JPH08209012A - 金属錯体化合物及び該化合物を用いた光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 モル吸光係数が高く、耐光性に優れた色素、
そして、光記録装置に使用される半導体レーザに適合し
た吸収を有し、モル吸光係数が高く、かつ耐光性に優れ
た色素を用いることにより光記録特性、保存安定性に優
れた光記録媒体を提供する。 【構成】 下記一般式ＩまたはIIで示される金属錯体化
合物および化合物を用いた光記録媒体。 〔式中、ＸまたはＹのいずれか一方がヘテロ環基、また
はオルト位がアルキルチオ基、アルコキシ基で置換され
たアリール基、他方は水素原子、またはハロゲン原子、
シアノ基、アミノ基、アルキル基、アラルキル基などか
ら選ばれる基、Ｚはヒドロキシル基、アミノ基、アルキ
ルアミノ基、アルコキシ基、アニリノ基、アシルアミノ
基、アルキルスルホンアミド基から選ばれる置換基をパ
ラ位に有するアリール基、ヘテロ環基、ＭはＮｉ、Ｃ
ｕ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ｐｔの塩、ｎは２または
３である。〕

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、色素として優れた特性
を有する新規な金属錯体化合物及び該化合物を光吸収物
質として用いた光記録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】染料や顔料として知られている色素は、
繊維の染色材、樹脂や塗料の着色材、写真、印刷、複写
機、プリンターにおける画像形成材、カラーフィルター
の光吸収材等様々な用途で広範に利用されている。これ
ら色素の共通課題として吸収波長、波形の最適化、及び
モル吸光係数の向上、耐光性、耐熱性を始めとする保存
性の向上等が上げられる。フルカラー、または３原色を
形成するためにはイエロー、マゼンタ、シアンの３種の
色素が必要となるが、特に良好な吸収特性、及び保存安
定性を有するシアン色素が望まれている。

【０００３】一方、近年、情報量の急速な増大に伴い、
大容量の光記録媒体が脚光を浴びている。安価な半導体
レーザにより容易に、かつ高密度に情報記録できる有機
光記録媒体には、赤色から近赤外領域の光を吸収する長
波長吸収色素が利用されている。従来、種々の色素の中
から吸収、反射特性に優れたシアニン色素がこの用途に
用いられてきたが、耐光性等の保存性が低いため、経時
で情報が失われたり、書き込めなくなる欠点があった。

【０００４】このような問題を解決するために、例えば
米国特許第3,432,300号、同4,050,938号、公開特許公報
昭60-118748号、同昭63-199248号、同平2-300288号等に
光安定剤、あるいは光安定化方法が記載されているが、
十分な保存安定性を得るには至っていない。

【０００５】また、公開特許公報昭64-44786号、同平2-
76884号、同平5-17701号には保存安定性に優れた金属キ
レート色素が記載されているが、吸収波長が長波長過ぎ
るため光記録媒体等の用途に用いることはできない。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の第一の目的
は、上記色素の課題、特にモル吸光係数が高く、耐光性
に優れた色素を提供することにある。本発明の第二の目
的は、光記録装置に使用される半導体レーザに適合した
吸収を有し、モル吸光係数が高く、かつ耐光性に優れた
色素を用いることにより光記録特性、保存安定性に優れ
た光記録媒体を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的は、下記の構成
により達成される。

【０００８】１．下記一般式Ｉ、またはIIで示される金
属錯体化合物。

【０００９】

【化２】

【００１０】式中、ＸまたはＹのいずれか一方がヘテロ
環基、またはオルト位がアルキルチオ基、アルコキシ基
で置換されたアリール基であり、他方は水素原子、また
はハロゲン原子、シアノ基、アミノ基、アルキル基、ア
ラルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルコ
キシ基、アシルアミノ基、アリール基（但し、オルト位
にヒドロキシル基、メルカプト基、アルキルスルホンア
ミド基、アリールスルホンアミド基、アミノ基、アルキ
ルアミノ基を有するフェニル基を除く。）から選ばれる
基である。Ｚはヒドロキシル基、アミノ基、アルキルア
ミノ基、アルコキシ基、アニリノ基、アシルアミノ基、
アルキルスルホンアミド基から選ばれる置換基をパラ位
に有するアリール基、ヘテロ環基を表す。ＭはＮｉ、Ｃ
ｕ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ｐｔの塩を表す。ｎは２
または３である。

