JPH08211294A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
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- JPH08211294A JPH08211294A JP7015609A JP1560995A JPH08211294A JP H08211294 A JPH08211294 A JP H08211294A JP 7015609 A JP7015609 A JP 7015609A JP 1560995 A JP1560995 A JP 1560995A JP H08211294 A JPH08211294 A JP H08211294A
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- lens
- negative meniscus
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/08—Catadioptric systems
- G02B17/0892—Catadioptric systems specially adapted for the UV
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/002—Arrays of reflective systems
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/008—Systems specially adapted to form image relays or chained systems
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/08—Catadioptric systems
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/18—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for optical projection, e.g. combination of mirror and condenser and objective
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70225—Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Lenses (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】十分なワーキングディスタンスを確保しつつ良
好な結像性能を得る。 【構成】第1物体の等倍像を第2物体上に投影露光する
投影露光装置は、前記第1物体と前記第2物体との間に
配置された投影光学系を有する。この投影光学系は、平
凸レンズL2 及び第1の負メニスカスレンズL3 とから
なる接合レンズと、第2の負メニスカスレンズL4 と、
凹面鏡Mと、第1物体からの光を平凸レンズL2 へ導く
と共に、平凸レンズL2 を介した凹面鏡Mからの光を第
2物体上に導く光路折曲げプリズムP1,P2 とを有する
ように構成される。本発明は、第1及び第2の負メニス
カスレンズL3,L4 の屈折力の好適な範囲と、第1及び
第2の負メニスカスレンズL3,L4 の硝材のアッベ数の
好適な範囲とを見出したものである。
好な結像性能を得る。 【構成】第1物体の等倍像を第2物体上に投影露光する
投影露光装置は、前記第1物体と前記第2物体との間に
配置された投影光学系を有する。この投影光学系は、平
凸レンズL2 及び第1の負メニスカスレンズL3 とから
なる接合レンズと、第2の負メニスカスレンズL4 と、
凹面鏡Mと、第1物体からの光を平凸レンズL2 へ導く
と共に、平凸レンズL2 を介した凹面鏡Mからの光を第
2物体上に導く光路折曲げプリズムP1,P2 とを有する
ように構成される。本発明は、第1及び第2の負メニス
カスレンズL3,L4 の屈折力の好適な範囲と、第1及び
第2の負メニスカスレンズL3,L4 の硝材のアッベ数の
好適な範囲とを見出したものである。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、第1物体上のパターン
を第2物体上に倍率1×(等倍)で投影露光する投影露
光装置に関し、特に投影光学系として反射屈折光学系を
用いた投影露光装置に関する。
を第2物体上に倍率1×(等倍)で投影露光する投影露
光装置に関し、特に投影光学系として反射屈折光学系を
用いた投影露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】フォトリソグラフィの手法により、第1
物体(例えばマスク・レチクル等)上に形成されたパタ
ーンの等倍像を第2物体(例えばウェハ・ガラスプレー
ト等)上に形成するための光学系として、例えば特表昭
58−500730号公報や、米国特許第4,171,
871に開示されるダイソン型光学系が知られている。
ここで、特表昭58−500730号公報に開示される
ダイソン型光学系は、光路折曲げプリズムと、このプリ
ズムに接合された平凸レンズと、この平凸レンズに接合
された負メニスカスレンズと、この負メニスカスに対向
する凹面鏡から構成されるものであった。
物体(例えばマスク・レチクル等)上に形成されたパタ
ーンの等倍像を第2物体(例えばウェハ・ガラスプレー
ト等)上に形成するための光学系として、例えば特表昭
58−500730号公報や、米国特許第4,171,
871に開示されるダイソン型光学系が知られている。
ここで、特表昭58−500730号公報に開示される
ダイソン型光学系は、光路折曲げプリズムと、このプリ
ズムに接合された平凸レンズと、この平凸レンズに接合
された負メニスカスレンズと、この負メニスカスに対向
する凹面鏡から構成されるものであった。
【0003】また、米国特許第4,171,871に開
示されるダイソン型光学系においては、光路折曲げプリ
ズムと、平凸レンズ、負メニスカスレンズ及びメニスカ
スレンズとからなる接合レンズと、接合レンズ側に凹面
を向けたメニスカスレンズと、このメニスカスレンズに
接合されたメニスカス形状の裏面鏡とから構成されるも
のであった。
示されるダイソン型光学系においては、光路折曲げプリ
ズムと、平凸レンズ、負メニスカスレンズ及びメニスカ
スレンズとからなる接合レンズと、接合レンズ側に凹面
を向けたメニスカスレンズと、このメニスカスレンズに
接合されたメニスカス形状の裏面鏡とから構成されるも
のであった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述の如き従来のダイ
ソン型光学系においては、第1及び第2物体とダイソン
型光学系の最物体側の面との間隔であるワーキングディ
スタンスが非常に短く構成されている。また、近年にお
いては、第1物体の表面上に形成されるパターンに付着
した異物が第2物体上に転写されることを防ぐために、
第1物体上には、パターンの周辺に設けられた枠である
ペリクル保持部材に透明薄膜からなるペリクル膜を設け
ることが多い。
ソン型光学系においては、第1及び第2物体とダイソン
型光学系の最物体側の面との間隔であるワーキングディ
スタンスが非常に短く構成されている。また、近年にお
いては、第1物体の表面上に形成されるパターンに付着
した異物が第2物体上に転写されることを防ぐために、
第1物体上には、パターンの周辺に設けられた枠である
ペリクル保持部材に透明薄膜からなるペリクル膜を設け
ることが多い。
【0005】しかしながら、従来のダイソン型光学系の
ようにワーキングディスタンスが短い場合には、上記ペ
リクル保持部材あるいはペリクル膜と投影光学系自体が
干渉する問題が生じる。また、第1物体と第2物体との
間隔を検出するAF検出系の配置も困難になる。そこ
で、本発明は、十分なワーキングディスタンスを確保し
ているにも拘わらず良好な結像性能を達成することを目
的とする。
ようにワーキングディスタンスが短い場合には、上記ペ
