JPH08212596A

JPH08212596A - 光ディスクとこれを用いる光記録再生装置

Info

Publication number: JPH08212596A
Application number: JP7019462A
Authority: JP
Inventors: Kenji Katori; 健二香取
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1995-02-07
Filing date: 1995-02-07
Publication date: 1996-08-20

Abstract

(57)【要約】【目的】光記録時の光源のレーザ強度の低減化を可能
にし、しかも光再生時の光源のレーザ強度の上昇をはか
ることにより、短波長のレーザ光源を用いて光を集光さ
せて記録再生を行う場合により有用な光ディスクとこれ
を用いた記録再生装置を提案する。【構成】熱伝導率を外部より変化させることが可能な
熱伝導制御層が、光記録膜３と、ヒートシンク膜を兼ね
た光反射膜７との間に設置された光ディスク１１

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光ディスク、特に書き
込みが可能な光ディスクとこれを用いる光記録再生装置
に係わる。

【０００２】

【従来の技術】情報を書き込むことことすなわち記録が
可能な光ディスクには、１回限り情報の書き込みが可能
である追記型ディスクと何度も書き換えが可能な書き換
え型ディスクとがある。追記型ディスクには、穴あけを
行って反射率を変えるもの、有機材料等の相変化による
反射率の変化を利用したもの、泡を形成して乱反射をさ
せるもの等がある。これらはいずれも非可逆的変化によ
って反射率を変化させている。また、書き換え型ディス
クには、レーザ光照射によって結晶−アモルファスなど
の相変化による光の反射率、透過率などの光学特性の変
化を利用した光学ディスクとか、レーザ光による加熱に
より抗磁力を下げて例えば外部磁界の印加によって磁化
の向きを反転させて、その書き込みや書き換えを行うい
わゆる光磁気ディスク等がある。

【０００３】上述したレーザ照射による光ディスクにお
いては、光記録時には照射するレーザ光の強度を上げる
ことによって、光ディスクの記録部の温度を上昇させ、
その表面の形状や、光学特性ないしは磁気光学特性を変
化させることにより情報を記録する。

【０００４】一方、再生においては、記録部にレーザ光
照射を行って上述の光学特性の変化を反射光量、透過光
量として検出する。また、光磁気特性の変化をカー効果
の変化として検出する。この再生は上述の記録の場合と
同一のレーザ光源、集光レンズ等の光ピックアップを用
いて行うが、この場合再生光照射によって光ディスクの
記録部を消去ないしは減衰させることがないように、再
生レーザの強度を低下させて、光照射部の温度上昇を抑
制して、再生信号を取り出している。

【０００５】ところで最近、記録密度を上昇させるため
に、レーザ光がより集光される方向にある。レーザ光を
より集光させる方法としては、集光レンズの開口数（Ｎ
Ａ）を増加させること、短波長の光源を用いること等が
あるが、集光レンズの開口数（ＮＡ）は寸法や精度上の
問題から制限があるために、短波長の光源を用いること
で良好に集光させて高密度記録化をはかっている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述のように短波長光
源を用いて、光ディスク内部において光のスポットを、
より小さくした場合、同じ強度の光を光源としても、集
光された割合に応じてエネルギー密度が上昇することに
より、光ディスク上の記録部における温度上昇がより激
しくなる。この温度上昇は、記録には好都合であるが、
再生においては記録を消去、減衰させあるいは書き換え
てしまう問題が生じるために、光源のレーザ強度をかな
り低下させる必要がある。

【０００７】ところが、光再生時に光ディスクからの光
を検出する光検出器は、光の波長が短くなるほど感度が
低下する。従って、短波長のレーザ光源を用いて、集光
を強めて再生を行う場合には、長波長のレーザ光源を用
いる場合に比し、レーザ光源の強度をより低くし、しか
も低い感度状態にある検出器によってその光検出、すな
わち再生を行うという、２重の検出感度低下要因を有す
ることになる。

【０００８】上述したように、これまでの光ディスクに
おいては、記録に際して大きなレーザ強度を必要とし、
その一方で再生に際してはレーザ強度を絞り、ディスク
の温度上昇を抑制することが必要であった。つまり、再
生感度の向上と、記録を確実良好に行うことが互いに相
反する要因を有していた。

