JPH08210923A - 加熱炉用の炉内温度測定器 - Google Patents
加熱炉用の炉内温度測定器Info
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- JPH08210923A JPH08210923A JP4130695A JP4130695A JPH08210923A JP H08210923 A JPH08210923 A JP H08210923A JP 4130695 A JP4130695 A JP 4130695A JP 4130695 A JP4130695 A JP 4130695A JP H08210923 A JPH08210923 A JP H08210923A
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Waste-Gas Treatment And Other Accessory Devices For Furnaces (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Control Of Resistance Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 減圧加熱炉内が減圧状態であっても、炉内の
温度分布を測定することができる減圧加熱炉の炉内温度
測定器を提供する。 【構成】 減圧加熱炉の炉体１１の外側に加熱ヒータ１
２と炉外温度測定器１５を、炉体１１の内部に炉内温度
測定器３０を設け、予め加熱ヒータ１２による加熱時の
炉体１１内外の温度差等を校正データとして測定してお
き、実際の製造運転に際しては炉外温度測定器１５の測
定温度を校正データにより校正し、この校正データのみ
に基づき炉内温度の制御が行われる減圧加熱炉であっ
て、炉内温度測定器３０を、炉体１１内に差し込まれ、
炉体１１内の先端が閉止、炉体１１外の基端が開口した
保護管３１と、この保護管３１の基端開口から移動自在
に挿入された支持管３３と、この支持管３３に挿通支持
した熱電対素線３２ａ，３２ｂとから構成した。
温度分布を測定することができる減圧加熱炉の炉内温度
測定器を提供する。 【構成】 減圧加熱炉の炉体１１の外側に加熱ヒータ１
２と炉外温度測定器１５を、炉体１１の内部に炉内温度
測定器３０を設け、予め加熱ヒータ１２による加熱時の
炉体１１内外の温度差等を校正データとして測定してお
き、実際の製造運転に際しては炉外温度測定器１５の測
定温度を校正データにより校正し、この校正データのみ
に基づき炉内温度の制御が行われる減圧加熱炉であっ
て、炉内温度測定器３０を、炉体１１内に差し込まれ、
炉体１１内の先端が閉止、炉体１１外の基端が開口した
保護管３１と、この保護管３１の基端開口から移動自在
に挿入された支持管３３と、この支持管３３に挿通支持
した熱電対素線３２ａ，３２ｂとから構成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体製造のＣＶＤ
装置や拡散装置等に用いられる加熱炉、特に、製造時の
計測が困難な炉内温度を予め測定して校正データを作成
しておき、製造時には炉外温度のみを測定して該炉外温
度を校正データに基づいて校正し、この校正された温度
に基づき炉内温度を制御する加熱炉用の炉内温度測定器
に関する。
装置や拡散装置等に用いられる加熱炉、特に、製造時の
計測が困難な炉内温度を予め測定して校正データを作成
しておき、製造時には炉外温度のみを測定して該炉外温
度を校正データに基づいて校正し、この校正された温度
に基づき炉内温度を制御する加熱炉用の炉内温度測定器
に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、ＣＶＤ装置にあっては、減圧加
熱炉にシリコンウェーハ等の基板を収容し、この基板を
減圧下で所定の温度に加熱して薄膜を形成する。従来、
このようなＣＶＤ装置に用いられる減圧加熱炉として、
図４から図６に記載されるようなものが知られる。図４
において、１１は炉体、１２は炉体１１の外周に設けら
れた加熱ヒータである。炉体１１は、一端が開口した中
空状をなし、開口が炉口キャップ１３により閉止され
る。周知のように、炉体１１内には処理対象の基板が収
容され、減圧下で加熱ヒータ１２により加熱して当該基
板に薄膜を形成する。加熱ヒータ１２は、図外のコント
ローラに接続され、このコントローラにより制御されて
炉体１１内を加熱する。
