JPH08205577A - ブラシレスモータ - Google Patents
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- JPH08205577A JPH08205577A JP7009491A JP949195A JPH08205577A JP H08205577 A JPH08205577 A JP H08205577A JP 7009491 A JP7009491 A JP 7009491A JP 949195 A JP949195 A JP 949195A JP H08205577 A JPH08205577 A JP H08205577A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 InSb系のホール素子を定電流駆動してロ
ータの回転位置を検出する場合に、周囲温度の変化に対
して検出精度の向上を図る。 【構成】 InSb系のホール素子18a〜18cは、
並列に接続された状態で、直流電源端子VCから電流制
限抵抗19,20を介した状態で定電流給電される。こ
れらのホール素子18a〜18cには並列にダイオード
21a,21bの直列回路が接続されており、ホール素
子への電流を分流するようになっている。ホール素子は
周囲温度の上昇に伴ってホール係数が低下するが、入力
抵抗の低下に伴ってダイオードへの分流成分が流れるよ
うになり、結果として検出電圧の低下を抑制することが
できる。また、ダイオードのVf低下でホール素子の自
己発熱を抑制することができる。
ータの回転位置を検出する場合に、周囲温度の変化に対
して検出精度の向上を図る。 【構成】 InSb系のホール素子18a〜18cは、
並列に接続された状態で、直流電源端子VCから電流制
限抵抗19,20を介した状態で定電流給電される。こ
れらのホール素子18a〜18cには並列にダイオード
21a,21bの直列回路が接続されており、ホール素
子への電流を分流するようになっている。ホール素子は
周囲温度の上昇に伴ってホール係数が低下するが、入力
抵抗の低下に伴ってダイオードへの分流成分が流れるよ
うになり、結果として検出電圧の低下を抑制することが
できる。また、ダイオードのVf低下でホール素子の自
己発熱を抑制することができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ロータの回転位置をイ
ンジウム・アンチモン系のホール素子により検出するよ
うにしたブラシレスモータに関する。
ンジウム・アンチモン系のホール素子により検出するよ
うにしたブラシレスモータに関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、インジウム・アンチモン(以下
InSbと略称する)系のホール素子を用いてロータの
位置を検出するようにした位置検出手段を有するブラシ
レスモータとして、図7に示すようなものがある。すな
わち、このものは、モータ1を構成するロータ(図示せ
ず)を回転させるための三相のコイル1a〜1cに対し
て、IC化された制御回路2により給電して回転駆動す
るように構成されており、この制御回路2には、6個の
トランジスタ3aをブリッジ接続してなるインバータ回
路3,位置検出回路4および増幅回路5a〜5cを含ん
で構成されている。ロータの回転位置を検出する3個の
ホール素子6a〜6cは、並列に接続された状態でその
一端側は電流制限抵抗7を介して直流電源端子VCに接
続され、他端側は電流制限抵抗8を介してアースされて
いる。また、各ホール素子6a〜6cの検出端子はそれ
ぞれ増幅回路5a〜5cを介して位置検出回路4に接続
されている。
InSbと略称する)系のホール素子を用いてロータの
位置を検出するようにした位置検出手段を有するブラシ
レスモータとして、図7に示すようなものがある。すな
わち、このものは、モータ1を構成するロータ(図示せ
ず)を回転させるための三相のコイル1a〜1cに対し
て、IC化された制御回路2により給電して回転駆動す
るように構成されており、この制御回路2には、6個の
トランジスタ3aをブリッジ接続してなるインバータ回
路3,位置検出回路4および増幅回路5a〜5cを含ん
で構成されている。ロータの回転位置を検出する3個の
ホール素子6a〜6cは、並列に接続された状態でその
一端側は電流制限抵抗7を介して直流電源端子VCに接
続され、他端側は電流制限抵抗8を介してアースされて
いる。また、各ホール素子6a〜6cの検出端子はそれ
ぞれ増幅回路5a〜5cを介して位置検出回路4に接続
されている。
【0003】ホール素子6a〜6cは、図8に示すよう
に、所定の電圧VCを印加して一定電流Icが通電され
た状態で、素子の表面を貫く磁束が通るとその磁束密度
Bの大きさに応じて検出端子X−Y間に発生するホール