リクル保持部材あるいはペリクル膜と投影光学系自体が
干渉する問題が生じる。また、第1物体と第2物体との
間隔を検出するAF検出系の配置も困難になる。そこ
で、本発明は、十分なワーキングディスタンスを確保し
ているにも拘わらず良好な結像性能を達成することを目
的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明による投影露光装置は、例えば図1及び図
2に示す如く、第1物体(M)の等倍像を第2物体
(P)上に投影露光する投影露光装置であって、第1及
び第2物体とは交差しない光軸(Ax1a)を有し、かつ第
1物体(M)と第2物体(P)との間に配置された投影
光学系(PLa)を有する。そして、該投影光学系(P
La)は、平凸レンズ(13a)及び該平凸レンズ側に
凹面を向けた第1の負メニスカスレンズ(14a)とか
らなる接合レンズと、該接合レンズと空気間隔を挟んで
配置されて該接合レンズ側に凹面を向けた第2の負メニ
スカスレンズ(15a)と、該第2の負メニスカスレン
ズ(15a)と空気間隔を挟んで配置されて該第2の負
メニスカスレンズ(15a)側に凹面を向けた凹面鏡
(16a)と、第1物体からの光を平凸レンズへ導くと
共に、平凸レンズを介した凹面鏡からの光を第2物体上
に導く光路折曲げプリズム(10a,11a)とを有す
る。そして、接合レンズ(13a,14a)と第2の負
メニスカスレンズ(15a)と凹面鏡(16a)とは光
軸(Ax1a)に沿って配置され、第1及び第2の負メニス
カスレンズ(14a,15a)は、平凸レンズ(13
a)の屈折力をψa とし、第1及び第2の負メニスカス
レンズ(14a,15a)の屈折力をψb とするとき、 −0.36 <ψb /ψa < 0 …(1) の条件を満足し、かつ第1及び第2の負メニスカスレン
ズ(14a,15a)の硝材のアッベ数をνとすると
き、第1及び第2の負メニスカスレンズ(14a,15
a)のうちの一方の硝材はν<45を満足し、他方の硝
材はν>45を満足するように構成される。
めに、本発明による投影露光装置は、例えば図1及び図
2に示す如く、第1物体(M)の等倍像を第2物体
(P)上に投影露光する投影露光装置であって、第1及
び第2物体とは交差しない光軸(Ax1a)を有し、かつ第
1物体(M)と第2物体(P)との間に配置された投影
光学系(PLa)を有する。そして、該投影光学系(P
La)は、平凸レンズ(13a)及び該平凸レンズ側に
凹面を向けた第1の負メニスカスレンズ(14a)とか
らなる接合レンズと、該接合レンズと空気間隔を挟んで
配置されて該接合レンズ側に凹面を向けた第2の負メニ
スカスレンズ(15a)と、該第2の負メニスカスレン
ズ(15a)と空気間隔を挟んで配置されて該第2の負
メニスカスレンズ(15a)側に凹面を向けた凹面鏡
(16a)と、第1物体からの光を平凸レンズへ導くと
共に、平凸レンズを介した凹面鏡からの光を第2物体上
に導く光路折曲げプリズム(10a,11a)とを有す
る。そして、接合レンズ(13a,14a)と第2の負
メニスカスレンズ(15a)と凹面鏡(16a)とは光
軸(Ax1a)に沿って配置され、第1及び第2の負メニス
カスレンズ(14a,15a)は、平凸レンズ(13
a)の屈折力をψa とし、第1及び第2の負メニスカス
レンズ(14a,15a)の屈折力をψb とするとき、 −0.36 <ψb /ψa < 0 …(1) の条件を満足し、かつ第1及び第2の負メニスカスレン
ズ(14a,15a)の硝材のアッベ数をνとすると
き、第1及び第2の負メニスカスレンズ(14a,15
a)のうちの一方の硝材はν<45を満足し、他方の硝
材はν>45を満足するように構成される。
【0007】
【作用】上述の構成の如き本発明においては、十分なワ
ーキングディスタンスを確保しつつ収差補正、特に色収
差を補正して良好な結像性能を達成するために、上記条
件式(1)の如く、第1及び第2の負メニスカスレンズ
の屈折力の好適な範囲を規定している。この条件式
(1)は、第1及び第2の負メニスカスレンズのうち、
一方の硝材のアッベ数νをν<45とし、他方の硝材の
アッベ数をν>45とした際において、良好なる収差補
正、特に十分な色収差補正を達成するための条件であ
る。
ーキングディスタンスを確保しつつ収差補正、特に色収
差を補正して良好な結像性能を達成するために、上記条
件式(1)の如く、第1及び第2の負メニスカスレンズ
の屈折力の好適な範囲を規定している。この条件式
(1)は、第1及び第2の負メニスカスレンズのうち、
一方の硝材のアッベ数νをν<45とし、他方の硝材の
アッベ数をν>45とした際において、良好なる収差補
正、特に十分な色収差補正を達成するための条件であ
る。
【0008】ここで、条件式(1)の下限を下回る場合
には、第1及び第2の負メニスカスレンズの屈折力がそ
れぞれ負に強くなりすぎるため、色収差の補正不足を招
き好ましくない。また、条件式(1)の上限を上回る場
合には、色収差が補正過剰となるため好ましくない。さ
らに、一方の硝材のアッベ数νをν<45とし、他方の
硝材のアッベ数をν>45とする場合において、条件式
(1)の範囲を逸脱するときには、投影光学系のレンズ
構成枚数を増やすことなく、非点収差および像面湾曲の
補正を行うことが困難となるため好ましくない。
には、第1及び第2の負メニスカスレンズの屈折力がそ
れぞれ負に強くなりすぎるため、色収差の補正不足を招
き好ましくない。また、条件式(1)の上限を上回る場
合には、色収差が補正過剰となるため好ましくない。さ
らに、一方の硝材のアッベ数νをν<45とし、他方の
硝材のアッベ数をν>45とする場合において、条件式
(1)の範囲を逸脱するときには、投影光学系のレンズ
構成枚数を増やすことなく、非点収差および像面湾曲の
補正を行うことが困難となるため好ましくない。
【0009】なお、本発明において、硝材のアッベ数ν
は、該硝材のd線(587.6nm) に対する屈折率をnd と
し、該硝材のF線(486.1nm) に対する屈折率をnF と
し、該硝材のc線(656.3nm) に対する屈折率をnc とす
るとき、 ν=(nd −1)/(nF −nc ) で表されるものである。
は、該硝材のd線(587.6nm) に対する屈折率をnd と
し、該硝材のF線(486.1nm) に対する屈折率をnF と
し、該硝材のc線(656.3nm) に対する屈折率をnc とす
るとき、 ν=(nd −1)/(nF −nc ) で表されるものである。
【0010】また、本発明においては、第2の負メニス
カスレンズと凹面鏡との間にメニスカス補正レンズを配
置する構成が好ましく、このメニスカス補正レンズは、
凹面鏡とメニスカス補正レンズとの距離をDとし、凹面
鏡の曲率半径の絶対値をrとするとき、 D<0.3r …(2) を満足する構成であることが望ましい。
カスレンズと凹面鏡との間にメニスカス補正レンズを配
置する構成が好ましく、このメニスカス補正レンズは、
凹面鏡とメニスカス補正レンズとの距離をDとし、凹面
鏡の曲率半径の絶対値をrとするとき、 D<0.3r …(2) を満足する構成であることが望ましい。
【0011】このメニスカス補正レンズは、メニスカス
形状の微弱な屈折力を持つレンズであって、主にワーキ
ングディスタンス(光路折曲げプリズムと物体面若しく
は像面との間隔)を長くする際に発生する球面収差を補
正する機能を有する。ここで、メニスカス補正レンズが
上記条件式(2)の範囲から逸脱する場合、メニスカス
補正レンズと凹面鏡との間隔が広がりすぎ、球面収差を
補正できず、他の収差を発生させることになるため好ま
しくない。
形状の微弱な屈折力を持つレンズであって、主にワーキ
ングディスタンス(光路折曲げプリズムと物体面若しく
は像面との間隔)を長くする際に発生する球面収差を補
正する機能を有する。ここで、メニスカス補正レンズが
上記条件式(2)の範囲から逸脱する場合、メニスカス
補正レンズと凹面鏡との間隔が広がりすぎ、球面収差を
補正できず、他の収差を発生させることになるため好ま
しくない。
【0012】また、本発明においては、凹面鏡の曲率半
径をrとし、光路折曲げプリズムと物体面若しくは像面
