JPH0820470B2 - 電圧検出装置 - Google Patents
電圧検出装置Info
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- JPH0820470B2 JPH0820470B2 JP62174535A JP17453587A JPH0820470B2 JP H0820470 B2 JPH0820470 B2 JP H0820470B2 JP 62174535 A JP62174535 A JP 62174535A JP 17453587 A JP17453587 A JP 17453587A JP H0820470 B2 JPH0820470 B2 JP H0820470B2
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 26
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- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、被測定物、例えば集積回路等の所定部分の
電圧を検出するための電圧検出装置に関し、特に被測定
物の所定部分の電圧によって光ビームの偏光状態が変化
することを利用して電圧を検出する型式の電圧検出装置
に関する。
電圧を検出するための電圧検出装置に関し、特に被測定
物の所定部分の電圧によって光ビームの偏光状態が変化
することを利用して電圧を検出する型式の電圧検出装置
に関する。
従来、集積回路などの被測定物の所定部分の電圧を検
出するのに、種々の電圧検出装置が用いられている。
出するのに、種々の電圧検出装置が用いられている。
この種の電圧検出装置のうちで、光ビームの偏光状態
が被測定物の所定部分の電圧によって変化することを利
用して被測定物の電圧を検出する型式の電圧検出装置が
近年開発されている。
が被測定物の所定部分の電圧によって変化することを利
用して被測定物の電圧を検出する型式の電圧検出装置が
近年開発されている。
例えば本願の出願人により「電圧検出装置」の名称で
昭和62年５月30日に出願された特許出願に記載の電圧検
出装置では、被測定物の電圧によって屈折率が変化する
電気光学材料を微小断面形状の光プローブ内に収容し、
この光プローブの電気光学材料に所定の偏光成分をもつ
光ビームを入射させ、電気光学材料の屈折率変化に伴な
う光ビームの偏光状態の変化量を検出することで、被測
定物の１つの位置の電圧を検出するようになっている。
昭和62年５月30日に出願された特許出願に記載の電圧検
出装置では、被測定物の電圧によって屈折率が変化する
電気光学材料を微小断面形状の光プローブ内に収容し、
この光プローブの電気光学材料に所定の偏光成分をもつ
光ビームを入射させ、電気光学材料の屈折率変化に伴な
う光ビームの偏光状態の変化量を検出することで、被測
定物の１つの位置の電圧を検出するようになっている。
ところで、使用者にとって集積回路などの被測定物の
全ての位置の中から特定の複数位置を選択しこれら特定
の複数位置における電圧だけを同時に測定することを望
む場合がある。しかしながら、上述のような光プローブ
を用いた電圧検出装置では、被測定物の位置を任意に選
択し選択された特定の複数位置における電圧を同時には
検出することができないという問題があった。
全ての位置の中から特定の複数位置を選択しこれら特定
の複数位置における電圧だけを同時に測定することを望
む場合がある。しかしながら、上述のような光プローブ
を用いた電圧検出装置では、被測定物の位置を任意に選
択し選択された特定の複数位置における電圧を同時には
検出することができないという問題があった。
本発明は、被測定物の特定の複数位置における電圧を
同時に検出することの可能な電圧検出装置を提供するこ
とを目的とする。
同時に検出することの可能な電圧検出装置を提供するこ
とを目的とする。
本発明はさらに、被測定物の特定の二次元的位置にお
ける電圧を同時に検出することの可能な電圧検出装置を
提供することを目的としている。
ける電圧を同時に検出することの可能な電圧検出装置を
提供することを目的としている。
本発明は、電圧が加わることによって屈折率が変化す
る電気光学材料を用いた型式の電圧検出装置において、
前記電気光学材料は、電圧の検出されるべき被測定物の
複数の位置を覆うように位置決めされ、被測定物の特定
位置に対応した前記電気光学材料の特定部分の各々に
は、光源からの光ビームを所望のパターンに多数に分割
した入射光がそれぞれ入射するようになっており、前記
電気光学材料の前記特定部分からの出射光の偏光状態の
変化は検出器により検出されるようになっていることを