電圧Vhを得るものである。この場合、ホール電圧Vh
の大きさは、ホール素子6a〜6cを構成する材質に応
じた定数であるホール係数Rhに応じて決まるもので、
インジウム・アンチモン系の場合にはそのホール係数R
hが大きいので、高感度・高出力の特性を有する利点が
あり、微弱な磁束の変化を高感度で検出することができ
る。
に、所定の電圧VCを印加して一定電流Icが通電され
た状態で、素子の表面を貫く磁束が通るとその磁束密度
Bの大きさに応じて検出端子X−Y間に発生するホール
電圧Vhを得るものである。この場合、ホール電圧Vh
の大きさは、ホール素子6a〜6cを構成する材質に応
じた定数であるホール係数Rhに応じて決まるもので、
インジウム・アンチモン系の場合にはそのホール係数R
hが大きいので、高感度・高出力の特性を有する利点が
あり、微弱な磁束の変化を高感度で検出することができ
る。
【0004】これにより、ロータが回転して永久磁石の
磁界がホール素子6a〜6cに鎖交すると、その磁束密
度Bが変化することによりホール素子6a〜6cの検出
出力が変化し、位置検出回路4によりロータの回転位置
を検出することができるようになる。そして、ホール素
子6a〜6cがInSb系のものであることから、ホー
ル係数Rhが大きいので、高感度、高出力の検出出力を
得ることができ、位置検出を正確に行うことができるよ
うになるものである。
磁界がホール素子6a〜6cに鎖交すると、その磁束密
度Bが変化することによりホール素子6a〜6cの検出
出力が変化し、位置検出回路4によりロータの回転位置
を検出することができるようになる。そして、ホール素
子6a〜6cがInSb系のものであることから、ホー
ル係数Rhが大きいので、高感度、高出力の検出出力を
得ることができ、位置検出を正確に行うことができるよ
うになるものである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
構成ものにおいて、InSb系のホール素子6a〜6c
は、周囲温度の変動に伴う検出出力の変動が大きいとい
う問題がある。これは、例えば、モータ1の運転を行う
ことによりホール素子6a〜6cの周囲温度Taが上昇
してくると、これに伴ってホール素子6a〜6cの温度
が上昇するために検出特性が変動してしまい、正確な検
出電圧Vhが得られなくなるということである。
構成ものにおいて、InSb系のホール素子6a〜6c
は、周囲温度の変動に伴う検出出力の変動が大きいとい
う問題がある。これは、例えば、モータ1の運転を行う
ことによりホール素子6a〜6cの周囲温度Taが上昇
してくると、これに伴ってホール素子6a〜6cの温度
が上昇するために検出特性が変動してしまい、正確な検
出電圧Vhが得られなくなるということである。
【0006】この場合、ホール素子6a〜6cを定電流
で駆動する場合には、周囲温度Taの変動に対してホー
ル素子出力電圧Vhは低下してゆく傾向にあり(図10
参照)、つまり温度の上昇と共に検出感度が低下してし
まう不具合がある。これは、例えば、同一の磁束密度に
対して、65℃における検出出力は20℃のときの検出
出力の約半分のレベルとなってしまうといった程度であ
り実用上の支障を来すものであり、なんらかの温度補償
対策が必要となるものである。
で駆動する場合には、周囲温度Taの変動に対してホー
ル素子出力電圧Vhは低下してゆく傾向にあり(図10
参照)、つまり温度の上昇と共に検出感度が低下してし
まう不具合がある。これは、例えば、同一の磁束密度に
対して、65℃における検出出力は20℃のときの検出
出力の約半分のレベルとなってしまうといった程度であ
り実用上の支障を来すものであり、なんらかの温度補償
対策が必要となるものである。
【0007】一方、InSb系のホール素子6a〜6c
は周囲温度Taの上昇に伴って入力抵抗Rinの値が低
下する負特性の傾向にあり、したがって、ホール素子6
a〜6cを定電圧駆動で使用する場合には、周囲温度T
aの上昇に伴って入力抵抗Rinが低下すると、自動的
に入力電流Icの値が増大する傾向となるので、検出電
圧Vhの特性は、周囲温度Taの変動に大きく悪影響を
受けることがなくなり、精度良くロータの回転位置を検
出することができるようになる。
は周囲温度Taの上昇に伴って入力抵抗Rinの値が低
下する負特性の傾向にあり、したがって、ホール素子6
a〜6cを定電圧駆動で使用する場合には、周囲温度T
aの上昇に伴って入力抵抗Rinが低下すると、自動的
に入力電流Icの値が増大する傾向となるので、検出電
圧Vhの特性は、周囲温度Taの変動に大きく悪影響を
受けることがなくなり、精度良くロータの回転位置を検
出することができるようになる。
【0008】しかしながら、このような定電圧駆動で
は、周囲温度Taの上昇に伴って入力抵抗Rinが低下
して入力電流Icが増大すると、自己発熱が大となって
