JPH0820547A - １、３−シクロヘキサジエンの製造方法 - Google Patents
１、３−シクロヘキサジエンの製造方法Info
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- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
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- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 １、３−シクロヘキサジエンを製造するにあ
たり、シクロヘキセンと亜酸化窒素を気相で反応させる
ことを特徴とする１、３ーシクロヘキサジエンの製造方
法。 【効果】 本発明の方法を用いるとシクロヘキセンと亜
酸化窒素を気相で反応させることによって１、３ーシク
ロヘキサジエンを製造することが可能である。シクロヘ
キセンと酸素を反応させる場合に比べて、大量の不活性
ガス等の希釈も不要であり、またより安全操業が可能で
ある。このことは、工業的に実施する上で非常に有利と
なる。
たり、シクロヘキセンと亜酸化窒素を気相で反応させる
ことを特徴とする１、３ーシクロヘキサジエンの製造方
法。 【効果】 本発明の方法を用いるとシクロヘキセンと亜
酸化窒素を気相で反応させることによって１、３ーシク
ロヘキサジエンを製造することが可能である。シクロヘ
キセンと酸素を反応させる場合に比べて、大量の不活性
ガス等の希釈も不要であり、またより安全操業が可能で
ある。このことは、工業的に実施する上で非常に有利と
なる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、１、３ーシクロヘキサ
ジエンを製造するにあたり、シクロヘキセンと亜酸化窒
素を気相で反応させることを特徴とする１、３ーシクロ
ヘキサジエンの製造方法に関する。
ジエンを製造するにあたり、シクロヘキセンと亜酸化窒
素を気相で反応させることを特徴とする１、３ーシクロ
ヘキサジエンの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】亜酸化窒素はシクロヘキサノールを硝酸
酸化し、アジピン酸を製造する工程等に於いて発生する
が、亜酸化窒素は地球規模的な環境破壊物質であるため
これを分解して排出することが要求されている。これを
分解処理するためには、分解するための設備やエネルギ
ーが必要となる。一方、亜酸化窒素を酸化剤として用い
てある出発原料から有用な生成物を製造することができ
れば、亜酸化窒素を排出することなく、しかも工業上有
用な物質を製造する方法として有用である。
酸化し、アジピン酸を製造する工程等に於いて発生する
が、亜酸化窒素は地球規模的な環境破壊物質であるため
これを分解して排出することが要求されている。これを
分解処理するためには、分解するための設備やエネルギ
ーが必要となる。一方、亜酸化窒素を酸化剤として用い
てある出発原料から有用な生成物を製造することができ
れば、亜酸化窒素を排出することなく、しかも工業上有
用な物質を製造する方法として有用である。
【０００３】シクロヘキセンはシクロヘキサノール、シ
クロヘキサノン、シクロヘキセンオキサイド、１、３ー
シクロヘキサジエン等の原料であり、工業上の重要な中
間体である。シクロヘキセンと亜酸化窒素を反応させる
方法は１９５０年代にＢＵＣＫＬＥＹ、Ｌ．Ｈ．らによ
って報告されている（Ｊ．ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓ
ｏｃｉｅｔｙ ２９９９（１９５１））。この反応は３
００℃、５００ａｔｍの条件でオートクレーブ中で２時
間行われ、収率は明確でないが蒸留後の留分として、沸
点９０℃以下の原料回収分として仕込みに対して９重量
％、９０℃から１５３℃の留分として仕込みに対して５
重量％、シクロヘキサノンを含む沸点１５３℃から１５
６℃の留分として仕込みに対して５８重量％、それ以上
の高沸物として仕込みに対して２８重量％得ている。
クロヘキサノン、シクロヘキセンオキサイド、１、３ー
シクロヘキサジエン等の原料であり、工業上の重要な中
間体である。シクロヘキセンと亜酸化窒素を反応させる
方法は１９５０年代にＢＵＣＫＬＥＹ、Ｌ．Ｈ．らによ
って報告されている（Ｊ．ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓ
ｏｃｉｅｔｙ ２９９９（１９５１））。この反応は３
００℃、５００ａｔｍの条件でオートクレーブ中で２時
間行われ、収率は明確でないが蒸留後の留分として、沸
点９０℃以下の原料回収分として仕込みに対して９重量
％、９０℃から１５３℃の留分として仕込みに対して５
重量％、シクロヘキサノンを含む沸点１５３℃から１５
６℃の留分として仕込みに対して５８重量％、それ以上
の高沸物として仕込みに対して２８重量％得ている。
【０００４】またシクロヘキセンから１、３ーシクロヘ
キサジエンを製造する方法として、シクロヘキセンと酸
素から触媒存在下に気相流通系で反応させる方法が、ソ
連特許１０７４８５３Ａ号において提案されている。
キサジエンを製造する方法として、シクロヘキセンと酸
素から触媒存在下に気相流通系で反応させる方法が、ソ
連特許１０７４８５３Ａ号において提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ＢＵＣＫＬＥＹ、Ｌ．
Ｈ．らが行ったシクロヘキセンと亜酸化窒素との反応で
は、反応条件の過酷さに加え、シクロヘキサノンを約５
８重量％という収率で得ているものの、１、３ーシクロ
ヘキサジエンは得ていない。一方、ソ連特許１０７４８
５３Ａ号の、シクロヘキセンと酸素を触媒存在下に気相
流通系で反応させて１、３ーシクロヘキサジエンを製造
する方法においては、酸素を用いる酸化脱水素反応であ
るために、シクロヘキセンの爆発限界による制約に加
え、反応によって水素が生成するが水素の爆発限界は４
％から７５％と広いために、大量の窒素で希釈するなど
安全操業上からくる大きな制約がある。
Ｈ．らが行ったシクロヘキセンと亜酸化窒素との反応で
は、反応条件の過酷さに加え、シクロヘキサノンを約５
８重量％という収率で得ているものの、１、３ーシクロ
ヘキサジエンは得ていない。一方、ソ連特許１０７４８
５３Ａ号の、シクロヘキセンと酸素を触媒存在下に気相
流通系で反応させて１、３ーシクロヘキサジエンを製造
する方法においては、酸素を用いる酸化脱水素反応であ
るために、シクロヘキセンの爆発限界による制約に加
え、反応によって水素が生成するが水素の爆発限界は４
％から７５％と広いために、大量の窒素で希釈するなど
安全操業上からくる大きな制約がある。
【０００６】シクロヘキセンから酸素を用いずに１、３
−シクロヘキサジエンを製造することができれば大量の
希釈剤も不要であり、またより安全操業も可能となる。
−シクロヘキサジエンを製造することができれば大量の
