JPH08212910A - 感光性樹脂層内へのホールの形成法 - Google Patents

感光性樹脂層内へのホールの形成法

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JPH08212910A
JPH08212910A JP28239795A JP28239795A JPH08212910A JP H08212910 A JPH08212910 A JP H08212910A JP 28239795 A JP28239795 A JP 28239795A JP 28239795 A JP28239795 A JP 28239795A JP H08212910 A JPH08212910 A JP H08212910A
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JP
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resin layer
ball
layer
balls
photosensitive resin
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JP28239795A
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Michel Ida
イダ ミシェル
Brigitte Montmayeul
モンマヨーエル ブリジット
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Commissariat a lEnergie Atomique CEA
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    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0015—Production of aperture devices, microporous systems or stamps
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
    • H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 放射陰極にマイクロチップを有する電子源と
フラットディスプレイスクリーンの製造に応用される感
光性樹脂層内へのホールの形成法を開示する。 【解決手段】 樹脂層（２２）が露出光（２６）に対し
透明な単層のボール（２８）を通して露出されており、
各ボールにより前記光が樹脂層の上に焦点を当てられ、
これにより前記樹脂層の領域が露出され、このように露
出された樹脂層が現像される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は感光性樹脂層内へホ
ールを形成する方法に関する。
【０００２】本発明はより詳細には放射陰極にマイクロ
チップを有する電子源の製造に対応でき、電界放出励起
陰極ルミネセンスによりディスプレイ手段を製造するこ
とに特に使用することができる。
【０００３】本発明により、特に例えば１４インチ（ほ
ぼ３５ｃｍ）より大きく、１ｍ2 に近い表面積を有する
大きなマイクロチップのフラットスクリーンを製造する
ことが可能である。
【０００４】本発明は更に、マイクロチップ用のエッチ
ングされた反射防止層、センサおよびレーダ波に対する
反射防止層を製造することに応用できる。
【０００５】
【従来の技術】放射陰極がマイクロチップを有する電子
源およびそれらの製造法は、参照した例えば次の文献に
記載されている： （１）ＦＲ−Ａ−２５９３９５３（ＥＰ−Ａ−２３４９
８９およびＵＳ−Ａ−４８５７１６１も参照）、 （２）ＦＲ−Ａ−２６８７８３９（ＥＰ−Ａ−５５８３
９３も参照）。
【０００６】本発明により解決される技術的な問題点の
理解を容易にするため、以下に放射陰極およびマイクロ
チップを有する電子源の製造法の周知の例を図１から図
３を参照して記載する。
【０００７】図１は絶縁体４が載っている基板２の上
に、陰極導体６と、中間絶縁体１０と交差した形で重ね
合わされたグリッド８と、マイクロチップの製造過程の
間マスクの役目をするため表面に堆積され例えばニッケ
ルで作られた層１２と、を備え既に製造されている構造
を示している。
【０００８】ニッケル層１２、グリッド８、および絶縁
体１０はホール（穴）１４を有しており、該ホールのボ
タンの上には、陰極導体と電気的に連結された導電性の
金属により構成されたマイクロチップが次々に堆積され
ている。
【０００９】次にマイクロチップの製造を図２を参照し
て説明する。一番目に、堆積により例えば構造体全体に
モリブデン層１６が生ずる。該層１６の厚さはほぼ１．
６μｍである。該層１６は構造体の表面に対し垂直に堆
積されている。
【００１０】この堆積が進行することにより、ホール１
４内に位置し高さが１．４μｍから１．５μｍのモリブ
デンの円錐１８が得られる。これらの円錐は電子放射マ
イクロチップ１８を構成している。
【００１１】この後には、図３に示すように、例えばニ
