JPH08201197A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
- Publication number
- JPH08201197A JPH08201197A JP1120195A JP1120195A JPH08201197A JP H08201197 A JPH08201197 A JP H08201197A JP 1120195 A JP1120195 A JP 1120195A JP 1120195 A JP1120195 A JP 1120195A JP H08201197 A JPH08201197 A JP H08201197A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure sensor
- semiconductor pressure
- package body
- sensor chip
- package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 95
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体圧力センサの小型化を図る。
【構成】 半導体圧力センサチップ１と、台座２と、半
導体圧力センサチップ１及び台座２を内部に収容する凹
部３ａ、及び、圧力導入口３ｂが形成されたパッケージ
本体３と、半導体圧力センサとワイヤボンディングによ
り電気的に接続されパッケージ本体３の外部に引き出さ
れたリード１３とを備えた半導体圧力センサで、リード
がパッケージ本体３の側方に引き出されパッケージ本体
３の側面及び底面に略沿うように折り曲げられている。 【効果】 リード１３がパッケージ本体１３から側方に
大きく突出せず半導体圧力センサの小型化が図れる。
導体圧力センサチップ１及び台座２を内部に収容する凹
部３ａ、及び、圧力導入口３ｂが形成されたパッケージ
本体３と、半導体圧力センサとワイヤボンディングによ
り電気的に接続されパッケージ本体３の外部に引き出さ
れたリード１３とを備えた半導体圧力センサで、リード
がパッケージ本体３の側方に引き出されパッケージ本体
３の側面及び底面に略沿うように折り曲げられている。 【効果】 リード１３がパッケージ本体１３から側方に
大きく突出せず半導体圧力センサの小型化が図れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、母基板上に表面実装す
る小型の半導体圧力センサに関するものである。
る小型の半導体圧力センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３に基づいて従来の半導体圧力センサ
の一例について説明する。図３は半導体圧力センサを母
基板上に実装した状態を示す断面図である。図で、半導
体圧力センサは、半導体圧力センサチップ１を台座２に
陽極接合法等により接合し、樹脂モールドされたパッケ
ージ本体３の底面の中央に凹部３ａを設け、そこに台座
２を接着剤４等によってマウントしたものである。パッ
ケージ本体３の上部には、台座２に形成された貫通孔２
ａを通って半導体圧力センサチップ１に連通する圧力導
入口３ｂが形成されている。また、パッケージ本体３の
底面に形成された凹部３ａの開口は蓋５によって塞がれ
ており、これによって、凹部３ａの内部は密閉性を高め
た圧力基準室３ｃとなっている。
の一例について説明する。図３は半導体圧力センサを母
基板上に実装した状態を示す断面図である。図で、半導
体圧力センサは、半導体圧力センサチップ１を台座２に
陽極接合法等により接合し、樹脂モールドされたパッケ
ージ本体３の底面の中央に凹部３ａを設け、そこに台座
２を接着剤４等によってマウントしたものである。パッ
ケージ本体３の上部には、台座２に形成された貫通孔２
ａを通って半導体圧力センサチップ１に連通する圧力導
入口３ｂが形成されている。また、パッケージ本体３の
底面に形成された凹部３ａの開口は蓋５によって塞がれ
ており、これによって、凹部３ａの内部は密閉性を高め
た圧力基準室３ｃとなっている。
【０００３】半導体圧力センサチップ１は、シリコーン
単結晶板に、片面に受圧面が形成された、圧力を応力に
変換するダイヤフラム１ａ、及び、歪ゲージ（図示省
略）を形成したもので、ピエゾ抵抗効果により圧力の変
化を電気抵抗の変化に変換して出力するものである。
