
出装置および磁気抵抗効果素子を提供する。 【構成】 本発明による磁気抵抗効果素子は、所定の間
隔で交互に着磁された磁極を有するスケール部７の磁界
に応答して抵抗値が変化する少なくとも２つの磁気検出
子Ｍ１，Ｍ２が配置され、これら磁気検出子が直列に接
続され、その両端に電圧を印加し、中点から出力が得ら
れるように構成され、さらに、電圧印加あるいは信号出
力のために必要な外部接続端子４０１，５０１，６０１
の前記スケール部における磁界と平行な方向の幅が、前
記スケール部の磁極形成幅Ｐの２ｍ倍（ｍ＝１，２，・
・・）に形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、物体の位置を検出する
位置検出装置に関するものであり、特に、磁気抵抗効果
素子（ＭＲ素子）を用いて物体の位置を高精度、高分解
能で検出する位置検出装置に関するものである。
位置検出装置に関するものであり、特に、磁気抵抗効果
素子（ＭＲ素子）を用いて物体の位置を高精度、高分解
能で検出する位置検出装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】高い分解能で位置検出が必要な物として
は、例えば、ビデオカメラ内のズーム機構、フォーカス
機構を有するレンズシステムがある。このようなレンズ
システムにおいて、合焦点における被写体距離、ズーム
レンズ位置、フォーカスレンズ位置は、レンズ設計から
決定される所定の位置関係になければならない。この位
置関係を満足するために、従来は、機械的なカムを用い
る方法、またはズームレンズ位置とフォーカスレンズ位
置とを検出し演算による電子カムを構成する方法が用い
られている。
は、例えば、ビデオカメラ内のズーム機構、フォーカス
機構を有するレンズシステムがある。このようなレンズ
システムにおいて、合焦点における被写体距離、ズーム
レンズ位置、フォーカスレンズ位置は、レンズ設計から
決定される所定の位置関係になければならない。この位
置関係を満足するために、従来は、機械的なカムを用い
る方法、またはズームレンズ位置とフォーカスレンズ位
置とを検出し演算による電子カムを構成する方法が用い
られている。
【０００３】機械的なカムを用いる方法は、装置構成が
大きくなる、機械的磨耗により精度が低下する、等の問
題ある。
大きくなる、機械的磨耗により精度が低下する、等の問
題ある。
【０００４】また、電子カムによる方法としては、位置
検出器としてポテンショメータを用いる方法、レンズの
駆動用モータにステッピングモータを用いてステッピン
グモータの制御信号を計数する方法等がある。しかしな
がら、ポテンショメータを用いる方法は、接触式である
ためにモータにかかる負荷が増大する、抵抗膜のばらつ
きにより直線性が劣る、信頼性が低い等の問題がある。
一方、ステッピングモータの制御信号を計数する方法
は、モータにステッピングモータを用いたレンズシステ
ムでなければ適用できない。また、モータとレンズの間
に介在する物体、例えばギア等が存在するとそのガタ
（遊び）等により誤差が生じる。
検出器としてポテンショメータを用いる方法、レンズの
駆動用モータにステッピングモータを用いてステッピン
グモータの制御信号を計数する方法等がある。しかしな
がら、ポテンショメータを用いる方法は、接触式である
ためにモータにかかる負荷が増大する、抵抗膜のばらつ
きにより直線性が劣る、信頼性が低い等の問題がある。
一方、ステッピングモータの制御信号を計数する方法
は、モータにステッピングモータを用いたレンズシステ
ムでなければ適用できない。また、モータとレンズの間
に介在する物体、例えばギア等が存在するとそのガタ
（遊び）等により誤差が生じる。
【０００５】以上の課題を解決する方法として、ＭＲ素
子を用いることが考えられる。すなわち、磁界の変化に