特徴とする電圧検出装置によって、上記従来技術の問題
点を改善しようとするものである。
る電気光学材料を用いた型式の電圧検出装置において、
前記電気光学材料は、電圧の検出されるべき被測定物の
複数の位置を覆うように位置決めされ、被測定物の特定
位置に対応した前記電気光学材料の特定部分の各々に
は、光源からの光ビームを所望のパターンに多数に分割
した入射光がそれぞれ入射するようになっており、前記
電気光学材料の前記特定部分からの出射光の偏光状態の
変化は検出器により検出されるようになっていることを
特徴とする電圧検出装置によって、上記従来技術の問題
点を改善しようとするものである。
本発明では、電圧の検出されるべき被測定物の複数の
位置を覆うように電気光学材料を位置決めし、被測定物
の特定位置に対応した電気光学材料の特定部分の各々に
光源からの光ビームをマイクロレンズアレイ、ホログラ
フィックレンズ、あるいは空間光変調器により所望のパ
ターンに多数に分割して入射させる。電気光学材料の各
部分の屈折率は、各部分に対応した被測定物の各位置の
電圧によって変化しているので、所望のパターンに多数
に分割されて電気光学材料の各特定部分に入射した光ビ
ームは各々の偏光状態が電気光学材料の各特定部分の屈
折率変化に伴なって変化し電気光学材料から出射光とし
て出力され検出器、例えば二次元の光検出器アレイある
いはストリークカメラに入射する。これにより、検出器
において被測定物の特定位置、例えば特定の二次元的位
置の電圧を同時に検出することができる。
位置を覆うように電気光学材料を位置決めし、被測定物
の特定位置に対応した電気光学材料の特定部分の各々に
光源からの光ビームをマイクロレンズアレイ、ホログラ
フィックレンズ、あるいは空間光変調器により所望のパ
ターンに多数に分割して入射させる。電気光学材料の各
部分の屈折率は、各部分に対応した被測定物の各位置の
電圧によって変化しているので、所望のパターンに多数
に分割されて電気光学材料の各特定部分に入射した光ビ
ームは各々の偏光状態が電気光学材料の各特定部分の屈
折率変化に伴なって変化し電気光学材料から出射光とし
て出力され検出器、例えば二次元の光検出器アレイある
いはストリークカメラに入射する。これにより、検出器
において被測定物の特定位置、例えば特定の二次元的位
置の電圧を同時に検出することができる。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明に係る電圧検出装置の第１の実施例の
構成図である。
構成図である。
第１図の電圧検出装置１では、電気光学材料２は、集
積回路などの被測定物３に接近させてあるいは被測定物
３に接触させて固定されている。この電気光学材料２
は、その断面が被測定物３の複数の二次元的位置を覆う
大きさに切出されている。なお電気光学材料２の底面に
は、金属あるいは誘電体多層膜の反射鏡８が形成されて
いる。
積回路などの被測定物３に接近させてあるいは被測定物
３に接触させて固定されている。この電気光学材料２
は、その断面が被測定物３の複数の二次元的位置を覆う
大きさに切出されている。なお電気光学材料２の底面に
は、金属あるいは誘電体多層膜の反射鏡８が形成されて
いる。
また電圧検出装置１は、光源（図示せず）からの光ビ
ームBMから所定の偏光成分を抽出する偏光子４と、偏向
子４により抽出された所定の偏光成分をもつ光ビームを
格子状パターンの多数の光ビームBMijに分割するマイク
ロレンズアレイ５と、マイクロレンズアレイ５で分割さ
れた格子状パターンの多数の光ビームBMijを電気光学材
料２に入射光として入射させるとともに電気光学材料２
の底面に形成された反射鏡８で反射され電気光学材料２
から出力される格子状パターンの多数の出射光SGijを電
圧検出のために分割するビームスプリッタ６と、ビーム
スプリッタ６からの出射光SGijのうち所定の偏光成分の
光ビームだけを通過させる検光子７と、検光子７を通過
した出射光が入射する検出器９とを備えている。
ームBMから所定の偏光成分を抽出する偏光子４と、偏向
子４により抽出された所定の偏光成分をもつ光ビームを
格子状パターンの多数の光ビームBMijに分割するマイク
ロレンズアレイ５と、マイクロレンズアレイ５で分割さ
れた格子状パターンの多数の光ビームBMijを電気光学材
料２に入射光として入射させるとともに電気光学材料２
の底面に形成された反射鏡８で反射され電気光学材料２
から出力される格子状パターンの多数の出射光SGijを電
圧検出のために分割するビームスプリッタ６と、ビーム
スプリッタ６からの出射光SGijのうち所定の偏光成分の
光ビームだけを通過させる検光子７と、検光子７を通過
