JPH08203705A - チップ型サーミスタ及びその製造方法 - Google Patents
チップ型サーミスタ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH08203705A JPH08203705A JP7007403A JP740395A JPH08203705A JP H08203705 A JPH08203705 A JP H08203705A JP 7007403 A JP7007403 A JP 7007403A JP 740395 A JP740395 A JP 740395A JP H08203705 A JPH08203705 A JP H08203705A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermistor
- resistor layer
- layer
- chip
- chip type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 容易で工数のかからない工法で製造でき、安
定した強度を持つチップ型サーミスタを供給することを
目的とする。 【構成】 絶縁体層１２ａ，１２ｂの形成は、グリーン
シートの状態でサーミスタ抵抗体層１１と積層する。絶
縁体層１２ａ，１２ｂは、グリーンシートを使用するた
め均一な厚みであり、安定した強度を得ることができ
る。
定した強度を持つチップ型サーミスタを供給することを
目的とする。 【構成】 絶縁体層１２ａ，１２ｂの形成は、グリーン
シートの状態でサーミスタ抵抗体層１１と積層する。絶
縁体層１２ａ，１２ｂは、グリーンシートを使用するた
め均一な厚みであり、安定した強度を得ることができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、回路基板等の表面実装
用として温度センサや温度補償に用いられるチップ型サ
ーミスタ及びその製造方法に関するものである。
用として温度センサや温度補償に用いられるチップ型サ
ーミスタ及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の積層型チップサーミスタについて
図４を用いて説明する。図４は、従来の積層型チップサ
ーミスタの一例を示す断面図である。サーミスタ抵抗体
層１の表面にガラスなどの無機質材料や樹脂などの有機
質材料からなる耐メッキ性の絶縁体層２ａ，２ｂを外部
接続側の両端面を除く四面に薄く形成した後、外部接続
側の両端に表面層が半田濡れ性の良い半田性金属層５で
ある端子電極３ａ，３ｂを形成した構造をしていた。
図４を用いて説明する。図４は、従来の積層型チップサ
ーミスタの一例を示す断面図である。サーミスタ抵抗体
層１の表面にガラスなどの無機質材料や樹脂などの有機
質材料からなる耐メッキ性の絶縁体層２ａ，２ｂを外部
接続側の両端面を除く四面に薄く形成した後、外部接続
側の両端に表面層が半田濡れ性の良い半田性金属層５で
ある端子電極３ａ，３ｂを形成した構造をしていた。
【０００３】前記絶縁体層２ａ，２ｂは、表面層が半田
濡れ性の良い前記半田性金属層５である端子電極３ａ，
３ｂをメッキ処理により形成する際に発生する前記サー
ミスタ抵抗体層１の侵食を防止させ、機械的強度と耐久
性能を確保するために形成されていた。
濡れ性の良い前記半田性金属層５である端子電極３ａ，
３ｂをメッキ処理により形成する際に発生する前記サー
ミスタ抵抗体層１の侵食を防止させ、機械的強度と耐久
性能を確保するために形成されていた。
【０００４】また、チップ型サーミスタの機械的強度
は、サーミスタ抵抗体層の材料物性に依存しており、材
料により大きく異なっていた。
は、サーミスタ抵抗体層の材料物性に依存しており、材
料により大きく異なっていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、サーミスタ抵抗体層の表面の外部接続側の
端面を除く四面に薄く形成される耐メッキ性の絶縁体層
は、それ自体のクラックの発生を防ぐために均一な厚み
で塗布する必要があり、且つ、サーミスタ抵抗体層と熱
膨張係数が同程度の材料である必要があった。
の構成では、サーミスタ抵抗体層の表面の外部接続側の
端面を除く四面に薄く形成される耐メッキ性の絶縁体層
は、それ自体のクラックの発生を防ぐために均一な厚み
で塗布する必要があり、且つ、サーミスタ抵抗体層と熱
膨張係数が同程度の材料である必要があった。
【０００６】そのため、絶縁体層を形成する工程は、工
程が難しく工数のかかる工程であった。また、絶縁体層
の材料は、サーミスタ抵抗体層の材料の熱膨張率などの
特性ごとに選定する必要があるため品種ごとに使用材料
を別々に選定する必要があった。
程が難しく工数のかかる工程であった。また、絶縁体層
の材料は、サーミスタ抵抗体層の材料の熱膨張率などの
特性ごとに選定する必要があるため品種ごとに使用材料
を別々に選定する必要があった。