よってＭＲ素子の抵抗値が変化する特性を利用する。例
えば、レンズ側に磁石を装着して、固定側にＭＲ素子を
配置し、レンズの移動により磁石をＭＲ素子に対して移
動させ、その抵抗変化を位置変化として取り出す方法で
ある。
子を用いることが考えられる。すなわち、磁界の変化に
よってＭＲ素子の抵抗値が変化する特性を利用する。例
えば、レンズ側に磁石を装着して、固定側にＭＲ素子を
配置し、レンズの移動により磁石をＭＲ素子に対して移
動させ、その抵抗変化を位置変化として取り出す方法で
ある。
【０００６】図４に従来のＭＲ素子の形成パターン図を
示す。ＭＲ素子は、２個の磁気検出子Ｍ１，Ｍ２から成
る。これら磁気検出子Ｍ１，Ｍ２は、強磁性薄膜、例え
ば、磁場中で真空蒸着またはスパッタリングによりガラ
ス基板上に薄いニッケル−鉄合金膜を成膜するととも
に、エッチング等で、細線を折り返した２本の線を形成
する。折り返し部１は、抵抗値を下げるため、線幅は太
く形成される。磁気検出子Ｍ１，Ｍ２は、磁石（スケー
ル部）７の磁界によって抵抗値に変化が生ずるように、
磁石７の磁界の向きと直交する方向に長く形成されてい
る。磁気検出子Ｍ１とＭ２間あるいは磁気検出子Ｍ１，
Ｍ２と後述する外部接続端子をそれぞれ接続する接続線
２あるいは配線部３は、磁気検出子Ｍ１，Ｍ２と同じ強
磁性薄膜で形成されている。接続線２は、磁石７の磁界
によって抵抗変化を生じない方向、すなわち磁石７の磁
界の向きと平行する方向に形成されている。抵抗値を下
げるために、接続線２、配線部３の線幅は太く形成され
る。４，６はＭＲ素子に電源を印加する外部接続端子、
５はＭＲ素子の出力信号を取り出すための外部接続端子
である。外部接続端子４，５，６は、磁気検出子Ｍ１，
Ｍ２と同じ強磁性薄膜で形成されている。磁石７は、あ
る所定の間隔ＰでＮ磁極、Ｓ磁極が交互に形成されてい
る。
示す。ＭＲ素子は、２個の磁気検出子Ｍ１，Ｍ２から成
る。これら磁気検出子Ｍ１，Ｍ２は、強磁性薄膜、例え
ば、磁場中で真空蒸着またはスパッタリングによりガラ
ス基板上に薄いニッケル−鉄合金膜を成膜するととも
に、エッチング等で、細線を折り返した２本の線を形成
する。折り返し部１は、抵抗値を下げるため、線幅は太
く形成される。磁気検出子Ｍ１，Ｍ２は、磁石（スケー
ル部）７の磁界によって抵抗値に変化が生ずるように、
磁石７の磁界の向きと直交する方向に長く形成されてい
る。磁気検出子Ｍ１とＭ２間あるいは磁気検出子Ｍ１，
Ｍ２と後述する外部接続端子をそれぞれ接続する接続線
２あるいは配線部３は、磁気検出子Ｍ１，Ｍ２と同じ強
磁性薄膜で形成されている。接続線２は、磁石７の磁界
によって抵抗変化を生じない方向、すなわち磁石７の磁
界の向きと平行する方向に形成されている。抵抗値を下
げるために、接続線２、配線部３の線幅は太く形成され
る。４，６はＭＲ素子に電源を印加する外部接続端子、
５はＭＲ素子の出力信号を取り出すための外部接続端子
である。外部接続端子４，５，６は、磁気検出子Ｍ１，
Ｍ２と同じ強磁性薄膜で形成されている。磁石７は、あ
る所定の間隔ＰでＮ磁極、Ｓ磁極が交互に形成されてい
る。
【０００７】図５にＭＲ素子の等価回路図を示す。ま
た、図６にＭＲ素子の各磁気検出子と磁石内の磁極との
関係およびＭＲ素子の出力信号波形を示す。磁気検出子
Ｍ１，Ｍ２は、出力信号を正弦波状にするために実質的
にＰ／２だけ位相をずらして形成されている。
た、図６にＭＲ素子の各磁気検出子と磁石内の磁極との
関係およびＭＲ素子の出力信号波形を示す。磁気検出子
Ｍ１，Ｍ２は、出力信号を正弦波状にするために実質的
にＰ／２だけ位相をずらして形成されている。
【０００８】このように構成されたＭＲ素子の出力信号
をパルス信号に波形整形して、そのエッジを計測するこ
とにより位置情報を得ることができ、さらに、出力信号
をアナログ的に内挿することで、より高分解能の位置情