【０００９】上述の問題に対して、例えば光記録時のレ
ーザ出力を抑制することができるように、光記録時に記
録部の記録開始温度（キュリー点等の臨界温度）を低く
するように光ディスク中の膜構造を決定した場合には、
光再生時において書き込みがなされないようにレーザ強
度をさらに低下させる必要が生じ、再生感度の低下を招
くことになる。

【００１０】本発明は上述の諸問題の解決をはかった、
すなわち、光記録時の光源のレーザ強度の低減化を可能
にし、しかも光再生時の光源のレーザ強度の上昇をはか
ることができるようにして、短波長のレーザ光源を用い
て光を集光させて記録再生を行う場合に、より有用な光
ディスクとこれを用いた記録再生装置を提案するもので
ある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、熱伝導率を外
部より変化させることが可能な熱伝導制御層をディスク
内に含んで成る光ディスクである。

【００１２】また本発明は、上述した熱伝導制御層を含
有する光ディスクに対して、光照射によって記録および
再生を行う光ピックアップと外部磁界印加手段とを具備
する光記録再生装置であり、光ディスクに対して外部磁
界印加手段によって外部磁界を制御して、光ディスクの
熱伝導率を光再生時において、光記録時に比し大にす
る。

【００１３】

【作用】上述の本発明の構成では、熱伝導率を外部より
変化させることが可能な熱伝導制御層を設けた光ディス
クを構成したことにより、光記録および光再生にそれぞ
れ適した熱構造を光ディスクに生じさせることができ
る。すなわち光記録時には熱伝導率を小さくして熱の拡
散を小さくして、効率よく記録部の温度を上昇させる。
そして、光再生時には熱伝導率を大きくして熱の拡散を
大として再生部の温度上昇を抑制する。

【００１４】また本発明による光記録再生装置によれ
ば、上述の熱伝導制御層を含有する光ディスクに対して
光照射によって記録および再生を行う光ピックアップと
外部磁界印加手段を設けたことによって、光記録時には
熱伝導率を低くすることにより、光記録膜からヒートシ
ンク膜への熱拡散を低く抑え、効率良く温度上昇が生じ
るようにして記録に必要な温度上昇を得るためのレーザ
強度を下げることができる。また、光再生時には光記録
時に比較して熱伝導率を高くして熱拡散を高めることが
できることにより、再生光としてのレーザ光の強度を比
較的大きくしても光照射部の温度上昇を回避できる。従
って記録の消失ないしは減衰を生じさせることなく感度
を上げるために光再生時のレーザ強度を充分大きくする
ことができる。

【００１５】

【実施例】本発明による光ディスクとこれを用いる光記
録再生装置の実施例について説明する。

【００１６】本発明による光ディスクは、基本的には前
述したように熱伝導率を外部から変化することが可能な
熱伝導制御層を光ディスクに含有させる。

【００１７】また本発明は、図１にその一例の概略断面
図を示すように、熱伝導率を外部より変化させることが
可能な熱伝導制御層６が、光記録膜３と、ヒートシンク
膜を兼ねた光反射膜７との間に設置された光ディスク１
１である。

【００１８】この機械では光記録膜３と、ヒートシンク
膜をかねた光反射膜７との間に熱伝導制御層６を設置し
たことにより、光記録膜３からヒートシンク膜（光反射
膜）７への熱の拡散を調整することが可能となる。

【００１９】また、熱伝導制御層６と接して、放熱効果
を有する層であるヒートシンク膜７が配置されることに
より、ヒートシンク膜７を通じて熱の拡散が図られるこ
とになる。

【００２０】この光ディスク１１は、相変化による記録
を行う光ディスクとした場合には、例えばガラス、ある
いはポリカーボネートなどの樹脂よりなる透明の基板１
上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜あるいはＳｉ−Ｎ膜等よりな
る例えば光再生時の読み出し光のエンハンス膜ともなる
保護膜２と、相変化例えば結晶−アモルファスの変化に
よる記録がなされる例えばＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜よりなる
光記録膜３と、上述したものと同様の構成による保護膜
２と、熱伝導制御層６と、ヒートシンクを兼ねた例えば
Ａｌ、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｕよりなる光反射膜７が順次スパ
ッタリング、蒸着などによって形成された構成とし得
る。