単結晶板に、片面に受圧面が形成された、圧力を応力に
変換するダイヤフラム１ａ、及び、歪ゲージ（図示省
略）を形成したもので、ピエゾ抵抗効果により圧力の変
化を電気抵抗の変化に変換して出力するものである。
【０００４】半導体圧力センサチップ１と、パッケージ
本体３に一体成型されたリード６とは、Au線等のボンデ
ィングワイヤ７により接続され、リード６は、半導体圧
力センサが実装される母基板８上に形成された配線パタ
ーン（図示省略）との接続のため、リード６となるリー
ドフレームのタイバー切断後、パッケージ本体３の側面
から突出した部分の先端部分が略垂直に下方に折り曲げ
られている。このリード６の先端部分は、母基板８上に
実装されたソケット９に差し込まれる。これによって、
半導体圧力センサは母基板８上に実装されるのである。
本体３に一体成型されたリード６とは、Au線等のボンデ
ィングワイヤ７により接続され、リード６は、半導体圧
力センサが実装される母基板８上に形成された配線パタ
ーン（図示省略）との接続のため、リード６となるリー
ドフレームのタイバー切断後、パッケージ本体３の側面
から突出した部分の先端部分が略垂直に下方に折り曲げ
られている。このリード６の先端部分は、母基板８上に
実装されたソケット９に差し込まれる。これによって、
半導体圧力センサは母基板８上に実装されるのである。
【０００５】次に、図４に基づいて従来の半導体圧力セ
ンサの異なる例について説明する。図４は半導体圧力セ
ンサを母基板上に実装した状態を示す断面図である。但
し、図３に示した構成と同等構成については同符号を付
すこととし詳細な説明は省略する。図４に示す例が、図
３に示した例と異なる点は、リードの形状及び実装の方
法である。図４に示す例では、パッケージ本体３の側面
から突出するリード１０は、斜め下方に折り曲げられ、
さらに、その先端部分は、パッケージ本体３側とは反対
の方向に略水平となるように折り曲げられている。リー
ド１０の形状に対応して母基板８上には配線パターン１
１が形成され、半田１２によってリード１０の先端部分
と接合されている。
ンサの異なる例について説明する。図４は半導体圧力セ
ンサを母基板上に実装した状態を示す断面図である。但
し、図３に示した構成と同等構成については同符号を付
すこととし詳細な説明は省略する。図４に示す例が、図
３に示した例と異なる点は、リードの形状及び実装の方
法である。図４に示す例では、パッケージ本体３の側面
から突出するリード１０は、斜め下方に折り曲げられ、
さらに、その先端部分は、パッケージ本体３側とは反対
の方向に略水平となるように折り曲げられている。リー
ド１０の形状に対応して母基板８上には配線パターン１
１が形成され、半田１２によってリード１０の先端部分
と接合されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図３及び図４に示した
半導体圧力センサでは、リード６またはリード１０がパ
ッケージ本体３の側面から大きく突出しているので、半
導体圧力センサの実装面積が大きくなってしまうという
問題点があった。また、図３に示した例では、リード６
を差し込むためのソケット９を予め母基板８上に実装し
ておく必要があり、部品点数が多くなりコスト高となっ
ていた。
半導体圧力センサでは、リード６またはリード１０がパ
ッケージ本体３の側面から大きく突出しているので、半
導体圧力センサの実装面積が大きくなってしまうという
問題点があった。また、図３に示した例では、リード６
を差し込むためのソケット９を予め母基板８上に実装し
ておく必要があり、部品点数が多くなりコスト高となっ
ていた。
【０００７】本発明は上記課題に鑑みなされたもので、
その目的とするところは、安価で、小型化が図れる半導
体圧力センサの構造を提供することにある。
その目的とするところは、安価で、小型化が図れる半導
体圧力センサの構造を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の半導体圧力センサは、圧力を応力に
変換するダイヤフラムが形成された半導体圧力センサチ
ップと、この半導体圧力センサチップを支持する台座
と、前記半導体圧力センサチップ及び前記台座を内部に
収容する凹部、及び、圧力導入口が形成されたパッケー
ジ本体と、前記半導体圧力センサとワイヤボンディング
により電気的に接続され前記パッケージ本体の外部に引