【０００７】さらには、チップ型サーミスタの機械的強
度は、サーミスタ抵抗体層の材料物性のみに依存してお
り、サーミスタ材料ごとに大きく異なっていた。
度は、サーミスタ抵抗体層の材料物性のみに依存してお
り、サーミスタ材料ごとに大きく異なっていた。
【０００８】本発明はこのような問題点を解決するもの
で、容易で工数のかからない工法で且つ一種類の材料で
耐メッキ層を形成できると共に、サーミスタ抵抗体層の
材料物性が異なっても一定以上の安定した強度を持つチ
ップ型サーミスタを供給することを目的とするものであ
る。
で、容易で工数のかからない工法で且つ一種類の材料で
耐メッキ層を形成できると共に、サーミスタ抵抗体層の
材料物性が異なっても一定以上の安定した強度を持つチ
ップ型サーミスタを供給することを目的とするものであ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この問題点を解決するた
めに、本発明のチップ型サーミスタは、サーミスタ抵抗
体層の表裏面を二層の絶縁セラミック層で、サーミスタ
抵抗体層を挟み込むように積層したことを特徴とするも
のである。
めに、本発明のチップ型サーミスタは、サーミスタ抵抗
体層の表裏面を二層の絶縁セラミック層で、サーミスタ
抵抗体層を挟み込むように積層したことを特徴とするも
のである。
【００１０】
【作用】この構成によれば、グリーンシートの状態でサ
ーミスタ抵抗体層と絶縁セラミック層とを積層する工法
で製造できるので、容易で工数のかからない工程とする
ことができる。また、絶縁体層は、グリーンシートを使
用するため均一な厚みであり、且つサーミスタ抵抗体層
よりも厚く十分な強度を有するように製造できるため熱
膨張係数の差によるクラックの発生も防ぐことができ
る。さらには、チップ型サーミスタの機械的強度が、絶
縁体層の厚みが増す分だけ、絶縁体層の材料物性への依
存度合いが大きくなるためサーミスタ抵抗体層の材料が
異なっても一定以上の安定した強度を得ることができ
る。
ーミスタ抵抗体層と絶縁セラミック層とを積層する工法
で製造できるので、容易で工数のかからない工程とする
ことができる。また、絶縁体層は、グリーンシートを使
用するため均一な厚みであり、且つサーミスタ抵抗体層
よりも厚く十分な強度を有するように製造できるため熱
膨張係数の差によるクラックの発生も防ぐことができ
る。さらには、チップ型サーミスタの機械的強度が、絶
縁体層の厚みが増す分だけ、絶縁体層の材料物性への依
存度合いが大きくなるためサーミスタ抵抗体層の材料が
異なっても一定以上の安定した強度を得ることができ
る。
【００１１】
【実施例】以下、本発明を図１〜図３に示す実施例に基
づいて詳細に説明する。
づいて詳細に説明する。
【００１２】（実施例１）図１は、本発明の第１の実施
例であるチップ型サーミスタの断面図である。大きさは
１．６ｍｍ×０．８ｍｍ×０．６ｍｍであるサーミスタ
抵抗体層１１よりも厚み寸法が大きく（図の中のＴａ＝
Ｔｂ＝０．２ｍｍ Ｔ＝０．１５ｍｍでＴａ，Ｔｂ＞
Ｔ）耐メッキ性を有する二層の絶縁体層１２ａ，１２ｂ
により、前記サーミスタ抵抗体層１１を挟み込むように
積層して、その両端に表面層が半田濡れ性の良い半田性
金属層１５，１６である端子電極１３，１４を形成した
チップ型サーミスタである。
例であるチップ型サーミスタの断面図である。大きさは
１．６ｍｍ×０．８ｍｍ×０．６ｍｍであるサーミスタ
抵抗体層１１よりも厚み寸法が大きく（図の中のＴａ＝
Ｔｂ＝０．２ｍｍ Ｔ＝０．１５ｍｍでＴａ，Ｔｂ＞
Ｔ）耐メッキ性を有する二層の絶縁体層１２ａ，１２ｂ
により、前記サーミスタ抵抗体層１１を挟み込むように
積層して、その両端に表面層が半田濡れ性の良い半田性
金属層１５，１６である端子電極１３，１４を形成した
チップ型サーミスタである。
【００１３】このような構成にするのに、前記絶縁体層
１２ａ，１２ｂの形成は、グリーンシートの状態でサー
ミスタ抵抗体層１１に積層する。
１２ａ，１２ｂの形成は、グリーンシートの状態でサー
ミスタ抵抗体層１１に積層する。
【００１４】この工法により、一度に数千個分のチップ
型サーミスタの絶縁体層が一度に形成でき、容易で工数
のかからない工程でできる。また、前記絶縁体層１２
ａ，１２ｂは、グリーンシートを使用するため均一な厚
みであるのでクラックに強く、且つ前記サーミスタ抵抗
体層１１よりも厚く十分な強度を有しているため熱膨張
係数の差によるクラックの発生も防ぐことができる。さ
らには、チップ型サーミスタの機械的強度が、前記絶縁
体層１２ａ，１２ｂの材料物性に依存するためサーミス
タ抵抗体層の材料が異なっても安定した強度を得ること
ができる。
型サーミスタの絶縁体層が一度に形成でき、容易で工数
のかからない工程でできる。また、前記絶縁体層１２
ａ，１２ｂは、グリーンシートを使用するため均一な厚
みであるのでクラックに強く、且つ前記サーミスタ抵抗
体層１１よりも厚く十分な強度を有しているため熱膨張
係数の差によるクラックの発生も防ぐことができる。さ
