JPH08211423A - 偏向装置及びそれを用いた画像シフト型撮像装置 - Google Patents
偏向装置及びそれを用いた画像シフト型撮像装置Info
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- JPH08211423A JPH08211423A JP7017172A JP1717295A JPH08211423A JP H08211423 A JPH08211423 A JP H08211423A JP 7017172 A JP7017172 A JP 7017172A JP 1717295 A JP1717295 A JP 1717295A JP H08211423 A JPH08211423 A JP H08211423A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 機械的振動を用いずに光を偏向させ、低電圧
駆動で且つ安価な偏向装置を提供する。 【構成】 平行平板の電気光学結晶Ｃ1とその相対する
表面に形成した透明電極Ｔ1、Ｔ2とからなる偏向素子１
と、透明電極Ｔ1にプラス、透明電極Ｔ2にマイナスの電
圧を印加する直流の駆動電圧源とを備える。光軸方向に
平行な電場を電気光学結晶Ｃ1に印加するように偏向素
子１を配置する。
駆動で且つ安価な偏向装置を提供する。 【構成】 平行平板の電気光学結晶Ｃ1とその相対する
表面に形成した透明電極Ｔ1、Ｔ2とからなる偏向素子１
と、透明電極Ｔ1にプラス、透明電極Ｔ2にマイナスの電
圧を印加する直流の駆動電圧源とを備える。光軸方向に
平行な電場を電気光学結晶Ｃ1に印加するように偏向素
子１を配置する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＴＶカメラやイメージ
スキャナ等に用いられる偏向装置及びそれを用いた画像
シフト型撮像装置に関し、更に詳しくは、電気光学結晶
を透明電極に挟んだ構造の偏向素子とその駆動手段とを
備えた偏向装置と、それを用いて撮像素子への結像を撮
像素子に対して相対的にずらす画像シフト型撮像装置に
関する。
スキャナ等に用いられる偏向装置及びそれを用いた画像
シフト型撮像装置に関し、更に詳しくは、電気光学結晶
を透明電極に挟んだ構造の偏向素子とその駆動手段とを
備えた偏向装置と、それを用いて撮像素子への結像を撮
像素子に対して相対的にずらす画像シフト型撮像装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】映像の世界はＨＤＴＶに代表されるよう
に高精細化に向かっており、ＣＣＤをはじめとする撮像
素子は小型化・高解像度化が要求されている。しかしな
がら、ＣＣＤ撮像素子の高精細化は高度な半導体微細加
工技術が必要であり、設備投資の増大と歩留りの低下に
よってコスト高を招いている。また、ＣＣＤ撮像素子の
高密度化によって１セルの体積が極微小となり、信号レ
ベルの低下によりショットノイズが無視できなくなる。
に高精細化に向かっており、ＣＣＤをはじめとする撮像
素子は小型化・高解像度化が要求されている。しかしな
がら、ＣＣＤ撮像素子の高精細化は高度な半導体微細加
工技術が必要であり、設備投資の増大と歩留りの低下に
よってコスト高を招いている。また、ＣＣＤ撮像素子の
高密度化によって１セルの体積が極微小となり、信号レ
ベルの低下によりショットノイズが無視できなくなる。
【０００３】このため、撮像素子の集積度はそのままで
解像度を向上させる技術が検討されている。最も効果的
な方法は、撮像素子と被写体像との相対位置を変調させ
ることによる高解像度化である。まず相対位置をずらさ
ない場合の画像情報をメモリに蓄積しておく、次に撮像
素子上の被写体像を画像ピッチの半分ずらして画像情報
を取り込む。両者の画像情報から２倍の解像度をもった
画像情報を得ることができる。結像位置をずらすため
に、偏向装置が用いられる。
解像度を向上させる技術が検討されている。最も効果的
な方法は、撮像素子と被写体像との相対位置を変調させ
ることによる高解像度化である。まず相対位置をずらさ
ない場合の画像情報をメモリに蓄積しておく、次に撮像
素子上の被写体像を画像ピッチの半分ずらして画像情報
を取り込む。両者の画像情報から２倍の解像度をもった
画像情報を得ることができる。結像位置をずらすため
に、偏向装置が用いられる。
【０００４】従来技術の偏向装置としては、メカニカル
な方式とノンメカニカルな方式がある。メカニカルな方
式は電圧素子等を用いて光学系に機械的振動を与えるも
のであり、光学系内の光路を変化させるものとＣＣＤ等
の撮像素子を移動させるものと被写体を移動させるもの
がある。光学系内の光路を変化させるものは、図１２に
示すように、レンズ５０と撮像素子５２からなる光学系
内に透明な硝子板５１を挿入し、該硝子板５１を傾ける
ことによって結像をずらす方式（特開昭63-284980号公
報参照）、２枚の透明平板の間に屈折率をもつ透明液体
を充填し、周囲を蛇腹のように構成して頂角を可変でき
る構造のプリズムを光路に配置する方式、ミラーを振動
させて反射方向をずらし結像をずらす方式（特開昭63-1
93678号公報参照）が提案されている。撮像素子自体を
移動させるものは、図１３に示すように、圧電アクチュ
エータ５３上に撮像素子５２を乗せて移動させる方式が
ある（特公平2-45874号公報参照）。被写体を動かす方
式は振動板などで原稿を振動させる方式（特開平3-1732
77号公報参照）が提案されている。
な方式とノンメカニカルな方式がある。メカニカルな方
式は電圧素子等を用いて光学系に機械的振動を与えるも
のであり、光学系内の光路を変化させるものとＣＣＤ等
の撮像素子を移動させるものと被写体を移動させるもの
がある。光学系内の光路を変化させるものは、図１２に
示すように、レンズ５０と撮像素子５２からなる光学系
内に透明な硝子板５１を挿入し、該硝子板５１を傾ける
ことによって結像をずらす方式（特開昭63-284980号公
報参照）、２枚の透明平板の間に屈折率をもつ透明液体