希釈剤も不要であり、またより安全操業も可能となる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決するために鋭意検討した結果、驚くべきことに
本発明の目的を達成できることを見いだした。すなわち
本発明は、１、３ーシクロヘキサジエンを製造するにあ
たり、シクロヘキセンと亜酸化窒素を気相で反応させる
ことを特徴とする１、３ーシクロヘキサジエンの製造方
法である。
題を解決するために鋭意検討した結果、驚くべきことに
本発明の目的を達成できることを見いだした。すなわち
本発明は、１、３ーシクロヘキサジエンを製造するにあ
たり、シクロヘキセンと亜酸化窒素を気相で反応させる
ことを特徴とする１、３ーシクロヘキサジエンの製造方
法である。
【０００８】また本発明の方法においては触媒を用いな
くてもよいが、好ましくは触媒存在下に反応させること
である。１、３ーシクロヘキサジエンは、重合体、共重
合体、オリゴマー、エポキシ樹脂の硬化剤を得るための
モノマーである。また、重要な有機化合物の合成のため
の原料となる。反応機構の詳細は明かではないが、亜酸
化窒素による酸化脱水素であると考えられる。この機構
で１、３ーシクロヘキサジエンが生成し、ベンゼンも生
成する。また条件によっては酸素原子の付加によってシ
クロヘキサノンも生成する。
くてもよいが、好ましくは触媒存在下に反応させること
である。１、３ーシクロヘキサジエンは、重合体、共重
合体、オリゴマー、エポキシ樹脂の硬化剤を得るための
モノマーである。また、重要な有機化合物の合成のため
の原料となる。反応機構の詳細は明かではないが、亜酸
化窒素による酸化脱水素であると考えられる。この機構
で１、３ーシクロヘキサジエンが生成し、ベンゼンも生
成する。また条件によっては酸素原子の付加によってシ
クロヘキサノンも生成する。
【０００９】本発明における触媒の種類としては、有機
化合物の酸化反応および酸化脱水素反応、脱水素反応に
一般的に使用されるものであれば特に制限はない。すな
わち、ＩＡ属、ＩＩＡ属、ＩＩＩＡ属、ＩＶＡ属、ＶＡ
属、ＶＩＡ属、ＶＩＩＡ属、ＶＩＩＩ属、ＩＢ属、ＩＩ
Ｂ属、ＩＩＩＢ属、ＩＶＢ属、ＶＢ属、ＶＩＢ属の１種
類または２種類以上の酸化物または複合酸化物、および
ＶＩＩＩ属、ＩＢ属の１種類または２種類以上の金属、
およびＩＡ属、ＩＩＡ属、ＩＩＩＡ属、ＩＶＡ属、ＶＡ
属、ＶＩＡ属、ＶＩＩＡ属、ＶＩＩＩ属、ＩＢ属、ＩＩ
Ｂ属、ＩＩＩＢ属、ＩＶＢ属、ＶＢ属、ＶＩＢ属の１種
類または２種類以上の酸化物または複合酸化物とＶＩＩ
Ｉ属、ＩＢ属の１種類または２種類以上の金属との混合
物を挙げることができる。例えば、触媒講座７巻基本工
業触媒反応（講談社）、反応別実用触媒（化学工業
社）、触媒（２１巻、４０９、１９７９年）等において
公知にされているものが使用できる。具体例で示せば、
パラフィン系炭化水素の脱水素および酸化脱水素触媒と
してＭｏ−Ｂｉ系、またはＭｏ−Ｂｉ−Ｃｒ系、または
Ｃｒ2Ｏ3（１７重量％）−Ｋ2Ｏ（２重量％）／Ａｌ2Ｏ
3系、またはＰｄ／Ａｌ2Ｏ3系、またはＭｏＯ3／ＳｉＯ
2系、またはＺｎＯ／ＳｉＯ2系、またはＣｏ／ＭｇＯ
系、またはＭｇＯ／ＳｉＯ2系、またはＮｉ−Ｃｒ系、
またはＮｉ−Ｓｉ系、またはＭｏ−Ｃｏ系、またはＮｉ
−Ｓｎ−Ｐ−Ｋ系、またはＲｕ（０．３重量％）／Ａｌ
2Ｏ3系、またはＭｏ−Ｖ−Ｎｂ／Ａｌ2Ｏ3系、またはＦ
ｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｕ（５重量％）系、Ｃｒ2Ｏ3−Ｐｂ
／Ａｌ2Ｏ3系等を、またオレフィンの脱水素および酸化
脱水素触媒としてＭｏＯ3−Ｂｉ2Ｏ3系、またはＵＯ3−
Ｓｂ2Ｏ4系、またはＳｎＯ2−Ｓｂ2Ｏ4系、またはＳｂ2
Ｏ4−Ｆｅ2Ｏ3系、またはＳｎＯ2−Ｐ2Ｏ5系、またはＺ
ｎＣｒＦｅＯ4系、またはＰｄ／活性炭系、またはＰｄ
／Ａｌ2Ｏ3系、またはＣａ8Ｎｉ（ＰＯ4）6、またはＣ
ｒ2Ｏ3／Ａｌ2Ｏ3系、またはＦｅ2Ｏ3、またはＳｒ−Ｎ
ｉ−Ｐ系、またはＭｏ12Ｃｒ0.5Ｋ0.1Ｎｉ2.5Ｃｏ4.5Ｆ
ｅ3ＢｉＯX、またはＰｔ／Ａｌ2Ｏ3系、またはＶ2Ｏ5／
Ａｌ2Ｏ3系等を、またエチルベンゼンの脱水素および酸
化脱水素触媒としてＦｅ−Ｋ系、またはＦｅ−Ｋ−Ｃｒ
−Ｖ−Ｃｏ−Ｃｅ−Ｍｏ系、またはＭｎ−Ｆｅ−Ｃｒ−
Ｖ−Ｋ系、またはＣａ−Ｎｉ−Ｐ−Ｃｒ系、またはＴｉ
Ｏ2、またはＢｉ−Ｕ系、またはＢｉ−Ｖ系、またはＢ
ｉ−Ｃｒ系、またはＭｏ−Ｓｎ系、またはＮｉ−Ｗ系、
またはＳｎ−Ｐ系、またはＡｌ−Ｎａ系、またはＡｌ−
Ｐ系等を、またメタンの酸化触媒としてＭｏＯ3／Ｓｉ
Ｏ2系、またはＭｇＯ／ＳｉＯ2系等を、またエチレンの
酸化触媒としてＡｇ／Ａｌ2Ｏ3系、Ａｇ／ＳｉＯ2系等
を、またプロピレンの酸化触媒としてＭｏ−Ｂｉ−Ｆｅ
−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ系、またはＭｏ−Ｂｉ−Ｐ−Ｆｅ系、
またはＭｏ−Ｔｅ−Ｃｏ系、またはＭｏ−Ｔｅ−Ｃｕ
系、またはＭｏ−Ａｓ−Ｓｎ系、またはＭｏ−Ｖ−Ｆｅ
−Ｓｂ系、またはＦｅ−Ａｓ／Ａｌ2Ｏ3系、またはＷ−
Ｂｉ−Ｃｏ−Ｔｅ／ＳｉＯ2系、またはＭｏ−Ｓｎ−Ｃ
ｏ−Ｔｅ系、またはＭｏ−Ｐ／ＳｉＣ系、またはＭｏ−
Ｖ／ＳｉＯ2系またはＶ−Ｐ−Ａｓ系、またはＶ−Ｐ−
Ｓｂ系、またはＶ−Ｐ−Ｓｎ／ＳｉＯ2系またはＭｏ−
Ｖ−Ｐ系、またはＭｏ−Ｔｅ−Ｎｉ系、またはＭｏ−Ｒ
ｅ−Ｔｅ−Ｎｉ系、またはＭｏ−Ｂｉ−Ｐ−Ｂ−Ｆｅ
系、またはＣｏ−Ｐ系、またはＭｏ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｐ−
Ｂ系、またはＭｏ−Ｆｅ−Ｔｅ−Ｐ／ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ
3系または、Ｖ−Ｐ−Ｃｏ／アランダム系、またはＳｂ
−Ｕ系、またはＳｂ−Ｓ−Ｕ系またはＭｏ−Ｔｅ−Ｃｏ
系、またはＭｏ−Ｗ−Ｔｅ−Ｓｎ−Ｃｏ系、またはＭｏ
−Ｎｉ−Ｍｎ系、またはＭｏ−Ｖ−Ａｓ／ＳｉＯ2系、
またはＣｕ2Ｏ（１．４３重量％）／ＳｉＣ系、または
ＣｕＯ−Ｓｅ／ＳｉＯ2系等を、またノルマル−１−ブ
テンおよびノルマル−２−ブテン酸化触媒としてＶ2Ｏ5
−Ｐ2Ｏ5系、またはＭｏＯ3−ＣｏＯ系、またはＭｏＯ3
−ＣｏＯ−Ｖ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ系、またはＶ2Ｏ5−ＭｏＯ3
系、またはＶ2Ｏ5−ＷＯ3系、またはＶ2Ｏ5−Ｍｏ3−Ｔ
ｉＯ2系、またはＶ2Ｏ5−ＭｏＯ3−ＣｏＯ系、またはＶ
−Ｐ−Ｓｂ系、またはＶ−Ｐ−Ｔｉ系、またはＶ−Ｐ−
Ｃｒ系、またはＶ−Ｐ−Ｃｏ系、またはＶ−Ｐ−Ｎｉ
系、またはＶ−Ｐ−Ｚｎ系、またはＶ−Ｐ−Ｚｒ系、ま
たはＶ−Ｐ−Ｓｎ系、またはＶ−Ｐ−Ｂｉ系、またはＶ
−Ｐ−Ｔｈ系、またはＶ−Ｐ−Ｃｕ系、またはＶ2Ｏ5−
Ｐ2Ｏ5−Ｌｉ 3ＰＯ4系、またはＶ2Ｏ5−Ｐ2Ｏ5−Ｆｅ2
Ｏ3−Ｌｉ2Ｏ／Ａｌ2Ｏ3系、またはＶ2Ｏ5−Ｐ2Ｏ5−Ｗ
Ｏ3−Ｆｅ2Ｏ3／ＴｉＯ2系、またはＶ2Ｏ5−Ｐ2Ｏ5−Ｗ
Ｏ3／ＴｉＯ2系等を、またベンゼン酸化触媒として、Ｍ
ｏＯ3、またはＶ2Ｏ5、またはＷＯ3、またはＶ2Ｏ5−Ｍ
