JPH08209351A - プラズマcvd装置 - Google Patents
プラズマcvd装置Info
- Publication number
- JPH08209351A JPH08209351A JP7013491A JP1349195A JPH08209351A JP H08209351 A JPH08209351 A JP H08209351A JP 7013491 A JP7013491 A JP 7013491A JP 1349195 A JP1349195 A JP 1349195A JP H08209351 A JPH08209351 A JP H08209351A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- plasma
- substrate
- plasma generation
- film
- Prior art date
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- Pending
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】中性ガスを電離してプラズマを発生するプラズ
マ発生容器2と、プラズマより電子を電子ビームとして
引き出す引き出し電極6,7と電子ビームが入射する基
板12と真空容器13よりなる装置において、プラズマ
発生容器2の外周又は内周に交互に磁極が変化するよう
に永久磁石3を設けたプラズマ発生室から引き出した電
子ビームにより基板表面の成膜用ガスを分解し、基板表
面に成膜する。 【効果】従来の電子ビーム利用装置では困難であった6
吋或いは8吋以上の大面積基板に一括して成膜できるよ
うになった。
マ発生容器2と、プラズマより電子を電子ビームとして
引き出す引き出し電極6,7と電子ビームが入射する基
板12と真空容器13よりなる装置において、プラズマ
発生容器2の外周又は内周に交互に磁極が変化するよう
に永久磁石3を設けたプラズマ発生室から引き出した電
子ビームにより基板表面の成膜用ガスを分解し、基板表
面に成膜する。 【効果】従来の電子ビーム利用装置では困難であった6
吋或いは8吋以上の大面積基板に一括して成膜できるよ
うになった。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は基板表面に成膜するため
のプラズマCVD装置に関する。
のプラズマCVD装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の電子ビームを応用した成膜装置
は、電子ビームの強度と均一性が充分でなく直径6吋或
いは8吋以上の基板に均一に成膜することは困難であっ
た。
は、電子ビームの強度と均一性が充分でなく直径6吋或
いは8吋以上の基板に均一に成膜することは困難であっ
た。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、大面
積にわたり均一で高密度の電子ビームを発生させ、成膜
用のガスを基板上に供給しながら、電子ビームを基板に
照射することで、大面積基板表面上で成膜用のガスを分
解し、成膜する装置を提供することにある。
積にわたり均一で高密度の電子ビームを発生させ、成膜
用のガスを基板上に供給しながら、電子ビームを基板に
照射することで、大面積基板表面上で成膜用のガスを分
解し、成膜する装置を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】大面積にわたり均一で高
密度の電子ビームを得るために、多数の永久磁石のマル
チカスプ磁界でプラズマを閉じ込め、プラズマより複数
の引き出し電極孔で電子ビームを引き出し、成膜用のガ
スの供給されている基板表面に照射した。
密度の電子ビームを得るために、多数の永久磁石のマル
チカスプ磁界でプラズマを閉じ込め、プラズマより複数
の引き出し電極孔で電子ビームを引き出し、成膜用のガ
スの供給されている基板表面に照射した。
【0005】
【作用】多数の永久磁石が形成するマルチカスプ磁界で
プラズマを閉じ込め、大面積に均一な密度のプラズマを
生成した後、このプラズマから多孔の引き出し電極によ
り電子を引き出すことで、大面積に渡ってほぼ同一の電
流密度の電子ビーム出力を得ることができる。この電子
ビームで成膜用のガスを分解し、成膜用ガスの分解生成
物を加温した基板表面に堆積させる。