を充填し、周囲を蛇腹のように構成して頂角を可変でき
る構造のプリズムを光路に配置する方式、ミラーを振動
させて反射方向をずらし結像をずらす方式（特開昭63-1
93678号公報参照）が提案されている。撮像素子自体を
移動させるものは、図１３に示すように、圧電アクチュ
エータ５３上に撮像素子５２を乗せて移動させる方式が
ある（特公平2-45874号公報参照）。被写体を動かす方
式は振動板などで原稿を振動させる方式（特開平3-1732
77号公報参照）が提案されている。
【０００５】ノンメカニカルな方式は機械的力を与えな
いものであり、大きく分けて２つの方式が検討されてい
る。一つは、図１４に示すように、複屈折板中での常光
と異常光の伝播方向の差を利用するものである。入射光
をレンズ５０によって平行光とし、偏光板５３によって
光の偏光面を一方向に揃え、その後偏光面が回転可能な
素子５４に通し、さらに複屈折板５５を通して撮像素子
５２に結像させる。複屈折板５５は常光と異常光によっ
て光路が異なる。つまり、偏光面を９０度回転させると
光路が変わり、結像を変位させることが可能になる。偏
光面を回転させるには、電気的に屈折率の異方性を変化
できる素子が用いられており、液晶を用いた場合と電気
光学効果を用いた場合が提案されている。メカニカルな
方式は連続的に結像を変位させることが可能なため、ｎ
分の１づつ変位させることによりｎ倍の高精細化が可能
であるが、偏光面の回転によるノンメカニカルな方式は
常光を異常光の光路差を利用するため、２倍の高精細化
までが可能である（特開昭62-157482号公報参照）。他
の方式は、電気光学結晶を、図１５示すように、楔型で
互いに結晶軸を逆向きに貼り合わせた素子５６を用い、
光軸に対して垂直に電場を印加して上下方向に屈折率の
連続的変化を誘起し、光の伝播方向を変化させるもので
ある（特開昭62-15977及び特開昭62-159581号公報参
照）。
いものであり、大きく分けて２つの方式が検討されてい
る。一つは、図１４に示すように、複屈折板中での常光
と異常光の伝播方向の差を利用するものである。入射光
をレンズ５０によって平行光とし、偏光板５３によって
光の偏光面を一方向に揃え、その後偏光面が回転可能な
素子５４に通し、さらに複屈折板５５を通して撮像素子
５２に結像させる。複屈折板５５は常光と異常光によっ
て光路が異なる。つまり、偏光面を９０度回転させると
光路が変わり、結像を変位させることが可能になる。偏
光面を回転させるには、電気的に屈折率の異方性を変化
できる素子が用いられており、液晶を用いた場合と電気
光学効果を用いた場合が提案されている。メカニカルな
方式は連続的に結像を変位させることが可能なため、ｎ
分の１づつ変位させることによりｎ倍の高精細化が可能
であるが、偏光面の回転によるノンメカニカルな方式は
常光を異常光の光路差を利用するため、２倍の高精細化
までが可能である（特開昭62-157482号公報参照）。他
の方式は、電気光学結晶を、図１５示すように、楔型で
互いに結晶軸を逆向きに貼り合わせた素子５６を用い、
光軸に対して垂直に電場を印加して上下方向に屈折率の
連続的変化を誘起し、光の伝播方向を変化させるもので
ある（特開昭62-15977及び特開昭62-159581号公報参
照）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】メカニカルな方式は光
学系、機械系、電子回路系に与える機械的振動が、長期
的な信頼性に悪影響を与えたり、振動音を発生させたり
するデメリットが指摘されている。また圧電素子にはヒ
ステリシスがあるため、画像信号取り出しのタイミング
取りが困難であった。
学系、機械系、電子回路系に与える機械的振動が、長期
的な信頼性に悪影響を与えたり、振動音を発生させたり
するデメリットが指摘されている。また圧電素子にはヒ
ステリシスがあるため、画像信号取り出しのタイミング
取りが困難であった。
【０００７】またノンメカニカルな方式は、電気光学結
晶あるいは液晶を用いた偏光面の回転は変位量が一定で
あるため、一方向につき２倍以上の高解像度化は不可能
であり、更に複屈折板が必要でありためコスト高となる
ことが欠点であった。複屈折板を用いず、楔型に互いに
結晶軸を逆向きに貼り合わせた素子を用いる方式は、電
圧の印加方向が光軸に対して垂直であるため、高電圧が
必要である問題があった。
晶あるいは液晶を用いた偏光面の回転は変位量が一定で
あるため、一方向につき２倍以上の高解像度化は不可能
であり、更に複屈折板が必要でありためコスト高となる
ことが欠点であった。複屈折板を用いず、楔型に互いに
結晶軸を逆向きに貼り合わせた素子を用いる方式は、電
圧の印加方向が光軸に対して垂直であるため、高電圧が
必要である問題があった。
【０００８】本発明の目的は、機械的振動を用いずに光
を偏向させ、低電圧駆動で且つ安価な偏向装置を提供す
ることにある。また、本発明の他の目的は、この偏向装
置を用いて、撮像素子を高解像度化することなく高精細
画像を得ることができる画像シフト型撮像装置を提供す
ることにある。
を偏向させ、低電圧駆動で且つ安価な偏向装置を提供す
ることにある。また、本発明の他の目的は、この偏向装
置を用いて、撮像素子を高解像度化することなく高精細
画像を得ることができる画像シフト型撮像装置を提供す
ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の発明は、電気光学結晶を透明電極で挟む
構造の偏向素子と、前記透明電極間に電圧を印加して、
前記電気光学結晶に電場を印加する駆動手段と、を備
え、光軸方向に平行な電場を前記電気光学結晶に印加す
るように前記偏向素子を配置して、光を偏向させること
を特徴とする偏向装置である。
め、請求項１の発明は、電気光学結晶を透明電極で挟む
構造の偏向素子と、前記透明電極間に電圧を印加して、
前記電気光学結晶に電場を印加する駆動手段と、を備
え、光軸方向に平行な電場を前記電気光学結晶に印加す
るように前記偏向素子を配置して、光を偏向させること