【００１１】２．一般式Ｉにおいて、Ｘがヘテロ環基、
Ｙがアリール基、ＭがＮｉの塩であることを特徴とする
前記１項記載の金属錯体化合物。

【００１２】３．基板上に一般式Ｉ、またはIIで示され
る金属錯体化合物の少なくとも１種を記録層として有す
ることを特徴とする光記録媒体。

【００１３】４．光源として半導体レーザを用いて、基
板を通して書き込みと読みだしを行うことを特徴とする
前記３項記載の光記録媒体。

【００１４】以下に本発明の金属錯体化合物について詳
細に説明する。

【００１５】本発明の金属錯体化合物は２ないし３個の
色素分子と１個の２価金属塩との結合により形成され
る。結合の詳細は必ずしも明らかではないが、Ｘまたは
Ｙで表される基がヘテロ環基、またはオルト位がアルキ
ルチオ基、アルコキシ基で置換されたアリール基で表さ
れる配位結合形成可能な置換基とＭとの間の２個または
４個の配位結合、更に主環のイミダゾール環のＮ原子の
孤立電子対による２個の配位結合により４または６配座
の金属錯体が形成されると考えられる。

【００１６】本発明者らによる特願平５−１８５２０７
号には、同様の構造で、ＸまたはＹとしてオルト位にス
ルホンアミド基等の解離性置換基を有するフェニル基、
及び６個の配位結合による６配座の色素が記載されてい
るが、本発明では、上記解離性置換基を排除することに
より吸収極大が短波長となり望ましい色素が得られた。
このことより、ＸまたはＹで表されるもう一方の置換基
は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アミノ基、ア
ルキル基、アラルキル基、シクロアルキル基、アルケニ
ル基、アルコキシ基、アシルアミノ基、アリール基から
選ばれる基で、Ｍと結合を形成しない置換基である。

【００１７】上記一般式ＩまたはIIにおいて、Ｘまたは
Ｙのいずれか一方がヘテロ環基である時の例としては、
１−ピラゾリル基、２−ピリジル基、２−ベンズチアゾ
リル基、２−イミダゾリル基、２−ピペラジル基、２−
ベンズイミダゾリル基、２−オキサゾリル基等が挙げら
れる。オルト位がアルキルチオ基、アルコキシ基で置換
されたアリール基の例としては、２−メチルチオフェニ
ル基、５−ｔｅｒｔ−ブチル−２−メトキシフェニル
基、２，４−ジメトキシフェニル基等が挙げられる。Ｘ
またはＹのいずれか一方はヘテロ環基が好ましく、特に
１−ピラゾリル基が好ましい。

【００１８】ＸまたはＹで表されるもう一方のＭと結合
を形成しない基が、ハロゲン原子である時の例として
は、塩素原子、フッ素原子等を挙げることができる。ア
ルキル基である時の例としては、メチル基、エチル基、
プロピル基、ｉ−プロピル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチ
ル基等を挙げることができる。アラルキル基である時の
例としては、ベンジル基、フェネチル基挙げることがで
きる。シクロアルキル基である時の例としては、シクロ
ヘキシル基、シクロペンチル基等を挙げることができ
る。アルケニル基である時の例としては、アリル基、ブ
テニル基等を挙げることができる。アルコキシ基である
ある時の例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポ
キシ基等を挙げることができる。アシルアミノ基である
時の例としては、アセトアミド基、ベンズアミド基等を
挙げることができる。アリール基である時の例として
は、フェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフ
ェニル基、３−メトキシフェニル基、４−フルオロフェ
ニル基、３−クロロフェニル基等を挙げることができ
る。