オブで作られ電子放射マイクロチップ１８を出現させ穴
の開いたグリッド８をフリーにするため、電気化学法を
使用してニッケル層１２を選択的に溶解することが行な
われる。
【００１２】幾つかの技術的な変形を別にすると、図
１、図２および図３に記載した方法は放射陰極にマイク
ロチップを有する電子源のマイクロチップを製造するた
め現在まで使用されている方法である。
【００１３】マイクロチップ１８の大きさと位置決めを
正しくするため、グリッド８内および絶縁体１０内に作
られたホールの大きさを正確に制御することは明らかに
必要である。
【００１４】それ故次のような問題が生ずる。それは全
ての表面の上に平均の直径が例えば１．３μｍ以下のマ
イクロチップのホールを受けるように製造する問題であ
る。
【００１５】これを行なうため現在使用されている方法
は、直接的な吹き付けを使用した写真凸版法、または全
ての表面の上に再現された基本パターンの写真を繰り返
すことである。１４インチ（ほぼ３５ｃｍ）を越える大
きな電子源の場合、これらの方法は大きな制約の特性を
非常に早く受ける。
【００１６】直接的な吹き付けにはサブミクロンのパタ
ーンを有する大きな、大きさがｌのマスクを製造する必
要がある。対角線が１４インチを越える該マスクを製造
することは難しい。
【００１７】写真繰り返しでは小さなマスクが使用さ
れ、前記の大きさは使用されるパターンの解像度により
決定される。１μｍの解像度に対し例えば側面に大きさ
が２０ｍｍから５０ｍｍのマスクが使用されるため、非
常に多くの回数露出操作を繰り返す必要があり、電子源
の全表面をカバーする写真凸版を行なう必要がある。
【００１８】これらの二つの方法（一方は直接的な吹き
付け法であり、他方は写真繰り返し法）は従って大きな
電子源を製造するため使用することが難しい。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前述の周知の
方法より非常に容易にホールを製造することができる。
【００２０】本発明は感光性樹脂層内にホールを形成す
る非常に簡単な方法に関している。本発明により直径が
大きなまたは小さな表面の上でほぼ１μｍ以下であるホ
ールを形成することができる。
【００２１】本発明により樹脂内に形成されるホールの
位置に対応した点で感光性樹脂層を露出することができ
る。
【００２２】
【課題を解決するための手段】前記樹脂が現像されると
（すなわち、露出領域を溶解した後）、前記樹脂は樹脂
が位置する構造体内にマスクとしてホールを形成する役
目を果たす。例えば、図１から図３に関連し記載された
構造体を考慮すると、樹脂層は現像された後、グリッド
８および中間絶縁体１０をエッチングする役目を果たし
ている。
【００２３】より詳細には、本発明は露出光により陽画
の感光性樹脂層内にホールを形成する方法に関してお
り、前記方法は次の段階を備えることを特徴としてい
る： −前記露出光に透明であり樹脂層に直接接触した単層の
ボールを形成すること、 −樹脂層は単層のボールを通し露出光により露出されて
おり、各ボールにより前記ボールとその上にある樹脂層
の接触点で前記光が集中され、前記樹脂層の領域の露出
が行なわれ、露出光はボールの単層全体にわたり一定の
光の強さで平行に視準されたビ−ムを形成している、 −このように露出された樹脂層が現像され露出された領
域に位置する前記の層内にホールが形成される。
【００２４】本発明による方法の一番目の利点は、従来
の写真凸版法に比べてこの方法が非常に簡単であること
である。本発明の方法では特別なマスクは使用しておら
ず、正確な配列段階を必要としていない。
【００２５】本発明の二番目の利点は、本発明により大
きな表面を取り扱うことができることであり、マイクロ
チップを有した大きな電子源を製造できることである。
【００２６】このように、本発明による表面を取り扱う
ため、感光性樹脂の上に広げることが必要であり、ボー
ルで表面を覆うため該樹脂を乾燥させた後は当該表面の
寸法は問題でない。
【００２７】本発明の他の利点は以下のことから明らか
になる。
【００２８】本発明を実現するため、例えば１μｍから
１０μｍの直径のボールを使用することができる。
【００２９】本発明は更に次のことに基づき放射陰極が
マイクロチップを有する電子源を製造する方法にも関し
ている： −構造体は基板の上に陰極導体と、前記陰極導体の上に
電気的に絶縁された層と、更に前記の電気的に絶縁され
た層の上に陰極導体と角度を有するグリッドと、を備え
ることにより形成されている、 −グリッドが陰極導体と交差する領域において、ホール
はグリッドと絶縁層を通して形成されている、 −電子放射材料のマイクロチップは陰極導体の上のホー
ルの中に形成されている。 前記の方法はホールが構造体の表面に陽画の感光性樹脂
層を形成し、本発明によるホール形成法に基づき樹脂層
内にホールを形成し、更に樹脂層内に形成されたホール
を通しグリッドと絶縁層をエッチングすることにより得
られることを特徴としている。
【００３０】このように、樹脂層はマイクロチップを入
れるため使用されるホールを下部構造内に形成するマス
クとして使用される。
【００３１】露出光に不透明な仕切りマスクにより、ホ
ールが形成されていない領域を別にしておくことができ