報が得られる。
をパルス信号に波形整形して、そのエッジを計測するこ
とにより位置情報を得ることができ、さらに、出力信号
をアナログ的に内挿することで、より高分解能の位置情
報が得られる。
【０００９】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、上
記従来例においては、磁気検出子Ｍ１，Ｍ２のみなら
ず、外部接続端子４，５，６あるいは配線部３において
も磁界による抵抗値変化が発生してしまう。
記従来例においては、磁気検出子Ｍ１，Ｍ２のみなら
ず、外部接続端子４，５，６あるいは配線部３において
も磁界による抵抗値変化が発生してしまう。
【００１０】また、ＭＲ素子においては，一般に、ＭＲ
素子に印加される磁界の増加時と減少時とで抵抗値変化
の履歴が異なるヒステリシスを有する特性がある。図７
にＭＲ素子に直交する方向に磁界を印加した時のＭＲ素
子の抵抗値変化の例を示す。図７において、実線は磁界
の減少時における抵抗値変化を示す曲線であり、破線は
磁界の増加時における抵抗値変化を示す曲線である。外
部接続端子４，５，６あるいは配線部３は、このような
ヒステリシスを有する特性に関してはなにも考慮せず形
成されている。したがって、従来のＭＲ素子において
は、より高精度に位置を測定する場合に誤差を生じる。
素子に印加される磁界の増加時と減少時とで抵抗値変化
の履歴が異なるヒステリシスを有する特性がある。図７
にＭＲ素子に直交する方向に磁界を印加した時のＭＲ素
子の抵抗値変化の例を示す。図７において、実線は磁界
の減少時における抵抗値変化を示す曲線であり、破線は
磁界の増加時における抵抗値変化を示す曲線である。外
部接続端子４，５，６あるいは配線部３は、このような
ヒステリシスを有する特性に関してはなにも考慮せず形
成されている。したがって、従来のＭＲ素子において
は、より高精度に位置を測定する場合に誤差を生じる。
【００１１】上記課題を解決するため、本発明は、高精
度の位置情報を得ることができる位置検出装置および磁
気抵抗効果素子を提供することを目的とする。
度の位置情報を得ることができる位置検出装置および磁
気抵抗効果素子を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記従来の課題を解決す
るとともに上記目的を達成するため、本発明による磁気
抵抗効果素子は、所定の間隔で交互に着磁された磁極を
有するスケール部の磁界に応答して抵抗値が変化する少
なくとも２つの磁気検出子が配置され、これら磁気検出
子が直列に接続され、その両端に電圧を印加し、中点か
ら出力が得られるように構成され、さらに、電圧印加あ
るいは信号出力のために必要な外部接続端子の前記スケ
ール部における磁界と平行な方向の幅が、前記スケール
部の磁極形成幅Ｐの２ｍ倍（ｍ＝１，２，・・・）に形
成されている。
るとともに上記目的を達成するため、本発明による磁気
抵抗効果素子は、所定の間隔で交互に着磁された磁極を
有するスケール部の磁界に応答して抵抗値が変化する少
なくとも２つの磁気検出子が配置され、これら磁気検出
子が直列に接続され、その両端に電圧を印加し、中点か
ら出力が得られるように構成され、さらに、電圧印加あ
るいは信号出力のために必要な外部接続端子の前記スケ
ール部における磁界と平行な方向の幅が、前記スケール
部の磁極形成幅Ｐの２ｍ倍（ｍ＝１，２，・・・）に形
成されている。
【００１３】また、磁気抵抗効果素子の別の構成とし
て、所定の間隔で交互に着磁された磁極を有するスケー
ル部の磁界に応答して抵抗値が変化する少なくとも２つ
の磁気検出子が配置され、これら磁気検出子が直列に接
続され、その両端に電圧を印加し、中点から出力が得ら
れるように構成され、さらに、前記スケール部における
磁界の向きと直交する方向の配線部の前記磁界と平行な