熱炉にシリコンウェーハ等の基板を収容し、この基板を
減圧下で所定の温度に加熱して薄膜を形成する。従来、
このようなＣＶＤ装置に用いられる減圧加熱炉として、
図４から図６に記載されるようなものが知られる。図４
において、１１は炉体、１２は炉体１１の外周に設けら
れた加熱ヒータである。炉体１１は、一端が開口した中
空状をなし、開口が炉口キャップ１３により閉止され
る。周知のように、炉体１１内には処理対象の基板が収
容され、減圧下で加熱ヒータ１２により加熱して当該基
板に薄膜を形成する。加熱ヒータ１２は、図外のコント
ローラに接続され、このコントローラにより制御されて
炉体１１内を加熱する。
【０００３】加熱ヒータ１２には熱電対からなる炉外温
度測定器１５が、炉口キャップ１３には炉内温度測定器
２０が設けられ、これら温度測定器１５，２０が上記コ
ントローラに接続される。炉内温度測定器２０は、図
５，６に示すように、炉口キャップ１３にブッシュ１３
ａを固着し、このブッシュ１３ａに貫通して石英保護管
２１を炉体１１内に突没可能（突出長さを調節可能）に
設け、この石英保護管２１内に複数の絶縁管２３ａ，２
３ｂにより保護された一対の熱電対素線２２ａ，２２ｂ
をそれぞれ配索して構成される。石英保護管２１は、基
端外周にブッシュ１３ａと嵌合する大径部を有し、基端
開口がプラグ１８で閉止される。このプラグ１８と石英
保護管２１との接続部分は収縮テフロンチューブ１７に
より被覆、固定される。
度測定器１５が、炉口キャップ１３には炉内温度測定器
２０が設けられ、これら温度測定器１５，２０が上記コ
ントローラに接続される。炉内温度測定器２０は、図
５，６に示すように、炉口キャップ１３にブッシュ１３
ａを固着し、このブッシュ１３ａに貫通して石英保護管
２１を炉体１１内に突没可能（突出長さを調節可能）に
設け、この石英保護管２１内に複数の絶縁管２３ａ，２
３ｂにより保護された一対の熱電対素線２２ａ，２２ｂ
をそれぞれ配索して構成される。石英保護管２１は、基
端外周にブッシュ１３ａと嵌合する大径部を有し、基端
開口がプラグ１８で閉止される。このプラグ１８と石英
保護管２１との接続部分は収縮テフロンチューブ１７に
より被覆、固定される。
【０００４】絶縁管２３ａ，２３ｂは、図６（ｂ）に詳
示するように、絶縁管２３ａの継ぎ目と絶縁管２３ｂの
継ぎ目とが交互に位置するように設けられ、その継ぎ目
で各素線２２ａ，２２ｂが接触することが防止される。
熱電対素線２２ａ，２２ｂは、先端が溶着され、上記プ
ラグ１８を通り石英保護管２１から引き出される。石英
保護管２１から引き出された熱電対素線２２ａ，２２ｂ
は、テフロンスリーブ２８により保護され、シリコンチ
ューブ（圧着端子）２７により中継されてリード線２９
と接続される。リード線２９は、端子コネクタ２６で前
記コントローラと接続される。
示するように、絶縁管２３ａの継ぎ目と絶縁管２３ｂの
継ぎ目とが交互に位置するように設けられ、その継ぎ目
で各素線２２ａ，２２ｂが接触することが防止される。
熱電対素線２２ａ，２２ｂは、先端が溶着され、上記プ
ラグ１８を通り石英保護管２１から引き出される。石英
保護管２１から引き出された熱電対素線２２ａ，２２ｂ
は、テフロンスリーブ２８により保護され、シリコンチ
ューブ（圧着端子）２７により中継されてリード線２９
と接続される。リード線２９は、端子コネクタ２６で前
記コントローラと接続される。
【０００５】このような減圧加熱炉にあっては、薄膜の
形成（製造運転）に先立って、炉体１１を加熱ヒータ１
２により加熱し、この場合の炉体１１外側の温度を炉外
温度測定器１５により測定しつつ、併せて、図５の矢印
に示すように炉内温度測定器２０を上下に移動させて炉
体１１内の上下方向の温度分布を炉内温度測定器２０に
より測定し、これら温度測定器１５，２０の測定データ
から校正データを予め作成しておくことが行われる（校
正データの作成）。そして、製造運転に際しては、炉内
温度測定器２０を取り去ってブッシュ１３ａ部分の孔を
塞ぎ、炉外温度測定器１５のみで温度を測定する。そし
て、この炉外温度測定器１５の測定温度を校正データに
基づいて炉体１１内部の温度データに校正し、この校正
したデータにより加熱ヒータ１２を制御する。
形成（製造運転）に先立って、炉体１１を加熱ヒータ１
２により加熱し、この場合の炉体１１外側の温度を炉外
温度測定器１５により測定しつつ、併せて、図５の矢印
に示すように炉内温度測定器２０を上下に移動させて炉
体１１内の上下方向の温度分布を炉内温度測定器２０に
より測定し、これら温度測定器１５，２０の測定データ