る利点がある。この仕切りは露出光源と単層のボールの
間に置かれている。
【００３２】
【発明の実施の形態】図４は図１から図３の記載に関連
した構造を概略的および部分的に示しており、基板２、
絶縁体４、陰極導体６、グリッド８および中間絶縁体１
０を備えている。
【００３３】本発明による方法によりグリッド８と中間
絶縁体１０の中にホールを製造することが行なわれる。
【００３４】側面のホールを形成するため、図４の構造
体２０の側面には陽画の感光性樹脂層２２が堆積されて
いる。該樹脂層の上には樹脂層を露出するため使用され
た光２６に透明（トランスペアレント）なボールの単層
２４が堆積されている。
【００３５】この樹脂はボールの層２４を通し樹脂層２
２に直角な光２６により露出されている。この光２６は
単層のボールの全表面にわたり一定の光の強さを有し視
準された平行光ビームを形成し、前記ビームは図示して
いない光源から来ている。
【００３６】図５で判るように、ボール２８のそれぞれ
により前記ボールと樹脂層２２との接触点で前記光が集
中され、ボールと樹脂層の間の接触点にある前記樹脂層
の領域３０で露出されている。
【００３７】次に構造体２０の表面からボールを取り除
き、露出された樹脂層を現像する（言い換えれば露出さ
れた樹脂領域は溶解されている）ことが必要で、露出さ
れた領域３０の位置で樹脂層内にホール３１が形成され
ている。
【００３８】更に樹脂層の上にボールを残し、露出され
た樹脂層を現像し、露出された領域を溶解するため使用
された溶剤をフィルタに通すことによりボールを取り出
すことができる。
【００３９】樹脂の全ての厚さが領域３０で露出される
ようにするため、前記の厚さは当該光のスポットと同じ
オーダーの大きさ、例えば１μｍまで小さくする必要が
ある。
【００４０】専門家によりボールに対し大きさと屈折率
が選ばれ適当な直径の光のスポットが加えられる。
【００４１】例えば、紫外線に近い露出光に対してはシ
リカボールが使用される。
【００４２】明らかに、前記樹脂が受ける露出光の関数
であるアタック（ａｔｔａｃｋ）率がボールの間を通る
寄生的な露出光により影響を受けないようにする樹脂が
使用される。
【００４３】図５を検討すると、本発明による方法に対
し利点が追加される、すなわち各ボールにより生じたス
ポット光の直径Ｄはボールに対し適当な直径Ｄ１と露出
時間を選ぶことによりほぼ１μｍ以下の値に容易に調整
することができる。
【００４４】露出光に透明なボールによりそれぞれガラ
スのボールと感光性の樹脂層との接触点で光ビームが集
中する。発生したスポット光の表面は均一に照射されて
いない。光の強さはスポットの中央で最大であり、端に
向かい動きが遅くなる。露出時間だけ動作させることに
より、感光性樹脂層の全体の厚さにわたり露出領域の直
径を調整し、ホールの直径を調整することが可能であ
る。
【００４５】樹脂層がボールを通し露出されることが少
なくなればなる程、露出され、それ故可溶性の樹脂層の
表面は小さくなり、更に樹脂内に形成されたホールの大
きさと、それ故グリッドと中間絶縁体内のホールを通し
て形成されたホールの大きさが小さくなる。
【００４６】グリッドと中間絶縁体内に形成されたホー
ルの大きさが小さくなることによりマイクロチップの制
御電圧を都合よく下げることができる。
【００４７】図４および図５の場合、構造体２０の表面
に堆積したボールは接触している。
【００４８】この場合、本発明による方法の追加された
各利点はボール２８の直径Ｄ１により樹脂層内に形成さ
れており、中心の間の間隔Ｅが定まることである。それ
故、例えば校正用ボールが選択され、その直径は１μｍ
から１０μｍの間である。更にマイクロボールについて
述べる。
【００４９】図６は非接触でランダムに分布された単層
のボールを樹脂層２２の表面に堆積することができるこ
とを概略的に示している。
【００５０】非接触のボールの単層を得るため、例えば
前記ボールを感光性の層の表面の上に堆積させ：水−エ
タノール混合溶液内でボールにスプレーをかける方法を
使用することができる。非接触のボールを使用すること
ができることにより本発明に他の利点が生ずるが、これ
は露出量が非接触ボールの回り、例えば図６の領域３２
内よりも集中点（露出領域３０）で多いからである。
【００５１】次に、本発明による方法を使用し、ホール
１４が図１から図４に関連しグリッド８と中間絶縁体１
０内にどのように形成されるか説明する。
【００５２】より詳細には、マイクロチップの放射陰極
源を形成することが望まれており、このため第一段階は
基板２の上に前述の絶縁体４と、陰極導体６と、中間絶
縁体１０とグリッド８を形成することである。
【００５３】これが必要であることを示す必要があれ
ば、マスキングはホールが製造されない１以上の領域で
行なわれる。これを行なうためには、前述の文献（２）
を参照にされたい。
【００５４】次に、本発明によれば、感光性樹脂層２２
は得られた構造体２０の全表面の上に広げられる。樹脂
層２２の厚さは例えば１．２μｍであり、屈折率は１．
７である。次にこの樹脂層は暖められ硬くされる。
【００５５】ガラスのボール２４の単層は次に遠心分離
にかけられるかまたはスプレーを行なわれ樹脂層２２の
表面で広げられる。ボールは例えば直径が４μｍで屈折