との距離をwdとするとき、 wd/r≧0.013 …(3) を満足することが望ましい。ここで、条件式(3)の範
囲から外れる場合には、ワーキングディスタンスが短く
なり、装置構成上好ましくない。なお、距離wdは、光
路折曲げプリズムと平凸レンズとの間に空気間隔が存在
する場合には、この空気間隔と、光路折曲げプリズムと
物体面若しくは像面との距離との和である。
径をrとし、光路折曲げプリズムと物体面若しくは像面
との距離をwdとするとき、 wd/r≧0.013 …(3) を満足することが望ましい。ここで、条件式(3)の範
囲から外れる場合には、ワーキングディスタンスが短く
なり、装置構成上好ましくない。なお、距離wdは、光
路折曲げプリズムと平凸レンズとの間に空気間隔が存在
する場合には、この空気間隔と、光路折曲げプリズムと
物体面若しくは像面との距離との和である。
【0013】
【実施例】以下、図面を参照して本発明による実施例を
説明する。図1及び図2はそれぞれ本発明による投影露
光装置の一例を示すXY平面図及びXZ断面図である。
本実施例の投影露光装置は、例えば図1に示す如く、7
組の投影光学ユニットPLa〜PLgを有するものであ
る。
説明する。図1及び図2はそれぞれ本発明による投影露
光装置の一例を示すXY平面図及びXZ断面図である。
本実施例の投影露光装置は、例えば図1に示す如く、7
組の投影光学ユニットPLa〜PLgを有するものであ
る。
【0014】また、図2に示す如く、本実施例の投影露
光装置は、所定の回路パターンが形成されたマスクMを
載置し、かつ図中X方向に沿って移動可能に構成された
マスクステージMSと、ガラス基板から構成されるプレ
ートPを載置し、かつ図中X方向に沿って移動可能に構
成されたプレートステージPSとを有する。また、これ
らマスクステージMS及びプレートステージPSの間に
は、2組のダイソン型光学系から構成される投影光学ユ
ニットPLa〜PLgが配置されている。なお、図2に
おいては、投影光学ユニットPLa,PLbのみを図示
してある。ここで、投影光学ユニットPLaは、マスク
Mの等倍の正立正像(XY方向の横倍率が共に+1倍と
なる像)をプレートP上に形成する。
光装置は、所定の回路パターンが形成されたマスクMを
載置し、かつ図中X方向に沿って移動可能に構成された
マスクステージMSと、ガラス基板から構成されるプレ
ートPを載置し、かつ図中X方向に沿って移動可能に構
成されたプレートステージPSとを有する。また、これ
らマスクステージMS及びプレートステージPSの間に
は、2組のダイソン型光学系から構成される投影光学ユ
ニットPLa〜PLgが配置されている。なお、図2に
おいては、投影光学ユニットPLa,PLbのみを図示
してある。ここで、投影光学ユニットPLaは、マスク
Mの等倍の正立正像(XY方向の横倍率が共に+1倍と
なる像)をプレートP上に形成する。
【0015】そして、マスクMを基準として投影光学ユ
ニットPLa,PLbの反対側には、露光光を供給する
照明光学装置ISが設けられている。図2においては、
照明光学装置ISは、2次光源を形成するオプティカル
インテグレータ51a,51b、該オプティカルインテ
グレータ51a,51bからの光を集光するコンデンサ
レンズ52a,52b、該コンデンサレンズ52a,5
2bの焦点位置に配置される視野絞り53a,53b、
該視野絞り53a,53bの像をマスクM上に形成する
リレーレンズ系54a,56a,54b,56b及びリ
レーレンズ系内に配置される光路折曲げミラー55a,
55bを有する。尚、図2では、光源からオプティカル
インテグレータ51a,51bへ到る光路中に配置され
る部材を図示省略しているが、このような照明光学装置
ISとしては、本件出願人と同一出願人による特願平5-
161588号公報、特願平6-170087号公報に提案されている
ものを適用することができる。
ニットPLa,PLbの反対側には、露光光を供給する
照明光学装置ISが設けられている。図2においては、
照明光学装置ISは、2次光源を形成するオプティカル
インテグレータ51a,51b、該オプティカルインテ
グレータ51a,51bからの光を集光するコンデンサ
レンズ52a,52b、該コンデンサレンズ52a,5
2bの焦点位置に配置される視野絞り53a,53b、
該視野絞り53a,53bの像をマスクM上に形成する
リレーレンズ系54a,56a,54b,56b及びリ
レーレンズ系内に配置される光路折曲げミラー55a,
55bを有する。尚、図2では、光源からオプティカル
インテグレータ51a,51bへ到る光路中に配置され
る部材を図示省略しているが、このような照明光学装置
ISとしては、本件出願人と同一出願人による特願平5-
161588号公報、特願平6-170087号公報に提案されている
ものを適用することができる。
【0016】また、図1に戻って、照明光学装置IS
は、図中ハッチングで示す如く、マスクM上において略
台形状の領域内を照明する。マスクM上のこれらの領域
は、各投影光学ユニットPLa〜PLgにより等倍の正
立正像のもとでマスクM上に転写される。次に、図1及
び図2を参照して各投影光学ユニットPLa〜PLgを
説明するが、これらの投影光学ユニットPLa〜PLg
の構成は各々同一構成であるため、ここでは投影光学ユ
ニットPLaの構成のみ説明する。
は、図中ハッチングで示す如く、マスクM上において略
台形状の領域内を照明する。マスクM上のこれらの領域
は、各投影光学ユニットPLa〜PLgにより等倍の正
立正像のもとでマスクM上に転写される。次に、図1及
び図2を参照して各投影光学ユニットPLa〜PLgを
説明するが、これらの投影光学ユニットPLa〜PLg
の構成は各々同一構成であるため、ここでは投影光学ユ
ニットPLaの構成のみ説明する。
【0017】投影光学ユニットPLaは、光路折曲げプ
リズム10a,11aと、該光路折曲げプリズム10
a,11aに接合される平行平面板12aと、平凸レン
ズ13aと、該平凸レンズ13aに接合される負メニス
カスレンズ14aと、該負メニスカスレンズ14aと空
気間隔を以て配置される負メニスカスレンズ15aと、
表面鏡である凹面鏡16aとを有し、視野絞りFSa上
にマスクMの等倍の倒立像を形成する第1光学系と、光
路折曲げプリズム20a,21aと、該光路折曲げプリ
ズム20a,21aに接合される平行平面板22aと、
平凸レンズ23aと、該平凸レンズ23aに接合される
負メニスカスレンズ24aと、該負メニスカスレンズ2
4aと空気間隔を以て配置される負メニスカスレンズ2
5aと、表面鏡である凹面鏡26aとを有し、プレート
P上にマスクMの等倍の正立像を形成する第2光学系と
から構成される。
リズム10a,11aと、該光路折曲げプリズム10
a,11aに接合される平行平面板12aと、平凸レン
ズ13aと、該平凸レンズ13aに接合される負メニス
カスレンズ14aと、該負メニスカスレンズ14aと空
気間隔を以て配置される負メニスカスレンズ15aと、
表面鏡である凹面鏡16aとを有し、視野絞りFSa上
にマスクMの等倍の倒立像を形成する第1光学系と、光
路折曲げプリズム20a,21aと、該光路折曲げプリ
ズム20a,21aに接合される平行平面板22aと、
平凸レンズ23aと、該平凸レンズ23aに接合される
負メニスカスレンズ24aと、該負メニスカスレンズ2
4aと空気間隔を以て配置される負メニスカスレンズ2
5aと、表面鏡である凹面鏡26aとを有し、プレート
P上にマスクMの等倍の正立像を形成する第2光学系と
から構成される。
【0018】このとき、平凸レンズ13a、負メニスカ
スレンズ14a,15a及び凹面鏡16aは、X方向に
沿った光軸Ax1aに沿って設けられ、平凸レンズ23a、
負メニスカスレンズ24a,25a及び凹面鏡26a
は、X方向に沿った光軸Ax2aに沿って設けられている。
すなわち、第1及び第2光学系の各々の光軸Ax1a,Ax2a
は、マスクM及びプレートPとは交差しない。
スレンズ14a,15a及び凹面鏡16aは、X方向に
沿った光軸Ax1aに沿って設けられ、平凸レンズ23a、
負メニスカスレンズ24a,25a及び凹面鏡26a
は、X方向に沿った光軸Ax2aに沿って設けられている。
すなわち、第1及び第2光学系の各々の光軸Ax1a,Ax2a