き出されたリードとを備えた半導体圧力センサにおい
て、前記リードが前記パッケージ本体の側方に引き出さ
れ前記パッケージ本体の側面に略沿うように前記パッケ
ージ本体の底面側に折り曲げられ、さらに、その先端部
分が前記パッケージ本体の底面に略沿うように折り曲げ
られていることを特徴とするものである。
め、請求項１記載の半導体圧力センサは、圧力を応力に
変換するダイヤフラムが形成された半導体圧力センサチ
ップと、この半導体圧力センサチップを支持する台座
と、前記半導体圧力センサチップ及び前記台座を内部に
収容する凹部、及び、圧力導入口が形成されたパッケー
ジ本体と、前記半導体圧力センサとワイヤボンディング
により電気的に接続され前記パッケージ本体の外部に引
き出されたリードとを備えた半導体圧力センサにおい
て、前記リードが前記パッケージ本体の側方に引き出さ
れ前記パッケージ本体の側面に略沿うように前記パッケ
ージ本体の底面側に折り曲げられ、さらに、その先端部
分が前記パッケージ本体の底面に略沿うように折り曲げ
られていることを特徴とするものである。
【０００９】請求項２記載の半導体圧力センサは、圧力
を応力に変換するダイヤフラムが形成された半導体圧力
センサチップと、この半導体圧力センサチップを支持す
る台座と、前記半導体圧力センサチップ及び前記台座を
内部に収容する凹部、及び、圧力導入口が形成されたパ
ッケージ本体と、前記半導体圧力センサとワイヤボンデ
ィングにより電気的に接続され前記パッケージ本体の外
部に引き出されたリードとを備え、母基板上に実装され
る半導体圧力センサにおいて、前記凹部が前記パッケー
ジ本体の底面側に形成され、前記半導体圧力センサが前
記母基板上に実装された際に、前記パッケージ本体が、
前記凹部の箇所で、前記母基板上に実装された、少なく
とも１つの素子、及び、その周辺部分を覆うように形成
されていると共に、前記リードが前記パッケージ本体の
側方に引き出され前記パッケージ本体の側面に略沿うよ
うに前記パッケージ本体の底面側に折り曲げられ、さら
に、その先端部分が前記パッケージ本体の底面に略沿う
ように折り曲げられていることを特徴とするものであ
る。
を応力に変換するダイヤフラムが形成された半導体圧力
センサチップと、この半導体圧力センサチップを支持す
る台座と、前記半導体圧力センサチップ及び前記台座を
内部に収容する凹部、及び、圧力導入口が形成されたパ
ッケージ本体と、前記半導体圧力センサとワイヤボンデ
ィングにより電気的に接続され前記パッケージ本体の外
部に引き出されたリードとを備え、母基板上に実装され
る半導体圧力センサにおいて、前記凹部が前記パッケー
ジ本体の底面側に形成され、前記半導体圧力センサが前
記母基板上に実装された際に、前記パッケージ本体が、
前記凹部の箇所で、前記母基板上に実装された、少なく
とも１つの素子、及び、その周辺部分を覆うように形成
されていると共に、前記リードが前記パッケージ本体の
側方に引き出され前記パッケージ本体の側面に略沿うよ
うに前記パッケージ本体の底面側に折り曲げられ、さら
に、その先端部分が前記パッケージ本体の底面に略沿う
ように折り曲げられていることを特徴とするものであ
る。
【００１０】請求項３記載の半導体圧力センサは、請求
項２記載の半導体圧力センサで、前記素子の少なくとも
１つが、前記半導体圧力センサの温度補償のために、そ
の温度を前記半導体圧力センサチップの温度と略等しい
温度に保つ必要がある素子であることを特徴とするもの
である。
項２記載の半導体圧力センサで、前記素子の少なくとも
１つが、前記半導体圧力センサの温度補償のために、そ
の温度を前記半導体圧力センサチップの温度と略等しい
温度に保つ必要がある素子であることを特徴とするもの
である。
【００１１】
【作用】請求項１乃至請求項３記載の半導体圧力センサ
は、リードを半導体圧力センサのパッケージ本体の側方
に引き出し、パッケージ本体の側面に略沿うように前記
パッケージ本体の底面側に折り曲げ、さらに、その先端
部分をパッケージ本体の底面に略沿うように折り曲げ
て、リードの先端部分を母基板上に形成された配線パタ
ーンと半田等により接合して表面実装するように構成し
たものである。この構造によれば、リードがパッケージ
本体から側方に大きく突出することがないので半導体圧
力センサの小型化が図れる。
は、リードを半導体圧力センサのパッケージ本体の側方
に引き出し、パッケージ本体の側面に略沿うように前記