【００２１】熱伝導制御層６は、例えば後述するよう
に、図２にその一例の概略断面図を示すように、強磁性
膜４と非磁性膜５との繰り返し積層による超格子構造
（人工格子構造）による構成、あるいは図４にその一例
の概略断面図を示すように、非磁性膜５に強磁性体粒子
４ａを分散させたいわゆるグラニュラー型構成とするな
どの構成を採ることができる。

【００２２】さらに本発明は、図２にその一例の概略断
面図を示すように、上述の熱伝導制御層６が、強磁性膜
４とこれら強磁性膜間に介在させた非磁性膜５との積層
膜より成り、この積層膜による熱伝導制御層６は、その
強磁性膜４同士が反強磁性の方向で磁気的に配列された
熱伝導率の低い第１の態様と、外部磁界印加の下で強磁
性膜４同士が強磁性の方向で磁気的に配列された熱伝導
率の高い第２の態様とを採る光ディスクである。

【００２３】すなわち、水平外部磁界がほとんどない状
態で強磁性膜同士が反強磁性の方向で磁気的に配列され
た第１の態様と、所要の水平外部磁界印加の下で強磁性
膜４同士が強磁性の方向で磁気的に配列される第２の態
様とを採って、第１の態様と第２の態様とで熱伝導率の
変化を得るものである。これについて詳しく説明する。

【００２４】上述の２つの態様を採る特性は、例えばＧ
ＭＲ（巨大磁気抵抗効果）材料にみられる。このＧＭＲ
材料は、強磁性金属と非磁性金属とを交互に積層し、人
工格子とした際に非磁性金属の厚みを調整することによ
り、強磁性金属層の磁化の向きが互いに反転する、いわ
ゆる反強磁性の結合が可能となり、ここに外部から磁界
を印加することにより、反強磁性結合から強磁性結合へ
と変化させ、導電電子の平均自由工程の差から、膜全体
の導電率（電気伝導率）が大きく変化するものである
（J.B.Sousa,R.P.Pinto,B.Almeida,M.E.Braga,P.P.Frei
tas,L.V.Melo,andI.G.Trindade;J.Appl.Phys.Vol75 No.
15 p6551(1994)等を参照）。

【００２５】一方、金属の導電率と熱伝導率は比例する
ことが知られており（固体の物理（上）p261等参照）、
この法則はヴァーデマン・フランツの法則として多くの
金属で確認されている。ＧＭＲ材料においても、前記の
論文（J.Appl.Phys.Vol.75 No.15 p6551(1994)）等に熱
伝導率が外部磁界によって変化することが示されている
ことから、ヴァーデマン・フランツの法則が成り立ち、
熱伝導率が導電率と比例することが理解される。従っ
て、第１の態様では導電率が低くかつ熱伝導率も低く、
第２の態様では導電率が高くかつ熱伝導率も高い状態に
なる。

【００２６】これによって、外部からの信号によって外
部磁界の印加を制御することにより、物質内の熱伝導率
を変化させることができる全く新しい機能を有する熱伝
導制御層を構成できることが明らかになった。

【００２７】上述の強磁性膜４は例えばＣｏ薄膜より成
り、非磁性膜５は例えばＣｕ薄膜よりなり、図６にその
磁化態様を模式的構成図に示すように、外部磁界を印加
しない状態では、図６Ａに示すように、各強磁性膜４同
士が非強磁性の方向で磁気的に配列された熱伝導率の低
い第１の態様を採り、膜面に水平方向の外部磁界Ｈ_ex _t
を印加した状態では、図６Ｂに示すように、各強磁性膜
４同士が一方向に向いた強磁性の方向で磁気的に配列さ
れた熱伝導率の高い第２の態様を採ることができるよう
になされている。

【００２８】また本発明は、図３にその一例の概略断面
図を示すように、上述した熱伝導制御層６を光ディスク
内に含有する光ディスク１１に対して、光照射によって
記録および再生を行う光ピックアップ１２と外部磁界印
加手段１３とを具備し、光ディスク１１に対して外部磁
界印加手段１３具体的には水平方向磁界を印加する手段
によって外部磁界を制御して、光ディスク１１の熱伝導
率を光再生時において、光記録時に比し大にする。