した出射光が入射する検出器９とを備えている。
マイクロレンズアレイ５は、特定の方向に整列した複
数の第１のロッドレンズ10と、第１のロッドレンズとは
直交する方向に整列した複数の第２のロッドレンズ11と
が積み重なって構成されており、これにより光ビームは
格子状に分割されることになる。
数の第１のロッドレンズ10と、第１のロッドレンズとは
直交する方向に整列した複数の第２のロッドレンズ11と
が積み重なって構成されており、これにより光ビームは
格子状に分割されることになる。
また検出器９は、CCDカメラ、フォトダイオードアレ
イ、ビジコンカメラなどの二次元の光検出器あるいはス
トリークカメラなどの高速応答検出器で構成されてい
る。
イ、ビジコンカメラなどの二次元の光検出器あるいはス
トリークカメラなどの高速応答検出器で構成されてい
る。
このような構成の電圧検出装置１では、電気光学材料
２は、その断面が被測定物３の複数の二次元的位置を覆
う大きさに切出されているので、被測定物３の複数の二
次元的位置の電圧により、これらの二次元的位置に対応
した電気光学材料２の局所的部分は屈折率が変化するよ
うになっている。従って、マイクロレンズアレイ５で分
割された所定の偏光成分をもつ格子状パターンの多数の
光ビームBMijが電気光学材料２内の格子状部分を進むと
きに、これらの多数の光ビームBMijは格子状部分の直下
の被測定物３の格子状位置の電圧による電気光学材料２
内の格子状部分の屈折率変化により偏光状態がそれぞれ
変化して電気光学材料２から出射光として出力される。
これらの出射光はさらにビームスプリッタ６を介して検
光子７に加わる。検光子７が例えば偏光子４の偏光成分
と直交する偏光成分の光ビームだけを通過させるように
構成されているとすると、偏光状態が変化して検光子７
に入射する各出射光SGijは、検光子７により、強度がsi
n2〔（π/2）・Vij／V0〕に比例して検出器９に加わる
ことになる。ここでVijは被測定物３の二次元的な格子
状位置（i,j）の電圧、V0は半波長電圧である。
２は、その断面が被測定物３の複数の二次元的位置を覆
う大きさに切出されているので、被測定物３の複数の二
次元的位置の電圧により、これらの二次元的位置に対応
した電気光学材料２の局所的部分は屈折率が変化するよ
うになっている。従って、マイクロレンズアレイ５で分
割された所定の偏光成分をもつ格子状パターンの多数の
光ビームBMijが電気光学材料２内の格子状部分を進むと
きに、これらの多数の光ビームBMijは格子状部分の直下
の被測定物３の格子状位置の電圧による電気光学材料２
内の格子状部分の屈折率変化により偏光状態がそれぞれ
変化して電気光学材料２から出射光として出力される。
これらの出射光はさらにビームスプリッタ６を介して検
光子７に加わる。検光子７が例えば偏光子４の偏光成分
と直交する偏光成分の光ビームだけを通過させるように
構成されているとすると、偏光状態が変化して検光子７
に入射する各出射光SGijは、検光子７により、強度がsi
n2〔（π/2）・Vij／V0〕に比例して検出器９に加わる
ことになる。ここでVijは被測定物３の二次元的な格子
状位置（i,j）の電圧、V0は半波長電圧である。
このように、各出射光の強度は、被測定物３の各格子
状位置の電圧変化に伴なう電気光学材料２の局所的部分
の屈折率変化によって変わるので、これに基づき検出器
９において集積回路などの被測定物３の全ての二次元的
位置のうちで二次元的な格子状位置の電圧だけを同時に
検出することができる。
状位置の電圧変化に伴なう電気光学材料２の局所的部分
の屈折率変化によって変わるので、これに基づき検出器
９において集積回路などの被測定物３の全ての二次元的
位置のうちで二次元的な格子状位置の電圧だけを同時に
検出することができる。
この第１の実施例では、マイクロレンズアレイ５を用
いて二次元的な格子状パターンの多数の光ビームBMijを
作り、これらの光ビームを電気光学材料２に入射させて
被測定物３の二次元的な格子状位置の電圧を検出するよ
うにしたが、さらに被測定物３の任意の二次元的位置の
電圧を検出することを望む場合がある。
いて二次元的な格子状パターンの多数の光ビームBMijを
作り、これらの光ビームを電気光学材料２に入射させて
被測定物３の二次元的な格子状位置の電圧を検出するよ
うにしたが、さらに被測定物３の任意の二次元的位置の
電圧を検出することを望む場合がある。
第２図乃至第４図は、それぞれ被測定物３の任意の二
次元的位置の電圧を検出することの可能な本発明に係る
電圧検出装置の第２乃至第４の実施例の構成図である。
なお第２図乃至第４図において、第１図と同様の箇所に
は同じ符号を付して説明を省略する。
