JPH01286156A - ドメインのない制御層を持つ媒体を使用する磁気光学式記録システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、レーザによる情報記録システムに関し、特に
、磁気光学媒体に再書込みすることができるようなシス
テムに関する。本発明の主な目的は、別に読み出し又は
消去のステップを要せずに、書込み可能な改良されたレ
ーザ式情報記録システムを提供するにある。

〔従来の技術〕

磁気光学システムは、光学媒体の使用による高い情報記
憶密度と、磁気記録システムの再書込み能力特性とを併
せ持っている。磁気光学媒体は、−船釣に多数の磁気ド
メインを有する記憶層を備えており、その各々が２進デ
ータの１ビツトを上向き又は下向きのスピン方位の形で
記憶することができる。このようなドメインから反射さ
れるレーザ光の偏りは、「磁気光学効果」により、ドメ
インのスピン方位の関数として、時計方向又は反時計方
向に回転する。

磁気光学媒体は、各ドメインに直線偏光を照射し、各ド
メインからの反射を偏光アナライザと強度検出器とを用
いて分析することにより読み取ることができる。検出器
と偏光アナライザの軸とは、例えば磁気光学効果が反射
直線偏光に時計方向回転を生じたとき検出される反射光
が最大になるように整列されている。反時計方向に回転
する直線偏光は検出器での強度がもっと低い。従って検
出器での強度は直線偏光の回転の方向を表し、これは光
を反射するドメインのスピン方位を表す。従って、スピ
ン方位の形で符号化されたデータは光の強度の形で読み
出すことができる。更に精巧なシステムでは相補偏光状
態を差動検出して共通モードの排除を向上させている。

ドメインのスピン方位は熱磁気的に制御することができ
る。好ましい磁気光学材料は非晶質フェリ磁性希土類遷
移金属の薄膜をガラス又は、プラスチックの保護層で包
み込んだものである。

フェリ磁性膜材料としては、垂直単軸異方性のものが選
択されるため、磁化は膜平面に垂直になっている。望ま
しくは、飽和保磁力が最大である補償点を、所定の周囲
温度近辺に設定して、外部磁界及び読み出しプロセスそ
のものが記憶情報を乱さないようにする。これらの材料
に対して飽和保磁力（Ｈｃ）は、周囲温度では高く、例
えば数千エルステッド（ｋｏｅ）であるが、更に高い温
度範囲内では比較的低く、例えば数百エルステッドであ
る。ドメインのスピン方位はドメインを加熱しながら局
部磁界により確定することができる。熱はレーザパルス
を用いて局部的に加え、近隣のドメインに影響を与えず
に単独ドメインのスピン方位を選択することができる。

磁気光学的記録の課題の１つは、１ビツトずつ直接重ね
書きする能力を達成することである。

換言すれば、媒体の一区画を、事前に消去せずに、その
区画に今までどんな情報が入っていたかに関係なく、再
書込みする能力を達成することである。記憶密度の大き
いこと、即ち１０８ビツト／ｃｍ”以上の程度であるこ
とと、その結果磁気光学媒体により得られる記憶容量が
、ギガバイトで測るほど大きいことから、書込みプロセ
スの簡便さと速度が重要である。

媒体の大きな面積にわたり磁界を高周波スイッチングす
ることが困難なため、書込み速度が制約されている。高
速磁気スイッチングを利用するシステムについては、サ
ン（Ｓｕｎ）等に対して付与された米国特許第４，６４
９．５１９号の従来技術として説明されている。このス
イッチングの制限は、各磁界方向に１回ずつ行う２バス
による書込みにより回避することができる。各バスにつ
いて、書込みレーザは変調され、存在する磁界に沿って
方向付けられるドメインのみを照明する。通常は、最初
のバスは消去であって、再書込みすべき媒体の区画は、
一定の磁界と光の強さを持った一方向に初期設定される
。次に磁界は反転され、光は所定のドメインの向きをス
イッチするように変調される。

２パスのために、再書込みプロセスは甚だしく遅いもの
となる。複雑かつ相当な費用をかけることにより、この
速度の問題は、１９８６年１０月発行のアイ・ビー・エ
ム・テクニカル・ディスクロージ＋　（ＩＢＭ　ｔｅｃ
ｈｎｉｃａｌ　ｄｉｓｃｌｏｓｕｒｅ）第２９巻第５号
の「磁気光学式記録消去法」に述べられているようなシ
ステム技法により改善することができる。このシステム
技法によれば、「自由時間」が利用できるようになるま
で一定の動作が遅延される。しかし「ビデオ対話式」及
びディスク式メモリキャッシングのような用途では、か
かる自由時間を利用できない。

更に複雑な磁気光学媒体が、２パス再書込みを不要とす
べく試みされてきた。標準の磁気光学的記憶層を備える
他に、これらの媒体は磁気制御層を備えており、この磁
気制御層は、磁気ドメインが書込み動作中、局部バイア
スを発生するように形成される。１パス再書込みは高速
磁気スイッチングを要せずに実施可能である。

かかるシステムの一つは日本光学■に与えられた西独特
許筒３．６１９．６１８号に開示されている。

このシステムは読み出しくメモリ）層の下に制御（参照
）磁性層を備えた媒体を使用している。

書込み動作に先立ち、制御層のドメインはすべて比較的
強い外部磁界を使用して初期方位に初期設定される。こ
の外部磁界は、データ層に影響を与えずに、媒体の外部
にある電磁石により加えることができる。書込み動作中
、制御層は初期設定用磁界とは反対の方位を有する第２
の外部磁界にさらされる。この第２の外部磁界は比較的
弱いので、制御ドメインがキュリー温度まで加熱されな
い限り、制御ドメインの方位には影響を与えない。比較
的低出力の書込みビームを使用して関連制御ドメインを
そのキュリー温度より低く保ちながら、記憶ドメインを
そのキュリー温度を超えて加熱することにより、一つの
磁気方位が記憶ドメインに付与される。記憶ドメインと
関連の制御ドメインとを、そのそれぞれのキュリー温度
を超えて加熱することにより反対の磁気方位が記憶ドメ
インに付与される。記憶ドメインは、外部から加えられ
る磁界の磁気方位により決定される制御ドメインの方位
を取る。書込み動作中に反転したこれら制御ドメインは
、次の書込み動作前に初期磁気方位に再初期設定される
。このシステムは記憶層の１ビツトずつの直接重ね書き
ができるが、制御層を設定し、次にこれをクリアするた
めに２個の外部磁石を必要とする。記憶層と制御層とは
接触しているので、協同システムは交換相互作用に鎖っ
ており、システムの製造を困難にし、周囲温度の変化に
敏感にしている。