らには、チップ型サーミスタの機械的強度が、前記絶縁
体層１２ａ，１２ｂの材料物性に依存するためサーミス
タ抵抗体層の材料が異なっても安定した強度を得ること
ができる。
【００１５】（実施例２）図２は、本発明の第２の実施
例であるチップ型サーミスタの断面図である。全体的な
構成は実施例１と同様であるが前記サーミスタ抵抗体層
１１の中に一方の端子電極１３に電気的に接続する内部
電極１７と他方の端子電極１４に電気的に接続する内部
電極１８を有している。この時、サーミスタの抵抗値は
内部電極１７と１８の重なり合っている部分でほとんど
決定される。
例であるチップ型サーミスタの断面図である。全体的な
構成は実施例１と同様であるが前記サーミスタ抵抗体層
１１の中に一方の端子電極１３に電気的に接続する内部
電極１７と他方の端子電極１４に電気的に接続する内部
電極１８を有している。この時、サーミスタの抵抗値は
内部電極１７と１８の重なり合っている部分でほとんど
決定される。
【００１６】このような構成とすることにより、前記サ
ーミスタ抵抗体層１１の表面近くの一部がメッキ処理時
に侵食されても内部電極１７と１８との重なり合ってい
る部分には侵食が到達しない為、抵抗値を一定値に保持
することができる。
ーミスタ抵抗体層１１の表面近くの一部がメッキ処理時
に侵食されても内部電極１７と１８との重なり合ってい
る部分には侵食が到達しない為、抵抗値を一定値に保持
することができる。
【００１７】（実施例３）図３は、本発明の第３の実施
例であるチップ型サーミスタの断面図である。前記絶縁
体層１２ａ，１２ｂの代わりに前記サーミスタ抵抗体層
１１よりも比抵抗の著しく大きなサーミスタ材料のセラ
ミック層１９ａ，１９ｂを用いる。比抵抗は１１の層の
約２０倍である。グリーンシート状態で積層するのは実
施例１と同様である。材料はＭｎ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｃｒの
複合酸化物である。
例であるチップ型サーミスタの断面図である。前記絶縁
体層１２ａ，１２ｂの代わりに前記サーミスタ抵抗体層
１１よりも比抵抗の著しく大きなサーミスタ材料のセラ
ミック層１９ａ，１９ｂを用いる。比抵抗は１１の層の
約２０倍である。グリーンシート状態で積層するのは実
施例１と同様である。材料はＭｎ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｃｒの
複合酸化物である。
【００１８】このような構成とすることにより、絶縁体
の代わりにサーミスタ材料を用い、この材料は、前述し
たような複合酸化物で耐メッキ性も高いため、絶縁体層
専用のグリーンシートをわざわざ製造する必要がなく、
他の製品に使用するサーミスタ用材料を流用できるので
工場全体としてみれば部材点数を削減することができ
る。
の代わりにサーミスタ材料を用い、この材料は、前述し
たような複合酸化物で耐メッキ性も高いため、絶縁体層
専用のグリーンシートをわざわざ製造する必要がなく、
他の製品に使用するサーミスタ用材料を流用できるので
工場全体としてみれば部材点数を削減することができ
る。
【００１９】この構造と従来の構造とを比較すると、従
来の構造はサーミスタの表裏面だけでなく左右の面も含
んだ四面について耐メッキ層をつけていたのに対し、本
発明の構造では表裏面のみの保護層となっている。左右
の面の保護層が特にはなされていない。だから、左右面
（図上でいうと紙面に対し表と裏方向の面）のサーミス
タ抵抗体層の端部はメッキ処理時にメッキ液に曝され、
最大約数十ミクロンは侵食され削られることになる。し
かし、この侵食は層の全幅の約１ｍｍに比べて小さいの
で、幅が細くなることによる抵抗値への影響はさほど大
きくない。また、サーミスタ抵抗体層の断面が完全に露
出しているので、侵食が常に一定量規則的に起きるの
で、それを予め計算して最終抵抗値よりも低い目を狙っ
た製造で対処することもできる。
来の構造はサーミスタの表裏面だけでなく左右の面も含
んだ四面について耐メッキ層をつけていたのに対し、本
発明の構造では表裏面のみの保護層となっている。左右
の面の保護層が特にはなされていない。だから、左右面
（図上でいうと紙面に対し表と裏方向の面）のサーミス
タ抵抗体層の端部はメッキ処理時にメッキ液に曝され、
最大約数十ミクロンは侵食され削られることになる。し
かし、この侵食は層の全幅の約１ｍｍに比べて小さいの
で、幅が細くなることによる抵抗値への影響はさほど大
きくない。また、サーミスタ抵抗体層の断面が完全に露
出しているので、侵食が常に一定量規則的に起きるの
で、それを予め計算して最終抵抗値よりも低い目を狙っ
た製造で対処することもできる。
【００２０】
【発明の効果】以上のように本発明によるチップ型サー
ミスタは、サーミスタ抵抗体層よりも厚み寸法が大きい
耐メッキ性の二層の絶縁体層でサーミスタ抵抗体層を挟
み込むように積層する構造にすることにより、グリーン
シートの状態で積層する工法で製造でき容易で工数のか