は、マスクM及びプレートPとは交差しない。
【0019】ここで、簡単な光路について説明すると、
マスクMを介した照明光学装置からの露光光は、光路折
曲げプリズム10a、平行平面板12a、平凸レンズ1
3a、負メニスカスレンズ14a及び負メニスカスレン
ズ15aを順に介して、凹面鏡16aにて反射され、負
メニスカスレンズ15a、負メニスカスレンズ14a、
平凸レンズ12a及び光路折曲げプリズム11aを介し
て、視野絞りFSaに達する。この視野絞りFSaから
の光は、光路折曲げプリズム20a、平行平面板22
a、平凸レンズ23a、負メニスカスレンズ24a及び
負メニスカスレンズ25aを順に介して、凹面鏡26a
にて反射され、負メニスカスレンズ25a、負メニスカ
スレンズ24a、平凸レンズ22a及び光路折曲げプリ
ズム21aを介して、プレートP上に達する。
マスクMを介した照明光学装置からの露光光は、光路折
曲げプリズム10a、平行平面板12a、平凸レンズ1
3a、負メニスカスレンズ14a及び負メニスカスレン
ズ15aを順に介して、凹面鏡16aにて反射され、負
メニスカスレンズ15a、負メニスカスレンズ14a、
平凸レンズ12a及び光路折曲げプリズム11aを介し
て、視野絞りFSaに達する。この視野絞りFSaから
の光は、光路折曲げプリズム20a、平行平面板22
a、平凸レンズ23a、負メニスカスレンズ24a及び
負メニスカスレンズ25aを順に介して、凹面鏡26a
にて反射され、負メニスカスレンズ25a、負メニスカ
スレンズ24a、平凸レンズ22a及び光路折曲げプリ
ズム21aを介して、プレートP上に達する。
【0020】図1に戻って、光路折曲げプリズム10
a,11a及びこれらの光路折曲げプリズムに接合され
た平行平面板12aは、プリズム保持部材31aに一体
に保持されており、平凸レンズ13a及び負メニスカス
レンズ14aからなる接合レンズは、レンズ保持部材3
2aに保持されている。負メニスカスレンズ15aは、
レンズ保持部材33aに保持されており、凹面鏡16a
は、凹面鏡保持部材34aに保持されている。
a,11a及びこれらの光路折曲げプリズムに接合され
た平行平面板12aは、プリズム保持部材31aに一体
に保持されており、平凸レンズ13a及び負メニスカス
レンズ14aからなる接合レンズは、レンズ保持部材3
2aに保持されている。負メニスカスレンズ15aは、
レンズ保持部材33aに保持されており、凹面鏡16a
は、凹面鏡保持部材34aに保持されている。
【0021】図1及び図2において不図示ではあるが、
プリズム保持部材31aは、投影露光装置の本体に対し
て図中Z軸を中心として回転可能に設けられており、プ
リズム保持部材31aの回転により、プレートP上に形
成されるマスクMの像の回転位置ずれを補正することが
できる。なお、このような像の回転位置ずれの補正につ
いては、本件出願人と同一出願人による特願平6-329962
号公報にて提案されている。尚、プリズム保持部材31
aを投影露光装置の本体に固設し、レンズ保持部材32
a,33a及び凹面鏡保持部材34aを露光装置の本体
に対して図中Z軸を中心として回転可能に設けても良
い。
プリズム保持部材31aは、投影露光装置の本体に対し
て図中Z軸を中心として回転可能に設けられており、プ
リズム保持部材31aの回転により、プレートP上に形
成されるマスクMの像の回転位置ずれを補正することが
できる。なお、このような像の回転位置ずれの補正につ
いては、本件出願人と同一出願人による特願平6-329962
号公報にて提案されている。尚、プリズム保持部材31
aを投影露光装置の本体に固設し、レンズ保持部材32
a,33a及び凹面鏡保持部材34aを露光装置の本体
に対して図中Z軸を中心として回転可能に設けても良
い。
【0022】また、レンズ保持部材32a,33a及び
凹面鏡保持部材16aは、光軸Ax1aに沿った間隔が変更
可能となるように構成されている。これにより、製造誤
差による結像性能の劣化を補正することができる。さら
に、レンズ保持部材32a,33a及び凹面鏡保持部材
16aは、光軸Ax1aと垂直な方向(YZ方向)に沿って
微動可能に構成されている。これにより、製造誤差によ
る非対称収差を補正することができる。
凹面鏡保持部材16aは、光軸Ax1aに沿った間隔が変更
可能となるように構成されている。これにより、製造誤
差による結像性能の劣化を補正することができる。さら
に、レンズ保持部材32a,33a及び凹面鏡保持部材
16aは、光軸Ax1aと垂直な方向(YZ方向)に沿って
微動可能に構成されている。これにより、製造誤差によ
る非対称収差を補正することができる。
【0023】さて、図3乃至図10を参照して、本発明
による投影露光装置に適用される投影光学系の数値実施
例について説明する。図3は、第1実施例による投影光
学系のレンズ構成図であり、以下、図3を参照して第1
実施例の投影光学系の構成について説明する。図3にお
いて、第1実施例の投影光学系は、平行平面板L1 、平
凸レンズL2と該平凸レンズ側に凹面を向けた負メニス
カスレンズL3 とからなる接合レンズ成分、この接合レ
ンズ成分側に凹面を向けた負メニスカスレンズL4 、負
メニスカスL4 側に凹反射面を持つ凹面鏡M及び平行平
面板L1 に接合された光路折曲げプリズムP1,P2 を有
する。ここで、物体面Oからの光は、光路折曲げプリズ
ムP1 にて略90°偏向された後、平行平面板L1 、平
凸レンズL2 、負メニスカスL3 及び負メニスカスレン
ズL4 を順に介して、凹面鏡Mに達する。この凹面鏡M
にて反射された光は、負メニスカスレンズL4 、負メニ
スカスL3 、平凸レンズL2 及び平行平面板L1 を介し
て、光路折曲げプリズムP2 にて90°偏向されて像面
I上に達する。この像面I上には、物体面Oの等倍像が
形成される。
による投影露光装置に適用される投影光学系の数値実施
例について説明する。図3は、第1実施例による投影光
学系のレンズ構成図であり、以下、図3を参照して第1
実施例の投影光学系の構成について説明する。図3にお
いて、第1実施例の投影光学系は、平行平面板L1 、平
凸レンズL2と該平凸レンズ側に凹面を向けた負メニス
カスレンズL3 とからなる接合レンズ成分、この接合レ
ンズ成分側に凹面を向けた負メニスカスレンズL4 、負
メニスカスL4 側に凹反射面を持つ凹面鏡M及び平行平
面板L1 に接合された光路折曲げプリズムP1,P2 を有
する。ここで、物体面Oからの光は、光路折曲げプリズ
ムP1 にて略90°偏向された後、平行平面板L1 、平
凸レンズL2 、負メニスカスL3 及び負メニスカスレン
ズL4 を順に介して、凹面鏡Mに達する。この凹面鏡M
にて反射された光は、負メニスカスレンズL4 、負メニ
スカスL3 、平凸レンズL2 及び平行平面板L1 を介し
て、光路折曲げプリズムP2 にて90°偏向されて像面
I上に達する。この像面I上には、物体面Oの等倍像が
形成される。
【0024】次に、図4は第2実施例の投影光学系のレ
ンズ構成図であり、この図4を参照して第2実施例の投
影光学系の構成について説明する。図4において、第2
実施例の投影光学系は、平凸レンズL1 と該平凸レンズ
L 2 側に凹面を向けた負メニスカスレンズL2 とからな
る接合レンズ成分、この接合レンズ成分側に凹面を向け
た負メニスカスレンズL3 、この負メニスカスレンズ成
分L3 側に凹反射面を持つ凹面鏡及び平凸レンズL1 に
接合された光路折曲げプリズムP1,P2 を有する。本実
施例において、物体面Oからの光は、光路折曲げプリズ
ムP1 にて略90°偏向された後、平凸レンズL1 、負
メニスカスL 2 及び負メニスカスレンズL3 を順に介し
て凹面鏡Mに達する。この凹面鏡Mにて反射された光
は、負メニスカスレンズL3 、負メニスカスL2 及び平
凸レンズL1 を介して、光路折曲げプリズムP2 にて9
0°偏向されて像面I上に達する。この像面I上には、
物体面Oの等倍像が形成される。
ンズ構成図であり、この図4を参照して第2実施例の投
影光学系の構成について説明する。図4において、第2
実施例の投影光学系は、平凸レンズL1 と該平凸レンズ
L 2 側に凹面を向けた負メニスカスレンズL2 とからな