から校正データを予め作成しておくことが行われる（校
正データの作成）。そして、製造運転に際しては、炉内
温度測定器２０を取り去ってブッシュ１３ａ部分の孔を
塞ぎ、炉外温度測定器１５のみで温度を測定する。そし
て、この炉外温度測定器１５の測定温度を校正データに
基づいて炉体１１内部の温度データに校正し、この校正
したデータにより加熱ヒータ１２を制御する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た減圧加熱炉にあっては、校正データの作成に際して、
炉内温度測定器２０を下方に下げるとブッシュ１３ａと
石英保護管２１との間に隙間が生じるため、炉体１１内
部を減圧した状態での温度測定、或いは、気密状態を維
持しての温度測定が不可能で、実際の製造運転の条件に
合致する校正データを得られないという問題があった。
た減圧加熱炉にあっては、校正データの作成に際して、
炉内温度測定器２０を下方に下げるとブッシュ１３ａと
石英保護管２１との間に隙間が生じるため、炉体１１内
部を減圧した状態での温度測定、或いは、気密状態を維
持しての温度測定が不可能で、実際の製造運転の条件に
合致する校正データを得られないという問題があった。
【０００７】この発明は、上記問題に鑑みてなされたも
ので、減圧状態の炉体内部温度の測定が可能で、実際の
運転条件に合致した校正データを得ることができる加熱
炉用の炉内温度測定器を提供することを目的とする。
ので、減圧状態の炉体内部温度の測定が可能で、実際の
運転条件に合致した校正データを得ることができる加熱
炉用の炉内温度測定器を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明にかかる加熱炉用の炉内温度測定器は、先
端が閉止、基端が開口し、炉体内に閉止端が挿入ポート
から気密的に差し込まれた保護管と、該保護管内にその
基端開口から挿入長さを調節可能に挿入された支持管
と、該支持管に配索され該支持管の先端で接合された一
対の熱電対素線とを備える。
め、この発明にかかる加熱炉用の炉内温度測定器は、先
端が閉止、基端が開口し、炉体内に閉止端が挿入ポート
から気密的に差し込まれた保護管と、該保護管内にその
基端開口から挿入長さを調節可能に挿入された支持管
と、該支持管に配索され該支持管の先端で接合された一
対の熱電対素線とを備える。
【０００９】
【作用】この発明の減圧加熱炉によれば、保護管が気密
性を維持して炉体内に突出し、この保護管内に熱電対素
線が配索された支持管を移動可能に挿入するため、炉体
内が減圧状態であっても、保護管を炉体に気密に取り付
けたままで支持管を保護管内で移動させることで、炉体
内の減圧状態を保ったままで炉体内の各層の温度、すな
わち、温度分布を測定でき、実際の製造条件に近い校正
データを得られる。
性を維持して炉体内に突出し、この保護管内に熱電対素
線が配索された支持管を移動可能に挿入するため、炉体
内が減圧状態であっても、保護管を炉体に気密に取り付
けたままで支持管を保護管内で移動させることで、炉体
内の減圧状態を保ったままで炉体内の各層の温度、すな
わち、温度分布を測定でき、実際の製造条件に近い校正
データを得られる。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面を参照して説
明する。図１から図３はこの発明の一実施例にかかる加
熱炉用の炉内温度測定器を表し、図１がその要部である
炉内温度測定器の断面図、図２（ａ），（ｂ）が同炉内
温度測定器の一部を拡大した斜視図、図３が作用を説明
するための断面図である。なお、前述した図４から図６
に示した減圧加熱炉と同一の部分には同一の符号を付し
て一部の説明と図示を省略する。
明する。図１から図３はこの発明の一実施例にかかる加
熱炉用の炉内温度測定器を表し、図１がその要部である
炉内温度測定器の断面図、図２（ａ），（ｂ）が同炉内
温度測定器の一部を拡大した斜視図、図３が作用を説明
するための断面図である。なお、前述した図４から図６
に示した減圧加熱炉と同一の部分には同一の符号を付し
て一部の説明と図示を省略する。
【００１１】図１において、３０は炉内温度測定器を示
し、炉内温度測定器３０は、保護管３１内に熱電対素線
３２ａ，３２ｂが配索された支持管３３を移動可能に挿
通して構成される。保護管３１は、石英、ＳｉＣ（炭化
珪素）、アルミナあるいはセラミック等の高耐熱性材料
からなり、先端が閉止、基端が開口し、また、基端側に
外径が拡径した大径部３１ａと取付フランジ部３１ｂと