からない工程とすることができる。また、絶縁体層は、
グリーンシートを使用するため均一な厚みであり、且つ
サーミスタ抵抗体層よりも厚く十分な強度を有している
ため熱膨張係数の差によるクラックの発生も防ぐことが
できる。さらには、チップ型サーミスタの機械的強度
が、絶縁体層の材料物性に依存するためサーミスタ抵抗
体層の材料が異なっても安定した強度を得ることができ
る。
ミスタは、サーミスタ抵抗体層よりも厚み寸法が大きい
耐メッキ性の二層の絶縁体層でサーミスタ抵抗体層を挟
み込むように積層する構造にすることにより、グリーン
シートの状態で積層する工法で製造でき容易で工数のか
からない工程とすることができる。また、絶縁体層は、
グリーンシートを使用するため均一な厚みであり、且つ
サーミスタ抵抗体層よりも厚く十分な強度を有している
ため熱膨張係数の差によるクラックの発生も防ぐことが
できる。さらには、チップ型サーミスタの機械的強度
が、絶縁体層の材料物性に依存するためサーミスタ抵抗
体層の材料が異なっても安定した強度を得ることができ
る。
【図１】本発明の第１の実施例のチップ型サーミスタの
断面図
断面図
【図２】本発明の第２の実施例のチップ型サーミスタの
断面図
断面図
【図３】本発明の第３の実施例のチップ型サーミスタの
断面図
断面図
【図４】従来例のチップ型サーミスタの断面図
１１ サーミスタ抵抗体層 １２ａ 絶縁体層 １２ｂ 絶縁体層 １３ 端子電極 １４ 端子電極
Claims (4)
- 【請求項１】 サーミスタ抵抗体層の表裏二面を、耐メ
ッキ性の二層の絶縁セラミック層により、前記サーミス
タ抵抗体層を挟み込むように積層し、この積層体の両端
に表面層が半田濡れ性の良い金属層の端子電極を形成し
たチップ型サーミスタ。 - 【請求項２】 サーミスタ抵抗体層の表裏二面を、この
サーミスタ抵抗体層よりも比抵抗が著しく大きい二層の
サーミスタ材料セラミック層により、前記サーミスタ抵
抗体層を挟み込むように積層し、この積層体の両端に表
面層が半田濡れ性の良い金属層の端子電極を形成したチ
ップ型サーミスタ。 - 【請求項３】 サーミスタ抵抗体層の中に一方の端子電
極に電気的に接続する第１の内部電極と他方の端子電極
と電気的に接続する第２の内部電極を有する請求項１ま
たは請求項２記載のチップ型サーミスタ。 - 【請求項４】 積層体はグリーンシート状態にて積層し
てから焼結させることを特徴とする請求項１または請求
項２記載のチップ型サーミスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7007403A JPH08203705A (ja) | 1995-01-20 | 1995-01-20 | チップ型サーミスタ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7007403A JPH08203705A (ja) | 1995-01-20 | 1995-01-20 | チップ型サーミスタ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08203705A true JPH08203705A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=11664921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7007403A Pending JPH08203705A (ja) | 1995-01-20 | 1995-01-20 | チップ型サーミスタ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08203705A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005512317A (ja) * | 2001-12-04 | 2005-04-28 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 負の温度係数を有する電気デバイス |
| JP2013004985A (ja) * | 2011-06-17 | 2013-01-07 | National Cheng Kung Univ | 電子部品及びその製造方法 |
| CN103137326A (zh) * | 2011-12-01 | 2013-06-05 | 李文熙 | 电子组件及其制造方法 |
| KR101333258B1 (ko) * | 2012-03-30 | 2013-11-26 | 주식회사 이노칩테크놀로지 | 저항 가변 소자 및 그 제조방법 |
| CN115762933A (zh) * | 2022-11-24 | 2023-03-07 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 一种高阻值低b值片式热敏电阻及其制备方法 |