パッケージ本体の底面側に折り曲げ、さらに、その先端
部分をパッケージ本体の底面に略沿うように折り曲げ
て、リードの先端部分を母基板上に形成された配線パタ
ーンと半田等により接合して表面実装するように構成し
たものである。この構造によれば、リードがパッケージ
本体から側方に大きく突出することがないので半導体圧
力センサの小型化が図れる。
【００１２】また、請求項２及び請求項３記載の半導体
圧力センサは、パッケージ本体が、凹部の箇所で、母基
板上に実装された、少なくとも１つの素子、及び、その
周辺部分を覆うようにパッケージ本体を構成したことを
特徴とするものである。このように構成することによ
り、母基板上の半導体圧力センサの実装領域に、他の素
子も実装することができるので母基板の小型化が図れ
る。
圧力センサは、パッケージ本体が、凹部の箇所で、母基
板上に実装された、少なくとも１つの素子、及び、その
周辺部分を覆うようにパッケージ本体を構成したことを
特徴とするものである。このように構成することによ
り、母基板上の半導体圧力センサの実装領域に、他の素
子も実装することができるので母基板の小型化が図れ
る。
【００１３】さらに、請求項３記載の半導体圧力センサ
は、請求項２記載の半導体圧力センサで、素子の少なく
とも１つを、半導体圧力センサの温度補償のために、そ
の温度を半導体圧力センサチップの温度と略等しい温度
に保つ必要がある素子（温度補償用素子）としたことを
特徴とするもので、このように構成することにより、温
度補償用素子と、半導体圧力センサチップとが同じ圧力
基準室内に配置され、温度補償用素子の温度と半導体圧
力センサチップの温度とが略等しくなるので、精度の高
い温度補償が可能となる。
は、請求項２記載の半導体圧力センサで、素子の少なく
とも１つを、半導体圧力センサの温度補償のために、そ
の温度を半導体圧力センサチップの温度と略等しい温度
に保つ必要がある素子（温度補償用素子）としたことを
特徴とするもので、このように構成することにより、温
度補償用素子と、半導体圧力センサチップとが同じ圧力
基準室内に配置され、温度補償用素子の温度と半導体圧
力センサチップの温度とが略等しくなるので、精度の高
い温度補償が可能となる。
【００１４】
【実施例】図１に基づいて本発明の半導体圧力センサの
一実施例について説明する。図１は半導体圧力センサを
母基板上に実装した状態を示す断面図である。但し、図
４に示した構成と同等構成については同符号を付すこと
とする。図で、半導体圧力センサチップ１は、パイレッ
クスガラス材料等で構成された台座２に陽極接合法等に
より接合され、台座２は樹脂モールドされたパッケージ
本体３の底面に形成された凹部３ａの底面に接着剤４等
によってマウントされている。
一実施例について説明する。図１は半導体圧力センサを
母基板上に実装した状態を示す断面図である。但し、図
４に示した構成と同等構成については同符号を付すこと
とする。図で、半導体圧力センサチップ１は、パイレッ
クスガラス材料等で構成された台座２に陽極接合法等に
より接合され、台座２は樹脂モールドされたパッケージ
本体３の底面に形成された凹部３ａの底面に接着剤４等
によってマウントされている。
【００１５】パッケージ本体３の上部には、台座２に形
成された貫通孔２ａを通って半導体圧力センサチップ１
に連通する圧力導入口３ｂが形成されている。また、凹
部３ａの開口は蓋５によって塞がれており、これによ
り、凹部３ａの内部は密閉性が高められた圧力基準室３
ｃとなっている。圧力基準室３ｃについては、その内部
気圧を大気圧に設定する場合、真空に設定したりする場
合等がある。
成された貫通孔２ａを通って半導体圧力センサチップ１
に連通する圧力導入口３ｂが形成されている。また、凹
部３ａの開口は蓋５によって塞がれており、これによ
り、凹部３ａの内部は密閉性が高められた圧力基準室３
ｃとなっている。圧力基準室３ｃについては、その内部
気圧を大気圧に設定する場合、真空に設定したりする場
合等がある。
【００１６】半導体圧力センサチップ１は、シリコーン
単結晶板に、片面に受圧面が形成された、圧力を応力に
変換するダイヤフラム１ａ、及び、歪ゲージ（図示省
略）を形成したもので、ピエゾ抵抗効果により圧力の変
化を電気抵抗の変化に変換して出力するものである。
単結晶板に、片面に受圧面が形成された、圧力を応力に
変換するダイヤフラム１ａ、及び、歪ゲージ（図示省
