JPH08213377A - 薄膜形成方法及び装置 - Google Patents
薄膜形成方法及び装置Info
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- JPH08213377A JPH08213377A JP33864791A JP33864791A JPH08213377A JP H08213377 A JPH08213377 A JP H08213377A JP 33864791 A JP33864791 A JP 33864791A JP 33864791 A JP33864791 A JP 33864791A JP H08213377 A JPH08213377 A JP H08213377A
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- Japan
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- thin film
- substrate
- light
- reaction
- reaction chambers
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】基板表面上を複数の反応室で仕切り、各反応室
毎にレーザ光を照射し、反応ガスを排気して薄膜を形成
することにより、生産性の向上，歩留りの向上を実現す
る。 【構成】ガラス基板４の表面上に仕切り付チャンバ９を
のせ仕切り毎の反応室をつくり、各反応室にＳｉＨ4 ＋
Ｏ2 の原料ガスを原料ガスエアブルブ７を開き注入す
る。ＡｒＦレーザ光発生装置１からのレーザ光をパター
ンマスク２を通過させパターン光にして反応室の基板表
面に短時間照射する。照射後一定時間を置いて排気エア
バルブ８から排気する。この作業を順次全反応室に対し
行う。
毎にレーザ光を照射し、反応ガスを排気して薄膜を形成
することにより、生産性の向上，歩留りの向上を実現す
る。 【構成】ガラス基板４の表面上に仕切り付チャンバ９を
のせ仕切り毎の反応室をつくり、各反応室にＳｉＨ4 ＋
Ｏ2 の原料ガスを原料ガスエアブルブ７を開き注入す
る。ＡｒＦレーザ光発生装置１からのレーザ光をパター
ンマスク２を通過させパターン光にして反応室の基板表
面に短時間照射する。照射後一定時間を置いて排気エア
バルブ８から排気する。この作業を順次全反応室に対し
行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は集積回路など半導体デバ
イスの薄膜形成方法に関するものである。
イスの薄膜形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の薄膜形成方法は、熱ＣＶ
Ｄ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＶａｐｏｒＤｅｓｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ）法、プラズマＣＶＤ法，光ＣＶＤ法などがある。
集積回路、例えば液晶ディスプレイ等の画素を駆動する
駆動回路の薄膜トランジスタを形成する場合は、これ等
ＣＶＤ法により基板の表面に薄膜を一様に形成した後に
フォトリソグラフィによるパターニング、エッチング等
の工程を経てパターンを形成している。この方法は多工
程である上、レジストの塗布、除去工程を通じて、素子
自体に損傷を与える可能性が高いため、ディスプレイが
大面積化するのに伴って、歩留が著しく低下する。この
工程数短縮を実現する方法の一つとして、レジスト工程
を経ることなく、直接パターン薄膜形成を可能とするレ
ーザ光などを用いた光ＣＶＤをＴＦＴ（Ｔｗｉｎ Ｆｉ
ｌｍ Ｔｒａｓｉｓｔｏｒ）形成に適用する方法があ
る。（参照資料，第５１回応用物理学関係連合講演回講
演番号２７ａ−ＺＦ−１０，発表者関，その他）。この
方法の場合、レーザ光などの光ＣＶＤでａ−Ｓｉ膜のパ
ターンを形成するので、所要の膜厚を得るためには数１
０分以上の照射時間が必要な上、基板全面にａ−Ｓｉパ