【００２９】光記録時には熱伝導率を低くすることによ
り、光記録膜３からヒートシンク膜へ７の熱拡散を低く
抑え、効率良く温度上昇が生じるようにして記録に必要
な温度上昇を得るためのレーザ強度を下げることができ
る。また、光再生時には光記録時に比較して熱伝導率を
高くして熱拡散を高めることができることにより、再生
光としてのレーザ光の強度を比較的大きくしても光照射
部の温度上昇を回避できる。従って記録の消失ないしは
減衰を生じさせることなく感度を上げるために光再生時
のレーザ強度を充分大きくすることができる。

【００３０】本発明による光記録再生装置は、上述した
本発明による光ディスクを用いるものであり、例えば図
３にその一例の概略断面図を示すように、本発明による
光ディスク１１が、回転駆動軸１５上に装着され、レー
ザ駆動信号Ｄ_RVによる駆動増幅回路１４からの駆動信号
によって光記録時および光再生時にこの光ディスク１１
に対して基板１側からレーザ光を照射する光ピックアッ
プ１２と、光ディスク１１に対して光記録時には例えば
磁界を印加することなく、光再生時に上述したように光
ディスクの面方向に水平外部磁界Ｈ_extを印加する外部
磁界印加手段１３を配置する。この外部磁界印加手段１
３は、例えば永久磁石により構成して光記録時には光デ
ィスク１１に対して磁界Ｈ_extを印加しないように離間
させ、光再生時には光ディスク１１に対して磁界Ｈ_ext
を印加できるように近接させるなどの構成とするとか、
電磁石によって構成し、これに対する通電駆動を切断、
通電に切り替えて外部磁界Ｈ_extの非印加、印加を切り
換えるようにするなどの構成とすることができる。

【００３１】図３に示した例では、光ディスク１１の基
板１側に光ピックアップ１２を配置し、光ディスク１１
を挟んでその反対側に外部磁界印加手段１３を配置した
場合であるが、この外部磁界印加手段１３を光ピックア
ップ１２の配置側と同一側に光ピックアップ１２を挟ん
で磁極が対向するように配置するなど種々の構成を採る
ことができる。

【００３２】さらに本発明は、上述した熱伝導制御層６
が第１の態様と第２の態様とを採る光ディスク１１に対
して、外部磁界印加手段１３の制御によって光記録時に
は熱伝導率が低い第１の態様とし、光再生時には熱伝導
率が高い第２の態様とする光記録再生装置である。

【００３３】光記録時には、外部より磁界を印加せずに
熱伝導制御層を反強磁性に保ち、価電子の平均自由行程
を短くとどめることにより、熱伝導率が低い第１の態様
とする。また光再生時には、外部より磁界を印加して熱
伝導制御材料を強磁性結合に転移させ、価電子の平均自
由行程を長くすることにより、熱伝導率が高い第２の態
様とする。

【００３４】このように熱伝導率を変化させることによ
り、上述のヒートシンク膜７への熱拡散や記録部の温度
を制御して、光記録時には効率良く温度上昇が生じるよ
うにして、光再生時には温度上昇の抑制作用を生じさせ
て、前述したように記録レーザ強度の低減化、再生レー
ザ強度の向上したがって感度の向上を図ることができる
ものである。

【００３５】この光記録再生装置によって、光ディスク
１１に対する光記録時には、外部磁界印加手段１３によ
る外部磁界の印加がなされない状態とし、光ディスク１
１の熱伝導制御層６を上述の第１の態様で、光ピックア
ップ１２を記録情報に応じて、光ディスク１１に記録出
力に選定されたレーザ光の例えばオン・オフによって光
照射を行って、例えば光記録膜３における結晶−アモル
ファスの相変化によって情報の記録を行う。また、この
記録の再生においては、外部磁界印加手段１３を配置し
て上述の磁界Ｈ_extを印加し、上述の第２の態様で再生
出力に選定された光ピックアップ１２からのレーザ光を
照射し、その光記録膜３からの上述の相変化による光量
変化を、図示しないが、光ピックアップに配置された検
出手段によって検出して、記録情報の読み出しを行う。

【００３６】上述した例では、光ディスク１１が相変化
型の光ディスクとした場合であるが、光磁気効果による
記録再生がなされる光磁気ディスクとした構成等とする
こともできる。この場合には、例えばその光記録膜３が
光磁気記録膜の例えばＴｂ−Ｔｅ−Ｃｏ膜等によって構
成する。