ｏＯ3系、またはＶ2Ｏ5−ＷＯ3系、またはＶ2Ｏ5−Ｍｏ
Ｏ3−Ｎａ2ＳｎＯ3−ＳｎＯ2−ＣｅＳＯ4−ＴｉＳＯ4−
ＵＯ2系、またはＶ2Ｏ5−ＭｏＯ3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ−
ＺｎＯ系、またはＶ2Ｏ5−ＭｏＯ3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ−
ＣｕＯ系、またはＶ2Ｏ5−ＭｏＯ3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ−
Ｂｉ2Ｏ3系、またはＶ2Ｏ5−ＭｏＯ3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ
−ＣｏＯ系、またはＶ2Ｏ5−ＭｏＯ3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ
−ＮｉＯ系、またはＶ2Ｏ5−ＭｏＯ3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ
−ＴｉＯ2系、またはＶ2Ｏ5−ＭｏＯ3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2
Ｏ−ＣａＯ系、またはＶ2Ｏ5−ＭｏＯ3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2
Ｏ−ＦｅＯ系、またはＶ2Ｏ5−ＷＯ3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ
−ＭｇＯ系、またはＶ2Ｏ5−ＷＯ3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ−
ＣａＯ系、またはＶ2Ｏ5−ＷＯ3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ−Ｚ
ｎＯ系、またはＶ2Ｏ5−ＷＯ3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ−Ｔｉ
Ｏ2系、またはＶ2Ｏ5−ＷＯ3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ−Ｍｎ
Ｏ2系、またはＶ2Ｏ5−ＷＯ3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ−Ｃｏ
Ｏ系、またはＶ2Ｏ5−ＷＯ3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ 2Ｏ−ＮｉＯ
系、またはＶ2Ｏ5−ＭｏＯ3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ−Ａｇ2
Ｏ系、またはＶ2Ｏ5−ＭｏＯ3−ＵＯ2−Ａｇ2Ｏ−Ａｇ3
ＰＯ4系、またはＶ2Ｏ5−ＭｏＯ3−ＳｉＯ2−Ｌｉ3ＰＯ
4系、またはＶ2Ｏ5−Ｋ2ＳＯ4系、またはＶ2Ｏ5−Ｍｏ
Ｏ3−ＳｎＯ2系等を、またナフタレン酸化触媒としてＶ
2Ｏ5、またはＶ2Ｏ5−Ｐ2Ｏ5系、またはＶ2Ｏ5−Ｐ2Ｏ5
−ＴｉＯ2系、またはＶ2Ｏ5−ＳｎＯ2系、またはＶ2Ｏ5
−ＺｒＯ2系、またはＶ2Ｏ5−ＴｉＯ2系、またはＶ2Ｏ5
−Ｋ2ＳｎＯ3系、またはＶ2Ｏ5−Ｋ2ＳｎＯ3−ＴｉＯＳ
Ｏ4系、またはＶ2Ｏ5−Ｋ2ＳｎＯ3−ＣｅＳＯ4系、また
はＶ2Ｏ5−Ｆｅ2（ＳＯ4）3−ＭｎＳＯ4−ＳｉＯ2系、
またはＶ2Ｏ5−ＴｌＯ系、またはＶ2Ｏ5−Ｋ2ＳＯ4−Ｓ
ｉＯ2系、またはＶ2Ｏ5−Ｋ2ＳＯ4−ＴｉＯ2系、または
Ｖ2Ｏ5−Ｋ2ＳＯ4−（ＮＨ4）2ＳＯ4−Ｐ2Ｏ5−ＳｉＯ2
系、またはＶ2Ｏ5−Ｋ2ＳＯ4−ＣｄＯ−ＳｉＯ2系、ま
たキシレン酸化触媒として、Ｖ2Ｏ 5、またはＶ2Ｏ5−Ｍ
ｏＯ3−ＴｉＯ2系、またはＶ2Ｏ5−ＭｏＯ3−ＵＯ2−Ａ
ｇＮＯ3−Ａｇ3ＰＯ4系、またはＶ2Ｏ5−Ｓｂ2Ｏ5−Ｋ2
ＳＯ4系、またはＶ2Ｏ5−Ｓｂ2Ｏ5−Ｋ2ＳＯ4−ＳｎＯ2
系、またはＶ2Ｏ5−Ｎｂ2Ｏ5系、またはＶ2Ｏ5−ＭｏＯ
3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ−ＺｎＯ系、またはＶ2Ｏ5−ＭｏＯ
3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ−ＴｉＯ2系、またはＶ2Ｏ5−Ｍｏ
Ｏ3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ−ＷＯ3系、またはＶ 2Ｏ5−Ｍｏ
Ｏ3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ−ＳｒＯ系、またはＶ2Ｏ5−ＷＯ
3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ−Ｋ2ＳＯ4系、またはＶ2Ｏ5−ＷＯ
3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ−ＴｉＯ2−Ｋ2ＳＯ4系、またはＶ2
Ｏ5−ＷＯ3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ−ＺｒＯ2−Ｋ2ＳＯ4系、
またはＶ2Ｏ5−ＷＯ3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ−ＳｒＯ−Ｋ2
ＳＯ4系、またはＶ2Ｏ5−ＷＯ 3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ−Ｍ
ｎＯ2−Ｋ2ＳＯ4系、またはＶ2Ｏ5−ＺｒＯ2−Ｔｂ4Ｏ7
系、またはＶ2Ｏ5−ＺｒＯ2−Ｐｒ2Ｏ3系、またはＶ2Ｏ
5−ＣｒＯ3系、またはＶ 2Ｏ5−Ｃｒ2Ｏ3−ＧｅＯ2系、
またプロピレンのアンモ酸化触媒としてＭｏ−Ｂｉ系、
またはＭｏ−Ｂｉ−Ｐ系、またはＭｏ−Ｂｉ−Ｓｂ系、
またはＭｏ−Ｂｉ−Ｖ系、またはＭｏ−Ｂｉ−Ａｓ系、
またはＭｏ−Ｂｉ−Ｃｅ系、またはＭｏ−Ｂｉ−Ｂ系、
またはＭｏ−Ｂｉ−Ｚｒ系、またはＭｏ−Ｂｉ−Ｔｉ
系、またはＭｏ−Ｂｉ−Ｐ−Ｃｏ−Ｂ系、Ｍｏ−Ｂｉ−
Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎａ−Ｐ系、またはＭｏ−Ｂｉ−Ｆｅ−Ｎ
ｉ−Ｍｇ−Ｃｏ−Ｐ−Ｔｌ系、またはＭｏ−Ｂｉ−Ｆｅ
−Ｃｏ−Ｗ−Ｔｌ系、またはＭｏ−Ｂｉ−Ｃｅ−Ｆｅ−
Ｚｎ−Ｎｉ−Ｃｓ系、またはＭｏ−Ｂｉ−Ｐｂ系、また
はＭｏ−Ｓｎ−Ｂ系、またはＭｏ−Ｔｅ−Ｍｎ−Ｐ系、
またはＭｏ−Ｔｅ−Ｗ−Ｐ系、またはＭｏ−Ａｓ−Ｎｂ
系、またはＳｂ−Ｕ系、またはＳｂ−Ｓｎ系、またはＳ
ｂ−Ｓｎ−Ｍｇ系、またはＳｂ−Ｓｎ−Ｕ系、またはＢ
ｉ−Ｃｅ系、またはＢｉ−Ｖ−Ｆｅ系、またはＢｉ−Ｐ
−Ｆｅ系、またはＢｉ−Ｗ系、またはＴｅ−Ｌａ系、ま
たはＴｅ−Ｚｒ−Ｚｎ系、またはＶ−Ｓｎ系等を、また
芳香族アンモオキシデーション触媒として、Ｖ2Ｏ5−Ｍ
ｏＯ3−Ｐ2Ｏ5−Ａｌ2Ｏ3系、またはＶ2Ｏ5−ＳｎＯ2−
Ｐ2Ｏ5−ＳｉＯ2系、またはＶ2Ｏ5−Ｃｒ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ
3系、またはＶ2Ｏ5−Ｓｂ2Ｏ3−Ｆｅ2Ｏ3−Ｋ2Ｏ−Ａｌ
2Ｏ 3系、またはＶ2Ｏ5−Ｓｂ2Ｏ3−ＷＯ3−Ｋ2Ｏ−Ａｌ
2Ｏ3系、またはＶ2Ｏ5−Ｓｂ2Ｏ3−Ｋ2Ｏ系、またはＶ2
Ｏ5−Ｓｂ2Ｏ3−Ｌｉ2Ｏ−ＴｉＯ2系、またはＶ2Ｏ 5−
Ｎａ2Ｏ−Ａｌ2Ｏ3系、またはＶ2Ｏ5−Ａｓ2Ｏ3−Ｋ2Ｓ
Ｏ4系、またはＶ2Ｏ5−ＣｏＯ−Ａｌ2Ｏ3系、またはＶ2
Ｏ5−ＮｉＯ−Ａｌ2Ｏ3系、またはＶ2Ｏ5−ＭｎＯ−Ａ
ｌ2Ｏ3系、またはＶ2Ｏ5−Ｐｔ−ＳｉＣ系、またはＶ2
Ｏ5−ＳｅＯ2−Ｎａ2Ｏ−ＴｉＯ2系、またはＶ2Ｏ5−Ｓ
ｅＯ2−ＴｉＯ2系、またはＶ2Ｏ5−Ｃｒ 2Ｏ3−Ｃｓ2Ｏ
−ＺｒＯ2系、またはＳｅＯ2−ＳｉＯ2系、Ｍｏ−Ｔｅ
−Ｓｅ系、またはＭｏ−Ｃｕ−Ｐ系、Ｂ−Ａｌ−Ｃｕ−
Ｐ系、またはＮｂ2Ｏ5−ＴｉＯ2系、またはＮｂ2Ｏ5−
ＳｎＯ2系、またはＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ−Ｐ系、またはＦ
ｅ−Ｐ系等を、またフェノールの酸化触媒としてチタノ
シリケート、またはＴｉＯ2等を、またメチラール酸化
触媒としてＭｏ−Ｆｅ系、またはＭｏ−Ｆｅ−Ｃｒ系等
を挙げることができる。
化合物の酸化反応および酸化脱水素反応、脱水素反応に
一般的に使用されるものであれば特に制限はない。すな
わち、ＩＡ属、ＩＩＡ属、ＩＩＩＡ属、ＩＶＡ属、ＶＡ
属、ＶＩＡ属、ＶＩＩＡ属、ＶＩＩＩ属、ＩＢ属、ＩＩ
Ｂ属、ＩＩＩＢ属、ＩＶＢ属、ＶＢ属、ＶＩＢ属の１種
類または２種類以上の酸化物または複合酸化物、および
ＶＩＩＩ属、ＩＢ属の１種類または２種類以上の金属、
およびＩＡ属、ＩＩＡ属、ＩＩＩＡ属、ＩＶＡ属、ＶＡ
属、ＶＩＡ属、ＶＩＩＡ属、ＶＩＩＩ属、ＩＢ属、ＩＩ
Ｂ属、ＩＩＩＢ属、ＩＶＢ属、ＶＢ属、ＶＩＢ属の１種
類または２種類以上の酸化物または複合酸化物とＶＩＩ
Ｉ属、ＩＢ属の１種類または２種類以上の金属との混合
物を挙げることができる。例えば、触媒講座７巻基本工
業触媒反応（講談社）、反応別実用触媒（化学工業
社）、触媒（２１巻、４０９、１９７９年）等において
公知にされているものが使用できる。具体例で示せば、
パラフィン系炭化水素の脱水素および酸化脱水素触媒と
してＭｏ−Ｂｉ系、またはＭｏ−Ｂｉ−Ｃｒ系、または
Ｃｒ2Ｏ3（１７重量％）−Ｋ2Ｏ（２重量％）／Ａｌ2Ｏ
3系、またはＰｄ／Ａｌ2Ｏ3系、またはＭｏＯ3／ＳｉＯ
2系、またはＺｎＯ／ＳｉＯ2系、またはＣｏ／ＭｇＯ
系、またはＭｇＯ／ＳｉＯ2系、またはＮｉ−Ｃｒ系、
またはＮｉ−Ｓｉ系、またはＭｏ−Ｃｏ系、またはＮｉ
−Ｓｎ−Ｐ−Ｋ系、またはＲｕ（０．３重量％）／Ａｌ
2Ｏ3系、またはＭｏ−Ｖ−Ｎｂ／Ａｌ2Ｏ3系、またはＦ
ｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｕ（５重量％）系、Ｃｒ2Ｏ3−Ｐｂ
／Ａｌ2Ｏ3系等を、またオレフィンの脱水素および酸化
脱水素触媒としてＭｏＯ3−Ｂｉ2Ｏ3系、またはＵＯ3−
Ｓｂ2Ｏ4系、またはＳｎＯ2−Ｓｂ2Ｏ4系、またはＳｂ2
Ｏ4−Ｆｅ2Ｏ3系、またはＳｎＯ2−Ｐ2Ｏ5系、またはＺ
ｎＣｒＦｅＯ4系、またはＰｄ／活性炭系、またはＰｄ
／Ａｌ2Ｏ3系、またはＣａ8Ｎｉ（ＰＯ4）6、またはＣ
ｒ2Ｏ3／Ａｌ2Ｏ3系、またはＦｅ2Ｏ3、またはＳｒ−Ｎ
ｉ−Ｐ系、またはＭｏ12Ｃｒ0.5Ｋ0.1Ｎｉ2.5Ｃｏ4.5Ｆ
ｅ3ＢｉＯX、またはＰｔ／Ａｌ2Ｏ3系、またはＶ2Ｏ5／
Ａｌ2Ｏ3系等を、またエチルベンゼンの脱水素および酸
化脱水素触媒としてＦｅ−Ｋ系、またはＦｅ−Ｋ−Ｃｒ
−Ｖ−Ｃｏ−Ｃｅ−Ｍｏ系、またはＭｎ−Ｆｅ−Ｃｒ−
Ｖ−Ｋ系、またはＣａ−Ｎｉ−Ｐ−Ｃｒ系、またはＴｉ
Ｏ2、またはＢｉ−Ｕ系、またはＢｉ−Ｖ系、またはＢ
ｉ−Ｃｒ系、またはＭｏ−Ｓｎ系、またはＮｉ−Ｗ系、
またはＳｎ−Ｐ系、またはＡｌ−Ｎａ系、またはＡｌ−
Ｐ系等を、またメタンの酸化触媒としてＭｏＯ3／Ｓｉ
Ｏ2系、またはＭｇＯ／ＳｉＯ2系等を、またエチレンの
酸化触媒としてＡｇ／Ａｌ2Ｏ3系、Ａｇ／ＳｉＯ2系等
を、またプロピレンの酸化触媒としてＭｏ−Ｂｉ−Ｆｅ
−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ系、またはＭｏ−Ｂｉ−Ｐ−Ｆｅ系、
またはＭｏ−Ｔｅ−Ｃｏ系、またはＭｏ−Ｔｅ−Ｃｕ
系、またはＭｏ−Ａｓ−Ｓｎ系、またはＭｏ−Ｖ−Ｆｅ
−Ｓｂ系、またはＦｅ−Ａｓ／Ａｌ2Ｏ3系、またはＷ−
Ｂｉ−Ｃｏ−Ｔｅ／ＳｉＯ2系、またはＭｏ−Ｓｎ−Ｃ
ｏ−Ｔｅ系、またはＭｏ−Ｐ／ＳｉＣ系、またはＭｏ−
Ｖ／ＳｉＯ2系またはＶ−Ｐ−Ａｓ系、またはＶ−Ｐ−
Ｓｂ系、またはＶ−Ｐ−Ｓｎ／ＳｉＯ2系またはＭｏ−
Ｖ−Ｐ系、またはＭｏ−Ｔｅ−Ｎｉ系、またはＭｏ−Ｒ
ｅ−Ｔｅ−Ｎｉ系、またはＭｏ−Ｂｉ−Ｐ−Ｂ−Ｆｅ
系、またはＣｏ−Ｐ系、またはＭｏ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｐ−
Ｂ系、またはＭｏ−Ｆｅ−Ｔｅ−Ｐ／ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ
3系または、Ｖ−Ｐ−Ｃｏ／アランダム系、またはＳｂ
−Ｕ系、またはＳｂ−Ｓ−Ｕ系またはＭｏ−Ｔｅ−Ｃｏ
系、またはＭｏ−Ｗ−Ｔｅ−Ｓｎ−Ｃｏ系、またはＭｏ
−Ｎｉ−Ｍｎ系、またはＭｏ−Ｖ−Ａｓ／ＳｉＯ2系、
またはＣｕ2Ｏ（１．４３重量％）／ＳｉＣ系、または
ＣｕＯ−Ｓｅ／ＳｉＯ2系等を、またノルマル−１−ブ
テンおよびノルマル−２−ブテン酸化触媒としてＶ2Ｏ5
−Ｐ2Ｏ5系、またはＭｏＯ3−ＣｏＯ系、またはＭｏＯ3
−ＣｏＯ−Ｖ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ系、またはＶ2Ｏ5−ＭｏＯ3
系、またはＶ2Ｏ5−ＷＯ3系、またはＶ2Ｏ5−Ｍｏ3−Ｔ
ｉＯ2系、またはＶ2Ｏ5−ＭｏＯ3−ＣｏＯ系、またはＶ
−Ｐ−Ｓｂ系、またはＶ−Ｐ−Ｔｉ系、またはＶ−Ｐ−
Ｃｒ系、またはＶ−Ｐ−Ｃｏ系、またはＶ−Ｐ−Ｎｉ
系、またはＶ−Ｐ−Ｚｎ系、またはＶ−Ｐ−Ｚｒ系、ま
たはＶ−Ｐ−Ｓｎ系、またはＶ−Ｐ−Ｂｉ系、またはＶ
−Ｐ−Ｔｈ系、またはＶ−Ｐ−Ｃｕ系、またはＶ2Ｏ5−
Ｐ2Ｏ5−Ｌｉ 3ＰＯ4系、またはＶ2Ｏ5−Ｐ2Ｏ5−Ｆｅ2
Ｏ3−Ｌｉ2Ｏ／Ａｌ2Ｏ3系、またはＶ2Ｏ5−Ｐ2Ｏ5−Ｗ
Ｏ3−Ｆｅ2Ｏ3／ＴｉＯ2系、またはＶ2Ｏ5−Ｐ2Ｏ5−Ｗ
Ｏ3／ＴｉＯ2系等を、またベンゼン酸化触媒として、Ｍ
ｏＯ3、またはＶ2Ｏ5、またはＷＯ3、またはＶ2Ｏ5−Ｍ
ｏＯ3系、またはＶ2Ｏ5−ＷＯ3系、またはＶ2Ｏ5−Ｍｏ
Ｏ3−Ｎａ2ＳｎＯ3−ＳｎＯ2−ＣｅＳＯ4−ＴｉＳＯ4−
ＵＯ2系、またはＶ2Ｏ5−ＭｏＯ3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ−
ＺｎＯ系、またはＶ2Ｏ5−ＭｏＯ3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ−
ＣｕＯ系、またはＶ2Ｏ5−ＭｏＯ3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ−