方向の幅が、前記スケール部の磁極形成幅Ｐの２ｎ倍
（ｎ＝１，２，・・・）に形成されている。
て、所定の間隔で交互に着磁された磁極を有するスケー
ル部の磁界に応答して抵抗値が変化する少なくとも２つ
の磁気検出子が配置され、これら磁気検出子が直列に接
続され、その両端に電圧を印加し、中点から出力が得ら
れるように構成され、さらに、前記スケール部における
磁界の向きと直交する方向の配線部の前記磁界と平行な
方向の幅が、前記スケール部の磁極形成幅Ｐの２ｎ倍
（ｎ＝１，２，・・・）に形成されている。
【００１４】また、前記磁気検出子、外部接続端子およ
び配線部は、強磁性薄膜で形成されることが望ましい。
び配線部は、強磁性薄膜で形成されることが望ましい。
【００１５】また、上述したスケール部と、上述した磁
気抵抗効果素子からなるセンサ部を有することで高精度
な位置検出装置が提供できる。
気抵抗効果素子からなるセンサ部を有することで高精度
な位置検出装置が提供できる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例を基に詳細に説明す
る。なお、従来技術と同様の構成あるいは機能を有する
ものには同一の符号を付して説明する。
る。なお、従来技術と同様の構成あるいは機能を有する
ものには同一の符号を付して説明する。
【００１７】〔第１の実施例〕図１は、本発明の第１の
実施例のセンサ部としてのＭＲ素子の形成パターン図を
示している。ＭＲ素子は、２個の磁気検出子Ｍ１，Ｍ２
を有して構成される。磁気検出子Ｍ１，Ｍ２は、磁場中
で真空蒸着またはスパッタリングにより、不図示のガラ
ス基板上に厚さ５００〜１０００オングストローム程度
の強磁性薄膜、例えばニッケル−鉄合金膜を成膜し、エ
ッチング等により１０μｍ程度の線幅の細線を折り返し
て２本の線を形成する。折り返し部１は、抵抗値を下げ
るために、線幅１００μｍ程度として広く形成する。磁
気検出子Ｍ１，Ｍ２は、スケール部（磁石）７の磁界に
よって抵抗値に変化が生ずるように、スケール部７の磁
界の向きと直交する方向に長く形成されている。
実施例のセンサ部としてのＭＲ素子の形成パターン図を
示している。ＭＲ素子は、２個の磁気検出子Ｍ１，Ｍ２
を有して構成される。磁気検出子Ｍ１，Ｍ２は、磁場中
で真空蒸着またはスパッタリングにより、不図示のガラ
ス基板上に厚さ５００〜１０００オングストローム程度
の強磁性薄膜、例えばニッケル−鉄合金膜を成膜し、エ
ッチング等により１０μｍ程度の線幅の細線を折り返し
て２本の線を形成する。折り返し部１は、抵抗値を下げ
るために、線幅１００μｍ程度として広く形成する。磁
気検出子Ｍ１，Ｍ２は、スケール部（磁石）７の磁界に
よって抵抗値に変化が生ずるように、スケール部７の磁
界の向きと直交する方向に長く形成されている。
【００１８】一方、磁気検出子Ｍ１とＭ２間あるいは磁
気検出子Ｍ１，Ｍ２と後述する外部接続端子をそれぞれ
接続する接続線２あるいは配線部３は、磁気検出子Ｍ
１，Ｍ２と同じ強磁性薄膜で形成されている。接続線２
は、スケール部７の磁界によって抵抗変化を生じない方
向、すなわち、スケール部７の磁界の向きと平行する方
向に形成されている。また、抵抗値を下げるために、接
続線２、配線部３の線幅は広く、約１００μｍとしてい
る。４０１，６０１はＭＲ素子に電源を印加する外部接
続端子、５０１はＭＲ素子の出力信号を取り出すための
外部接続端子である。外部接続端子４０１，５０１，６
０１は、磁気検出部と同じ強磁性薄膜で形成されてい
る。これら外部接続端子４０１，５０１，６０１の線幅
ｄは、スケール部７の磁極形成幅Ｐの２ｍ倍（ただし、
ｍ＝１，２，・・・）で形成されている。本実施例にお
いては、ｍ＝１で形成されている。スケール部７は、あ
る所定の間隔ＰでＮ磁極、Ｓ磁極が交互に形成されてい
る。