さらに温度上昇し、結果として熱暴走による破壊が発生
する虞がある。したがって、このような温度特性の入力
抵抗Rinを有するホール素子6a〜6cを定電圧駆動
により使用することは、なんらかの保護回路を設ける必
要があり、装置が大形化すると共にコスト高となる不具
合がある。
は、周囲温度Taの上昇に伴って入力抵抗Rinが低下
して入力電流Icが増大すると、自己発熱が大となって
さらに温度上昇し、結果として熱暴走による破壊が発生
する虞がある。したがって、このような温度特性の入力
抵抗Rinを有するホール素子6a〜6cを定電圧駆動
により使用することは、なんらかの保護回路を設ける必
要があり、装置が大形化すると共にコスト高となる不具
合がある。
【0009】そこで、主磁界用マグネットの他に検出用
マグネットを設け、磁束量を増やすなどの処置を講ずる
ことによりInSb系のホール素子6a〜6cよりも温
度特性が優れたホール素子を用いて対策することができ
るが、これでは、モータの構造が複雑になるのでコスト
アップにつながる問題がある。
マグネットを設け、磁束量を増やすなどの処置を講ずる
ことによりInSb系のホール素子6a〜6cよりも温
度特性が優れたホール素子を用いて対策することができ
るが、これでは、モータの構造が複雑になるのでコスト
アップにつながる問題がある。
【0010】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的は、インジウム・アンチモン(InSb)
系のホール素子を用いる構成でも、その温度特性を改善
して使用可能な温度範囲を広くすることができるように
した位置検出装置を備えたブラシレスモータを提供する
ことにある。
で、その目的は、インジウム・アンチモン(InSb)
系のホール素子を用いる構成でも、その温度特性を改善
して使用可能な温度範囲を広くすることができるように
した位置検出装置を備えたブラシレスモータを提供する
ことにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は、ロータの回転
位置をインジウム・アンチモン系のホール素子を定電流
駆動して検出するようにしたブラシレスモータを対象と
するものであり、前記ホール素子への給電経路に直列に
接続された電流制限抵抗と、前記ホール素子に並列に且
つ前記給電経路に対して順方向に接続され、そのホール
素子への電流を分流するように設けられたダイオードと
を設けて構成したところに特徴を有する(請求項1)。
位置をインジウム・アンチモン系のホール素子を定電流
駆動して検出するようにしたブラシレスモータを対象と
するものであり、前記ホール素子への給電経路に直列に
接続された電流制限抵抗と、前記ホール素子に並列に且
つ前記給電経路に対して順方向に接続され、そのホール
素子への電流を分流するように設けられたダイオードと
を設けて構成したところに特徴を有する(請求項1)。
【0012】また、前記ダイオードを、前記ホール素子
の動作電圧に対応した個数だけ配設した構成とすること
ができる(請求項2)。
の動作電圧に対応した個数だけ配設した構成とすること
ができる(請求項2)。
【0013】そして、前記ホール素子を、前記ロータに
対応して複数個並列に接続する構成とすると共に、前記
ダイオードを、それらのホール素子に並列に接続する構
成とすることもできる(請求項3)。
対応して複数個並列に接続する構成とすると共に、前記
ダイオードを、それらのホール素子に並列に接続する構
成とすることもできる(請求項3)。
【0014】さらに、前記ダイオードを、前記ロータの
回転駆動用の制御回路を構成する集積回路に一体に形成
することが好ましい(請求項4)。
回転駆動用の制御回路を構成する集積回路に一体に形成
することが好ましい(請求項4)。
【0015】
【作用】請求項1記載のブラシレスモータによれば、ホ
ール素子は、電流制限抵抗を介して略一定の電流が供給
された状態とされている。この場合、電流はホール素子
とこれに並列に順方向に接続されているダイオードとに
分流されている。そして、ロータが回転してホール素子
に鎖交する磁束が変化すると、ホール素子に発生する検
出電圧が変化するようになる。このとき、ホール素子が
インジウム・アンチモン系の素子であるから、磁束の変
化に対して高感度で高出力の検出を行うことができるよ
うになる。
ール素子は、電流制限抵抗を介して略一定の電流が供給
された状態とされている。この場合、電流はホール素子
とこれに並列に順方向に接続されているダイオードとに
分流されている。そして、ロータが回転してホール素子
に鎖交する磁束が変化すると、ホール素子に発生する検
出電圧が変化するようになる。このとき、ホール素子が
インジウム・アンチモン系の素子であるから、磁束の変
化に対して高感度で高出力の検出を行うことができるよ
うになる。
【0016】このような状態において、モータの温度が