略）を形成したもので、ピエゾ抵抗効果により圧力の変
化を電気抵抗の変化に変換して出力するものである。
【００１７】半導体圧力センサチップ１と、パッケージ
本体３に一体成型されたリード１３とは、Au線等のボン
ディングワイヤ７により接続されている。リード１３
は、リード１３となるリードフレームのタイバー切断
後、パッケージ本体３の側方に引き出された部分が、パ
ッケージ本体３の側面に略沿うように、パッケージ本体
３の底面側に折り曲げられ、さらに、その先端部分が、
パッケージ本体３の底面に略沿うように折り曲げられて
いる。リード１３の先端部分は、母基板８（銅張積層
板、セラミック、金属ベース基板等）上に形成された配
線パターン１４と半田１２等によって接合されている。
図１に示す構造によれば、リードがパッケージ本体３の
側方に大きく突出することがないので半導体圧力センサ
の小型化が図れ実装面積を小さくすることができる。
本体３に一体成型されたリード１３とは、Au線等のボン
ディングワイヤ７により接続されている。リード１３
は、リード１３となるリードフレームのタイバー切断
後、パッケージ本体３の側方に引き出された部分が、パ
ッケージ本体３の側面に略沿うように、パッケージ本体
３の底面側に折り曲げられ、さらに、その先端部分が、
パッケージ本体３の底面に略沿うように折り曲げられて
いる。リード１３の先端部分は、母基板８（銅張積層
板、セラミック、金属ベース基板等）上に形成された配
線パターン１４と半田１２等によって接合されている。
図１に示す構造によれば、リードがパッケージ本体３の
側方に大きく突出することがないので半導体圧力センサ
の小型化が図れ実装面積を小さくすることができる。
【００１８】図２に基づいて本発明の半導体圧力センサ
の異なる実施例について説明する。図２は半導体圧力セ
ンサを母基板上に実装した状態を示す断面図である。但
し、図１に示した構成と同等構成については同符号を付
し詳細説明を省略することとする。図２に示す実施例
は、リードを図１に示した実施例のリード１３と同様に
構成すると共に、パッケージ本体３が、凹部３ａの箇所
で、母基板８上に実装された、ベアチップ状のオペアン
プＩＣ１５、及び、その周辺部分（例えば、オペアンプ
ＩＣ１５に接続されたボンディングワイヤ、そのボンデ
ィングワイヤに接続された配線パターンの一部が形成さ
れている領域）を覆うように構成したものである。図２
に示す実施例の場合、図１に示した実施例の蓋５は除去
されている。
の異なる実施例について説明する。図２は半導体圧力セ
ンサを母基板上に実装した状態を示す断面図である。但
し、図１に示した構成と同等構成については同符号を付
し詳細説明を省略することとする。図２に示す実施例
は、リードを図１に示した実施例のリード１３と同様に
構成すると共に、パッケージ本体３が、凹部３ａの箇所
で、母基板８上に実装された、ベアチップ状のオペアン
プＩＣ１５、及び、その周辺部分（例えば、オペアンプ
ＩＣ１５に接続されたボンディングワイヤ、そのボンデ
ィングワイヤに接続された配線パターンの一部が形成さ
れている領域）を覆うように構成したものである。図２
に示す実施例の場合、図１に示した実施例の蓋５は除去
されている。
【００１９】オペアンプＩＣ１５は、半導体圧力センサ
チップ１（歪ゲージ）の出力を増幅し温度補償を行う機
能を有する素子である。図２に示す実施例では、圧力基
準室３ｄの内部に、オペアンプＩＣ１５を配置したが、
オペアンプＩＣ１５以外の素子を配置してもよい。ま
た、例えば、オペアンプＩＣ１５と、電気特性のバラツ
キを調整する抵抗素子というように複数の素子を配置し
てもよい。
チップ１（歪ゲージ）の出力を増幅し温度補償を行う機
能を有する素子である。図２に示す実施例では、圧力基
準室３ｄの内部に、オペアンプＩＣ１５を配置したが、
オペアンプＩＣ１５以外の素子を配置してもよい。ま
た、例えば、オペアンプＩＣ１５と、電気特性のバラツ
キを調整する抵抗素子というように複数の素子を配置し
てもよい。
【００２０】以上に説明したように構成し、パッケージ
本体３の底面に略沿わせた、リード１３の先端部分を、
母基板８上に形成された配線パターン１４に接合するこ
とによって半導体圧力センサを母基板８上に実装する。
この場合、パッケージ本体３の底面と母基板８間の隙間
にシリコーン樹脂等で構成されるシーリング剤１６を充
填し、圧力基準室３ｄの密封性を高めるように構成して