率が１．５である。
【００５６】樹脂は次に５００ｎｍの波長の光により前
記単層のボールを通し露出される。ボールは次にこのよ
うに露出された樹脂層から取り除かれ、樹脂は現像され
る、すなわち樹脂は露出領域内で溶解される。このよう
に、ホールは露出された領域の位置で得られる。
【００５７】ボールを樹脂層から取り除くためには、樹
脂層の上に注がれたボールを動かす液体を使用する必要
がある。
【００５８】超音波がボールの分離を促進するため使用
される。
【００５９】脱イオン水が例えば連行または動かす液体
として使用され、該液体はフィルタにかけられボールが
取り戻される。
【００６０】現像を行なう前に樹脂層からボールを取り
除くことはできない。次にボールは露出領域内で樹脂が
溶解される間取り除かれ、現像するため使用された溶剤
がフィルタにかけることにより取り戻される。
【００６１】このようにホールを樹脂層内で得た後、放
射陰極がマイクロチップを有した電子源の製造法には次
のことが行なわれる。
【００６２】樹脂層のエッチングで形成されたホールを
通し、グリッド８と中間絶縁体１０が生じ、そこにホー
ル１４が形成される（図１）。次に樹脂層が取り除かれ
る。
【００６３】接近した範囲の下には、得られた構造体の
上にニッケル層１２が堆積される。モリブデン層１６が
次に堆積され、マイクロチップ１８が形成され、ニッケ
ル層１２とモリブデン層１６が取り除かれる。
【００６４】本発明による他の方法は図７に示してあ
る。該他の方法によれば、ボールは感光性樹脂層２２の
表面には直接堆積されていない。これらのボール２８は
露出光に透明な平面支持体３３の上に保持されている。
【００６５】このように、感光性樹脂層２２に加えられ
る単層のボールが得られる。感光性樹脂層２２は次に透
明な支持体３３とボール２８を通して照射される。
【００６６】ボール２８を支持体３３の上に保持するた
め、例えばポリエチルメタクリル酸のような重合体、ま
たはコロイドケイ酸のようなゲルにより構成されたバイ
ンダ３４が使用されている。
【００６７】バインダ３４によりボールを支持体３３の
上に保つため、例えばボールとバインダの混合体を支持
体３３の表面で遠心分離することができる。
【００６８】ボールを支持体３３の上で保つ他の方法と
して、ボールは脱イオンとエタノールの混合体のような
液体または例えば純粋なエタノールのような液体と混合
される。
【００６９】前記液体の層は支持体３３と脱水された液
体の上に広げられる。この結果単層のボールは支持体３
３の上に得られる。この場合、ボールは静電気の力によ
り前記支持体３３の上に保持されている。
【００７０】紫外線に近い露出光に対し例えばシリカ支
持体３３が使用されている。
【図面の簡単な説明】
【図１】放射陰極にマイクロチップを有する電子源を製
造する周知の方法の概略および部分図である。
【図２】放射陰極にマイクロチップを有する電子源を製
造する周知の方法の概略および部分図である。
【図３】放射陰極にマイクロチップを有する電子源を製
造する周知の方法の概略および部分図である。
【図４】本発明による方法を実施する接触した単層のボ
ールの概略の部分図である。
【図５】本発明による方法の概略図である。
【図６】単層の非接触ボールを使用した本発明による他
の方法の概略図である。
【図７】支持体の上に形成された単層のボールを使用し
た本発明による他の方法の概略図である。
【符号の説明】
２ 基板 ４ 絶縁体 ６ 陰極導体 ８ グリッド １０ 中間絶縁体 １２ ニッケル層 １４ ホール １６ モリブデン層 １８ 電子放射マイクロチップ ２０ 構造体 ２２ 樹脂層 ２４ ボールの単層 ２６ 露出光 ２８ ボール ３０ 露出された領域 ３２ 領域 ３４ バインダ

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 露出光（２６）に透明であり樹脂層に直
    接接触したボール（２８）の単層（２４）を形成する、 樹脂層は単層のボールを通し露出光により露出されてお
    り、各ボールにより前記ボールとその上にある樹脂層の
    接触点で前記光が集中され、前記樹脂層の領域（３０）
    の露出が行なわれ、露出光は単層のボール全体にわたり
    一定の光の強さで平行に視準されたビームを形成する、 このように露出された樹脂層が現像され露出された領域
    に位置する前記の層内にホールが形成される、各段階を
    備えていることを特徴とする前記露出光（２６）により
    陽画の感光性樹脂層（２２）内にホールを形成する方
    法。
  2. 【請求項２】 ボール（２８）が相互に接触しているこ
    とを特徴とする請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】 ボール（２８）が相互に非接触であるこ
    とを特徴とする請求項１に記載の方法。
  4. 【請求項４】 非接触のボールがランダムに分布してい
    ることを特徴とする請求項３に記載の方法。
  5. 【請求項５】 ボールの単層（２４）が感光性樹脂層
    （２２）の表面の上に堆積により形成されることを特徴
    とする請求項１に記載の方法。
  6. 【請求項６】 ボール（２８）が感光性樹脂層（２２）