【００１９】ＸまたはＹで表されるＭと結合を形成しな
い置換基としては、アリール基、アルキル基が好まし
く、更にオルト位に置換基を有しないフェニル基が好ま
しい。

【００２０】Ｚの例としては、４−ヒドロキシフェニル
基、３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル基、４
−アミノフェニル基、４−（Ｎ−ドデシルアミノ）フェ
ニル基、４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）フェニル基、
４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）フェニル基、４−
（Ｎ，Ｎ−ジヘキシルアミノ）フェニル基、４−（Ｎ−
エチル−Ｎ−メチルスルホンアミドエチルアミノ）フェ
ニル基、４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチル
フェニル基、４−（Ｎ，Ｎ−ジヘキシルアミノ）−２−
メチルフェニル基、４−（Ｎ−エチル−Ｎ−メタンスル
ホンアミドエチルアミノ）−２−メチルフェニル基、４
−（Ｎ−エチル−Ｎ−ヒドロキシエチルアミノ）−２−
メチルフェニル基、４−（Ｎ−エチル−Ｎ−メトキシエ
チルアミノ）−２−メチルフェニル基、４−（Ｎ，Ｎ−
ジメトキシエチルアミノ）−２−メチルフェニル基、４
−メトキシフェニル基、３，５−ジクロロ−４−メトキ
シフェニル基、３，５−ジクロロ−４−オクチルオキシ
フェニル基、４−アニリノフェニル基、４−アセトアミ
ドフェニル基、４−イソプロピルアミドフェニル基、４
−オクチルスルホンアミドフェニル基、２−（３−メチ
ル−５−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）ピリジル基等を挙げ
ることができる。

【００２１】Ｚの好ましくは、４−（Ｎ，Ｎ−ジエチル
アミノ）−２−メチルフェニル基、４−（Ｎ−エチル−
Ｎ−メタンスルホンアミドエチルアミノ）−２−メチル
フェニル基、４−（Ｎ−エチル−Ｎ−メトキシエチルア
ミノ）−２−メチルフェニル基等のパラフェニレンジア
ミン誘導体構造を有するものである。

【００２２】上記Ｘ、Ｙ及びＺは必要に応じて更に他の
置換基を有することが可能である。

【００２３】ＭがＮｉ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｐ
ｄ、Ｐｔから選ばれる金属原子の塩であるときの例とし
ては、上記金属原子の酢酸塩、過塩素酸塩、ハロゲン
塩、フッ化ホウ素塩、フッ化リン塩、アセチルアセトン
塩、ベンゼンスルホン酸塩、安息香酸塩等が挙げられ
る。

【００２４】本発明の金属錯体化合物の中でも色素とし
ての吸収・反射特性、保存安定性、錯体形成の容易性等
から下記に示すものが好ましい。

【００２５】前記一般式Ｉで示される金属錯体化合物の
方が一般式IIで示される金属錯体化合物よりも好まし
い。また、一般式ＩにおいてＸがヘテロ環基、Ｙがアリ
ール基である時が更に好ましい。

【００２６】Ｍは好ましくはＣｕ、及びＮｉの塩であ
り、特に好ましくはＮｉ塩である。ｎは２が好ましい。

【００２７】本発明の金属錯体化合物は分子量あたりの
吸光度が高いことが利点であるため、分子量としては１
４００以下が好ましく、更に好ましくは１１００以下で
ある。