【００３７】さらに、本発明による光ディスク１１の実
施例について詳述するが、これに先だって、まず本発明
による光ディスク１１に設置した熱伝導制御層６に対し
て、磁界の印加・非印加による熱伝導率の変化について
説明する。

【００３８】ここでは、熱伝導制御層６の例として、マ
グネトロンスパッタ法により１ｎｍの厚さのＣｏ層によ
る強磁性膜４および２．３ｎｍの厚さのＣｕ層による非
磁性膜５を交互に積層した人工格子膜を全厚が２０ｎｍ
となるように形成したいわゆるＧＭＲ材料によった。

【００３９】この人工格子膜の熱伝導率を測定したとこ
ろ、２０℃において０．４cal/cm sec℃であった。この
人工格子膜に５００（Ｏｅ）の水平方向磁界を印加する
と、熱伝導率は０．５cal/cm sec℃に上昇した。これに
よって光ディスクの記録部に上述の熱伝導制御層６を設
置し、外部より水平磁界を印加することによって、この
熱伝導制御層の熱伝導率を変化させることが可能である
ことが確認された。

【００４０】続いて、図１および図２を参照して本発明
による光ディスクの一実施例について説明する。ここで
も上述した熱伝導制御層として強磁性膜に非磁性膜を介
在させて積層した積層膜を用いた、相変化型の光ディス
クを例に採る。

【００４１】実施例１図１に概略断面図を示すように、ポリカーボネート樹脂
からなる基板１上に、保護膜２としてのＺｎＳ−ＳｉＯ
₂膜を２００ｎｍの厚さに形成し、Ｇｅ₂Ｓｂ ₂Ｔｅ₅
からなる相変化型の光記録膜３を１５ｎｍの厚さに形成
し、光記録膜３の上に再度保護膜２としてＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ₂膜を２ｎｍの厚さに形成し、熱伝導制御層６とし
て、図２に概略断面図を示すように、１ｎｍの厚さのＣ
ｏよりなる強磁性膜４と、２．３ｎｍの厚さのＣｕより
なる非磁性膜５を交互に積層した積層膜をマグネトロン
スパッタによって、全厚が１０ｎｍとなるように形成す
る。さらに積層膜による熱伝導制御層６の上に光反射膜
７およびヒートシンク膜としてＡｌ膜を１００ｎｍの厚
さに形成し、最後に光反射膜７の上を紫外線硬化樹脂に
よるカバーシート８で覆って、熱伝導制御層６を有する
光ディスク１１を形成した。

【００４２】比較例図５に概略断面図を示すように、ポリカーボネート樹脂
からなる基板１上に、保護膜２としてのＺｎＳ−ＳｉＯ
₂膜を２００ｎｍの厚さに形成し、Ｇｅ₂Ｓｂ ₂Ｔｅ₅
からなる相変化型の光記録膜３を１５ｎｍの厚さに形成
し、光記録膜３の上に再度保護膜２としてＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ₂膜を４ｎｍの厚さに形成し、さらに保護膜２の上に
光反射膜７およびヒートシンク膜としてのＡｌ膜を１０
０ｎｍの厚さに形成し、最後に光反射膜７の上を紫外線
硬化樹脂からなるカバーシート８で覆って光ディスク１
１を形成した。

【００４３】上述の実施例１および比較例による光ディ
スク１１について、それぞれレーザ出力に対する記録担
体の特性を測定した。波長が８３０ｎｍのレーザを光源
に用い、開口数（ＮＡ）＝０．５５である集光レンズを
通して、レーザ出力の増加に伴う光ディスク１１の記録
部の相変化を観察した。熱伝導制御層を含有した実施例
１による光ディスク１１に対しては、磁界を印加しない
場合と５００（Ｏｅ）の強さの水平磁界を印加した場合
においてそれぞれ測定を行った。

【００４４】その結果、熱伝導制御層を設けない比較例
による光ディスクでは、４．５〜７．５ｍＷの領域にお
いて記録の消去が生じ、８．５ｍＷ以上で高温相への変
化が生じた。一方、熱伝導制御層６を設けた実施例１に
よる光ディスクに対して水平磁界を印加しない場合は、
４．０〜７．０ｍＷの領域において記録の消去が生じ、
８．０ｍＷ以上で高温相への変化が生じた。実施例１に
よる光ディスクに対して５００（Ｏｅ）の水平磁界を印
加した場合には、５．０〜８．５ｍＷの領域において記
録の消去が生じ、９．５ｍＷ以上で高温相への変化が生
じた。