が形成される。なお、炉内温度を１０００℃以上とする
ようなかなりの高温条件下で用いる場合には、耐熱性の
高いＳｉＣやアルミナで保護管３１を形成するのが好ま
しい。この保護管３１は、炉口キャップ１３のブッシュ
１３ａを貫通して先端が炉体１１内の上部まで突入し、
大径部３１ａがブッシュ１３ａに気密的に嵌合され、基
端が炉体１１外に開口する。
し、炉内温度測定器３０は、保護管３１内に熱電対素線
３２ａ，３２ｂが配索された支持管３３を移動可能に挿
通して構成される。保護管３１は、石英、ＳｉＣ（炭化
珪素）、アルミナあるいはセラミック等の高耐熱性材料
からなり、先端が閉止、基端が開口し、また、基端側に
外径が拡径した大径部３１ａと取付フランジ部３１ｂと
が形成される。なお、炉内温度を１０００℃以上とする
ようなかなりの高温条件下で用いる場合には、耐熱性の
高いＳｉＣやアルミナで保護管３１を形成するのが好ま
しい。この保護管３１は、炉口キャップ１３のブッシュ
１３ａを貫通して先端が炉体１１内の上部まで突入し、
大径部３１ａがブッシュ１３ａに気密的に嵌合され、基
端が炉体１１外に開口する。
【００１２】支持管３３は、セラミック等の絶縁性及び
高耐熱性を有する材料からなり、内部に２条の挿通孔３
３ａ，３３ｂが互いに分離して形成される。また、支持
管３３には、先端に保護部材３５が設けられ、基端に略
円板状の取付フランジ３６が固定される。この支持管３
３は、取付フランジ３６と上述の保護管３１の取付フラ
ンジ部３１ｂを貫通したボルト４１にナット４２を螺着
させることで取り外し可能に保護管３１に固定される。
保護部材３５は、先端にＶ字状の溝３５ａが形成され、
後述するように、この溝３５ａの側面間に熱電対素線３
２ａ，３２ｂの先端溶着部が位置する。
高耐熱性を有する材料からなり、内部に２条の挿通孔３
３ａ，３３ｂが互いに分離して形成される。また、支持
管３３には、先端に保護部材３５が設けられ、基端に略
円板状の取付フランジ３６が固定される。この支持管３
３は、取付フランジ３６と上述の保護管３１の取付フラ
ンジ部３１ｂを貫通したボルト４１にナット４２を螺着
させることで取り外し可能に保護管３１に固定される。
保護部材３５は、先端にＶ字状の溝３５ａが形成され、
後述するように、この溝３５ａの側面間に熱電対素線３
２ａ，３２ｂの先端溶着部が位置する。
【００１３】熱電対素線３２ａ，３２ｂは、図２
（ａ），（ｂ）に示すように、支持管３３の挿通孔３３
ａ，３３ｂに互いに電気的に絶縁されて挿通され、支持
管３３の先端から延出した先端部分が保護部材３５を通
りその溝３５ａ内において溶着される。これら熱電対素
線３２ａ，３２ｂは、取付フランジ３６を通り外部へ配
索され、前述した従来例と同様に、リード線２９や端子
コネクタ２６を介して図外のコントローラに接続され
る。
（ａ），（ｂ）に示すように、支持管３３の挿通孔３３
ａ，３３ｂに互いに電気的に絶縁されて挿通され、支持
管３３の先端から延出した先端部分が保護部材３５を通
りその溝３５ａ内において溶着される。これら熱電対素
線３２ａ，３２ｂは、取付フランジ３６を通り外部へ配
索され、前述した従来例と同様に、リード線２９や端子
コネクタ２６を介して図外のコントローラに接続され
る。
【００１４】この実施例の炉内温度測定器３０にあって
は、保護管３１は炉体１１内に挿入させて大径部３１ａ
をブッシュ１３ａに嵌合させることにより、炉体１１に
気密性を保持して取り付けられる。また、支持管３３は
取付フランジ３６と保護管３１の取付フランジ部３１ｂ
とをボルト４１及びナット４２を結合することにより、
保護管３１内に挿入させた状態で固定される。そして、
支持管３３はボルト４１及びナット４２を外すことで保
護管３１内を上下方向へ移動させることができ、熱電対
素線３２ａ，３２ｂの先端溶着部を保護管３１内を炉体
１１の上下方向へ移動させることができる。なお、この
支持管３３の移動に際して、熱電対素線３２ａ，３２ｂ
の先端溶着部が保護部材３５のＶ字状溝３５ａ内に位置
していることから、この先端溶着部が保護管３１の内面
等に擦れてしまうような事態が防止されている。
は、保護管３１は炉体１１内に挿入させて大径部３１ａ
をブッシュ１３ａに嵌合させることにより、炉体１１に
気密性を保持して取り付けられる。また、支持管３３は
取付フランジ３６と保護管３１の取付フランジ部３１ｂ
とをボルト４１及びナット４２を結合することにより、
保護管３１内に挿入させた状態で固定される。そして、
支持管３３はボルト４１及びナット４２を外すことで保