【００２８】以下に本発明の金属錯体化合物の具体例を
示す。

【００２９】

【化３】

【００３０】

【化４】

【００３１】

【化５】

【００３２】

【化６】

【００３３】

【化７】

【００３４】

【化８】

【００３５】

【化９】

【００３６】

【化１０】

【００３７】

【化１１】

【００３８】

【化１２】

【００３９】本発明の化合物は、例えばBeilstein２
３、２４、２５巻、及びBerichte３４巻６３９、同２９
巻２１０３、同９２巻５５０等に記載されているイミダ
ゾールの合成法を参考にして、Ｍと結合可能な置換基を
導入したイミダゾール誘導体を合成し、更にパラ−アミ
ノフェノール、パラ−フェニレンジアミン誘導体等との
酸化カップリング反応等によりアゾメチン色素を得る。

【００４０】適当な溶媒に前記アゾメチン色素を溶解し
金属塩、例えば酢酸Ｎｉ、酢酸Ｃｕ、塩化Ｎｉ、塩化Ｃ
ｕ、アセチルアセトンＮｉ塩等の無機塩あるいは有機塩
を加えることにより本発明の金属錯体化合物が得られ
る。

【００４１】本発明の金属錯体化合物は必要に応じ重合
可能な置換基を導入することにより高分子とすることが
できる。また、構造式中に油溶性基、親水性基の導入に
より、色素溶液、LB（ラングミュアーブロジェット）膜
形成、オイルを用いた分散、あるいはマイクロカプセル
等さまざまな形態に加工することが可能である。

【００４２】本発明の化合物は単独または併用、あるい
は他の色素と組み合わせて光記録媒体、繊維の染色剤、
樹脂や塗料の着色材、印刷インキ、カラー複写機、カラ
ープリンター、感熱記録材料等における画像形成材、個
体撮像管やカラー液晶のフィルター染料等様々な用途に
使用できる。

【００４３】本発明の金属錯体化合物に種々の保存性改
良材を加えて保存性を更に改良することも可能である。
例えば、ベンズトリアゾリルフェノール誘導体等の紫外
線吸収材、β-カロテン、トコフェロール誘導体、ハイ
ドロキノン誘導体、スピロインダン誘導体、フェノール
誘導体、アミン誘導体、チオエーテル誘導体、Niジチオ
ール誘導体、Niフェナンスロリン誘導体、Niベンジリデ
ンアニリン誘導体等の酸化防止材、及び光安定材が挙げ
られ、単独でも２種以上を混合して添加してもよい。

【００４４】次に、本発明の金属錯体化合物を用いた光
記録媒体について説明する。

【００４５】本発明の光記録媒体を構成する基板として
は、記録・再生に用いるレーザ光の波長領域（700〜900
nm）において実質的に透明（透過率が80％以上）である
ことが必要とされる。基板の形状としては、通常のコン
パクトディスクとして用いる場合において、厚さ1.2mm
程度、直径80〜120mm程度とされる。基板を構成する材
料としては、例えばポリメチルメタクリレート樹脂、ア
クリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポ
リサルフォン樹脂、メチルペンテンポリマー等の透明性
樹脂、ガラスなどが挙げられる。

【００４６】なお、基板の外表面、内表面、内・外周面
には、必要に応じて酸素遮断性被膜が形成されていても
よい。

【００４７】また、記録層が形成される基板上には、ト
ラッキング用のグルーブが形成されていることが好まし
い。

【００４８】本発明の金属錯体化合物を用いた記録層
は、レーザ光の波長領域における消衰係数kが光記録媒
体の記録層として好ましいものとなり、記録のために好
適な光吸収性と再生のために好適な反射率とを兼ね備え
たものとなる。ここに、レーザ光の波長領域における記
録層の消衰係数kが過大である場合には、反射率の低下
を招き、反射光による再生を十分良好に行うことができ
ない。また、消衰係数kが過小である場合には、通常の
記録パワーによって記録を行うことが困難となる。消衰
係数kの好ましくは0.01から0.1である。