を特徴とする偏向装置である。
【００１０】請求項２の発明は、請求項１記載の偏向装
置と、撮像素子と、撮像のタイミングに応じて前記偏向
装置の駆動手段の動作を制御する制御手段とを設け、該
制御手段により前記偏向装置の透明電極に電圧を印加し
ない場合と印加した場合で前記撮像素子に結像して、該
結像を撮像素子に対して相対的にずらすことを特徴とす
る画像シフト型撮像装置である。
置と、撮像素子と、撮像のタイミングに応じて前記偏向
装置の駆動手段の動作を制御する制御手段とを設け、該
制御手段により前記偏向装置の透明電極に電圧を印加し
ない場合と印加した場合で前記撮像素子に結像して、該
結像を撮像素子に対して相対的にずらすことを特徴とす
る画像シフト型撮像装置である。
【００１１】請求項３の発明は、電気光学結晶を透明電
極で挟んで積層し、奇数番目の電気光学結晶と偶数番目
の電気光学結晶との結晶軸を互いに鏡像の関係に配置し
た構造の偏向素子と、隣り合う奇数番目の透明電極と偶
数番目の透明電極の間にそれぞれ電圧を印加して隣接す
る電気光学結晶に逆向きの電場を印加する駆動手段と、
を備え、光軸方向に平行な電場を前記電気光学結晶に印
加するように前記偏向素子を配置し、光を偏向させるこ
とを特徴とする偏向装置である。
極で挟んで積層し、奇数番目の電気光学結晶と偶数番目
の電気光学結晶との結晶軸を互いに鏡像の関係に配置し
た構造の偏向素子と、隣り合う奇数番目の透明電極と偶
数番目の透明電極の間にそれぞれ電圧を印加して隣接す
る電気光学結晶に逆向きの電場を印加する駆動手段と、
を備え、光軸方向に平行な電場を前記電気光学結晶に印
加するように前記偏向素子を配置し、光を偏向させるこ
とを特徴とする偏向装置である。
【００１２】請求項４の発明は、請求項３記載の偏向装
置と、撮像素子と、撮像のタイミングに応じて前記偏向
装置の駆動手段の動作を制御する制御手段とを設け、該
制御手段により前記偏向装置の透明電極に電圧を印加し
ない場合と印加した場合で前記撮像素子に結像して、該
結像を撮像素子に対して相対的にずらすことを特徴とす
る画像シフト型撮像装置である。
置と、撮像素子と、撮像のタイミングに応じて前記偏向
装置の駆動手段の動作を制御する制御手段とを設け、該
制御手段により前記偏向装置の透明電極に電圧を印加し
ない場合と印加した場合で前記撮像素子に結像して、該
結像を撮像素子に対して相対的にずらすことを特徴とす
る画像シフト型撮像装置である。
【００１３】
【作用】請求項１の偏向装置において、光軸方向に平行
な電場を偏向素子の電気光学結晶に駆動手段により印加
し、屈折率楕円体を回転させる。このことにより、光の
伝播方向を変化させ、結像位置を印加電圧に比例してシ
フトする。しかも、光軸に垂直に電圧印加する従来方式
に比べ、電圧を低減することができる。
な電場を偏向素子の電気光学結晶に駆動手段により印加
し、屈折率楕円体を回転させる。このことにより、光の
伝播方向を変化させ、結像位置を印加電圧に比例してシ
フトする。しかも、光軸に垂直に電圧印加する従来方式
に比べ、電圧を低減することができる。
【００１４】請求項３の偏向装置において、偏向素子が
電気光学結晶を透明電極で挟むように積層した構造で、
奇数番目の電気光学結晶と偶数番目の電気光学結晶との
結晶軸を互いに鏡像の関係に配置し、隣り合う奇数番目
の透明電極と偶数番目の透明電極の間にそれぞれ電圧を
印加し、光軸方向に平行な電場を電気光学結晶に印加す
るように偏向素子を配置する。したがって、各々の電気
光学結晶では、屈折率楕円体が同一方向に回転すること
になる。つまり、各々の電気光学結晶に入射された光
は、同一方向にそれぞれ変位されることになり、電気光
学結晶が１つの時に比較して大幅な変位量が得られる。
故に、同一変位量を得るには、低い電圧印加で済むこと
になる。
電気光学結晶を透明電極で挟むように積層した構造で、
奇数番目の電気光学結晶と偶数番目の電気光学結晶との
結晶軸を互いに鏡像の関係に配置し、隣り合う奇数番目
の透明電極と偶数番目の透明電極の間にそれぞれ電圧を
印加し、光軸方向に平行な電場を電気光学結晶に印加す
るように偏向素子を配置する。したがって、各々の電気
光学結晶では、屈折率楕円体が同一方向に回転すること
になる。つまり、各々の電気光学結晶に入射された光
は、同一方向にそれぞれ変位されることになり、電気光
学結晶が１つの時に比較して大幅な変位量が得られる。
故に、同一変位量を得るには、低い電圧印加で済むこと
になる。
【００１５】請求項２及び４の画像シフト型撮像装置に
おいて、制御手段によって、請求項１あるいは請求項３
の偏向装置に電圧を印加しないとき撮像し、且つ前記偏
向装置に電圧を印加したとき撮像する。偏向装置は電圧
印加の有無で、結像位置が変位する。したがって、撮像
素子への結像と撮像素子との相対位置を変位させること
ができ、撮像素子自体の解像度を上げることなしに高解
像度化を図ることができる。しかも、印加電圧により結
像位置を自由に変位させることができ、印加する電圧も
低減できる。
おいて、制御手段によって、請求項１あるいは請求項３
の偏向装置に電圧を印加しないとき撮像し、且つ前記偏
向装置に電圧を印加したとき撮像する。偏向装置は電圧
印加の有無で、結像位置が変位する。したがって、撮像
素子への結像と撮像素子との相対位置を変位させること
ができ、撮像素子自体の解像度を上げることなしに高解
像度化を図ることができる。しかも、印加電圧により結
像位置を自由に変位させることができ、印加する電圧も
低減できる。
【００１６】
【実施例】以下に、本発明を、実施例に基づき図面を参
照しながら説明する。図１は、本発明に係る偏向装置の
一実施例を示す模式図である。この偏向装置は、平行平
板の電気光学結晶Ｃ1とそれを挟んで形成した透明電極
Ｔ1、Ｔ2とからなる偏向素子１と、透明電極Ｔ1が高電
位に、透明電極Ｔ2が低電位になるように電圧を印加す
る直流の駆動電圧２とを備える。ここで電気光学結晶Ｃ
1は、例えばＬｉＮｂＯ3（以下ＬＮ）、ＢａＴｉＯ
3（以下ＢａＴ）、ＫＴａ0.35Ｎｂ0.65Ｏ3（以下ＫＴ
