JPH08203821A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
- Publication number
- JPH08203821A JPH08203821A JP7048939A JP4893995A JPH08203821A JP H08203821 A JPH08203821 A JP H08203821A JP 7048939 A JP7048939 A JP 7048939A JP 4893995 A JP4893995 A JP 4893995A JP H08203821 A JPH08203821 A JP H08203821A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- pattern
- photoresist layer
- resist
- mask pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板上に設けられた有機溶剤によって溶解さ
れるレジストまたはワックスからなる薄膜に、レジスト
によるマスクパターンをかけて所定のパターンを形成す
る場合、そのパターンが形成された薄膜に何ら影響を及
ぼすことなく、その薄膜上に設けられたマスクパターン
のみを除去して品質の良い薄膜パターンを得ることがで
きるようにする。 【構成】 薄膜上にレジストによるマスクパターンをか
けてエッチングすることにより、その薄膜に所定のパタ
ーンを形成するに際して、その薄膜に紫外線に感応しな
いものを用いるとともに、紫外線に感応するレジストを
フォトエッチングすることによってマスクパターンを形
成し、最終的に、そのマスクパターンを紫外線露光およ
び現象処理によって除去するようにする。
れるレジストまたはワックスからなる薄膜に、レジスト
によるマスクパターンをかけて所定のパターンを形成す
る場合、そのパターンが形成された薄膜に何ら影響を及
ぼすことなく、その薄膜上に設けられたマスクパターン
のみを除去して品質の良い薄膜パターンを得ることがで
きるようにする。 【構成】 薄膜上にレジストによるマスクパターンをか
けてエッチングすることにより、その薄膜に所定のパタ
ーンを形成するに際して、その薄膜に紫外線に感応しな
いものを用いるとともに、紫外線に感応するレジストを
フォトエッチングすることによってマスクパターンを形
成し、最終的に、そのマスクパターンを紫外線露光およ
び現象処理によって除去するようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に設けられたレ
ジストまたはワックスからなる薄膜に所定のパターンを
形成するパターン形成方法に関する。
ジストまたはワックスからなる薄膜に所定のパターンを
形成するパターン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】何れは有機溶剤によって除去する必要性
があるとの理由から、基板上に設けられた有機溶剤によ
って溶解されるレジストからなる薄膜に所定のパターン
を形成する必要がある場合、従来では、例えば、有機溶
剤によって溶解されるものとしてＥＢ（エレクトロンビ
ーム）レジストを用いて、それを基板上に塗布すること
によって薄膜を形成し、その薄膜上に、有機溶剤によっ
て溶解されるレジストをパターニングすることによって
形成されたマスクパターンを設け、ＥＢレジストをガス
エッチによりパターニングしたのち、マスクパターンを
ガスエッチにより除去している。
があるとの理由から、基板上に設けられた有機溶剤によ
って溶解されるレジストからなる薄膜に所定のパターン
を形成する必要がある場合、従来では、例えば、有機溶
剤によって溶解されるものとしてＥＢ（エレクトロンビ
ーム）レジストを用いて、それを基板上に塗布すること
によって薄膜を形成し、その薄膜上に、有機溶剤によっ
て溶解されるレジストをパターニングすることによって
形成されたマスクパターンを設け、ＥＢレジストをガス
エッチによりパターニングしたのち、マスクパターンを
ガスエッチにより除去している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】解決しようとする問題
点は、基板上に設けられた有機溶剤によって溶解される
レジストまたはワックスからなる薄膜上に、有機溶剤に
よって溶解されるレジストをパターニングすることによ
って形成されたマスクパターンをかけて薄膜に所定のパ
ターンを形成したのちに、マスクパターンを有機溶剤に
よって除去しようとすると、パターンが形成された薄膜
までもが有機溶剤によって溶けてしまうことである。ま
た、マスクパターンをガスエッチにより除去しようとす
る場合は、マスクパターンと薄膜との選択的エッチング
が困難となることである。
点は、基板上に設けられた有機溶剤によって溶解される
レジストまたはワックスからなる薄膜上に、有機溶剤に
よって溶解されるレジストをパターニングすることによ
って形成されたマスクパターンをかけて薄膜に所定のパ
ターンを形成したのちに、マスクパターンを有機溶剤に
よって除去しようとすると、パターンが形成された薄膜
までもが有機溶剤によって溶けてしまうことである。ま
た、マスクパターンをガスエッチにより除去しようとす
る場合は、マスクパターンと薄膜との選択的エッチング
が困難となることである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に設け
られた有機溶剤によって溶解されるレジストまたはワッ
クスからなる薄膜に、レジストによるマスクパターンを
かけて所定のパターンを形成する場合、そのパターンが
形成された薄膜に何ら影響を及ぼすことなく、その薄膜
上に設けられたマスクパターンのみを除去して品質の良
い薄膜パターンを得ることができるようにするべく、基
板上に、有機溶剤に可溶で、かつ紫外線に感応しないレ
ジストまたはワックスからなる薄膜を形成する工程と、
その薄膜の上に、紫外線に感応するフォトレジスト層を
形成する工程と、そのフォトレジスト層の上にフォトマ
スクをかけて紫外線による露光を行う工程と、フォトレ
ジスト層の露光部分を現象によって除去する工程と、そ
の現象処理されたフォトレジスト層をマスクパターンと