ターンを形成するには照射可能な面積が不足するため多
くのくり返し照射が必要となり生産性が非常に低い。
Ｄ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＶａｐｏｒＤｅｓｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ）法、プラズマＣＶＤ法，光ＣＶＤ法などがある。
集積回路、例えば液晶ディスプレイ等の画素を駆動する
駆動回路の薄膜トランジスタを形成する場合は、これ等
ＣＶＤ法により基板の表面に薄膜を一様に形成した後に
フォトリソグラフィによるパターニング、エッチング等
の工程を経てパターンを形成している。この方法は多工
程である上、レジストの塗布、除去工程を通じて、素子
自体に損傷を与える可能性が高いため、ディスプレイが
大面積化するのに伴って、歩留が著しく低下する。この
工程数短縮を実現する方法の一つとして、レジスト工程
を経ることなく、直接パターン薄膜形成を可能とするレ
ーザ光などを用いた光ＣＶＤをＴＦＴ（Ｔｗｉｎ Ｆｉ
ｌｍ Ｔｒａｓｉｓｔｏｒ）形成に適用する方法があ
る。（参照資料，第５１回応用物理学関係連合講演回講
演番号２７ａ−ＺＦ−１０，発表者関，その他）。この
方法の場合、レーザ光などの光ＣＶＤでａ−Ｓｉ膜のパ
ターンを形成するので、所要の膜厚を得るためには数１
０分以上の照射時間が必要な上、基板全面にａ−Ｓｉパ
ターンを形成するには照射可能な面積が不足するため多
くのくり返し照射が必要となり生産性が非常に低い。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このように従来例にお
いては、基板が大面積化した場合、熱ＣＶＤ法などでは
成膜後のレジスト工程などでＴＦＴ製作の歩留りが低下
する。又直接パターン成膜を行うレーザ光を用いた光Ｃ
ＶＤ法ではレーザのビーム面積に制限がありくり返し照
射するために生産性が低いといった問題がある。
いては、基板が大面積化した場合、熱ＣＶＤ法などでは
成膜後のレジスト工程などでＴＦＴ製作の歩留りが低下
する。又直接パターン成膜を行うレーザ光を用いた光Ｃ
ＶＤ法ではレーザのビーム面積に制限がありくり返し照
射するために生産性が低いといった問題がある。
【０００４】本発明の目的はこのような従来方法の問題
点を解決した成膜方法を得ることにある。
点を解決した成膜方法を得ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜形成方法
は、反応性ガスの雰囲気でパターン化した光を薄膜形成
を要する基板の表面に照射し化学反応を起こさせ直接パ
ターン薄膜を形成する光ＣＶＤ法による薄膜形成方法に
おいて、前記基板の表面全体を前記光のビーム面積単位
に仕切板で仕切って複数の密閉された反応室をつくり、
それぞれの前記反応室に前記反応性ガスを供給し、順次
各前記反応室の前記基板の表面に前記光を照射し一定時
間後に前記反応性ガスを排気して行く方法である。
は、反応性ガスの雰囲気でパターン化した光を薄膜形成
を要する基板の表面に照射し化学反応を起こさせ直接パ
ターン薄膜を形成する光ＣＶＤ法による薄膜形成方法に
おいて、前記基板の表面全体を前記光のビーム面積単位
に仕切板で仕切って複数の密閉された反応室をつくり、
それぞれの前記反応室に前記反応性ガスを供給し、順次
各前記反応室の前記基板の表面に前記光を照射し一定時
間後に前記反応性ガスを排気して行く方法である。
【０００６】また、本発明の前記薄膜形成方法を実施し
た薄膜形成装置は、反応性ガスの雰囲気でパターン化し
た光を薄膜形成を要する基板の表面に照射し化学反応を
起こさせ直接パターン薄膜を形成する光ＣＶＤ法による
薄膜形成装置において、前記基板の表面に接して前記基
板表面を前記光のビーム面積単位で仕切りそれぞれに前
記光の照射用窓を有する複数の反応室を構成する仕切り
付チャンバと、前記反応室のそれぞれに独立に前記反応
ガスを供給し排気するためのガス制御装置と、前記光を
各前記反応室の底部の前記基板に一定時間照射するため