Ｎ）あるいはＫＤ2ＰＯ4（以下ＤＫＤＰ：先頭のＤは重
水素化の意味）の単結晶とする。そして、ＬＮ、Ｂａ
Ｔ、ＫＴＮの単結晶の場合、例えば結晶軸であるａ軸方
向１mm、ｂ軸方向１０mm、ｃ軸方向１０mmの直方体に切
り出し、ａ軸に垂直な両切り出し面に透明電極としてＩ
ＴＯ膜をスパッタリング法にて形成する。ＤＫＤＰの単
結晶の場合、例えばｃ軸方向１mm、ａ軸方向１０mm、ｂ
軸方向１０mmの直方体に切り出し、ｃ軸に垂直な両切り
出し面に透明電極としてＩＴＯ膜をスパッタリング法に
て形成する。
照しながら説明する。図１は、本発明に係る偏向装置の
一実施例を示す模式図である。この偏向装置は、平行平
板の電気光学結晶Ｃ1とそれを挟んで形成した透明電極
Ｔ1、Ｔ2とからなる偏向素子１と、透明電極Ｔ1が高電
位に、透明電極Ｔ2が低電位になるように電圧を印加す
る直流の駆動電圧２とを備える。ここで電気光学結晶Ｃ
1は、例えばＬｉＮｂＯ3（以下ＬＮ）、ＢａＴｉＯ
3（以下ＢａＴ）、ＫＴａ0.35Ｎｂ0.65Ｏ3（以下ＫＴ
Ｎ）あるいはＫＤ2ＰＯ4（以下ＤＫＤＰ：先頭のＤは重
水素化の意味）の単結晶とする。そして、ＬＮ、Ｂａ
Ｔ、ＫＴＮの単結晶の場合、例えば結晶軸であるａ軸方
向１mm、ｂ軸方向１０mm、ｃ軸方向１０mmの直方体に切
り出し、ａ軸に垂直な両切り出し面に透明電極としてＩ
ＴＯ膜をスパッタリング法にて形成する。ＤＫＤＰの単
結晶の場合、例えばｃ軸方向１mm、ａ軸方向１０mm、ｂ
軸方向１０mmの直方体に切り出し、ｃ軸に垂直な両切り
出し面に透明電極としてＩＴＯ膜をスパッタリング法に
て形成する。
【００１７】さて、この偏向装置により、結像位置が変
位する動作原理を次に述べる。電気光学効果は２次の非
線形光学効果の一種であり、電気光学効果を示す結晶に
電圧を印加すると結晶の屈折率とその異方性に変化が生
じる。従来の技術の項で示した様に、従来、電気光学効
果による偏光では光の進行方向に対して垂直に電場を印
加する方法が検討されている。しかし、撮像装置に用い
る場合には電気光学結晶はＣＣＤの受光面よりも広い面
積を有することが必要であり、この面に垂直に電場を印
加するには高電圧が必要となる。これに対して本発明は
光軸方向に平行に電場を印加し光路を変位させるもので
ある。電場印加により結晶のもつ屈折率楕円体を変化さ
せ、特に屈折率楕円体の回転を誘起させることにより、
異常光あるいは常光の伝播方向を変化させ、撮像素子へ
の結像位置を印加電圧に比例してシフトさせる。
位する動作原理を次に述べる。電気光学効果は２次の非
線形光学効果の一種であり、電気光学効果を示す結晶に
電圧を印加すると結晶の屈折率とその異方性に変化が生
じる。従来の技術の項で示した様に、従来、電気光学効
果による偏光では光の進行方向に対して垂直に電場を印
加する方法が検討されている。しかし、撮像装置に用い
る場合には電気光学結晶はＣＣＤの受光面よりも広い面
積を有することが必要であり、この面に垂直に電場を印
加するには高電圧が必要となる。これに対して本発明は
光軸方向に平行に電場を印加し光路を変位させるもので
ある。電場印加により結晶のもつ屈折率楕円体を変化さ
せ、特に屈折率楕円体の回転を誘起させることにより、
異常光あるいは常光の伝播方向を変化させ、撮像素子へ
の結像位置を印加電圧に比例してシフトさせる。
【００１８】図２は屈折率楕円体の回転を示す説明図で
ある。(a)は結晶に電圧を印加していない場合であり、
(b)は結晶に電圧を印加する場合である。結晶中を進む
光の位相速度に対する偏光面依存性は屈折率楕円体とし
て表される。まず直交座標軸をｘ，ｙ，ｚとし、電圧を
印加しない場合を考える。ｘ方向を光軸方向とすると、
屈折率楕円体は、 ηxx・x2+ηyy・y2+ηzz・z2+ηyz・yz+ηxz・xz+ηxy・xy=1 (1) と表すことができる。
ある。(a)は結晶に電圧を印加していない場合であり、
(b)は結晶に電圧を印加する場合である。結晶中を進む
光の位相速度に対する偏光面依存性は屈折率楕円体とし
て表される。まず直交座標軸をｘ，ｙ，ｚとし、電圧を
印加しない場合を考える。ｘ方向を光軸方向とすると、
屈折率楕円体は、 ηxx・x2+ηyy・y2+ηzz・z2+ηyz・yz+ηxz・xz+ηxy・xy=1 (1) と表すことができる。
【００１９】図２に示すように、結晶内を進行する光の
波面ベクトルｋの方向（ｘ方向）に垂直かつ原点を通る
平面で、屈折率楕円体を切断する。このとき屈折率楕円
体の切断面の長軸及び短軸方向が偏光面となり、この長
軸及び短軸が屈折率楕円体と接する点における接平面へ
の垂線方向が光の電場ベクトルＥとなる。光の磁場ベク
トルＨは光の電場ベクトルＥと波面ベクトルｋに対して
垂直であり、光の進行方向はポインティングベルトルＳ
（電場ベクトルと磁場ベクトルの外積）方向となる。式
（１）の第４、５、６項は屈折率楕円体の主軸に対する
傾きを表している。
波面ベクトルｋの方向（ｘ方向）に垂直かつ原点を通る
平面で、屈折率楕円体を切断する。このとき屈折率楕円
体の切断面の長軸及び短軸方向が偏光面となり、この長
軸及び短軸が屈折率楕円体と接する点における接平面へ
の垂線方向が光の電場ベクトルＥとなる。光の磁場ベク
トルＨは光の電場ベクトルＥと波面ベクトルｋに対して
垂直であり、光の進行方向はポインティングベルトルＳ
（電場ベクトルと磁場ベクトルの外積）方向となる。式
（１）の第４、５、６項は屈折率楕円体の主軸に対する
傾きを表している。
【００２０】光の波面ベクトルｋの方向に電場Ｅkを印
加すると、次式が成り立つ。 ηii(E)=1/ni 2+rikEk（i,k=x,y,z) (2) ηij(E)=rijkEk(i≠j) (3) ここでniは主軸方向の屈折率である。電場印加によって
式（３）が値をもつことにより屈折率楕円体は回転し
て、主軸に対して傾きを生じる（図２の(b)）。
加すると、次式が成り立つ。 ηii(E)=1/ni 2+rikEk（i,k=x,y,z) (2) ηij(E)=rijkEk(i≠j) (3) ここでniは主軸方向の屈折率である。電場印加によって