して薄膜をエッチングして所定のパターンを形成する工
程と、現象処理されたフォトレジスト層の全面に紫外線
による露光を行ったうえで、現象によってフォトレジス
ト層を除去する工程とをとるようにしている。
られた有機溶剤によって溶解されるレジストまたはワッ
クスからなる薄膜に、レジストによるマスクパターンを
かけて所定のパターンを形成する場合、そのパターンが
形成された薄膜に何ら影響を及ぼすことなく、その薄膜
上に設けられたマスクパターンのみを除去して品質の良
い薄膜パターンを得ることができるようにするべく、基
板上に、有機溶剤に可溶で、かつ紫外線に感応しないレ
ジストまたはワックスからなる薄膜を形成する工程と、
その薄膜の上に、紫外線に感応するフォトレジスト層を
形成する工程と、そのフォトレジスト層の上にフォトマ
スクをかけて紫外線による露光を行う工程と、フォトレ
ジスト層の露光部分を現象によって除去する工程と、そ
の現象処理されたフォトレジスト層をマスクパターンと
して薄膜をエッチングして所定のパターンを形成する工
程と、現象処理されたフォトレジスト層の全面に紫外線
による露光を行ったうえで、現象によってフォトレジス
ト層を除去する工程とをとるようにしている。
【０００５】
【実施例】図１は、本発明によるパターン形成方法の工
程を示している。
程を示している。
【０００６】本発明では、まず、図１の（ａ）に示すよ
うに、基板１上に、有機溶剤に可溶で、かつ紫外線に感
応しないレジストまたはワックスを塗布して薄膜２を形
成したうえで、その薄膜２の上に、紫外線に感応するフ
ォトレジストを塗布してフォトレジスト層３を形成す
る。
うに、基板１上に、有機溶剤に可溶で、かつ紫外線に感
応しないレジストまたはワックスを塗布して薄膜２を形
成したうえで、その薄膜２の上に、紫外線に感応するフ
ォトレジストを塗布してフォトレジスト層３を形成す
る。
【０００７】次に、図１の（ｂ）に示すように、フォト
レジスト層３の上にフォトマスク４をかけたうえで、そ
の上から紫外線ＵＶによる露光を行って、フォトレジス
ト層３のフォトマスク４によって覆われていない部分が
現象液によって溶ける状態にする。
レジスト層３の上にフォトマスク４をかけたうえで、そ
の上から紫外線ＵＶによる露光を行って、フォトレジス
ト層３のフォトマスク４によって覆われていない部分が
現象液によって溶ける状態にする。
【０００８】そして、図１の（ｃ）に示すように、現象
液に浸すことによってフォトレジスト層３の露光部分を
除去してパターニングを行う。
液に浸すことによってフォトレジスト層３の露光部分を
除去してパターニングを行う。
【０００９】次に、図１の（ｄ）に示すように、その現
象処理によってパターニングされたフォトレジスト層３
をマスクパターンとして、薄膜２をエッチングして、そ
れに所定のパターンを形成する。
象処理によってパターニングされたフォトレジスト層３
をマスクパターンとして、薄膜２をエッチングして、そ
れに所定のパターンを形成する。
【００１０】その際、エッチガスによって薄膜２のエッ
チングを行わせる。
チングを行わせる。
【００１１】次に、図１の（ｅ）に示すように、マスク
パターンとしてのフォトレジスト層３の全面に紫外線Ｕ
Ｖによる露光を行う。
パターンとしてのフォトレジスト層３の全面に紫外線Ｕ
Ｖによる露光を行う。
【００１２】最終的に、図１の（ｆ）に示すように、現
象液に浸すことによってによってフォトレジスト層３を
除去して、基板１上に所定のパターンが形成された薄膜
２を得る。
象液に浸すことによってによってフォトレジスト層３を
除去して、基板１上に所定のパターンが形成された薄膜
２を得る。
【００１３】しかして、本発明のパターン形成方法によ
れば、基板１上に設けられた有機溶剤によって溶解され
るレジストまたはワックスからなる薄膜２に、フォトレ
ジスト層３によるマスクパターンをかけて所定のパター
ンを形成したのち、そのマスクパターンを除去するに際
して、パターンが形成された薄膜２に何ら影響を及ぼす
ことなく、マスクパターンとしてのフォトレジスト層３
のみを除去することができるようになる。
れば、基板１上に設けられた有機溶剤によって溶解され
るレジストまたはワックスからなる薄膜２に、フォトレ
ジスト層３によるマスクパターンをかけて所定のパター
ンを形成したのち、そのマスクパターンを除去するに際
して、パターンが形成された薄膜２に何ら影響を及ぼす
ことなく、マスクパターンとしてのフォトレジスト層３
のみを除去することができるようになる。
【００１４】
【効果】以上、本発明によるパターン形成方法にあって
は、有機溶剤によって溶解されるレジストまたはワック
スからなる薄膜上にレジストによるマスクパターンをか
けてエッチングすることにより、その薄膜に所定のパタ
ーンを形成するに際して、その薄膜に紫外線に感応しな
いものを用いるとともに、紫外線に感応するレジストを
フォトエッチングすることによってマスクパターンを形
成し、最終的に、そのマスクパターンを紫外線露光およ
び現象処理によって除去するようにしているので、所定
のパターンが形成された薄膜に何ら影響を及ぼすことな
く、その薄膜上に設けられたマスクパターンのみを除去
して品貿の良い薄膜パターンを得ることができるという
利点を有している。
は、有機溶剤によって溶解されるレジストまたはワック
スからなる薄膜上にレジストによるマスクパターンをか
けてエッチングすることにより、その薄膜に所定のパタ
ーンを形成するに際して、その薄膜に紫外線に感応しな
いものを用いるとともに、紫外線に感応するレジストを
フォトエッチングすることによってマスクパターンを形
成し、最終的に、そのマスクパターンを紫外線露光およ
び現象処理によって除去するようにしているので、所定
のパターンが形成された薄膜に何ら影響を及ぼすことな
く、その薄膜上に設けられたマスクパターンのみを除去
して品貿の良い薄膜パターンを得ることができるという
利点を有している。
【図１】本発明によるパターン形成方法の一実施例を示
す工程図である。
す工程図である。
１ 基板 ２ 薄膜 ３ マスクパターンとしてのフォトレジスト層 ４ フォトマスク
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に、有機溶剤に可溶で、かつ紫外