読み取り層或いは制御層のいずれに対しても外部磁石要
素も別の消去ステップも必要としないシステムがサン（
Ｓｕｎ）等に与えられた米国特許第４．６４９．５１９
号に、及び１９８６年８月２５日発行のアプライド・フ
ィジックス・レターズ（Ａｐｐｌｆｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃ
ｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ　）の第４９巻第８号所載のハンー
ピン・シー（Ｈａｎ−Ｐｉｎｇ　５ｈｉｅｈ）及びマー
ク・エイチ・クリダー（Ｍａｒｋ　Ｈ，Ｋｒｙｄｅｒ　
）による「直接重ね書き能力を有する磁気光学記録材料
」に開示されている。これらのシステムは二つともスピ
ン方位ドメインを、その前の状態から反転するように動
作する書込み法を利用している。これらシステムの長所
はスピン方位を、必要に応じてフリップしたりフリップ
しなかったりすることにより、制御可能な点である。こ
の動作は、書込み前読み取りという１バスで行うことが
できるが、やはり別の読み取り手順が必要である。その
他に、ドメインを読み誤ると書込みエラーになるので、
エラーの原因が増える。更に、書込みは毎回正確に同じ
場所で行わなければならないから、タイミングの制約が
きびしく非実用的である。従って、これら読み取り後書
込みシステムは、所要以上に複雑で且つ誤りやすいとい
う点で不利である。

〔発明が解決しようとする課題〕

従って、本発明の課題は、従来の技術に伴った不利益を
解消可能な、改良されたシステムであり、光学媒体の耐
久性と記憶能力及び磁気媒体の記録便益が得られるシス
テムを提供するにある。さらに、本発明の課題は、書込
み動作の間に、記憶層或いは制御層に関して、消去動作
を別個に必要としないようなシステムを提供するにある
。さらにまた、本発明の課題は、書込み前に、以前の状
態を読み取る必要のないシステムを提供するにある。さ
らにまた、本発明の課題は、外部磁石の高速スイッチン
グが不要なシステムを提供するにある。さらに簡単に言
えば、本発明の課題は、記録中に、消去読取りの各ステ
ップを別個に必要としないような、光学的に読み取り可
能な媒体を提供するにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記課題を解決するために、本発明によれば、分布光学
的及び熱的性質を有する媒体を含むシステムであって：
前記媒体が、磁気光学的記憶層と磁気的制御層とを含み
；前記媒体が、所定の周囲温度範囲を備え：前記記憶層
が、第１の磁気方位と第２の磁気方位とを選択可能な少
なくとも１つのドメインを備え：前記制御層が、制御層
キュリー温度を備え：前記制御層が、前記ドメインに印
加される磁界の大きさ及び方向を決定する温度を有する
領域を含むことにより、前記磁界の大きさが概ねゼロに
なる正味ゼロ磁界温度を規定され；前記磁界が、前記領
域が前記周囲温度範囲と前記正味ゼロ磁界温度の間にあ
る場合に、初期方向を有し；前記正味ゼロ磁界温度が、
前記周囲温度範囲以上であり、かつ前記制御層キュリー
温度以下であり；前記磁界が、前記領域が前記正味ゼロ
磁界温度と前記制御層キュリー温度の間にある場合に、
反転方向を有し：前記分布光学的及び熱的性質が好適に
選択されることにより；第１のタイプのレーザビームが
、前記ドメインに照射された場合に、前記ドメインが第
１のドメインピーク温度に加熱され、前記領域が前記正
味ゼロ磁界温度以上であって前記制御層キュリー温度以
下である第１の領域ピーク温度に加熱されることにより
、前記ドメインが前記周囲温度にまで冷却するにつれ、
前記第１の磁気方位状態になり、この第１の磁気方位が
維持され：第２のタイプのレーザビームが、前記ドメイ
ンに照射された場合に、前記ドメインが第２のドメイン
ピーク温度に加熱され、前記領域が前記制御層キュリー
温度以下である第２の領域ピーク温度に加熱されること
により、前記ドメインが前記周囲温度にまで冷却するに
つれ、前記第２の磁気方位状態になり、この第２の磁気
方位が維持されることを特徴とする、ドメインのない制
御層を持つ媒体を使用する磁気光学式記録システムが提
供される。

さらに本発明によれば、前記システムが、前記第１及び
第２のタイプのレーザビームを供給するためのレーザ手
段を備え；前記レーザ手段が、前記媒体に光学的に連結
され：さらに前記システムが、前記レーザ手段と前記ド
メインとのアラインメントを調整するための駆動手段を
備え；前記駆動手段が、前記レーザ手段及び前記媒体に
機械的に連結され：さらに前記システムが、前記駆動手
段と前記レーザ手段を制御するためのシステム回路を備
え；前記システム回路が、前記駆動手段及び前記レーザ
手段と交信可能に連結されることを特徴とする、ドメイ
ンのない制御層を持つ媒体を使用する磁気光学式記録シ
ステムが提供される。

また本発明にもあとづく媒体は、その中の幾つかは第１
の磁気スピン方位を有し、その中の幾つかは第２の磁気
スピン方位を有する複数のドメインを含む、磁気光学的
記憶層と；初期磁化方位を備えたドメインの無い磁気制
御層とから成ることを特徴としている。