式（３）が値をもつことにより屈折率楕円体は回転し
て、主軸に対して傾きを生じる（図２の(b)）。
【００２１】例えば、 ηxz(E)=rxzxEx≠0 ならば、x方向への電場印加により屈折率楕円体がxz平
面内で回転し、x方向に波面ベクトルをもちxz平面内に
偏光面をもつ光は波面ベクトルｋ′がxz面内で傾き、ポ
インティングベルトルＳ′の方向が傾く。従って、光の
進む方向に平行に電場をかけて光の進行方向を変えるこ
とができるため、電気光学結晶を薄型化でき、低電圧化
できる。
面内で回転し、x方向に波面ベクトルをもちxz平面内に
偏光面をもつ光は波面ベクトルｋ′がxz面内で傾き、ポ
インティングベルトルＳ′の方向が傾く。従って、光の
進む方向に平行に電場をかけて光の進行方向を変えるこ
とができるため、電気光学結晶を薄型化でき、低電圧化
できる。
【００２２】図１の偏向装置を用いて結像の変位量を測
定した。図３に変位量測定システムの説明図を示す。偏
向素子１の前段に第１のレンズ３を配置し、その後段に
ナイフエッジ４とそれを上下に移動させるピエゾ駆動装
置５と第２のレンズ６と光検出器７とを配置する。第１
のレンズ３によって平行光線が偏向素子１を通過後ナイ
フエッジ４の先端部に設定した焦点で一旦収束する。収
束した後拡散する光を第２のレンズ６で光検出器７に収
束させる。電気光学結晶Ｃ1に印加する電圧によって、
上述したように屈折率楕円体が回転し光の進行方向が変
わることにより、第１のレンズ３の焦点位置が上下に変
位する。ナイフエッジ４をピエゾ駆動装置５により上下
させ、光検出器７で光量を検出して、データ処理装置８
で焦点の変位量を検出する。
定した。図３に変位量測定システムの説明図を示す。偏
向素子１の前段に第１のレンズ３を配置し、その後段に
ナイフエッジ４とそれを上下に移動させるピエゾ駆動装
置５と第２のレンズ６と光検出器７とを配置する。第１
のレンズ３によって平行光線が偏向素子１を通過後ナイ
フエッジ４の先端部に設定した焦点で一旦収束する。収
束した後拡散する光を第２のレンズ６で光検出器７に収
束させる。電気光学結晶Ｃ1に印加する電圧によって、
上述したように屈折率楕円体が回転し光の進行方向が変
わることにより、第１のレンズ３の焦点位置が上下に変
位する。ナイフエッジ４をピエゾ駆動装置５により上下
させ、光検出器７で光量を検出して、データ処理装置８
で焦点の変位量を検出する。
【００２３】前述した電気光学結晶ＬＮ、ＢａＴ、ＫＴ
Ｎ、ＤＫＤＰからなる偏向装置にレーザを通し、上述の
ナイフエッジ法にて印加電圧と焦点位置の変位量との関
係を測定したのが図４〜７である。各結晶とも印加電圧
にほぼ比例して変位量が増加することが確認できた。Ｌ
Ｎの場合はHeNeレーザ(６３３nm)を用いて２０kVの電圧
印加で約５．４μmの変位（図４参照）、ＢａＴの場合
はアルゴンイオンレーザ(５１４nm)を用いて４００Ｖで
約６．４μmの変位（図５参照）、ＫＴＮの場合はHeNe
レーザ(６３３nm)を用いて１００Ｖの電圧印加で約８．
３μmの変位が得られた（図６参照）。ＤＫＤＰはアル
ゴンイオンレーザ(５１４nm)を用いて１０kVで約６．５
μmの変位が得られた（図７参照）。本実施例において
は、結晶軸ａ，ｂを入れ換えても同一の効果が得られ
る。
Ｎ、ＤＫＤＰからなる偏向装置にレーザを通し、上述の
ナイフエッジ法にて印加電圧と焦点位置の変位量との関
係を測定したのが図４〜７である。各結晶とも印加電圧
にほぼ比例して変位量が増加することが確認できた。Ｌ
Ｎの場合はHeNeレーザ(６３３nm)を用いて２０kVの電圧
印加で約５．４μmの変位（図４参照）、ＢａＴの場合
はアルゴンイオンレーザ(５１４nm)を用いて４００Ｖで
約６．４μmの変位（図５参照）、ＫＴＮの場合はHeNe
レーザ(６３３nm)を用いて１００Ｖの電圧印加で約８．
３μmの変位が得られた（図６参照）。ＤＫＤＰはアル
ゴンイオンレーザ(５１４nm)を用いて１０kVで約６．５
μmの変位が得られた（図７参照）。本実施例において
は、結晶軸ａ，ｂを入れ換えても同一の効果が得られ
る。
【００２４】図８は、偏向装置の他の実施例を示す模式
図である。この偏向装置は、電気光学結晶Ｃ1、Ｃ2を挟
むように透明電極Ｔ1、Ｔ2、Ｔ3を形成した偏向素子１
１と、透明電極Ｔ1、Ｔ2、Ｔ3に電圧を印加する駆動電
圧１２とを有する構造である。ここで電気光学結晶
Ｃ1、Ｃ2は、例えばＫＴＮの単結晶をａ軸方向１mm、ｂ
軸方向１０mm、ｃ軸方向１０mmの直方体に切り出したも
のである。そして電気光学結晶Ｃ1においてａ軸に垂直
な切り出した両面に透明電極としてＩＴＯ膜をスパッタ
リング法にて形成する。電気光学結晶Ｃ1、Ｃ2をａ軸が
互いに逆向きにかつ透明電極Ｔ2を挟む様に重ね合わせ
ホットプレスにて接着する。電気光学結晶Ｃ2の透明電
極Ｔ2に相対する面に透明電極Ｔ3を形成し偏向素子とす
る。透明電極Ｔ1、Ｔ3が高電位に、透明電極Ｔ2が低電
位になるように電圧を印加する。
図である。この偏向装置は、電気光学結晶Ｃ1、Ｃ2を挟
むように透明電極Ｔ1、Ｔ2、Ｔ3を形成した偏向素子１
１と、透明電極Ｔ1、Ｔ2、Ｔ3に電圧を印加する駆動電
圧１２とを有する構造である。ここで電気光学結晶
Ｃ1、Ｃ2は、例えばＫＴＮの単結晶をａ軸方向１mm、ｂ
軸方向１０mm、ｃ軸方向１０mmの直方体に切り出したも
のである。そして電気光学結晶Ｃ1においてａ軸に垂直
な切り出した両面に透明電極としてＩＴＯ膜をスパッタ
リング法にて形成する。電気光学結晶Ｃ1、Ｃ2をａ軸が
互いに逆向きにかつ透明電極Ｔ2を挟む様に重ね合わせ
ホットプレスにて接着する。電気光学結晶Ｃ2の透明電
極Ｔ2に相対する面に透明電極Ｔ3を形成し偏向素子とす
る。透明電極Ｔ1、Ｔ3が高電位に、透明電極Ｔ2が低電
位になるように電圧を印加する。
【００２５】電気光学結晶Ｃ1、Ｃ2は、ａ軸が互いに逆
向きに配置され、しかも電場が逆向きに印加されてい
る。したがって、電気光学結晶Ｃ1、Ｃ2では、屈折率楕
円体が同一方向に回転することになる。つまり、ａ軸に