    の表面の上で遠心分離により堆積されることを特徴とす
    る請求項５に記載の方法。
  7. 【請求項７】 ボール（２８）が感光性樹脂層（２２）
    の表面の上でスプレーを行なうことにより堆積されるこ
    とを特徴とする請求項５に記載の方法。
  8. 【請求項８】 ボール（２８）が感光性樹脂層（２２）
    を現像した後該感光性樹脂層の表面から取り除かれるこ
    とを特徴とする請求項５に記載の方法。
  9. 【請求項９】 ボール（２８）が液体によりまたは超音
    波作用を受ける浴槽内で連行により感光性樹脂層（２
    ２）から取り除かれることを特徴とする請求項８に記載
    の方法。
  10. 【請求項１０】 ボール（２８）は樹脂層が現像される
    まで樹脂層の上に置かれ、前記層の現像の浴槽内に連行
    されることを特徴とする請求項５に記載の方法。
  11. 【請求項１１】 ボールの単層（２４）が露出光（２
    ６）に透明な支持体（３３）で保持され、このように保
    持されたボールが感光性樹脂層（２２）の表面に加える
    ことにより形成されることを特徴とする請求項１に記載
    の方法。
  12. 【請求項１２】 ボール（２８）がバインダまたは静電
    気の力により支持体（３３）の上に保持されていること
    を特徴とする請求項１１に記載の方法。
  13. 【請求項１３】 ボール（２８）の直径がほぼ１μｍか
    ら１０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の方
    法。
  14. 【請求項１４】 構造体（２０）が基板（２）の上に陰
    極導体（６）と、前記陰極導体の上に電気的に絶縁され
    た層（１０）と、更に前記の電気的に絶縁された層の上
    に陰極導体と角度を有するグリッド（８）を備えること
    により構成されており、 グリッドが陰極導体と交差する領域において、ホール
    （１４）がグリッドと絶縁層を通して形成されており、 電子放射材料のマイクロチップ（１８）が陰極導体の上
    のホールの中に形成されている、ことに基づいており、
    更にホール（１４）が構造体（２０）の表面に陽画の感
    光性樹脂層（２２）を形成し、本発明によるホール形成
    法に基づき樹脂層（２２）内にホールを形成し、樹脂層
    内に形成されたホールを通しグリッドと絶縁層をエッチ
    ングすることにより得られる、ことを特徴とし、放射陰
    極にマイクロチップを有する電子源を製造する方法。
  15. 【請求項１５】 請求項１４に基づく方法により得られ
    る電子源を使用したフラットスクリーン。
JP28239795A 1994-10-10 1995-10-05 感光性樹脂層内へのホールの形成法 Pending JPH08212910A (ja)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4226651B2 (ja) * 1996-06-07 2009-02-18 キヤノン株式会社 電子放出デバイスを製作するための方法
US6187603B1 (en) 1996-06-07 2001-02-13 Candescent Technologies Corporation Fabrication of gated electron-emitting devices utilizing distributed particles to define gate openings, typically in combination with lift-off of excess emitter material
US5865659A (en) * 1996-06-07 1999-02-02 Candescent Technologies Corporation Fabrication of gated electron-emitting device utilizing distributed particles to define gate openings and utilizing spacer material to control spacing between gate layer and electron-emissive elements
FR2751785A1 (fr) * 1996-07-29 1998-01-30 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif de formation de motifs dans une couche de resine photosensible par insolation laser continue, application a la fabrication de sources d'electrons a cathodes emissives a micropointes et d'ecrans plats
JP2747282B2 (ja) * 1996-08-29 1998-05-06 富山日本電気株式会社 印刷配線板の製造方法