気検出子Ｍ１，Ｍ２と後述する外部接続端子をそれぞれ
接続する接続線２あるいは配線部３は、磁気検出子Ｍ
１，Ｍ２と同じ強磁性薄膜で形成されている。接続線２
は、スケール部７の磁界によって抵抗変化を生じない方
向、すなわち、スケール部７の磁界の向きと平行する方
向に形成されている。また、抵抗値を下げるために、接
続線２、配線部３の線幅は広く、約１００μｍとしてい
る。４０１，６０１はＭＲ素子に電源を印加する外部接
続端子、５０１はＭＲ素子の出力信号を取り出すための
外部接続端子である。外部接続端子４０１，５０１，６
０１は、磁気検出部と同じ強磁性薄膜で形成されてい
る。これら外部接続端子４０１，５０１，６０１の線幅
ｄは、スケール部７の磁極形成幅Ｐの２ｍ倍（ただし、
ｍ＝１，２，・・・）で形成されている。本実施例にお
いては、ｍ＝１で形成されている。スケール部７は、あ
る所定の間隔ＰでＮ磁極、Ｓ磁極が交互に形成されてい
る。
【００１９】図２は、磁極形成幅Ｐで磁極の形成された
スケールを用いて、ＭＲ素子に磁界を印加した場合の抵
抗値変化を示す図である。ＭＲ素子に印加される磁界の
増加時と減少時とで抵抗値変化の履歴が異なるヒステリ
シスを有する特性があるため、実線と破線は異なる波形
となる。
スケールを用いて、ＭＲ素子に磁界を印加した場合の抵
抗値変化を示す図である。ＭＲ素子に印加される磁界の
増加時と減少時とで抵抗値変化の履歴が異なるヒステリ
シスを有する特性があるため、実線と破線は異なる波形
となる。
【００２０】しかし、上述したように、外部接続端子の
線幅ｄをスケール部７の磁極形成幅Ｐの２ｍ倍（ｍ＝
１，２，・・・）とすることにより、外部接続端子４０
１，５０１，６０１の抵抗値は、ｄの区間の抵抗値を平
均した一定の抵抗値となる。したがって、外部接続端子
の抵抗変化に起因する位置情報の誤差成分を低減でき、
より正確な位置情報を得ることができる。
線幅ｄをスケール部７の磁極形成幅Ｐの２ｍ倍（ｍ＝
１，２，・・・）とすることにより、外部接続端子４０
１，５０１，６０１の抵抗値は、ｄの区間の抵抗値を平
均した一定の抵抗値となる。したがって、外部接続端子
の抵抗変化に起因する位置情報の誤差成分を低減でき、
より正確な位置情報を得ることができる。
【００２１】〔第２の実施例〕次に、本発明の第２の実
施例を図３を基に説明する。図３は、第２の実施例のＭ
Ｒ素子の形成パターン図を示している。図３において、
図１と同一の構成要素についてはその説明を省略する。
施例を図３を基に説明する。図３は、第２の実施例のＭ
Ｒ素子の形成パターン図を示している。図３において、
図１と同一の構成要素についてはその説明を省略する。
【００２２】図３において、３０１は、スケール部７の
磁界の向きと直交する方向に形成されている配線部であ
る。配線部３０１は、磁気検出子Ｍ１，Ｍ２と同じ強磁
性薄膜で形成されおり、その線幅は、スケール部７の磁
極形成幅Ｐの２ｎ倍（ただし、ｎ＝１，２，・・・）で
形成されている。本実施例においては、ｎ＝１で形成さ
れている。４０１，６０１はＭＲ素子に電源を印加する
外部接続端子、５０１はＭＲ素子の出力信号を取り出す
ための外部接続端子である。外部接続端子４０１，５０
１，６０１は磁気検出部と同じ強磁性薄膜で形成されて
いる。これら外部接続端子のスケール部７が発生する磁
界と平行な方向の幅ｄは、スケール部７の磁極形成幅Ｐ
の２ｍ倍（ｍ＝１，２，・・・）で形成されている。本
実施例においては、ｍ＝１で形成されている。
磁界の向きと直交する方向に形成されている配線部であ
る。配線部３０１は、磁気検出子Ｍ１，Ｍ２と同じ強磁
性薄膜で形成されおり、その線幅は、スケール部７の磁
極形成幅Ｐの２ｎ倍（ただし、ｎ＝１，２，・・・）で
形成されている。本実施例においては、ｎ＝１で形成さ
れている。４０１，６０１はＭＲ素子に電源を印加する