護管３１内を上下方向へ移動させることができ、熱電対
素線３２ａ，３２ｂの先端溶着部を保護管３１内を炉体
１１の上下方向へ移動させることができる。なお、この
支持管３３の移動に際して、熱電対素線３２ａ，３２ｂ
の先端溶着部が保護部材３５のＶ字状溝３５ａ内に位置
していることから、この先端溶着部が保護管３１の内面
等に擦れてしまうような事態が防止されている。
【００１５】したがって、前述した校正データの作成に
際しては、炉体１１内を減圧しても、大径部３１ａとブ
ッシュ１３ａとが嵌合していることで炉体１１内の気密
は保たれ、支持管３３を自由に上下動させることができ
る。このため、炉内温度測定器３０により炉体１１内部
の温度分布を支障無く測定することができ、実際の製造
運転の条件に合致した校正データが作成できる。この結
果、実際の製造運転において、炉内温度測定器３０を取
り去って炉外温度測定器１５のみで温度測定を行って
も、この測定した温度データと校正データとに基づい
て、炉体１１内部の温度を正確に把握して加熱ヒータ１
２の制御を的確に行える。
際しては、炉体１１内を減圧しても、大径部３１ａとブ
ッシュ１３ａとが嵌合していることで炉体１１内の気密
は保たれ、支持管３３を自由に上下動させることができ
る。このため、炉内温度測定器３０により炉体１１内部
の温度分布を支障無く測定することができ、実際の製造
運転の条件に合致した校正データが作成できる。この結
果、実際の製造運転において、炉内温度測定器３０を取
り去って炉外温度測定器１５のみで温度測定を行って
も、この測定した温度データと校正データとに基づい
て、炉体１１内部の温度を正確に把握して加熱ヒータ１
２の制御を的確に行える。
【００１６】なお、上述した実施例では、保護管３１に
大径部３１ａを形成してブッシュ１３ａと嵌合させるよ
うにしたが、保護管３１を大径部３１ａと径寸法で一様
に構成することも可能である。また、上述した実施例で
は、炉内温度測定器３０を校正データの作成にのみ用い
るものとして説明したが、製造運転時にも炉内温度測定
器３０を炉体１１内に挿入して取り付けておき、製造運
転時における炉内温度制御用として用いることも可能で
ある。また、上述した実施例では、炉内温度測定器３０
を１つ設けたものとして説明したが、複数設けることも
可能である。
大径部３１ａを形成してブッシュ１３ａと嵌合させるよ
うにしたが、保護管３１を大径部３１ａと径寸法で一様
に構成することも可能である。また、上述した実施例で
は、炉内温度測定器３０を校正データの作成にのみ用い
るものとして説明したが、製造運転時にも炉内温度測定
器３０を炉体１１内に挿入して取り付けておき、製造運
転時における炉内温度制御用として用いることも可能で
ある。また、上述した実施例では、炉内温度測定器３０
を１つ設けたものとして説明したが、複数設けることも
可能である。
【００１７】また、上述した実施例では、炉体１１内の
温度分布を測定する際の支持管３３を移動させる方法に
ついて説明を省略したが、この支持管の移動は作業員が
手動により行なったり或いは駆動機構を用いて自動的に
行う等、種々の形態に構成することが可能である。ま
た、上述した実施例では、炉内温度測定器３０を炉体１
１に立設して縦方向で使用する例を説明したが、炉内温
度測定器３０は横方向或いは斜め方向等といった任意の
方向に設置して使用することも可能である。また、上述
した実施例では、炉内温度測定器３０を縦型の減圧加熱
炉に適用した例を説明したが、炉内温度測定器３０は、
炉内を減圧するか否か或いは炉が縦型か横型か等と行っ
た形式に係わりなく、ＣＶＤ装置や拡散炉といった炉を
加熱する形式の装置に広く適用することができる。
温度分布を測定する際の支持管３３を移動させる方法に
ついて説明を省略したが、この支持管の移動は作業員が
手動により行なったり或いは駆動機構を用いて自動的に
行う等、種々の形態に構成することが可能である。ま
た、上述した実施例では、炉内温度測定器３０を炉体１
１に立設して縦方向で使用する例を説明したが、炉内温
度測定器３０は横方向或いは斜め方向等といった任意の
方向に設置して使用することも可能である。また、上述
した実施例では、炉内温度測定器３０を縦型の減圧加熱
炉に適用した例を説明したが、炉内温度測定器３０は、
炉内を減圧するか否か或いは炉が縦型か横型か等と行っ
た形式に係わりなく、ＣＶＤ装置や拡散炉といった炉を
加熱する形式の装置に広く適用することができる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、この発明にかかる