Ｂｉ2Ｏ3系、またはＶ2Ｏ5−ＭｏＯ3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ
−ＣｏＯ系、またはＶ2Ｏ5−ＭｏＯ3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ
−ＮｉＯ系、またはＶ2Ｏ5−ＭｏＯ3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ
−ＴｉＯ2系、またはＶ2Ｏ5−ＭｏＯ3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2
Ｏ−ＣａＯ系、またはＶ2Ｏ5−ＭｏＯ3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2
Ｏ−ＦｅＯ系、またはＶ2Ｏ5−ＷＯ3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ
−ＭｇＯ系、またはＶ2Ｏ5−ＷＯ3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ−
ＣａＯ系、またはＶ2Ｏ5−ＷＯ3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ−Ｚ
ｎＯ系、またはＶ2Ｏ5−ＷＯ3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ−Ｔｉ
Ｏ2系、またはＶ2Ｏ5−ＷＯ3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ−Ｍｎ
Ｏ2系、またはＶ2Ｏ5−ＷＯ3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ−Ｃｏ
Ｏ系、またはＶ2Ｏ5−ＷＯ3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ 2Ｏ−ＮｉＯ
系、またはＶ2Ｏ5−ＭｏＯ3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ−Ａｇ2
Ｏ系、またはＶ2Ｏ5−ＭｏＯ3−ＵＯ2−Ａｇ2Ｏ−Ａｇ3
ＰＯ4系、またはＶ2Ｏ5−ＭｏＯ3−ＳｉＯ2−Ｌｉ3ＰＯ
4系、またはＶ2Ｏ5−Ｋ2ＳＯ4系、またはＶ2Ｏ5−Ｍｏ
Ｏ3−ＳｎＯ2系等を、またナフタレン酸化触媒としてＶ
2Ｏ5、またはＶ2Ｏ5−Ｐ2Ｏ5系、またはＶ2Ｏ5−Ｐ2Ｏ5
−ＴｉＯ2系、またはＶ2Ｏ5−ＳｎＯ2系、またはＶ2Ｏ5
−ＺｒＯ2系、またはＶ2Ｏ5−ＴｉＯ2系、またはＶ2Ｏ5
−Ｋ2ＳｎＯ3系、またはＶ2Ｏ5−Ｋ2ＳｎＯ3−ＴｉＯＳ
Ｏ4系、またはＶ2Ｏ5−Ｋ2ＳｎＯ3−ＣｅＳＯ4系、また
はＶ2Ｏ5−Ｆｅ2（ＳＯ4）3−ＭｎＳＯ4−ＳｉＯ2系、
またはＶ2Ｏ5−ＴｌＯ系、またはＶ2Ｏ5−Ｋ2ＳＯ4−Ｓ
ｉＯ2系、またはＶ2Ｏ5−Ｋ2ＳＯ4−ＴｉＯ2系、または
Ｖ2Ｏ5−Ｋ2ＳＯ4−（ＮＨ4）2ＳＯ4−Ｐ2Ｏ5−ＳｉＯ2
系、またはＶ2Ｏ5−Ｋ2ＳＯ4−ＣｄＯ−ＳｉＯ2系、ま
たキシレン酸化触媒として、Ｖ2Ｏ 5、またはＶ2Ｏ5−Ｍ
ｏＯ3−ＴｉＯ2系、またはＶ2Ｏ5−ＭｏＯ3−ＵＯ2−Ａ
ｇＮＯ3−Ａｇ3ＰＯ4系、またはＶ2Ｏ5−Ｓｂ2Ｏ5−Ｋ2
ＳＯ4系、またはＶ2Ｏ5−Ｓｂ2Ｏ5−Ｋ2ＳＯ4−ＳｎＯ2
系、またはＶ2Ｏ5−Ｎｂ2Ｏ5系、またはＶ2Ｏ5−ＭｏＯ
3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ−ＺｎＯ系、またはＶ2Ｏ5−ＭｏＯ
3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ−ＴｉＯ2系、またはＶ2Ｏ5−Ｍｏ
Ｏ3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ−ＷＯ3系、またはＶ 2Ｏ5−Ｍｏ
Ｏ3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ−ＳｒＯ系、またはＶ2Ｏ5−ＷＯ
3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ−Ｋ2ＳＯ4系、またはＶ2Ｏ5−ＷＯ
3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ−ＴｉＯ2−Ｋ2ＳＯ4系、またはＶ2
Ｏ5−ＷＯ3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ−ＺｒＯ2−Ｋ2ＳＯ4系、
またはＶ2Ｏ5−ＷＯ3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ−ＳｒＯ−Ｋ2
ＳＯ4系、またはＶ2Ｏ5−ＷＯ 3−Ｐ2Ｏ5−Ｎａ2Ｏ−Ｍ
ｎＯ2−Ｋ2ＳＯ4系、またはＶ2Ｏ5−ＺｒＯ2−Ｔｂ4Ｏ7
系、またはＶ2Ｏ5−ＺｒＯ2−Ｐｒ2Ｏ3系、またはＶ2Ｏ
5−ＣｒＯ3系、またはＶ 2Ｏ5−Ｃｒ2Ｏ3−ＧｅＯ2系、
またプロピレンのアンモ酸化触媒としてＭｏ−Ｂｉ系、
またはＭｏ−Ｂｉ−Ｐ系、またはＭｏ−Ｂｉ−Ｓｂ系、
またはＭｏ−Ｂｉ−Ｖ系、またはＭｏ−Ｂｉ−Ａｓ系、
またはＭｏ−Ｂｉ−Ｃｅ系、またはＭｏ−Ｂｉ−Ｂ系、
またはＭｏ−Ｂｉ−Ｚｒ系、またはＭｏ−Ｂｉ−Ｔｉ
系、またはＭｏ−Ｂｉ−Ｐ−Ｃｏ−Ｂ系、Ｍｏ−Ｂｉ−
Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎａ−Ｐ系、またはＭｏ−Ｂｉ−Ｆｅ−Ｎ
ｉ−Ｍｇ−Ｃｏ−Ｐ−Ｔｌ系、またはＭｏ−Ｂｉ−Ｆｅ
−Ｃｏ−Ｗ−Ｔｌ系、またはＭｏ−Ｂｉ−Ｃｅ−Ｆｅ−
Ｚｎ−Ｎｉ−Ｃｓ系、またはＭｏ−Ｂｉ−Ｐｂ系、また
はＭｏ−Ｓｎ−Ｂ系、またはＭｏ−Ｔｅ−Ｍｎ−Ｐ系、
またはＭｏ−Ｔｅ−Ｗ−Ｐ系、またはＭｏ−Ａｓ−Ｎｂ
系、またはＳｂ−Ｕ系、またはＳｂ−Ｓｎ系、またはＳ
ｂ−Ｓｎ−Ｍｇ系、またはＳｂ−Ｓｎ−Ｕ系、またはＢ
ｉ−Ｃｅ系、またはＢｉ−Ｖ−Ｆｅ系、またはＢｉ−Ｐ
−Ｆｅ系、またはＢｉ−Ｗ系、またはＴｅ−Ｌａ系、ま
たはＴｅ−Ｚｒ−Ｚｎ系、またはＶ−Ｓｎ系等を、また
芳香族アンモオキシデーション触媒として、Ｖ2Ｏ5−Ｍ
ｏＯ3−Ｐ2Ｏ5−Ａｌ2Ｏ3系、またはＶ2Ｏ5−ＳｎＯ2−
Ｐ2Ｏ5−ＳｉＯ2系、またはＶ2Ｏ5−Ｃｒ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ
3系、またはＶ2Ｏ5−Ｓｂ2Ｏ3−Ｆｅ2Ｏ3−Ｋ2Ｏ−Ａｌ
2Ｏ 3系、またはＶ2Ｏ5−Ｓｂ2Ｏ3−ＷＯ3−Ｋ2Ｏ−Ａｌ
2Ｏ3系、またはＶ2Ｏ5−Ｓｂ2Ｏ3−Ｋ2Ｏ系、またはＶ2
Ｏ5−Ｓｂ2Ｏ3−Ｌｉ2Ｏ−ＴｉＯ2系、またはＶ2Ｏ 5−
Ｎａ2Ｏ−Ａｌ2Ｏ3系、またはＶ2Ｏ5−Ａｓ2Ｏ3−Ｋ2Ｓ
Ｏ4系、またはＶ2Ｏ5−ＣｏＯ−Ａｌ2Ｏ3系、またはＶ2
Ｏ5−ＮｉＯ−Ａｌ2Ｏ3系、またはＶ2Ｏ5−ＭｎＯ−Ａ
ｌ2Ｏ3系、またはＶ2Ｏ5−Ｐｔ−ＳｉＣ系、またはＶ2
Ｏ5−ＳｅＯ2−Ｎａ2Ｏ−ＴｉＯ2系、またはＶ2Ｏ5−Ｓ
ｅＯ2−ＴｉＯ2系、またはＶ2Ｏ5−Ｃｒ 2Ｏ3−Ｃｓ2Ｏ