る接合レンズ成分、この接合レンズ成分側に凹面を向け
た負メニスカスレンズL3 、この負メニスカスレンズ成
分L3 側に凹反射面を持つ凹面鏡及び平凸レンズL1 に
接合された光路折曲げプリズムP1,P2 を有する。本実
施例において、物体面Oからの光は、光路折曲げプリズ
ムP1 にて略90°偏向された後、平凸レンズL1 、負
メニスカスL 2 及び負メニスカスレンズL3 を順に介し
て凹面鏡Mに達する。この凹面鏡Mにて反射された光
は、負メニスカスレンズL3 、負メニスカスL2 及び平
凸レンズL1 を介して、光路折曲げプリズムP2 にて9
0°偏向されて像面I上に達する。この像面I上には、
物体面Oの等倍像が形成される。
【0025】次に図5を参照して第3実施例による投影
光学系を説明する。図5は第3実施例の投影光学系のレ
ンズ構成図である。図5において、第3実施例の投影光
学系は、平行平面板L1 、平凸レンズL2と該平凸レン
ズ側に凹面を向けた負メニスカスレンズL3 とからなる
接合レンズ成分、この接合レンズ成分側に凹面を向けた
負メニスカスレンズL4 、負メニスカスL4 側に凹反射
面を持つ凹面鏡M及び平行平面板L1 に接合された光路
折曲げプリズムP1,P2 を有する。そして、本実施例に
おいては、凹面鏡Mと負メニスカスレンズL4 との間の
光路中には、メニスカス補正レンズとして、この負メニ
スカスレンズL4 側に凹面を向けたメニスカス形状のレ
ンズL5 が配置されている。本実施例において、物体面
Oからの光は、光路折曲げプリズムP1 にて略90°偏
向された後、平行平面板L1 、平凸レンズL2 、負メニ
スカスL3 、負メニスカスレンズL4 及びレンズL5 を
順に介して、凹面鏡Mに達する。この凹面鏡Mにて反射
された光は、レンズL5 、負メニスカスレンズL4 、負
メニスカスL3 、平凸レンズL2 及び平行平面板L1 を
介して、光路折曲げプリズムP2にて90°偏向されて
像面I上に達する。この像面I上には、物体面Oの等倍
像が形成される。
光学系を説明する。図5は第3実施例の投影光学系のレ
ンズ構成図である。図5において、第3実施例の投影光
学系は、平行平面板L1 、平凸レンズL2と該平凸レン
ズ側に凹面を向けた負メニスカスレンズL3 とからなる
接合レンズ成分、この接合レンズ成分側に凹面を向けた
負メニスカスレンズL4 、負メニスカスL4 側に凹反射
面を持つ凹面鏡M及び平行平面板L1 に接合された光路
折曲げプリズムP1,P2 を有する。そして、本実施例に
おいては、凹面鏡Mと負メニスカスレンズL4 との間の
光路中には、メニスカス補正レンズとして、この負メニ
スカスレンズL4 側に凹面を向けたメニスカス形状のレ
ンズL5 が配置されている。本実施例において、物体面
Oからの光は、光路折曲げプリズムP1 にて略90°偏
向された後、平行平面板L1 、平凸レンズL2 、負メニ
スカスL3 、負メニスカスレンズL4 及びレンズL5 を
順に介して、凹面鏡Mに達する。この凹面鏡Mにて反射
された光は、レンズL5 、負メニスカスレンズL4 、負
メニスカスL3 、平凸レンズL2 及び平行平面板L1 を
介して、光路折曲げプリズムP2にて90°偏向されて
像面I上に達する。この像面I上には、物体面Oの等倍
像が形成される。
【0026】図6を参照して第4実施例による投影光学
系を説明する。図6は第4実施例の投影光学系のレンズ
構成図である。図6において、第4実施例の投影光学系
は、上述の第3実施例と類似した構成を有するが、凹面
鏡Mと負メニスカスレンズL4 との間に配置されたレン
ズL5が凹面鏡M側に凹面を向けたメニスカス形状で構
成される点で異なるものである。
系を説明する。図6は第4実施例の投影光学系のレンズ
構成図である。図6において、第4実施例の投影光学系
は、上述の第3実施例と類似した構成を有するが、凹面
鏡Mと負メニスカスレンズL4 との間に配置されたレン
ズL5が凹面鏡M側に凹面を向けたメニスカス形状で構
成される点で異なるものである。
【0027】以下の表2乃至表5に本発明による各実施
例の諸元の値と条件対応値とを掲げる。但し、左端の数
字は物体面O側(第1面側)から凹面鏡Mへ向かう順序
を表し、Rはレンズ面の曲率半径、Dはレンズ面間隔、
素子番号は図3乃至図6における各レンズの参照符号を
表す。表1乃至表4において示す硝材のg線(435.8nm)
における屈折率ng および硝材のd線(587.6nm) に対す
る屈折率をnd とし、硝材のF線(486.1nm) に対する屈
折率をnF とし、硝材のc線(656.3nm) に対する屈折率
をnc とするとき、ν=(nd −1)/(nF −nc )
で表されるアッベ数νは以下の表1の通りである。
例の諸元の値と条件対応値とを掲げる。但し、左端の数
字は物体面O側(第1面側)から凹面鏡Mへ向かう順序
を表し、Rはレンズ面の曲率半径、Dはレンズ面間隔、
素子番号は図3乃至図6における各レンズの参照符号を
表す。表1乃至表4において示す硝材のg線(435.8nm)
における屈折率ng および硝材のd線(587.6nm) に対す
る屈折率をnd とし、硝材のF線(486.1nm) に対する屈
折率をnF とし、硝材のc線(656.3nm) に対する屈折率
をnc とするとき、ν=(nd −1)/(nF −nc )
で表されるアッベ数νは以下の表1の通りである。
【0028】
【表1】 硝材 ng ν SK5 1.60101 61.2 LaK8 1.72940 53.9 F2 1.64430 36.3 BK7 1.52667 64.2 石英ガラス 1.46674 なお、本発明の投影光学系は、凹面鏡Mに関して完全対
称形の光学系であるため、諸元の値は、物体面O側から
凹面鏡Mまでのものを示している。
称形の光学系であるため、諸元の値は、物体面O側から
凹面鏡Mまでのものを示している。
【0029】また、表2乃至表5において、yは像高、
NAは投影光学系の開口数、WDは光路折曲げプリズム
の物体面O側の面と物体面Oとの間隔(作動距離)、ψ
a は平凸レンズの屈折力、ψb は第1及び第2の負メニ
スカスレンズの屈折力、rは凹面鏡の曲率半径、dは凹
面鏡Mとメニスカス補正レンズL5 との距離をそれぞれ
表す。
NAは投影光学系の開口数、WDは光路折曲げプリズム
の物体面O側の面と物体面Oとの間隔(作動距離)、ψ
a は平凸レンズの屈折力、ψb は第1及び第2の負メニ
スカスレンズの屈折力、rは凹面鏡の曲率半径、dは凹
面鏡Mとメニスカス補正レンズL5 との距離をそれぞれ
表す。
【0030】
【表2】〔第1実施例〕 2y= 62mm NA= 0.1 WD= 6.20 R D 硝材 素子番号 1 ∞ 41.30 SK5 P1 (P2 ) 2 ∞ 8.00 石英 L1 3 ∞ 0.30 4 ∞ 14.00 石英 L2 5 -65.02 11.80 LaK8 L3 6 -79.86 1.30 7 -79.41 43.08 F2 L4 8 -120.57 373.41 9 -500.00 M 〔第1実施例の条件対応値〕 ψb /ψa = -0.194 (L3 /L2 ) ψb /ψa = -0.227 (L4 /L2 ) ν= 53.8 (L3 ) ν= 36.2 (L4 ) wd/r= 0.0130
【0031】
【表3】〔第2実施例〕 2y= 60mm NA= 0.1 WD= 6.00 R D 硝材 素子番号 1 ∞ 40.00 LaK8 P1 (P2 ) 2 ∞ 15.50 BK7 L1 3 -54.27 32.65 F2 L2 4 -77.46 2.00 5 -78.69 34.23 LaK8 L3 6 -124.94 323.54 7 -452.00 M 〔第2実施例の条件対応値〕 ψb /ψa = -0.164 (L2 /L1 ) ψb /ψa = -0.245 (L3 /L1 ) ν= 36.2 (L2 ) ν= 53.8 (L3 ) wd/r= 0.0133
【0032】