さらに本発明によれば、分布光学的及び熱的性質を有し
、所定の周囲温度範囲を備えた媒体を備え：前記媒体が
、記憶保護層と、磁気光学的記憶層と、中間誘電体層と
、磁化制御層とさらに制御保護層の連続から成り：前記
記録層が、フェリ磁性であり；前記記録層が、前記周囲
温度範囲とこの周囲温度範囲より高い記憶層キュリー温
度との間にある、補償温度を有し；前記記憶層が、第１
のドメインを含む複数のドメインを備え；各ドメインは
、選択的に第１の磁化及び第２の磁化を獲得可能であり
：前記制御層が、主にフェリ磁性材料から成り；前記制
御層が、前記周囲温度範囲より高い制御層補償温度と、
前記補償温度より高い制御層キュリー温度を備え；前記
制御層が、第１の領域を有し；この第１領域の温度によ
り、前記第１のドメインにおける磁界の大きさ及び方向
が規定され：前記領域が、前記周囲温度範囲内であって
、前記周囲温度範囲と前記制御層補償温度の間にある場
合に、前記磁界は、初期方向を示し；前記初期方向が、
前記第１の磁化方位とは反対方向であり；前記領域が、
前記制御層補償温度と前記制御層キュリー温度との間の
温度である場合に、前記磁界が、反転方向を示し；前記
反転方向が、゛前記第２の磁化方位と反対方向であり：
高出力書込みビーム及び低出力書込みビームを供給する
ためのレーザ手段を備え；前記レーザ手段は、前記媒体
に光学的に連結され：前記レーザ手段と前記媒体との相
対運動を可能にするための駆動手段を備え；前記駆動手
段が、前記レーザ手段と前記媒体とに機械的連結され：
前記高出力書込みビームと前記低出力書込みビームとの
何れか一方を選択し、前記駆動手段を制御し、前記レー
ザ手段と前記ドメインとのアラインメントを調整するた
めのシステム回路を備え；前記システム回路は、前記駆
動手段と前記レーザ手段とに、交信可能に連結され；前
記分布された光学的及び熱的性質、並びに高出力書込み
ビームと低出力書込みビームとが好適に選択され：前記
システム回路が、前記高出力書込みビームを選択し、前
記ドメインを照射した場合に；前記高出力書込みビーム
の立ち上がりから、次に前記周囲温度範囲に前記ドメイ
ンが回帰するまでの間に；分散したレーザエネルギから
の、少なくとも前記中間誘電体層を介しての、前記領域
へのある程度の熱伝導のために、前記ドメインが第１の
ドメインピーク温度に到達した後に、前記領域が第１の
領域ピーク温度に到達し；前記第１の領域ピーク温度は
、前記制御層補償温度と前記制御層キュリー温度との間
にあり；前記第１のドメインピーク温度が、前記記録層
キュリー温度より高く；前記領域が前記制御層補償温度
を経て冷却する前に、前記ドメインが前記記録層キュリ
ー温度を経て十分に冷却することにより、前記ドメイン
が前記第１の磁化状態になり、前記周囲温度範囲にまで
冷却する間、前記第１の磁化状態を維持し：前記システ
ム回路が、前記低出力書込みビームを選択し、前記ドメ
インを照射した場合に；前記低出力書込みビームの立ち
上がりから、次に前記周囲温度範囲に前記ドメインが回
帰するまでの間に；分散したレーザエネルギからの、少
なくとも前記中間誘電体層を介しての、前記領域へのあ
る程度の熱伝導のために、前記ドメインが第２のドメイ
ンピーク温度に到達した後に、前記領域が第２の領域ピ
ーク温度に到達し；前記第２の領域ピーク温度は、前記
制御層補償温度と前記制御層キュリー温度との間にあり
；前記第２のドメインピーク温度が、前記記録層キュリ
ー温度より高く；前記領域が前記制御層補償温度を経て
冷却する前に、前記ドメインが前記記録層キュリー温度
を経て十分に冷却することにより、前記ドメインが前記
第２の磁化状態になり、前記周囲温度範囲にまで冷却す
る間、前記第２の磁化状態を維持することを特徴とする
、レーザ式情報記録システムも提供される。

このように、本発明によれば、レーザによる情報記録シ
ステムはレーザ光学モジュール、磁気光学媒体、駆動機
構、及びシステム回路を備えている。媒体は磁気光学的
記憶層と磁気的制御層とを備えている。制御層は固定初
期設定状態を備えている。例えば、制御層は周囲温度で
一様に下向きのスピン方位を備えている。制御層は「ド
メインレス」の状態である。すなわち、制御層には、事
前に存在する他のドメイン、又は書込みプロセス中に形
成される他のドメインが存在しない。

ドメインは、記憶層を通して存在するドメイン壁が存在
することで特徴づけられる。記憶層のドメイン構造は、
温度が上がったとき確立された磁気方位を、ドメインが
周囲温度に戻っても、確実に維持するようになっている
。ドメイン壁は制御層には形成されない。それ故、温度
上昇のため磁気反転を受ける制御Ｎ領域は、周囲温度ま
で冷える間に、その始めの方位を再び獲得する。

レーザ光学モジュールぼ、それぞれのビット値、例えば
論理的高又は論理的低に対応する二つタイプのレーザビ
ーム発生する。両タイプのレーザビームとも、記憶ドメ
インをそのキュリー温度の近辺又は以上に加熱するのに
十分であるから、その磁気方位は局部的に加えられた磁
界により確定することができる。しかし、いずれのタイ
プのレーザビームも、制御層にドメインを形成するに十
分なエネルギを伝えることはない。２つのタイプのレー
ザビームの中の一方が、関連する記憶領域で磁界を実質
的に反転させるに十分なエネルギーを、直接に及び／又
は間接に、制御層領域に伝達する。

本発明の重要なパラメータとして、記憶層スイッチング
温度と、スイッチング点とがある。

記憶ドメインの磁気方位は、磁界の大きさがドメインの
飽和保磁力より大きい限りにおいて、印加される磁界に
より設定可能である。そのキュリー温度で、ドメインの
飽和保磁力はゼロになるので、その磁気方位は非常に小
さな磁界で設定することができる。キュリー点以下では
、飽和保磁力は、温度の低下と共に増大する。−般に、
ドメインの磁気方位は、冷却する間に、その飽和保磁力
が、局部的に加えられた磁界の大きさを最初に超すとき
に設定される。かかる温度が、記憶層スイッチング温度
ＴＳ、であり、これが起こる時間がスイッチング点であ
る。記憶層スイッチング温度と時間とは記憶層材料と、
印加される磁界の強さとの関数である。印加磁界が変動
する場合には、記憶層スイッチング温度は時間の関数で
もある。

第１のタイプのレーザビームを照射した後には、記憶ド
メインは、適切な加熱制御領域により反転磁界が加えら
れた状態で、スイッチング温度径て冷却される。第２の
タイプのレーザビームを照射した後には、記憶ドメイン
は、制御領域がその初期磁気方位を保持しているか、又
は初期磁気方位を回復した状態で、スイッチング温度を
経て冷却される。

前述の効果を得るには、記憶ドメインにおける磁界の方
向が、制御ｉｌｌ　ＳＩ域の温度の関数でなければなら
ない。望ましくは、制御領域は、その補償温度が周囲温
度よりかなり高いフェリ磁性材料製である。第１のタイ
プのレーザビームは、記憶ドメインがスイッチング温度
を通って冷却する場合に、制御領域がその補償温度を超
えるように選択可能であり、第２のタイプのレーザビー
ムは、記憶ドメインがスイッチング温度を通って冷却す
る場合に、制御Ｂ領域がその補償温度より低いように選
択可能である。