加熱炉用の炉内温度測定器によれば、炉体内に保護管を
突入させて気密的に設けるとともに、炉体に気密的に保
護管を取り付け、この保護管内に一対の熱電対素線が電
気的に絶縁されて挿通された支持管を移動可能に設けて
構成したため、炉体内が減圧状態下であっても支持管を
移動させることで炉体内の温度分布を測定でき、校正用
データの作成等に際して、より実際の運転条件に合致し
た正確なデータの作成が可能になるという効果が得られ
る。この結果、半導体製造における温度制御を的確に行
うことができ、高品質の製品を歩留まり良く製造するこ
とができる。
加熱炉用の炉内温度測定器によれば、炉体内に保護管を
突入させて気密的に設けるとともに、炉体に気密的に保
護管を取り付け、この保護管内に一対の熱電対素線が電
気的に絶縁されて挿通された支持管を移動可能に設けて
構成したため、炉体内が減圧状態下であっても支持管を
移動させることで炉体内の温度分布を測定でき、校正用
データの作成等に際して、より実際の運転条件に合致し
た正確なデータの作成が可能になるという効果が得られ
る。この結果、半導体製造における温度制御を的確に行
うことができ、高品質の製品を歩留まり良く製造するこ
とができる。
【図１】この発明の一実施例にかかる加熱炉用の炉内温
度測定器を示す全体断面図である。
度測定器を示す全体断面図である。
【図２】同炉内温度測定器の支持管先端部分の拡大図で
あり、（ａ）が保護部材の取付状態を、（ｂ）が保護部
材の未取付状態を示す。
あり、（ａ）が保護部材の取付状態を、（ｂ）が保護部
材の未取付状態を示す。
【図３】同炉内温度測定器の作動を示す作用説明図であ
る。
る。
【図４】この発明が適用される加熱炉の全体構成を模式
的に示す図である。
的に示す図である。
【図５】従来の減圧加熱炉における炉内温度測定器の模
式図である。
式図である。
【図６】同従来の炉内温度測定器を示し、（ａ）がその
断面図、（ｂ）が一部拡大図である。
断面図、（ｂ）が一部拡大図である。
１１ 炉体 １２ 加熱ヒータ １３ａ ブッシュ １５ 炉外温度測定器 ３０ 炉内温度測定器 ３１ 保護管 ３２ａ，３２ｂ 熱電対素線 ３３ 支持管
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０１Ｋ 1/14 Ｊ 7/00 ３２１ Ｃ 15/00 Ｈ０１Ｌ 21/205 21/22 ５０１ Ｎ 21/324 Ｄ Ｈ０５Ｂ 3/00 ３１０ Ｅ
Claims (1)
- 【請求項１】 先端が閉止、基端が開口し、炉体内に閉
止端が挿入ポートから気密的に差し込まれた保護管と、
該保護管内にその基端開口から挿入長さを調節可能に挿
入された支持管と、該支持管に配索され該支持管の先端
で接合された一対の熱電対素線とを備えることを特徴と
する加熱炉用の炉内温度測定器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4130695A JPH08210923A (ja) | 1995-02-06 | 1995-02-06 | 加熱炉用の炉内温度測定器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4130695A JPH08210923A (ja) | 1995-02-06 | 1995-02-06 | 加熱炉用の炉内温度測定器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08210923A true JPH08210923A (ja) | 1996-08-20 |
Family
ID=12604816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4130695A Pending JPH08210923A (ja) | 1995-02-06 | 1995-02-06 | 加熱炉用の炉内温度測定器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08210923A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001092537A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-06 | Toyo Seiki Seisakusho:Kk | 炉体等の温度制御方法とその炉体等を備えた装置 |