【表4】〔第3実施例〕 2y= 73mm NA= 0.1 WD= 11.41 R D 硝材 素子番号 1 ∞ 49.39 SK5 P1 (P2 ) 2 ∞ 7.98 石英 L1 3 ∞ 0.34 4 ∞ 16.54 石英 L2 5 -76.02 10.27 LaK8 L3 6 -98.30 8.21 7 -98.07 27.21 F2 L4 8 -138.44 408.88 9 -339.60 11.41 LaK8 L5 10 -342.27 14.29 11 -570.31 M 〔第3実施例の条件対応値〕 ψb /ψa = -0.288 (L3 /L2 ) ψb /ψa = -0.229 (L4 /L2 ) ν= 53.8 (L3 ) ν= 36.2 (L4 ) D= 14.29 r= 570.31 wd/r= 0.0206
【0033】
【表5】〔第4実施例〕 2y= 64mm NA= 0.1 WD= 13.00 R D 硝材 素子番号 1 ∞ 43.30 SK5 P1 (P2 ) 2 ∞ 7.00 石英 L1 3 ∞ 0.30 4 ∞ 14.50 石英 L2 5 -68.58 9.00 LaK8 L3 6 -93.81 7.20 7 -92.62 36.83 F2 L4 8 -120.75 224.94 9 600.00 10.00 LaK8 L5 10 599.06 140.00 11 -500.00 M 〔第4実施例の条件対応値〕 ψb /ψa = -0.354 (L3 /L2 ) ψb /ψa = -0.116 (L4 /L2 ) ν= 53.8 (L3 ) ν= 36.2 (L4 ) D= 140.00 r= 500.00 wd/r= 0.0266 以上の通り、上述の各実施例の投影光学系においては、
比較的広い露光領域を達成しているにもかかわらず、十
分なるワーキングディスタンスが確保されていることが
分かる。
比較的広い露光領域を達成しているにもかかわらず、十
分なるワーキングディスタンスが確保されていることが
分かる。
【0034】また、図7乃至図10は、それぞれ本発明
による第1乃至第4実施例における諸収差図を示してい
る。ここで、各収差図において、NAは投影光学系の開
口数、Yは像高、Gはg線(436nm) 、Hはh線(405nm)
、Eはe線(546nm) 、Lは He-Neレーザの波長である6
33nm をそれぞれ示している。また、各非点収差図中に
おいて、点線はメリジオナル像面、実線はサジタル像面
を示している。
による第1乃至第4実施例における諸収差図を示してい
る。ここで、各収差図において、NAは投影光学系の開
口数、Yは像高、Gはg線(436nm) 、Hはh線(405nm)
、Eはe線(546nm) 、Lは He-Neレーザの波長である6
33nm をそれぞれ示している。また、各非点収差図中に
おいて、点線はメリジオナル像面、実線はサジタル像面
を示している。
【0035】各収差図の比較より、各実施例とも諸収差
がバランス良く補正され、特に広帯域にわたる色収差が
極めて良好に補正されていることが理解される。なお、
上述の如き各実施例の投影光学系においては、露光波長
域において高透過率を有する硝材を用いているため、露
光光の損失を低減でき、かつ結像性能の照射変動(硝材
が露光光を吸収して性質が変化することによる光学性能
の変動)を低減できる優れた効果を奏する。
がバランス良く補正され、特に広帯域にわたる色収差が
極めて良好に補正されていることが理解される。なお、
上述の如き各実施例の投影光学系においては、露光波長
域において高透過率を有する硝材を用いているため、露
光光の損失を低減でき、かつ結像性能の照射変動(硝材
が露光光を吸収して性質が変化することによる光学性能
の変動)を低減できる優れた効果を奏する。
【0036】また、図1及び図2では、数値実施例の投
影光学系が組み合わされた複数の投影光学ユニットから
なる投影露光装置に適用したが、このような投影光学ユ
ニットを単数持つ投影露光装置に適用しても良く、さら
には、数値実施例の投影光学系のみを有する投影露光装
置に適用しても良い。
影光学系が組み合わされた複数の投影光学ユニットから
なる投影露光装置に適用したが、このような投影光学ユ
ニットを単数持つ投影露光装置に適用しても良く、さら
には、数値実施例の投影光学系のみを有する投影露光装
置に適用しても良い。
【0037】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、十分なワー
キングディスタンスを確保しているにも拘わらず良好な
結像性能を達成できる。
キングディスタンスを確保しているにも拘わらず良好な
結像性能を達成できる。
【図1】本発明による投影露光装置の概略的な構成を示
すXY平面図である。
すXY平面図である。
【図2】本発明による投影露光装置の概略的な構成を示
すXZ断面図である。
すXZ断面図である。
【図3】本発明による第1実施例のレンズ構成図であ
る。
る。
【図4】本発明による第2実施例のレンズ構成図であ
る。
る。
【図5】本発明による第3実施例のレンズ構成図であ
る。
る。
【図6】本発明による第4実施例のレンズ構成図であ
る。
る。
【図7】第1実施例の諸収差図である。
【図8】第2実施例の諸収差図である。
【図9】第3実施例の諸収差図である。
【図10】第4実施例の諸収差図である。
P1,P2 … 光路折曲げプリズム、 M … 凹面鏡、
Claims (3)
- 【請求項1】第1物体の等倍像を第2物体上に投影露光
する投影露光装置において、 前記第1及び第2物体とは交差しない光軸を有し、かつ
前記第1物体と前記第2物体との間に配置された投影光
学系を有し、 該投影光学系は、平凸レンズ及び該平凸レンズ側に凹面
を向けた第1の負メニスカスレンズとからなる接合レン
ズと、該接合レンズと空気間隔を挟んで配置されて該接
合レンズ側に凹面を向けた第2の負メニスカスレンズ
と、該第2の負メニスカスレンズと空気間隔を挟んで配
置されて該第2の負メニスカスレンズ側に凹面を向けた
凹面鏡と、前記第1物体からの光を前記平凸レンズへ導
くと共に、前記平凸レンズを介した前記凹面鏡からの光
を前記第2物体上に導く光路折曲げプリズムとを有し、 前記接合レンズと前記第2の負メニスカスレンズと前記
凹面鏡とは前記光軸に沿って配置され、 前記第1及び第2の負メニスカスレンズは、前記平凸レ
ンズの屈折力をψa とし、前記第1及び第2の負メニス
カスレンズの屈折力をψb とするとき、 −0.36 <ψb /ψa < 0 の条件を満足し、かつ前記第1及び第2の負メニスカス
レンズの硝材のアッベ数をνとするとき、前記第1及び
第2の負メニスカスレンズのうちの一方の硝材はν<4
5を満足し、他方の硝材はν>45を満足することを特
徴とする投影露光装置。 - 【請求項2】前記投影光学系は、前記第2の負メニスカ
スレンズと前記凹面鏡との間に配置されるメニスカス補
正レンズをさらに有し、 該メニスカス補正レンズは、前記凹面鏡と前記メニスカ
ス補正レンズとの距離をDとし、前記凹面鏡の曲率半径
の絶対値をrとするとき、 D<0.3r を満足することを特徴とする請求項1記載の投影露光装
置。 - 【請求項3】前記凹面鏡の曲率半径をrとし、前記光路
折曲げプリズムと物体面若しくは像面との距離をwdと
するとき、 wd/r≧0.013 を満足することを特徴とする請求項1記載の投影露光装
置。
Priority Applications (4)
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000039557A (ja) * | 1998-05-21 | 2000-02-08 | Nikon Corp | 投影光学系、投影光学装置、走査型露光装置、光加工方法および露光方法 |
| JP2002023055A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-01-23 | Nikon Corp | 結像光学系および該結像光学系を備えた露光装置 |
| KR100567080B1 (ko) * | 1998-07-03 | 2006-03-31 | 세끼노스 가부시키가이샤 | 투영렌즈장치 |
| WO2008006265A1 (en) * | 2006-07-04 | 2008-01-17 | Shanghai Micro Electronics Equipment Co., Ltd. | Large working distance unit-magnification projection optical system |