代わりに、記憶ドメインにおける磁界を、制御層から加
えられる磁界とバイアス磁界との和とすることができる
。制御層はフェリ磁性材料製とすることができ、バイア
ス磁界は、読み出し領域において磁界方向が反転する温
度が、補償温度から「正味ゼロ磁界」温度に移るように
加えることができる。代わりに、制御層をフェリ磁性材
料製にすることができ、バイアス磁界を正味ゼロ磁界温
度を生ずるように加えることができる。いずれにせよ、
レーザビームのタイプは、読み出しドメイ゛ンがそのス
イッチング温度を経て冷却する場合に、一方は正味ゼロ
磁界温度より高く、他方は低くなるように選択される。

このように異なる結果を生じさせるために、第１のタイ
プ及び第２のタイプのレーザビームハハルスｍ１ｌｌＩ
、パルス幅、及びパルス数のような出力関連パラメータ
、及び波長や偏りのような他のパラメータを含む、−以
上のパラメータに関して互いに異なっていなければなら
ない。

更に、識別用パラメータは、所要効果が所要程度に達成
されるように、媒体の分布光学的及び熱的性質に見合っ
てなければならない。

「分布光学的及び熱的性質」なる語句は、媒体が数層に
より構成されている事実を示す。磁気記憶層及び制御層
の他に、媒体に他の層を備えることができる。特に、記
憶域保護層に、保護層を設け、記憶層の表面を環境効果
から保護し、取り扱いによる損傷から保護することがで
きる。同様の機能を、制御域保護層により得ることがで
きる。更に、薄膜製品であるから、ある媒体は、例えば
記憶域保護層に組み込むことができる基板を備えている
。更に、中間誘電体層を記憶層と制御層との間に設置す
るのが好ましい。

これら各層は特性上、且つ一般的特徴として光及び熱と
相互作用する。更に、層が入射光に及ぼす影響は温度に
よって変わることがある。

厚さの僅かな変化が入射レーザビームの干渉模様に大き
な影響を及ぼすことがあり、これは各層により反射され
吸収される光の量と分散とに影響する。光学媒体に関す
る当業者は、媒体の分布光学的及び熱的性質の関数であ
る、媒体の所定の集合特性を得るように個々の層を調節
することに関する考え方を熟知している。

記憶ドメイン方位を相違させるための一つの好ましい方
法は、ビームを記憶ドメインに向ける場合に、関連の制
御領域がピーク温度になる前に、記憶域温度がピーク温
度になるように分布光学的及び熱的性質を調整すること
である。

これは、例えばドメインをレーザビームで直接加熱し、
領域を記憶層及び中間層に消散したレーザエネルギから
の熱伝導により主として加熱することにより達成可能で
ある。中間誘電体層の厚さは、温度ピークの食い違い（
ｓｔａｇｇｅｒｉｎｇ）が最適になるように調節するこ
とができる。ピーク温度の食い違いが適切であれば、レ
ーザビームの出力を適切に選定することにより、スイッ
チング点での磁界方向を容易に制御することができる。

代わりに、スイッチング点における磁界方向を、ピーク
の食い違い無しに、或いはピークの食い違い以外の各種
原理を利用して制御することができる。例えば、論理的
高を、記憶層により際立って吸収される波長を備えてい
るレーザビームを用いて書き込み、論理的紙を、記憶層
により際立って吸収される波長と制御層により際立って
吸収される波長とのレーザビーム組み合わせを用いて書
き込むことが可能である。代わりに、中間誘電体層に、
波長が異なる二つのビームタイプのうちの一方を優先的
に伝達させることも可能である。いずれの場合でも、制
御領域により吸収されるエネルギの割合は、読み出しド
メインをほぼそのキュリー点にまで加熱するのに要する
エネルギの量を大幅に変えずに変化させることができる
。その他の代案については以降の詳細な説明で示す。

いずれのタイプのビームも制御層の温度をキュリー温度
以上に上昇させないから、制御層に永久ドメインが形成
されることはない。冷却が続くと、反転スピン方位の領
域がその初期設定スピン方位に反転する。外部磁界も別
の消去手順も必要ではない。記録は上の背景の章で述べ
たシステムに使用されている別個の読み出し又は消去の
手順を行わずに達成される。従って、本発明は光学媒体
の情報密度の利点を生かしながら従来の磁性媒体の記録
の便利さを提供するものである。本発明の他の特徴及び
利点は次の図面を参照して行う以下の説明から明らかで
ある。

〔実施例〕

以下添付図面を参照しながら、本発明に基づくレーザ式
情報記録システムについて詳述する。

本発明によるレーザ式情報記録システムは、第１図に示
すように、システム回路１１、レーザ光学モジュール１
３、磁気光学媒体１５、及び駆動機構１７から構成され
ている。媒体１５は記憶域保護Ｎ２０、記憶層３０、中
間誘電体層４ｏ、制御層５ｏ及び制御域保護層６０を備
えている。記憶層３ｏはドメイン３１．３２．３３．３
４．３５を含む多数の磁気ドメインを備えている。ドメ
イン３１〜３５の磁気方位は書込み時制御層５０のそれ
ぞれの領域５１．５２゜５３、５４及び５５により発生
する磁界により規定される。

バス７１はシステム回路１１とレーザ光学モジュール１
３との間で、データ、制御、及び状態の各信号を伝達す
る。システム回路１１はバス７３により駆動機構１７に
駆動制御信号を送ることによって、レーザ光学モジュー
ル１３と媒体１５との相対運動を制御する。駆動機構１
７は、媒体１５を回転させ、リンク７５を介して相対円
周運動を制御する。駆動機構１７は、レーザ光学モジュ
ール１３を直線的に移動させることにより、リンク７７
を介して相対半径方向運動を制御する。

図示のように媒体１５に関し配列されると、レーザ光学
モジュール１３は、光路７９に沿って、記憶ドメイン３
３と隣接する制御領域５３とを含む媒体１５の垂直領域
に高出力書込みパルスと低出力書込みパルスとを伝える
ことができる。低出力と高出力とのパルスは共に記憶ド
メイン３３を、そのキュリー温度より上まで加熱するの
に十分である。続いて、記憶ドメイン３３はスイッチン
グ温度ＴＳを経て冷却するが、温度Ｔｓより下では磁化
は一定となる。

媒体１５の熱的、光学的性質により、記憶ドメイン３３
がそのスイッチング温度を経て冷却するにつれて、制御
領域５３が、高出力パルスの場合その補償温度より高く
、低出力パルスの場合その補償温度より低くなる。この
相対補償温度の差異により高出力パルスが記憶ドメイン
３３に関して示すように上向き磁化の形で「１」を書き
込むことができ、一方、低出力パルスを記憶ドメイン３
４に関して示すように下向き磁化の形で「０」を書き込
むのに使用することができる。