【００４５】従って、熱伝導制御層６を含有した光ディ
スクに磁界を印加することにより、記録の消去や高温相
への転移が生じる臨界レーザ強度が上がり、記録担体の
記録の保持力が向上することとなる。すなわち再生用の
検出器の感度を上げるためにレーザ強度を上げても、記
録の消去が生じにくくなる。

【００４６】さらに上述の光ディスクを適用する光記録
再生装置において、光記録時には光ディスクの記録部に
磁界を印加せず、光再生時には光ディスクの再生箇所に
水平磁界を印加することにより、光記録時にはレーザ強
度が低くても記録が行えるようにし、光再生時には再生
感度を上げるためにレーザ強度を高くしても記録の消失
ないしは減衰が生じないようにできる。

【００４７】尚、上述の実施例は本発明の一例であり、
本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取
り得る。

【００４８】例えば上述の例では熱伝導制御層６とし
て、強磁性膜４が非磁性膜５を介して積層された積層膜
を用いる場合であったが、図４にその一例の概略断面図
を示すような、非磁性膜５中に強磁性体粒子４ａが分散
しているいわゆるグラニュラー型の層とすることもでき
る。この場合には、外部磁界を付加しない時には各強磁
性体粒子４ａの磁化の方向がばらばらであり非強磁性を
示し、ここに外部磁界を印加することにより、これら強
磁性体粒子４ａの磁化の方向が一定方向にそろって強磁
性を示し、積層膜の場合と同様に導電率や熱伝導率が上
がることになる。

【００４９】また、上述の実施例では、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ膜を用いた相変化型の光ディスクを用いたが、追記型
の光ディスクや、書き換えが可能な光ディスク例えば光
の照射と共に磁化を反転させる光磁気ディスク等におい
ても本発明を適用することができる。すなわち、それぞ
れのディスクに用いられる記録材料（有機光変調膜、Ｇ
ｅ−Ｓｂ−Ｔｅ等相変化型記録膜、Ｔｂ−Ｔｅ−Ｃｏ等
光磁気記録膜等）を光記録膜に用いて、本発明における
熱伝導制御層を記録膜に接して配置するディスク構造と
し、光再生時と光記録時における熱伝導率を前述のよう
に制御することにより、同様にして本発明の効果を得る
ことができる。

【００５０】光磁気ディスクに本発明を適用する場合
は、光磁気ディスクのドライブ装置は、光記録時に記録
用、初期化用等の垂直方向の外部磁界印加手段が設けら
れているが、本発明による場合、さらに水平方向の外部
磁界印加手段を有する構成とする。この場合、水平方向
の外部磁界は光再生時に作用させるため、垂直方向の外
部磁界と同時には印加されない。また、光記録時に印加
される垂直方向磁界は、その印加による水平方向成分が
熱伝導制御層の熱伝導率に影響を与えないように、また
光再生時に印加される本発明における水平方向磁界の印
加による例えば垂直方向の磁界成分によって記録に影響
が生じないように、各磁界印加、熱伝導制御層と光記録
膜の抗磁力を調整する。

【００５１】

【発明の効果】上述したように、本発明では、熱伝導率
を外部から変化させることが可能な材料を光ディスクに
用いることにより、光記録時と光再生時における記録担
体の熱伝導率を変化させることができる。

【００５２】光記録時には、熱伝導率を低下させて周囲
への熱の拡散を抑制することにより、記録担体の温度を
効率よく上昇させることができる。そのため、光源のレ
ーザの出力を、従来より低く設定することができる。レ
ーザの出力を低くすることにより、レーザに流す電流が
少なくてすみ、その結果、光源が消費する電力の低減が
はかられる。

【００５３】光再生時には、熱伝導率を高くして周囲へ
の熱の拡散を促進することにより、記録担体の温度上昇
を防ぎ、誤って書き換えが起こらないようにすることが
できる。従って、レーザの出力を上げても、温度上昇が
大きくならないので、光再生時のレーザの出力を光記録
時と比較して非常に低く設定する必要がなくなる。この
ように、レーザの出力を高くすることにより、再生出力
の向上を図ることができるので、Ｓ／Ｎ（Ｃ／Ｎ）を向
上することができる。