の光学系と、前記光の照射を順次各前記反応室の前記基
板に行うための可動ステージ機構とを備えている。
た薄膜形成装置は、反応性ガスの雰囲気でパターン化し
た光を薄膜形成を要する基板の表面に照射し化学反応を
起こさせ直接パターン薄膜を形成する光ＣＶＤ法による
薄膜形成装置において、前記基板の表面に接して前記基
板表面を前記光のビーム面積単位で仕切りそれぞれに前
記光の照射用窓を有する複数の反応室を構成する仕切り
付チャンバと、前記反応室のそれぞれに独立に前記反応
ガスを供給し排気するためのガス制御装置と、前記光を
各前記反応室の底部の前記基板に一定時間照射するため
の光学系と、前記光の照射を順次各前記反応室の前記基
板に行うための可動ステージ機構とを備えている。
【０００７】
【作用】一般に金属、絶縁膜、半導体膜を形成する原料
ガス雰囲気で、しきい値を越える強度の光を基板に照射
すると、反応気体が高密度に励起され、活性な反応種が
生成され、低い活性化エネルギーで堆積が生じる。堆積
の核が一旦形成されてからは光照射は中断しても、原料
ガスを供給し続けることで堆積が継続する。この堆積継
続の現象がＳｉＨ4 ／Ｏ2 ガスを用いたＳｉＯ2 のレー
ザ、及びランプ光による光ＣＶＤで観測される。（参照
資料，第１８回固体素子コンファレンス予稿集ページ２
０９−２１２）、これを光イニシエーション効果と呼ん
でいる。光イニシエーション効果を利用すればＣＶＤに
おいて光の照射は堆積の初期の短時間だけでよい。
ガス雰囲気で、しきい値を越える強度の光を基板に照射
すると、反応気体が高密度に励起され、活性な反応種が
生成され、低い活性化エネルギーで堆積が生じる。堆積
の核が一旦形成されてからは光照射は中断しても、原料
ガスを供給し続けることで堆積が継続する。この堆積継
続の現象がＳｉＨ4 ／Ｏ2 ガスを用いたＳｉＯ2 のレー
ザ、及びランプ光による光ＣＶＤで観測される。（参照
資料，第１８回固体素子コンファレンス予稿集ページ２
０９−２１２）、これを光イニシエーション効果と呼ん
でいる。光イニシエーション効果を利用すればＣＶＤに
おいて光の照射は堆積の初期の短時間だけでよい。
【０００８】本発明はこの光イニシエーション効果を利
用し、大面積に一括成膜したＳｉを最表面に有する基板
を酸素及びシラン系ガスからなる原料ガス雰囲気に置
き、レーザ光をアイランドパターン状に一定時間照射
し、遮断後、所望膜厚のＳｉＯ2を得るまで原料ガスを
供給することによって、Ｓｉ上にＳｉＯ2 パターンを形
成するものである。
用し、大面積に一括成膜したＳｉを最表面に有する基板
を酸素及びシラン系ガスからなる原料ガス雰囲気に置
き、レーザ光をアイランドパターン状に一定時間照射
し、遮断後、所望膜厚のＳｉＯ2を得るまで原料ガスを
供給することによって、Ｓｉ上にＳｉＯ2 パターンを形
成するものである。
【０００９】ステップアントリピートにより基板全面に
光を照射すれば面積の大小にかからわらず全面にＳｉＯ
2 膜を形成することが可能である。しかしこの際、光照
射後に酸素及びシラン系ガスに曝される時間が異なるた
めに照射位置によるＳｉＯ2膜厚の差が発生する。この
問題を解決するために、基板上を一回の光照射を行う面
積で仕切られたカバーで覆い、各仕切りに原料ガスを供
給し、独立にこれを遮断、排気する。光の照射位置を１
つの仕切りから隣接する次の仕切りへと移動させ、仕切
りごとに光の遮断から一定時間経過した後、原料ガスの
遮断、排気を行えば、基板全面に均一な膜厚のＳｉＯ2
膜パターンが得られる。
光を照射すれば面積の大小にかからわらず全面にＳｉＯ
2 膜を形成することが可能である。しかしこの際、光照
射後に酸素及びシラン系ガスに曝される時間が異なるた
めに照射位置によるＳｉＯ2膜厚の差が発生する。この
問題を解決するために、基板上を一回の光照射を行う面
積で仕切られたカバーで覆い、各仕切りに原料ガスを供
給し、独立にこれを遮断、排気する。光の照射位置を１
つの仕切りから隣接する次の仕切りへと移動させ、仕切
りごとに光の遮断から一定時間経過した後、原料ガスの
遮断、排気を行えば、基板全面に均一な膜厚のＳｉＯ2