線に感応しないレジストまたはワックスからなる薄膜を
形成する工程と、その薄膜の上に、紫外線に感応するフ
ォトレジスト層を形成する工程と、そのフォトレジスト
層の上にフォトマスクをかけて紫外線による露光を行う
工程と、フォトレジスト層の露光部分を現象によって除
去する工程と、その現象処理されたフォトレジスト層を
マスクパターンとして薄膜をエッチングして所定のパタ
ーンを形成する工程と、現象処理されたフォトレジスト
層の全面に紫外線による露光を行ったうえで、現象によ
ってフォトレジスト層を除去する工程とをとるようにし
たパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7048939A JPH08203821A (ja) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7048939A JPH08203821A (ja) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08203821A true JPH08203821A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=12817249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7048939A Pending JPH08203821A (ja) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08203821A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001013413A1 (en) * | 1999-08-13 | 2001-02-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Exposure during rework for enhanced resist removal |
| WO2003021354A3 (en) * | 2001-05-17 | 2003-08-28 | Honeywell Int Inc | Non-mechanical fabrication of carbon-containing work pieces |
-
1995
- 1995-01-30 JP JP7048939A patent/JPH08203821A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001013413A1 (en) * | 1999-08-13 | 2001-02-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Exposure during rework for enhanced resist removal |
| WO2003021354A3 (en) * | 2001-05-17 | 2003-08-28 | Honeywell Int Inc | Non-mechanical fabrication of carbon-containing work pieces |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE60106229T2 (de) | Ozon-verstärktes silylierungsverfahren zur erhöhung des ätzwiderstands von dünnen resistschichten | |
| JPH05241348A (ja) | パタン形成方法 | |
| JP2938439B2 (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
| JP2002318449A (ja) | 位相シフト・マスク | |
| JPH05326358A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| US7064075B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor electronics devices | |
| JP3326709B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH02262319A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP3421268B2 (ja) | パターン形成法 | |
| JPH0544169B2 (ja) | ||
| JP4267298B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| KR100258803B1 (ko) | 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법 | |
| JPS5950053B2 (ja) | 写真蝕刻方法 | |
| KR20030000475A (ko) | 패턴 형성 방법 | |
| JPH11204414A (ja) | パターン形成法 | |
| KR100310420B1 (ko) | 감광막 형성방법 | |
| US6379849B1 (en) | Method for forming binary intensity masks | |
| KR100358161B1 (ko) | 반도체소자제조방법 | |
| KR0137618B1 (ko) | 포토레지스트 패턴 형성방법 | |
| JP2589470B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR0185785B1 (ko) | 위상반전 마스크의 제조방법 | |
| JPS599924A (ja) | 局所的グレ−テイング作製方法 | |
| KR100244765B1 (ko) | 반도체 소자의 미세 패턴 방법 | |
| KR20000065390A (ko) | 반도체 소자 제조공정에 따른 이물질 제거방법 | |
| JPH0471331B2 (ja) |