外部接続端子、５０１はＭＲ素子の出力信号を取り出す
ための外部接続端子である。外部接続端子４０１，５０
１，６０１は磁気検出部と同じ強磁性薄膜で形成されて
いる。これら外部接続端子のスケール部７が発生する磁
界と平行な方向の幅ｄは、スケール部７の磁極形成幅Ｐ
の２ｍ倍（ｍ＝１，２，・・・）で形成されている。本
実施例においては、ｍ＝１で形成されている。
【００２３】第２の実施例においては、配線部３０１に
おいても、スケール部７の磁界による抵抗変化は、発生
せず一定の抵抗値となる。したがって、外部接続端子お
よび配線部の抵抗変化に起因する位置情報の誤差成分を
低減でき、より正確な位置情報を得ることができる。
おいても、スケール部７の磁界による抵抗変化は、発生
せず一定の抵抗値となる。したがって、外部接続端子お
よび配線部の抵抗変化に起因する位置情報の誤差成分を
低減でき、より正確な位置情報を得ることができる。
【００２４】
【発明の効果】以上、本発明によれば、外部接続端子あ
るいは配線部の磁気抵抗効果に起因する位置情報の誤差
成分を除去でき、高精度の位置情報を得ることができ
る。
るいは配線部の磁気抵抗効果に起因する位置情報の誤差
成分を除去でき、高精度の位置情報を得ることができ
る。
【図１】本発明の第１の実施例のＭＲ素子の形成パター
ン図である。
ン図である。
【図２】磁極形成幅Ｐで磁極の形成されたスケールを用
いて、ＭＲ素子に磁界を印加した場合の抵抗値変化を示
す図である。
いて、ＭＲ素子に磁界を印加した場合の抵抗値変化を示
す図である。
【図３】本発明の第２の実施例のＭＲ素子の形成パター
ン図である。
ン図である。
【図４】従来のＭＲ素子の形成パターン図である。
【図５】従来のＭＲ素子の等価回路図である。
【図６】ＭＲ素子の各磁気検出子と磁石内の磁極との関
係およびＭＲ素子の出力信号波形を示す図である。
係およびＭＲ素子の出力信号波形を示す図である。
【図７】ＭＲ素子に直交する方向に磁界を印加した時の
ＭＲ素子の抵抗値変化の例を示す図である。
ＭＲ素子の抵抗値変化の例を示す図である。
２ 接続線 ３ 配線部 ７ スケール部（磁石） ３０１ 配線部 ４０１ 外部接続端子 ５０１ 外部接続端子 ６０１ 外部接続端子 Ｍ１ 磁気検出子 Ｍ２ 磁気検出子
Claims (8)
- 【請求項１】 所定の間隔で交互に着磁された磁極を有
するスケール部と、 このスケール部の磁界に応答して抵抗値が変化する少な
くとも２つの磁気検出子が配置され、これら磁気検出子
が直列に接続され、その両端に電圧を印加し、中点から
出力が得られるように構成されたセンサ部とを有する位
置検出装置であって、 前記センサ部は、電圧印加あるいは信号出力のために必
要な外部接続端子の前記スケール部における磁界と平行
な方向の幅が、前記スケール部の磁極形成幅Ｐの２ｍ倍
（ｍ＝１，２，・・・）に形成されていることを特徴と
する位置検出装置。 - 【請求項２】 請求項１において、前記磁気検出子およ
び外部接続端子は、強磁性薄膜で形成されていることを
特徴とする位置検出装置。 - 【請求項３】 所定の間隔で交互に着磁された磁極を有
するスケール部と、 このスケール部の磁界に応答して抵抗値が変化する少な
くとも２つの磁気検出子が配置され、これら磁気検出子
が直列に接続され、その両端に電圧を印加し、中点から
出力が得られるように構成されたセンサ部とを有する位
置検出装置であって、 前記センサ部は、前記スケール部における磁界の向きと
直交する方向の配線部の前記磁界と平行な方向の幅が、
前記スケール部の磁極形成幅Ｐの２ｎ倍（ｎ＝１，２，
・・・）に形成されていることを特徴とする磁気抵抗効
果素子型位置検出装置。 - 【請求項４】 請求項３において、前記磁気検出子およ
び配線部は、強磁性薄膜で形成されていることを特徴と
する位置検出装置。 - 【請求項５】 所定の間隔で交互に着磁された磁極を有