【００４９】一方、レーザ光の波長領域における記録層
の屈折率n（複素屈折率の実部）としては1.8〜4.0であ
ることが好ましい。

【００５０】なお、本発明の光記録媒体を構成する記録
層には、他の種類の色素化合物、各種樹脂、界面活性
材、帯電防止剤、分散材、酸化防止剤、架橋材などが含
まれていてもよい。

【００５１】記録層は、基板の一面上に形成されていて
もよく、基板の両面上に形成されていてもよい。また、
記録層の厚さとしては、通常500〜3000Aが好ましい。

【００５２】基板上に記録層を形成するための方法とし
ては特に限定されるものではなく、例えばスピンコーテ
ィング法、浸せきコーティング法、スプレーコーティン
グ法、ブレードコーティング法、ローラーコーティング
法、ビードコーティング法、マイヤーコーティング法、
カーテンコーティング法など各種の方法を適用すること
ができる。

【００５３】また、記録層の形成にあたって用いる溶媒
としては、例えばシクロヘキサノン等のケトン系溶媒、
酢酸ブチル等のエステル系溶媒、エチルセロソルブ等の
エーテル系溶媒、アルコール系溶媒、トルエン等の芳香
族系溶媒、ハロゲン化アルキル系溶媒などを挙げること
ができる。

【００５４】記録層上には反射層が形成されていてもよ
い。反射層としては、例えばAu、Al-Mg合金、Al-Ni合
金、Ag、PtおよびCu等の反射率の高い金属を用い、蒸
着、スパッタ等の手段によって形成することができる。
反射層の厚さは500A以上であることが好ましい。

【００５５】反射層上には、例えば紫外線硬化樹脂等か
らなる保護膜が形成されていてもよい。保護膜の厚さと
しては0.1〜100μm程度とされ、その硬度が25℃におけ
る鉛筆硬度でH〜8Hであることが好ましい。

【００５６】記録層と反射層の間には、これらを密着さ
せるための接着層が設けられていてもよい。接着層の厚
さは10〜300Aであることが望ましい。

【００５７】本発明の光記録媒体の記録、再生を行う光
源としては、固体レーザ、ガスレーザ、色素レーザ、半
導体レーザが考えられるが、コンパクトディスクに見ら
れるように安価、小型、低消費電力等の観点から半導体
レーザが好ましい。

【００５８】本発明の化合物は特に高い記録感度を有し
ていることから、630nmないし830nmの半導体レーザが好
適である。

【００５９】

【実施例】以下に本発明の金属錯体化合物の合成例及び
本発明の化合物を光記録媒体に用いた実施例を示すが、
本発明はこれらに限定されるものではない。

【００６０】実施例１ 合成例１（例示化合物（１）の合成） （反応スキーム）

【００６１】

【化１３】

【００６２】原料のアミジン（１）８０ｇとブロムアセ
トフェノン（２）４０ｇをクロロホルム２００ｍｌに溶
解し２時間加熱還流を行った。水洗、乾燥後溶媒を留去
し、酢酸エチルとヘキサンの混合溶媒から再結晶を行い
目的の中間体（３）を４５ｇ得た。ＮＭＲ、ＭＡＳＳス
ペクトルにより目的物であることを確認した。１０ｇの
中間体（３）、及び１０ｇの４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルア
ミノ）−２−メチルアニリンを酢酸エチル２００ｍｌに
溶解した。これに炭酸カリウム４０ｇを水１００ｍｌに
溶解した溶液を加えた後、２０ｇの過硫酸アンモニウム
を溶解した５０ｍｌの水溶液を滴下した。１時間反応後
析出した結晶を減圧濾過し更に水洗、メタノール洗浄後
乾燥し８ｇの目的物色素（４）を得た。ＮＭＲ、ＭＡＳ
Ｓスペクトルにより目的物であることを確認した。メタ
ノール３０ｍｌに５ｇの色素（４）を溶解し、更に１．
５ｇの酢酸Ｎｉ４水和物を加えた。溶媒を留去後、メタ
ノールから再結晶を行い目的物金属錯体の例示化合物
（１）を４ｇ得た。ＩＲ、及び元素分析から目的物であ
ることを確認した。