制′ａ領域５１〜５５は決してそのキュリー温度より高
く加熱されることはないから、これら領域はすべて周囲
温度まで冷却されると、図示のように下向きにその初期
磁化を回復する。書込み手順とスイッチング温度とにつ
いては第４図を参照して以下に詳述する。

媒体１５は基板上に層状構造を作ることが可能な薄膜技
術を利用して製作される。ガラス又はプラスチックの基
板は記憶域保護Ｎ２０に含まれており、この保護層は基
板と記憶Ｎ３ｏとの間に副保護層をも備えて記憶層３０
を基板内の汚染物から分離している。副保護層は二酸化
シリコンの薄膜付着とすることができる。基板は剛く厚
さは１ｍｍである。表面形態は記憶層に対向する基板面
にエッチされるかモールドされて記憶ドメインの場所を
規定する。層２０は透明で光路７９に沿うレーザ光を記
憶層３０に到達させることができる。

記憶層３０は、テルビウム−鉄、ガドリニウム−テルビ
ウム−鉄、又はテルビウム−鉄−コバルトのような希土
類遷移金属の合金である。記憶層３０の厚さは約２０ナ
ノメートル（ｎｍ）から３０ｎｍである。記憶層３０は
比較的強い磁気光学的効果を入射光に与えて読み出しを
容易にするように選択される。

第２図は記憶層３０の飽和保磁力Ｈｃを温度Ｔの関数と
して示す。表示した第２図のグラフのように、記憶層３
０は補償温度ＴＳ、が基底温度即ち周囲温度Ｔ、に近く
、周囲温度範囲Ｒ１の中にあるフェリ磁性材料からなる
ものである。

スイッチング温度ＴＳ、は前記憶層のキュリー温度ＴＳ
ｃより低いが、これに近い。

中間誘電体層４０は記憶層及び制御層に対して熱ピーク
の所定の一時的食い違いが得られるように選定される。

事実、２０〜６０のすべての層が媒体１５の光学的、熱
的特性全体に寄与しており、本発明は中間誘電体層がな
くても実用化することができる。しかし、中間誘電体層
４０を介在させれば、媒体１５の熱的、光学的特性全体
を最適化する上である程度の設計自由度が得られる。

その他、中間誘電体層４０は記憶層３０と制御層５０と
の間の原子対原子の交換相互作用を破壊するのに役立ち
、その相互作用を制限して磁界近辺の相互作用を一層制
御しやすくする。

制御層５０は、その補償温度ＴＣ，が周囲温度Ｔ、より
かなり高いフェリ磁性材料からなる。

製造中、制御層５０は第１図に示す下向き磁化により初
期設定される。

第３図の磁化Ｍ対温度Ｔのグラフに示すように、制御層
５０は、その初期設定された磁化方向を周囲温度Ｔ、と
制御領域補償温度Ｔ　Ｃ２との間の期間中維持する。制
御領域補償温度Ｔｃ２と制御層キュリー温度ＴＣｃとの
間で、制御層５０は上向き磁化に反転し、制御層キュリ
ー温度ＴＣｃでゼロ磁化まで減衰する前にＴＣ，でピー
ク磁界強度を達成する。ＴＣ，は制御層補償温度ＴＣ２
より低い温度であって、磁界強度がＴＣ，での磁界強度
と反対で且つほぼ等しい温度を示す。第１図を参照する
と、制御Ｉ！！５０は制御域保護層６０により下部から
保護されている。

制御域保護層６０はフォトレジスト、ポリイミド、又は
二酸化シリコンから構成することができ、約１μｍの厚
さにすることができる。

書込みプロセスを、時間ｔにわたり四つの温度プロフィ
ルを描いた第４図を参照して説明する。プロフィル８３
は、高出力書込みパルスを加えている間及びその後の記
憶ドメイン３３の特徴を示しており、プロフィル９３は
高出力書込みパルスを加えている間及びその後の制御領
域５３の特徴を示している。プロフィル８４は低出力パ
ルスを加えている間及びその後の記憶ドメイン３４の特
徴を示しており、プロフィル９４は低出力書込みパルス
を加えている間及びその後の制御領域５４の特徴を示し
ている。

所定の層に対し、時間ピーク温度の発生は、パルス出力
にそれ程敏感ではない。特に、記憶ドメインのプロフィ
ル８３と８４とのピークはほぼ同時に発生するが、達成
される振幅が異なる。

制御領域プロフィル９３と９４とのピークも類似の関係
にある。更に重要なのは、制御領域プロフィル９３と９
４とのピークが、対応する記憶ドメインのプロフィル８
３と８４とのピークの後で起こるということである。

このピークの一時的食い違いにより、書込みプロセスが
書込みビーム出力に一層応答しやすくなる。高出力パル
スの場合には、記憶ドメインのプロフィル８３が、スイ
ッチング温度ＴＳ。

まで冷却すると、制御領域プロフィル９３は補償温度Ｔ
Ｃ１ｌより高い温度ＴＣ，にある。従って、このとき、
制御領域５３は反転上向き磁化の特徴を有し、この磁化
は記憶ドメイン３３に与えられる。周囲温度Ｔ、が回復
するにつれて、上向き磁化は記憶ドメイン３３で一定の
ままであるが、制御？ｉＩ域５３はその初期設定された
下向き磁化を回復する。これが第１図のドメイン３３及
び領域５３において磁化の矢印で描いた状況である。

低出力パルスの場合には、記憶ドメインのプロフィル８
４はスイッチング温度ＴＳ、を経て冷却し、制御領域プ
ロフィル９４は制御領域補償温度ＴＣ，より低い温度Ｔ
Ｃ，まで落ちている。

従って、下向き磁化が、周囲温度Ｔ１を回復するにつれ
て記憶ドメイン３４に与えられる。低出力書込みパルス
後の周囲温度における記憶ドメイン３４と関連する制御
領域５４との磁化は第１図のそのそれぞれの場所に磁化
の矢で描いである。

スイッチング温度ＴＳ、は、記憶ドメイン３３の制御層
５０により加えられる磁界が冷却中記憶ドメイン３３の
飽和保磁力Ｈｃに等しいとき生ずる。スイッチング温度
ＴＳ、が記憶ドメイン補償温度ＴＳ、と記憶層キュリー
温度ＴＣ，との間にあるとき、ＴＳ、は幾つかの変数の
関数となる。即ちＴＳ、は、第２図に示す記憶ドメイン
飽和保磁力Ｈｃ対１度Ｔのプロフィルの関数である。Ｔ
Ｓ、は、また第３図の制御層磁化Ｍ対温度Ｔのプロフィ
ルの関数であり、この変数は、それが直接関係のある制
御領域の磁化ではなく記憶ドメインの磁界であるという
点で限定されている。ＴＳ、は、飽和保磁力と磁界強度
とが所定の出力のレーザパルスに対して何時、従ってど
の温度で釣り合うかを決定するので、第２図と第３図と
のプロフィル間の一時的関係の関数でもある。事実、論
理的高が書き込まれるときのＴＳ、の値は通常、論理的
低が書き込まれるときの値と同じではない。一般に、こ
の差は大きくはなく、その影響は飽和保磁力が温度と共
に敏感に変化する場合には最小にすることができる。