上昇するなどでホール素子の周囲温度が上昇すると、ホ
ール素子は入力抵抗が小さくなるためにダイオードに分
流している電流成分を流すようになって全体として電流
が増大するようになる。これにより、温度が上昇して感
度が低下するのを電流を増大させることで補うようにな
り、検出精度の低下を防止することができるようにな
る。
上昇するなどでホール素子の周囲温度が上昇すると、ホ
ール素子は入力抵抗が小さくなるためにダイオードに分
流している電流成分を流すようになって全体として電流
が増大するようになる。これにより、温度が上昇して感
度が低下するのを電流を増大させることで補うようにな
り、検出精度の低下を防止することができるようにな
る。
【0017】さらに、ダイオードにおいては、温度上昇
に伴ってその順方向電圧降下分が小さくなるので、全体
としてホール素子の端子間電圧も低下するようになり、
この結果、ホール素子の電流が増えた場合でも端子電圧
を低下させることにより全体としての発熱量を低減させ
る方向に作用させることができるようになり、熱暴走等
による破壊に至るのを防止することができるようにな
る。
に伴ってその順方向電圧降下分が小さくなるので、全体
としてホール素子の端子間電圧も低下するようになり、
この結果、ホール素子の電流が増えた場合でも端子電圧
を低下させることにより全体としての発熱量を低減させ
る方向に作用させることができるようになり、熱暴走等
による破壊に至るのを防止することができるようにな
る。
【0018】請求項2記載のブラシレスモータによれ
ば、ホール素子の動作電圧に対応してダイオードの個数
を設定しているので、常にホール素子に適した電圧を印
加することができるようになる。
ば、ホール素子の動作電圧に対応してダイオードの個数
を設定しているので、常にホール素子に適した電圧を印
加することができるようになる。
【0019】請求項3記載のブラシレスモータによれ
ば、並列に接続するホール素子の個数が増える場合で
も、それらに並列に接続されるダイオードの順方向電圧
により印加電圧が決まり、それによってすべてのホール
素子に一定の電流を流すことができるようになる。
ば、並列に接続するホール素子の個数が増える場合で
も、それらに並列に接続されるダイオードの順方向電圧
により印加電圧が決まり、それによってすべてのホール
素子に一定の電流を流すことができるようになる。
【0020】請求項4記載のブラシレスモータによれ
ば、上述のようにホール素子の順方向電圧を適切に調整
して一定の電流を流すためのダイオードを制御回路に一
体に形成しているので、全体として小形化を図ることが
できるようになる。
ば、上述のようにホール素子の順方向電圧を適切に調整
して一定の電流を流すためのダイオードを制御回路に一
体に形成しているので、全体として小形化を図ることが
できるようになる。
【0021】
【実施例】以下、本発明の第1の実施例について図1な
いし図4を参照して説明する。電気的構成を示す図1に
おいて、モータ本体11は、図示しない永久磁石を有す
るロータとステータから構成され、ステータにはスター
結線されたコイル12a〜12cが設けられている。制
御回路13は、各コイル12a〜12cに給電するため
のインバータ回路14および位置検出手段としての位置
検出回路15を一体に備えたIC(集積回路)から構成
されるもので、直流電源端子VCから給電されるように
なっている。
いし図4を参照して説明する。電気的構成を示す図1に
おいて、モータ本体11は、図示しない永久磁石を有す
るロータとステータから構成され、ステータにはスター
結線されたコイル12a〜12cが設けられている。制
御回路13は、各コイル12a〜12cに給電するため
のインバータ回路14および位置検出手段としての位置
検出回路15を一体に備えたIC(集積回路)から構成
されるもので、直流電源端子VCから給電されるように
なっている。
【0022】インバータ回路14は、6個のトランジス
タ16a〜16fをブリッジ接続してなる回路で、各ト
ランジスタ16a〜16fのベースに制御信号を与えて
オンオフ動作させることにより、所定周波数の交流出力
を生成し、コイル12a〜12cに給電するようになっ
ている。インバータ回路14は、位置検出回路15から
与えられる位置信号に応じて制御信号を出力するように
なっている。
タ16a〜16fをブリッジ接続してなる回路で、各ト
ランジスタ16a〜16fのベースに制御信号を与えて
オンオフ動作させることにより、所定周波数の交流出力
を生成し、コイル12a〜12cに給電するようになっ
ている。インバータ回路14は、位置検出回路15から
与えられる位置信号に応じて制御信号を出力するように
なっている。
【0023】位置検出回路15の入力端子には、3個の
増幅回路17a〜17cが接続されている。この増幅回
路17a〜17cは、ステータに配設された3個のホー