【００６３】合成例２（例示化合物（３）の合成） （反応スキーム）

【００６４】

【化１４】

【００６５】原料のアミジン（１）４０ｇとブロムアセ
トフェノン誘導体（５）２０ｇをクロロホルム２００ｍ
ｌに溶解し２時間加熱還流を行った。水洗、乾燥後溶媒
を留去し、酢酸エチルとヘキサンの混合溶媒から再結晶
を行い目的の中間体（６）を１５ｇ得た。ＮＭＲ、ＭＡ
ＳＳスペクトルにより目的物であることを確認した。１
０ｇの中間体（６）、及び１０ｇの４−（Ｎ−エチル−
Ｎ−メトキシエチルアミノ）−２−メチルアニリンを酢
酸エチル２００ｍｌに溶解した。これに炭酸カリウム４
０ｇを水１００ｍｌに溶解した溶液を加えた後、２０ｇ
の過硫酸アンモニウムを溶解した５０ｍｌの水溶液を滴
下した。１時間反応後、分液、溶媒留去し、カラムクロ
マトグラフ、及びメタノール再結晶により精製、乾燥し
６ｇの目的物色素（７）を得た。ＮＭＲ、ＭＡＳＳスペ
クトルにより目的物であることを確認した。メタノール
３０ｍｌに５ｇの色素（７）を溶解し、更に１．５ｇの
酢酸Ｎｉ４水和物を加えた。溶媒を留去後、メタノール
から再結晶を行い目的物金属錯体の例示化合物（１）を
３ｇ得た。ＩＲ、及び元素分析から目的物であることを
確認した。

【００６６】以下に本発明の金属錯体化合物の分光吸収
特性を示す。

【００６７】（分光吸収特性）本発明の金属錯体化合
物、及び比較として下記の金属錯体を形成していないイ
ミダゾール系アゾメチン色素のアセトン中での分光吸収
特性を表１に示す。

【００６８】

【化１５】

【００６９】

【表１】

【００７０】表１から明らかなように本発明の例示化合
物は比較と比べ、いずれも吸収極大がシアン色素として
好ましい波長域にあり、かつ、εの大きい優れた色素で
あることが分かる。

【００７１】実施例２ （光記録媒体としての評価）以下に示す手順で薄膜での
吸収極大、耐光性、光記録特性等の評価を行った。

【００７２】（１）記録層の形成 本発明の例示化合物（１）、（３）、（４）及び下記の
示す比較化合物（Ｂ）、（Ｃ）を各１ｇ秤量し、５０ｍ
ｌのシクロヘキサノンに溶解した。塗布液を、スピンコ
ーティング法によりガラス基板（厚さ１．１ｍｍ、直径
８０ｍｍ）上に塗布し、８０℃で３０分間乾燥すること
により当該ガラス基板上に厚さ１０００Å前後の記録層
を形成した。

【００７３】

【化１６】

【００７４】（２）耐光性試験 キセノンフェードメータ（スガ試験機 製）を用い、各
試料の記録層にキセノン光を照射し、照射後における色
素残存率を測定した。ここで、照射条件としては、記録
層表面の照度を７万ルクス、照射時の温度を４３℃、照
射時間を３０時間とした。また、色素残存率は、色素の
最大吸収波長の光透過率をキセノン光照射前後で測定し
て下記の式から求めた。

【００７５】式） 色素残存率＝（１００−Ｔ）／
（１００−Ｔ₀） 〔ただし、Ｔ₀はキセノン光照射前の透過率、Ｔはキセ
ノン光照射後の透過率を表す。〕 結果を表２に示す。

【００７６】

【表２】

【００７７】表２の結果から明らかなように、本発明の
金属錯体化合物を用いた記録媒体である試料Ｎｏ．１な
いし３はシアニン色素を使用した比較の試料４と同等の
吸収極大を有し、かつ比較に比べ色素残存率が高く、優
れた耐光性を有することが分かる。