平行に入射された光は同一方向にそれぞれ同じ距離だけ
変位されることになり、電気光学結晶が１つの時に比較
して２倍の変位量が得られる。故に、同一変位量を得る
には、１／２の電圧印加で済むことになる。
向きに配置され、しかも電場が逆向きに印加されてい
る。したがって、電気光学結晶Ｃ1、Ｃ2では、屈折率楕
円体が同一方向に回転することになる。つまり、ａ軸に
平行に入射された光は同一方向にそれぞれ同じ距離だけ
変位されることになり、電気光学結晶が１つの時に比較
して２倍の変位量が得られる。故に、同一変位量を得る
には、１／２の電圧印加で済むことになる。
【００２６】これを図３に示したナイフエッジ法の測定
システムにより、印加電圧と焦点位置の変位量との関係
を測定したのが第９図である。HeNeレーザ(６３３nm)を
用いて５０Ｖの電圧印加で約８．３μmの変位が得ら
れ、図１の電気光学結晶が１層のときに比べ、電圧が１
／２になり、低電圧化できる。
システムにより、印加電圧と焦点位置の変位量との関係
を測定したのが第９図である。HeNeレーザ(６３３nm)を
用いて５０Ｖの電圧印加で約８．３μmの変位が得ら
れ、図１の電気光学結晶が１層のときに比べ、電圧が１
／２になり、低電圧化できる。
【００２７】以上２層の場合を説明したが、これに止ま
らず３層以上にすることが可能である。この実施例の模
式図を図１０に示す。この偏向装置は、各電気光学結晶
Ｃ1〜Ｃnを挟むように透明電極Ｔ1〜Ｔn+1を形成し、こ
れらを積層して一体化している。ここで電気光学結晶Ｃ
1〜Ｃnは図８と同様の材質・形状であり、透明電極Ｔ1
〜Ｔn+1も同様の材質である。奇数番目の電気光学結晶
と偶数番目の電気光学結晶の結晶軸を互いに鏡像の関係
に配置する。すなわち隣接する電気光学結晶のａ軸が互
いに逆向きになるように配置している。また、奇数番目
の透明電極が高電位に、偶数番目の透明電極が低電位に
なるように駆動電圧２２から電圧が印加される。
らず３層以上にすることが可能である。この実施例の模
式図を図１０に示す。この偏向装置は、各電気光学結晶
Ｃ1〜Ｃnを挟むように透明電極Ｔ1〜Ｔn+1を形成し、こ
れらを積層して一体化している。ここで電気光学結晶Ｃ
1〜Ｃnは図８と同様の材質・形状であり、透明電極Ｔ1
〜Ｔn+1も同様の材質である。奇数番目の電気光学結晶
と偶数番目の電気光学結晶の結晶軸を互いに鏡像の関係
に配置する。すなわち隣接する電気光学結晶のａ軸が互
いに逆向きになるように配置している。また、奇数番目
の透明電極が高電位に、偶数番目の透明電極が低電位に
なるように駆動電圧２２から電圧が印加される。
【００２８】それぞれの隣接する電気光学結晶は、ａ軸
が互いに逆向きになるように配置され、しかも電場が逆
向きに印加されている。したがって、電気光学結晶Ｃ1
〜Ｃnでは、屈折率楕円体が同一方向に回転することに
なる。つまり、ａ軸に平行に入射された光は同一方向に
それぞれ同じ距離だけ変位されることになり、電気光学
結晶が１つの時に比較してｎ倍の変位量が得られる。故
に、同一変位量を得るには、１／ｎの電圧印加で済むこ
とになる。
が互いに逆向きになるように配置され、しかも電場が逆
向きに印加されている。したがって、電気光学結晶Ｃ1
〜Ｃnでは、屈折率楕円体が同一方向に回転することに
なる。つまり、ａ軸に平行に入射された光は同一方向に
それぞれ同じ距離だけ変位されることになり、電気光学
結晶が１つの時に比較してｎ倍の変位量が得られる。故
に、同一変位量を得るには、１／ｎの電圧印加で済むこ
とになる。
【００２９】図１の偏向装置を用いた画像シフト型撮像
装置の実施例を第１１図に示す。ＣＣＤの撮像素子３３
としては１／４インチ４１万画素、水平方向の画素ピッ
チが４．８μmのものを使用する。ＣＣＤ撮像素子３３
の直前に偏向装置を設置する。この偏向装置は、ＫＴＮ
結晶Ｃ1と透明電極Ｔ1、Ｔ2からなる偏向素子３１と、
この透明電極に電圧を印加する駆動部３２とを有する。
偏向素子３１の入射光側に偏光子３４を置き、ｃ軸に平
行な偏光面をもった光を通す。更に、その偏光子の入射
光側にレンズ３５を配置して光を平行光としている。タ
イミング制御部３６により駆動部３２の電圧の無印加時
と印加時の撮像素子３３の検出信号を、第１の画像メモ
リ３７と第２の画像メモリ３８を介して画像処理部３９
へ出力する。それを、映像信号として出力する。
装置の実施例を第１１図に示す。ＣＣＤの撮像素子３３
としては１／４インチ４１万画素、水平方向の画素ピッ
チが４．８μmのものを使用する。ＣＣＤ撮像素子３３
の直前に偏向装置を設置する。この偏向装置は、ＫＴＮ
結晶Ｃ1と透明電極Ｔ1、Ｔ2からなる偏向素子３１と、
この透明電極に電圧を印加する駆動部３２とを有する。
偏向素子３１の入射光側に偏光子３４を置き、ｃ軸に平
行な偏光面をもった光を通す。更に、その偏光子の入射
光側にレンズ３５を配置して光を平行光としている。タ
イミング制御部３６により駆動部３２の電圧の無印加時
と印加時の撮像素子３３の検出信号を、第１の画像メモ
リ３７と第２の画像メモリ３８を介して画像処理部３９
へ出力する。それを、映像信号として出力する。
【００３０】電圧を印加せずに偏向素子を通し、ＣＣＤ
撮像素子３３で撮像し、画像情報を第１の画像メモリ３
７に蓄積する。次に偏向素子３１に２８Ｖ印加し画像の
結像位置を水平方向に２．４μmずらしてＣＣＤ撮像素
子３３で撮像し、画像情報を第２の画像メモリ３８に蓄
積する。第１及び２の画像メモリ３７、３８の水平方向
データを交互に画像処理部３９でシリンダ出力すること
により、水平方向２倍の高解像度の映像出力が得られ
る。
撮像素子３３で撮像し、画像情報を第１の画像メモリ３
７に蓄積する。次に偏向素子３１に２８Ｖ印加し画像の
結像位置を水平方向に２．４μmずらしてＣＣＤ撮像素
子３３で撮像し、画像情報を第２の画像メモリ３８に蓄
積する。第１及び２の画像メモリ３７、３８の水平方向
データを交互に画像処理部３９でシリンダ出力すること
により、水平方向２倍の高解像度の映像出力が得られ
る。
【００３１】スタンダードなテレビジョン用の高解像度