ル素子18a〜18cの出力端子から検出信号が入力さ
れるようになっている。ホール素子18a〜18cは、
InSb系の材質を用いたホール素子で、ホール係数R
hが他のものに比べて高く、微弱な磁束の変動に追随し
て高感度の検出出力Vhが得られるようになっている。
なお、このInSb系のホール素子18a〜18cは、
従来例の項で説明したように、定電流駆動での使用状態
では周囲温度Taの上昇に伴って検出電圧Vhが小さく
なるという温度変動特性(図10参照)を有している。
増幅回路17a〜17cが接続されている。この増幅回
路17a〜17cは、ステータに配設された3個のホー
ル素子18a〜18cの出力端子から検出信号が入力さ
れるようになっている。ホール素子18a〜18cは、
InSb系の材質を用いたホール素子で、ホール係数R
hが他のものに比べて高く、微弱な磁束の変動に追随し
て高感度の検出出力Vhが得られるようになっている。
なお、このInSb系のホール素子18a〜18cは、
従来例の項で説明したように、定電流駆動での使用状態
では周囲温度Taの上昇に伴って検出電圧Vhが小さく
なるという温度変動特性(図10参照)を有している。
【0024】ホール素子18a〜18cは並列に接続さ
れた状態で、それらの一端側は電流制限抵抗19を介し
て直流電源端子VCに接続され、他端側は電流制限抵抗
20を介してアースされている。また、ホール素子18
a〜18cの両端子間には、2個のダイオード21a,
21bを順方向に接続した直列回路が接続されている。
この場合、2個のダイオード21a,21bは、それぞ
れ、順方向電流電圧特性が図2に示すようになってお
り、周囲温度Ta(=−25℃、25℃、100℃の場
合を示す)の変動に伴って、ダイオード順方向電圧VF
に対する順方向電流IFの特性曲線がシフトする一般的
な特性を示している。
れた状態で、それらの一端側は電流制限抵抗19を介し
て直流電源端子VCに接続され、他端側は電流制限抵抗
20を介してアースされている。また、ホール素子18
a〜18cの両端子間には、2個のダイオード21a,
21bを順方向に接続した直列回路が接続されている。
この場合、2個のダイオード21a,21bは、それぞ
れ、順方向電流電圧特性が図2に示すようになってお
り、周囲温度Ta(=−25℃、25℃、100℃の場
合を示す)の変動に伴って、ダイオード順方向電圧VF
に対する順方向電流IFの特性曲線がシフトする一般的
な特性を示している。
【0025】次に本実施例の作用について図3および図
4をも参照して説明する。直流電源端子VCに給電され
るようになると、その端子電圧VCが抵抗19,20を
介した状態でホール素子18a〜18cおよびダイオー
ド21a,21bのそれぞれに印加されるようになる。
これにより、直流電源端子VCからは、電流制限抵抗1
9側に略一定の電流ICを通電するようになる。この場
合、ホール素子18a〜18cのそれぞれには、ダイオ
ード21a,21bの直列回路に分流される電流(Ic
−If)がホール素子18a〜18cの内部抵抗の逆比
に応じて流れることになる。
4をも参照して説明する。直流電源端子VCに給電され
るようになると、その端子電圧VCが抵抗19,20を
介した状態でホール素子18a〜18cおよびダイオー
ド21a,21bのそれぞれに印加されるようになる。
これにより、直流電源端子VCからは、電流制限抵抗1
9側に略一定の電流ICを通電するようになる。この場
合、ホール素子18a〜18cのそれぞれには、ダイオ
ード21a,21bの直列回路に分流される電流(Ic
−If)がホール素子18a〜18cの内部抵抗の逆比
に応じて流れることになる。
【0026】これにより、ロータが回転してその磁石の
磁束がホール素子18a〜18cのそれぞれに鎖交する
と、その磁束密度Bの大きさに対応して次式で表される
ホール検出電圧Vhが発生するようになる。 Vh=Rh・Ic・B …(1) ここで、Rhはホール係数、Icは通電電流、Bは素子
に鎖交する磁束密度である。
磁束がホール素子18a〜18cのそれぞれに鎖交する
と、その磁束密度Bの大きさに対応して次式で表される
ホール検出電圧Vhが発生するようになる。 Vh=Rh・Ic・B …(1) ここで、Rhはホール係数、Icは通電電流、Bは素子
に鎖交する磁束密度である。
【0027】そして、モータ11の温度が上昇するなど
してホール素子18a〜18cの周囲温度Taが上昇す
ると、ホール素子18a〜18cのホール係数Rhが低
下すると共に入力抵抗Rinが低下するようになる。こ
のとき、直流電源端子VCからの給電している電流は、
電流制限抵抗19,20により略一定電流ICとなるよ
うに設定されているが、ホール素子18a〜18cの入
力抵抗Rinが低下した分だけダイオード21a,21
bに分流する電流Ifが少なくなり、全体として、各ホ