【００７８】一方、本発明とは異なる金属錯体化合物を
用いた試料５は吸収極大が長波長過ぎて光記録媒体とし
ては適さないことが分かる。

【００７９】実施例３ （光記録媒体の製造、及び評価）直径５インチのグルー
ブつきポリカーボネート基板上に本発明の金属錯体化合
物（１７）を用いて記録層を塗布し、反射層（Ａｕ、厚
さ１０００Å）、保護膜（紫外線硬化樹脂、厚さ５μ
ｍ）を定法にしたがって順次形成し、本発明の光記録媒
体（６）を製造した。

【００８０】比較として、前記比較化合物（Ｂ）を記録
層に用いて同様に光記録媒体（７）を製造した。反射率
を測定したところ、光記録媒体（６）、及び（７）の両
者とも７０％以上を示した。これらの試料に７８０ｎｍ
の半導体レーザによりパワーを変化させて情報記録し、
０．８ｍＷで再生を行った。また、実施例２で用いたキ
セノンフェードメータを使用し、７万ルクス、３０時間
の光曝射を行った後に同様の記録再生実験を行った。

【００８１】表３にその結果を示す。

【００８２】

【表３】

【００８３】結果から明らかなように、本発明の光記録
媒体（５）はＣＤ規格を満足する良好な記録・再生を行
うことができた他、特に耐光性に優れた安定した記録・
再生特性を有することが明らかとなった。

【００８４】一方、比較の光記録媒体（６）はレーザの
再生光で反射率が低下し、再生不良を起こした他、キセ
ノンフェードメータによる光曝射でも記録できなくなる
現象がみられた。

【００８５】

【発明の効果】本発明の金属錯体化合物は、モル吸光係
数が高く、耐光性に優れた色素であり、これらを光記録
媒体に用いることにより、使用される半導体レーザに適
合した吸収を有し、良好な記録・再生を行うことがで
き、特に耐光性に優れた安定した記録・再生特性が得ら
れた。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大西 明 東京都日野市さくら町１番地コニカ株式会 社内 (72)発明者 中山 憲卓 東京都日野市さくら町１番地コニカ株式会 社内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式Ｉ、またはIIで示される金属
   錯体化合物。 【化１】 〔式中、ＸまたはＹのいずれか一方がヘテロ環基、また
   はオルト位がアルキルチオ基、アルコキシ基で置換され
   たアリール基であり、他方は水素原子、またはハロゲン
   原子、シアノ基、アミノ基、アルキル基、アラルキル
   基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、
   アシルアミノ基、アリール基（但し、オルト位にヒドロ
   キシル基、メルカプト基、アルキルスルホンアミド基、
   アリールスルホンアミド基、アミノ基、アルキルアミノ
   基を有するフェニル基を除く。）から選ばれる基であ
   る。Ｚはヒドロキシル基、アミノ基、アルキルアミノ
   基、アルコキシ基、アニリノ基、アシルアミノ基、アル
   キルスルホンアミド基から選ばれる置換基をパラ位に有
   するアリール基、ヘテロ環基を表す。ＭはＮｉ、Ｃｕ、
   Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ｐｔの塩を表す。ｎは２また
   は３である。〕
2. 【請求項２】 一般式Ｉにおいて、Ｘがヘテロ環基、Ｙ
   がアリール基、ＭがＮｉの塩であることを特徴とする請
   求項１記載の金属錯体化合物。
3. 【請求項３】 基板上に一般式Ｉ、またはIIで示される
   金属錯体化合物の少なくとも１種を記録層として有する
   ことを特徴とする光記録媒体。
4. 【請求項４】 光源として半導体レーザを用いて、基板
   を通して書き込みと読みだしを行うことを特徴とする請
   求項３記載の光記録媒体。