もよい。但し、このシーリングを行う場合、圧力基準室
３ｄの内部気圧を大気圧と等しくする場合は、圧力基準
室３ｄへの異物または水分の侵入を抑制すると共に、内
部気圧を大気圧と等しくするために、微小な通気孔（図
示省略）を形成しておく。この通気孔は、パッケージ本
体３の底面と母基板８間の隙間の一部にシーリング剤１
６を充填しないようにして形成したり、パッケージ本体
３に孔または溝を形成してそれを通気孔として用いるよ
うにしてもよい。また、母基板８側にスルーホール等を
形成してそれを通気孔としてもよい。
本体３の底面に略沿わせた、リード１３の先端部分を、
母基板８上に形成された配線パターン１４に接合するこ
とによって半導体圧力センサを母基板８上に実装する。
この場合、パッケージ本体３の底面と母基板８間の隙間
にシリコーン樹脂等で構成されるシーリング剤１６を充
填し、圧力基準室３ｄの密封性を高めるように構成して
もよい。但し、このシーリングを行う場合、圧力基準室
３ｄの内部気圧を大気圧と等しくする場合は、圧力基準
室３ｄへの異物または水分の侵入を抑制すると共に、内
部気圧を大気圧と等しくするために、微小な通気孔（図
示省略）を形成しておく。この通気孔は、パッケージ本
体３の底面と母基板８間の隙間の一部にシーリング剤１
６を充填しないようにして形成したり、パッケージ本体
３に孔または溝を形成してそれを通気孔として用いるよ
うにしてもよい。また、母基板８側にスルーホール等を
形成してそれを通気孔としてもよい。
【００２１】なお、パッケージ本体の形状は実施例に限
定されない。また、実施例で、素子はオペアンプＩＣで
あるとして説明したが実施例に限定されない。
定されない。また、実施例で、素子はオペアンプＩＣで
あるとして説明したが実施例に限定されない。
【００２２】
【発明の効果】以上に説明したように、請求項１乃至請
求項３記載の半導体圧力センサでは、半導体圧力センサ
と母基板上に形成された配線パターンとを電気的に接続
するリードを、パッケージ本体の側方に引出し、パッケ
ージ本体の側面及び底面に略沿うように折り曲げている
ので、半導体圧力センサの実装面積を著しく縮小でき、
半導体圧力センサの小型化が図れる。
求項３記載の半導体圧力センサでは、半導体圧力センサ
と母基板上に形成された配線パターンとを電気的に接続
するリードを、パッケージ本体の側方に引出し、パッケ
ージ本体の側面及び底面に略沿うように折り曲げている
ので、半導体圧力センサの実装面積を著しく縮小でき、
半導体圧力センサの小型化が図れる。
【００２３】また、請求項２及び請求項３記載の半導体
圧力センサでは、パッケージ本体が、凹部の箇所で、母
基板上に実装された、少なくとも１つの素子、及び、そ
の周辺部分を覆うようにパッケージ本体を構成したの
で、母基板上の半導体圧力センサの実装領域に、他の素
子も実装することができ母基板の小型化が図れる。
圧力センサでは、パッケージ本体が、凹部の箇所で、母
基板上に実装された、少なくとも１つの素子、及び、そ
の周辺部分を覆うようにパッケージ本体を構成したの
で、母基板上の半導体圧力センサの実装領域に、他の素
子も実装することができ母基板の小型化が図れる。
【００２４】さらに、請求項３記載の半導体圧力センサ
は、母基板上に実装し圧力基準室に配置する素子の、少
なくとも１つを、半導体圧力センサの温度補償のため
に、その温度を半導体圧力センサチップの温度と略等し
い温度に保つ必要がある素子（温度補償用素子）とした
ので、半導体圧力センサチップと温度補償用素子を同じ
圧力基準室に配置することができ、半導体圧力センサチ
ップの温度と、温度補償用素子の温度を略等しくするこ
とができるので、温度補償が高い精度で行えるという効
果を奏する。
は、母基板上に実装し圧力基準室に配置する素子の、少
なくとも１つを、半導体圧力センサの温度補償のため
に、その温度を半導体圧力センサチップの温度と略等し
い温度に保つ必要がある素子（温度補償用素子）とした
ので、半導体圧力センサチップと温度補償用素子を同じ
圧力基準室に配置することができ、半導体圧力センサチ
ップの温度と、温度補償用素子の温度を略等しくするこ
とができるので、温度補償が高い精度で行えるという効
果を奏する。
【図１】本発明の半導体圧力センサの一実施例を示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の半導体圧力センサの異なる実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図３】従来の半導体圧力センサの一例を示す断面図で