次元的位置の電圧を検出することの可能な本発明に係る
電圧検出装置の第２乃至第４の実施例の構成図である。
なお第２図乃至第４図において、第１図と同様の箇所に
は同じ符号を付して説明を省略する。
第２図の電圧検出装置では、マイクロレンズアレイ５
の後方に、板状のマスク12が設置されている。このマス
ク12は、格子状の開口13をもつが、所望の光ビームパタ
ーンを得るため不要の開口は塞がれている。このマスク
12によって所望の光ビームだけを取出して電気光学材料
２へ入射させることができるので、測定物３の任意の二
次元的位置の電圧を検出することができる。
の後方に、板状のマスク12が設置されている。このマス
ク12は、格子状の開口13をもつが、所望の光ビームパタ
ーンを得るため不要の開口は塞がれている。このマスク
12によって所望の光ビームだけを取出して電気光学材料
２へ入射させることができるので、測定物３の任意の二
次元的位置の電圧を検出することができる。
また第３図の電圧検出装置20では、マイクロレンズア
レイ５のかわりに電気光学材料２の特定の二次元的部分
（i0，j0），（i1，j0），（i0，j1），（i1，j1）にだ
け光ビームが結像するようホログラム記録されたホログ
ラフィックレンズ21が用いられている。ここでホログラ
フィックレンズ21と電気光学材料２との距離を大きく
し、また電気光学材料２とビームスプリッタ６および検
出器９との距離を小さくすることによって、良好な光学
系を得ることができる。
レイ５のかわりに電気光学材料２の特定の二次元的部分
（i0，j0），（i1，j0），（i0，j1），（i1，j1）にだ
け光ビームが結像するようホログラム記録されたホログ
ラフィックレンズ21が用いられている。ここでホログラ
フィックレンズ21と電気光学材料２との距離を大きく
し、また電気光学材料２とビームスプリッタ６および検
出器９との距離を小さくすることによって、良好な光学
系を得ることができる。
このようなホログラフィックレンズ21を用いると、偏
光子４により所定の偏光成分の抽出された光ビームBMの
入射で、ホログラフィックレンズ21からは、そのホログ
ラム記録に従い、再生像HG1乃至HG4が得られこれらが入
射光としてビームスプリッタ６を介して電気光学材料２
の特定の二次元的部分（i0，j0），（i1，j0），（i0，
j1），（i1，j1）にそれぞれ入射する。電気光学材料２
の二次元的部分（i0，j0），（i1，j0），（i0，j1），
（i1，j1）に入射した再生像すなわち入射光HG1乃至HG4
は、これらの二次元的部分の直下の被測定物３の二次元
的位置の電圧による二次元的部分の屈折率変化によって
偏光状態が変化する。偏光状態の変化した各再生像HG1
乃至HG4は電気光学材料２から出射光SG1乃至SG4として
出射され、これらの出射光SG1乃至SG4は、ビームスプリ
ッタ６で分割されて結像光学系22,検光子７を介して検
出器９に加わる。これにより被測定物３の特定の二次元
的位置の電圧を検出することができる。なおホログラフ
ィックレンズ21のホログラム記録を変更することにより
所望の任意の二次元的位置における被測定物３の電圧を
容易に検出することが可能となる。
光子４により所定の偏光成分の抽出された光ビームBMの
入射で、ホログラフィックレンズ21からは、そのホログ
ラム記録に従い、再生像HG1乃至HG4が得られこれらが入
射光としてビームスプリッタ６を介して電気光学材料２
の特定の二次元的部分（i0，j0），（i1，j0），（i0，
j1），（i1，j1）にそれぞれ入射する。電気光学材料２
の二次元的部分（i0，j0），（i1，j0），（i0，j1），
（i1，j1）に入射した再生像すなわち入射光HG1乃至HG4
は、これらの二次元的部分の直下の被測定物３の二次元
的位置の電圧による二次元的部分の屈折率変化によって
偏光状態が変化する。偏光状態の変化した各再生像HG1
乃至HG4は電気光学材料２から出射光SG1乃至SG4として
出射され、これらの出射光SG1乃至SG4は、ビームスプリ
ッタ６で分割されて結像光学系22,検光子７を介して検
出器９に加わる。これにより被測定物３の特定の二次元
的位置の電圧を検出することができる。なおホログラフ
ィックレンズ21のホログラム記録を変更することにより
所望の任意の二次元的位置における被測定物３の電圧を
容易に検出することが可能となる。
また第４図の電圧検出装置30では、マイクロレンズア
レイ５のかわりに空間光変調器31を用いている。
レイ５のかわりに空間光変調器31を用いている。
空間光変調器31は、その入力面32に入力像IGを入力す
ると、出力面33に入射した光ビームを入力像IGに対応し
