JPH11204309A - 積層型バリスタ - Google Patents
積層型バリスタInfo
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- JPH11204309A JPH11204309A JP10015032A JP1503298A JPH11204309A JP H11204309 A JPH11204309 A JP H11204309A JP 10015032 A JP10015032 A JP 10015032A JP 1503298 A JP1503298 A JP 1503298A JP H11204309 A JPH11204309 A JP H11204309A
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 10
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/18—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material comprising a plurality of layers stacked between terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
- H01C7/105—Varistor cores
- H01C7/108—Metal oxide
- H01C7/112—ZnO type
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来例と同等なバリスタ電圧を保ちながら
も、静電容量を小さく設定する。 【解決手段】 互いに対となる少なくとも一対の内部電
極1a,1bとバリスタ層2とを積層し、各内部電極1
a,1bを外部電極5,6と電気的に接続してなる積層
型バリスタで、対となる内部電極1a,1bを互いに所
定の距離L1 だけ離間させて対向面を持たない内部電極
1a,1bとして形成した。
も、静電容量を小さく設定する。 【解決手段】 互いに対となる少なくとも一対の内部電
極1a,1bとバリスタ層2とを積層し、各内部電極1
a,1bを外部電極5,6と電気的に接続してなる積層
型バリスタで、対となる内部電極1a,1bを互いに所
定の距離L1 だけ離間させて対向面を持たない内部電極
1a,1bとして形成した。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、静電容量が小さな
高周波回路等に組み付けるのに好適な積層型バリスタに
関するものである。
高周波回路等に組み付けるのに好適な積層型バリスタに
関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、積層型バリスタは図4で示すよう
に互いに対となる少なくとも一対の内部電極20a,2
0bとバリスタ層21とを積層させて最外層のセラミッ
ク層22,23で保護すると共に、各内部電極20a,
20bを外部電極24,25と電気的に接続することに
より構成されている。そのバリスタ層21は誘電率を有
し、各内部電極20a,20bはバリスタ層22を介し
て対向面Wを有するよう形成されている(特開平5ー6
806号,特開平5ー6807号)。
に互いに対となる少なくとも一対の内部電極20a,2
0bとバリスタ層21とを積層させて最外層のセラミッ
ク層22,23で保護すると共に、各内部電極20a,
20bを外部電極24,25と電気的に接続することに
より構成されている。そのバリスタ層21は誘電率を有
し、各内部電極20a,20bはバリスタ層22を介し
て対向面Wを有するよう形成されている(特開平5ー6
806号,特開平5ー6807号)。
【0003】それと同様に、従来、図5で示すように複
数対の内部電極30a,30b、31a,31b…を備
える場合もバリスタ層32a,32b…を介して対向面
Wを有するよう各内部電極30a,30b、31a,3
1b…を形成し、保護用のセラミック層33,34を最
外層に設けて各内部電極30a,30b、31a,31
b…を外部電極35,36に電気的に接続することによ
り構成されている(特開平5ー283208号,特開平
8ー55710号)。
数対の内部電極30a,30b、31a,31b…を備
える場合もバリスタ層32a,32b…を介して対向面
Wを有するよう各内部電極30a,30b、31a,3
1b…を形成し、保護用のセラミック層33,34を最
外層に設けて各内部電極30a,30b、31a,31
b…を外部電極35,36に電気的に接続することによ
り構成されている(特開平5ー283208号,特開平
8ー55710号)。
【0004】上述した構成の積層型バリスタでは、内部
電極20a,20b、30a,30b、31a,31b
…の対向面Wが面積的に大きくなればなる程、静電容量
が大きくなる。然し、その静電容量が大きいと、高周波
回路に使用された場合には高周波信号を通過させたり、
信号波形を鈍らせてしまう。これを防ぐには静電容量を
数10pF程度に設定する必要があるが、上述した構成
では静電容量を数10pF程度に設定するのは困難であ
る。
電極20a,20b、30a,30b、31a,31b
…の対向面Wが面積的に大きくなればなる程、静電容量
が大きくなる。然し、その静電容量が大きいと、高周波
回路に使用された場合には高周波信号を通過させたり、
信号波形を鈍らせてしまう。これを防ぐには静電容量を
数10pF程度に設定する必要があるが、上述した構成
では静電容量を数10pF程度に設定するのは困難であ