ある。
ある。
【図４】従来の半導体圧力センサの異なる例を示す断面
図である。
図である。
１ 半導体圧力センサチップ １ａ ダイヤフラム ２ 台座 ３ パッケージ本体 ３ａ 凹部 ３ｂ 圧力導入口 ８ 母基板 １３ リード １５ オペアンプＩＣ（素子、半導体圧力センサの温
度補償のためにその温度を半導体圧力センサチップの温
度と略等しい温度に保つ必要がある素子）
度補償のためにその温度を半導体圧力センサチップの温
度と略等しい温度に保つ必要がある素子）
Claims (3)
- 【請求項１】 圧力を応力に変換するダイヤフラムが形
成された半導体圧力センサチップと、この半導体圧力セ
ンサチップを支持する台座と、前記半導体圧力センサチ
ップ及び前記台座を内部に収容する凹部、及び、圧力導
入口が形成されたパッケージ本体と、前記半導体圧力セ
ンサとワイヤボンディングにより電気的に接続され前記
パッケージ本体の外部に引き出されたリードとを備えた
半導体圧力センサにおいて、前記リードが前記パッケー
ジ本体の側方に引き出され前記パッケージ本体の側面に
略沿うように前記パッケージ本体の底面側に折り曲げら
れ、さらに、その先端部分が前記パッケージ本体の底面
に略沿うように折り曲げられていることを特徴とする半
導体圧力センサ。 - 【請求項２】 圧力を応力に変換するダイヤフラムが形
成された半導体圧力センサチップと、この半導体圧力セ
ンサチップを支持する台座と、前記半導体圧力センサチ
ップ及び前記台座を内部に収容する凹部、及び、圧力導
入口が形成されたパッケージ本体と、前記半導体圧力セ
ンサとワイヤボンディングにより電気的に接続され前記
パッケージ本体の外部に引き出されたリードとを備え、
母基板上に実装される半導体圧力センサにおいて、前記
凹部が前記パッケージ本体の底面側に形成され、前記半
導体圧力センサが前記母基板上に実装された際に、前記
パッケージ本体が、前記凹部の箇所で、前記母基板上に
実装された、少なくとも１つの素子、及び、その周辺部
分を覆うように形成されていると共に、前記リードが前
記パッケージ本体の側方に引き出され前記パッケージ本
体の側面に略沿うように前記パッケージ本体の底面側に
折り曲げられ、さらに、その先端部分が前記パッケージ
本体の底面に略沿うように折り曲げられていることを特
徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項３】 前記素子の少なくとも１つが、前記半導
体圧力センサの温度補償のために、その温度を前記半導
体圧力センサチップの温度と略等しい温度に保つ必要が
ある素子であることを特徴とする請求項２記載の半導体
圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7011201A JP3042344B2 (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7011201A JP3042344B2 (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 半導体圧力センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08201197A true JPH08201197A (ja) | 1996-08-09 |
| JP3042344B2 JP3042344B2 (ja) | 2000-05-15 |
Family
ID=11771425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7011201A Expired - Lifetime JP3042344B2 (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3042344B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010008434A (ja) * | 2009-10-15 | 2010-01-14 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | 半導体圧力センサ |