GB9619839D0 (en) * 1996-09-23 1996-11-06 Hugle Lithography Inc Photolithography masking arrangements
DE59811244D1 (de) 1997-07-04 2004-05-27 Infineon Technologies Ag Anordnung zur übertragung von strukturen
FR2771520B1 (fr) * 1997-11-24 1999-12-24 Commissariat Energie Atomique Procede de formation de motifs dans une couche de resine photosensible, hologramme pour sa mise en oeuvre et systeme d'enregistrement de l'hologramme, application aux sources et ecrans a micropointes
US6623636B2 (en) * 2000-05-08 2003-09-23 Honeywell International Inc. Staged oil filter incorporating timed release oil conditioner
US6379572B1 (en) 2000-06-02 2002-04-30 Sony Corporation Flat panel display with spaced apart gate emitter openings
EP1446703A2 (en) * 2001-11-07 2004-08-18 Applied Materials, Inc. Optical spot grid array printer
CN1602451A (zh) 2001-11-07 2005-03-30 应用材料有限公司 无掩膜光子电子点格栅阵列光刻机
US8445188B2 (en) * 2008-09-17 2013-05-21 National Science Foundation Process for formation of highly uniform arrays of nano-holes and nano-pillars
KR101381395B1 (ko) 2011-04-06 2014-04-14 한국과학기술연구원 나노 구조체 배열의 제조방법 및 나노 구조체 배열을 포함하는 소자

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57181549A (en) * 1981-04-30 1982-11-09 Masatake Sato Converting method for image
US4501637A (en) * 1981-06-12 1985-02-26 Motorola, Inc. LED having self-aligned lens
JPS584148A (ja) * 1981-06-30 1983-01-11 Masatake Sato 画像変換用網分解スクリ−ン及びその製造方法
US4668080A (en) * 1985-11-29 1987-05-26 Rca Corporation Method and apparatus for forming large area high resolution patterns
FR2593953B1 (fr) 1986-01-24 1988-04-29 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitee par emission de champ
DE3821268A1 (de) * 1988-06-23 1989-12-28 Siemens Ag Verfahren und einrichtung zum herstellen einer druckform fuer offsetdruck
GB9104132D0 (en) * 1991-02-27 1991-04-17 Popovici Dan Photolithographical method of producing pinholes
JP3116398B2 (ja) * 1991-03-13 2000-12-11 ソニー株式会社 平面型電子放出素子の製造方法及び平面型電子放出素子
FR2687839B1 (fr) 1992-02-26 1994-04-08 Commissariat A Energie Atomique Source d'electrons a cathodes emissives a micropointes et dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitee par emission de champ utilisant cette source.

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Publication number Publication date
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