膜パターンが得られる。
【００１０】このＳｉＯ2 パターンをマスクとしてアモ
ルファスＳｉのドライエッチングを行えば、表面にＳｉ
Ｏ2 膜を有するアモルファスＳｉのアイランドパターン
を形成することができる。このＳｉＯ2 膜はＴＦＴのゲ
ート絶縁膜として用いることができるので、通常のドラ
イエッチングマスクであるレジストのように剥離する必
要はない。
ルファスＳｉのドライエッチングを行えば、表面にＳｉ
Ｏ2 膜を有するアモルファスＳｉのアイランドパターン
を形成することができる。このＳｉＯ2 膜はＴＦＴのゲ
ート絶縁膜として用いることができるので、通常のドラ
イエッチングマスクであるレジストのように剥離する必
要はない。
【００１１】本発明による成膜後のアモルファスＳｉ膜
の形成は、大面積一括のプラズマ、あるいは熱ＣＶＤで
行うので、レーザＣＶＤでステップアンドリピートで形
成するよりもはるかに短時間でアモルファスＳｉ膜を形
成できる。またアイランドパターンの形成にレジストを
用いずに、ゲート絶縁膜としてそのまま利用できるＳｉ
Ｏ2 をマスクとするドライエッチングで行うので、レジ
スト剥離で生ずる半導体への損傷がない。
の形成は、大面積一括のプラズマ、あるいは熱ＣＶＤで
行うので、レーザＣＶＤでステップアンドリピートで形
成するよりもはるかに短時間でアモルファスＳｉ膜を形
成できる。またアイランドパターンの形成にレジストを
用いずに、ゲート絶縁膜としてそのまま利用できるＳｉ
Ｏ2 をマスクとするドライエッチングで行うので、レジ
スト剥離で生ずる半導体への損傷がない。
【００１２】従って、アモルファスＳｉ膜の形成を大面
積一括のプラズマ、あるいは熱ＣＶＤで行い、アイラン
ド形成用のエッチングマスクとなるＳｉＯ2 の形成に必
要な光イニシエーションに要する時間もレジスト露光に
要する時間より若干長い程度なので、レーザＣＶＤでス
テップアンドリピートでアモルファスＳｉのアイランド
を直接形成する場合と異なり、フォトリソグラフィを用
いる従来方法と同程度の生産性を得ることができる。
積一括のプラズマ、あるいは熱ＣＶＤで行い、アイラン
ド形成用のエッチングマスクとなるＳｉＯ2 の形成に必
要な光イニシエーションに要する時間もレジスト露光に
要する時間より若干長い程度なので、レーザＣＶＤでス
テップアンドリピートでアモルファスＳｉのアイランド
を直接形成する場合と異なり、フォトリソグラフィを用
いる従来方法と同程度の生産性を得ることができる。
【００１３】
【実施例】次に本発明による方法を実施した装置の一実
施例を図を参照して説明する。図１は本実施例の装置の
構造を示す透視部分を含む斜視図である。本実施例は、
ガラス基板上にアモルファスシリコンパターンを形成す
る場合に適用した実施例である。
施例を図を参照して説明する。図１は本実施例の装置の
構造を示す透視部分を含む斜視図である。本実施例は、
ガラス基板上にアモルファスシリコンパターンを形成す
る場合に適用した実施例である。
【００１４】ＸＹステージ５上のヒータ１１にａ−Ｓｉ
薄膜３を表面に有するガラス基板４を固定し、このガラ
ス基板４の表面上に仕切り付きチャンバ９をのせる。こ
の時、ガラス基板４は仕切り付きチャンバ９の底面とな
り、仕切り付きチャンバ９の底部のＯリングにより各仕
切り内、即ち各反応室内は密閉構造となる。仕切り付き
チャンバ９の各反応室には、原料ガスエアバルブ７によ
り各々独立にＳｉＨ4，Ｏ2 の混合ガスを供給、遮断す
ることができる。また排気エアバルブ８により独立に各
反応室内を排気することができる。
薄膜３を表面に有するガラス基板４を固定し、このガラ
ス基板４の表面上に仕切り付きチャンバ９をのせる。こ
の時、ガラス基板４は仕切り付きチャンバ９の底面とな
り、仕切り付きチャンバ９の底部のＯリングにより各仕
切り内、即ち各反応室内は密閉構造となる。仕切り付き
チャンバ９の各反応室には、原料ガスエアバルブ７によ
り各々独立にＳｉＨ4，Ｏ2 の混合ガスを供給、遮断す
ることができる。また排気エアバルブ８により独立に各
反応室内を排気することができる。
【００１５】ヒータ１１の温度を２５０℃に設定し、全