ール素子18a〜18cに流れる電流Icが増加するよ
うになる。
してホール素子18a〜18cの周囲温度Taが上昇す
ると、ホール素子18a〜18cのホール係数Rhが低
下すると共に入力抵抗Rinが低下するようになる。こ
のとき、直流電源端子VCからの給電している電流は、
電流制限抵抗19,20により略一定電流ICとなるよ
うに設定されているが、ホール素子18a〜18cの入
力抵抗Rinが低下した分だけダイオード21a,21
bに分流する電流Ifが少なくなり、全体として、各ホ
ール素子18a〜18cに流れる電流Icが増加するよ
うになる。
【0028】これにより、ホール素子18a〜18cの
それぞれは、ホール係数Rhが低下したことに引き替え
て電流Icが大きくなるので、全体として式(1)に示
した検出電圧Vhが低下するのを防止して検出感度の低
下が少なくなる。この結果、検出電圧Vhの特性は、周
囲温度Taの変動に対して図3に示すようになり、例え
ば、周囲温度Ta=70℃において検出電圧Vhの値が
従来のものに比べて約50%大きくなっていることがわ
かり、従来のものに比べて大きく改善されている。
それぞれは、ホール係数Rhが低下したことに引き替え
て電流Icが大きくなるので、全体として式(1)に示
した検出電圧Vhが低下するのを防止して検出感度の低
下が少なくなる。この結果、検出電圧Vhの特性は、周
囲温度Taの変動に対して図3に示すようになり、例え
ば、周囲温度Ta=70℃において検出電圧Vhの値が
従来のものに比べて約50%大きくなっていることがわ
かり、従来のものに比べて大きく改善されている。
【0029】図4はホール素子18a〜18cの回路印
加電圧を変化させた場合の検出電圧Vhの推移を示すも
ので、図からわかるように、電圧変動に対する検出電圧
Vhの変動が少なく、安定した検出動作が行えることが
わかった。
加電圧を変化させた場合の検出電圧Vhの推移を示すも
ので、図からわかるように、電圧変動に対する検出電圧
Vhの変動が少なく、安定した検出動作が行えることが
わかった。
【0030】一方、周囲温度Taの変動に伴って、ホー
ル素子18a〜18cに並列に接続されている分流用の
ダイオード21a,21bの直列回路においては、周囲
温度Taが高温側に変化すると順方向電圧降下Vfが低
くなるため、ホール素子18a〜18cの端子電圧もこ
れに伴って低くなる。これにより、ホール素子18a〜
18cの通電電流Icが増加された状態では、印加電圧
がわずかに低下することになり、自己発熱が抑制されて
熱暴走が起こりにくい安定な動作状態を得ることができ
るようになる。
ル素子18a〜18cに並列に接続されている分流用の
ダイオード21a,21bの直列回路においては、周囲
温度Taが高温側に変化すると順方向電圧降下Vfが低
くなるため、ホール素子18a〜18cの端子電圧もこ
れに伴って低くなる。これにより、ホール素子18a〜
18cの通電電流Icが増加された状態では、印加電圧
がわずかに低下することになり、自己発熱が抑制されて
熱暴走が起こりにくい安定な動作状態を得ることができ
るようになる。
【0031】このような本実施例によれば、ホール素子
18a〜18cに並列にダイオード21a,21bの直
列回路を接続して定電流駆動する構成としたので、周囲
温度Taの変動に対する検出電圧Vhの変動を極力抑制
して広い温度範囲で安定した動作を行なわせることがで
き、高精度で回転位置の検出動作を行なわせることがで
きる。
18a〜18cに並列にダイオード21a,21bの直
列回路を接続して定電流駆動する構成としたので、周囲
温度Taの変動に対する検出電圧Vhの変動を極力抑制
して広い温度範囲で安定した動作を行なわせることがで
き、高精度で回転位置の検出動作を行なわせることがで
きる。
【0032】図5は本発明の第2の実施例を示すもの
で、第1の実施例と異なるところは、ICチップに形成
された制御回路13に代えて、ダイオード21a,21
bに対応するダイオード22a,22bをICチップ内
部に一体に形成した制御回路23を設けたところであ
る。これにより、第1の実施例の作用効果に加えて、ホ
ール素子18a〜18cに並列に別途にダイオードを接
続する必要がなくなって、コンパクトな構成とすること
ができる。
で、第1の実施例と異なるところは、ICチップに形成
された制御回路13に代えて、ダイオード21a,21
bに対応するダイオード22a,22bをICチップ内
部に一体に形成した制御回路23を設けたところであ
る。これにより、第1の実施例の作用効果に加えて、ホ
ール素子18a〜18cに並列に別途にダイオードを接
続する必要がなくなって、コンパクトな構成とすること
ができる。
【0033】図6は本発明の第3の実施例を示すもの
で、第2の実施例と異なるところは、ICチップに形成
された制御回路23に代えて、電流制限抵抗19,20