| JP2015219522A (ja) * | 2014-05-19 | 2015-12-07 | ウルトラテック インク | 紫外線損傷に対する感受性を減少させたウイン−ダイソン投影レンズ |
| JP2016080870A (ja) * | 2014-10-17 | 2016-05-16 | 財団法人國家實驗研究院 | 共役共通光路リソグラフィレンズ |
| JP2022022912A (ja) * | 2020-07-10 | 2022-02-07 | キヤノン株式会社 | 露光装置および物品製造方法 |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6157497A (en) * | 1993-06-30 | 2000-12-05 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
| US5585972A (en) * | 1995-02-15 | 1996-12-17 | Ultratech Stepper, Inc. | Arbitrarily wide lens array with an image field to span the width of a substrate |
| US7126137B2 (en) * | 1998-05-05 | 2006-10-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system with field mirrors for producing uniform scanning energy |
| US6947124B2 (en) | 1998-05-05 | 2005-09-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
| US6859328B2 (en) * | 1998-05-05 | 2005-02-22 | Carl Zeiss Semiconductor | Illumination system particularly for microlithography |
| US7329886B2 (en) * | 1998-05-05 | 2008-02-12 | Carl Zeiss Smt Ag | EUV illumination system having a plurality of light sources for illuminating an optical element |
| US6947120B2 (en) * | 1998-05-05 | 2005-09-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
| US7109497B2 (en) * | 1998-05-05 | 2006-09-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
| USRE42065E1 (en) | 1998-05-05 | 2011-01-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
| US7186983B2 (en) * | 1998-05-05 | 2007-03-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
| US7142285B2 (en) * | 1998-05-05 | 2006-11-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
| US20070030948A1 (en) * | 1998-05-05 | 2007-02-08 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system with field mirrors for producing uniform scanning energy |
| DE19935404A1 (de) | 1999-07-30 | 2001-02-01 | Zeiss Carl Fa | Beleuchtungssystem mit mehreren Lichtquellen |
| DE19903807A1 (de) * | 1998-05-05 | 1999-11-11 | Zeiss Carl Fa | Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie |
| JP5205683B2 (ja) * | 2000-04-19 | 2013-06-05 | 株式会社ニコン | 光学装置、露光装置、および露光方法 |
| JP2002083766A (ja) | 2000-06-19 | 2002-03-22 | Nikon Corp | 投影光学系、該光学系の製造方法、及び前記光学系を備えた投影露光装置 |
| US7136234B2 (en) * | 2000-09-12 | 2006-11-14 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Broad band DUV, VUV long-working distance catadioptric imaging system |
| US6842298B1 (en) * | 2000-09-12 | 2005-01-11 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Broad band DUV, VUV long-working distance catadioptric imaging system |
| DE10118047A1 (de) * | 2001-04-11 | 2002-10-17 | Zeiss Carl | Katadioptrisches Objektiv |
| DE10138284A1 (de) * | 2001-08-10 | 2003-02-27 | Zeiss Carl | Beleuchtungssystem mit genesteten Kollektoren |
| TWI240850B (en) * | 2001-12-26 | 2005-10-01 | Pentax Corp | Projection aligner |
| US6879383B2 (en) * | 2002-12-27 | 2005-04-12 | Ultratech, Inc. | Large-field unit-magnification projection system |
| US6813098B2 (en) | 2003-01-02 | 2004-11-02 | Ultratech, Inc. | Variable numerical aperture large-field unit-magnification projection system |
| US7180658B2 (en) * | 2003-02-21 | 2007-02-20 | Kla-Tencor Technologies Corporation | High performance catadioptric imaging system |
| US6863403B2 (en) | 2003-05-27 | 2005-03-08 | Ultratech, Inc. | Deep ultraviolet unit-magnification projection optical system and projection exposure apparatus |
| US7148953B2 (en) * | 2004-11-01 | 2006-12-12 | Ultratech, Inc. | Apochromatic unit-magnification projection optical system |
| US20070247729A1 (en) * | 2006-04-25 | 2007-10-25 | Rudolph Technologies, Inc. | Reflective objective |