するスケール部の磁界に応答して抵抗値が変化する少な
くとも２つの磁気検出子が配置され、これら磁気検出子
が直列に接続され、その両端に電圧を印加し、中点から
出力が得られるように構成された磁気抵抗効果素子であ
って、 電圧印加あるいは信号出力のために必要な外部接続端子
の前記スケール部における磁界と平行な方向の幅が、前
記スケール部の磁極形成幅Ｐの２ｍ倍（ｍ＝１，２，・
・・）に形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果
素子。 - 【請求項６】 請求項５において、前記磁気検出子およ
び外部接続端子は、強磁性薄膜で形成されていることを
特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 【請求項７】 所定の間隔で交互に着磁された磁極を有
するスケール部の磁界に応答して抵抗値が変化する少な
くとも２つの磁気検出子が配置され、これら磁気検出子
が直列に接続され、その両端に電圧を印加し、中点から
出力が得られるように構成された磁気抵抗効果素子であ
って、 前記スケール部における磁界の向きと直交する方向の配
線部の前記磁界と平行な方向の幅が、前記スケール部の
磁極形成幅Ｐの２ｎ倍（ｎ＝１，２，・・・）に形成さ
れていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 【請求項８】 請求項７において、前記磁気検出子およ
び配線部は、強磁性薄膜で形成されていることを特徴と
する磁気抵抗効果素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7008950A JPH08201007A (ja) | 1995-01-24 | 1995-01-24 | 位置検出装置および磁気抵抗効果素子 |
| US08/590,834 US5886520A (en) | 1995-01-24 | 1996-01-24 | Position sensor having magnetic resistance effect devices for detecting a position of an object |
| US09/209,301 US6307366B1 (en) | 1995-01-24 | 1998-12-11 | Object position sensor using magnetic effect device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7008950A JPH08201007A (ja) | 1995-01-24 | 1995-01-24 | 位置検出装置および磁気抵抗効果素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08201007A true JPH08201007A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=11706958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7008950A Withdrawn JPH08201007A (ja) | 1995-01-24 | 1995-01-24 | 位置検出装置および磁気抵抗効果素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08201007A (ja) |
-
1995
- 1995-01-24 JP JP7008950A patent/JPH08201007A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020402 |