に対応する抵抗体24,25をICチップ内部に一体に
形成した制御回路26を設けたところである。これによ
り、第2の実施例の作用効果に加えて、電流制限抵抗の
接続をも省略したコンパクトな構成とすることができる
ようになる。
で、第2の実施例と異なるところは、ICチップに形成
された制御回路23に代えて、電流制限抵抗19,20
に対応する抵抗体24,25をICチップ内部に一体に
形成した制御回路26を設けたところである。これによ
り、第2の実施例の作用効果に加えて、電流制限抵抗の
接続をも省略したコンパクトな構成とすることができる
ようになる。
【0034】本発明は、上記した実施例に限定されるも
のではなく、以下のように変形あるいは拡張することが
できるものである。ダイオードの個数はホール素子の定
格に応じて適宜直列に接続して使用することができる。
電流制限用抵抗は適宜設けることができる。複数個のホ
ール素子を直列に接続して使用する構成のものにも適用
することができる。ダイオードは、トランジスタのコレ
クタ・ベース間を短絡するなどして実質的にダイオード
として用いる構成としても良い。
のではなく、以下のように変形あるいは拡張することが
できるものである。ダイオードの個数はホール素子の定
格に応じて適宜直列に接続して使用することができる。
電流制限用抵抗は適宜設けることができる。複数個のホ
ール素子を直列に接続して使用する構成のものにも適用
することができる。ダイオードは、トランジスタのコレ
クタ・ベース間を短絡するなどして実質的にダイオード
として用いる構成としても良い。
【0035】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のブラシレ
スモータによれば、以下のような効果を得ることができ
る。すなわち、請求項1記載のブラシレスモータによれ
ば、インジウム・アンチモン系のホール素子に並列にダ
イオードを接続して電流を分流した状態で定電流駆動す
る構成としたので、モータの温度が上昇するなどでホー
ル素子の周囲温度が上昇したときに入力抵抗が低下する
ことによってダイオードに分流している電流成分を流す
ことができるようになって全体として電流が増大させる
ことができ、これにより、検出精度の低下を防止するこ
とができ、さらに、温度上昇によるダイオードの順方向
電圧降下の低下を利用してホール素子の自己発熱を抑制
して熱暴走の発生を極力防止することができるという優
れた効果を奏する。
スモータによれば、以下のような効果を得ることができ
る。すなわち、請求項1記載のブラシレスモータによれ
ば、インジウム・アンチモン系のホール素子に並列にダ
イオードを接続して電流を分流した状態で定電流駆動す
る構成としたので、モータの温度が上昇するなどでホー
ル素子の周囲温度が上昇したときに入力抵抗が低下する
ことによってダイオードに分流している電流成分を流す
ことができるようになって全体として電流が増大させる
ことができ、これにより、検出精度の低下を防止するこ
とができ、さらに、温度上昇によるダイオードの順方向
電圧降下の低下を利用してホール素子の自己発熱を抑制
して熱暴走の発生を極力防止することができるという優
れた効果を奏する。
【0036】請求項2記載のブラシレスモータによれ
ば、ホール素子の動作電圧に対応してダイオードの個数
を設定しているので、常にホール素子に適した電圧を印
加することができるようになる。
ば、ホール素子の動作電圧に対応してダイオードの個数
を設定しているので、常にホール素子に適した電圧を印
加することができるようになる。
【0037】請求項3記載のブラシレスモータによれ
ば、並列に接続するホール素子の個数が増える場合で
も、それらに並列に接続されるダイオードの順方向電圧
により印加電圧が決まり、それによってすべてのホール
素子に一定の電流を流すことができるようになる。
ば、並列に接続するホール素子の個数が増える場合で
も、それらに並列に接続されるダイオードの順方向電圧
により印加電圧が決まり、それによってすべてのホール
素子に一定の電流を流すことができるようになる。
【0038】請求項4記載のブラシレスモータによれ
ば、上述のようにホール素子の順方向電圧を適切に調整
して一定の電流を流すためのダイオードを制御回路に一
体に形成しているので、全体として小形化を図ることが
できるようになる。
ば、上述のようにホール素子の順方向電圧を適切に調整
して一定の電流を流すためのダイオードを制御回路に一
体に形成しているので、全体として小形化を図ることが
できるようになる。
【図1】本発明の第1の実施例を示す電気的構成図
【図2】ダイオードの順方向電流電圧特性図
【図3】周囲温度に対するホール素子の検出電圧の特性
図
図
【図4】印加電圧に対するホール素子の検出電圧の特性
図
図
【図5】本発明の第2の実施例を示す図1相当図
【図6】本発明の第3の実施例を示す図1相当図