示したとおり、スイッチング温度は変数である。スイッ
チング温度の上の限界は記憶層キュリー温度であり、下
の境界は制御領域により規定することができる最大正味
磁界である。一般に、反転磁界方向に対する最大強度は
初期設定方向に対する最大強度とは異なり、通常はそれ
より小さい。従って、スイッチング温度には異なる二つ
の下方境界がある。スイッチング温度はドメインの飽和
保磁力が正味印加磁界を超えて上昇する丁度そのときに
発生する。

高出力及び低出力のレーザパルスは、媒体１５に対して
選択した材料と寸法に関して、最適に調整される。レー
ザパルスのタイプと媒体の各層とに対する最適な特性は
、密接に関連している。書込みに必要なパルスのタイプ
は各層の集合的、個別的な熱的、光学的性質によって変
化する。例えば、中間誘電体層の熱特性はその光学特性
の他に、他の層の光学特性によっても変化する。当業者
は、材料、厚さ、及び他の仕様の調整に周知しており、
媒体は、全体として所定の組合わせの性質に調整される
。この実施例の場合には、熱的、光学的、及び磁気的性
質は、使用されるタイプのレーザパルスにより、全ての
層が上記作用を示すように調節される。

前述の実施例に対する多数の代案が本発明により用意さ
れている。本発明は媒体に対して異なる形態を準備して
おり、ディスク形媒体の他にリールに巻かれた扁平なス
トリップやテープを含んでいる。本発明は層内部に副層
を設けている。例えば、中間誘電体層は熱的、光学的性
質が異なる副層を備えることができる。記憶域像ｉ１！
層は記憶層内にドメインの場所を画定する別の層を備え
ることができる。本発明はまた別の層をも準備している
。両面ディスクは、例えば、二つの記憶層間の制御層で
形成することができる。また、下に説明するように、別
の磁性層をバイアス層として使用することができる。

制御層は強磁性材料から作ることができる。

強磁性材料も磁化を温度の関数として変化させる。ただ
し、変化は基本的には磁界方向が変化しないで磁界の大
きさが減少する。反対極性のバイアス磁界を使用するこ
とにより、記憶ドメインの正味磁界は必要なゼロクロス
オーバを持たせるようにすることができる。バイアス磁
界は一定の磁性層をディスクに付加するか又は駆動機構
のプラックに内蔵した永久磁石又は電磁石のような外部
磁気源を使用して印加することができる。一つの実施例
では、制御層５ｏは強磁性材料からなり、制御域保護層
６ｏは磁気バイアス副層を備えている。

制御層の光学的性質は、本発明により開発される。読み
出し動作中、制御層に−様なスピン極性を備えさせ、媒
体から反射する光により生ずる磁気光学的回転をバイア
スさせるのに使用することができる。光学検出器の多く
は、その読み取り光学装置に２個のビーム分割用ミラー
を必要とするが、一つは入射するレーザ光と反射したレ
ーザ光を分離するものであり、他は反射光内の二つの可
能な回転を区別するものである。第１のビーム分割用ミ
ラーを検出に使用することができない理由は、記憶層に
よる回転が対称であって、二つの回転方向を区別するの
に強度検出器を使用することができないからである。し
かしながら、磁気光学的回転をバイアスさせることによ
り、入射ビーム用の偏光ビームスプリッタにより、磁気
光学的回転の方向に応じた異なる量の反射光を反射する
。かくして、強さに基づく検出に必要な電子装置が廉価
になり、ビーム分割用ミラーが一つで済む。

中間誘電体層を設けない実施例を準備することも可能で
ある。このような実施例は読み出し層と制御層との間の
交換磁化を活用することができる。また、所定の書込み
機能を、これら各層の固有の光学的、熱的性質に基づき
行うことが可能である。

論理的高及び論理的像の書込みにそれぞれ異なるレーザ
ビーム波長を使用することができる。

例えば、論理的像は、記憶層により際立って吸収される
波長のレーザビームを使用して書き込むことができるの
で、制御層はその補償点より上に加熱されることがない
。書込み高は第１の波長と制御層により際立って吸収さ
れる別の波長との組み合わせを用いて行うことができる
。

従って「レーザビームタイプ」は二つ以上の離れた波長
で特徴づけられるレーザビームの組み合わせ又はレーザ
ビームと言うことができる。

このような優先的吸収は、記憶層及び制御層を構成する
材料の特性である必要はないが、分布光学構造を適切に
選択することにより発生させることができる。

代わりに、中間誘電体層を、制御層領域が磁界方向を変
えるべきときに使用すべき波長を吸収又は透過するよう
に、及び初期設定された磁界方向をドメイン層に加える
べきときに使用すべき波長を反射するように選択するこ
とができる。レーザビームから伝えられる出力は単一パ
ルスの振幅又はパルス幅を変えることにより、又は各パ
ルスが一定の振幅とパルス幅とを持っているビームのパ
ルス数を制御することにより制御することができる。代
わりとして又は補足的に、使用されるレーザパルス波長
に応じテ変化する熱的又は光学的性質を、他の層に持た
せることも可能である。

一般に、二つのタイプのレーザビームは媒体と次のよう
に相互作用する。一方のタイプのレーザビームは、ドメ
インが一つの方位を獲得し、冷却したら、それを維持す
るように、ドメインと関連領域とを加熱する。もう一方
のタイプのレーザビームは、ドメインが反対の方位を獲
得し、冷却したら、それを維持するように関連制御領域
の加熱を制限しながらドメインを加熱する。いずれの場
合も、ドメインは、スイッチング温度より高く加熱され
、スイッチング温度は上述の通り、他の変数の関数であ
る。一般に、スイッチング温度はキュリー温度に近いの
で、実際には、ドメインの書込みにはそのキュリー点よ
り上に加熱することが含まれる。