たパターンとして出力面33から出力するようになってい
る。すなわち、第４図において偏光子34により所定の偏
光成分の抽出された光ビームBMがビームスプリッタ35を
介して空間光変調器31の出力面33に入射すると、光ビー
ムBMは入力像IGに対応したパターンとなって空間光変調
器31から反射されて出力され、ビームスプリッタ35で分
割されてさらに偏光子４により所定の偏光成分が抽出さ
れ、縮小光学系36,ビームスプリッタ６を介して電気光
学材料２に入射するようになっている。
ると、出力面33に入射した光ビームを入力像IGに対応し
たパターンとして出力面33から出力するようになってい
る。すなわち、第４図において偏光子34により所定の偏
光成分の抽出された光ビームBMがビームスプリッタ35を
介して空間光変調器31の出力面33に入射すると、光ビー
ムBMは入力像IGに対応したパターンとなって空間光変調
器31から反射されて出力され、ビームスプリッタ35で分
割されてさらに偏光子４により所定の偏光成分が抽出さ
れ、縮小光学系36,ビームスプリッタ６を介して電気光
学材料２に入射するようになっている。
このような構成の電圧検出装置30では、部分IG1乃至I
G6からなる入射像IGを入力面32に加えると、空間光変調
器31の出力面33から反射された光ビームは、入射像IGの
各部分IG1乃至IG6に対応したパターンとなり、このパタ
ーンで電気光学材料２の対応した二次元的部分P1乃至P6
に入射光として入射する。電気光学材料２の各二次元的
部分P1乃至P6に入射する各入射光は、偏光子４によって
所定の偏波成分だけが抽出されているので、これらの各
入射光は、電気光学材料２の各二次元的部分P1乃至P6の
直下の被測定物３の二次元的位置の電圧による二次元的
部分P1乃至P6の屈折率変化により、偏光状態が変化して
電気光学材料２から出射光として出力される。電気光学
材料２からの出射光は、ビームスプリッタ６で分割さ
れ、検光子７を介して検出器９に加わる。これにより、
入力像IGの各部分IG1乃至IG6に対応した被測定物３の各
二次元的位置の電圧を検出することができる。入力像IG
のパターンは随意に変更することができるので、被測定
物３の任意の所望の二次元位置における電圧を検出する
ことが可能となる。
G6からなる入射像IGを入力面32に加えると、空間光変調
器31の出力面33から反射された光ビームは、入射像IGの
各部分IG1乃至IG6に対応したパターンとなり、このパタ
ーンで電気光学材料２の対応した二次元的部分P1乃至P6
に入射光として入射する。電気光学材料２の各二次元的
部分P1乃至P6に入射する各入射光は、偏光子４によって
所定の偏波成分だけが抽出されているので、これらの各
入射光は、電気光学材料２の各二次元的部分P1乃至P6の
直下の被測定物３の二次元的位置の電圧による二次元的
部分P1乃至P6の屈折率変化により、偏光状態が変化して
電気光学材料２から出射光として出力される。電気光学
材料２からの出射光は、ビームスプリッタ６で分割さ
れ、検光子７を介して検出器９に加わる。これにより、
入力像IGの各部分IG1乃至IG6に対応した被測定物３の各
二次元的位置の電圧を検出することができる。入力像IG
のパターンは随意に変更することができるので、被測定
物３の任意の所望の二次元位置における電圧を検出する
ことが可能となる。
このように第２乃至第４の実施例によれば、電気光学
材料２の任意の二次元的部分に入射光を入射させること
ができるので被測定物３の全ての二次元的位置から所望
の二次元的位置だけを任意に選択し、選択された二次元
的位置の電圧だけを同時に検出することができる。
材料２の任意の二次元的部分に入射光を入射させること
ができるので被測定物３の全ての二次元的位置から所望
の二次元的位置だけを任意に選択し、選択された二次元
的位置の電圧だけを同時に検出することができる。
上述の第１乃至第４の実施例において、検出器９とし
て、CCDカメラ、フォトダイオードアレイ、ビジコンカ
メラなどの二次元の光検出器アレイを用いるか、あるい
はストリークカメラなどの高速応答検出器を用いるとし
て説明したが、CCDカメラなどの二次元の光検出器アレ
イを用いる場合には、光源（図示せず）としてパルス幅
の非常に短かい光パルスを出力するレーザダイオードな
どのパルス光源を用いて被測定物３の高速な電圧変化を
非常に短かい時間幅でサンプリング測定する。なおこの
ときには被測定物３の電圧変化は周期的に繰返すもので
なければならない。またストリークカメラなどの高速応
答検出器を用いる場合には、光源としてパルス光源ある
いは直流光源を用い、被測定物３の二次元的位置の電圧
情報を光ファイバの束で一次元情報に変換し、高時間分
解能で測定する。なおストリークカメラを用いるには被
測定物３の電圧変化は単発現象であっても計測できる。
て、CCDカメラ、フォトダイオードアレイ、ビジコンカ
メラなどの二次元の光検出器アレイを用いるか、あるい
はストリークカメラなどの高速応答検出器を用いるとし
て説明したが、CCDカメラなどの二次元の光検出器アレ
イを用いる場合には、光源（図示せず）としてパルス幅
の非常に短かい光パルスを出力するレーザダイオードな
どのパルス光源を用いて被測定物３の高速な電圧変化を
非常に短かい時間幅でサンプリング測定する。なおこの
ときには被測定物３の電圧変化は周期的に繰返すもので
なければならない。またストリークカメラなどの高速応
答検出器を用いる場合には、光源としてパルス光源ある
いは直流光源を用い、被測定物３の二次元的位置の電圧
情報を光ファイバの束で一次元情報に変換し、高時間分
解能で測定する。なおストリークカメラを用いるには被
測定物３の電圧変化は単発現象であっても計測できる。
さらに上述の第１乃至第４の実施例では、被測定物３
の特定の二次元的位置の電圧を同時に検出する場合につ
いて説明したが、これらの実施例に示された電圧検出装
置を被測定物３の特定の一次元的位置の電圧を同時に検
出する場合にも適用することができる。
の特定の二次元的位置の電圧を同時に検出する場合につ
いて説明したが、これらの実施例に示された電圧検出装
置を被測定物３の特定の一次元的位置の電圧を同時に検
出する場合にも適用することができる。
以上に説明したように、本発明によれば、被測定物の
特定位置に対応した電気光学材料の各特定部分に光源か
らの光ビームを所望のパターンに多数に分割して入射さ
せ、電気光学材料の各特定部分からの出射光の偏光状態
の変化を検出器により検出するようにしているので、被
測定物の特定の複数位置における電圧を同時に検出する
ことができる。
特定位置に対応した電気光学材料の各特定部分に光源か
らの光ビームを所望のパターンに多数に分割して入射さ
せ、電気光学材料の各特定部分からの出射光の偏光状態
の変化を検出器により検出するようにしているので、被
測定物の特定の複数位置における電圧を同時に検出する
ことができる。
第１図は本発明に係る電圧検出装置の第１の実施例の構
成図、第２図は本発明に係る電圧検出装置の第２の実施
例の構成図、第３図は本発明に係る電圧検出装置の第３
の実施例の構成図、第４図は本発明に係る電圧検出装置
の第４の実施例の構成図である。 1,20,30……電圧検出装置、２……電気光学材料、３…
…被測定物、５……マイクロレンズアレイ、９……二次
元検出器、21……ホログラフィックレンズ、31……空間
光変調器、BM……光ビーム、IG……入力像
成図、第２図は本発明に係る電圧検出装置の第２の実施
例の構成図、第３図は本発明に係る電圧検出装置の第３
の実施例の構成図、第４図は本発明に係る電圧検出装置
の第４の実施例の構成図である。 1,20,30……電圧検出装置、２……電気光学材料、３…
…被測定物、５……マイクロレンズアレイ、９……二次
元検出器、21……ホログラフィックレンズ、31……空間
光変調器、BM……光ビーム、IG……入力像
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｃ 7514−4Ｍ
Claims (8)
- 【請求項１】電圧が加わることによって屈折率が変化す
る電気光学材料を用いた型式の電圧検出装置において、
前記電気光学材料は、電圧の検出されるべき被測定物の
複数の位置を覆うように位置決めされ、被測定物の特定
位置に対応した前記電気光学材料の特定部分の各々に
は、光源からの光ビームを所望のパターンに多数に分割
した入射光がそれぞれ入射するようになっており、前記
電気光学材料の前記特定部分からの出射光の偏光状態の
変化は検出器により検出されるようになっていることを
特徴とする電圧検出装置。 - 【請求項２】光源からの光ビームは、マイクロレンズア
レイによって格子状パターンの多数の入射光に分割され
るようになっていることを特徴とする特許請求の範囲第
１項に記載の電圧検出装置。 - 【請求項３】光源からの光ビームは、マイクロレンズア
レイと、これに重ね合された板状のマスクとによって所
望のパターンの多数の入射光に分割されるようになって
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の電
圧検出装置。 - 【請求項４】光源からの光ビームは、ホログラフィック
レンズによって、所望のパターンの多数の入射光に分割
されるようになっていることを特徴とする特許請求の範