−ＺｒＯ2系、またはＳｅＯ2−ＳｉＯ2系、Ｍｏ−Ｔｅ
−Ｓｅ系、またはＭｏ−Ｃｕ−Ｐ系、Ｂ−Ａｌ−Ｃｕ−
Ｐ系、またはＮｂ2Ｏ5−ＴｉＯ2系、またはＮｂ2Ｏ5−
ＳｎＯ2系、またはＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ−Ｐ系、またはＦ
ｅ−Ｐ系等を、またフェノールの酸化触媒としてチタノ
シリケート、またはＴｉＯ2等を、またメチラール酸化
触媒としてＭｏ−Ｆｅ系、またはＭｏ−Ｆｅ−Ｃｒ系等
を挙げることができる。
【００１０】触媒の調製に際し坦体を用いなくてよい
が、担体を用いる場合は、シリカ、アルミナ、シリカー
アルミナ、ジルコニア、チタニア、マグネシア、活性炭
などが用いられる。これらは任意の割合で触媒に添加す
ることができる。触媒調製法にあたっては、沈澱法、含
浸法、水熱合成法等、従来から知られているいかなる方
法も用いることができる。触媒粒子の大きさおよび形状
は、特に限定する必要はなく、固定床、流動床などの使
用状態に応じてペレット状、粒状など任意の大きさ、お
よび形状に成型して使用することができる。
が、担体を用いる場合は、シリカ、アルミナ、シリカー
アルミナ、ジルコニア、チタニア、マグネシア、活性炭
などが用いられる。これらは任意の割合で触媒に添加す
ることができる。触媒調製法にあたっては、沈澱法、含
浸法、水熱合成法等、従来から知られているいかなる方
法も用いることができる。触媒粒子の大きさおよび形状
は、特に限定する必要はなく、固定床、流動床などの使
用状態に応じてペレット状、粒状など任意の大きさ、お
よび形状に成型して使用することができる。
【００１１】亜酸化窒素は純ガスでもよいが、他のガス
で希釈されていてもよい。例えば、窒素、ヘリウム、ア
ルゴン、アンモニア、水等が存在していてもかまわな
い。反応に供給する亜酸化窒素の割合は、通常シクロヘ
キセンに対して、０．１〜１０モル倍量以下、特に０．
５〜５モル倍量の範囲が好ましい。なお本反応は通常大
気圧下で実施することができるが、０．１〜１０ａｔｍ
の圧力下で行うこともできる。この反応は３００℃〜７
００℃で実施することができ、好ましいのは４００℃〜
６００℃程度である。温度があまり低いときは反応速度
の低下を招き、またあまり高い場合はクラッキング等に
よる副生生物が多くなるので好ましくない。
で希釈されていてもよい。例えば、窒素、ヘリウム、ア
ルゴン、アンモニア、水等が存在していてもかまわな
い。反応に供給する亜酸化窒素の割合は、通常シクロヘ
キセンに対して、０．１〜１０モル倍量以下、特に０．
５〜５モル倍量の範囲が好ましい。なお本反応は通常大
気圧下で実施することができるが、０．１〜１０ａｔｍ
の圧力下で行うこともできる。この反応は３００℃〜７
００℃で実施することができ、好ましいのは４００℃〜
６００℃程度である。温度があまり低いときは反応速度
の低下を招き、またあまり高い場合はクラッキング等に
よる副生生物が多くなるので好ましくない。
【００１２】ガス空間速度ＳＶは、通常１０〜１０００
０ｈー1、好ましくは１００〜４０００ｈー1の範囲であ
る。なお、空間速度と亜酸化窒素分圧を調製するための
希釈剤として、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガ
スを用いることもできる。
０ｈー1、好ましくは１００〜４０００ｈー1の範囲であ
る。なお、空間速度と亜酸化窒素分圧を調製するための
希釈剤として、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガ
スを用いることもできる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を実施例で説明する。各例にお
いて空間速度ＳＶ、転化率、選択率、収率はそれぞれ次
の定義に従う。
いて空間速度ＳＶ、転化率、選択率、収率はそれぞれ次
の定義に従う。
【００１４】
【数１】
【００１５】
【数２】
【００１６】
【数３】
【００１７】
【数４】
【００１８】ここで充填層容積とは、触媒を充填してあ
る場合は触媒層容積、無触媒の場合はラシヒリング層の
容積である。
る場合は触媒層容積、無触媒の場合はラシヒリング層の
容積である。
【００１９】
【実施例１】４３重量％のシリカに担持した組成式がＶ
0.42Ｓｂ1Ｐ0.49で示される触媒組成物を次のようにし
て製造した。水５０ｇにアンチモンオキサイド６.０ｇ
とメタバナジン酸アンモニウム２．４ｇを懸濁させ、オ
ルトリン酸２．４ｇを添加し７時間還流させた。これに
γーシリカを添加しスラリーを調製した。このスラリー
を蒸発乾固させ、１１０℃で乾燥させた後、得られた粉
体を電気炉で７５０℃で３時間焼成した。これを圧縮成
型器を用いて成型した後、粉砕し、１２〜２０メッシュ
に篩分した。
0.42Ｓｂ1Ｐ0.49で示される触媒組成物を次のようにし
て製造した。水５０ｇにアンチモンオキサイド６.０ｇ
とメタバナジン酸アンモニウム２．４ｇを懸濁させ、オ
ルトリン酸２．４ｇを添加し７時間還流させた。これに
γーシリカを添加しスラリーを調製した。このスラリー
を蒸発乾固させ、１１０℃で乾燥させた後、得られた粉
体を電気炉で７５０℃で３時間焼成した。これを圧縮成
型器を用いて成型した後、粉砕し、１２〜２０メッシュ
に篩分した。
【００２０】このようにして得た固体触媒２．２ｇを直
径２０ｍｍの石英リアクターに充填し、反応温度５００
℃、空間速度ＳＶを８００ｈー1にしてシクロヘキセン：
亜酸化窒素：窒素＝１：２．３：３．５のモル比でガス
を供給し、気相接触反応を行った。反応継続時間は６０
ｍｉｎ．である。反応生成物の分析はガスクロマトグラ
フィーで行った。シクロヘキセンの転化率は１２％で、
１、３ーシクロヘキサジエンに対する選択率は５０％で
あった。
径２０ｍｍの石英リアクターに充填し、反応温度５００
℃、空間速度ＳＶを８００ｈー1にしてシクロヘキセン：
亜酸化窒素：窒素＝１：２．３：３．５のモル比でガス
を供給し、気相接触反応を行った。反応継続時間は６０
ｍｉｎ．である。反応生成物の分析はガスクロマトグラ
フィーで行った。シクロヘキセンの転化率は１２％で、
１、３ーシクロヘキサジエンに対する選択率は５０％で
あった。
【００２１】
【実施例２】実施例１で製造した触媒を用いた。反応温
度を４００℃とした以外は実施例１と同じである。反応
生成物の分析はガスクロマトグラフィーで行った。シク
ロヘキセンの転化率は７％で、１、３ーシクロヘキサジ
エンに対する選択率は４０％であった。
度を４００℃とした以外は実施例１と同じである。反応
生成物の分析はガスクロマトグラフィーで行った。シク
ロヘキセンの転化率は７％で、１、３ーシクロヘキサジ
エンに対する選択率は４０％であった。
【００２２】
【実施例３】ＭｏＯ3（３重量％）／ＳｉＯ2で示される
触媒組成物を次のようにして製造した。水５００ｇにモ
リブデン酸アンモニウム・４水和物１０ｇと２５重量％
アンモニア水３５ｇを溶解させた。これに粒子径８〜２
０メッシュで細孔径５００オングストロームのシリカ２
０ｇを懸濁させ、２５℃で１５時間撹拌した後、濾過、