化にとっては水平方向の解像度が重要であり、水平方向
の高解像度化でけでも効果は十分であるが、垂直方向の
高解像度化が同時にできることに越したことはない。本
偏向素子を用いて水平、垂直両方向の高解像度化を行う
には、水平方向の偏向素子の後に該素子に対して結晶軸
が光学軸を回転軸として９０°回転させた垂直用の素子
を配置する。この場合垂直方向への変位には約１kVの電
圧印加を必要とする。しかし、水平用偏向素子と垂直用
偏向素子の間に１／２波長板を挿入し、偏向面を９０°
回転させることにより、水平方向と同一の電圧印加で変
位させることができる。本実施例は垂直方向画素ピッチ
５．６μmであり、３２Ｖの電圧印加により、２．８μm
の垂直方向シフトが得られた。これにより、水平方向２
倍、垂直方向２倍の高解像度が得られる。
化にとっては水平方向の解像度が重要であり、水平方向
の高解像度化でけでも効果は十分であるが、垂直方向の
高解像度化が同時にできることに越したことはない。本
偏向素子を用いて水平、垂直両方向の高解像度化を行う
には、水平方向の偏向素子の後に該素子に対して結晶軸
が光学軸を回転軸として９０°回転させた垂直用の素子
を配置する。この場合垂直方向への変位には約１kVの電
圧印加を必要とする。しかし、水平用偏向素子と垂直用
偏向素子の間に１／２波長板を挿入し、偏向面を９０°
回転させることにより、水平方向と同一の電圧印加で変
位させることができる。本実施例は垂直方向画素ピッチ
５．６μmであり、３２Ｖの電圧印加により、２．８μm
の垂直方向シフトが得られた。これにより、水平方向２
倍、垂直方向２倍の高解像度が得られる。
【００３２】本発明は上記の構成のみに限定されるもの
ではない。前記画像シフト型撮像装置の偏向装置は、電
気光学結晶が１層のものを用いたが、図８や図１０に示
した多層のものでも構わない。電気光学結晶の材料は、
ＫＴＮに限らず、ＬＮ、ＢａＴ、ＤＫＤＰ等を用いても
構わない。
ではない。前記画像シフト型撮像装置の偏向装置は、電
気光学結晶が１層のものを用いたが、図８や図１０に示
した多層のものでも構わない。電気光学結晶の材料は、
ＫＴＮに限らず、ＬＮ、ＢａＴ、ＤＫＤＰ等を用いても
構わない。
【００３３】
【発明の効果】請求項１及び３の偏向装置は、電気光学
結晶を透明電極で挟み、前記透明電極間に電圧を印加
し、光軸方向に平行な電場を電気光学結晶に印加するよ
うに前記偏向素子を配置したから、屈折率楕円体を回転
させることにより、印加電圧に応じて結像の変位量を連
続的に可変でき、且つその印加電圧も、光軸に垂直に印
加する従来に比較して低電圧で済ますことができる。ま
た、機械振動を用いていないので、信頼性が高く、振動
音も発生せず、構造も簡単なため安価である利点があ
る。更に、従来の偏光面の回転を利用した装置に比較し
て、波長依存性を少なくすることもできる。
結晶を透明電極で挟み、前記透明電極間に電圧を印加
し、光軸方向に平行な電場を電気光学結晶に印加するよ
うに前記偏向素子を配置したから、屈折率楕円体を回転
させることにより、印加電圧に応じて結像の変位量を連
続的に可変でき、且つその印加電圧も、光軸に垂直に印
加する従来に比較して低電圧で済ますことができる。ま
た、機械振動を用いていないので、信頼性が高く、振動
音も発生せず、構造も簡単なため安価である利点があ
る。更に、従来の偏光面の回転を利用した装置に比較し
て、波長依存性を少なくすることもできる。
【００３４】更に請求項３の偏向装置は、偏向素子が電
気光学結晶を透明電極で挟んで積層し、奇数番目の電気
光学結晶と偶数番目の電気光学結晶との結晶軸を互いに
鏡像の関係に配置した構造として、隣り合う奇数番目の
透明電極と偶数番目の透明電極の間にそれぞれ電圧を印
加して隣接する電気光学結晶に逆向きの電場を印加する
ことにより、各電気光学結晶において同一方向に結像が
変位するから、電気光学結晶が１枚に比較し、電圧を低
くできる。
気光学結晶を透明電極で挟んで積層し、奇数番目の電気
光学結晶と偶数番目の電気光学結晶との結晶軸を互いに
鏡像の関係に配置した構造として、隣り合う奇数番目の
透明電極と偶数番目の透明電極の間にそれぞれ電圧を印
加して隣接する電気光学結晶に逆向きの電場を印加する
ことにより、各電気光学結晶において同一方向に結像が
変位するから、電気光学結晶が１枚に比較し、電圧を低
くできる。
【００３５】請求項２及び４の画像シフト型撮像装置
は、撮像のタイミングに応じて請求項１あるいは請求項
３の偏向装置の動作を制御する制御手段とを設けたか
ら、透明電極への印加電圧の有無により撮像素子と結像
との位置を相対的にずらし、撮像素子を高解像度化する
ことなく、高精細の映像を得ることができる。
は、撮像のタイミングに応じて請求項１あるいは請求項
３の偏向装置の動作を制御する制御手段とを設けたか
ら、透明電極への印加電圧の有無により撮像素子と結像
との位置を相対的にずらし、撮像素子を高解像度化する
ことなく、高精細の映像を得ることができる。
【図１】本発明に係る偏向装置の一実施例を示す模式図
である。
である。
【図２】(a)と(b)は、電気光学結晶の屈折率楕円体の回
転を示す説明図である。
転を示す説明図である。
【図３】結像の変位量測定システムを示す説明略図であ
る。
る。
【図４】偏向素子にＬＮを用いた偏向装置の結像の変位
量と印加電圧の関係を示すグラフである。
量と印加電圧の関係を示すグラフである。
【図５】偏向素子にＢＡＴを用いた偏向装置の結像の変
位量と印加電圧の関係を示すグラフである。
位量と印加電圧の関係を示すグラフである。
【図６】偏向素子にＫＴＮを用いた偏向装置の結像の変
位量と印加電圧の関係を示すグラフである。
位量と印加電圧の関係を示すグラフである。
【図７】偏向素子にＤＫＤＰを用いた偏向装置の結像の
変位量と印加電圧の関係を示すグラフである。
変位量と印加電圧の関係を示すグラフである。
【図８】本発明に係る偏向装置の他の実施例を示す模式
図である。
図である。
【図９】偏向素子にＫＴＮを用いたこの偏向装置の結像
の変位量と印加電圧の関係を示すグラフである。