| KR20050019506A (ko) * | 2003-08-19 | 2005-03-03 | 박진성 | 화학증착기의 증발용기 온도제어기술 |
| WO2007018142A1 (ja) * | 2005-08-09 | 2007-02-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置、基板の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2009267359A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-11-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP2013093618A (ja) * | 2008-04-01 | 2013-05-16 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および電極 |
| CN103292923A (zh) * | 2013-06-07 | 2013-09-11 | 华陆工程科技有限责任公司 | 一种新型的回转炉炉内物料温度测定方法 |
| JP2014067766A (ja) * | 2012-09-25 | 2014-04-17 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及び温度検出方法 |
| US20150122179A1 (en) * | 2012-02-13 | 2015-05-07 | Fhr Anlagenbau Gmbh | Process roller for receiving and guiding substrates in strip form in vacuum coating installations |
| JP2019109215A (ja) * | 2017-12-18 | 2019-07-04 | 國家中山科學研究院 | 坩堝内部の温度場分布を測定するための装置 |
| CN111594352A (zh) * | 2020-05-15 | 2020-08-28 | 北京航空航天大学 | 钨铼热电偶的合金焊点伸出长度的测量方法和装置 |
| JP2021018074A (ja) * | 2019-07-17 | 2021-02-15 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 温度計 |
| CN116358740A (zh) * | 2023-03-22 | 2023-06-30 | 广东中南钢铁股份有限公司 | 检定炉和检定方法 |
| DE102023125694A1 (de) * | 2023-09-21 | 2025-03-27 | centrotherm international AG | System und Verfahren zur Temperaturmessung sowie Kalibrationsverfahren |
-
1995
- 1995-02-06 JP JP4130695A patent/JPH08210923A/ja active Pending
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001092537A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-06 | Toyo Seiki Seisakusho:Kk | 炉体等の温度制御方法とその炉体等を備えた装置 |
| KR20050019506A (ko) * | 2003-08-19 | 2005-03-03 | 박진성 | 화학증착기의 증발용기 온도제어기술 |
| WO2007018142A1 (ja) * | 2005-08-09 | 2007-02-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置、基板の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
| KR100950681B1 (ko) * | 2005-08-09 | 2010-03-31 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치, 기판의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조방법 |