反応室内にＳｉＨ4 ，Ｏ2 を供給し、排気アエバルブ８
の開きを加減することにより、数１０−数１００Ｔｏｒ
ｒの圧力に保った後、ＳｉＯ2 のパターン形成を開始し
ようとする反応室にＡｒＦレーザ光発生装置１の出射光
をパターンマスク２、石英窓１０を通してａ−Ｓｉ薄膜
３の表面に数１０秒間照射し、ＳｉＯ2 パターン６の核
を形成する。次に隣接する反応室にＡｒＦレーザ光が照
射されるようにＸＹステージ５を移動させる。ＡｒＦレ
ーザ光の照射が停止された後もヒータ１１から供給され
る熱エネルギーによりＳｉＯ2 の成膜は継続する。
反応室内にＳｉＨ4 ，Ｏ2 を供給し、排気アエバルブ８
の開きを加減することにより、数１０−数１００Ｔｏｒ
ｒの圧力に保った後、ＳｉＯ2 のパターン形成を開始し
ようとする反応室にＡｒＦレーザ光発生装置１の出射光
をパターンマスク２、石英窓１０を通してａ−Ｓｉ薄膜
３の表面に数１０秒間照射し、ＳｉＯ2 パターン６の核
を形成する。次に隣接する反応室にＡｒＦレーザ光が照
射されるようにＸＹステージ５を移動させる。ＡｒＦレ
ーザ光の照射が停止された後もヒータ１１から供給され
る熱エネルギーによりＳｉＯ2 の成膜は継続する。
【００１６】ＳｉＨ4 ，Ｏ2 は照射後数分経過し、Ｓｉ
Ｏ2 膜厚が１０００Ａ程度になったら遮断し、排気エア
バルブ８により反応室内を廃棄する。隣接する反応室に
おいても同様の操作を行い、これを全反応室について繰
り返すことによりａ−Ｓｉ薄膜３の全面にＳｉＯ2 パタ
ーン６を形成する。この後、このＳｉＯ2 パターン６を
マスクとするａ−Ｓｉ薄膜３のドライエッチングにより
ａ−Ｓｉのアイランドマトリックスを形成することがで
きる。
Ｏ2 膜厚が１０００Ａ程度になったら遮断し、排気エア
バルブ８により反応室内を廃棄する。隣接する反応室に
おいても同様の操作を行い、これを全反応室について繰
り返すことによりａ−Ｓｉ薄膜３の全面にＳｉＯ2 パタ
ーン６を形成する。この後、このＳｉＯ2 パターン６を
マスクとするａ−Ｓｉ薄膜３のドライエッチングにより
ａ−Ｓｉのアイランドマトリックスを形成することがで
きる。
【００１７】尚、光源としては必ずしもＡｒＦレーザ光
を用いる必要はなく、ＫｒＦレーザ光、高圧水銀ランプ
光、低圧水銀ランプ光でも良い。また原料ガスとしては
必ずしもＳｉＨ4 に限定されるものではなくＳｉ2 Ｈ6
でも良い。また成膜させる材料もＳｉＯ2 に限らず、原
料ガスをＴＭＡ，ＤＭＡＨ等のＡｌの供給ガスに変える
ことによって酸化アルミニューム膜をエッチングマスク
として形成することができる。
を用いる必要はなく、ＫｒＦレーザ光、高圧水銀ランプ
光、低圧水銀ランプ光でも良い。また原料ガスとしては
必ずしもＳｉＨ4 に限定されるものではなくＳｉ2 Ｈ6
でも良い。また成膜させる材料もＳｉＯ2 に限らず、原
料ガスをＴＭＡ，ＤＭＡＨ等のＡｌの供給ガスに変える
ことによって酸化アルミニューム膜をエッチングマスク
として形成することができる。
【００１８】本発明においてはレジストを一切用いない
ので、工程数が少なくてすむ上、素子に損傷が加わるこ
ともないので高歩留でＴＦＴのａ−Ｓｉアイランドマト
リックスを形成することができる。またａ−Ｓｉアイラ
ンドをレーザＣＶＤで直接形成する場合に比べてドライ
エッチングマスクの形成時間が格段に短くて済むのでス
ループットが大幅に向上する。
ので、工程数が少なくてすむ上、素子に損傷が加わるこ
ともないので高歩留でＴＦＴのａ−Ｓｉアイランドマト
リックスを形成することができる。またａ−Ｓｉアイラ
ンドをレーザＣＶＤで直接形成する場合に比べてドライ
エッチングマスクの形成時間が格段に短くて済むのでス
ループットが大幅に向上する。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、基板の表
面上を仕切った複数の反応室毎に短時間レーザ光を照射
し、一定時間後に順次反応ガスを排気して行く方法なの
で、各反応室毎の成膜状態が均一でかつ短時間に処理で
きる。このため生産性が向上する効果がある。又直接パ
ターン薄膜が形成できるので製作の歩留が向上する効果