【図7】従来例を示す図1相当図
【図8】ホール素子の検出動作接続構成図
【図9】周囲温度に対するホール素子の入力抵抗の特性
図
図
【図10】周囲温度に対するホール素子の検出電圧の特
性図
性図
11はモータ、12a〜12cはコイル、13,23,
26は制御回路、14はインバータ回路、15は位置検
出回路、18a〜18cはInSb系のホール素子、1
9,20,24,25は電流制限抵抗、21a,21
b,22a,22bはダイオードである。
26は制御回路、14はインバータ回路、15は位置検
出回路、18a〜18cはInSb系のホール素子、1
9,20,24,25は電流制限抵抗、21a,21
b,22a,22bはダイオードである。
Claims (4)
- 【請求項1】 ロータの回転位置をインジウム・アンチ
モン系のホール素子を定電流駆動して検出するようにし
たブラシレスモータにおいて、 前記ホール素子への給電経路に直列に接続された電流制
限抵抗と、 前記ホール素子に並列に且つ前記給電経路に対して順方
向に接続され、そのホール素子への電流を分流するよう
に設けられたダイオードとを具備したことを特徴とする
ブラシレスモータ。 - 【請求項2】 前記ダイオードは、前記ホール素子の動
作電圧に対応した順方向電圧となる個数だけ直列に配設
されていることを特徴とする請求項1記載のブラシレス
モータ。 - 【請求項3】 前記ホール素子は、前記ロータに対応し
て複数個並列に接続された構成とされ、 前記ダイオードは、それらのホール素子に並列に接続さ
れていることを特徴とする請求項1または2記載のブラ
シレスモータ。 - 【請求項4】 前記ダイオードは、前記ロータの回転駆
動用の制御回路を構成する集積回路に一体に形成されて
いることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記
載のブラシレスモータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7009491A JPH08205577A (ja) | 1995-01-25 | 1995-01-25 | ブラシレスモータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7009491A JPH08205577A (ja) | 1995-01-25 | 1995-01-25 | ブラシレスモータ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08205577A true JPH08205577A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=11721711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7009491A Pending JPH08205577A (ja) | 1995-01-25 | 1995-01-25 | ブラシレスモータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08205577A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016082735A (ja) * | 2014-10-17 | 2016-05-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | ブラシレスdcモータ |
| CN110336422A (zh) * | 2019-07-29 | 2019-10-15 | 陈跃勇 | 一种霍尔电机转子位置采集装置 |
| JP2023034898A (ja) * | 2021-08-31 | 2023-03-13 | 富士電機株式会社 | 磁気センサ、エンコーダ及びサーボモータ |
-
1995
- 1995-01-25 JP JP7009491A patent/JPH08205577A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016082735A (ja) * | 2014-10-17 | 2016-05-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | ブラシレスdcモータ |
| CN110336422A (zh) * | 2019-07-29 | 2019-10-15 | 陈跃勇 | 一种霍尔电机转子位置采集装置 |
| JP2023034898A (ja) * | 2021-08-31 | 2023-03-13 | 富士電機株式会社 | 磁気センサ、エンコーダ及びサーボモータ |
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