水洗、１１０℃での乾燥を行った。その後、６００℃で
５時間焼成した。このようにして得た固体触媒２．２ｇ
を直径２０ｍｍの石英リアクターに充填し、反応温度４
００℃、空間速度ＳＶを２５００ｈー1にしてシクロヘキ
セン：亜酸化窒素：窒素＝１：２：３のモル比でガスを
供給し、気相接触反応を行った。反応継続時間は６０ｍ
ｉｎ．である。
触媒組成物を次のようにして製造した。水５００ｇにモ
リブデン酸アンモニウム・４水和物１０ｇと２５重量％
アンモニア水３５ｇを溶解させた。これに粒子径８〜２
０メッシュで細孔径５００オングストロームのシリカ２
０ｇを懸濁させ、２５℃で１５時間撹拌した後、濾過、
水洗、１１０℃での乾燥を行った。その後、６００℃で
５時間焼成した。このようにして得た固体触媒２．２ｇ
を直径２０ｍｍの石英リアクターに充填し、反応温度４
００℃、空間速度ＳＶを２５００ｈー1にしてシクロヘキ
セン：亜酸化窒素：窒素＝１：２：３のモル比でガスを
供給し、気相接触反応を行った。反応継続時間は６０ｍ
ｉｎ．である。
【００２３】反応生成物の分析はガスクロマトグラフィ
ーで行った。シクロヘキセンの転化率は１０％で、１、
３ーシクロヘキサジエンに対する選択率は３０％、シク
ロヘキサノンに対する選択率は２２％であった。
ーで行った。シクロヘキセンの転化率は１０％で、１、
３ーシクロヘキサジエンに対する選択率は３０％、シク
ロヘキサノンに対する選択率は２２％であった。
【００２４】
【実施例４】実施例３で製造した触媒を用いた。この固
体触媒２．２ｇを直径２０ｍｍの石英リアクターに充填
し、反応温度４００℃、空間速度ＳＶを１０００ｈー1に
してシクロヘキセン：亜酸化窒素：アンモニア＝１：
２．５：５のモル比でガスを供給し、気相接触反応を行
った。
体触媒２．２ｇを直径２０ｍｍの石英リアクターに充填
し、反応温度４００℃、空間速度ＳＶを１０００ｈー1に
してシクロヘキセン：亜酸化窒素：アンモニア＝１：
２．５：５のモル比でガスを供給し、気相接触反応を行
った。
【００２５】反応生成物の分析はガスクロマトグラフィ
ーで行った。シクロヘキセンの転化率は８％で、１、３
ーシクロヘキサジエンに対する選択率は５０％であっ
た。
ーで行った。シクロヘキセンの転化率は８％で、１、３
ーシクロヘキサジエンに対する選択率は５０％であっ
た。
【００２６】
【実施例５】チタノシリケ−トを圧縮成型器を用いて成
型した後、粉砕し、１２〜２０メッシュに篩分した。こ
の２．２ｇを直径２０ｍｍの石英リアクターに充填し、
反応温度４００℃、空間速度ＳＶを８００ｈー1にしてシ
クロヘキセン：亜酸化窒素：窒素＝１：２．３：３．５
のモル比でガスを供給し、気相接触反応を行った。反応
継続時間は６０ｍｉｎ．である。
型した後、粉砕し、１２〜２０メッシュに篩分した。こ
の２．２ｇを直径２０ｍｍの石英リアクターに充填し、
反応温度４００℃、空間速度ＳＶを８００ｈー1にしてシ
クロヘキセン：亜酸化窒素：窒素＝１：２．３：３．５
のモル比でガスを供給し、気相接触反応を行った。反応
継続時間は６０ｍｉｎ．である。
【００２７】反応生成物の分析はガスクロマトグラフィ
ーで行った。シクロヘキセンの転化率は３％で、１、３
ーシクロヘキサジエンに対する選択率は６０％であっ
た。
ーで行った。シクロヘキセンの転化率は３％で、１、３
ーシクロヘキサジエンに対する選択率は６０％であっ
た。
【００２８】
【実施例６】実施例５の触媒を用いた。反応温度を５０
０℃とした以外は実施例５と同じである。反応生成物の
分析はガスクロマトグラフィーで行った。シクロヘキセ
ンの転化率は２５％で、１、３ーシクロヘキサジエンに
対する選択率は２１％であった。
０℃とした以外は実施例５と同じである。反応生成物の
分析はガスクロマトグラフィーで行った。シクロヘキセ
ンの転化率は２５％で、１、３ーシクロヘキサジエンに
対する選択率は２１％であった。
【００２９】
【実施例７】組成式がＭｏ1.75Ｆｅ0.75Ｃｒ0.25で示さ
れる触媒組成物を次のようにして製造した。水１０００
ｇにモリブデン酸アンモニウム・４水和物９３．３ｇを
溶解させた溶液と、水２５０ｇに硝酸鉄・９水和物９
１．６ｇと硝酸クロム・９水和物３０．５ｇを溶解させ
た溶液を混合し、強撹拌した後蒸発乾固させた。これを
５００℃で２時間焼成した。これを圧縮成型器を用いて
成型した後、粉砕し、１２〜２０メッシュに篩分した。
れる触媒組成物を次のようにして製造した。水１０００
ｇにモリブデン酸アンモニウム・４水和物９３．３ｇを
溶解させた溶液と、水２５０ｇに硝酸鉄・９水和物９
１．６ｇと硝酸クロム・９水和物３０．５ｇを溶解させ
た溶液を混合し、強撹拌した後蒸発乾固させた。これを
５００℃で２時間焼成した。これを圧縮成型器を用いて
成型した後、粉砕し、１２〜２０メッシュに篩分した。
【００３０】この様にして得た固体触媒２．２ｇを直径
２０ｍｍの石英リアクターに充填し、反応温度４００
℃、空間速度ＳＶを２５００ｈー1にしてシクロヘキセ
ン：亜酸化窒素：窒素＝１：２．３：３．５のモル比で
ガスを供給し、気相接触反応を行った。反応継続時間は
６０ｍｉｎ．である。反応生成物の分析はガスクロマト
グラフィーで行った。シクロヘキセンの転化率は１３％
で、１、３ーシクロヘキサジエンに対する選択率は３８
％であった。
２０ｍｍの石英リアクターに充填し、反応温度４００
℃、空間速度ＳＶを２５００ｈー1にしてシクロヘキセ
ン：亜酸化窒素：窒素＝１：２．３：３．５のモル比で
ガスを供給し、気相接触反応を行った。反応継続時間は
６０ｍｉｎ．である。反応生成物の分析はガスクロマト
グラフィーで行った。シクロヘキセンの転化率は１３％
で、１、３ーシクロヘキサジエンに対する選択率は３８
％であった。
【００３１】
【実施例８】５０重量％のシリカに担持した組成式がＭ
ｏ12Ｂｉ2.0Ｃｅ0.5Ｆｅ3.0Ｚｎ2.0Ｎｉ3.0Ｃｓ0.1で示
される触媒組成物を次のようにして製造した。３０重量
％のシリカを含むシリカゾル１６６６．７ｇをとり、１
７．９重量％の硝酸３６０．７ｇに硝酸ビスマス・５水
和物、３８．０ｇの硝酸セリウム・６水和物、２０９．
９ｇの硝酸鉄・９水和物、１５１．１ｇの硝酸ニッケル
・６水和物、および３．４ｇの硝酸セシウムを溶解させ
た液を加え、最後に水７３２ｇに３６５．９ｇのパラモ
リブデン酸アンモニウム・４水和物を溶解させた液を加
えた。ここに得られた原料スラリーを並流式の噴霧乾燥
器に送り、約２００℃で乾燥させた。スラリーの噴霧化
は乾燥器上部中央に設置された皿型回転子を備えた噴霧
乾燥装置を用いて行った。得られた粉体を電気炉で４０
０℃で１時間の前焼成の後、６１０℃で２時間焼成して
触媒を得た。
ｏ12Ｂｉ2.0Ｃｅ0.5Ｆｅ3.0Ｚｎ2.0Ｎｉ3.0Ｃｓ0.1で示
される触媒組成物を次のようにして製造した。３０重量
％のシリカを含むシリカゾル１６６６．７ｇをとり、１
７．９重量％の硝酸３６０．７ｇに硝酸ビスマス・５水
和物、３８．０ｇの硝酸セリウム・６水和物、２０９．
９ｇの硝酸鉄・９水和物、１５１．１ｇの硝酸ニッケル
・６水和物、および３．４ｇの硝酸セシウムを溶解させ
た液を加え、最後に水７３２ｇに３６５．９ｇのパラモ