がある。
面上を仕切った複数の反応室毎に短時間レーザ光を照射
し、一定時間後に順次反応ガスを排気して行く方法なの
で、各反応室毎の成膜状態が均一でかつ短時間に処理で
きる。このため生産性が向上する効果がある。又直接パ
ターン薄膜が形成できるので製作の歩留が向上する効果
がある。
【図１】本発明の装置の一実施例を示す透視部分を含む
斜視図である。
斜視図である。
１ ＡｒＦレーザ光発生装置 ２ パターンマスク ３ ａ−Ｓｉ薄膜 ４ ガラス基板 ５ ＸＹステージ ６ ＳｉＯ2 パターン ７ 原料ガスエアバルブ ８ 排気エアバルブ ９ 仕切り付きチャンバ １０ 石英窓 １１ ヒータ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年３月１９日
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の薄膜形成方法は、熱ＣＶ
Ｄ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法などがある。集
積回路、例えば液晶ディスプレイ等の画素を駆動する駆
動回路の薄膜トランジスタを形成する場合は、これ等Ｃ
ＶＤ法により基板の表面に薄膜を一様に形成した後にフ
ォトリソグラフィによるパターニング、エッチング等の
工程を経てパターンを形成している。この方法は多工程
である上、レジストの塗布、除去工程を通じて、素子自
体に損傷を与える可能性が高いため、ディスプレイが大
面積化するのに伴って、歩留が著しく低下する。この工
程数短縮を実現する方法の一つとして、レジスト工程を
経ることなく、直接パターン薄膜形成を可能とするレー
ザ光などを用いた光ＣＶＤをＴＥＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌ
ｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）形成に適用する方法があ
る。（参照試料、第５１回応用物理学関係連合講演回講
演番号２７ａ−ＺＦ−１０、発表者関、その他）。この
方法の場合、レーザ光などの光ＣＶＤでａ−Ｓｉ膜のパ
ターンを形成するので、所要の膜厚を得るためには数１
０分以上の照射時間が必要な上、基板全面にａ−Ｓｉパ
ターンを形成するには照射可能な面積が不足するため多
くのくり返し照射が必要となり生産性が非常に低い。
Ｄ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法などがある。集
積回路、例えば液晶ディスプレイ等の画素を駆動する駆
動回路の薄膜トランジスタを形成する場合は、これ等Ｃ
ＶＤ法により基板の表面に薄膜を一様に形成した後にフ
ォトリソグラフィによるパターニング、エッチング等の
工程を経てパターンを形成している。この方法は多工程
である上、レジストの塗布、除去工程を通じて、素子自
体に損傷を与える可能性が高いため、ディスプレイが大
面積化するのに伴って、歩留が著しく低下する。この工
程数短縮を実現する方法の一つとして、レジスト工程を
経ることなく、直接パターン薄膜形成を可能とするレー
ザ光などを用いた光ＣＶＤをＴＥＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌ
ｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）形成に適用する方法があ
る。（参照試料、第５１回応用物理学関係連合講演回講
演番号２７ａ−ＺＦ−１０、発表者関、その他）。この
方法の場合、レーザ光などの光ＣＶＤでａ−Ｓｉ膜のパ
ターンを形成するので、所要の膜厚を得るためには数１
０分以上の照射時間が必要な上、基板全面にａ−Ｓｉパ
ターンを形成するには照射可能な面積が不足するため多
くのくり返し照射が必要となり生産性が非常に低い。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】ヒータ１１の温度を２５０℃に設定し、全
反応室内にＳｉＨ４，Ｏ２を供給し、排気エアバルブ８