の変位量と印加電圧の関係を示すグラフである。
【図１０】本発明に係る偏向装置の更に他の実施例を示
す模式図である。
す模式図である。
【図１１】本発明に係る画像シフト型撮像装置の一実施
例を示す模式図である。
例を示す模式図である。
【図１２】硝子板を傾ける方式による従来の偏向装置を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図１３】圧電アクチュエータにより撮像素子を移動さ
せる方式による従来の偏向装置を示す模式図である。
せる方式による従来の偏向装置を示す模式図である。
【図１４】電気光学結晶と複屈折板を用いた従来の偏向
装置を示す模式図である。
装置を示す模式図である。
【図１５】楔形電気光学結晶を貼り合わせた従来の偏向
装置を示す模式図である。
装置を示す模式図である。
１ 偏向素子 ２ 駆動電圧 Ｃ1 電気光学結晶 Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3 透明電極
Claims (4)
- 【請求項１】 電気光学結晶を透明電極で挟む構造の偏
向素子と、 前記透明電極間に電圧を印加して、前記電気光学結晶に
電場を印加する駆動手段と、を備え、 光軸方向に平行な電場を前記電気光学結晶に印加するよ
うに前記偏向素子を配置して、光を偏向させることを特
徴とする偏向装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の偏向装置と、撮像素子
と、撮像のタイミングに応じて前記偏向装置の駆動手段
の動作を制御する制御手段とを設け、 該制御手段により前記偏向装置の透明電極に電圧を印加
しない場合と印加した場合で前記撮像素子に結像して、
該結像を撮像素子に対して相対的にずらすことを特徴と
する画像シフト型撮像装置。 - 【請求項３】 電気光学結晶を透明電極で挟んで積層
し、奇数番目の電気光学結晶と偶数番目の電気光学結晶
との結晶軸を互いに鏡像の関係に配置した構造の偏向素
子と、 隣り合う奇数番目の透明電極と偶数番目の透明電極の間
にそれぞれ電圧を印加して隣接する電気光学結晶に逆向
きの電場を印加する駆動手段と、を備え、 光軸方向に平行な電場を前記電気光学結晶に印加するよ
うに前記偏向素子を配置し、光を偏向させることを特徴
とする偏向装置。 - 【請求項４】 請求項３記載の偏向装置と、撮像素子
と、撮像のタイミングに応じて前記偏向装置の駆動手段
の動作を制御する制御手段とを設け、 該制御手段により前記偏向装置の透明電極に電圧を印加
しない場合と印加した場合で前記撮像素子に結像して、
該結像を撮像素子に対して相対的にずらすことを特徴と
する画像シフト型撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01717295A JP3251798B2 (ja) | 1995-02-03 | 1995-02-03 | 偏向装置及びそれを用いた画像シフト型撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01717295A JP3251798B2 (ja) | 1995-02-03 | 1995-02-03 | 偏向装置及びそれを用いた画像シフト型撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08211423A true JPH08211423A (ja) | 1996-08-20 |
| JP3251798B2 JP3251798B2 (ja) | 2002-01-28 |
Family
ID=11936547
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01717295A Expired - Fee Related JP3251798B2 (ja) | 1995-02-03 | 1995-02-03 | 偏向装置及びそれを用いた画像シフト型撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3251798B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001066648A (ja) * | 1999-08-30 | 2001-03-16 | Sony Corp | 照明装置 |
| JP2001066647A (ja) * | 1999-08-30 | 2001-03-16 | Sony Corp | 光屈折装置 |
| JP2001066644A (ja) * | 1999-08-30 | 2001-03-16 | Sony Corp | メモリ装置 |
| JP2007187903A (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ディフレクタ |
| CN117289496A (zh) * | 2023-11-21 | 2023-12-26 | 武汉光谷航天三江激光产业技术研究院有限公司 | 一种基于电光晶体的高精度激光束扫描装置及使用方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4323901A (en) | 1980-02-19 | 1982-04-06 | Rockwell International Corporation | Monolithic, voltage controlled, phased array |
-
1995
- 1995-02-03 JP JP01717295A patent/JP3251798B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2001066647A (ja) * | 1999-08-30 | 2001-03-16 | Sony Corp | 光屈折装置 |
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