制御層の初期磁化により規定される方位とは反対のスピ
ン方位をドメインに与えるには、制御層を正味ゼロ温度
の上に加熱しなければならない。制御層がフェリ磁性で
、バイアス磁界が印加されない場合は、正味ゼロ温度は
制御層の補償温度である。更に、それぞれの制御領域を
ドメインがスイッチング温度を経て冷却するとき、正味
ゼロ温度より高くしておかなければならない。初期磁界
方向を利用して書き込むには、制？Ｉｌ　Ｔｉｌ域は、
１）全く加熱しないか、２）その正味ゼロ温度より低い
温度に加熱するか、３）ドメインがスイッチング温度を
通って冷却する前に正味ゼロ温度を通って冷却するよう
にその正味ゼロ温度以上の温度に加熱するか、４）ドメ
インがスイッチング温度を通って冷却する前に領域が正
味ゼロ温度より高く上がるように加熱を遅らせてその正
味ゼロ温度以上の温度に加熱するかすることができる。

二つのタイプのレーザビームは上述の通り異なる効果を
有しているので、ｌ）異なる出力を使用することができ
、２）媒体の熱的性質を、ドメインが、それぞれの制御
領域がそのピーク温度になる前か後かに、ピーク温度に
なるように、分布させることができる。３）制御領域及
び関連のドメインに対する温度プロフィルの形状は正し
く選定することができる。４）レーザビームのタイプを
、スペクトル分布、出力、又は媒体の少なくとも一方の
層に異なる作用を示すようなパラメータに応じて、相違
させることができる。

５）上記の二つ以上の組み合わせ、６）上記以外のもの
。当業者には層とレーザビームタイプとの間のこれらの
関係を実現する多種多様な方法が存在することが明らか
である。

上述の反射性システムばかりでなく透過性シ　４ステム
も用意されている。このようなシステムでは、読み出し
ビームは分析すべき媒体を通して他方の側に伝えられる
。図示した実施例に加えられるこれら及び他の変形室及
び修正案は本発明により用意されており、その範囲は特
許請求の範囲によってのみ限定される。

〔発明の効果〕 以上の説明からも明らかなように、本発明によれば、耐
久性及び記憶能力に優れた光学媒体が得られる。さらに
本発明によれば、書込み動作の間に、記憶層或いは制御
層に関して、消去動作を別個に必要としないようなシス
テムが得られる。さらに本発明によれば、書込み前に、
以前の状態を読み取る必要のないシステムが得られる。

さらに本発明によれば、外部磁石の高速スイッチングが
不要なシステムが得られる。

このように本発明によれば、記録中に、消去読取りの各
ステップを別個に必要としないような、光学的に読み取
り可能な媒体を提供するにある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、零発°明に基づく磁気光学式情報記憶システ
ムの概略図であり； 第２図は、第１図に示すシステムの媒体の記憶層につい
て、温度の関数として示された飽和保磁力の概要を示す
グラフであり； 第３図は、第１図に示すシステムの媒体の制御層につい
て、温度の関数として示された磁化曲線を示すグラフで
あり；さらに 第４図は、２つの異なるレーザ出力レベルについて、記
憶層と制御層における、温度と時間との関係を示したグ
ラフである。 １１・・・システム回路、１３・・・レーザ光学モジュ
ール１５・・・磁気光学媒体、１７・・・駆動機構２０
・・・記憶域保護層、３０・・・記憶層３１〜３５・・
・ドメイン、４０・・・中間誘電体層５０・・・制御層
、５１〜５５・・・領域６０・・・制御域保護層、　７
１．７３・・・バス７５．７７・・・リンク、７９・・
・光路８３・・・記憶ドメイン３３の高出力ピーク温度
８４・・・記憶ドメイン３４の低出力ピーク温度９３・
・・制ｍ領域５３の高出力ピーク温度９４・・・制？Ｉ
ＩｆＩＩ域５４の高出力ピーク温度ＨＣ・・・飽和保磁
力 Ｍ・・・磁化 Ｒ１・・・周囲温度範囲 Ｔ・・・温度 Ｔ１・・・周囲温度 ＴＳｃ・・・記憶ドメインキュリー温度Ｔ　Ｓ　ｚ・・
・記憶ドメイン補償温度ＴＳ、・・・スイッチング温度 Ｔｅ３・・・制御領域補償温度 ＴＣｃ・・・制御層キュリー温度