| CN115798843A (zh) * | 2022-11-24 | 2023-03-14 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 一种高阻值低b值片式热敏电阻及其制备方法 |
-
1995
- 1995-01-20 JP JP7007403A patent/JPH08203705A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005512317A (ja) * | 2001-12-04 | 2005-04-28 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 負の温度係数を有する電気デバイス |
| JP2010258482A (ja) * | 2001-12-04 | 2010-11-11 | Epcos Ag | 負の温度係数を有する電気デバイス |
| JP2013004985A (ja) * | 2011-06-17 | 2013-01-07 | National Cheng Kung Univ | 電子部品及びその製造方法 |
| CN103137326A (zh) * | 2011-12-01 | 2013-06-05 | 李文熙 | 电子组件及其制造方法 |
| KR101333258B1 (ko) * | 2012-03-30 | 2013-11-26 | 주식회사 이노칩테크놀로지 | 저항 가변 소자 및 그 제조방법 |
| CN115762933A (zh) * | 2022-11-24 | 2023-03-07 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 一种高阻值低b值片式热敏电阻及其制备方法 |
| CN115798843A (zh) * | 2022-11-24 | 2023-03-14 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 一种高阻值低b值片式热敏电阻及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20040085180A1 (en) | Current sensor, its production substrate, and its production process | |
| US8896410B2 (en) | Chip thermistor and method of manufacturing same | |
| WO1999003113A1 (en) | Ptc thermistor chip and method for manufacturing the same | |
| JPH11204309A (ja) | 積層型バリスタ | |
| JPH08203705A (ja) | チップ型サーミスタ及びその製造方法 | |
| JPH10312933A (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| EP1422730B1 (en) | High precision power resistor and method of manufacturing it | |
| JP5240286B2 (ja) | チップサーミスタ及びチップサーミスタの製造方法 | |
| JP2001143904A (ja) | 複合積層サーミスタ | |
| JP2001155902A (ja) | チップ抵抗器及びチップ抵抗器の製造方法 | |
| JP3246258B2 (ja) | チップサーミスタの製造方法及びチップサーミスタ | |
| JPH0917607A (ja) | チップ状回路部品とその製造方法 | |
| JP2504301B2 (ja) | 複合部品 | |
| CN114334323B (zh) | 一种片式ntc热敏电阻及其制造方法 | |
| JP2000124008A (ja) | 複合チップサーミスタ電子部品およびその製造方法 | |
| JP2000124006A (ja) | 積層型サーミスタ | |
| JPH10289801A (ja) | チップ抵抗器 | |
| JPH08250307A (ja) | チップサーミスタ | |
| JP2006019323A (ja) | 抵抗組成物、チップ抵抗器及びその製造方法 | |
| KR100220119B1 (ko) | 적층형 칩 부온도 계수 서미스터 소자 | |
| JP3708796B2 (ja) | 厚膜抵抗器 | |
| JPH09283306A (ja) | チップ型サーミスタ | |
| JP2000106302A (ja) | 低抵抗チップ抵抗器及びその製造方法 | |
| JPH06151110A (ja) | 面実装用ｎｔｃサーミスタ | |
| JP2004207526A (ja) | 複合電子部品及びその特性調整方法 |