| US7820118B2 (en) | 2005-08-09 | 2010-10-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus having covered thermocouple for enhanced temperature control |
| JP4887293B2 (ja) * | 2005-08-09 | 2012-02-29 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板の製造方法、半導体装置の製造方法、及び基板処理方法 |
| JP2009267359A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-11-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP2013093618A (ja) * | 2008-04-01 | 2013-05-16 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および電極 |
| US20150122179A1 (en) * | 2012-02-13 | 2015-05-07 | Fhr Anlagenbau Gmbh | Process roller for receiving and guiding substrates in strip form in vacuum coating installations |
| US9637817B2 (en) * | 2012-02-13 | 2017-05-02 | Fhr Anlagenbau Gmbh | Process roller for receiving and guiding substrates in strip form in vacuum coating installations |
| JP2014067766A (ja) * | 2012-09-25 | 2014-04-17 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及び温度検出方法 |
| US10418293B2 (en) | 2012-09-25 | 2019-09-17 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and thermocouple support |
| US11049742B2 (en) | 2012-09-25 | 2021-06-29 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and thermocouple support |
| CN103292923A (zh) * | 2013-06-07 | 2013-09-11 | 华陆工程科技有限责任公司 | 一种新型的回转炉炉内物料温度测定方法 |
| JP2019109215A (ja) * | 2017-12-18 | 2019-07-04 | 國家中山科學研究院 | 坩堝内部の温度場分布を測定するための装置 |
| JP2021018074A (ja) * | 2019-07-17 | 2021-02-15 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 温度計 |
| CN111594352A (zh) * | 2020-05-15 | 2020-08-28 | 北京航空航天大学 | 钨铼热电偶的合金焊点伸出长度的测量方法和装置 |
| CN111594352B (zh) * | 2020-05-15 | 2021-08-20 | 北京航空航天大学 | 钨铼热电偶的合金焊点伸出长度的测量方法和装置 |
| CN116358740A (zh) * | 2023-03-22 | 2023-06-30 | 广东中南钢铁股份有限公司 | 检定炉和检定方法 |
| DE102023125694A1 (de) * | 2023-09-21 | 2025-03-27 | centrotherm international AG | System und Verfahren zur Temperaturmessung sowie Kalibrationsverfahren |
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