リブデン酸アンモニウム・４水和物を溶解させた液を加
えた。ここに得られた原料スラリーを並流式の噴霧乾燥
器に送り、約２００℃で乾燥させた。スラリーの噴霧化
は乾燥器上部中央に設置された皿型回転子を備えた噴霧
乾燥装置を用いて行った。得られた粉体を電気炉で４０
０℃で１時間の前焼成の後、６１０℃で２時間焼成して
触媒を得た。
【００３２】この様にして得た固体触媒２．２ｇを直径
２０ｍｍの石英リアクターに充填し、反応温度４００
℃、空間速度ＳＶを８００ｈー1にしてシクロヘキセン：
亜酸化窒素：窒素＝１：２．３：３．５のモル比でガス
を供給し、気相接触反応を行った。反応継続時間は６０
ｍｉｎ．である。反応生成物の分析はガスクロマトグラ
フィーで行った。シクロヘキセンの転化率は１０％で、
１、３ーシクロヘキサジエンに対する選択率は４４％で
あった。
２０ｍｍの石英リアクターに充填し、反応温度４００
℃、空間速度ＳＶを８００ｈー1にしてシクロヘキセン：
亜酸化窒素：窒素＝１：２．３：３．５のモル比でガス
を供給し、気相接触反応を行った。反応継続時間は６０
ｍｉｎ．である。反応生成物の分析はガスクロマトグラ
フィーで行った。シクロヘキセンの転化率は１０％で、
１、３ーシクロヘキサジエンに対する選択率は４４％で
あった。
【００３３】
【実施例９】実施例８の触媒を用いた。反応温度を５０
０℃とした以外は実施例８と同じである。反応生成物の
分析はガスクロマトグラフィーで行った。シクロヘキセ
ンの転化率は３４％で、１、３ーシクロヘキサジエンに
対する選択率は１７％であった。
０℃とした以外は実施例８と同じである。反応生成物の
分析はガスクロマトグラフィーで行った。シクロヘキセ
ンの転化率は３４％で、１、３ーシクロヘキサジエンに
対する選択率は１７％であった。
【００３４】
【実施例１０】石英リアクター中に磁製のラシヒリング
のみを充填し、反応温度４００℃、空間速度ＳＶを８０
０ｈー1にしてシクロヘキセン：亜酸化窒素：窒素＝１：
２．３：３．５のモル比でガスを供給し、気相接触反応
を行った。反応継続時間は６０ｍｉｎ．である。
のみを充填し、反応温度４００℃、空間速度ＳＶを８０
０ｈー1にしてシクロヘキセン：亜酸化窒素：窒素＝１：
２．３：３．５のモル比でガスを供給し、気相接触反応
を行った。反応継続時間は６０ｍｉｎ．である。
【００３５】反応生成物の分析はガスクロマトグラフィ
ーで行った。シクロヘキセンの転化率は１．５％で、
１、３ーシクロヘキサジエンに対する選択率は６０％で
あった。
ーで行った。シクロヘキセンの転化率は１．５％で、
１、３ーシクロヘキサジエンに対する選択率は６０％で
あった。
【００３６】
【実施例１１】反応温度を５００℃とした以外は実施例
１０と同じである。反応生成物の分析はガスクロマトグ
ラフィーで行った。シクロヘキセンの転化率は６％で、
１、３ーシクロヘキサジエンに対する選択率は３３％で
あった。
１０と同じである。反応生成物の分析はガスクロマトグ
ラフィーで行った。シクロヘキセンの転化率は６％で、
１、３ーシクロヘキサジエンに対する選択率は３３％で
あった。
【００３７】
【発明の効果】本発明の方法を用いるとシクロヘキセン
と亜酸化窒素を気相で反応させることによって１、３ー
シクロヘキサジエンを製造することが可能である。シク
ロヘキセンと酸素を反応させる場合に比べて、大量の不
活性ガス等の希釈も不要であり、またより安全操業が可
能である。このことは、工業的に実施する上で非常に有
利となる。
と亜酸化窒素を気相で反応させることによって１、３ー
シクロヘキサジエンを製造することが可能である。シク
ロヘキセンと酸素を反応させる場合に比べて、大量の不
活性ガス等の希釈も不要であり、またより安全操業が可
能である。このことは、工業的に実施する上で非常に有
利となる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｃ 5/42 // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００
Claims (2)
- 【請求項１】 １、３ーシクロヘキサジエンを製造する
にあたり、シクロヘキセンと亜酸化窒素を気相で反応さ
せることを特徴とする１、３ーシクロヘキサジエンの製
造方法。 - 【請求項２】 触媒存在下に反応させることを特徴とす
る請求項１に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15494094A JP3950486B2 (ja) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | １、３−シクロヘキサジエンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15494094A JP3950486B2 (ja) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | １、３−シクロヘキサジエンの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0820547A true JPH0820547A (ja) | 1996-01-23 |
| JP3950486B2 JP3950486B2 (ja) | 2007-08-01 |
Family
ID=15595263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15494094A Expired - Fee Related JP3950486B2 (ja) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | １、３−シクロヘキサジエンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3950486B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001031595A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-02-06 | Asahi Chem Ind Co Ltd | １，３−シクロアルカジエンの製造法 |
-
1994
- 1994-07-06 JP JP15494094A patent/JP3950486B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001031595A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-02-06 | Asahi Chem Ind Co Ltd | １，３−シクロアルカジエンの製造法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3950486B2 (ja) | 2007-08-01 |
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