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来例と同
等なバリスタ電圧を保ちながらも、静電容量を小さく設
定可能な積層型バリスタを提供することを目的とする。
等なバリスタ電圧を保ちながらも、静電容量を小さく設
定可能な積層型バリスタを提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に係る
積層型バリスタにおいては、互いに対となる少なくとも
一対の内部電極とバリスタ層とを積層し、その各内部電
極を外部電極と電気的に接続するもので、対となる内部
電極を互いに所定の距離だけ離間させて対向面を持たな
い内部電極として形成することにより構成されている。
積層型バリスタにおいては、互いに対となる少なくとも
一対の内部電極とバリスタ層とを積層し、その各内部電
極を外部電極と電気的に接続するもので、対となる内部
電極を互いに所定の距離だけ離間させて対向面を持たな
い内部電極として形成することにより構成されている。
【0007】本発明の請求項2に係る積層型バリスタに
おいては、対となる内部電極を互いに所定の距離だけ離
間させて対向面を持たない内部電極としてバリスタ層を
隔て異層に形成することにより構成されている。
おいては、対となる内部電極を互いに所定の距離だけ離
間させて対向面を持たない内部電極としてバリスタ層を
隔て異層に形成することにより構成されている。
【0008】本発明の請求項3に係る積層型バリスタに
おいては、対となる内部電極を互いに所定の距離だけ離
間させて対向面を持たない内部電極として同じバリスタ
層の平面上に形成することにより構成されている。
おいては、対となる内部電極を互いに所定の距離だけ離
間させて対向面を持たない内部電極として同じバリスタ
層の平面上に形成することにより構成されている。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、図1〜3を参照して説明す
ると、図示の積層型バリスタはZnOを主成分とするセ
ラミック材料からセラミックグリーンシートを形成し、
Pd,Ni,Ag−Pd等の導電性ペーストから内部電
極をセラミックグリーンシートに印刷形成すると共に、
そのセラミックグリーンシートを積層焼成させて保護用
のセラミック層を最外層とするセラミック燒結体を得、
AgまたはCuの焼付け層をNi,Sn,半田等でメッ
キすることにより外部電極を内部電極と電気的に接続さ
せてセラミック燒結体の外表面に設けることから構成さ
れている。
ると、図示の積層型バリスタはZnOを主成分とするセ
ラミック材料からセラミックグリーンシートを形成し、
Pd,Ni,Ag−Pd等の導電性ペーストから内部電
極をセラミックグリーンシートに印刷形成すると共に、
そのセラミックグリーンシートを積層焼成させて保護用
のセラミック層を最外層とするセラミック燒結体を得、
AgまたはCuの焼付け層をNi,Sn,半田等でメッ
キすることにより外部電極を内部電極と電気的に接続さ
せてセラミック燒結体の外表面に設けることから構成さ
れている。
【0010】図1で示す積層型バリスタは、互いに対と
なる一対の内部電極1a,1bとバリスタ層2とを積層
焼成することから保護用のセラミック層3,4を最外層
とするセラミック燒結体を得、各内部電極1a,1bを
外部電極5,6と電気的に接続することにより構成され
ている。
なる一対の内部電極1a,1bとバリスタ層2とを積層
焼成することから保護用のセラミック層3,4を最外層
とするセラミック燒結体を得、各内部電極1a,1bを
外部電極5,6と電気的に接続することにより構成され
ている。
【0011】図2で示す積層型バリスタは、複数対の内
部電極10a,10b、11a,11b…を備えるもの
で、複数のバリスタ層12a,12b…並びに最外層と
なる保護用のセラミック保護層13,14を積層焼成
し、各対の内部電極10a,10b、11a,11b…
と電気的に接続する外部電極15,16を設けることに
より構成されている。この多層構造の積層型バリスタに
おいて、バリスタ層として6層程度積層する場合には一
層を60μm程度の厚みに形成すればよい。
部電極10a,10b、11a,11b…を備えるもの
で、複数のバリスタ層12a,12b…並びに最外層と
なる保護用のセラミック保護層13,14を積層焼成
し、各対の内部電極10a,10b、11a,11b…
と電気的に接続する外部電極15,16を設けることに
より構成されている。この多層構造の積層型バリスタに
おいて、バリスタ層として6層程度積層する場合には一
層を60μm程度の厚みに形成すればよい。
【0012】図1,2で示す積層型バリスタにおいて
は、対となる内部電極1a,1b、10a,10b、1
1a,11b…が所定の距離L1 だけ互いに離間させて
対向面を持たない内部電極として同じバリスタ層2、1
2a,12b…の平面上に形成されている。この積層型
バリスタでは、内部電極1a,1b、10a,10b、
11a,11b…を隔てる距離L1 によってバリスタ電
圧並びに静電容量が左右される。例えば、バリスタ電
圧:12Vの場合には離間距離L1 を66μm程度に設
定し、また、バリスタ電圧:27Vの場合には離間距離
L1 を120μm程度に設定すればよい。
は、対となる内部電極1a,1b、10a,10b、1
1a,11b…が所定の距離L1 だけ互いに離間させて
対向面を持たない内部電極として同じバリスタ層2、1
2a,12b…の平面上に形成されている。この積層型
バリスタでは、内部電極1a,1b、10a,10b、
11a,11b…を隔てる距離L1 によってバリスタ電
圧並びに静電容量が左右される。例えば、バリスタ電