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）分布光学的及び熱的性質を有する媒体を含むシス
   テムであって： 前記媒体が、磁気光学的記憶層と磁気的制 御層とを含み；前記媒体が、所定の周囲温度範囲を備え
   ： 前記記憶層が、第１の磁気方位と第２の磁 気方位とを選択可能な少なくとも１つのドメインを備え
   ： 前記制御層が、制御層キュリー温度を備 え；前記制御層が、前記ドメインに印加される磁界の大
   きさ及び方向を決定する温度を有する領域を含むことに
   より、前記磁界の大きさが概ねゼロになる正味ゼロ磁界
   温度を規定され；前記磁界が、前記領域が前記周囲温度
   範囲と前記正味ゼロ磁界温度の間にある場合に、初期方
   向を有し；前記正味ゼロ磁界温度が、前記周囲温度範囲
   以上であり、かつ前記制御層キュリー温度以下であり；
   前記磁界が、前記領域が前記正味ゼロ磁界温度と前記制
   御層キュリー温度の間にある場合に、反転方向を有し： 前記分布光学的及び熱的性質が好適に選択 されることにより； 第１のタイプのレーザビームが、前記ドメ インに照射された場合に、前記ドメインが第１のドメイ
   ンピーク温度に加熱され、前記領域が前記正味ゼロ磁界
   温度以上であって前記制御層キュリー温度以下である第
   １の領域ピーク温度に加熱されることにより、前記ドメ
   インが前記周囲温度にまで冷却するにつれ、前記第１の
   磁気方位状態になり、この第１の磁気方位が維持され： 第２のタイプのレーザビームが、前記ドメ インに照射された場合に、前記ドメインが第２のドメイ
   ンピーク温度に加熱され、前記領域が前記制御層キュリ
   ー温度以下である第２の領域ピーク温度に加熱されるこ
   とにより、前記ドメインが前記周囲温度にまで冷却する
   につれ、前記第２の磁気方位状態になり、この第２の磁
   気方位が維持されることを特徴とする、ドメインのない
   制御層を持つ媒体を使用する磁気光学式記録システム。
2. （２）分布光学的及び熱的性質を有する媒体を含むシス
   テムであって： 前記媒体が、磁気光学的記憶層と磁気的制 御層とを含み；前記媒体が、所定の周囲温度範囲を備え
   ： 前記記憶層が、第１の磁気方位と第２の磁 気方位とを選択可能な少なくとも１つのドメインを備え
   ： 前記制御層が、制御層キュリー温度を備 え；前記制御層が、前記ドメインに印加される磁界の大
   きさ及び方向を決定する温度を有する領域を含むことに
   より、前記磁界の大きさが概ねゼロになる正味ゼロ磁界
   温度を規定され；前記磁界が、前記領域が前記周囲温度
   範囲と前記正味ゼロ磁界温度の間にある場合に、初期方
   向を有し；前記正味ゼロ磁界温度が、前記周囲温度範囲
   以上であり、かつ前記制御層キュリー温度以下であり；
   前記磁界が、前記領域が前記正味ゼロ磁界温度と前記制
   御層キュリー温度の間にある場合に、反転方向を有し： 前記分布光学的及び熱的性質が好適に選択 されることにより； 第１のタイプのレーザビームが、前記ドメ インに照射された場合に、前記ドメインが第１のドメイ
   ンピーク温度に加熱され、前記領域が前記正味ゼロ磁界
   温度以上であって前記制御層キュリー温度以下である第
   １の領域ピーク温度に加熱されることにより、前記ドメ
   インが前記周囲温度にまで冷却するにつれ、前記第１の
   磁気方位状態になり、この第１の磁気方位が維持され： 第２のタイプのレーザビームが、前記ドメ インに照射された場合に、前記ドメインが第２のドメイ
   ンピーク温度に加熱され、前記領域が前記制御層キュリ
   ー温度以下である第２の領域ピーク温度に加熱されるこ
   とにより、前記ドメインが前記周囲温度にまで冷却する
   につれ、前記第２の磁気方位状態になり、この第２の磁
   気方位が維持され： さらに前記システムが、前記第１及び第２ のタイプのレーザビームを供給するためのレーザ手段を
   備え；前記レーザ手段が、前記媒体に光学的に連結され
   ： さらに前記システムが、前記レーザ手段と 前記ドメインとのアラインメントを調整するための駆動
   手段を備え；前記駆動手段が、前記レーザ手段及び前記
   媒体に機械的に連結され： さらに前記システムが、前記駆動手段と前 記レーザ手段を制御するためのシステム回路を備え；前
   記システム回路が、前記駆動手段及び前記レーザ手段と
   交信可能に連結されることを特徴とする、ドメインのな
   い制御層を持つ媒体を使用する磁気光学式記録システム
   。
3. （３）その中の幾つかは第１の磁気スピン方位を有し、
   その中の幾つかは第２の磁気スピン方位を有する複数の
   ドメインを含む、磁気光学的記憶層と： 初期磁化方位を備えたドメインの無い磁気 制御層とから成ることを特徴とする、媒体。
4. （４）分布光学的及び熱的性質を有し、所定の周囲温度
   範囲を備えた媒体を備え： 前記媒体が、記憶保護層と、磁気光学的記 憶層と、中間誘電体層と、磁化制御層とさらに制御保護
   層の連続から成り： 前記記録層が、フェリ磁性であり；前記記 録層が、前記周囲温度範囲とこの周囲温度範囲より高い
   記憶層キュリー温度との間にある、補償温度を有し；前
   記記憶層が、第１のドメインを含む複数のドメインを備
   え；各ドメインは、選択的に第１の磁化及び第２の磁化
   を獲得可能であり： 前記制御層が、主にフェリ磁性材料から成 り；前記制御層が、前記周囲温度範囲より高い制御層補
   償温度と、前記補償温度より高い制御層キュリー温度を
   備え；前記制御層が、第１の領域を有し；この第１領域
   の温度により、前記第１のドメインにおける磁界の大き
   さ及び方向が規定され： 前記領域が、前記周囲温度範囲内であって、前記周囲温
   度範囲と前記制御層補償温度の間にある場合に、前記磁
   界は、初期方向を示 し；前記初期方向が、前記第１の磁化方位とは反対方向
   であり；前記領域が、前記制御層補償温度と前記制御層
   キュリー温度との間の温度である場合に、前記磁界が、
   反転方向を示し；前記反転方向が、前記第２の磁化方位
   と反対方向であり： 高出力書込みビーム及び低出力書込みビー ムを供給するためのレーザ手段を備え；前記レーザ手段
   は、前記媒体に光学的に連結され：前記レーザ手段と前
   記媒体との相対運動を 可能にするための駆動手段を備え；前記駆動手段が、前
   記レーザ手段と前記媒体とに機械的連結され： 前記高出力書込みビームと前記低出力書込 みビームとの何れか一方を選択し、前記駆動手段を制御
   し、前記レーザ手段と前記ドメインとのアラインメント
   を調整するためのシステム回路を備え；前記システム回
   路は、前記駆動手段と前記レーザ手段とに、交信可能に
   連結され；前記分布された光学的及び熱的性質、並びに
   高出力書込みビームと低出力書込みビームとが好適に選
   択され： 前記システム回路が、前記高出力書込みビ ームを選択し、前記ドメインを照射した場合に；前記高
   出力書込みビームの立ち上がりから、次に前記周囲温度
   範囲に前記ドメインが回帰するまでの間に；分散したレ
   ーザエネルギからの、少なくとも前記中間誘電体層を介
   しての、前記領域へのある程度の熱伝導のために、前記
   ドメインが第１のドメインピーク温度に到達した後に、
   前記領域が第１の領域ピーク温度に到達し；前記第１の
   領域ピーク温度は、前記制御層補償温度と前記制御層キ
   ュリー温度との間にあり；前記第１のドメインピーク温
   度が、前記記録層キュリー温度より高く；前記領域が前
   記制御層補償温度を経て冷却する前に、前記ドメインが
   前記記録層キュリー温度を経て十分に冷却することによ
   り、前記ドメインが前記第１の磁化状態になり、前記周
   囲温度範囲にまで冷却する間、前記第１の磁化状態を維
   持し： 前記システム回路が、前記低出力書込みビ ームを選択し、前記ドメインを照射した場合に；前記低
   出力書込みビームの立ち上がりから、次に前記周囲温度
   範囲に前記ドメインが回帰するまでの間に；分散したレ
   ーザエネルギからの、少なくとも前記中間誘電体層を介
   しての、前記領域へのある程度の熱伝導のために、前記
   ドメインが第２のドメインピーク温度に到達した後に、
   前記領域が第２の領域ピーク温度に到達し；前記第２の
   領域ピーク温度は、前記制御層補償温度と前記制御層キ
   ュリー温度との間にあり；前記第２のドメインピーク温
   度が、前記記録層キュリー温度より高く；前記領域が前
   記制御層補償温度を経て冷却する前に、前記ドメインが
   前記記録層キュリー温度を経て十分に冷却することによ
   り、前記ドメインが前記第２の磁化状態になり、前記周
   囲温度範囲にまで冷却する間、前記第２の磁化状態を維
   持することを特徴とする、レーザ式情報記録システム。