| CN100388056C (zh) * | 2006-06-02 | 2008-05-14 | 上海微电子装备有限公司 | 一种投影物镜光学系统 |
| EP1912098B1 (en) * | 2006-10-12 | 2012-04-25 | Carl Zeiss SMT GmbH | Unit magnification projection objective |
| US8830590B2 (en) | 2012-05-30 | 2014-09-09 | Ultratech, Inc. | Unit magnification large-format catadioptric lens for microlithography |
| US9341951B2 (en) | 2012-12-21 | 2016-05-17 | Ultratech, Inc. | Wynn-dyson imaging system with reduced thermal distortion |
| US9488811B2 (en) | 2013-08-20 | 2016-11-08 | Ultratech, Inc. | Wynne-Dyson optical system with variable magnification |
| US11175487B2 (en) * | 2017-06-19 | 2021-11-16 | Suss Microtec Photonic Systems Inc. | Optical distortion reduction in projection systems |
| US10894512B2 (en) | 2019-04-11 | 2021-01-19 | Gregory J. Phillips | Side-facing side view mirror brake lights |
| TWI757732B (zh) | 2020-05-05 | 2022-03-11 | 大立光電股份有限公司 | 攝像用光學透鏡組、取像裝置及電子裝置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4103989A (en) * | 1977-02-07 | 1978-08-01 | Seymour Rosin | Unit-power concentric optical systems |
| US4171870A (en) * | 1977-05-06 | 1979-10-23 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Compact image projection apparatus |
| US4171871A (en) * | 1977-06-30 | 1979-10-23 | International Business Machines Corporation | Achromatic unit magnification optical system |
| US4391494A (en) * | 1981-05-15 | 1983-07-05 | General Signal Corporation | Apparatus for projecting a series of images onto dies of a semiconductor wafer |
| US4425037A (en) * | 1981-05-15 | 1984-01-10 | General Signal Corporation | Apparatus for projecting a series of images onto dies of a semiconductor wafer |
| US5031977A (en) * | 1989-12-27 | 1991-07-16 | General Signal Corporation | Deep ultraviolet (UV) lens for use in a photolighography system |
| US5298939A (en) * | 1991-11-04 | 1994-03-29 | Swanson Paul A | Method and apparatus for transfer of a reticle pattern onto a substrate by scanning |
| JP3348467B2 (ja) * | 1993-06-30 | 2002-11-20 | 株式会社ニコン | 露光装置及び方法 |
| JP3666606B2 (ja) * | 1993-12-06 | 2005-06-29 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
| US5585972A (en) * | 1995-02-15 | 1996-12-17 | Ultratech Stepper, Inc. | Arbitrarily wide lens array with an image field to span the width of a substrate |
-
1995
- 1995-02-02 JP JP7015609A patent/JPH08211294A/ja active Pending
-
1996
- 1996-01-31 US US08/594,539 patent/US5805356A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-02-01 KR KR1019960002482A patent/KR960032097A/ko not_active Withdrawn
- 1996-02-02 EP EP96101527A patent/EP0725296A3/en not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000039557A (ja) * | 1998-05-21 | 2000-02-08 | Nikon Corp | 投影光学系、投影光学装置、走査型露光装置、光加工方法および露光方法 |
| KR100567080B1 (ko) * | 1998-07-03 | 2006-03-31 | 세끼노스 가부시키가이샤 | 투영렌즈장치 |
| JP2002023055A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-01-23 | Nikon Corp | 結像光学系および該結像光学系を備えた露光装置 |
| WO2008006265A1 (en) * | 2006-07-04 | 2008-01-17 | Shanghai Micro Electronics Equipment Co., Ltd. | Large working distance unit-magnification projection optical system |
| JP2015219522A (ja) * | 2014-05-19 | 2015-12-07 | ウルトラテック インク | 紫外線損傷に対する感受性を減少させたウイン−ダイソン投影レンズ |
| JP2016080870A (ja) * | 2014-10-17 | 2016-05-16 | 財団法人國家實驗研究院 | 共役共通光路リソグラフィレンズ |
| JP2022022912A (ja) * | 2020-07-10 | 2022-02-07 | キヤノン株式会社 | 露光装置および物品製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5805356A (en) | 1998-09-08 |
| EP0725296A2 (en) | 1996-08-07 |
| EP0725296A3 (en) | 1997-04-23 |
| KR960032097A (ko) | 1996-09-17 |
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