【００５４】再生レーザパワーを高くすることができる
ことにより、短い波長の光源を用いて集光スポットの縮
小化を行った場合に生じる、再生検出器の感度の低下を
補って、再生出力の低下を抑制することができる。従っ
て、短い波長の光源を用いて集光し、ビームスポットを
より小さくできることになる。

【００５５】このように、本発明によれば、ビームスポ
ットをより小さくして、記録や再生が行われる領域を細
密化できることから、光ディスクの記録密度を大きくす
ることが可能となる。これにより、光ディスクの高容量
化やディスク径の縮小をすることができ、より容量の大
きいデータやプログラムの記録ができ、また光記録再生
装置の小型化につながることになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による相変化型光ディスクの一例を示す
概略断面図である。

【図２】本発明による光ディスクに適用する熱伝導制御
層の一例を示す概略断面図である。

【図３】本発明による光記録再生装置の一例の概略断面
図である。

【図４】本発明による光ディスクに適用する熱伝導制御
層の他の例を示す概略断面図である。

【図５】従来の相変化型光ディスクの一例を示す概略断
面図である。

【図６】強磁性膜を非磁性膜を介して積層させた積層膜
の強磁性−反強磁性結合を説明する構成図である。Ａ外部磁界の印加がない場合の図である。Ｂ外部磁界の印加がある場合の図である。

【符号の説明】

１基板２保護膜３光記録膜４強磁性膜４ａ強磁性体粒子５非磁性膜６熱伝導制御層７光反射膜（ヒートシンク膜）８カバーシート１１光ディスク１２光ピックアップ１３外部磁界印加手段１４駆動増幅回路１５回転駆動軸Ｌレーザ光

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】熱伝導率を外部から変化させることが可
能な熱伝導制御層を光ディスク内に含有することを特徴
とする光ディスク。
【請求項２】上記熱伝導率を外部より変化させること
が可能な熱伝導制御層が、光記録膜と、ヒートシンク膜
を兼ねた光反射膜との間に配置されたことを特徴とする
請求項１に記載の光ディスク。
【請求項３】上記熱伝導制御層が、強磁性膜と、該強
磁性膜間に介在させた非磁性膜との積層膜より成り、該積層膜による熱伝導制御層は、その強磁性膜同士が反
強磁性の方向で磁気的に配列された熱伝導率の低い第１
の態様と、外部磁界印加の下で強磁性膜同士が強磁性の
方向で磁気的に配列された熱伝導率の高い第２の態様と
を採ることを特徴とする請求項１または２に記載の光デ
ィスク。
【請求項４】熱伝導率を外部から変化させることが可
能な熱伝導制御層を光ディスク内に含有する光ディスク
に対して、光照射によって記録および再生を行う光ピッ
クアップと外部磁界印加手段とを具備し、上記光ディスクに対して上記外部磁界印加手段によって
外部磁界を制御して上記光ディスクの熱伝導率を光再生
時において、光記録時に比し大にすることを特徴とする
光記録再生装置。
【請求項５】熱伝導率を外部より変化させることが可
能な熱伝導制御層が、光記録膜と、ヒートシンク膜を兼
ねた光反射膜との間に配置された光ディスクに対して、
光照射によって記録および再生を行う光ピックアップと
外部磁界印加手段とを具備し、上記光ディスクに対して上記外部磁界印加手段によって
外部磁界を制御して上記光ディスクの熱伝導率を光再生
時において、光記録時に比し大にすることを特徴とする
光記録再生装置。
【請求項６】熱伝導率を外部より変化させることが可
能な熱伝導制御層が、強磁性膜と、該強磁性膜間に介在
させた非磁性膜との積層膜より成り、該積層膜による熱伝導制御層は、その強磁性膜同士が反
強磁性の方向で磁気的に配列された熱伝導率の低い第１
の態様と、外部磁界印加の下で強磁性膜同士が強磁性の
方向で磁気的に配列された熱伝導率の高い第２の態様と
を採る光ディスクに対して、光照射によって記録および
再生を行う光ピックアップと外部磁界印加手段とを具備
し、上記外部磁界印加手段の制御によって光記録時には上記
熱伝導率が低い第１の態様とし、光再生時には上記熱伝
導率が高い第２の態様とすることを特徴とする光記録再
生装置。