囲第１項に記載の電圧検出装置。 - 【請求項５】光源からの光ビームは、空間光変調器によ
って入力像に対応した所望のパターンの多数の入射光に
分割されるようになっていることを特徴とする特許請求
の範囲第１項に記載の電圧検出装置。 - 【請求項６】前記光源は、パルス光源であり、前記検出
器は、光検出器アレイの二次元検出器であって、被測定
物の特定位置の電圧をサンプリングすることによって検
出することを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
電圧検出装置。 - 【請求項７】前記光源は、パルス光源または直流光源で
あり、前記検出器は、高速応答検出器であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載の電圧検出装置。 - 【請求項８】前記高速応答検出器は、ストリークカメラ
であることを特徴とする特許請求の範囲第７項に記載の
電圧検出装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62174535A JPH0820470B2 (ja) | 1987-07-13 | 1987-07-13 | 電圧検出装置 |
| US07/217,790 US4906922A (en) | 1987-07-13 | 1988-07-12 | Voltage mapping device having fast time resolution |
| DE3889986T DE3889986T2 (de) | 1987-07-13 | 1988-07-12 | Anordnung eines Spannungsdetektors. |
| EP88111142A EP0299432B1 (en) | 1987-07-13 | 1988-07-12 | A voltage detecting device |
| US07/460,645 US5034683A (en) | 1987-07-13 | 1990-01-03 | Voltage detecting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62174535A JPH0820470B2 (ja) | 1987-07-13 | 1987-07-13 | 電圧検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6418072A JPS6418072A (en) | 1989-01-20 |
| JPH0820470B2 true JPH0820470B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=15980232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62174535A Expired - Fee Related JPH0820470B2 (ja) | 1987-07-13 | 1987-07-13 | 電圧検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0820470B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2777268B2 (ja) * | 1989-08-02 | 1998-07-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザダイオードを用いた低ノイズパルス光源及びこの光源を用いた電圧検出装置 |
| JP3462272B2 (ja) * | 1994-09-07 | 2003-11-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | アレイ電極基板の検査装置 |
| JPH08146051A (ja) * | 1994-11-21 | 1996-06-07 | Nec Corp | Ｅｏプローブ |
| US20070146685A1 (en) * | 2005-11-30 | 2007-06-28 | Yoo Woo S | Dynamic wafer stress management system |
-
1987
- 1987-07-13 JP JP62174535A patent/JPH0820470B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6418072A (en) | 1989-01-20 |
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