| JP2024059734A (ja) * | 2018-11-15 | 2024-05-01 | ティーイー コネクティビティ ソリューソンズ ゲーエムベーハー | 差圧センサデバイス |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3125219U (ja) | 2006-06-13 | 2006-09-14 | 二三子 横井 | 腰紐 |
-
1995
- 1995-01-27 JP JP7011201A patent/JP3042344B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010008434A (ja) * | 2009-10-15 | 2010-01-14 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | 半導体圧力センサ |
| JP2024059734A (ja) * | 2018-11-15 | 2024-05-01 | ティーイー コネクティビティ ソリューソンズ ゲーエムベーハー | 差圧センサデバイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3042344B2 (ja) | 2000-05-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7560811B2 (en) | Semiconductor device | |
| US5859759A (en) | Semiconductor pressure sensor module | |
| CN101359645B (zh) | 半导体装置、预模制封装结构及其制造方法 | |
| US5604363A (en) | Semiconductor pressure sensor with package | |
| US20090072334A1 (en) | Semiconductor device, pre-mold package, and manufacturing method therefor | |
| US5616521A (en) | Side port package for micromachined fluid sensor | |
| JP4779614B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2009038053A (ja) | 半導体センサ装置 | |
| JPH03233334A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| US4984466A (en) | Semiconductor pressure sensor | |
| JP3042344B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
| KR20080022509A (ko) | 마이크로폰 패키지 | |
| US6177727B1 (en) | Saddle bracket for solid state pressure gauge | |
| JPH1038730A (ja) | 圧力センサ並びに圧力センサを用いた圧力検出装置 | |
| CN118654804A (zh) | 一种压力传感器 | |
| CN113498261B (zh) | 能耦接到具有改进封装体的印刷电路板的环境温度传感器 | |
| JP2004219402A (ja) | 圧力センサ装置およびその製造方法 | |
| US7388287B2 (en) | Semiconductor package | |
| JP3722037B2 (ja) | 圧力センサ装置 | |
| JPH10274583A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH10332505A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPS61281559A (ja) | 光検出装置 | |
| JP2000131172A (ja) | 圧力検出器 | |
| JP3594497B2 (ja) | 絶対圧型半導体圧力センサ | |
| JPS6327724A (ja) | 半導体式圧力センサ |