の開きを加減することにより、数１０−数１００Ｔｏｒ
ｒの圧力に保った後、ＳｉＯ２のパターン形成を開始し
ようとする反応室にＡｒＦレーザ光発生装置１の出射光
をパターンマスク２、石英窓１０を通してａ−Ｓｉ薄膜
３の表面に数１０秒間照射し、ＳｉＯ２Ｏパターン６の
核を形成する。次に隣接する反応室にＡｒＦレーザ光が
照射されるようにＸＹステージ５を移動させる。ＡｒＦ
レーザ光の照射が停止された後もヒータ１１から供給さ
れる熱エネルギーによりＳｉＯ２の成膜は継続する。
反応室内にＳｉＨ４，Ｏ２を供給し、排気エアバルブ８
の開きを加減することにより、数１０−数１００Ｔｏｒ
ｒの圧力に保った後、ＳｉＯ２のパターン形成を開始し
ようとする反応室にＡｒＦレーザ光発生装置１の出射光
をパターンマスク２、石英窓１０を通してａ−Ｓｉ薄膜
３の表面に数１０秒間照射し、ＳｉＯ２Ｏパターン６の
核を形成する。次に隣接する反応室にＡｒＦレーザ光が
照射されるようにＸＹステージ５を移動させる。ＡｒＦ
レーザ光の照射が停止された後もヒータ１１から供給さ
れる熱エネルギーによりＳｉＯ２の成膜は継続する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｃ２３Ｃ 16/48
Claims (2)
- 【請求項１】 反応性ガスの雰囲気でパターン化した光
を薄膜形成を要する基板の表面に照射し化学反応を起こ
させ直接パターン薄膜を形成する光ＣＶＤ法による薄膜
形成方法において、前記基板の表面全体を前記光のビー
ム面積単位に仕切板で仕切って複数の密閉された反応室
をつくり、それぞれの前記反応室に前記反応性ガスを供
給し、順次各前記反応室の前記基板の表面に前記光を照
射し一定時間後に前記反応性ガスを排気して行くことを
特徴とする薄膜形成方法。 - 【請求項２】 反応性ガスの雰囲気でパターン化した光
を薄膜形成を要する基板の表面に照射し化学反応を起こ
させ直接パターン薄膜を形成する光ＣＶＤ法による薄膜
形成装置において、前記基板の表面に接して前記基板表
面を前記光のビーム面積単位で仕切りそれぞれに前記光
の照射用窓を有する複数の反応室を構成する仕切り付チ
ャンバと、前記反応室のそれぞれに独立に前記反応ガス
を供給し排気するためのガス制御装置と、前記光を各前
記反応室の底部の前記基板に一定時間照射するための光
学系と、前記光の照射を順次各前記反応室の前記基板に
行うための可動ステージ機構とを備えることを特徴とす
る薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33864791A JPH08213377A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 薄膜形成方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33864791A JPH08213377A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 薄膜形成方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08213377A true JPH08213377A (ja) | 1996-08-20 |
Family
ID=18320143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33864791A Withdrawn JPH08213377A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 薄膜形成方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08213377A (ja) |
-
1991
- 1991-12-20 JP JP33864791A patent/JPH08213377A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990311 |