プラズマを閉じ込め、大面積に均一な密度のプラズマを
生成した後、このプラズマから多孔の引き出し電極によ
り電子を引き出すことで、大面積に渡ってほぼ同一の電
流密度の電子ビーム出力を得ることができる。この電子
ビームで成膜用のガスを分解し、成膜用ガスの分解生成
物を加温した基板表面に堆積させる。
【0006】
【実施例】本発明の実施例を、以下図面に基づき詳細に
説明する。カソード1はヘアピン状のタングステンフィ
ラメントで作られ、熱電子を放出する。プラズマ発生室
を形成するプラズマ発生容器2は、カソード1との間で
アーク放電を行わせるアノード電極を兼ねている。プラ
ズマ発生容器2の外周には、多数の永久磁石3を、プラ
ズマ発生容器2の面上で磁極が交互に変わるように設け
ている。プラズマ発生容器2は、例えば、内径300m
m,外径308mm,深さ200mmのステンレス製で、幅
8mm,高さ25mm,長さ200mmで高さ方向に磁化した
永久磁石3を32列、円筒上に配置し、カソード1を保
持している面上には、幅と高さが同じで長さ280mm,
270mm,240mm,190mm,100mmの5種類の永
久磁石を各2個、磁極がプラズマ発生室を向くととも
に、隣接する磁石の極性はN極とS極が交互に変化する
ように、間隔30mmの等間隔で設けている。永久磁石3
の残留磁化はいずれも8500ガウスのコバルトサマリ
ウム磁石を使用した。カソード1とプラズマ発生容器2
の間に直流電圧を印加し、低気圧でのアーク放電によ
り、ガス導入口20から導入した水素ガスを電離し、電
子を電子ビームとして引き出す引き出し電極として、お
のおのに多数の孔を設けた加速電極6,減速電極7より
構成されている。さらに、基板12と共に真空容器13
に取付け、真空ポンプ14で排気されている。基板12
の周囲に直径100μmの小孔を36個等間隔に開けた
円環21を一周させ、成膜用のガスを供給した。円環2
1は、外形6mmの無酸素銅製の管を直径300mmのドー
ナツ状に加工して用いた。基板ホルダ10は、加温でき
るようにヒータを備えている。電子ビームは、加速電極
6,減速電極7間の電界で加速され、円環21から供給
される成膜用のガスを分解する。成膜用のガスは、シラ
ンなどの半導体や金属の水素化物,塩化物,フッ素化物
を使用する。
説明する。カソード1はヘアピン状のタングステンフィ
ラメントで作られ、熱電子を放出する。プラズマ発生室
を形成するプラズマ発生容器2は、カソード1との間で
アーク放電を行わせるアノード電極を兼ねている。プラ
ズマ発生容器2の外周には、多数の永久磁石3を、プラ
ズマ発生容器2の面上で磁極が交互に変わるように設け
ている。プラズマ発生容器2は、例えば、内径300m
m,外径308mm,深さ200mmのステンレス製で、幅
8mm,高さ25mm,長さ200mmで高さ方向に磁化した
永久磁石3を32列、円筒上に配置し、カソード1を保
持している面上には、幅と高さが同じで長さ280mm,
270mm,240mm,190mm,100mmの5種類の永
久磁石を各2個、磁極がプラズマ発生室を向くととも
に、隣接する磁石の極性はN極とS極が交互に変化する
ように、間隔30mmの等間隔で設けている。永久磁石3
の残留磁化はいずれも8500ガウスのコバルトサマリ
ウム磁石を使用した。カソード1とプラズマ発生容器2
の間に直流電圧を印加し、低気圧でのアーク放電によ
り、ガス導入口20から導入した水素ガスを電離し、電
子を電子ビームとして引き出す引き出し電極として、お
のおのに多数の孔を設けた加速電極6,減速電極7より
構成されている。さらに、基板12と共に真空容器13
に取付け、真空ポンプ14で排気されている。基板12
の周囲に直径100μmの小孔を36個等間隔に開けた
円環21を一周させ、成膜用のガスを供給した。円環2
1は、外形6mmの無酸素銅製の管を直径300mmのドー
ナツ状に加工して用いた。基板ホルダ10は、加温でき
るようにヒータを備えている。電子ビームは、加速電極
6,減速電極7間の電界で加速され、円環21から供給
される成膜用のガスを分解する。成膜用のガスは、シラ
ンなどの半導体や金属の水素化物,塩化物,フッ素化物
を使用する。
【0007】加速電極6に加速電源8より負の高電圧を
印加し、減速電極7は接地するかあるいは、減速電源9
より正極性の電圧を印加し、正イオンがプラズマ発生室
側へ逆流することを防止する。本実施例では、プラズマ
発生室の清掃等の保守が容易である。
印加し、減速電極7は接地するかあるいは、減速電源9