圧:12Vの場合には離間距離L1 を66μm程度に設
定し、また、バリスタ電圧:27Vの場合には離間距離
L1 を120μm程度に設定すればよい。
【0013】その内部電極1a,1b、10a,10
b、11a,11b…を同じバリスタ層2、12a,1
2b…の平面上に形成する場合の他に、図3で示す積層
型バリスタのように対となる内部電極1a,1bを互い
に所定の距離L2 だけ離間させて対向面を持たない内部
電極としてバリスタ層2を隔て異層位置に形成すること
もできる。この場合には、内部電極1a,1bを互いに
隔てる離間距離L2 を内部電極1a,1bの相対しない
内端間の距離と内部電極1a,1bの間に介在するバリ
スタ層2の厚みとにより確保することができる。
b、11a,11b…を同じバリスタ層2、12a,1
2b…の平面上に形成する場合の他に、図3で示す積層
型バリスタのように対となる内部電極1a,1bを互い
に所定の距離L2 だけ離間させて対向面を持たない内部
電極としてバリスタ層2を隔て異層位置に形成すること
もできる。この場合には、内部電極1a,1bを互いに
隔てる離間距離L2 を内部電極1a,1bの相対しない
内端間の距離と内部電極1a,1bの間に介在するバリ
スタ層2の厚みとにより確保することができる。
【0014】その特性を従来例に係るバリスタ層:6層
の積層型バリスタと比較するべく、上述した図1,2で
示す積層型バリスタの構成に基づいてバリスタ層:1
層,6層,27層のものを製造した。この特性の比較結
果は次表で示す通りであり、静電容量(pF)は従来例
のものに比べて極めて小さくなり、耐静電気もパルス性
/30KV×100回後のバリスタ電圧の変化率で測定
したところ略同等か、それよりも良いものに製造するこ
とができた。
の積層型バリスタと比較するべく、上述した図1,2で
示す積層型バリスタの構成に基づいてバリスタ層:1
層,6層,27層のものを製造した。この特性の比較結
果は次表で示す通りであり、静電容量(pF)は従来例
のものに比べて極めて小さくなり、耐静電気もパルス性
/30KV×100回後のバリスタ電圧の変化率で測定
したところ略同等か、それよりも良いものに製造するこ
とができた。
【0015】
【0016】また、上掲表からも明らかなようにバリス
タ電圧は内部電極を互いに隔てる離間距離によって決定
されるため、必要値の静電容量に応じて離間距離並びに
バリスタ層の総数を調整することにより目的の特性を備
える積層型バリスタを容易に得ることができる。なお、
本発明のものの焼成温度は従来例のものよりも多少高く
設定されているが、これは内部電極を互いに隔てた分だ
けバリスタ層が多く介在することによる。
タ電圧は内部電極を互いに隔てる離間距離によって決定
されるため、必要値の静電容量に応じて離間距離並びに
バリスタ層の総数を調整することにより目的の特性を備
える積層型バリスタを容易に得ることができる。なお、
本発明のものの焼成温度は従来例のものよりも多少高く
設定されているが、これは内部電極を互いに隔てた分だ
けバリスタ層が多く介在することによる。
【0017】
【発明の効果】以上の如く、本発明に係る積層型バリス
タに依れば、対となる内部電極を互いに離間させて対向
面を持たない内部電極として形成することにより、従来
例と同等なバリスタ電圧を保ちながらも静電容量を小さ
く設定することができ、高周波回路に使用された場合に
も高周波信号を通過させたり、信号波形を鈍らせてしま
うのを防ぐことができる。また、内部電極を互いに隔て
る離間距離によってバリスタ電圧を決定できるため、必
要値の静電容量に応じて離間距離並びにバリスタ層の総
数を調整することにより目的の特性を備える積層型バリ
スタを容易に得ることができる。
タに依れば、対となる内部電極を互いに離間させて対向
面を持たない内部電極として形成することにより、従来
例と同等なバリスタ電圧を保ちながらも静電容量を小さ
く設定することができ、高周波回路に使用された場合に
も高周波信号を通過させたり、信号波形を鈍らせてしま
うのを防ぐことができる。また、内部電極を互いに隔て
る離間距離によってバリスタ電圧を決定できるため、必
要値の静電容量に応じて離間距離並びにバリスタ層の総
数を調整することにより目的の特性を備える積層型バリ
スタを容易に得ることができる。
【図1】本発明の一実施の形態に係る積層型バリスタを
示す説明図である。
示す説明図である。
【図2】本発明の別の実施の形態に係る積層型バリスタ
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図3】本発明の更に別の実施の形態に係る積層型バリ
スタを示す説明図である。
スタを示す説明図である。
【図4】従来例の一例に係る積層型バリスタを示す説明
図である。
図である。
【図5】従来例の別の例に係る積層型バリスタを示す説
明図である。
明図である。
1a,1b 内部電極 2 バリスタ層 5,6 外部電極 L1 ,L2 内部電極の離間距離
Claims (3)
- 【請求項1】 互いに対となる少なくとも一対の内部電
極とバリスタ層とを積層し、その各内部電極を外部電極
と電気的に接続してなる積層型バリスタにおいて、上記
対となる内部電極を互いに所定の距離だけ離間させて対
向面を持たない内部電極として形成したことを特徴とす
る積層型バリスタ。 - 【請求項2】 上記対となる内部電極を互いに所定の距
離だけ離間させて対向面を持たない内部電極としてバリ
スタ層を隔て異層に形成したことを特徴とする請求項1
に記載の積層型バリスタ。 - 【請求項3】 上記対となる内部電極を互いに所定の距
離だけ離間させて対向面を持たない内部電極として同じ
バリスタ層の平面上に形成したことを特徴とする請求項
1に記載の積層型バリスタ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10015032A JPH11204309A (ja) | 1998-01-09 | 1998-01-09 | 積層型バリスタ |
| EP98123913A EP0929084B1 (en) | 1998-01-09 | 1998-12-16 | Laminate type varistor |
| DE69823637T DE69823637T2 (de) | 1998-01-09 | 1998-12-16 | Laminat-Varistor |
| US09/215,134 US6346871B1 (en) | 1998-01-09 | 1998-12-18 | Laminate type varistor |
| NO990067A NO990067L (no) | 1998-01-09 | 1999-01-07 | Varistor av laminat-type |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10015032A JPH11204309A (ja) | 1998-01-09 | 1998-01-09 | 積層型バリスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11204309A true JPH11204309A (ja) | 1999-07-30 |
Family
ID=11877504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10015032A Withdrawn JPH11204309A (ja) | 1998-01-09 | 1998-01-09 | 積層型バリスタ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6346871B1 (ja) |
| EP (1) | EP0929084B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11204309A (ja) |
| DE (1) | DE69823637T2 (ja) |
| NO (1) | NO990067L (ja) |
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| TWI562174B (en) * | 2011-03-24 | 2016-12-11 | Epcos Ag | Electrical multilayer component |
| JP2021526737A (ja) * | 2018-07-04 | 2021-10-07 | ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフトTdk Electronics Ag | フィールド最適化された微細構造を備える多層バリスタ |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19931056B4 (de) * | 1999-07-06 | 2005-05-19 | Epcos Ag | Vielschichtvaristor niedriger Kapazität |
| US6717506B2 (en) * | 2000-11-02 | 2004-04-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Chip-type resistor element |
| DE10202915A1 (de) * | 2002-01-25 | 2003-08-21 | Epcos Ag | Elektrokeramisches Bauelement mit Innenelektroden |
| DE10235011A1 (de) * | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Epcos Ag | Elektrisches Vielschichtbauelement |
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| DE102004058410B4 (de) * | 2004-12-03 | 2021-02-18 | Tdk Electronics Ag | Vielschichtbauelement mit ESD-Schutzelementen |
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| CN101506912B (zh) * | 2006-09-19 | 2011-10-12 | 东莞令特电子有限公司 | 包括钝化层的变阻器的制造 |
| DE102007044604A1 (de) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Epcos Ag | Elektrisches Vielschichtbauelement |
| US9786437B1 (en) | 2010-12-10 | 2017-10-10 | Presidio Components, Inc. | High voltage fringe-effect capacitor |
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