より正極性の電圧を印加し、正イオンがプラズマ発生室
側へ逆流することを防止する。本実施例では、プラズマ
発生室の清掃等の保守が容易である。
【0008】なお、図1の実施例ではプラズマ発生容器
2の外側(大気圧側)に永久磁石3を設けたが、プラズ
マ発生容器2の内側(真空側)に永久磁石を配置するこ
とも可能である。このときは、プラズマ発生容器とし
て、磁性材も使用できる。永久磁石をプラズマ発生容器
内に設けることにより、プラズマ閉じ込め磁界の強度を
より大きくでき、より低いガス圧での放電ができる効果
がある。また、プラズマ発生容器に磁性材を使用するこ
とによって、永久磁石の高さを図1の5割に低減できる
効果がある。
2の外側(大気圧側)に永久磁石3を設けたが、プラズ
マ発生容器2の内側(真空側)に永久磁石を配置するこ
とも可能である。このときは、プラズマ発生容器とし
て、磁性材も使用できる。永久磁石をプラズマ発生容器
内に設けることにより、プラズマ閉じ込め磁界の強度を
より大きくでき、より低いガス圧での放電ができる効果
がある。また、プラズマ発生容器に磁性材を使用するこ
とによって、永久磁石の高さを図1の5割に低減できる
効果がある。
【0009】さらに、カソード1のタングステンフィラ
メントのかわりに、マイクロ波や高周波で電離したプラ
ズマを導入することも可能であり、高温のフィラメント
を除くことにより、連続動作時間を増す効果がある。
メントのかわりに、マイクロ波や高周波で電離したプラ
ズマを導入することも可能であり、高温のフィラメント
を除くことにより、連続動作時間を増す効果がある。
【0010】
【発明の効果】本発明により、従来の電子ビーム利用装
置では困難であった6吋或いは8吋以上の大面積基板に
一括して成膜できるようになった。
置では困難であった6吋或いは8吋以上の大面積基板に
一括して成膜できるようになった。
【図1】本発明の一実施例を示すブロック図。
1…カソード、2…プラズマ発生容器、3…永久磁石、
6…加速電極、7…減速電極、8…加速電源、9…減速
電源、10…基板ホルダ、12…基板、13…真空容
器、14…真空ポンプ、20…ガス導入口、21…円
環。
6…加速電極、7…減速電極、8…加速電源、9…減速
電源、10…基板ホルダ、12…基板、13…真空容
器、14…真空ポンプ、20…ガス導入口、21…円
環。
Claims (1)
- 【請求項1】中性ガスを電離してプラズマを発生するプ
ラズマ発生容器と、前記プラズマより電子を電子ビーム
として引き出す引き出し電極と、電子ビームが入射する
基板と真空容器よりなる電子ビーム装置において、前記
基板上に成膜用ガスを供給する手段と、前記プラズマ発
生容器の外周又は内周に、交互に磁極が変化するように
永久磁石を設け、前記プラズマ発生容器から電子ビーム
を取り出して基板を照射することを特徴とするプラズマ
CVD装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7013491A JPH08209351A (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | プラズマcvd装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7013491A JPH08209351A (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | プラズマcvd装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08209351A true JPH08209351A (ja) | 1996-08-13 |
Family
ID=11834595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7013491A Pending JPH08209351A (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | プラズマcvd装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08209351A (ja) |
-
1995
- 1995-01-31 JP JP7013491A patent/JPH08209351A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |