JPH08213657A - 可視光ｌｅｄ装置，及びその製造方法 - Google Patents
可視光ｌｅｄ装置，及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH08213657A JPH08213657A JP7275997A JP27599795A JPH08213657A JP H08213657 A JPH08213657 A JP H08213657A JP 7275997 A JP7275997 A JP 7275997A JP 27599795 A JP27599795 A JP 27599795A JP H08213657 A JPH08213657 A JP H08213657A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- led
- conductivity type
- green
- red
- type crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＬＥＤ装置の同一箇所から、赤，緑，青色の
３原色の光をそれぞれ任意の強度で発光することができ
る可視光ＬＥＤ装置，及びその製造方法を提供すること
を目的とする。 【解決手段】 青色ＬＥＤ用の基板上に第１導電型結
晶，第２導電型結晶を成長させ、緑色ＬＥＤ用の基板上
に第２導電型結晶，第１導電型結晶を成長させ、赤色Ｌ
ＥＤ用の基板上に第２導電型結晶，第１導電型結晶を成
長させたそれぞれのＬＥＤの、上記成長した青色ＬＥＤ
の結晶の成長表面と上記緑色ＬＥＤ用の基板とを，及び
該緑色ＬＥＤの結晶の成長表面と上記成長された赤色Ｌ
ＥＤの結晶の成長表面とをアニールすることにより直接
接着し、さらに上記接着後、エッチングにより電極を形
成するための段差を設け、該段差に電極を形成してなる
ものである。
３原色の光をそれぞれ任意の強度で発光することができ
る可視光ＬＥＤ装置，及びその製造方法を提供すること
を目的とする。 【解決手段】 青色ＬＥＤ用の基板上に第１導電型結
晶，第２導電型結晶を成長させ、緑色ＬＥＤ用の基板上
に第２導電型結晶，第１導電型結晶を成長させ、赤色Ｌ
ＥＤ用の基板上に第２導電型結晶，第１導電型結晶を成
長させたそれぞれのＬＥＤの、上記成長した青色ＬＥＤ
の結晶の成長表面と上記緑色ＬＥＤ用の基板とを，及び
該緑色ＬＥＤの結晶の成長表面と上記成長された赤色Ｌ
ＥＤの結晶の成長表面とをアニールすることにより直接
接着し、さらに上記接着後、エッチングにより電極を形
成するための段差を設け、該段差に電極を形成してなる
ものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は可視光ＬＥＤ装置
及びその製造方法に関し、特に、１チップに形成された
ＬＥＤ装置の同一箇所から、それぞれ青，緑，赤の３原
色の光をそれぞれ任意の強度で発光することのできる可
視光ＬＥＤ装置，及びその製造方法に関するものであ
る。
及びその製造方法に関し、特に、１チップに形成された
ＬＥＤ装置の同一箇所から、それぞれ青，緑，赤の３原
色の光をそれぞれ任意の強度で発光することのできる可
視光ＬＥＤ装置，及びその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、単体ＬＥＤで単色の赤，緑，
青色の光をそれぞれ発光するものは市販されている。こ
の３原色を用いて他の色を発光させようとした場合、そ
れぞれのＬＥＤから光が出るため、多色化のためには、
光学系を工夫して１ヵ所に上記三色の光を集光して用い
るか、あるいはそれぞれの素子を同一平面上に並べて発
光させることにより、多色化を行っていた。しかし、上
記３色の光を用いて多色の光出力画面等を作製する場合
において、これらのＬＥＤを高密度に形成するのが難し
かった。
青色の光をそれぞれ発光するものは市販されている。こ
の３原色を用いて他の色を発光させようとした場合、そ
れぞれのＬＥＤから光が出るため、多色化のためには、
光学系を工夫して１ヵ所に上記三色の光を集光して用い
るか、あるいはそれぞれの素子を同一平面上に並べて発
光させることにより、多色化を行っていた。しかし、上
記３色の光を用いて多色の光出力画面等を作製する場合
において、これらのＬＥＤを高密度に形成するのが難し
かった。
【０００３】また、従来より共通基板上に複数の色を発
光するための半導体結晶を成長させる技術があったが、
これは結晶成長を共通の基板上に行うために、成長させ
る各結晶の結晶構造，及び成長条件に制限があるもので
あった。
光するための半導体結晶を成長させる技術があったが、
これは結晶成長を共通の基板上に行うために、成長させ
る各結晶の結晶構造，及び成長条件に制限があるもので
あった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このように、赤，緑，
青色の各光をそれぞれ単体ＬＥＤで発光する従来のもの
では、この３原色の各ＬＥＤを用いて他の色を発光させ
ようとした場合、光学系を工夫して１ヵ所に上記三色の
光を集光して用いるか、あるいはそれぞれの素子を同一
面上に並べて発光させていた。しかし、これにより多色
の画面等を形成する場合、画素となる発光部を２次元状
に高密度に形成することが難しいという問題があった。
青色の各光をそれぞれ単体ＬＥＤで発光する従来のもの
では、この３原色の各ＬＥＤを用いて他の色を発光させ
ようとした場合、光学系を工夫して１ヵ所に上記三色の
光を集光して用いるか、あるいはそれぞれの素子を同一
面上に並べて発光させていた。しかし、これにより多色
の画面等を形成する場合、画素となる発光部を２次元状
に高密度に形成することが難しいという問題があった。
【０００５】さらに、同一の結晶成長法，もしくは個別
の成長法を用いて共通基板上に３原色の各ＬＥＤの結晶
を成長させようとする場合、その３原色を発光する各結
晶の結晶構造，及び成長条件が大きく異なることによ
り、共通基板上に上記３色を発光する結晶を成長させる
のが非常に困難であった。特に青色ＬＥＤの結晶を、緑
色ＬＥＤ，または赤色ＬＥＤの結晶を成長させるＧａＰ
基板上に成長する事ができないという問題があった。
の成長法を用いて共通基板上に３原色の各ＬＥＤの結晶
を成長させようとする場合、その３原色を発光する各結
晶の結晶構造，及び成長条件が大きく異なることによ
り、共通基板上に上記３色を発光する結晶を成長させる
のが非常に困難であった。特に青色ＬＥＤの結晶を、緑
色ＬＥＤ，または赤色ＬＥＤの結晶を成長させるＧａＰ
基板上に成長する事ができないという問題があった。
【０００６】本発明は以上のような問題を解決するため
になされたもので、赤，緑，青色の３原色の光を同一方
向に同一箇所から発光でき、かつ各色を任意の強さで発
光できるようにした可視光ＬＥＤ装置，及びその製造方
法を提供することを目的とする。
になされたもので、赤，緑，青色の３原色の光を同一方
向に同一箇所から発光でき、かつ各色を任意の強さで発
光できるようにした可視光ＬＥＤ装置，及びその製造方
法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明（請求項１）に
係る可視光ＬＥＤ装置の製造方法は、可視光ＬＥＤ装置
の製造方法において、青色の光を発光するＬＥＤの結晶
を成長させる青色ＬＥＤ成長工程と、緑色の光を発光す
るＬＥＤの結晶を成長させる緑色ＬＥＤ成長工程と、赤
色の光を発光するＬＥＤの結晶を成長させる赤色ＬＥＤ
成長工程と、上記成長された３つのＬＥＤをアニールに
より直接接着し、一体とする工程とを含むものである。
係る可視光ＬＥＤ装置の製造方法は、可視光ＬＥＤ装置
の製造方法において、青色の光を発光するＬＥＤの結晶
を成長させる青色ＬＥＤ成長工程と、緑色の光を発光す
るＬＥＤの結晶を成長させる緑色ＬＥＤ成長工程と、赤
色の光を発光するＬＥＤの結晶を成長させる赤色ＬＥＤ
成長工程と、上記成長された３つのＬＥＤをアニールに
より直接接着し、一体とする工程とを含むものである。
【０００８】この発明（請求項２）に係る可視光ＬＥＤ
装置の製造方法は、可視光ＬＥＤ装置の製造方法におい
て、青色の光を発光するＬＥＤの結晶を成長させる青色
ＬＥＤ成長工程と、緑色の光，及び赤色の光を発光する
ＬＥＤの結晶をそれぞれ成長させて２色のＬＥＤを積層
する、緑色，及び赤色ＬＥＤ成長工程と、上記成長され
た青色ＬＥＤと緑色，及び赤色ＬＥＤとをアニールによ
り直接接着し、一体とする工程とを含むものである。
装置の製造方法は、可視光ＬＥＤ装置の製造方法におい
て、青色の光を発光するＬＥＤの結晶を成長させる青色
ＬＥＤ成長工程と、緑色の光，及び赤色の光を発光する
ＬＥＤの結晶をそれぞれ成長させて２色のＬＥＤを積層
する、緑色，及び赤色ＬＥＤ成長工程と、上記成長され
た青色ＬＥＤと緑色，及び赤色ＬＥＤとをアニールによ
り直接接着し、一体とする工程とを含むものである。
【０００９】この発明（請求項３）は、上記可視光ＬＥ
Ｄ装置の製造方法（請求項１）において、上記青色ＬＥ
Ｄ成長工程は、青色ＬＥＤ用の基板上に第１導電型結
晶，及び第２導電型結晶を順次成長させるものであり、
上記緑色ＬＥＤ成長工程は、緑色ＬＥＤ用の第２導電型
基板上に第２導電型結晶，及び第１導電型結晶を順次成
長させるものであり、上記赤色ＬＥＤ成長工程は、赤色
ＬＥＤ用の第２導電型基板上に第２導電型結晶，及び第
１導電型結晶を順次成長させるものであり、上記一体と
する工程は、上記成長した青色ＬＥＤの結晶の成長表面
と上記緑色ＬＥＤ用の基板とを，及び上記緑色ＬＥＤの
結晶の成長表面と上記成長した赤色ＬＥＤの結晶の成長
表面とをアニールにより直接接着するものであり、さら
に上記接着後、上記赤色ＬＥＤ，緑色ＬＥＤ，及び青色
ＬＥＤの所望の領域をエッチングすることにより、露出
したそれぞれの面に上記３つのＬＥＤ用の電極を形成す
るための段差を設ける工程と、上記各段差，及び赤色Ｌ
ＥＤの基板表面に電極を形成する工程とを含むものであ
る。
Ｄ装置の製造方法（請求項１）において、上記青色ＬＥ
Ｄ成長工程は、青色ＬＥＤ用の基板上に第１導電型結
晶，及び第２導電型結晶を順次成長させるものであり、
上記緑色ＬＥＤ成長工程は、緑色ＬＥＤ用の第２導電型
基板上に第２導電型結晶，及び第１導電型結晶を順次成
長させるものであり、上記赤色ＬＥＤ成長工程は、赤色
ＬＥＤ用の第２導電型基板上に第２導電型結晶，及び第
１導電型結晶を順次成長させるものであり、上記一体と
する工程は、上記成長した青色ＬＥＤの結晶の成長表面
と上記緑色ＬＥＤ用の基板とを，及び上記緑色ＬＥＤの
結晶の成長表面と上記成長した赤色ＬＥＤの結晶の成長
表面とをアニールにより直接接着するものであり、さら
に上記接着後、上記赤色ＬＥＤ，緑色ＬＥＤ，及び青色
ＬＥＤの所望の領域をエッチングすることにより、露出
したそれぞれの面に上記３つのＬＥＤ用の電極を形成す
るための段差を設ける工程と、上記各段差，及び赤色Ｌ
ＥＤの基板表面に電極を形成する工程とを含むものであ
る。
【００１０】この発明（請求項４）は、上記可視光ＬＥ
Ｄ装置の製造方法（請求項１）において、上記青色ＬＥ
Ｄ成長工程は、青色ＬＥＤ用の基板上に第１導電型結
晶，及び第２導電型結晶を順次成長させるものであり、
上記緑色ＬＥＤ成長工程は、緑色ＬＥＤ用の第２導電型
基板上に第２導電型結晶，及び第１導電型結晶を順次成
長させるものであり、上記赤色ＬＥＤ成長工程は、赤色
ＬＥＤ用の第２導電型基板上に第２導電型結晶，及び第
１導電型結晶を順次成長させるものであり、上記一体と
する工程は、上記成長した青色ＬＥＤの結晶の成長表面
と上記緑色ＬＥＤ用の基板とを，及び上記緑色ＬＥＤの
結晶の成長表面と上記成長した赤色ＬＥＤの結晶の成長
表面とをアニールにより直接接着するものであり、さら
に上記接着後、上記赤色ＬＥＤ用の基板を除去する工程
と、上記赤色ＬＥＤ，緑色ＬＥＤ，及び青色ＬＥＤの所
望の領域をエッチングすることにより、露出したそれぞ
れの面に上記３つのＬＥＤ用の電極を形成するための段
差を設ける工程と、上記各段差，及び基板が除去された
上記赤色ＬＥＤの第２導電型結晶の表面に電極を形成す
る工程とを含むものである。
Ｄ装置の製造方法（請求項１）において、上記青色ＬＥ
Ｄ成長工程は、青色ＬＥＤ用の基板上に第１導電型結
晶，及び第２導電型結晶を順次成長させるものであり、
上記緑色ＬＥＤ成長工程は、緑色ＬＥＤ用の第２導電型
基板上に第２導電型結晶，及び第１導電型結晶を順次成
長させるものであり、上記赤色ＬＥＤ成長工程は、赤色
ＬＥＤ用の第２導電型基板上に第２導電型結晶，及び第
１導電型結晶を順次成長させるものであり、上記一体と
する工程は、上記成長した青色ＬＥＤの結晶の成長表面
と上記緑色ＬＥＤ用の基板とを，及び上記緑色ＬＥＤの
結晶の成長表面と上記成長した赤色ＬＥＤの結晶の成長
表面とをアニールにより直接接着するものであり、さら
に上記接着後、上記赤色ＬＥＤ用の基板を除去する工程
と、上記赤色ＬＥＤ，緑色ＬＥＤ，及び青色ＬＥＤの所
望の領域をエッチングすることにより、露出したそれぞ
れの面に上記３つのＬＥＤ用の電極を形成するための段
差を設ける工程と、上記各段差，及び基板が除去された
上記赤色ＬＥＤの第２導電型結晶の表面に電極を形成す
る工程とを含むものである。
【００１１】この発明（請求項５）は、上記可視光ＬＥ
Ｄ装置の製造方法（請求項１）において、上記青色ＬＥ
Ｄ成長工程は、青色ＬＥＤ用の基板上に第１導電型結
晶，及び第２導電型結晶を順次成長させるものであり、
上記緑色ＬＥＤ成長工程は、緑色ＬＥＤ用の第１導電型
基板上に第１導電型結晶，及び第２導電型結晶を順次成
長させるものであり、上記赤色ＬＥＤ成長工程は、赤色
ＬＥＤ用の第２導電型基板上に第２導電型結晶，及び第
１導電型結晶を順次成長させるものであり、上記一体と
する工程は、上記成長した青色ＬＥＤの結晶の成長表面
と上記成長した緑色ＬＥＤの結晶の成長表面とをアニー
ルにより直接接着する工程と、上記接着後、上記緑色Ｌ
ＥＤ用の基板を除去する工程と、該基板が除去された緑
色ＬＥＤの結晶の表面と上記成長した赤色ＬＥＤの結晶
の成長表面とをアニールにより直接接着する工程とを含
み、さらに上記接着後、上記赤色ＬＥＤ用の基板を除去
する工程と、上記赤色ＬＥＤ，緑色ＬＥＤ，及び青色Ｌ
ＥＤの所望の領域をエッチングすることにより、露出し
たそれぞれの面に上記３つのＬＥＤ用の電極を形成する
ための段差を設ける工程と、上記各段差，及び基板が除
去された上記赤色ＬＥＤの第２導電型結晶の表面に電極
を形成する工程とを含むものである。
Ｄ装置の製造方法（請求項１）において、上記青色ＬＥ
Ｄ成長工程は、青色ＬＥＤ用の基板上に第１導電型結
晶，及び第２導電型結晶を順次成長させるものであり、
上記緑色ＬＥＤ成長工程は、緑色ＬＥＤ用の第１導電型
基板上に第１導電型結晶，及び第２導電型結晶を順次成
長させるものであり、上記赤色ＬＥＤ成長工程は、赤色
ＬＥＤ用の第２導電型基板上に第２導電型結晶，及び第
１導電型結晶を順次成長させるものであり、上記一体と
する工程は、上記成長した青色ＬＥＤの結晶の成長表面
と上記成長した緑色ＬＥＤの結晶の成長表面とをアニー
ルにより直接接着する工程と、上記接着後、上記緑色Ｌ
ＥＤ用の基板を除去する工程と、該基板が除去された緑
色ＬＥＤの結晶の表面と上記成長した赤色ＬＥＤの結晶
の成長表面とをアニールにより直接接着する工程とを含
み、さらに上記接着後、上記赤色ＬＥＤ用の基板を除去
する工程と、上記赤色ＬＥＤ，緑色ＬＥＤ，及び青色Ｌ
ＥＤの所望の領域をエッチングすることにより、露出し
たそれぞれの面に上記３つのＬＥＤ用の電極を形成する
ための段差を設ける工程と、上記各段差，及び基板が除
去された上記赤色ＬＥＤの第２導電型結晶の表面に電極
を形成する工程とを含むものである。
【００１２】この発明（請求項６）は、上記可視光ＬＥ
Ｄ装置の製造方法（請求項２）において、上記青色ＬＥ
Ｄ成長工程は、青色ＬＥＤ用の基板上に第１導電型結
晶，及び第２導電型結晶を順次成長させるものであり、
上記緑色，及び赤色ＬＥＤ成長工程は、緑色，及び赤色
ＬＥＤ用の共通の第２導電型基板上に緑色ＬＥＤのｐｎ
接合面を形成する第２導電型結晶，及び第１導電型結
晶，さらに続いて該第１導電型結晶とともに、赤色ＬＥ
Ｄのｐｎ接合面を形成する第２導電型結晶を連続的に成
長させる１つの工程で行うものであり、上記一体とする
工程は、上記成長した青色ＬＥＤの結晶の成長表面と上
記緑色，及び赤色ＬＥＤ用の共通基板とをアニールによ
り直接接着するものであり、さらに上記接着後、上記緑
色，及び赤色ＬＥＤ，及び上記青色ＬＥＤの所望の領域
をエッチングすることにより、露出したそれぞれの面に
上記３つのＬＥＤ用の電極を形成するための段差を設け
る工程と、上記各段差，及び赤色ＬＥＤの結晶表面に電
極を形成する工程とを含むものである。
Ｄ装置の製造方法（請求項２）において、上記青色ＬＥ
Ｄ成長工程は、青色ＬＥＤ用の基板上に第１導電型結
晶，及び第２導電型結晶を順次成長させるものであり、
上記緑色，及び赤色ＬＥＤ成長工程は、緑色，及び赤色
ＬＥＤ用の共通の第２導電型基板上に緑色ＬＥＤのｐｎ
接合面を形成する第２導電型結晶，及び第１導電型結
晶，さらに続いて該第１導電型結晶とともに、赤色ＬＥ
Ｄのｐｎ接合面を形成する第２導電型結晶を連続的に成
長させる１つの工程で行うものであり、上記一体とする
工程は、上記成長した青色ＬＥＤの結晶の成長表面と上
記緑色，及び赤色ＬＥＤ用の共通基板とをアニールによ
り直接接着するものであり、さらに上記接着後、上記緑
色，及び赤色ＬＥＤ，及び上記青色ＬＥＤの所望の領域
をエッチングすることにより、露出したそれぞれの面に
上記３つのＬＥＤ用の電極を形成するための段差を設け
る工程と、上記各段差，及び赤色ＬＥＤの結晶表面に電
極を形成する工程とを含むものである。
【００１３】この発明（請求項７）は、上記可視光ＬＥ
Ｄ装置の製造方法（請求項２）において、上記青色ＬＥ
Ｄ成長工程は、青色ＬＥＤ用の基板上に第１導電型結
晶，及び第２導電型結晶を成長させるものであり、上記
緑色，及び赤色ＬＥＤ成長工程は、緑色，及び赤色ＬＥ
Ｄ用の共通基板上に赤色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成する
第２導電型結晶，及び第１導電型結晶，さらに続いて該
第１導電型結晶とともに、緑色ＬＥＤのｐｎ接合面を形
成する第２導電型結晶を連続的に成長させる１つの工程
で行うものであり、上記一体とする工程は、上記成長し
た青色ＬＥＤの結晶の成長表面と，上記緑色ＬＥＤの第
２導電型結晶の成長表面とをアニールにより直接接着す
るものであり、さらに上記接着後、上記緑色，及び赤色
ＬＥＤ用の共通基板を除去する工程と、上記緑色，及び
赤色ＬＥＤ，及び上記青色ＬＥＤの所望の領域をエッチ
ングすることにより、露出したそれぞれの面に上記３つ
のＬＥＤ用の電極を形成するための段差を設ける工程
と、上記各段差，及び上記共通基板が除去された赤色Ｌ
ＥＤの結晶表面に電極を形成する工程とを含むものであ
る。
Ｄ装置の製造方法（請求項２）において、上記青色ＬＥ
Ｄ成長工程は、青色ＬＥＤ用の基板上に第１導電型結
晶，及び第２導電型結晶を成長させるものであり、上記
緑色，及び赤色ＬＥＤ成長工程は、緑色，及び赤色ＬＥ
Ｄ用の共通基板上に赤色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成する
第２導電型結晶，及び第１導電型結晶，さらに続いて該
第１導電型結晶とともに、緑色ＬＥＤのｐｎ接合面を形
成する第２導電型結晶を連続的に成長させる１つの工程
で行うものであり、上記一体とする工程は、上記成長し
た青色ＬＥＤの結晶の成長表面と，上記緑色ＬＥＤの第
２導電型結晶の成長表面とをアニールにより直接接着す
るものであり、さらに上記接着後、上記緑色，及び赤色
ＬＥＤ用の共通基板を除去する工程と、上記緑色，及び
赤色ＬＥＤ，及び上記青色ＬＥＤの所望の領域をエッチ
ングすることにより、露出したそれぞれの面に上記３つ
のＬＥＤ用の電極を形成するための段差を設ける工程
と、上記各段差，及び上記共通基板が除去された赤色Ｌ
ＥＤの結晶表面に電極を形成する工程とを含むものであ
る。
【００１４】この発明（請求項８）は、上記可視光ＬＥ
Ｄ装置の製造方法（請求項２）において、上記青色ＬＥ
Ｄ成長工程は、青色ＬＥＤ用の基板上に第１導電型結
晶，及び第２導電型結晶を順次成長させるものであり、
上記緑色，及び赤色ＬＥＤ成長工程は、上記緑色，及び
赤色ＬＥＤ用の共通の第２導電型基板上の第１の電極を
形成する領域を含む領域に選択マスクを形成し、これを
マスクにして、緑色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成する第２
導電型結晶，及び第１導電型結晶を連続的に成長させ、
上記第１導電型結晶上の第２の電極を形成する領域を含
む領域に選択マスクを形成し、これをマスクにして、上
記第１導電型結晶とともに、赤色ＬＥＤのｐｎ接合面を
形成する第２導電型結晶を成長させる工程であり、上記
一体とする工程は、上記成長された青色ＬＥＤの結晶の
成長表面と上記緑色，及び赤色ＬＥＤ用の共通基板とを
アニールにより直接接着するものであり、さらに上記接
着後、上記赤色ＬＥＤの第２導電型結晶の表面と，上記
第１の電極を形成する領域と，上記第２の電極を形成す
る領域と，上記緑色，及び赤色ＬＥＤ用の共通基板，及
び青色ＬＥＤの所望の領域をエッチングすることによ
り、露出した青色ＬＥＤの第１導電型結晶の領域とにそ
れぞれ電極を形成する工程とを含むものである。
Ｄ装置の製造方法（請求項２）において、上記青色ＬＥ
Ｄ成長工程は、青色ＬＥＤ用の基板上に第１導電型結
晶，及び第２導電型結晶を順次成長させるものであり、
上記緑色，及び赤色ＬＥＤ成長工程は、上記緑色，及び
赤色ＬＥＤ用の共通の第２導電型基板上の第１の電極を
形成する領域を含む領域に選択マスクを形成し、これを
マスクにして、緑色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成する第２
導電型結晶，及び第１導電型結晶を連続的に成長させ、
上記第１導電型結晶上の第２の電極を形成する領域を含
む領域に選択マスクを形成し、これをマスクにして、上
記第１導電型結晶とともに、赤色ＬＥＤのｐｎ接合面を
形成する第２導電型結晶を成長させる工程であり、上記
一体とする工程は、上記成長された青色ＬＥＤの結晶の
成長表面と上記緑色，及び赤色ＬＥＤ用の共通基板とを
アニールにより直接接着するものであり、さらに上記接
着後、上記赤色ＬＥＤの第２導電型結晶の表面と，上記
第１の電極を形成する領域と，上記第２の電極を形成す
る領域と，上記緑色，及び赤色ＬＥＤ用の共通基板，及
び青色ＬＥＤの所望の領域をエッチングすることによ
り、露出した青色ＬＥＤの第１導電型結晶の領域とにそ
れぞれ電極を形成する工程とを含むものである。
【００１５】この発明（請求項９）は、上記可視光ＬＥ
Ｄ装置の製造方法（請求項２）において、上記青色ＬＥ
Ｄ成長工程は、青色ＬＥＤ用の基板上に第１導電型結
晶，及び第２導電型結晶を順次成長させるものであり、
上記緑色，及び赤色ＬＥＤ成長工程は、上記緑色，及び
赤色ＬＥＤ用の共通の第２導電型基板上に先ず，絶縁膜
を形成し、〈１１／１〉方向〔［１１／１］方向を含む
これと等価な方向〕のラインを含むラインにより形成さ
れた開口を設ける。なお、上述したライン方向〈１１／
１〉，及び［１１／１］は、
Ｄ装置の製造方法（請求項２）において、上記青色ＬＥ
Ｄ成長工程は、青色ＬＥＤ用の基板上に第１導電型結
晶，及び第２導電型結晶を順次成長させるものであり、
上記緑色，及び赤色ＬＥＤ成長工程は、上記緑色，及び
赤色ＬＥＤ用の共通の第２導電型基板上に先ず，絶縁膜
を形成し、〈１１／１〉方向〔［１１／１］方向を含む
これと等価な方向〕のラインを含むラインにより形成さ
れた開口を設ける。なお、上述したライン方向〈１１／
１〉，及び［１１／１］は、
【００１６】
【数１】
【００１７】を表したものであり、本明細書中に記載の
〈 〉，及び［ ］内に示された／は、バーを示してい
る。上記開口部を形成したのち、該開口部より上記共通
基板をエッチングし、該エッチングにより削られた領域
に上記絶縁膜をマスクとして、緑色ＬＥＤのｐｎ接合面
を形成する第２導電型結晶，及び第１導電型結晶，さら
に続いて該第１導電型結晶とともに、赤色ＬＥＤのｐｎ
接合面を形成する第２導電型結晶を連続的に成長させた
のち、上記絶縁膜を除去して、上記各結晶が基板と同一
の表面に露出するように形成する工程であり、上記一体
とする工程は、上記成長された青色ＬＥＤの結晶の成長
表面と、上記緑色，及び赤色ＬＥＤ用の共通基板とをア
ニールにより直接接着する工程であり、さらに上記接着
後、上記赤色ＬＥＤの第２導電型結晶の表面と，上記緑
色，及び赤色ＬＥＤの第１導電型結晶の表面と，上記緑
色ＬＥＤの第２導電型結晶の表面と，上記緑色，及び赤
色ＬＥＤ用の共通基板，及び青色ＬＥＤの所望の領域を
エッチングすることにより、露出した青色ＬＥＤの第１
導電型結晶の領域とにそれぞれ電極を形成する工程とを
含むものである。
〈 〉，及び［ ］内に示された／は、バーを示してい
る。上記開口部を形成したのち、該開口部より上記共通
基板をエッチングし、該エッチングにより削られた領域
に上記絶縁膜をマスクとして、緑色ＬＥＤのｐｎ接合面
を形成する第２導電型結晶，及び第１導電型結晶，さら
に続いて該第１導電型結晶とともに、赤色ＬＥＤのｐｎ
接合面を形成する第２導電型結晶を連続的に成長させた
のち、上記絶縁膜を除去して、上記各結晶が基板と同一
の表面に露出するように形成する工程であり、上記一体
とする工程は、上記成長された青色ＬＥＤの結晶の成長
表面と、上記緑色，及び赤色ＬＥＤ用の共通基板とをア
ニールにより直接接着する工程であり、さらに上記接着
後、上記赤色ＬＥＤの第２導電型結晶の表面と，上記緑
色，及び赤色ＬＥＤの第１導電型結晶の表面と，上記緑
色ＬＥＤの第２導電型結晶の表面と，上記緑色，及び赤
色ＬＥＤ用の共通基板，及び青色ＬＥＤの所望の領域を
エッチングすることにより、露出した青色ＬＥＤの第１
導電型結晶の領域とにそれぞれ電極を形成する工程とを
含むものである。
【００１８】この発明（請求項１０）は、上記可視光Ｌ
ＥＤ装置の製造方法において、上記一体とする工程は、
直接接着する各面の少なくとも一方にＩｎを含む化合物
半導体膜を形成する工程と、上記各面をアニールにより
直接接着する工程とを含むものである。
ＥＤ装置の製造方法において、上記一体とする工程は、
直接接着する各面の少なくとも一方にＩｎを含む化合物
半導体膜を形成する工程と、上記各面をアニールにより
直接接着する工程とを含むものである。
【００１９】この発明（請求項１１）は、上記可視光Ｌ
ＥＤ装置の製造方法（請求項３）において、上記青色Ｌ
ＥＤ成長工程は、サファイア基板上に青色ＬＥＤのＧａ
Ｎバッファ層，ｎ−ＧａＮコンタクト層，ｎ−ＡｌＧａ
Ｎクラッド層，ｐ−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−ＡｌＧａＮ
クラッド層，及びｐ−ＧａＮコンタクト層を順次成長さ
せるものであり、上記緑色ＬＥＤ成長工程は、ｐ−Ｇａ
Ｐ基板上に緑色ＬＥＤのｐ−ＧａＰ層，及びｎ−ＧａＰ
層を順次成長させるものであり、上記赤色ＬＥＤ成長工
程は、ｐ−ＧａＡｓ基板上に赤色ＬＥＤのｐ−ＧａＡｌ
Ａｓクラッド層，ｐ−ＧａＡｌＡｓ活性層，ｎ−ＧａＡ
ｌクラッド層，及びｎ−ＧａＡｌＡｓコンタクト層を順
次成長させるものである。
ＥＤ装置の製造方法（請求項３）において、上記青色Ｌ
ＥＤ成長工程は、サファイア基板上に青色ＬＥＤのＧａ
Ｎバッファ層，ｎ−ＧａＮコンタクト層，ｎ−ＡｌＧａ
Ｎクラッド層，ｐ−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−ＡｌＧａＮ
クラッド層，及びｐ−ＧａＮコンタクト層を順次成長さ
せるものであり、上記緑色ＬＥＤ成長工程は、ｐ−Ｇａ
Ｐ基板上に緑色ＬＥＤのｐ−ＧａＰ層，及びｎ−ＧａＰ
層を順次成長させるものであり、上記赤色ＬＥＤ成長工
程は、ｐ−ＧａＡｓ基板上に赤色ＬＥＤのｐ−ＧａＡｌ
Ａｓクラッド層，ｐ−ＧａＡｌＡｓ活性層，ｎ−ＧａＡ
ｌクラッド層，及びｎ−ＧａＡｌＡｓコンタクト層を順
次成長させるものである。
【００２０】この発明（請求項１２）は、上記可視光Ｌ
ＥＤ装置の製造方法（請求項４）において、上記青色Ｌ
ＥＤ成長工程は、サファイア基板上に青色ＬＥＤのＧａ
Ｎバッファ層，ｎ−ＧａＮコンタクト層，ｎ−ＡｌＧａ
Ｎクラッド層，ｐ−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−ＡｌＧａＮ
クラッド層，及びｐ−ＧａＮコンタクト層を成長させる
ものであり、上記緑色ＬＥＤ成長工程は、ｐ−ＧａＰ基
板上に緑色ＬＥＤのｐ−ＧａＰ層，及びｎ−ＧａＰ層を
成長させるものであり、上記赤色ＬＥＤ成長工程は、ｐ
−ＧａＡｓ基板上に赤色ＬＥＤのｐ−ＧａＡｌＡｓバッ
ファ層，ｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド層，ｐ−ＧａＡｌＡ
ｓ活性層，ｎ−ＧａＡｌクラッド層，及びｎ−ＧａＡｌ
Ａｓコンタクト層を成長させるものである。
ＥＤ装置の製造方法（請求項４）において、上記青色Ｌ
ＥＤ成長工程は、サファイア基板上に青色ＬＥＤのＧａ
Ｎバッファ層，ｎ−ＧａＮコンタクト層，ｎ−ＡｌＧａ
Ｎクラッド層，ｐ−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−ＡｌＧａＮ
クラッド層，及びｐ−ＧａＮコンタクト層を成長させる
ものであり、上記緑色ＬＥＤ成長工程は、ｐ−ＧａＰ基
板上に緑色ＬＥＤのｐ−ＧａＰ層，及びｎ−ＧａＰ層を
成長させるものであり、上記赤色ＬＥＤ成長工程は、ｐ
−ＧａＡｓ基板上に赤色ＬＥＤのｐ−ＧａＡｌＡｓバッ
ファ層，ｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド層，ｐ−ＧａＡｌＡ
ｓ活性層，ｎ−ＧａＡｌクラッド層，及びｎ−ＧａＡｌ
Ａｓコンタクト層を成長させるものである。
【００２１】この発明（請求項１３）は、上記可視光Ｌ
ＥＤ装置の製造方法（請求項５）において、上記青色Ｌ
ＥＤ成長工程は、サファイア基板上に青色ＬＥＤのＧａ
Ｎバッファ層，ｎ−ＧａＮコンタクト層，ｎ−ＡｌＧａ
Ｎクラッド層，ｐ−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−ＡｌＧａＮ
クラッド層，及びｐ−ＧａＮコンタクト層を順次成長さ
せるものであり、上記緑色ＬＥＤ成長工程は、ｎ−Ｇａ
Ｐ基板上に緑色ＬＥＤのｎ−ＧａＰ層，及びｐ−ＧａＰ
層を順次成長させるものであり、上記赤色ＬＥＤ成長工
程は、ｐ−ＧａＡｓ基板上に赤色ＬＥＤのｐ−ＧａＡｌ
Ａｓバッファ層，ｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド層，ｐ−Ｇ
ａＡｌＡｓ活性層，ｎ−ＧａＡｌクラッド層，及びｎ−
ＧａＡｌＡｓコンタクト層を順次成長させるものであ
る。
ＥＤ装置の製造方法（請求項５）において、上記青色Ｌ
ＥＤ成長工程は、サファイア基板上に青色ＬＥＤのＧａ
Ｎバッファ層，ｎ−ＧａＮコンタクト層，ｎ−ＡｌＧａ
Ｎクラッド層，ｐ−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−ＡｌＧａＮ
クラッド層，及びｐ−ＧａＮコンタクト層を順次成長さ
せるものであり、上記緑色ＬＥＤ成長工程は、ｎ−Ｇａ
Ｐ基板上に緑色ＬＥＤのｎ−ＧａＰ層，及びｐ−ＧａＰ
層を順次成長させるものであり、上記赤色ＬＥＤ成長工
程は、ｐ−ＧａＡｓ基板上に赤色ＬＥＤのｐ−ＧａＡｌ
Ａｓバッファ層，ｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド層，ｐ−Ｇ
ａＡｌＡｓ活性層，ｎ−ＧａＡｌクラッド層，及びｎ−
ＧａＡｌＡｓコンタクト層を順次成長させるものであ
る。
【００２２】この発明（請求項１４）は、上記可視光Ｌ
ＥＤ装置の製造方法（請求項６）において、上記青色Ｌ
ＥＤ成長工程は、サファイア基板上に青色ＬＥＤのＧａ
Ｎバッファ層，ｎ−ＧａＮコンタクト層，ｎ−ＡｌＧａ
Ｎクラッド層，ｐ−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−ＡｌＧａＮ
クラッド層，及びｐ−ＧａＮコンタクト層を順次成長さ
せるものであり、上記緑色，及び赤色ＬＥＤ成長工程
は、ｐ−ＧａＰ共通基板上に緑色ＬＥＤのｐｎ接合面を
形成するｐ−ＧａＰ層，及びｎ−ＧａＰ層，さらに続い
て該ｎ−ＧａＰ層とともに赤色ＬＥＤのｐｎ接合面を形
成するｐ−ＧａＰ層を連続的に成長させる１つの工程で
行うものである。
ＥＤ装置の製造方法（請求項６）において、上記青色Ｌ
ＥＤ成長工程は、サファイア基板上に青色ＬＥＤのＧａ
Ｎバッファ層，ｎ−ＧａＮコンタクト層，ｎ−ＡｌＧａ
Ｎクラッド層，ｐ−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−ＡｌＧａＮ
クラッド層，及びｐ−ＧａＮコンタクト層を順次成長さ
せるものであり、上記緑色，及び赤色ＬＥＤ成長工程
は、ｐ−ＧａＰ共通基板上に緑色ＬＥＤのｐｎ接合面を
形成するｐ−ＧａＰ層，及びｎ−ＧａＰ層，さらに続い
て該ｎ−ＧａＰ層とともに赤色ＬＥＤのｐｎ接合面を形
成するｐ−ＧａＰ層を連続的に成長させる１つの工程で
行うものである。
【００２３】この発明（請求項１５）は、上記可視光Ｌ
ＥＤ装置の製造方法（請求項７）において、上記青色Ｌ
ＥＤ成長工程は、サファイア基板上に青色ＬＥＤのＧａ
Ｎバッファ層，ｎ−ＧａＮコンタクト層，ｎ−ＡｌＧａ
Ｎクラッド層，ｐ−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−ＡｌＧａＮ
クラッド層，及びｐ−ＧａＮコンタクト層を順次成長さ
せるものであり、上記緑色，及び赤色ＬＥＤ成長工程
は、ｐ−ＧａＰ共通基板上に赤色ＬＥＤのｐｎ接合面を
形成するｐ−ＧａＰ層，及びｎ−ＧａＰ層，さらに続い
て該ｎ−ＧａＰ層とともに緑色ＬＥＤのｐｎ接合面を形
成するｐ−ＧａＰ層を連続的に成長させる１つの工程で
行うものである。
ＥＤ装置の製造方法（請求項７）において、上記青色Ｌ
ＥＤ成長工程は、サファイア基板上に青色ＬＥＤのＧａ
Ｎバッファ層，ｎ−ＧａＮコンタクト層，ｎ−ＡｌＧａ
Ｎクラッド層，ｐ−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−ＡｌＧａＮ
クラッド層，及びｐ−ＧａＮコンタクト層を順次成長さ
せるものであり、上記緑色，及び赤色ＬＥＤ成長工程
は、ｐ−ＧａＰ共通基板上に赤色ＬＥＤのｐｎ接合面を
形成するｐ−ＧａＰ層，及びｎ−ＧａＰ層，さらに続い
て該ｎ−ＧａＰ層とともに緑色ＬＥＤのｐｎ接合面を形
成するｐ−ＧａＰ層を連続的に成長させる１つの工程で
行うものである。
【００２４】この発明（請求項１６）は、上記可視光Ｌ
ＥＤ装置の製造方法（請求項８）において、上記青色Ｌ
ＥＤ成長工程は、サファイア基板上に青色ＬＥＤのＧａ
Ｎバッファ層，ｎ−ＧａＮコンタクト層，ｎ−ＡｌＧａ
Ｎクラッド層，ｐ−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−ＡｌＧａＮ
クラッド層，及びｐ−ＧａＮコンタクト層を順次成長さ
せるものであり、上記緑色，及び赤色ＬＥＤ成長工程
は、ｐ−ＧａＰ共通基板上の第１の電極を形成する領域
を含む領域に選択マスクを形成し、これをマスクにし
て、緑色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成するｐ−ＧａＰ層，
及びｎ−ＧａＰ層を連続的に成長させ、上記ｎ−ＧａＰ
層上の第２の電極を形成する領域を含む領域に選択マス
クを形成し、これをマスクにして、上記ｎ−ＧａＰ層と
ともに、赤色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成するｐ−ＧａＰ
層を成長させる工程であるものである。
ＥＤ装置の製造方法（請求項８）において、上記青色Ｌ
ＥＤ成長工程は、サファイア基板上に青色ＬＥＤのＧａ
Ｎバッファ層，ｎ−ＧａＮコンタクト層，ｎ−ＡｌＧａ
Ｎクラッド層，ｐ−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−ＡｌＧａＮ
クラッド層，及びｐ−ＧａＮコンタクト層を順次成長さ
せるものであり、上記緑色，及び赤色ＬＥＤ成長工程
は、ｐ−ＧａＰ共通基板上の第１の電極を形成する領域
を含む領域に選択マスクを形成し、これをマスクにし
て、緑色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成するｐ−ＧａＰ層，
及びｎ−ＧａＰ層を連続的に成長させ、上記ｎ−ＧａＰ
層上の第２の電極を形成する領域を含む領域に選択マス
クを形成し、これをマスクにして、上記ｎ−ＧａＰ層と
ともに、赤色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成するｐ−ＧａＰ
層を成長させる工程であるものである。
【００２５】この発明（請求項１７）は、上記可視光Ｌ
ＥＤ装置の製造方法（請求項９）において、上記青色Ｌ
ＥＤ成長工程は、サファイア基板上に青色ＬＥＤのＧａ
Ｎバッファ層，ｎ−ＧａＮコンタクト層，ｎ−ＡｌＧａ
Ｎクラッド層，ｐ−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−ＡｌＧａＮ
クラッド層，及びｐ−ＧａＮコンタクト層を順次成長さ
せるものであり、上記緑色，及び赤色ＬＥＤ成長工程
は、ｐ−ＧａＰ共通基板上に先ず，絶縁膜を形成し、
〈１１／１〉方向〔［１１／１］方向を含むこれと等価
な方向〕のラインを含むラインにより形成された開口を
設け、該開口部により上記共通基板をエッチングし、該
エッチングにより削られた領域に上記絶縁膜をマスクと
して、緑色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成するｐ−ＧａＰ
層，及びｎ−ＧａＰ層，さらに続いて該ｎ−ＧａＰ層と
ともに赤色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成するｐ−ＧａＰ層
を連続的に成長させたのち、上記絶縁膜を除去して、上
記各結晶が基板と同一の表面に露出するように形成する
工程であるものである。
ＥＤ装置の製造方法（請求項９）において、上記青色Ｌ
ＥＤ成長工程は、サファイア基板上に青色ＬＥＤのＧａ
Ｎバッファ層，ｎ−ＧａＮコンタクト層，ｎ−ＡｌＧａ
Ｎクラッド層，ｐ−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−ＡｌＧａＮ
クラッド層，及びｐ−ＧａＮコンタクト層を順次成長さ
せるものであり、上記緑色，及び赤色ＬＥＤ成長工程
は、ｐ−ＧａＰ共通基板上に先ず，絶縁膜を形成し、
〈１１／１〉方向〔［１１／１］方向を含むこれと等価
な方向〕のラインを含むラインにより形成された開口を
設け、該開口部により上記共通基板をエッチングし、該
エッチングにより削られた領域に上記絶縁膜をマスクと
して、緑色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成するｐ−ＧａＰ
層，及びｎ−ＧａＰ層，さらに続いて該ｎ−ＧａＰ層と
ともに赤色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成するｐ−ＧａＰ層
を連続的に成長させたのち、上記絶縁膜を除去して、上
記各結晶が基板と同一の表面に露出するように形成する
工程であるものである。
【００２６】この発明（請求項１８）に係る可視光ＬＥ
Ｄ装置は、青色の光を発光する半導体結晶を含む青色Ｌ
ＥＤと、緑色の光を発光する半導体結晶を含む緑色ＬＥ
Ｄと、赤色の光を発光する半導体結晶を含む赤色ＬＥＤ
との３つのＬＥＤがアニールにより直接接着され、一体
化されているものである。
Ｄ装置は、青色の光を発光する半導体結晶を含む青色Ｌ
ＥＤと、緑色の光を発光する半導体結晶を含む緑色ＬＥ
Ｄと、赤色の光を発光する半導体結晶を含む赤色ＬＥＤ
との３つのＬＥＤがアニールにより直接接着され、一体
化されているものである。
【００２７】この発明（請求項１９）に係る可視光ＬＥ
Ｄ装置は、青色の光を発光する半導体結晶を含む青色Ｌ
ＥＤと、緑色の光を発光する半導体結晶，及び赤色の光
を発光する半導体結晶を含む緑色，及び赤色の２色ＬＥ
Ｄとが、アニールにより直接接着され、一体化されてい
るものである。
Ｄ装置は、青色の光を発光する半導体結晶を含む青色Ｌ
ＥＤと、緑色の光を発光する半導体結晶，及び赤色の光
を発光する半導体結晶を含む緑色，及び赤色の２色ＬＥ
Ｄとが、アニールにより直接接着され、一体化されてい
るものである。
【００２８】この発明（請求項２０）は、上記可視光Ｌ
ＥＤ装置（請求項１８）において、上記青色ＬＥＤは、
青色ＬＥＤ用の基板上に第１導電型結晶，及び第２導電
型結晶が順次形成されたものであり、上記緑色ＬＥＤ
は、緑色ＬＥＤ用の第２導電型基板上に第２導電型結
晶，及び第１導電型結晶が順次形成されたものであり、
上記赤色ＬＥＤは、赤色ＬＥＤ用の第２導電型基板上に
第２導電型結晶，及び第１導電型結晶が順次形成された
ものであり、上記青色ＬＥＤの成長表面が上記緑色ＬＥ
Ｄの第２導電型基板に、かつ上記緑色ＬＥＤの成長表面
が上記赤色ＬＥＤの成長表面に直接アニールにより接着
されており、赤色ＬＥＤ用の電極が上記赤色ＬＥＤの第
２導電型基板の表面に形成され、緑色ＬＥＤ，及び赤色
ＬＥＤの共通電極が、上記赤色ＬＥＤの各結晶，及び上
記赤色ＬＥＤ用の第２導電型基板の所望の部分を除去す
ることにより露出した上記緑色ＬＥＤの第１導電型結晶
の領域に形成され、青色ＬＥＤ，及び緑色ＬＥＤの共通
電極が、上記緑色ＬＥＤの各結晶，及び上記緑色ＬＥＤ
用の第２導電型基板の所望の部分を除去することにより
露出した上記青色ＬＥＤの第２導電型結晶の領域に形成
され、青色ＬＥＤ用の電極が、上記青色ＬＥＤの第２導
電型結晶を少なくとも上記青色ＬＥＤの第１導電型結晶
に達する領域まで除去することにより露出した該青色Ｌ
ＥＤの第１導電型結晶の領域に形成されているものであ
る。
ＥＤ装置（請求項１８）において、上記青色ＬＥＤは、
青色ＬＥＤ用の基板上に第１導電型結晶，及び第２導電
型結晶が順次形成されたものであり、上記緑色ＬＥＤ
は、緑色ＬＥＤ用の第２導電型基板上に第２導電型結
晶，及び第１導電型結晶が順次形成されたものであり、
上記赤色ＬＥＤは、赤色ＬＥＤ用の第２導電型基板上に
第２導電型結晶，及び第１導電型結晶が順次形成された
ものであり、上記青色ＬＥＤの成長表面が上記緑色ＬＥ
Ｄの第２導電型基板に、かつ上記緑色ＬＥＤの成長表面
が上記赤色ＬＥＤの成長表面に直接アニールにより接着
されており、赤色ＬＥＤ用の電極が上記赤色ＬＥＤの第
２導電型基板の表面に形成され、緑色ＬＥＤ，及び赤色
ＬＥＤの共通電極が、上記赤色ＬＥＤの各結晶，及び上
記赤色ＬＥＤ用の第２導電型基板の所望の部分を除去す
ることにより露出した上記緑色ＬＥＤの第１導電型結晶
の領域に形成され、青色ＬＥＤ，及び緑色ＬＥＤの共通
電極が、上記緑色ＬＥＤの各結晶，及び上記緑色ＬＥＤ
用の第２導電型基板の所望の部分を除去することにより
露出した上記青色ＬＥＤの第２導電型結晶の領域に形成
され、青色ＬＥＤ用の電極が、上記青色ＬＥＤの第２導
電型結晶を少なくとも上記青色ＬＥＤの第１導電型結晶
に達する領域まで除去することにより露出した該青色Ｌ
ＥＤの第１導電型結晶の領域に形成されているものであ
る。
【００２９】この発明（請求項２１）は、上記可視光Ｌ
ＥＤ装置（請求項１８）において、上記青色ＬＥＤは、
青色ＬＥＤ用の基板上に第１導電型結晶，及び第２導電
型結晶が順次形成されたものであり、上記緑色ＬＥＤ
は、緑色ＬＥＤ用の第２導電型基板上に第２導電型結
晶，及び第１導電型結晶が順次形成されたものであり、
上記赤色ＬＥＤは、赤色ＬＥＤ用の第２導電型基板上に
第２導電型結晶，及び第１導電型結晶が順次形成された
ものであり、上記青色ＬＥＤの成長表面が上記緑色ＬＥ
Ｄの第２導電型基板に、かつ上記緑色ＬＥＤの成長表面
が上記赤色ＬＥＤの成長表面に直接アニールにより接着
されており、赤色ＬＥＤ用の電極が上記赤色ＬＥＤの第
２導電型基板を除去することにより露出した上記赤色Ｌ
ＥＤの第２導電型結晶の表面に形成され、緑色ＬＥＤ，
及び赤色ＬＥＤの共通電極が、上記赤色ＬＥＤの各結晶
の所望の部分を除去することにより露出した上記緑色Ｌ
ＥＤの第１導電型結晶の領域に形成され、青色ＬＥＤ，
及び緑色ＬＥＤの共通電極が、上記緑色ＬＥＤの各結
晶，及び上記緑色ＬＥＤ用の第２導電型基板の所望の部
分を除去することにより露出した青色ＬＥＤの第２導電
型結晶の領域に形成され、青色ＬＥＤ用の電極が、上記
青色ＬＥＤの第２導電型結晶を少なくとも上記青色ＬＥ
Ｄの第１導電型結晶に達する領域まで除去することによ
り露出した該青色ＬＥＤの第１導電型結晶の領域に形成
されているものである。
ＥＤ装置（請求項１８）において、上記青色ＬＥＤは、
青色ＬＥＤ用の基板上に第１導電型結晶，及び第２導電
型結晶が順次形成されたものであり、上記緑色ＬＥＤ
は、緑色ＬＥＤ用の第２導電型基板上に第２導電型結
晶，及び第１導電型結晶が順次形成されたものであり、
上記赤色ＬＥＤは、赤色ＬＥＤ用の第２導電型基板上に
第２導電型結晶，及び第１導電型結晶が順次形成された
ものであり、上記青色ＬＥＤの成長表面が上記緑色ＬＥ
Ｄの第２導電型基板に、かつ上記緑色ＬＥＤの成長表面
が上記赤色ＬＥＤの成長表面に直接アニールにより接着
されており、赤色ＬＥＤ用の電極が上記赤色ＬＥＤの第
２導電型基板を除去することにより露出した上記赤色Ｌ
ＥＤの第２導電型結晶の表面に形成され、緑色ＬＥＤ，
及び赤色ＬＥＤの共通電極が、上記赤色ＬＥＤの各結晶
の所望の部分を除去することにより露出した上記緑色Ｌ
ＥＤの第１導電型結晶の領域に形成され、青色ＬＥＤ，
及び緑色ＬＥＤの共通電極が、上記緑色ＬＥＤの各結
晶，及び上記緑色ＬＥＤ用の第２導電型基板の所望の部
分を除去することにより露出した青色ＬＥＤの第２導電
型結晶の領域に形成され、青色ＬＥＤ用の電極が、上記
青色ＬＥＤの第２導電型結晶を少なくとも上記青色ＬＥ
Ｄの第１導電型結晶に達する領域まで除去することによ
り露出した該青色ＬＥＤの第１導電型結晶の領域に形成
されているものである。
【００３０】この発明（請求項２２）は、上記可視光Ｌ
ＥＤ装置（請求項１９）において、上記青色ＬＥＤは、
青色ＬＥＤ用の基板上に第１導電型結晶，及び第２導電
型結晶が順次形成されたものであり、上記緑色ＬＥＤ
は、緑色ＬＥＤ用の第１導電型基板上に第１導電型結
晶，及び第２導電型結晶が順次形成されたものであり、
上記赤色ＬＥＤは、赤色ＬＥＤ用の第２導電型基板上に
第２導電型結晶，及び第１導電型結晶が順次形成された
ものであり、上記青色ＬＥＤの成長表面が上記緑色ＬＥ
Ｄの成長表面に直接アニールにより接着され、かつ上記
緑色ＬＥＤ用の第１導電型基板が除去されて露出した上
記緑色ＬＥＤの第１導電型結晶が上記赤色ＬＥＤの成長
表面に直接アニールにより接着されており、赤色ＬＥＤ
用の電極が上記赤色ＬＥＤの第２導電型基板を除去する
ことにより露出した上記赤色ＬＥＤの第２導電型結晶の
表面に形成され、緑色ＬＥＤ，及び赤色ＬＥＤの共通電
極が、上記赤色ＬＥＤの各結晶の所望の部分を除去する
ことにより露出した上記緑色ＬＥＤの第１導電型結晶の
領域に形成され、青色ＬＥＤ，及び緑色ＬＥＤの共通電
極が、上記緑色ＬＥＤの各結晶の所望の部分を除去する
ことにより露出した上記青色ＬＥＤの第２導電型結晶の
領域に形成され、青色ＬＥＤ用の電極が、上記青色ＬＥ
Ｄの第２導電型結晶を少なくとも上記青色ＬＥＤの第１
導電型結晶に達する領域まで除去することにより露出し
た該青色ＬＥＤの第１導電型結晶の領域に形成されてい
るものである。
ＥＤ装置（請求項１９）において、上記青色ＬＥＤは、
青色ＬＥＤ用の基板上に第１導電型結晶，及び第２導電
型結晶が順次形成されたものであり、上記緑色ＬＥＤ
は、緑色ＬＥＤ用の第１導電型基板上に第１導電型結
晶，及び第２導電型結晶が順次形成されたものであり、
上記赤色ＬＥＤは、赤色ＬＥＤ用の第２導電型基板上に
第２導電型結晶，及び第１導電型結晶が順次形成された
ものであり、上記青色ＬＥＤの成長表面が上記緑色ＬＥ
Ｄの成長表面に直接アニールにより接着され、かつ上記
緑色ＬＥＤ用の第１導電型基板が除去されて露出した上
記緑色ＬＥＤの第１導電型結晶が上記赤色ＬＥＤの成長
表面に直接アニールにより接着されており、赤色ＬＥＤ
用の電極が上記赤色ＬＥＤの第２導電型基板を除去する
ことにより露出した上記赤色ＬＥＤの第２導電型結晶の
表面に形成され、緑色ＬＥＤ，及び赤色ＬＥＤの共通電
極が、上記赤色ＬＥＤの各結晶の所望の部分を除去する
ことにより露出した上記緑色ＬＥＤの第１導電型結晶の
領域に形成され、青色ＬＥＤ，及び緑色ＬＥＤの共通電
極が、上記緑色ＬＥＤの各結晶の所望の部分を除去する
ことにより露出した上記青色ＬＥＤの第２導電型結晶の
領域に形成され、青色ＬＥＤ用の電極が、上記青色ＬＥ
Ｄの第２導電型結晶を少なくとも上記青色ＬＥＤの第１
導電型結晶に達する領域まで除去することにより露出し
た該青色ＬＥＤの第１導電型結晶の領域に形成されてい
るものである。
【００３１】この発明（請求項２３）は、上記可視光Ｌ
ＥＤ装置（請求項１９）において、上記青色ＬＥＤは、
青色ＬＥＤ用の基板上に第１導電型結晶，及び第２導電
型結晶が順次形成されたものであり、上記緑色，及び赤
色ＬＥＤは、緑色，及び赤色ＬＥＤ用の共通の第２導電
型基板上に緑色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成する第２導電
型結晶，及び第１導電型結晶，さらに続いて該第１導電
型結晶とともに、赤色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成する第
２導電型結晶が順次形成されたものであり、上記青色Ｌ
ＥＤの成長表面が上記緑色，及び赤色ＬＥＤの共通の第
２導電型基板に直接アニールにより接着されており、赤
色ＬＥＤ用の電極が赤色ＬＥＤの第２導電型結晶の表面
に形成され、緑色ＬＥＤ，及び赤色ＬＥＤの共通電極
が、上記赤色ＬＥＤの第２導電型結晶の所望の部分を除
去することにより露出した上記緑色，及び赤色ＬＥＤ共
通の第１導電型結晶の領域に形成され、青色ＬＥＤ，及
び緑色ＬＥＤの共通電極が、上記緑色，及び赤色ＬＥＤ
共通の第１導電型結晶の所望の部分を除去することによ
り露出した上記緑色ＬＥＤの第２導電型結晶の領域に形
成され、青色ＬＥＤ用の電極が、上記緑色ＬＥＤの第２
導電型結晶，上記緑色ＬＥＤの第２導電型基板，及び上
記青色ＬＥＤの第２導電型結晶を、少なくとも上記青色
ＬＥＤの第１導電型結晶に達する領域まで除去すること
により露出した該青色ＬＥＤの第１導電型結晶の領域に
形成されているものである。
ＥＤ装置（請求項１９）において、上記青色ＬＥＤは、
青色ＬＥＤ用の基板上に第１導電型結晶，及び第２導電
型結晶が順次形成されたものであり、上記緑色，及び赤
色ＬＥＤは、緑色，及び赤色ＬＥＤ用の共通の第２導電
型基板上に緑色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成する第２導電
型結晶，及び第１導電型結晶，さらに続いて該第１導電
型結晶とともに、赤色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成する第
２導電型結晶が順次形成されたものであり、上記青色Ｌ
ＥＤの成長表面が上記緑色，及び赤色ＬＥＤの共通の第
２導電型基板に直接アニールにより接着されており、赤
色ＬＥＤ用の電極が赤色ＬＥＤの第２導電型結晶の表面
に形成され、緑色ＬＥＤ，及び赤色ＬＥＤの共通電極
が、上記赤色ＬＥＤの第２導電型結晶の所望の部分を除
去することにより露出した上記緑色，及び赤色ＬＥＤ共
通の第１導電型結晶の領域に形成され、青色ＬＥＤ，及
び緑色ＬＥＤの共通電極が、上記緑色，及び赤色ＬＥＤ
共通の第１導電型結晶の所望の部分を除去することによ
り露出した上記緑色ＬＥＤの第２導電型結晶の領域に形
成され、青色ＬＥＤ用の電極が、上記緑色ＬＥＤの第２
導電型結晶，上記緑色ＬＥＤの第２導電型基板，及び上
記青色ＬＥＤの第２導電型結晶を、少なくとも上記青色
ＬＥＤの第１導電型結晶に達する領域まで除去すること
により露出した該青色ＬＥＤの第１導電型結晶の領域に
形成されているものである。
【００３２】この発明（請求項２４）は、上記可視光Ｌ
ＥＤ装置（請求項１９）において、上記青色ＬＥＤは、
青色ＬＥＤ用の基板上に第１導電型結晶，及び第２導電
型結晶が順次形成されたものであり、上記緑色，及び赤
色ＬＥＤは、緑色，及び赤色ＬＥＤ用の共通の第２導電
型基板上に赤色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成する第２導電
型結晶，及び第１導電型結晶，さらに続いて該第１導電
型結晶とともに、緑色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成する第
２導電型結晶が順次形成されたものであり、上記青色Ｌ
ＥＤの成長表面が上記緑色，及び赤色ＬＥＤの成長表面
に直接アニールにより接着されており、赤色ＬＥＤ用の
電極が上記緑色，及び赤色ＬＥＤの共通基板を除去する
ことにより露出した上記赤色ＬＥＤの第２導電型結晶の
表面に形成され、緑色ＬＥＤ，及び赤色ＬＥＤの共通電
極が、上記赤色ＬＥＤの第２導電型結晶の所望の部分を
除去することにより露出した上記緑色，及び赤色ＬＥＤ
共通の第１導電型結晶の領域に形成され、青色ＬＥＤ，
及び緑色ＬＥＤの共通電極が、上記緑色，及び赤色ＬＥ
Ｄ共通の第１導電型結晶の所望の部分を除去することに
より露出した上記緑色ＬＥＤの第２導電型結晶の領域に
形成され、青色ＬＥＤ用の電極が、上記緑色ＬＥＤの第
２導電型結晶，及び上記青色ＬＥＤの第２導電型結晶の
一部の領域を、少なくとも上記青色ＬＥＤの第１導電型
結晶に達する領域まで除去することにより露出した該青
色ＬＥＤの第１導電型結晶の領域に形成されているもの
である。
ＥＤ装置（請求項１９）において、上記青色ＬＥＤは、
青色ＬＥＤ用の基板上に第１導電型結晶，及び第２導電
型結晶が順次形成されたものであり、上記緑色，及び赤
色ＬＥＤは、緑色，及び赤色ＬＥＤ用の共通の第２導電
型基板上に赤色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成する第２導電
型結晶，及び第１導電型結晶，さらに続いて該第１導電
型結晶とともに、緑色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成する第
２導電型結晶が順次形成されたものであり、上記青色Ｌ
ＥＤの成長表面が上記緑色，及び赤色ＬＥＤの成長表面
に直接アニールにより接着されており、赤色ＬＥＤ用の
電極が上記緑色，及び赤色ＬＥＤの共通基板を除去する
ことにより露出した上記赤色ＬＥＤの第２導電型結晶の
表面に形成され、緑色ＬＥＤ，及び赤色ＬＥＤの共通電
極が、上記赤色ＬＥＤの第２導電型結晶の所望の部分を
除去することにより露出した上記緑色，及び赤色ＬＥＤ
共通の第１導電型結晶の領域に形成され、青色ＬＥＤ，
及び緑色ＬＥＤの共通電極が、上記緑色，及び赤色ＬＥ
Ｄ共通の第１導電型結晶の所望の部分を除去することに
より露出した上記緑色ＬＥＤの第２導電型結晶の領域に
形成され、青色ＬＥＤ用の電極が、上記緑色ＬＥＤの第
２導電型結晶，及び上記青色ＬＥＤの第２導電型結晶の
一部の領域を、少なくとも上記青色ＬＥＤの第１導電型
結晶に達する領域まで除去することにより露出した該青
色ＬＥＤの第１導電型結晶の領域に形成されているもの
である。
【００３３】この発明（請求項２５）は、上記可視光Ｌ
ＥＤ装置（請求項１９）において、上記青色ＬＥＤは、
青色ＬＥＤ用の基板上に第１導電型結晶，及び第２導電
型結晶が順次形成されたものであり、上記緑色，及び赤
色ＬＥＤは、緑色，及び赤色ＬＥＤ用の共通の第２導電
型基板上の第１の領域に、緑色ＬＥＤのｐｎ接合面を形
成する第２導電型結晶，及び第１導電型結晶が形成さ
れ、さらに該第１導電型結晶ととともに赤色ＬＥＤのｐ
ｎ接合面を形成する第２導電型結晶が上記第１導電型結
晶上の第２の領域に形成されたものであり、上記青色Ｌ
ＥＤの成長表面が上記緑色，及び赤色ＬＥＤの共通基板
に直接アニールにより接着されており、赤色ＬＥＤ用の
電極が、赤色ＬＥＤの第２導電型結晶の表面に形成さ
れ、緑色ＬＥＤ，及び赤色ＬＥＤの共通電極が、上記緑
色，及び赤色ＬＥＤの第１導電型結晶上の上記第２の領
域を除く領域に形成され、青色ＬＥＤ，及び緑色ＬＥＤ
の共通電極が、上記緑色，及び赤色ＬＥＤの共通の第２
導電型基板上の上記第１の領域を除く領域に形成され、
青色ＬＥＤ用の電極が、上記青色ＬＥＤの第２導電型結
晶の一部を少なくとも上記青色ＬＥＤの第１導電型結晶
に達するまで除去することにより露出した該青色ＬＥＤ
の第１導電型結晶の領域に形成されているものである。
ＥＤ装置（請求項１９）において、上記青色ＬＥＤは、
青色ＬＥＤ用の基板上に第１導電型結晶，及び第２導電
型結晶が順次形成されたものであり、上記緑色，及び赤
色ＬＥＤは、緑色，及び赤色ＬＥＤ用の共通の第２導電
型基板上の第１の領域に、緑色ＬＥＤのｐｎ接合面を形
成する第２導電型結晶，及び第１導電型結晶が形成さ
れ、さらに該第１導電型結晶ととともに赤色ＬＥＤのｐ
ｎ接合面を形成する第２導電型結晶が上記第１導電型結
晶上の第２の領域に形成されたものであり、上記青色Ｌ
ＥＤの成長表面が上記緑色，及び赤色ＬＥＤの共通基板
に直接アニールにより接着されており、赤色ＬＥＤ用の
電極が、赤色ＬＥＤの第２導電型結晶の表面に形成さ
れ、緑色ＬＥＤ，及び赤色ＬＥＤの共通電極が、上記緑
色，及び赤色ＬＥＤの第１導電型結晶上の上記第２の領
域を除く領域に形成され、青色ＬＥＤ，及び緑色ＬＥＤ
の共通電極が、上記緑色，及び赤色ＬＥＤの共通の第２
導電型基板上の上記第１の領域を除く領域に形成され、
青色ＬＥＤ用の電極が、上記青色ＬＥＤの第２導電型結
晶の一部を少なくとも上記青色ＬＥＤの第１導電型結晶
に達するまで除去することにより露出した該青色ＬＥＤ
の第１導電型結晶の領域に形成されているものである。
【００３４】この発明（請求項２６）は、上記可視光Ｌ
ＥＤ装置（請求項１９）において、上記青色ＬＥＤは、
青色ＬＥＤ用の基板上に第１導電型結晶，及び第２導電
型結晶が順次形成されたものであり、上記緑色，及び赤
色ＬＥＤは、少なくとも１つの内壁面の表面が上方に向
かって拡がった形状の凹部をその表面に有する，緑色，
及び赤色ＬＥＤの第２導電型の共通基板の該凹部内に、
緑色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成する第２導電型結晶，及
び第１導電型結晶，さらに続いて該第１導電型結晶とと
もに、赤色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成する第２導電型結
晶が、上記緑色ＬＥＤの第２導電型結晶と上記緑色，及
び赤色ＬＥＤの第１導電型結晶とが上記凹部の内壁面の
上方で上記赤色ＬＥＤの第２導電型結晶の上面と同一表
面に露出して、上記３つの結晶表面が平坦になるように
形成されており、上記青色ＬＥＤの成長表面が上記緑
色，及び赤色ＬＥＤの共通基板に直接アニールにより接
着されており、赤色ＬＥＤ用の電極が、上記赤色ＬＥＤ
の第２導電型結晶の表面に形成され、 緑色ＬＥＤ，及
び赤色ＬＥＤの共通電極が、上記緑色，及び赤色ＬＥＤ
の第１導電型結晶が露出した表面の領域に形成され、青
色ＬＥＤ，及び緑色ＬＥＤの共通電極が、上記緑色ＬＥ
Ｄの第２導電型結晶が露出した表面の領域に形成され、
青色ＬＥＤ用の電極が、上記青色ＬＥＤの第２導電型結
晶の一部を少なくとも上記青色ＬＥＤの第１導電型結晶
に達するまで除去することにより露出した該青色ＬＥＤ
の第１導電型結晶の領域に形成されているものである。
ＥＤ装置（請求項１９）において、上記青色ＬＥＤは、
青色ＬＥＤ用の基板上に第１導電型結晶，及び第２導電
型結晶が順次形成されたものであり、上記緑色，及び赤
色ＬＥＤは、少なくとも１つの内壁面の表面が上方に向
かって拡がった形状の凹部をその表面に有する，緑色，
及び赤色ＬＥＤの第２導電型の共通基板の該凹部内に、
緑色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成する第２導電型結晶，及
び第１導電型結晶，さらに続いて該第１導電型結晶とと
もに、赤色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成する第２導電型結
晶が、上記緑色ＬＥＤの第２導電型結晶と上記緑色，及
び赤色ＬＥＤの第１導電型結晶とが上記凹部の内壁面の
上方で上記赤色ＬＥＤの第２導電型結晶の上面と同一表
面に露出して、上記３つの結晶表面が平坦になるように
形成されており、上記青色ＬＥＤの成長表面が上記緑
色，及び赤色ＬＥＤの共通基板に直接アニールにより接
着されており、赤色ＬＥＤ用の電極が、上記赤色ＬＥＤ
の第２導電型結晶の表面に形成され、 緑色ＬＥＤ，及
び赤色ＬＥＤの共通電極が、上記緑色，及び赤色ＬＥＤ
の第１導電型結晶が露出した表面の領域に形成され、青
色ＬＥＤ，及び緑色ＬＥＤの共通電極が、上記緑色ＬＥ
Ｄの第２導電型結晶が露出した表面の領域に形成され、
青色ＬＥＤ用の電極が、上記青色ＬＥＤの第２導電型結
晶の一部を少なくとも上記青色ＬＥＤの第１導電型結晶
に達するまで除去することにより露出した該青色ＬＥＤ
の第１導電型結晶の領域に形成されているものである。
【００３５】この発明（請求項２７）は、上記可視光Ｌ
ＥＤ装置において、上記それぞれのＬＥＤを、アニール
により直接接着する各面の少なくとも一方にＩｎを含む
化合物半導体膜が形成されているものである。
ＥＤ装置において、上記それぞれのＬＥＤを、アニール
により直接接着する各面の少なくとも一方にＩｎを含む
化合物半導体膜が形成されているものである。
【００３６】この発明（請求項２８）は、上記可視光Ｌ
ＥＤ装置（請求項２０）において、上記青色ＬＥＤは、
サファイア基板上に青色ＬＥＤのＧａＮバッファ層，ｎ
−ＧａＮコンタクト層，ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層，ｐ
−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層，及び
ｐ−ＧａＮコンタクト層が順次形成されたものであり、
上記緑色ＬＥＤは、ｐ−ＧａＰ基板上に緑色ＬＥＤのｐ
−ＧａＰ層，及びｎ−ＧａＰ層が順次形成されたもので
あり、上記赤色ＬＥＤは、ｐ−ＧａＡｓ基板上に赤色Ｌ
ＥＤのｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド層，ｐ−ＧａＡｌＡｓ
活性層，ｎ−ＧａＡｌクラッド層，及びｎ−ＧａＡｌＡ
ｓコンタクト層が順次形成されたものである。
ＥＤ装置（請求項２０）において、上記青色ＬＥＤは、
サファイア基板上に青色ＬＥＤのＧａＮバッファ層，ｎ
−ＧａＮコンタクト層，ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層，ｐ
−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層，及び
ｐ−ＧａＮコンタクト層が順次形成されたものであり、
上記緑色ＬＥＤは、ｐ−ＧａＰ基板上に緑色ＬＥＤのｐ
−ＧａＰ層，及びｎ−ＧａＰ層が順次形成されたもので
あり、上記赤色ＬＥＤは、ｐ−ＧａＡｓ基板上に赤色Ｌ
ＥＤのｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド層，ｐ−ＧａＡｌＡｓ
活性層，ｎ−ＧａＡｌクラッド層，及びｎ−ＧａＡｌＡ
ｓコンタクト層が順次形成されたものである。
【００３７】この発明（請求項２９）は、上記可視光Ｌ
ＥＤ装置（請求項２１）において、上記青色ＬＥＤは、
サファイア基板上に青色ＬＥＤのＧａＮバッファ層，ｎ
−ＧａＮコンタクト層，ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層，ｐ
−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層，及び
ｐ−ＧａＮコンタクト層が順次形成されたものであり、
上記緑色ＬＥＤは、ｐ−ＧａＰ基板上に緑色ＬＥＤのｐ
−ＧａＰ層，及びｎ−ＧａＰ層が順次形成されたもので
あり、上記赤色ＬＥＤは、ｐ−ＧａＡｓ基板上に赤色Ｌ
ＥＤのｐ−ＧａＡｌＡｓバッファ層，ｐ−ＧａＡｌＡｓ
クラッド層，ｐ−ＧａＡｌＡｓ活性層，ｎ−ＧａＡｌク
ラッド層，及びｎ−ＧａＡｌＡｓコンタクト層が順次形
成されたものである。
ＥＤ装置（請求項２１）において、上記青色ＬＥＤは、
サファイア基板上に青色ＬＥＤのＧａＮバッファ層，ｎ
−ＧａＮコンタクト層，ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層，ｐ
−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層，及び
ｐ−ＧａＮコンタクト層が順次形成されたものであり、
上記緑色ＬＥＤは、ｐ−ＧａＰ基板上に緑色ＬＥＤのｐ
−ＧａＰ層，及びｎ−ＧａＰ層が順次形成されたもので
あり、上記赤色ＬＥＤは、ｐ−ＧａＡｓ基板上に赤色Ｌ
ＥＤのｐ−ＧａＡｌＡｓバッファ層，ｐ−ＧａＡｌＡｓ
クラッド層，ｐ−ＧａＡｌＡｓ活性層，ｎ−ＧａＡｌク
ラッド層，及びｎ−ＧａＡｌＡｓコンタクト層が順次形
成されたものである。
【００３８】この発明（請求項３０）は、上記可視光Ｌ
ＥＤ装置（請求項２２）において、上記青色ＬＥＤは、
サファイア基板上に青色ＬＥＤのＧａＮバッファ層，ｎ
−ＧａＮコンタクト層，ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層，ｐ
−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層，及び
ｐ−ＧａＮコンタクト層が順次形成されたものであり、
上記緑色ＬＥＤは、ｎ−ＧａＰ基板上に緑色ＬＥＤのｎ
−ＧａＰ層，及びｐ−ＧａＰ層が順次形成されたもので
あり、上記赤色ＬＥＤは、ｐ−ＧａＡｓ基板上に赤色Ｌ
ＥＤのｐ−ＧａＡｌＡｓバッファ層，ｐ−ＧａＡｌＡｓ
クラッド層，ｐ−ＧａＡｌＡｓ活性層，ｎ−ＧａＡｌク
ラッド層，及びｎ−ＧａＡｌＡｓコンタクト層が順次形
成されたものである。
ＥＤ装置（請求項２２）において、上記青色ＬＥＤは、
サファイア基板上に青色ＬＥＤのＧａＮバッファ層，ｎ
−ＧａＮコンタクト層，ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層，ｐ
−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層，及び
ｐ−ＧａＮコンタクト層が順次形成されたものであり、
上記緑色ＬＥＤは、ｎ−ＧａＰ基板上に緑色ＬＥＤのｎ
−ＧａＰ層，及びｐ−ＧａＰ層が順次形成されたもので
あり、上記赤色ＬＥＤは、ｐ−ＧａＡｓ基板上に赤色Ｌ
ＥＤのｐ−ＧａＡｌＡｓバッファ層，ｐ−ＧａＡｌＡｓ
クラッド層，ｐ−ＧａＡｌＡｓ活性層，ｎ−ＧａＡｌク
ラッド層，及びｎ−ＧａＡｌＡｓコンタクト層が順次形
成されたものである。
【００３９】この発明（請求項３１）は、上記可視光Ｌ
ＥＤ装置（請求項２３）において、上記青色ＬＥＤは、
サファイア基板上に青色ＬＥＤのＧａＮバッファ層，ｎ
−ＧａＮコンタクト層，ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層，ｐ
−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層，及び
ｐ−ＧａＮコンタクト層が順次形成されたものであり、
上記緑色，及び赤色ＬＥＤは、ｐ−ＧａＰ共通基板上に
緑色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成するｐ−ＧａＰ層，及び
ｎ−ＧａＰ層，さらに続いて該ｎ−ＧａＰ層とともに赤
色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成するｐ−ＧａＰ層が順次形
成されたものである。
ＥＤ装置（請求項２３）において、上記青色ＬＥＤは、
サファイア基板上に青色ＬＥＤのＧａＮバッファ層，ｎ
−ＧａＮコンタクト層，ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層，ｐ
−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層，及び
ｐ−ＧａＮコンタクト層が順次形成されたものであり、
上記緑色，及び赤色ＬＥＤは、ｐ−ＧａＰ共通基板上に
緑色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成するｐ−ＧａＰ層，及び
ｎ−ＧａＰ層，さらに続いて該ｎ−ＧａＰ層とともに赤
色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成するｐ−ＧａＰ層が順次形
成されたものである。
【００４０】この発明（請求項３２）は、上記可視光Ｌ
ＥＤ装置（請求項２４）において、上記青色ＬＥＤは、
サファイア基板上に青色ＬＥＤのＧａＮバッファ層，ｎ
−ＧａＮコンタクト層，ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層，ｐ
−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層，及び
ｐ−ＧａＮコンタクト層が順次形成されたものであり、
上記緑色，及び赤色ＬＥＤは、ｐ−ＧａＰ共通基板上に
赤色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成するｐ−ＧａＰ層，及び
ｎ−ＧａＰ層，さらに続いて該ｎ−ＧａＰ層とともに緑
色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成するｐ−ＧａＰ層が順次形
成されたものである。
ＥＤ装置（請求項２４）において、上記青色ＬＥＤは、
サファイア基板上に青色ＬＥＤのＧａＮバッファ層，ｎ
−ＧａＮコンタクト層，ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層，ｐ
−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層，及び
ｐ−ＧａＮコンタクト層が順次形成されたものであり、
上記緑色，及び赤色ＬＥＤは、ｐ−ＧａＰ共通基板上に
赤色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成するｐ−ＧａＰ層，及び
ｎ−ＧａＰ層，さらに続いて該ｎ−ＧａＰ層とともに緑
色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成するｐ−ＧａＰ層が順次形
成されたものである。
【００４１】この発明（請求項３３）は、上記可視光Ｌ
ＥＤ装置（請求項２５）において、上記青色ＬＥＤは、
サファイア基板上に青色ＬＥＤのＧａＮバッファ層，ｎ
−ＧａＮコンタクト層，ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層，ｐ
−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層，及び
ｐ−ＧａＮコンタクト層が順次形成されたものであり、
上記緑色，及び赤色ＬＥＤは、ｐ−ＧａＰ共通基板上の
第１の領域に、緑色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成するｐ−
ＧａＰ層，及びｎ−ＧａＰ層が形成され、さらに該ｎ−
ＧａＰ層ととともに赤色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成する
ｐ−ＧａＰ層が上記ｎ−ＧａＰ層上の第２の領域に形成
されたものである。
ＥＤ装置（請求項２５）において、上記青色ＬＥＤは、
サファイア基板上に青色ＬＥＤのＧａＮバッファ層，ｎ
−ＧａＮコンタクト層，ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層，ｐ
−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層，及び
ｐ−ＧａＮコンタクト層が順次形成されたものであり、
上記緑色，及び赤色ＬＥＤは、ｐ−ＧａＰ共通基板上の
第１の領域に、緑色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成するｐ−
ＧａＰ層，及びｎ−ＧａＰ層が形成され、さらに該ｎ−
ＧａＰ層ととともに赤色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成する
ｐ−ＧａＰ層が上記ｎ−ＧａＰ層上の第２の領域に形成
されたものである。
【００４２】この発明（請求項３４）は、上記可視光Ｌ
ＥＤ装置（請求項２６）において、上記青色ＬＥＤは、
サファイア基板上に青色ＬＥＤのＧａＮバッファ層，ｎ
−ＧａＮコンタクト層，ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層，ｐ
−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層，及び
ｐ−ＧａＮコンタクト層が順次形成されたものであり、
上記緑色，及び赤色ＬＥＤは、少なくとも１つの内壁面
の表面が上方に向かって拡がった形状の凹部をその表面
に有する，ｐ−ＧａＰ共通基板の該凹部内に、緑色ＬＥ
Ｄのｐｎ接合面を形成するｐ−ＧａＰ層，及びｎ−Ｇａ
Ｐ層，さらに続いて該ｎ−ＧａＰ層とともに、赤色ＬＥ
Ｄのｐｎ接合面を形成するｐ−ＧａＰ層が、上記緑色Ｌ
ＥＤのｐ−ＧａＰ層と上記緑色，及び赤色ＬＥＤのｎ−
ＧａＰ層とが上記凹部の内壁面の上方で上記赤色ＬＥＤ
のｐ−ＧａＰ層の上面と同一表面に露出して、上記３つ
の結晶表面が平坦になるように形成されているものであ
る。
ＥＤ装置（請求項２６）において、上記青色ＬＥＤは、
サファイア基板上に青色ＬＥＤのＧａＮバッファ層，ｎ
−ＧａＮコンタクト層，ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層，ｐ
−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層，及び
ｐ−ＧａＮコンタクト層が順次形成されたものであり、
上記緑色，及び赤色ＬＥＤは、少なくとも１つの内壁面
の表面が上方に向かって拡がった形状の凹部をその表面
に有する，ｐ−ＧａＰ共通基板の該凹部内に、緑色ＬＥ
Ｄのｐｎ接合面を形成するｐ−ＧａＰ層，及びｎ−Ｇａ
Ｐ層，さらに続いて該ｎ−ＧａＰ層とともに、赤色ＬＥ
Ｄのｐｎ接合面を形成するｐ−ＧａＰ層が、上記緑色Ｌ
ＥＤのｐ−ＧａＰ層と上記緑色，及び赤色ＬＥＤのｎ−
ＧａＰ層とが上記凹部の内壁面の上方で上記赤色ＬＥＤ
のｐ−ＧａＰ層の上面と同一表面に露出して、上記３つ
の結晶表面が平坦になるように形成されているものであ
る。
【００４３】
実施の形態１． 構成１.本実施の形態１における可視光ＬＥＤ装置は、
青色の光を発光する半導体結晶を含む青色ＬＥＤ（３０
０）と、緑色の光を発光する半導体結晶を含む緑色ＬＥ
Ｄ（２００, ２１１）と、赤色の光を発光する半導体結
晶を含む赤色ＬＥＤ（１００, １１１）との３つのＬＥ
Ｄがアニールにより直接接着され、一体化されているの
で、同一箇所に３色の光を任意の強度で発光させること
ができる。
青色の光を発光する半導体結晶を含む青色ＬＥＤ（３０
０）と、緑色の光を発光する半導体結晶を含む緑色ＬＥ
Ｄ（２００, ２１１）と、赤色の光を発光する半導体結
晶を含む赤色ＬＥＤ（１００, １１１）との３つのＬＥ
Ｄがアニールにより直接接着され、一体化されているの
で、同一箇所に３色の光を任意の強度で発光させること
ができる。
【００４４】構成２.本実施の形態１における可視光Ｌ
ＥＤ装置の製造方法は、青色の光を発光するＬＥＤの結
晶（２１〜２６）を成長させる青色ＬＥＤ成長工程と、
緑色の光を発光するＬＥＤの結晶（１１, １２）を成長
させる緑色ＬＥＤ成長工程と、赤色の光を発光するＬＥ
Ｄの結晶（２〜５）を成長させる赤色ＬＥＤ成長工程
と、上記成長された３つのＬＥＤをアニールにより直接
接着し、一体とする工程とを含むもので、同一箇所に３
色の光を任意の強度で発光させることができる可視光Ｌ
ＥＤ装置を得ることができる。
ＥＤ装置の製造方法は、青色の光を発光するＬＥＤの結
晶（２１〜２６）を成長させる青色ＬＥＤ成長工程と、
緑色の光を発光するＬＥＤの結晶（１１, １２）を成長
させる緑色ＬＥＤ成長工程と、赤色の光を発光するＬＥ
Ｄの結晶（２〜５）を成長させる赤色ＬＥＤ成長工程
と、上記成長された３つのＬＥＤをアニールにより直接
接着し、一体とする工程とを含むもので、同一箇所に３
色の光を任意の強度で発光させることができる可視光Ｌ
ＥＤ装置を得ることができる。
【００４５】構成３.本実施の形態１における可視光Ｌ
ＥＤ装置の製造方法は、図１に示すように、上記青色Ｌ
ＥＤ成長工程は、青色ＬＥＤ用の基板２０上に第１導電
型結晶（２２, ２３），及び第２導電型結晶（２４〜２
６）を順次成長させるものであり、上記緑色ＬＥＤ成長
工程は、緑色ＬＥＤ用の第２導電型基板（１０）上に第
２導電型結晶（１１），及び第１導電型結晶（１２）を
順次成長させるものであり、上記赤色ＬＥＤ成長工程
は、赤色ＬＥＤ用の第２導電型基板（１）上に第２導電
型結晶（２, ３），及び第１導電型結晶（４, ５）を順
次成長させるものであり、上記一体とする工程は、上記
成長した青色ＬＥＤの結晶の成長表面と上記緑色ＬＥＤ
用の基板（１０）とを，及び上記緑色ＬＥＤの結晶の成
長表面と上記成長した赤色ＬＥＤの結晶の成長表面とを
アニールにより直接接着するものであり、さらに上記接
着後、上記赤色ＬＥＤ，緑色ＬＥＤ，及び青色ＬＥＤの
所望の領域をエッチングすることにより、露出したそれ
ぞれの面に上記３つのＬＥＤ用の電極（５３, ５３, ５
４）を形成するための段差を設ける工程と、上記各段
差，及び赤色ＬＥＤの基板表面に電極（５１〜５４）を
形成する工程とを含むので、同一箇所に３色の光を任意
の強度で発光させることができ、かつ各光の発光強度を
４つの電極（５１〜５４）で制御することができる可視
光ＬＥＤ装置を得ることができる。
ＥＤ装置の製造方法は、図１に示すように、上記青色Ｌ
ＥＤ成長工程は、青色ＬＥＤ用の基板２０上に第１導電
型結晶（２２, ２３），及び第２導電型結晶（２４〜２
６）を順次成長させるものであり、上記緑色ＬＥＤ成長
工程は、緑色ＬＥＤ用の第２導電型基板（１０）上に第
２導電型結晶（１１），及び第１導電型結晶（１２）を
順次成長させるものであり、上記赤色ＬＥＤ成長工程
は、赤色ＬＥＤ用の第２導電型基板（１）上に第２導電
型結晶（２, ３），及び第１導電型結晶（４, ５）を順
次成長させるものであり、上記一体とする工程は、上記
成長した青色ＬＥＤの結晶の成長表面と上記緑色ＬＥＤ
用の基板（１０）とを，及び上記緑色ＬＥＤの結晶の成
長表面と上記成長した赤色ＬＥＤの結晶の成長表面とを
アニールにより直接接着するものであり、さらに上記接
着後、上記赤色ＬＥＤ，緑色ＬＥＤ，及び青色ＬＥＤの
所望の領域をエッチングすることにより、露出したそれ
ぞれの面に上記３つのＬＥＤ用の電極（５３, ５３, ５
４）を形成するための段差を設ける工程と、上記各段
差，及び赤色ＬＥＤの基板表面に電極（５１〜５４）を
形成する工程とを含むので、同一箇所に３色の光を任意
の強度で発光させることができ、かつ各光の発光強度を
４つの電極（５１〜５４）で制御することができる可視
光ＬＥＤ装置を得ることができる。
【００４６】構成４.本実施の形態１における可視光Ｌ
ＥＤ装置の製造方法は、図２に示すように、上記青色Ｌ
ＥＤ成長工程は、青色ＬＥＤ用の基板（２０）上に第１
導電型結晶，（２２, ２３）及び第２導電型結晶（２４
〜２６）を順次成長させるものであり、上記緑色ＬＥＤ
成長工程は、緑色ＬＥＤ用の第２導電型基板（１０）上
に第２導電型結晶（１１），及び第１導電型結晶（１
２）を順次成長させるものであり、上記赤色ＬＥＤ成長
工程は、赤色ＬＥＤ用の第２導電型基板（１）上に第２
導電型結晶（７, ２, ３），及び第１導電型結晶（４,
５）を順次成長させるものであり、上記一体とする工程
は、上記成長した青色ＬＥＤの結晶の成長表面と上記緑
色ＬＥＤ用の基板（１０）とを，及び上記緑色ＬＥＤの
結晶の成長表面と上記成長した赤色ＬＥＤの結晶の成長
表面とをアニールにより直接接着するものであり、さら
に上記接着後、上記赤色ＬＥＤ用の基板（１）を除去す
る工程と、上記赤色ＬＥＤ，緑色ＬＥＤ，及び青色ＬＥ
Ｄの所望の領域をエッチングすることにより、露出した
それぞれの面に上記３つのＬＥＤ用の電極（５３, ５
３, ５４）を形成するための段差を設ける工程と、上記
各段差，及び基板が除去された上記赤色ＬＥＤの第２導
電型結晶（７）の表面に電極（５１〜５４）を形成する
工程とを含むので、同一箇所に３色の光を任意の強度で
発光させることができ、かつ各光の発光強度を４つの電
極で制御することができ、さらに電極形成精度の高い可
視光ＬＥＤ装置を得ることができる。
ＥＤ装置の製造方法は、図２に示すように、上記青色Ｌ
ＥＤ成長工程は、青色ＬＥＤ用の基板（２０）上に第１
導電型結晶，（２２, ２３）及び第２導電型結晶（２４
〜２６）を順次成長させるものであり、上記緑色ＬＥＤ
成長工程は、緑色ＬＥＤ用の第２導電型基板（１０）上
に第２導電型結晶（１１），及び第１導電型結晶（１
２）を順次成長させるものであり、上記赤色ＬＥＤ成長
工程は、赤色ＬＥＤ用の第２導電型基板（１）上に第２
導電型結晶（７, ２, ３），及び第１導電型結晶（４,
５）を順次成長させるものであり、上記一体とする工程
は、上記成長した青色ＬＥＤの結晶の成長表面と上記緑
色ＬＥＤ用の基板（１０）とを，及び上記緑色ＬＥＤの
結晶の成長表面と上記成長した赤色ＬＥＤの結晶の成長
表面とをアニールにより直接接着するものであり、さら
に上記接着後、上記赤色ＬＥＤ用の基板（１）を除去す
る工程と、上記赤色ＬＥＤ，緑色ＬＥＤ，及び青色ＬＥ
Ｄの所望の領域をエッチングすることにより、露出した
それぞれの面に上記３つのＬＥＤ用の電極（５３, ５
３, ５４）を形成するための段差を設ける工程と、上記
各段差，及び基板が除去された上記赤色ＬＥＤの第２導
電型結晶（７）の表面に電極（５１〜５４）を形成する
工程とを含むので、同一箇所に３色の光を任意の強度で
発光させることができ、かつ各光の発光強度を４つの電
極で制御することができ、さらに電極形成精度の高い可
視光ＬＥＤ装置を得ることができる。
【００４７】構成５.本実施の形態１における可視光Ｌ
ＥＤ装置の製造方法は、図３, ４に示すように、上記青
色ＬＥＤ成長工程は、青色ＬＥＤ用の基板（２０）上に
第１導電型結晶（２２, ２３），及び第２導電型結晶
（２４〜２６）を順次成長させるものであり、上記緑色
ＬＥＤ成長工程は、緑色ＬＥＤ用の第１導電型基板（１
３）上に第１導電型結晶（１２），及び第２導電型結晶
（１１）を順次成長させるものであり、上記赤色ＬＥＤ
成長工程は、赤色ＬＥＤ用の第２導電型基板（１）上に
第２導電型結晶（７, ２, ３），及び第１導電型結晶
（４, ５）を順次成長させるものであり、上記一体とす
る工程は、上記成長した青色ＬＥＤの結晶の成長表面と
上記成長した緑色ＬＥＤの結晶の成長表面とをアニール
により直接接着する工程と、上記接着後、上記緑色ＬＥ
Ｄ用の基板（１３）を除去する工程と、該基板が除去さ
れた緑色ＬＥＤの結晶の表面と上記成長した赤色ＬＥＤ
の結晶の成長表面とをアニールにより直接接着する工程
とを含み、さらに上記接着後、上記赤色ＬＥＤ用の基板
（６）を除去する工程と、上記赤色ＬＥＤ，緑色ＬＥ
Ｄ，及び青色ＬＥＤの所望の領域をエッチングすること
により、露出したそれぞれの面に上記３つのＬＥＤ用の
電極（５３, ５３, ５４）を形成するための段差を設け
る工程と、上記各段差，及び基板が除去された上記赤色
ＬＥＤの第２導電型結晶の表面に電極（５１〜５４）を
形成する工程とを含むので、同一箇所に３色の光を任意
の強度で発光させることができ、かつ各光の発光強度を
４つの電極で制御することができ、さらに電極形成精度
の高い可視光ＬＥＤ装置を得ることができる。
ＥＤ装置の製造方法は、図３, ４に示すように、上記青
色ＬＥＤ成長工程は、青色ＬＥＤ用の基板（２０）上に
第１導電型結晶（２２, ２３），及び第２導電型結晶
（２４〜２６）を順次成長させるものであり、上記緑色
ＬＥＤ成長工程は、緑色ＬＥＤ用の第１導電型基板（１
３）上に第１導電型結晶（１２），及び第２導電型結晶
（１１）を順次成長させるものであり、上記赤色ＬＥＤ
成長工程は、赤色ＬＥＤ用の第２導電型基板（１）上に
第２導電型結晶（７, ２, ３），及び第１導電型結晶
（４, ５）を順次成長させるものであり、上記一体とす
る工程は、上記成長した青色ＬＥＤの結晶の成長表面と
上記成長した緑色ＬＥＤの結晶の成長表面とをアニール
により直接接着する工程と、上記接着後、上記緑色ＬＥ
Ｄ用の基板（１３）を除去する工程と、該基板が除去さ
れた緑色ＬＥＤの結晶の表面と上記成長した赤色ＬＥＤ
の結晶の成長表面とをアニールにより直接接着する工程
とを含み、さらに上記接着後、上記赤色ＬＥＤ用の基板
（６）を除去する工程と、上記赤色ＬＥＤ，緑色ＬＥ
Ｄ，及び青色ＬＥＤの所望の領域をエッチングすること
により、露出したそれぞれの面に上記３つのＬＥＤ用の
電極（５３, ５３, ５４）を形成するための段差を設け
る工程と、上記各段差，及び基板が除去された上記赤色
ＬＥＤの第２導電型結晶の表面に電極（５１〜５４）を
形成する工程とを含むので、同一箇所に３色の光を任意
の強度で発光させることができ、かつ各光の発光強度を
４つの電極で制御することができ、さらに電極形成精度
の高い可視光ＬＥＤ装置を得ることができる。
【００４８】実施例１．図１は本発明第１の実施例によ
る可視光ＬＥＤ装置の製造方法の各工程を示す断面模式
図であり、本実施例１は、赤，緑，青色の３原色を発光
するＬＥＤを、それぞれの基板上に成長した後、各ＬＥ
Ｄを加熱することにより圧着し、これに電極を形成して
３原色の各ＬＥＤを１チップに形成するものである。
る可視光ＬＥＤ装置の製造方法の各工程を示す断面模式
図であり、本実施例１は、赤，緑，青色の３原色を発光
するＬＥＤを、それぞれの基板上に成長した後、各ＬＥ
Ｄを加熱することにより圧着し、これに電極を形成して
３原色の各ＬＥＤを１チップに形成するものである。
【００４９】以下に製造方法について説明する。まず、
赤色ＬＥＤを形成する。即ち、図１(a) に示す赤色ＬＥ
Ｄの断面模式図のように、厚さ３００μｍ程度以下のｐ
−ＧａＡｓ基板１上にＬＰＥ（Liquid Phase Epitaxy；
液相エピタキシー）法、もしくはＭＯＣＶＤ（Metal Or
ganic Chemical Vapor Deposition ）法，ＭＢＥ（Mole
cular Beam Epitaxy；分子線エピタキシー）法を用い
て、膜厚２μｍ，キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3のｐ−
Ｇａ0.2 Ａｌ0.8 Ａｓクラッド層２、膜厚０．１μｍ，
キャリア濃度１×１０17ｃｍ-3のアンドープｐ−Ｇａ
0.65Ａｌ0.35Ａｓ活性層３、膜厚２μｍ，キャリア濃度
１×１０18ｃｍ-3のｎ−Ｇａ0.2 Ａｌ0.8 Ａｓクラッド
層４、そして膜厚１μｍ，キャリア濃度１×１０18ｃｍ
-3のｎ−Ｇａ0.3 Ａｌ0.7 Ａｓコンタクト層５を順次成
長し、赤色ＬＥＤ１００を形成する。
赤色ＬＥＤを形成する。即ち、図１(a) に示す赤色ＬＥ
Ｄの断面模式図のように、厚さ３００μｍ程度以下のｐ
−ＧａＡｓ基板１上にＬＰＥ（Liquid Phase Epitaxy；
液相エピタキシー）法、もしくはＭＯＣＶＤ（Metal Or
ganic Chemical Vapor Deposition ）法，ＭＢＥ（Mole
cular Beam Epitaxy；分子線エピタキシー）法を用い
て、膜厚２μｍ，キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3のｐ−
Ｇａ0.2 Ａｌ0.8 Ａｓクラッド層２、膜厚０．１μｍ，
キャリア濃度１×１０17ｃｍ-3のアンドープｐ−Ｇａ
0.65Ａｌ0.35Ａｓ活性層３、膜厚２μｍ，キャリア濃度
１×１０18ｃｍ-3のｎ−Ｇａ0.2 Ａｌ0.8 Ａｓクラッド
層４、そして膜厚１μｍ，キャリア濃度１×１０18ｃｍ
-3のｎ−Ｇａ0.3 Ａｌ0.7 Ａｓコンタクト層５を順次成
長し、赤色ＬＥＤ１００を形成する。
【００５０】次に、緑色ＬＥＤを形成する。即ち、図１
(b) に示す緑色ＬＥＤの断面模式図のように、厚さ３０
０μｍ程度以下のｐ−ＧａＰ基板１０上にＬＰＥ法を用
いて、膜厚２μｍ，キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3のｐ
−ＧａＰ層１１、膜厚２μｍ，キャリア濃度１×１０18
ｃｍ-3のｎ−ＧａＰ層１２を順次成長し、緑色ＬＥＤを
形成する。
(b) に示す緑色ＬＥＤの断面模式図のように、厚さ３０
０μｍ程度以下のｐ−ＧａＰ基板１０上にＬＰＥ法を用
いて、膜厚２μｍ，キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3のｐ
−ＧａＰ層１１、膜厚２μｍ，キャリア濃度１×１０18
ｃｍ-3のｎ−ＧａＰ層１２を順次成長し、緑色ＬＥＤを
形成する。
【００５１】次に、青色ＬＥＤを形成する、即ち、図１
(c) に示す青色ＬＥＤの断面模式図のように、厚さ３０
０μｍ程度以下のサファイア基板２０上にＭＯＣＶＤ法
を用いて、膜厚５００オングストローム，のＧａＮより
なるバッファ層２１、膜厚１μｍ，キャリア濃度１×１
０18ｃｍ-3のｎ−ＧａＮコンタクト層２２、膜厚０．５
μｍ，キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3のｎ−Ａｌ0.15Ｇ
ａ0.85Ｎクラッド層２３、膜厚２００オングストローム
のｐ−Ｉｎ0.06Ｇａ0.94Ｎ活性層２４、膜厚０．５μ
ｍ，キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3のｐ−Ａｌ0.15Ｇａ
0.85Ｎクラッド層２５、膜厚１μｍ，キャリア濃度１×
１０18ｃｍ-3のｐ−ＧａＮコンタクト層２６を順次成長
した後、Ｎ2 雰囲気で７００°Ｃアニールして青色ＬＥ
Ｄを形成する。
(c) に示す青色ＬＥＤの断面模式図のように、厚さ３０
０μｍ程度以下のサファイア基板２０上にＭＯＣＶＤ法
を用いて、膜厚５００オングストローム，のＧａＮより
なるバッファ層２１、膜厚１μｍ，キャリア濃度１×１
０18ｃｍ-3のｎ−ＧａＮコンタクト層２２、膜厚０．５
μｍ，キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3のｎ−Ａｌ0.15Ｇ
ａ0.85Ｎクラッド層２３、膜厚２００オングストローム
のｐ−Ｉｎ0.06Ｇａ0.94Ｎ活性層２４、膜厚０．５μ
ｍ，キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3のｐ−Ａｌ0.15Ｇａ
0.85Ｎクラッド層２５、膜厚１μｍ，キャリア濃度１×
１０18ｃｍ-3のｐ−ＧａＮコンタクト層２６を順次成長
した後、Ｎ2 雰囲気で７００°Ｃアニールして青色ＬＥ
Ｄを形成する。
【００５２】以上のようにそれぞれ赤，緑，青色を発光
するＬＥＤの結晶成長を行った後、アンモニア，濃硫酸
等のウエット処理により表面処理を行い水洗，乾燥させ
る。この後、青色ＬＥＤのｐ−ＧａＮコンタクト層２６
と緑色ＬＥＤのｐ−ＧａＰ基板１０、緑色ＬＥＤのｎ−
ＧａＰ層１２と赤色ＬＥＤのｎ−Ｇａ0.3 Ａｌ0.7 Ａｓ
コンタクト層５を直接重ね合わせて赤色ＬＥＤのｐ−Ｇ
ａＡｓ基板１上に約３０ｇ/cm2の荷重をかけ、これを７
００°ＣのＨ2 雰囲気下で１時間アニールして各ＬＥＤ
を圧着した後、さらに７００°ＣのＮ2 雰囲気下で１時
間アニールすることにより各ＬＥＤを圧着し、図１(d)
に示すように青色ＬＥＤのｐ−ＧａＮコンタクト層２６
と緑色ＬＥＤのｐ−ＧａＰ基板１０、緑色ＬＥＤのｎ−
ＧａＰ層１２と赤色ＬＥＤのｎ−Ｇａ0.3 Ａｌ0.7 Ａｓ
コンタクト層５とを接着させたものを作成する。
するＬＥＤの結晶成長を行った後、アンモニア，濃硫酸
等のウエット処理により表面処理を行い水洗，乾燥させ
る。この後、青色ＬＥＤのｐ−ＧａＮコンタクト層２６
と緑色ＬＥＤのｐ−ＧａＰ基板１０、緑色ＬＥＤのｎ−
ＧａＰ層１２と赤色ＬＥＤのｎ−Ｇａ0.3 Ａｌ0.7 Ａｓ
コンタクト層５を直接重ね合わせて赤色ＬＥＤのｐ−Ｇ
ａＡｓ基板１上に約３０ｇ/cm2の荷重をかけ、これを７
００°ＣのＨ2 雰囲気下で１時間アニールして各ＬＥＤ
を圧着した後、さらに７００°ＣのＮ2 雰囲気下で１時
間アニールすることにより各ＬＥＤを圧着し、図１(d)
に示すように青色ＬＥＤのｐ−ＧａＮコンタクト層２６
と緑色ＬＥＤのｐ−ＧａＰ基板１０、緑色ＬＥＤのｎ−
ＧａＰ層１２と赤色ＬＥＤのｎ−Ｇａ0.3 Ａｌ0.7 Ａｓ
コンタクト層５とを接着させたものを作成する。
【００５３】その後、通常のホトリソグラフ技術とエッ
チング技術を用いて、図１(e) のようにｎ−ＧａＰ層１
２、ｐ−ＧａＮコンタクト層２６、ｎ−ＧａＮコンタク
ト層２２の各層に段差を設け、各段差のテラスに電極を
形成して可視光ＬＥＤ装置を製造する。
チング技術を用いて、図１(e) のようにｎ−ＧａＰ層１
２、ｐ−ＧａＮコンタクト層２６、ｎ−ＧａＮコンタク
ト層２２の各層に段差を設け、各段差のテラスに電極を
形成して可視光ＬＥＤ装置を製造する。
【００５４】この実施例１において図１(a) 〜(c) の各
層の導電型の組み合わせは８通り考えられるが、直接接
着する層の導伝型が同じものである２通りについては本
記実施例に示したように４つの電極を有する構造とする
ことができる。但し、図１(d) の構造においてサファイ
ア基板に近い方から青，緑，赤色の光を出すＬＥＤを配
列する必要がある。また、本実施例１では青色ＬＥＤ用
の基板としてサファイア基板を用いたが、可視光の光を
吸収せずＧａＮ層が成長可能な基板であればよい。
層の導電型の組み合わせは８通り考えられるが、直接接
着する層の導伝型が同じものである２通りについては本
記実施例に示したように４つの電極を有する構造とする
ことができる。但し、図１(d) の構造においてサファイ
ア基板に近い方から青，緑，赤色の光を出すＬＥＤを配
列する必要がある。また、本実施例１では青色ＬＥＤ用
の基板としてサファイア基板を用いたが、可視光の光を
吸収せずＧａＮ層が成長可能な基板であればよい。
【００５５】このように製造された上記ＬＥＤの動作に
ついて説明する。例えば赤色の光を出す時は電極５１と
電極５２の間に順バイアスを印加する。また、紫色の光
を出す時は電極５１と電極５２，及び電極５３と電極５
４とにそれぞれ順バイアスを印加する。このように所望
の色を発色するのに必要な，上記各三色のＬＥＤに対応
する電極に、各必要量の順バイアスを印加することによ
り、サファイア基板の方向から上記所望の色の光を取り
出すことができる。
ついて説明する。例えば赤色の光を出す時は電極５１と
電極５２の間に順バイアスを印加する。また、紫色の光
を出す時は電極５１と電極５２，及び電極５３と電極５
４とにそれぞれ順バイアスを印加する。このように所望
の色を発色するのに必要な，上記各三色のＬＥＤに対応
する電極に、各必要量の順バイアスを印加することによ
り、サファイア基板の方向から上記所望の色の光を取り
出すことができる。
【００５６】次に、作用について説明する。本実施例１
では別々に形成された赤，緑，青色の各ＬＥＤを、接着
面の導電型が同じになるように積載し、アニールにより
直接接着したので、サファイヤ基板２０の方向に上記３
色の光を任意の強度で発光させることができ、これによ
りフルカラーを発色することができる可視光ＬＥＤ装置
を得ることができる。また、接着面の導電型を同じ導電
型として構成したので、上記３色の発光強度を制御する
電極は、４つの電極により制御することができる。
では別々に形成された赤，緑，青色の各ＬＥＤを、接着
面の導電型が同じになるように積載し、アニールにより
直接接着したので、サファイヤ基板２０の方向に上記３
色の光を任意の強度で発光させることができ、これによ
りフルカラーを発色することができる可視光ＬＥＤ装置
を得ることができる。また、接着面の導電型を同じ導電
型として構成したので、上記３色の発光強度を制御する
電極は、４つの電極により制御することができる。
【００５７】以上のように本発明の実施例１では、赤，
緑，青色の各ＬＥＤを上記のようにそれぞれ形成し、上
記青色ＬＥＤのｐ−ＧａＮコンタクト層２６と緑色ＬＥ
Ｄのｐ−ＧａＰ基板１０、緑色ＬＥＤのｎ−ＧａＰ層１
２と赤色ＬＥＤのｎ−Ｇａ0. 3 Ａｌ0.7 Ａｓコンタクト
層５をアニールにより直接接着し、その後エッチングに
よりｎ−ＧａＰ層１２、ｐ−ＧａＮコンタクト層２６、
ｎ−ＧａＮコンタクト層２２の各層に段差を設け、電極
５１，電極５２，電極５３及び電極５４を設けたので、
電極５１と電極５２，電極５２と電極５３，電極５３と
電極５４間に印加する順バイアスの量を制御することに
より、同一箇所から３色をそれぞれ任意の強度で発光さ
せることができるので、より小さい面積でフルカラーを
発色でき、画素となる発光部を高密度に集積することが
可能な可視光ＬＥＤ装置を得ることができる。
緑，青色の各ＬＥＤを上記のようにそれぞれ形成し、上
記青色ＬＥＤのｐ−ＧａＮコンタクト層２６と緑色ＬＥ
Ｄのｐ−ＧａＰ基板１０、緑色ＬＥＤのｎ−ＧａＰ層１
２と赤色ＬＥＤのｎ−Ｇａ0. 3 Ａｌ0.7 Ａｓコンタクト
層５をアニールにより直接接着し、その後エッチングに
よりｎ−ＧａＰ層１２、ｐ−ＧａＮコンタクト層２６、
ｎ−ＧａＮコンタクト層２２の各層に段差を設け、電極
５１，電極５２，電極５３及び電極５４を設けたので、
電極５１と電極５２，電極５２と電極５３，電極５３と
電極５４間に印加する順バイアスの量を制御することに
より、同一箇所から３色をそれぞれ任意の強度で発光さ
せることができるので、より小さい面積でフルカラーを
発色でき、画素となる発光部を高密度に集積することが
可能な可視光ＬＥＤ装置を得ることができる。
【００５８】実施例２．図２は本発明第２の実施例によ
る可視光ＬＥＤ装置の製造方法を示す断面模式図であ
り、本実施例２では、赤色ＬＥＤの結晶を成長する際
に、バッファ層を形成したのち、続いて上記実施例１の
結晶を順次成長させ、接着工程後に赤色ＬＥＤ用の基板
を除去するものである。
る可視光ＬＥＤ装置の製造方法を示す断面模式図であ
り、本実施例２では、赤色ＬＥＤの結晶を成長する際
に、バッファ層を形成したのち、続いて上記実施例１の
結晶を順次成長させ、接着工程後に赤色ＬＥＤ用の基板
を除去するものである。
【００５９】各ＬＥＤの形成方法において、青色，緑色
ＬＥＤは実施例１と同様に形成する。赤色ＬＥＤの形成
方法は、図２(a) に示したようにｐ−ＧａＡｓ基板１上
にＬＰＥ法、もしくはＭＯＣＶＤ法，ＭＢＥ法を用い
て、ｐ−Ｇａ0.35Ａｌ0.65Ａｓバッファ層７を成長し、
続いて上記実施例１と同様に，ｐ−Ｇａ0.2 Ａｌ0.8 Ａ
ｓクラッド層２，ｐ−Ｇａ0.65Ａｌ0.35Ａｓ活性層３，
ｎ−Ｇａ0.2 Ａｌ0.8 Ａｓクラッド層４，ｎ−Ｇａ0.3
Ａｌ0.7 Ａｓコンタクト層５を順次成長して赤色ＬＥＤ
１１０を形成する。
ＬＥＤは実施例１と同様に形成する。赤色ＬＥＤの形成
方法は、図２(a) に示したようにｐ−ＧａＡｓ基板１上
にＬＰＥ法、もしくはＭＯＣＶＤ法，ＭＢＥ法を用い
て、ｐ−Ｇａ0.35Ａｌ0.65Ａｓバッファ層７を成長し、
続いて上記実施例１と同様に，ｐ−Ｇａ0.2 Ａｌ0.8 Ａ
ｓクラッド層２，ｐ−Ｇａ0.65Ａｌ0.35Ａｓ活性層３，
ｎ−Ｇａ0.2 Ａｌ0.8 Ａｓクラッド層４，ｎ−Ｇａ0.3
Ａｌ0.7 Ａｓコンタクト層５を順次成長して赤色ＬＥＤ
１１０を形成する。
【００６０】次に実施例１で述べたように、青色ＬＥＤ
のｐ−ＧａＮコンタクト層２６と緑色ＬＥＤのｐ−Ｇａ
Ｐ基板１０、緑色ＬＥＤのｎ−ＧａＰ層１２と赤色ＬＥ
Ｄのｎ−Ｇａ0.3 Ａｌ0.7 Ａｓコンタクト層５を直接接
着した後、アンモニア系の選択エッチング液を用いてｐ
−ＧａＡｓ基板１を除去し、赤色ＬＥＤの結晶１１１を
残す。その後図２(b) のように電極５１，電極５２，電
極５３，電極５４を形成して可視光ＬＥＤ装置を製造す
る。
のｐ−ＧａＮコンタクト層２６と緑色ＬＥＤのｐ−Ｇａ
Ｐ基板１０、緑色ＬＥＤのｎ−ＧａＰ層１２と赤色ＬＥ
Ｄのｎ−Ｇａ0.3 Ａｌ0.7 Ａｓコンタクト層５を直接接
着した後、アンモニア系の選択エッチング液を用いてｐ
−ＧａＡｓ基板１を除去し、赤色ＬＥＤの結晶１１１を
残す。その後図２(b) のように電極５１，電極５２，電
極５３，電極５４を形成して可視光ＬＥＤ装置を製造す
る。
【００６１】次に、本実施例２の作用について説明す
る。上記実施例１では電極形成のための段差が全体で６
００μｍ以上となっており、これはほとんど赤色ＬＥＤ
の基板１，及び緑色ＬＥＤの基板１０の厚みによるもの
である。厚さ数μｍの電極形成層であるｎ−ＧａＰ層１
２、ｐ−ＧａＮコンタクト層２６、ｎ−ＧａＮコンタク
ト層２２まで各層をエッチングする工程で、約３００μ
ｍの厚い基板１，基板１０をエッチングする必要があ
り、電極形成時のエッチング条件のコントロールが難し
い。また、製造された素子の構造内に動作上直接関係し
ない基板の層が存在することにより素子の発光効率が低
下する。そこで本実施例２では、赤色ＬＥＤの形成工程
において、ｐ−ＧａＡｓ基板１上にｐ−Ｇａ0.35Ａｌ
0.65Ａｓバッファ層７を成膜し、続いて実施例１と同様
にｐ−Ｇａ0.2 Ａｌ0.8 Ａｓクラッド層２，ｐ−Ｇａ
0.65Ａｌ0.35Ａｓ活性層３，ｎ−Ｇａ0.2 Ａｌ0.8 Ａｓ
クラッド層４，ｎ−Ｇａ0.3 Ａｌ0.7 Ａｓコンタクト層
５を成長した。これにより、接着工程後、ｐ−ＧａＡｓ
基板１のみを容易にを除去する事ができるので、電極を
形成するための段差を形成するためのエッチング工程に
おいて、エッチングする結晶の厚みを薄くすることがで
き、上記エッチング工程での精度を上げることができ
る。
る。上記実施例１では電極形成のための段差が全体で６
００μｍ以上となっており、これはほとんど赤色ＬＥＤ
の基板１，及び緑色ＬＥＤの基板１０の厚みによるもの
である。厚さ数μｍの電極形成層であるｎ−ＧａＰ層１
２、ｐ−ＧａＮコンタクト層２６、ｎ−ＧａＮコンタク
ト層２２まで各層をエッチングする工程で、約３００μ
ｍの厚い基板１，基板１０をエッチングする必要があ
り、電極形成時のエッチング条件のコントロールが難し
い。また、製造された素子の構造内に動作上直接関係し
ない基板の層が存在することにより素子の発光効率が低
下する。そこで本実施例２では、赤色ＬＥＤの形成工程
において、ｐ−ＧａＡｓ基板１上にｐ−Ｇａ0.35Ａｌ
0.65Ａｓバッファ層７を成膜し、続いて実施例１と同様
にｐ−Ｇａ0.2 Ａｌ0.8 Ａｓクラッド層２，ｐ−Ｇａ
0.65Ａｌ0.35Ａｓ活性層３，ｎ−Ｇａ0.2 Ａｌ0.8 Ａｓ
クラッド層４，ｎ−Ｇａ0.3 Ａｌ0.7 Ａｓコンタクト層
５を成長した。これにより、接着工程後、ｐ−ＧａＡｓ
基板１のみを容易にを除去する事ができるので、電極を
形成するための段差を形成するためのエッチング工程に
おいて、エッチングする結晶の厚みを薄くすることがで
き、上記エッチング工程での精度を上げることができ
る。
【００６２】このように本発明の実施例２では、青色Ｌ
ＥＤ，及び緑色ＬＥＤは実施例１と同様に形成し、赤色
ＬＥＤは、ｐ−ＧａＡｓ基板１上にｐ−Ｇａ0.35Ａｌ
0.65Ａｓバッファ層７，ｐ−Ｇａ0.2 Ａｌ0.8 Ａｓクラ
ッド層２，ｐ−Ｇａ0.65Ａｌ0. 35Ａｓ活性層３，ｎ−Ｇ
ａ0.2 Ａｌ0.8 Ａｓクラッド層４，ｎ−Ｇａ0.3 Ａｌ0.
7 Ａｓコンタクト層５を順次成長させて形成したのち、
実施例１と同様に青色ＬＥＤのｐ−ＧａＮコンタクト層
２６と緑色ＬＥＤのｐ−ＧａＰ基板１０、緑色ＬＥＤの
ｎ−ＧａＰ層１２と赤色ＬＥＤのｎ−Ｇａ0.3 Ａｌ0.7
Ａｓコンタクト層５を直接重ね合わせて接着し、ｐ−Ｇ
ａＡｓ基板１を除去した後、エッチングによりｎ−Ｇａ
Ｐ層１２、ｐ−ＧａＮコンタクト層２６、ｎ−ＧａＮコ
ンタクト層２２の各層に段差を設け、電極５１，電極５
２，電極５３及び電極５４を設けたので、上記実施例１
の効果に加え、電極を形成するためエッチング時におい
て、実施例１の製造方法により製造した場合よりも、エ
ッチングにより削る結晶の厚みが，赤色ＬＥＤ用の基板
が除去された分薄いものとなっているため、ｎ−ＧａＰ
層１２までエッチングする際の精度を向上させることが
できる。
ＥＤ，及び緑色ＬＥＤは実施例１と同様に形成し、赤色
ＬＥＤは、ｐ−ＧａＡｓ基板１上にｐ−Ｇａ0.35Ａｌ
0.65Ａｓバッファ層７，ｐ−Ｇａ0.2 Ａｌ0.8 Ａｓクラ
ッド層２，ｐ−Ｇａ0.65Ａｌ0. 35Ａｓ活性層３，ｎ−Ｇ
ａ0.2 Ａｌ0.8 Ａｓクラッド層４，ｎ−Ｇａ0.3 Ａｌ0.
7 Ａｓコンタクト層５を順次成長させて形成したのち、
実施例１と同様に青色ＬＥＤのｐ−ＧａＮコンタクト層
２６と緑色ＬＥＤのｐ−ＧａＰ基板１０、緑色ＬＥＤの
ｎ−ＧａＰ層１２と赤色ＬＥＤのｎ−Ｇａ0.3 Ａｌ0.7
Ａｓコンタクト層５を直接重ね合わせて接着し、ｐ−Ｇ
ａＡｓ基板１を除去した後、エッチングによりｎ−Ｇａ
Ｐ層１２、ｐ−ＧａＮコンタクト層２６、ｎ−ＧａＮコ
ンタクト層２２の各層に段差を設け、電極５１，電極５
２，電極５３及び電極５４を設けたので、上記実施例１
の効果に加え、電極を形成するためエッチング時におい
て、実施例１の製造方法により製造した場合よりも、エ
ッチングにより削る結晶の厚みが，赤色ＬＥＤ用の基板
が除去された分薄いものとなっているため、ｎ−ＧａＰ
層１２までエッチングする際の精度を向上させることが
できる。
【００６３】実施例３．図３は本実施例３による可視光
ＬＥＤ装置の製造方法の各工程を示す断面模式図であ
り、図４は本実施例３により製造された可視光ＬＥＤ装
置の断面模式図を示している。本実施例３は、緑色ＬＥ
Ｄの形成工程において、成長する結晶の順序を上記実施
例１，及び２で示したものと変えることにより、緑色Ｌ
ＥＤ用の基板も除去するものである。
ＬＥＤ装置の製造方法の各工程を示す断面模式図であ
り、図４は本実施例３により製造された可視光ＬＥＤ装
置の断面模式図を示している。本実施例３は、緑色ＬＥ
Ｄの形成工程において、成長する結晶の順序を上記実施
例１，及び２で示したものと変えることにより、緑色Ｌ
ＥＤ用の基板も除去するものである。
【００６４】各ＬＥＤの形成方法において、青色ＬＥＤ
は上記実施例１と同様に形成し、赤色ＬＥＤは上記実施
例２と同様に形成する。
は上記実施例１と同様に形成し、赤色ＬＥＤは上記実施
例２と同様に形成する。
【００６５】緑色ＬＥＤの形成方法において、図３(a)
に示すようにｎ−ＧａＰ基板１３上にＬＰＥ法を用い
て、ｎ−ＧａＰ層１２，ｐ−ＧａＰ層１１を順次成長し
て緑色ＬＥＤ２１０を形成する。その後、アンモニア，
濃硫酸等のウエット処理により表面処理を行い水洗，乾
燥させた後、該緑色ＬＥＤのｐ−ＧａＰ層１１と青色Ｌ
ＥＤのｐ−ＧａＮコンタクト層２６を７００°のＨ2 雰
囲気下でアニールして図３(b) に示すように直接接着
し、その後、ｎ−ＧａＰ基板１３を研削により１００μ
ｍまで薄く形成した後、ｎ−ＧａＰ基板１３をエッチン
グによりｎ−ＧａＰ層１２まで除去し、図３(c) に示し
たような緑色ＬＥＤの結晶２１０を得る。その後、図３
(c) に示した結晶の表面のｎ−ＧａＰ層１２と赤色ＬＥ
Ｄのｎ−Ｇａ0.3 Ａｌ0.7 Ａｓコンタクト層５をさらに
７００°のＨ2 雰囲気下でアニールし、図３(d) に示す
ように直接接着した後、Ｎ2 雰囲気でアニールを施し、
その後実施例２と同様にｐ−ＧａＡｓ基板１を除去して
赤色ＬＥＤの結晶１１１を残し、図３(e) のように一体
化された各結晶を得る。このように一体に形成した素子
をエッチングにより段差を設けて電極を形成し図４に示
すような可視光ＬＥＤ装置を完成する。
に示すようにｎ−ＧａＰ基板１３上にＬＰＥ法を用い
て、ｎ−ＧａＰ層１２，ｐ−ＧａＰ層１１を順次成長し
て緑色ＬＥＤ２１０を形成する。その後、アンモニア，
濃硫酸等のウエット処理により表面処理を行い水洗，乾
燥させた後、該緑色ＬＥＤのｐ−ＧａＰ層１１と青色Ｌ
ＥＤのｐ−ＧａＮコンタクト層２６を７００°のＨ2 雰
囲気下でアニールして図３(b) に示すように直接接着
し、その後、ｎ−ＧａＰ基板１３を研削により１００μ
ｍまで薄く形成した後、ｎ−ＧａＰ基板１３をエッチン
グによりｎ−ＧａＰ層１２まで除去し、図３(c) に示し
たような緑色ＬＥＤの結晶２１０を得る。その後、図３
(c) に示した結晶の表面のｎ−ＧａＰ層１２と赤色ＬＥ
Ｄのｎ−Ｇａ0.3 Ａｌ0.7 Ａｓコンタクト層５をさらに
７００°のＨ2 雰囲気下でアニールし、図３(d) に示す
ように直接接着した後、Ｎ2 雰囲気でアニールを施し、
その後実施例２と同様にｐ−ＧａＡｓ基板１を除去して
赤色ＬＥＤの結晶１１１を残し、図３(e) のように一体
化された各結晶を得る。このように一体に形成した素子
をエッチングにより段差を設けて電極を形成し図４に示
すような可視光ＬＥＤ装置を完成する。
【００６６】次に、本実施例３の作用について説明す
る。上記実施例２の作用で述べたように電極形成のため
の段差はほとんど緑色ＬＥＤ, 及び赤色ＬＥＤの基板１
０の厚みによるものである。本実施例３では緑色ＬＥＤ
の成長工程で成長する結晶の順番を、上記実施例１また
は２と逆にすることによって、緑色ＬＥＤ用の基板であ
るｎ−ＧａＰ基板１３を除去することが可能となり、さ
らに実施例２と同様に赤色ＬＥＤの結晶を成長すること
により、赤色ＬＥＤ用の基板であるｐ−ＧａＡｓ基板１
も除去することができる。これにより、上記実施例１ま
たは２の作用に加え、さらに電極形成のためのエッチン
グ時に削る結晶の厚みを薄くすることができ、電極形成
時の精度を向上させることができる。
る。上記実施例２の作用で述べたように電極形成のため
の段差はほとんど緑色ＬＥＤ, 及び赤色ＬＥＤの基板１
０の厚みによるものである。本実施例３では緑色ＬＥＤ
の成長工程で成長する結晶の順番を、上記実施例１また
は２と逆にすることによって、緑色ＬＥＤ用の基板であ
るｎ−ＧａＰ基板１３を除去することが可能となり、さ
らに実施例２と同様に赤色ＬＥＤの結晶を成長すること
により、赤色ＬＥＤ用の基板であるｐ−ＧａＡｓ基板１
も除去することができる。これにより、上記実施例１ま
たは２の作用に加え、さらに電極形成のためのエッチン
グ時に削る結晶の厚みを薄くすることができ、電極形成
時の精度を向上させることができる。
【００６７】このように本発明の実施例３では、青色Ｌ
ＥＤは実施例１と同様に、赤色ＬＥＤは実施例２と同様
に成長させて形成し、緑色ＬＥＤはｎ−ＧａＰ基板１３
上にｎ−ＧａＰ層１２，ｐ−ＧａＰ層１１を順次成長さ
せて形成したのち、この緑色ＬＥＤのｐ−ＧａＰ層１１
と青色ＬＥＤのｐ−ＧａＮコンタクト層２６とを接着し
た後、緑色ＬＥＤのｎ−ＧａＰ基板１３を除去し、緑色
ＬＥＤのｎ−ＧａＰ層１２と赤色ＬＥＤのコンタクト層
５とを接着した後、赤色ＬＥＤのｐ−ＧａＡｓ基板１を
除去したので、素子構造内にｐ−ＧａＡｓ基板１，ｎ−
ＧａＰ基板１３が含まれず、素子の厚さを実施例１，ま
たは実施例２の場合よりも薄く形成でき、上記実施例１
または２の効果に加えて、ｎ−ＧａＰ層１２，及びｐ−
ＧａＮコンタクト層２６までエッチングする際の精度を
向上させることができる。
ＥＤは実施例１と同様に、赤色ＬＥＤは実施例２と同様
に成長させて形成し、緑色ＬＥＤはｎ−ＧａＰ基板１３
上にｎ−ＧａＰ層１２，ｐ−ＧａＰ層１１を順次成長さ
せて形成したのち、この緑色ＬＥＤのｐ−ＧａＰ層１１
と青色ＬＥＤのｐ−ＧａＮコンタクト層２６とを接着し
た後、緑色ＬＥＤのｎ−ＧａＰ基板１３を除去し、緑色
ＬＥＤのｎ−ＧａＰ層１２と赤色ＬＥＤのコンタクト層
５とを接着した後、赤色ＬＥＤのｐ−ＧａＡｓ基板１を
除去したので、素子構造内にｐ−ＧａＡｓ基板１，ｎ−
ＧａＰ基板１３が含まれず、素子の厚さを実施例１，ま
たは実施例２の場合よりも薄く形成でき、上記実施例１
または２の効果に加えて、ｎ−ＧａＰ層１２，及びｐ−
ＧａＮコンタクト層２６までエッチングする際の精度を
向上させることができる。
【００６８】実施の形態２． 構成１.本実施の形態２における可視光ＬＥＤ装置は、
青色の光を発光する半導体結晶を含む青色ＬＥＤ（３０
０）と、緑色の光を発光する半導体結晶，及び赤色の光
を発光する半導体結晶を含む緑色，及び赤色の２色ＬＥ
Ｄ（２２０, ２２１, ２２２, あるいは２３１) とが、
アニールにより直接接着され、一体化されているので、
同一箇所に３色の光を任意の強度で発光させることがで
きる。
青色の光を発光する半導体結晶を含む青色ＬＥＤ（３０
０）と、緑色の光を発光する半導体結晶，及び赤色の光
を発光する半導体結晶を含む緑色，及び赤色の２色ＬＥ
Ｄ（２２０, ２２１, ２２２, あるいは２３１) とが、
アニールにより直接接着され、一体化されているので、
同一箇所に３色の光を任意の強度で発光させることがで
きる。
【００６９】構成２.本実施の形態２における可視光Ｌ
ＥＤ装置の製造方法は、青色の光を発光するＬＥＤの結
晶（２１〜２６）を成長させる青色ＬＥＤ成長工程と、
緑色の光，及び赤色の光を発光するＬＥＤの結晶（１
１, １２, １４）をそれぞれ成長させて２色のＬＥＤを
積層する、緑色，及び赤色ＬＥＤ成長工程と、上記成長
された青色ＬＥＤ（３００）と緑色，及び赤色ＬＥＤ
（２２０, ２２１, ２２２, あるいは２３０）とをアニ
ールにより直接接着し、一体とする工程とを含むので、
同一箇所に３色の光を任意の強度で発光させることがで
きる可視光ＬＥＤ装置を得ることができる。
ＥＤ装置の製造方法は、青色の光を発光するＬＥＤの結
晶（２１〜２６）を成長させる青色ＬＥＤ成長工程と、
緑色の光，及び赤色の光を発光するＬＥＤの結晶（１
１, １２, １４）をそれぞれ成長させて２色のＬＥＤを
積層する、緑色，及び赤色ＬＥＤ成長工程と、上記成長
された青色ＬＥＤ（３００）と緑色，及び赤色ＬＥＤ
（２２０, ２２１, ２２２, あるいは２３０）とをアニ
ールにより直接接着し、一体とする工程とを含むので、
同一箇所に３色の光を任意の強度で発光させることがで
きる可視光ＬＥＤ装置を得ることができる。
【００７０】構成３.本実施の形態２における可視光Ｌ
ＥＤ装置の製造方法は、図５に示すように、上記青色Ｌ
ＥＤ成長工程は、青色ＬＥＤ用の基板（２０）上に第１
導電型結晶（２２, ２３），及び第２導電型結晶（２４
〜２６）を順次成長させるものであり、上記緑色，及び
赤色ＬＥＤ成長工程は、緑色，及び赤色ＬＥＤ用の共通
の第２導電型基板（１０）上に緑色ＬＥＤのｐｎ接合面
を形成する第２導電型結晶（１１），及び第１導電型結
晶（１２），さらに続いて該第１導電型結晶（１２）と
ともに、赤色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成する第２導電型
結晶（１４）を連続的に成長させる１つの工程で行うも
のであり、上記一体とする工程は、上記成長した青色Ｌ
ＥＤの結晶の成長表面と上記緑色，及び赤色ＬＥＤ用の
共通基板（１０）とをアニールにより直接接着するもの
であり、さらに上記接着後、上記緑色，及び赤色ＬＥＤ
（２２０），及び上記青色ＬＥＤ（３００）の所望の領
域をエッチングすることにより、露出したそれぞれの面
に上記３つのＬＥＤ用の電極（５２, ５３, ５４）を形
成するための段差を設ける工程と、上記各段差，及び赤
色ＬＥＤの結晶表面に電極（５１〜５４）を形成する工
程とを含むので、同一箇所に３色の光を任意の強度で発
光させることができ、かつ各光の発光強度を４つの電極
（５１〜５４）で制御することができる可視光ＬＥＤ装
置を、接着工程を簡略化して製造することができる。
ＥＤ装置の製造方法は、図５に示すように、上記青色Ｌ
ＥＤ成長工程は、青色ＬＥＤ用の基板（２０）上に第１
導電型結晶（２２, ２３），及び第２導電型結晶（２４
〜２６）を順次成長させるものであり、上記緑色，及び
赤色ＬＥＤ成長工程は、緑色，及び赤色ＬＥＤ用の共通
の第２導電型基板（１０）上に緑色ＬＥＤのｐｎ接合面
を形成する第２導電型結晶（１１），及び第１導電型結
晶（１２），さらに続いて該第１導電型結晶（１２）と
ともに、赤色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成する第２導電型
結晶（１４）を連続的に成長させる１つの工程で行うも
のであり、上記一体とする工程は、上記成長した青色Ｌ
ＥＤの結晶の成長表面と上記緑色，及び赤色ＬＥＤ用の
共通基板（１０）とをアニールにより直接接着するもの
であり、さらに上記接着後、上記緑色，及び赤色ＬＥＤ
（２２０），及び上記青色ＬＥＤ（３００）の所望の領
域をエッチングすることにより、露出したそれぞれの面
に上記３つのＬＥＤ用の電極（５２, ５３, ５４）を形
成するための段差を設ける工程と、上記各段差，及び赤
色ＬＥＤの結晶表面に電極（５１〜５４）を形成する工
程とを含むので、同一箇所に３色の光を任意の強度で発
光させることができ、かつ各光の発光強度を４つの電極
（５１〜５４）で制御することができる可視光ＬＥＤ装
置を、接着工程を簡略化して製造することができる。
【００７１】構成４.本実施の形態２における可視光Ｌ
ＥＤ装置の製造方法は、図６に示すように、上記青色Ｌ
ＥＤ成長工程は、青色ＬＥＤ用の基板（２０）上に第１
導電型結晶（２２, ２３），及び第２導電型結晶（２４
〜２６）を順次成長させるものであり、上記緑色，及び
赤色ＬＥＤ成長工程は、緑色，及び赤色ＬＥＤ用の共通
の第２導電型基板（１０）上に赤色ＬＥＤのｐｎ接合面
を形成する第２導電型結晶（１４），及び第１導電型結
晶（１２），さらに続いて該第１導電型結晶（１２）と
ともに、緑色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成する第２導電型
結晶（１１）を連続的に成長させる１つの工程で行うも
のであり、上記一体とする工程は、上記成長した青色Ｌ
ＥＤの結晶の成長表面と，上記緑色ＬＥＤの第２導電型
結晶の成長表面とをアニールにより直接接着するもので
あり、さらに上記接着後、上記緑色，及び赤色ＬＥＤ用
の共通基板（１０）を除去する工程と、上記緑色，及び
赤色ＬＥＤ，及び上記青色ＬＥＤの所望の領域をエッチ
ングすることにより、露出したそれぞれの面に上記３つ
のＬＥＤ用の電極（５２, ５３, ５４）を形成するため
の段差を設ける工程と、上記各段差，及び上記共通基板
が除去された赤色ＬＥＤの結晶表面に電極（５１〜５
４）を形成する工程とを含むので、同一箇所に３色の光
を任意の強度で発光させることができ、かつ各光の発光
強度を４つの電極（５１〜５４）で制御することができ
る可視光ＬＥＤ装置を、接着工程を簡略化しつつ精度良
く形成することができる。
ＥＤ装置の製造方法は、図６に示すように、上記青色Ｌ
ＥＤ成長工程は、青色ＬＥＤ用の基板（２０）上に第１
導電型結晶（２２, ２３），及び第２導電型結晶（２４
〜２６）を順次成長させるものであり、上記緑色，及び
赤色ＬＥＤ成長工程は、緑色，及び赤色ＬＥＤ用の共通
の第２導電型基板（１０）上に赤色ＬＥＤのｐｎ接合面
を形成する第２導電型結晶（１４），及び第１導電型結
晶（１２），さらに続いて該第１導電型結晶（１２）と
ともに、緑色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成する第２導電型
結晶（１１）を連続的に成長させる１つの工程で行うも
のであり、上記一体とする工程は、上記成長した青色Ｌ
ＥＤの結晶の成長表面と，上記緑色ＬＥＤの第２導電型
結晶の成長表面とをアニールにより直接接着するもので
あり、さらに上記接着後、上記緑色，及び赤色ＬＥＤ用
の共通基板（１０）を除去する工程と、上記緑色，及び
赤色ＬＥＤ，及び上記青色ＬＥＤの所望の領域をエッチ
ングすることにより、露出したそれぞれの面に上記３つ
のＬＥＤ用の電極（５２, ５３, ５４）を形成するため
の段差を設ける工程と、上記各段差，及び上記共通基板
が除去された赤色ＬＥＤの結晶表面に電極（５１〜５
４）を形成する工程とを含むので、同一箇所に３色の光
を任意の強度で発光させることができ、かつ各光の発光
強度を４つの電極（５１〜５４）で制御することができ
る可視光ＬＥＤ装置を、接着工程を簡略化しつつ精度良
く形成することができる。
【００７２】構成５.本実施の形態２における可視光Ｌ
ＥＤ装置の製造方法は、図７に示すように、上記青色Ｌ
ＥＤ成長工程は、青色ＬＥＤ用の基板（２０）上に第１
導電型結晶（２２, ２３），及び第２導電型結晶（２４
〜２６）を順次成長させるものであり、上記緑色，及び
赤色ＬＥＤ成長工程は、緑色，及び赤色ＬＥＤ用の共通
の第２導電型基板（１０）上の第１の電極（５３）を形
成する領域を含む領域に選択マスク（３０）を形成し、
これをマスクにして、緑色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成す
る第２導電型結晶（１１），及び第１導電型結晶（１
２）を連続的に成長させ、上記第１導電型結晶（１２）
上の第２の電極（５２）を形成する領域を含む領域に選
択マスク（３１）を形成し、これをマスクにして、上記
第１導電型結晶（１２）とともに、赤色ＬＥＤのｐｎ接
合面を形成する第２導電型結晶（１４）を成長させる工
程であり、上記一体とする工程は、上記成長された青色
ＬＥＤの結晶の成長表面と上記緑色，及び赤色ＬＥＤ用
の共通基板（１０）とをアニールにより直接接着するも
のであり、さらに上記接着後、上記赤色ＬＥＤの第２導
電型結晶（１２）の表面と，上記第１の電極（５３）を
形成する領域と，上記第２の電極（５２）を形成する領
域と，上記緑色，及び赤色ＬＥＤ用の共通基板（１
０），及び青色ＬＥＤ（３００）の所望の領域をエッチ
ングすることにより、露出した青色ＬＥＤの第１導電型
結晶（２２）の領域とにそれぞれ電極（５１〜５４）を
形成する工程とを含むので、同一箇所に３色の光を任意
の強度で発光させることができ、かつ各光の発光強度を
４つの電極（５１〜５４）で制御することができる可視
光ＬＥＤ装置を、接着工程，及びエッチング工程を簡略
化して製造することができる。
ＥＤ装置の製造方法は、図７に示すように、上記青色Ｌ
ＥＤ成長工程は、青色ＬＥＤ用の基板（２０）上に第１
導電型結晶（２２, ２３），及び第２導電型結晶（２４
〜２６）を順次成長させるものであり、上記緑色，及び
赤色ＬＥＤ成長工程は、緑色，及び赤色ＬＥＤ用の共通
の第２導電型基板（１０）上の第１の電極（５３）を形
成する領域を含む領域に選択マスク（３０）を形成し、
これをマスクにして、緑色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成す
る第２導電型結晶（１１），及び第１導電型結晶（１
２）を連続的に成長させ、上記第１導電型結晶（１２）
上の第２の電極（５２）を形成する領域を含む領域に選
択マスク（３１）を形成し、これをマスクにして、上記
第１導電型結晶（１２）とともに、赤色ＬＥＤのｐｎ接
合面を形成する第２導電型結晶（１４）を成長させる工
程であり、上記一体とする工程は、上記成長された青色
ＬＥＤの結晶の成長表面と上記緑色，及び赤色ＬＥＤ用
の共通基板（１０）とをアニールにより直接接着するも
のであり、さらに上記接着後、上記赤色ＬＥＤの第２導
電型結晶（１２）の表面と，上記第１の電極（５３）を
形成する領域と，上記第２の電極（５２）を形成する領
域と，上記緑色，及び赤色ＬＥＤ用の共通基板（１
０），及び青色ＬＥＤ（３００）の所望の領域をエッチ
ングすることにより、露出した青色ＬＥＤの第１導電型
結晶（２２）の領域とにそれぞれ電極（５１〜５４）を
形成する工程とを含むので、同一箇所に３色の光を任意
の強度で発光させることができ、かつ各光の発光強度を
４つの電極（５１〜５４）で制御することができる可視
光ＬＥＤ装置を、接着工程，及びエッチング工程を簡略
化して製造することができる。
【００７３】構成６.本実施の形態２における可視光Ｌ
ＥＤ装置の製造方法は、図８に示すように、上記青色Ｌ
ＥＤ成長工程は、青色ＬＥＤ用の基板（２０）上に第１
導電型結晶（２２, ２３），及び第２導電型結晶（２４
〜２６）を順次成長させるものであり、上記緑色，及び
赤色ＬＥＤ成長工程は、上記緑色，及び赤色ＬＥＤ用の
共通の第２導電型基板（１０）上に先ず，絶縁膜（３
２）を形成し、〈１１／１〉方向〔［１１／１］方向を
含むこれと等価な方向〕のラインを含むラインにより形
成された開口を設け、該開口部により上記共通基板（１
０）をエッチングし、該エッチングにより削られた領域
に上記絶縁膜（３２）をマスクとして、緑色ＬＥＤのｐ
ｎ接合面を形成する第２導電型結晶（１１），及び第１
導電型結晶（１２），さらに続いて該第１導電型結晶
（１２）とともに、赤色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成する
第２導電型結晶（１４）を連続的に成長させたのち、上
記絶縁膜（３２）を除去して、上記各結晶が基板（１
０）と同一の表面に露出するように形成する工程であ
り、上記一体とする工程は、上記成長された青色ＬＥＤ
の結晶の成長表面と、上記緑色，及び赤色ＬＥＤ用の共
通基板（１０）とをアニールにより直接接着する工程で
あり、さらに上記接着後、上記赤色ＬＥＤの第２導電型
結晶（１４）の表面と，上記緑色，及び赤色ＬＥＤの第
１導電型結晶（１２）の表面と，上記緑色ＬＥＤの第２
導電型結晶（１１）の表面と，上記緑色，及び赤色ＬＥ
Ｄ用の共通基板（１０），及び青色ＬＥＤ（３００）の
所望の領域をエッチングすることにより、露出した青色
ＬＥＤの第１導電型結晶（２２）の領域とにそれぞれ電
極（５１〜５４）を形成する工程とを含むので、同一箇
所に３色の光を任意の強度で発光させることができ、か
つ各光の発光強度を４つの電極（５１〜５４）で制御す
ることができる可視光ＬＥＤ装置を、接着工程，及びエ
ッチング工程を簡略化して製造することができ、上記４
つの電極のうち３つを同一平面上に形成することができ
る。
ＥＤ装置の製造方法は、図８に示すように、上記青色Ｌ
ＥＤ成長工程は、青色ＬＥＤ用の基板（２０）上に第１
導電型結晶（２２, ２３），及び第２導電型結晶（２４
〜２６）を順次成長させるものであり、上記緑色，及び
赤色ＬＥＤ成長工程は、上記緑色，及び赤色ＬＥＤ用の
共通の第２導電型基板（１０）上に先ず，絶縁膜（３
２）を形成し、〈１１／１〉方向〔［１１／１］方向を
含むこれと等価な方向〕のラインを含むラインにより形
成された開口を設け、該開口部により上記共通基板（１
０）をエッチングし、該エッチングにより削られた領域
に上記絶縁膜（３２）をマスクとして、緑色ＬＥＤのｐ
ｎ接合面を形成する第２導電型結晶（１１），及び第１
導電型結晶（１２），さらに続いて該第１導電型結晶
（１２）とともに、赤色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成する
第２導電型結晶（１４）を連続的に成長させたのち、上
記絶縁膜（３２）を除去して、上記各結晶が基板（１
０）と同一の表面に露出するように形成する工程であ
り、上記一体とする工程は、上記成長された青色ＬＥＤ
の結晶の成長表面と、上記緑色，及び赤色ＬＥＤ用の共
通基板（１０）とをアニールにより直接接着する工程で
あり、さらに上記接着後、上記赤色ＬＥＤの第２導電型
結晶（１４）の表面と，上記緑色，及び赤色ＬＥＤの第
１導電型結晶（１２）の表面と，上記緑色ＬＥＤの第２
導電型結晶（１１）の表面と，上記緑色，及び赤色ＬＥ
Ｄ用の共通基板（１０），及び青色ＬＥＤ（３００）の
所望の領域をエッチングすることにより、露出した青色
ＬＥＤの第１導電型結晶（２２）の領域とにそれぞれ電
極（５１〜５４）を形成する工程とを含むので、同一箇
所に３色の光を任意の強度で発光させることができ、か
つ各光の発光強度を４つの電極（５１〜５４）で制御す
ることができる可視光ＬＥＤ装置を、接着工程，及びエ
ッチング工程を簡略化して製造することができ、上記４
つの電極のうち３つを同一平面上に形成することができ
る。
【００７４】実施例４．図５は本発明第４の実施例によ
る可視光ＬＥＤ装置の製造方法の各工程を示す断面模式
図であり、本実施例４は緑色，及び赤色のＬＥＤを共通
基板上に順次形成するものである。
る可視光ＬＥＤ装置の製造方法の各工程を示す断面模式
図であり、本実施例４は緑色，及び赤色のＬＥＤを共通
基板上に順次形成するものである。
【００７５】青色ＬＥＤは実施例１と同様に形成する。
緑色，及び赤色ＬＥＤは、図５(a)に示すようにｐ−Ｇ
ａＰ基板１０上にＬＰＥ法を用いてＺｎをドープしたｐ
(Zndoped)−ＧａＰ層１１，ｎ−ＧａＰ層１２，ＺｎＯ
をドープしたｐ(ZnO doped）−ＧａＰ層１４を順次成長
し、緑色，及び赤色のＬＥＤ２２０を形成する。このよ
うに形成した緑色，及び赤色ＬＥＤは上記ｐ−ＧａＰ層
１１とｎ−ＧａＰ層１２との間で緑色を発光し、上記ｎ
−ＧａＰ層１２とｐ−ＧａＰ層１４との間で赤色を発光
するものである。
緑色，及び赤色ＬＥＤは、図５(a)に示すようにｐ−Ｇ
ａＰ基板１０上にＬＰＥ法を用いてＺｎをドープしたｐ
(Zndoped)−ＧａＰ層１１，ｎ−ＧａＰ層１２，ＺｎＯ
をドープしたｐ(ZnO doped）−ＧａＰ層１４を順次成長
し、緑色，及び赤色のＬＥＤ２２０を形成する。このよ
うに形成した緑色，及び赤色ＬＥＤは上記ｐ−ＧａＰ層
１１とｎ−ＧａＰ層１２との間で緑色を発光し、上記ｎ
−ＧａＰ層１２とｐ−ＧａＰ層１４との間で赤色を発光
するものである。
【００７６】上記のように緑色，及び赤色ＬＥＤを形成
し、表面処理を行い水洗，乾燥させた後、この緑色，及
び赤色ＬＥＤのｐ−ＧａＰ基板１０と青色ＬＥＤのｐ−
ＧａＮコンタクト層２６を直接重ね合わせてアニールし
図５(b) に示すように接着させる。このように一体に形
成された素子を、通常のホトレジストとエッチング技術
を用いて図５(c) に示す様に、ｎ−ＧａＰ層１２，ｐ−
ＧａＰ層１１，ｎ−ＧａＮコンタクト層２２に段差を設
け、それぞれの段差のテラスに電極を形成する。
し、表面処理を行い水洗，乾燥させた後、この緑色，及
び赤色ＬＥＤのｐ−ＧａＰ基板１０と青色ＬＥＤのｐ−
ＧａＮコンタクト層２６を直接重ね合わせてアニールし
図５(b) に示すように接着させる。このように一体に形
成された素子を、通常のホトレジストとエッチング技術
を用いて図５(c) に示す様に、ｎ−ＧａＰ層１２，ｐ−
ＧａＰ層１１，ｎ−ＧａＮコンタクト層２２に段差を設
け、それぞれの段差のテラスに電極を形成する。
【００７７】次に、本実施例４における作用について説
明する。本実施例４では、緑色，及び赤色ＬＥＤの成長
工程は、共通基板であるｐ−ＧａＰ基板１０上にｐ−Ｇ
ａＰ層１１，ｎ−ＧａＰ層１２，ｐ−ＧａＰ層１４を順
次成長する１つの工程よりなるものとしたので、赤色Ｌ
ＥＤの成長工程を短縮でき、かつ赤色ＬＥＤと緑色ＬＥ
Ｄとの接着工程が省略でき、さらに赤色ＬＥＤ用の基板
を用いずに形成できる。
明する。本実施例４では、緑色，及び赤色ＬＥＤの成長
工程は、共通基板であるｐ−ＧａＰ基板１０上にｐ−Ｇ
ａＰ層１１，ｎ−ＧａＰ層１２，ｐ−ＧａＰ層１４を順
次成長する１つの工程よりなるものとしたので、赤色Ｌ
ＥＤの成長工程を短縮でき、かつ赤色ＬＥＤと緑色ＬＥ
Ｄとの接着工程が省略でき、さらに赤色ＬＥＤ用の基板
を用いずに形成できる。
【００７８】このように本発明の実施例４では、青色Ｌ
ＥＤは実施例１と同様に形成し、緑色，及び赤色のＬＥ
Ｄはｐ−ＧａＰ基板１０上にｐ(Zn doped)−ＧａＰ層１
１，ｎ−ＧａＰ層１２，ｐ(ZnO doped）−ＧａＰ層１４
を順次成長させて形成したので、赤色のＬＥＤの形成工
程を短縮することができ、赤色のＬＥＤと緑色のＬＥＤ
との接着工程を省略することができ、さらに形成された
素子内に赤色ＬＥＤの基板を含まない可視光ＬＥＤ装置
を得ることができる効果がある。
ＥＤは実施例１と同様に形成し、緑色，及び赤色のＬＥ
Ｄはｐ−ＧａＰ基板１０上にｐ(Zn doped)−ＧａＰ層１
１，ｎ−ＧａＰ層１２，ｐ(ZnO doped）−ＧａＰ層１４
を順次成長させて形成したので、赤色のＬＥＤの形成工
程を短縮することができ、赤色のＬＥＤと緑色のＬＥＤ
との接着工程を省略することができ、さらに形成された
素子内に赤色ＬＥＤの基板を含まない可視光ＬＥＤ装置
を得ることができる効果がある。
【００７９】実施例５．図６は本発明の第５の実施例に
よる可視光ＬＥＤ装置の製造方法の各工程を示す断面模
式図であり、本実施例５は、上記実施例４で示した緑
色，及び赤色ＬＥＤの各層の成長順序を変えることによ
り、接着工程後に上記共通基板を除去し，素子の厚さを
さらに薄く形成することができるものである。
よる可視光ＬＥＤ装置の製造方法の各工程を示す断面模
式図であり、本実施例５は、上記実施例４で示した緑
色，及び赤色ＬＥＤの各層の成長順序を変えることによ
り、接着工程後に上記共通基板を除去し，素子の厚さを
さらに薄く形成することができるものである。
【００８０】青色ＬＥＤは実施例１と同様に形成する。
実施例４では緑色ＬＥＤ用の結晶の上に赤色ＬＥＤ用の
結晶を成長したが、本実施例５では、図６(a) に示すよ
うにｐ−ＧａＰ共通基板１０上にＬＰＥ法を用いて、赤
色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成するｐ(ZnO doped）−Ｇａ
Ｐ層１４，ｎ−ＧａＰ層１２，及びこのｎ−ＧａＰ層１
２とともに、緑色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成するｐ(Zn
doped)−ＧａＰ層１１を順次成長して緑色，及び赤色Ｌ
ＥＤ２３０を得、これに表面処理を行い水洗，乾燥させ
た後、この緑色ＬＥＤ用のｐ−ＧａＰ層１１と青色ＬＥ
Ｄのｐ−ＧａＮコンタクト層２６とを直接重ね合わせて
アニールし、図６(b) に示すように接着させる。その
後、図６(c) に示す様に、表面の緑色，及び赤色ＬＥＤ
用の共通基板であるｐ−ＧａＰ基板１０を除去し、緑
色，及び赤色ＬＥＤの結晶２３１を残した後、図６(d)
に示す様に、ｎ−ＧａＰ層１２，ｐ−ＧａＰ層１１，ｎ
−ＧａＮコンタクト層２２に段差を設け各電極５１ない
し５４を形成する。
実施例４では緑色ＬＥＤ用の結晶の上に赤色ＬＥＤ用の
結晶を成長したが、本実施例５では、図６(a) に示すよ
うにｐ−ＧａＰ共通基板１０上にＬＰＥ法を用いて、赤
色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成するｐ(ZnO doped）−Ｇａ
Ｐ層１４，ｎ−ＧａＰ層１２，及びこのｎ−ＧａＰ層１
２とともに、緑色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成するｐ(Zn
doped)−ＧａＰ層１１を順次成長して緑色，及び赤色Ｌ
ＥＤ２３０を得、これに表面処理を行い水洗，乾燥させ
た後、この緑色ＬＥＤ用のｐ−ＧａＰ層１１と青色ＬＥ
Ｄのｐ−ＧａＮコンタクト層２６とを直接重ね合わせて
アニールし、図６(b) に示すように接着させる。その
後、図６(c) に示す様に、表面の緑色，及び赤色ＬＥＤ
用の共通基板であるｐ−ＧａＰ基板１０を除去し、緑
色，及び赤色ＬＥＤの結晶２３１を残した後、図６(d)
に示す様に、ｎ−ＧａＰ層１２，ｐ−ＧａＰ層１１，ｎ
−ＧａＮコンタクト層２２に段差を設け各電極５１ない
し５４を形成する。
【００８１】次に、本実施例５の作用について説明す
る。本実施例５では、緑色，及び赤色ＬＥＤの成長工程
は、共通基板であるｐ−ＧａＰ基板１０上に、上記実施
例４とは逆の順序でｐ−ＧａＰ層１４，ｎ−ＧａＰ層１
２，ｐ−ＧａＰ層１１を順次成長する１つの工程よりな
るものとしたので、上記接着工程後にｐ−ＧａＰ基板１
０を除去することができ、電極形成のための段差を形成
するエッチング工程において削る結晶の厚みを薄くする
ことができる。ここで電極形成の際にエッチングにより
削る必要のある厚みは、表面のｐ−ＧａＰクラッド層１
４からｎ−ＧａＮコンタクト層２２までの厚さ十数μｍ
の部分でよくなるものである。
る。本実施例５では、緑色，及び赤色ＬＥＤの成長工程
は、共通基板であるｐ−ＧａＰ基板１０上に、上記実施
例４とは逆の順序でｐ−ＧａＰ層１４，ｎ−ＧａＰ層１
２，ｐ−ＧａＰ層１１を順次成長する１つの工程よりな
るものとしたので、上記接着工程後にｐ−ＧａＰ基板１
０を除去することができ、電極形成のための段差を形成
するエッチング工程において削る結晶の厚みを薄くする
ことができる。ここで電極形成の際にエッチングにより
削る必要のある厚みは、表面のｐ−ＧａＰクラッド層１
４からｎ−ＧａＮコンタクト層２２までの厚さ十数μｍ
の部分でよくなるものである。
【００８２】このように本発明の実施例５では、青色Ｌ
ＥＤは実施例１と同様に形成し、緑色，及び赤色ＬＥＤ
はｐ−ＧａＰ基板１０上にｐ−ＧａＰ層１４，ｎ−Ｇａ
Ｐ層１２，ｐ−ＧａＰ層１１を順次成長し、この緑色，
及び赤色ＬＥＤ２３０のｐ−ＧａＰ層１１と青色ＬＥＤ
のｐ−ＧａＮコンタクト層２６とを接着した後、緑色，
及び赤色ＬＥＤ共通基板であるｐ−ＧａＰ基板１０を除
去し、その後、各電極を形成する層に段差を設け、この
段差のテラスに電極を形成したので、上記実施例４の効
果に加え、さらに電極形成時のエッチング工程でエッチ
ングする結晶の厚みを薄くでき、電極形成時のエッチン
グ精度を向上させることができる効果がある。
ＥＤは実施例１と同様に形成し、緑色，及び赤色ＬＥＤ
はｐ−ＧａＰ基板１０上にｐ−ＧａＰ層１４，ｎ−Ｇａ
Ｐ層１２，ｐ−ＧａＰ層１１を順次成長し、この緑色，
及び赤色ＬＥＤ２３０のｐ−ＧａＰ層１１と青色ＬＥＤ
のｐ−ＧａＮコンタクト層２６とを接着した後、緑色，
及び赤色ＬＥＤ共通基板であるｐ−ＧａＰ基板１０を除
去し、その後、各電極を形成する層に段差を設け、この
段差のテラスに電極を形成したので、上記実施例４の効
果に加え、さらに電極形成時のエッチング工程でエッチ
ングする結晶の厚みを薄くでき、電極形成時のエッチン
グ精度を向上させることができる効果がある。
【００８３】実施例６．図７は本発明第６の実施例によ
る可視光ＬＥＤ装置の製造方法の各工程を示す断面模式
図であり、本実施例６は、選択成長を用いることにより
あらかじめ電極を形成するための段差を設けた緑色，及
び赤色ＬＥＤの結晶を成長し、エッチングするプロセス
を簡略化するものである。
る可視光ＬＥＤ装置の製造方法の各工程を示す断面模式
図であり、本実施例６は、選択成長を用いることにより
あらかじめ電極を形成するための段差を設けた緑色，及
び赤色ＬＥＤの結晶を成長し、エッチングするプロセス
を簡略化するものである。
【００８４】青色ＬＥＤの製造方法は実施例１と同様に
形成する。緑色，及び赤色ＬＥＤの製造方法は、緑色，
及び赤色ＬＥＤの共通基板であるｐ−ＧａＰ基板１０上
に通常のホトレジスト技術を用いて、後の工程で電極５
３を形成する領域に図７(a)に示すようにスパッタでＳ
ｉＯ2 膜３０をストライプ状に形成し、緑色ＬＥＤのｐ
ｎ接合面を形成するｐ−ＧａＰ層１１，ｎ−ＧａＰ層１
２を連続的に成長させる。次にもう一度ＳｉＯ2 膜３１
を蒸着し図７(b) に示すようなストライプを形成した
後、上記ｎ−ＧａＰ層１２とともに、赤色ＬＥＤのｐｎ
接合面を形成するｐ−ＧａＰ層１４を成長し、緑色，及
び赤色ＬＥＤ２２１を形成する。ＳｉＯ2膜３０をＨＦ
で除去した後、上記実施例４で示したようにサファイア
基板２０上に結晶成長した青色ＬＥＤのｐ−ＧａＮコン
タクト層２６と上記緑色，及び赤色ＬＥＤの共通基板で
あるｐ−ＧａＰ基板１０をアニールにより直接接着す
る。そののち、通常のホトレジスト技術を用いて図７
(c) のように青色ＬＥＤのｎ−ＧａＮコンタクト層２２
に段差を設け、上記実施例同様電極５１ないし５４を形
成する。
形成する。緑色，及び赤色ＬＥＤの製造方法は、緑色，
及び赤色ＬＥＤの共通基板であるｐ−ＧａＰ基板１０上
に通常のホトレジスト技術を用いて、後の工程で電極５
３を形成する領域に図７(a)に示すようにスパッタでＳ
ｉＯ2 膜３０をストライプ状に形成し、緑色ＬＥＤのｐ
ｎ接合面を形成するｐ−ＧａＰ層１１，ｎ−ＧａＰ層１
２を連続的に成長させる。次にもう一度ＳｉＯ2 膜３１
を蒸着し図７(b) に示すようなストライプを形成した
後、上記ｎ−ＧａＰ層１２とともに、赤色ＬＥＤのｐｎ
接合面を形成するｐ−ＧａＰ層１４を成長し、緑色，及
び赤色ＬＥＤ２２１を形成する。ＳｉＯ2膜３０をＨＦ
で除去した後、上記実施例４で示したようにサファイア
基板２０上に結晶成長した青色ＬＥＤのｐ−ＧａＮコン
タクト層２６と上記緑色，及び赤色ＬＥＤの共通基板で
あるｐ−ＧａＰ基板１０をアニールにより直接接着す
る。そののち、通常のホトレジスト技術を用いて図７
(c) のように青色ＬＥＤのｎ−ＧａＮコンタクト層２２
に段差を設け、上記実施例同様電極５１ないし５４を形
成する。
【００８５】次に、本実施例６の作用について説明す
る。本実施例では、緑色，及び赤色ＬＥＤの成長工程
で、選択マスクを用いて電極を形成するための段差を形
成したので、エッチングによる段差形成工程を簡略化す
ることができる。
る。本実施例では、緑色，及び赤色ＬＥＤの成長工程
で、選択マスクを用いて電極を形成するための段差を形
成したので、エッチングによる段差形成工程を簡略化す
ることができる。
【００８６】このように本発明の実施例６では、青色Ｌ
ＥＤは実施例１と同様に形成し、緑色，及び赤色ＬＥＤ
はｐ−ＧａＰ基板１０上に選択マスクとなるＳｉＯ2 膜
をストライプ状に形成しｐ−ＧａＰ層１１，ｎ−ＧａＰ
層１２を連続的に成長した後、もう一度ＳｉＯ2 膜を蒸
着しｐ−ＧａＰ層１４を成長する部分に開口をもつスト
ライプを形成し、ｐ−ＧａＰ層１４を成長するようにし
たので、実施例４での効果に加え、電極を形成するため
の段差を設けるためのエッチング工程を減らすことがで
き、製造工程を簡略化することができる効果がある。
ＥＤは実施例１と同様に形成し、緑色，及び赤色ＬＥＤ
はｐ−ＧａＰ基板１０上に選択マスクとなるＳｉＯ2 膜
をストライプ状に形成しｐ−ＧａＰ層１１，ｎ−ＧａＰ
層１２を連続的に成長した後、もう一度ＳｉＯ2 膜を蒸
着しｐ−ＧａＰ層１４を成長する部分に開口をもつスト
ライプを形成し、ｐ−ＧａＰ層１４を成長するようにし
たので、実施例４での効果に加え、電極を形成するため
の段差を設けるためのエッチング工程を減らすことがで
き、製造工程を簡略化することができる効果がある。
【００８７】実施例７．図８は本発明の第７の実施例に
よる可視光ＬＥＤ装置の製造方法の各工程を示す断面模
式図であり、本実施例７は各ＬＥＤの発光強度を制御す
る４つの電極のうち３つの電極である電極５１ないし５
３を緑色，及び赤色ＬＥＤの共通基板の表面と同一平面
上に形成するものである。
よる可視光ＬＥＤ装置の製造方法の各工程を示す断面模
式図であり、本実施例７は各ＬＥＤの発光強度を制御す
る４つの電極のうち３つの電極である電極５１ないし５
３を緑色，及び赤色ＬＥＤの共通基板の表面と同一平面
上に形成するものである。
【００８８】青色ＬＥＤの製造方法は実施例１と同様に
形成する。緑色，及び赤色ＬＥＤは、ｐ−ＧａＰ基板１
０上に通常のホトレジスト技術を用いて、ストライプ方
向が［１１／１］方向のラインにより形成されるＳｉＯ
2膜３２をスパッタで、蒸着し、これをマスクとして図
８(a) に示す様にｐ−ＧａＰ基板１０をエッチングす
る。
形成する。緑色，及び赤色ＬＥＤは、ｐ−ＧａＰ基板１
０上に通常のホトレジスト技術を用いて、ストライプ方
向が［１１／１］方向のラインにより形成されるＳｉＯ
2膜３２をスパッタで、蒸着し、これをマスクとして図
８(a) に示す様にｐ−ＧａＰ基板１０をエッチングす
る。
【００８９】このエッチング工程により削られた領域の
ｐ−ＧａＰ基板１０上に、図８(b)に示したように上記
ＳｉＯ2 膜３２をマスクとして、ＬＰＥ法もしくはＶＰ
Ｅ法を用いｐ(Zn doped)−ＧａＰ層１１，ｎ−ＧａＰ層
１２，ｐ(ZnO doped) −ＧａＰ層１４を順次成長する。
その後ＳｉＯ2 膜３２をＨＦで除去した後、上記実施例
４で示したようにサファイア基板２０上に結晶成長した
青色ＬＥＤのｐ−ＧａＮコンタクト層２６と上記ｐ−Ｇ
ａＰ基板１０とをアニールにより図８(c) に示すように
直接接着する。そののち、通常のホトレジスト技術を用
いて青色ＬＥＤのｎ−ＧａＮコンタクト層２２に段差を
設け、図８(d) に示すように、ｐ(ZnO doped) −ＧａＰ
層１４，ｎ−ＧａＰ層１２，ｐ(Zn doped)−ＧａＰ層１
１，及びｎ−ＧａＮコンタクト層２２にそれぞれ電極５
１ないし５４を形成する。
ｐ−ＧａＰ基板１０上に、図８(b)に示したように上記
ＳｉＯ2 膜３２をマスクとして、ＬＰＥ法もしくはＶＰ
Ｅ法を用いｐ(Zn doped)−ＧａＰ層１１，ｎ−ＧａＰ層
１２，ｐ(ZnO doped) −ＧａＰ層１４を順次成長する。
その後ＳｉＯ2 膜３２をＨＦで除去した後、上記実施例
４で示したようにサファイア基板２０上に結晶成長した
青色ＬＥＤのｐ−ＧａＮコンタクト層２６と上記ｐ−Ｇ
ａＰ基板１０とをアニールにより図８(c) に示すように
直接接着する。そののち、通常のホトレジスト技術を用
いて青色ＬＥＤのｎ−ＧａＮコンタクト層２２に段差を
設け、図８(d) に示すように、ｐ(ZnO doped) −ＧａＰ
層１４，ｎ−ＧａＰ層１２，ｐ(Zn doped)−ＧａＰ層１
１，及びｎ−ＧａＮコンタクト層２２にそれぞれ電極５
１ないし５４を形成する。
【００９０】次に、本実施例７の作用について説明す
る。本実施例では、ｐ−ＧａＰ基板１０上にストライプ
方向が［１１／１］方向のラインにより形成されるマス
クを設け、これをマスクにｐ−ＧａＰ基板１０をエッチ
ングする。これによりｐ−ＧａＰ基板１０は順メサ状に
エッチングされることになる。さらに、該エッチングさ
れた領域にｐ−ＧａＰ層１１，ｎ−ＧａＰ層１２，ｐ−
ＧａＰ層１４を順次成長すると図８(b) に示すように各
結晶はエッチングされた領域の壁面に沿って成長するこ
とにより、各結晶の端部がｐ−ＧａＰ基板１０の表面で
ある同一平面上に露出するように形成される。このよう
に同一平面上に露出した各結晶に電極を形成することに
より、電極を同一平面に形成でき、上記実施例のように
電極形成のための段差を設ける工程を減らすことができ
る。
る。本実施例では、ｐ−ＧａＰ基板１０上にストライプ
方向が［１１／１］方向のラインにより形成されるマス
クを設け、これをマスクにｐ−ＧａＰ基板１０をエッチ
ングする。これによりｐ−ＧａＰ基板１０は順メサ状に
エッチングされることになる。さらに、該エッチングさ
れた領域にｐ−ＧａＰ層１１，ｎ−ＧａＰ層１２，ｐ−
ＧａＰ層１４を順次成長すると図８(b) に示すように各
結晶はエッチングされた領域の壁面に沿って成長するこ
とにより、各結晶の端部がｐ−ＧａＰ基板１０の表面で
ある同一平面上に露出するように形成される。このよう
に同一平面上に露出した各結晶に電極を形成することに
より、電極を同一平面に形成でき、上記実施例のように
電極形成のための段差を設ける工程を減らすことができ
る。
【００９１】このように本発明の実施例７では、青色Ｌ
ＥＤは実施例１と同様に形成し、緑色，及び赤色ＬＥＤ
はｐ−ＧａＰ基板１０上に［１１／１］方向のラインに
より形成されるＳｉＯ2 膜３１を形成し、これをマスク
にｐ−ＧａＰ基板１０をエッチングし、さらに続いてｐ
(Zn doped)−ＧａＰ層１１，ｎ−ＧａＰ層１２，ｐ(ZnO
doped) −ＧａＰ層１４を順次成長したのち、上記Ｓｉ
Ｏ2 膜３１を除去し青色ＬＥＤのｐ−ＧａＮコンタクト
層２６とｐ−ＧａＰ基板１０とをアニールにより接着
し、ｎ−ＧａＮコンタクト層２２に段差を設け、ｐ(ZnO
doped）−ＧａＰ層１４，ｎ−ＧａＰ層１２，ｐ(Zn do
ped)−ＧａＰ層１１，及びｎ−ＧａＮコンタクト層２２
にそれぞれ電極５１ないし５４を形成したので、電極５
１ないし５３を同一平面上に形成でき、電極を形成する
ための段差を設ける工程を簡略化することができ、製造
工程を簡略化することができる効果がある。また同一平
面上に３つの電極が形成された可視光ＬＥＤ装置を得る
ことができる。
ＥＤは実施例１と同様に形成し、緑色，及び赤色ＬＥＤ
はｐ−ＧａＰ基板１０上に［１１／１］方向のラインに
より形成されるＳｉＯ2 膜３１を形成し、これをマスク
にｐ−ＧａＰ基板１０をエッチングし、さらに続いてｐ
(Zn doped)−ＧａＰ層１１，ｎ−ＧａＰ層１２，ｐ(ZnO
doped) −ＧａＰ層１４を順次成長したのち、上記Ｓｉ
Ｏ2 膜３１を除去し青色ＬＥＤのｐ−ＧａＮコンタクト
層２６とｐ−ＧａＰ基板１０とをアニールにより接着
し、ｎ−ＧａＮコンタクト層２２に段差を設け、ｐ(ZnO
doped）−ＧａＰ層１４，ｎ−ＧａＰ層１２，ｐ(Zn do
ped)−ＧａＰ層１１，及びｎ−ＧａＮコンタクト層２２
にそれぞれ電極５１ないし５４を形成したので、電極５
１ないし５３を同一平面上に形成でき、電極を形成する
ための段差を設ける工程を簡略化することができ、製造
工程を簡略化することができる効果がある。また同一平
面上に３つの電極が形成された可視光ＬＥＤ装置を得る
ことができる。
【００９２】実施の形態３． 構成１.本実施の形態３における可視光ＬＥＤ装置は、
図９に示すように、上記それぞれのＬＥＤを、アニール
により直接接着する各面の少なくとも一方にＩｎを含む
化合物半導体膜（８, ２７）が形成されているもので、
これにより、各ＬＥＤを接着する接着面の密着性を向上
させることができる。
図９に示すように、上記それぞれのＬＥＤを、アニール
により直接接着する各面の少なくとも一方にＩｎを含む
化合物半導体膜（８, ２７）が形成されているもので、
これにより、各ＬＥＤを接着する接着面の密着性を向上
させることができる。
【００９３】構成２.本実施の形態３における可視光Ｌ
ＥＤ装置の製造方法は、図９に示すように上記一体とす
る工程は、直接接着する各面の少なくとも一方にＩｎを
含む化合物半導体膜（８, ２７）を形成する工程と、上
記各面をアニールにより直接接着する工程とを含むもの
で、これにより、各ＬＥＤを接着する接着面の密着性の
高い可視光ＬＥＤ装置を得ることができる。
ＥＤ装置の製造方法は、図９に示すように上記一体とす
る工程は、直接接着する各面の少なくとも一方にＩｎを
含む化合物半導体膜（８, ２７）を形成する工程と、上
記各面をアニールにより直接接着する工程とを含むもの
で、これにより、各ＬＥＤを接着する接着面の密着性の
高い可視光ＬＥＤ装置を得ることができる。
【００９４】実施例８．図９は本発明の第８の実施例に
よる可視光ＬＥＤ装置の製造方法を示す断面模式図であ
り、本実施例８は接着面の少なくとも一方にＩｎを含む
薄い層を形成し、その層を介して接着を行うものであ
る。これを実施例１の構造を用いて説明する。
よる可視光ＬＥＤ装置の製造方法を示す断面模式図であ
り、本実施例８は接着面の少なくとも一方にＩｎを含む
薄い層を形成し、その層を介して接着を行うものであ
る。これを実施例１の構造を用いて説明する。
【００９５】赤色ＬＥＤの形成工程において、実施例１
と同様に結晶を成長させ、さらに続いて図９(a) のｎ−
ＧａＡｌＡｓコンタクト層５の上に数原子層厚のｎ−Ｉ
ｎxＧａ0.3-x Ａｌ0.7 Ａｓ層（0 ＜x ＜0.3 ）８を成
長させる。
と同様に結晶を成長させ、さらに続いて図９(a) のｎ−
ＧａＡｌＡｓコンタクト層５の上に数原子層厚のｎ−Ｉ
ｎxＧａ0.3-x Ａｌ0.7 Ａｓ層（0 ＜x ＜0.3 ）８を成
長させる。
【００９６】また、青色ＬＥＤの形成工程において、実
施例１と同様に結晶を成長させ、さらに続いて図９(b)
のｐ−ＧａＮコンタクト層２６の上に数原子層厚のｐ−
Ｉｎy Ｇａ1-y Ｎ層（0 ＜y ＜0.5 ）２７を成長させ
る。これらの赤，及び青色ＬＥＤ，及び実施例１で述べ
たように製造した緑色ＬＥＤを実施例１で示したのと同
様の方法によりアニールにより接着する。
施例１と同様に結晶を成長させ、さらに続いて図９(b)
のｐ−ＧａＮコンタクト層２６の上に数原子層厚のｐ−
Ｉｎy Ｇａ1-y Ｎ層（0 ＜y ＜0.5 ）２７を成長させ
る。これらの赤，及び青色ＬＥＤ，及び実施例１で述べ
たように製造した緑色ＬＥＤを実施例１で示したのと同
様の方法によりアニールにより接着する。
【００９７】次に、本実施例８の作用について説明す
る。このように形成した各ＬＥＤをアニールにより接着
する際に、接着面にＩｎが含まれる結晶がある構造とな
る。ここに含まれるＩｎのマストランスポート作用によ
り直接接着面の原子が移動しやすくなるため、各結晶の
接着をより確実にすることができる。この場合Ｉｎを含
むことにより接着面のバンドギャップは小さくなるが、
膜厚が数原子層と非常に薄いため、光の吸収はほとんど
おこらず、デバイス特性に影響はない。
る。このように形成した各ＬＥＤをアニールにより接着
する際に、接着面にＩｎが含まれる結晶がある構造とな
る。ここに含まれるＩｎのマストランスポート作用によ
り直接接着面の原子が移動しやすくなるため、各結晶の
接着をより確実にすることができる。この場合Ｉｎを含
むことにより接着面のバンドギャップは小さくなるが、
膜厚が数原子層と非常に薄いため、光の吸収はほとんど
おこらず、デバイス特性に影響はない。
【００９８】このように本実施例８では接着面の少なく
とも一方にＩｎを含む層を形成し、これをアニールによ
り接着するようにしたので、接着する層同士の接着性を
向上させることができる。本実施例８では実施例１での
接着の場合について述べたが、他の実施例において、接
着を行う面の少なくとも一方の面にＩｎを含む層を形成
するようにしても同様の効果が得られるものである。
とも一方にＩｎを含む層を形成し、これをアニールによ
り接着するようにしたので、接着する層同士の接着性を
向上させることができる。本実施例８では実施例１での
接着の場合について述べたが、他の実施例において、接
着を行う面の少なくとも一方の面にＩｎを含む層を形成
するようにしても同様の効果が得られるものである。
【図１】 この発明の第１の実施例による可視光ＬＥＤ
装置の製造工程を示す断面図。
装置の製造工程を示す断面図。
【図２】 この発明の第２の実施例による可視光ＬＥＤ
装置の製造工程を示す断面図。
装置の製造工程を示す断面図。
【図３】 この発明の第３の実施例による可視光ＬＥＤ
装置の製造工程を示す断面図。
装置の製造工程を示す断面図。
【図４】 この発明の第３の実施例による可視光ＬＥＤ
装置を示す断面図。
装置を示す断面図。
【図５】 この発明の第４の実施例による可視光ＬＥＤ
装置の製造工程を示す断面図。
装置の製造工程を示す断面図。
【図６】 この発明の第５の実施例による可視光ＬＥＤ
装置の製造工程を示す断面図。
装置の製造工程を示す断面図。
【図７】 この発明の第６の実施例による可視光ＬＥＤ
装置の製造工程を示す断面図。
装置の製造工程を示す断面図。
【図８】 この発明の第７の実施例による可視光ＬＥＤ
装置の製造工程を示す断面図。
装置の製造工程を示す断面図。
【図９】 この発明の第８の実施例を示す可視光ＬＥＤ
装置の製造工程を示す断面図である。
装置の製造工程を示す断面図である。
１ ｐ−ＧａＡｓ基板、２ ｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド
層、３ ｐ−ＧａＡｌＡｓ活性層、４ ｎ−ＧａＡｌク
ラッド層、５ ｎ−ＧａＡｌＡｓコンタクト層、７ ｐ
−ＧａＡｌＡｓバッファ層、８ ｎ−ＩｎＧａＡｌＡｓ
層、１０ ｐ−ＧａＰ基板、１１ ｐ−ＧａＰ層、１２
ｎ−ＧａＰ層、１３ ｎ−ＧａＰ基板、１４ ｐ(ZnO
doped)-ＧａＰ層、２０ サファイア基板、２１ Ｇａ
Ｎバッファ層、２２ ｎ−ＧａＮコンタクト層、２３
ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層、２４ｐ−ＩｎＧａＮ活性
層、２５ ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層、２６ ｐ−Ｇａ
Ｎコンタクト層、２７ ｐ−ＩｎＧａＮ層、３０ Ｓｉ
Ｏ2 膜、３１ ＳｉＯ2 膜、５１，５２，５３，５４
電極、１００，１１０ 赤色ＬＥＤ、１１１ 赤色ＬＥ
Ｄの結晶、２００，２１０ 緑色ＬＥＤ、２２０，２２
１，２２２，２３０緑色，及び赤色ＬＥＤ、２３１ 緑
色，及び赤色ＬＥＤの結晶、３００ 青色ＬＥＤ。
層、３ ｐ−ＧａＡｌＡｓ活性層、４ ｎ−ＧａＡｌク
ラッド層、５ ｎ−ＧａＡｌＡｓコンタクト層、７ ｐ
−ＧａＡｌＡｓバッファ層、８ ｎ−ＩｎＧａＡｌＡｓ
層、１０ ｐ−ＧａＰ基板、１１ ｐ−ＧａＰ層、１２
ｎ−ＧａＰ層、１３ ｎ−ＧａＰ基板、１４ ｐ(ZnO
doped)-ＧａＰ層、２０ サファイア基板、２１ Ｇａ
Ｎバッファ層、２２ ｎ−ＧａＮコンタクト層、２３
ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層、２４ｐ−ＩｎＧａＮ活性
層、２５ ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層、２６ ｐ−Ｇａ
Ｎコンタクト層、２７ ｐ−ＩｎＧａＮ層、３０ Ｓｉ
Ｏ2 膜、３１ ＳｉＯ2 膜、５１，５２，５３，５４
電極、１００，１１０ 赤色ＬＥＤ、１１１ 赤色ＬＥ
Ｄの結晶、２００，２１０ 緑色ＬＥＤ、２２０，２２
１，２２２，２３０緑色，及び赤色ＬＥＤ、２３１ 緑
色，及び赤色ＬＥＤの結晶、３００ 青色ＬＥＤ。
Claims (34)
- 【請求項１】 可視光ＬＥＤ装置の製造方法において、 青色の光を発光するＬＥＤの結晶を成長させる青色ＬＥ
Ｄ成長工程と、 緑色の光を発光するＬＥＤの結晶を成長させる緑色ＬＥ
Ｄ成長工程と、 赤色の光を発光するＬＥＤの結晶を成長させる赤色ＬＥ
Ｄ成長工程と、 上記成長された３つのＬＥＤをアニールにより直接接着
し、一体とする工程とを含むことを特徴とする可視光Ｌ
ＥＤ装置の製造方法。 - 【請求項２】 可視光ＬＥＤ装置の製造方法において、 青色の光を発光するＬＥＤの結晶を成長させる青色ＬＥ
Ｄ成長工程と、 緑色の光，及び赤色の光を発光するＬＥＤの結晶をそれ
ぞれ成長させて２色のＬＥＤを積層する、緑色，及び赤
色ＬＥＤ成長工程と、 上記成長された青色ＬＥＤと緑色，及び赤色ＬＥＤとを
アニールにより直接接着し、一体とする工程とを含むこ
とを特徴とする可視光ＬＥＤ装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載の可視光ＬＥＤ装置の製
造方法において、 上記青色ＬＥＤ成長工程は、青色ＬＥＤ用の基板上に第
１導電型結晶，及び第２導電型結晶を順次成長させるも
のであり、 上記緑色ＬＥＤ成長工程は、緑色ＬＥＤ用の第２導電型
基板上に第２導電型結晶，及び第１導電型結晶を順次成
長させるものであり、 上記赤色ＬＥＤ成長工程は、赤色ＬＥＤ用の第２導電型
基板上に第２導電型結晶，及び第１導電型結晶を順次成
長させるものであり、 上記一体とする工程は、上記成長した青色ＬＥＤの結晶
の成長表面と上記緑色ＬＥＤ用の基板とを，及び上記緑
色ＬＥＤの結晶の成長表面と上記成長した赤色ＬＥＤの
結晶の成長表面とをアニールにより直接接着するもので
あり、さらに上記接着後、上記赤色ＬＥＤ，緑色ＬＥ
Ｄ，及び青色ＬＥＤの所望の領域をエッチングすること
により、露出したそれぞれの面に上記３つのＬＥＤ用の
電極を形成するための段差を設ける工程と、 上記各段差，及び赤色ＬＥＤの基板表面に電極を形成す
る工程とを含むことを特徴とする可視光ＬＥＤ装置の製
造方法。 - 【請求項４】 請求項１に記載の可視光ＬＥＤ装置の製
造方法において、 上記青色ＬＥＤ成長工程は、青色ＬＥＤ用の基板上に第
１導電型結晶，及び第２導電型結晶を順次成長させるも
のであり、 上記緑色ＬＥＤ成長工程は、緑色ＬＥＤ用の第２導電型
基板上に第２導電型結晶，及び第１導電型結晶を順次成
長させるものであり、 上記赤色ＬＥＤ成長工程は、赤色ＬＥＤ用の第２導電型
基板上に第２導電型結晶，及び第１導電型結晶を順次成
長させるものであり、 上記一体とする工程は、上記成長した青色ＬＥＤの結晶
の成長表面と上記緑色ＬＥＤ用の基板とを，及び上記緑
色ＬＥＤの結晶の成長表面と上記成長した赤色ＬＥＤの
結晶の成長表面とをアニールにより直接接着するもので
あり、さらに上記接着後、上記赤色ＬＥＤ用の基板を除
去する工程と、上記赤色ＬＥＤ，緑色ＬＥＤ，及び青色
ＬＥＤの所望の領域をエッチングすることにより、露出
したそれぞれの面に上記３つのＬＥＤ用の電極を形成す
るための段差を設ける工程と、 上記各段差，及び基板が除去された上記赤色ＬＥＤの第
２導電型結晶の表面に電極を形成する工程とを含むこと
を特徴とする可視光ＬＥＤ装置の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１に記載の可視光ＬＥＤ装置の製
造方法において、 上記青色ＬＥＤ成長工程は、青色ＬＥＤ用の基板上に第
１導電型結晶，及び第２導電型結晶を順次成長させるも
のであり、 上記緑色ＬＥＤ成長工程は、緑色ＬＥＤ用の第１導電型
基板上に第１導電型結晶，及び第２導電型結晶を順次成
長させるものであり、 上記赤色ＬＥＤ成長工程は、赤色ＬＥＤ用の第２導電型
基板上に第２導電型結晶，及び第１導電型結晶を順次成
長させるものであり、 上記一体とする工程は、上記成長した青色ＬＥＤの結晶
の成長表面と上記成長した緑色ＬＥＤの結晶の成長表面
とをアニールにより直接接着する工程と、 上記接着後、上記緑色ＬＥＤ用の基板を除去する工程
と、 該基板が除去された緑色ＬＥＤの結晶の表面と上記成長
した赤色ＬＥＤの結晶の成長表面とをアニールにより直
接接着する工程とを含み、さらに上記接着後、上記赤色
ＬＥＤ用の基板を除去する工程と、上記赤色ＬＥＤ，緑
色ＬＥＤ，及び青色ＬＥＤの所望の領域をエッチングす
ることにより、露出したそれぞれの面に上記３つのＬＥ
Ｄ用の電極を形成するための段差を設ける工程と、 上記各段差，及び基板が除去された上記赤色ＬＥＤの第
２導電型結晶の表面に電極を形成する工程とを含むこと
を特徴とする可視光ＬＥＤ装置の製造方法。 - 【請求項６】 請求項２に記載の可視光ＬＥＤ装置の製
造方法において、 上記青色ＬＥＤ成長工程は、青色ＬＥＤ用の基板上に第
１導電型結晶，及び第２導電型結晶を順次成長させるも
のであり、 上記緑色，及び赤色ＬＥＤ成長工程は、緑色，及び赤色
ＬＥＤ用の共通の第２導電型基板上に緑色ＬＥＤのｐｎ
接合面を形成する第２導電型結晶，及び第１導電型結
晶，さらに続いて該第１導電型結晶とともに、赤色ＬＥ
Ｄのｐｎ接合面を形成する第２導電型結晶を連続的に成
長させる１つの工程で行うものであり、 上記一体とする工程は、上記成長した青色ＬＥＤの結晶
の成長表面と上記緑色，及び赤色ＬＥＤ用の共通基板と
をアニールにより直接接着するものであり、さらに上記
接着後、上記緑色，及び赤色ＬＥＤ，及び上記青色ＬＥ
Ｄの所望の領域をエッチングすることにより、露出した
それぞれの面に上記３つのＬＥＤ用の電極を形成するた
めの段差を設ける工程と、 上記各段差，及び赤色ＬＥＤの結晶表面に電極を形成す
る工程とを含むことを特徴とする可視光ＬＥＤ装置の製
造方法。 - 【請求項７】 請求項２に記載の可視光ＬＥＤ装置の製
造方法において、 上記青色ＬＥＤ成長工程は、青色ＬＥＤ用の基板上に第
１導電型結晶，及び第２導電型結晶を成長させるもので
あり、 上記緑色，及び赤色ＬＥＤ成長工程は、緑色，及び赤色
ＬＥＤ用の共通基板上に赤色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成
する第２導電型結晶，及び第１導電型結晶，さらに続い
て該第１導電型結晶とともに、緑色ＬＥＤのｐｎ接合面
を形成する第２導電型結晶を連続的に成長させる１つの
工程で行うものであり、 上記一体とする工程は、上記成長した青色ＬＥＤの結晶
の成長表面と，上記緑色ＬＥＤの第２導電型結晶の成長
表面とをアニールにより直接接着するものであり、さら
に上記接着後、上記緑色，及び赤色ＬＥＤ用の共通基板
を除去する工程と、 上記緑色，及び赤色ＬＥＤ，及び上記青色ＬＥＤの所望
の領域をエッチングすることにより、露出したそれぞれ
の面に上記３つのＬＥＤ用の電極を形成するための段差
を設ける工程と、 上記各段差，及び上記共通基板が除去された赤色ＬＥＤ
の結晶表面に電極を形成する工程とを含むことを特徴と
する可視光ＬＥＤ装置の製造方法。 - 【請求項８】 請求項２に記載の可視光ＬＥＤ装置の製
造方法において、 上記青色ＬＥＤ成長工程は、青色ＬＥＤ用の基板上に第
１導電型結晶，及び第２導電型結晶を順次成長させるも
のであり、 上記緑色，及び赤色ＬＥＤ成長工程は、上記緑色，及び
赤色ＬＥＤ用の共通の第２導電型基板上の第１の電極を
形成する領域を含む領域に選択マスクを形成し、これを
マスクにして、緑色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成する第２
導電型結晶，及び第１導電型結晶を連続的に成長させ、
上記第１導電型結晶上の第２の電極を形成する領域を含
む領域に選択マスクを形成し、これをマスクにして、上
記第１導電型結晶とともに、赤色ＬＥＤのｐｎ接合面を
形成する第２導電型結晶を成長させる工程であり、 上記一体とする工程は、上記成長された青色ＬＥＤの結
晶の成長表面と上記緑色，及び赤色ＬＥＤ用の共通基板
とをアニールにより直接接着するものであり、さらに上
記接着後、上記赤色ＬＥＤの第２導電型結晶の表面と，
上記第１の電極を形成する領域と，上記第２の電極を形
成する領域と，上記緑色，及び赤色ＬＥＤ用の共通基
板，及び青色ＬＥＤの所望の領域をエッチングすること
により、露出した青色ＬＥＤの第１導電型結晶の領域と
にそれぞれ電極を形成する工程とを含むことを特徴とす
る可視光ＬＥＤ装置の製造方法。 - 【請求項９】 請求項２に記載の可視光ＬＥＤ装置の製
造方法において、 上記青色ＬＥＤ成長工程は、青色ＬＥＤ用の基板上に第
１導電型結晶，及び第２導電型結晶を順次成長させるも
のであり、 上記緑色，及び赤色ＬＥＤ成長工程は、上記緑色，及び
赤色ＬＥＤ用の共通の第２導電型基板上に先ず，絶縁膜
を形成し、〈１１／１〉方向〔［１１／１］方向を含む
これと等価な方向〕のラインを含むラインにより形成さ
れた開口を設け、該開口部により上記共通基板をエッチ
ングし、該エッチングにより削られた領域に上記絶縁膜
をマスクとして、緑色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成する第
２導電型結晶，及び第１導電型結晶，さらに続いて該第
１導電型結晶とともに、赤色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成
する第２導電型結晶を連続的に成長させたのち、上記絶
縁膜を除去して、上記各結晶が基板と同一の表面に露出
するように形成する工程であり、 上記一体とする工程は、上記成長された青色ＬＥＤの結
晶の成長表面と、上記緑色，及び赤色ＬＥＤ用の共通基
板とをアニールにより直接接着する工程であり、さらに
上記接着後、上記赤色ＬＥＤの第２導電型結晶の表面
と，上記緑色，及び赤色ＬＥＤの第１導電型結晶の表面
と，上記緑色ＬＥＤの第２導電型結晶の表面と，上記緑
色，及び赤色ＬＥＤ用の共通基板，及び青色ＬＥＤの所
望の領域をエッチングすることにより、露出した青色Ｌ
ＥＤの第１導電型結晶の領域とにそれぞれ電極を形成す
る工程とを含むことを特徴とする可視光ＬＥＤ装置の製
造方法。 - 【請求項１０】 請求項１ないし９のいずれかに記載の
可視光ＬＥＤ装置の製造方法において、 上記一体とする工程は、直接接着する各面の少なくとも
一方にＩｎを含む化合物半導体膜を形成する工程と、 上記各面をアニールにより直接接着する工程とを含むこ
とを特徴とする可視光ＬＥＤ装置の製造方法。 - 【請求項１１】 請求項３に記載の可視光ＬＥＤ装置の
製造方法において、 上記青色ＬＥＤ成長工程は、サファイア基板上に青色Ｌ
ＥＤのＧａＮバッファ層，ｎ−ＧａＮコンタクト層，ｎ
−ＡｌＧａＮクラッド層，ｐ−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−
ＡｌＧａＮクラッド層，及びｐ−ＧａＮコンタクト層を
順次成長させるものであり、 上記緑色ＬＥＤ成長工程は、ｐ−ＧａＰ基板上に緑色Ｌ
ＥＤのｐ−ＧａＰ層，及びｎ−ＧａＰ層を順次成長させ
るものであり、 上記赤色ＬＥＤ成長工程は、ｐ−ＧａＡｓ基板上に赤色
ＬＥＤのｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド層，ｐ−ＧａＡｌＡ
ｓ活性層，ｎ−ＧａＡｌクラッド層，及びｎ−ＧａＡｌ
Ａｓコンタクト層を順次成長させるものであることを特
徴とする可視光ＬＥＤ装置の製造方法。 - 【請求項１２】 請求項４に記載の可視光ＬＥＤ装置の
製造方法において、 上記青色ＬＥＤ成長工程は、サファイア基板上に青色Ｌ
ＥＤのＧａＮバッファ層，ｎ−ＧａＮコンタクト層，ｎ
−ＡｌＧａＮクラッド層，ｐ−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−
ＡｌＧａＮクラッド層，及びｐ−ＧａＮコンタクト層を
成長させるものであり、 上記緑色ＬＥＤ成長工程は、ｐ−ＧａＰ基板上に緑色Ｌ
ＥＤのｐ−ＧａＰ層，及びｎ−ＧａＰ層を成長させるも
のであり、 上記赤色ＬＥＤ成長工程は、ｐ−ＧａＡｓ基板上に赤色
ＬＥＤのｐ−ＧａＡｌＡｓバッファ層，ｐ−ＧａＡｌＡ
ｓクラッド層，ｐ−ＧａＡｌＡｓ活性層，ｎ−ＧａＡｌ
クラッド層，及びｎ−ＧａＡｌＡｓコンタクト層を成長
させるものであことを特徴とする可視光ＬＥＤ装置の製
造方法。 - 【請求項１３】 請求項５に記載の可視光ＬＥＤ装置の
製造方法において、 上記青色ＬＥＤ成長工程は、サファイア基板上に青色Ｌ
ＥＤのＧａＮバッファ層，ｎ−ＧａＮコンタクト層，ｎ
−ＡｌＧａＮクラッド層，ｐ−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−
ＡｌＧａＮクラッド層，及びｐ−ＧａＮコンタクト層を
順次成長させるものであり、 上記緑色ＬＥＤ成長工程は、ｎ−ＧａＰ基板上に緑色Ｌ
ＥＤのｎ−ＧａＰ層，及びｐ−ＧａＰ層を順次成長させ
るものであり、 上記赤色ＬＥＤ成長工程は、ｐ−ＧａＡｓ基板上に赤色
ＬＥＤのｐ−ＧａＡｌＡｓバッファ層，ｐ−ＧａＡｌＡ
ｓクラッド層，ｐ−ＧａＡｌＡｓ活性層，ｎ−ＧａＡｌ
クラッド層，及びｎ−ＧａＡｌＡｓコンタクト層を順次
成長させるものであることを特徴とする可視光ＬＥＤ装
置の製造方法。 - 【請求項１４】 請求項６に記載の可視光ＬＥＤ装置の
製造方法において、 上記青色ＬＥＤ成長工程は、サファイア基板上に青色Ｌ
ＥＤのＧａＮバッファ層，ｎ−ＧａＮコンタクト層，ｎ
−ＡｌＧａＮクラッド層，ｐ−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−
ＡｌＧａＮクラッド層，及びｐ−ＧａＮコンタクト層を
順次成長させるものであり、 上記緑色，及び赤色ＬＥＤ成長工程は、ｐ−ＧａＰ共通
基板上に緑色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成するｐ−ＧａＰ
層，及びｎ−ＧａＰ層，さらに続いて該ｎ−ＧａＰ層と
ともに赤色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成するｐ−ＧａＰ層
を連続的に成長させる１つの工程で行うものであること
を特徴とする可視光ＬＥＤ装置の製造方法。 - 【請求項１５】 請求項７に記載の可視光ＬＥＤ装置の
製造方法において、 上記青色ＬＥＤ成長工程は、サファイア基板上に青色Ｌ
ＥＤのＧａＮバッファ層，ｎ−ＧａＮコンタクト層，ｎ
−ＡｌＧａＮクラッド層，ｐ−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−
ＡｌＧａＮクラッド層，及びｐ−ＧａＮコンタクト層を
順次成長させるものであり、 上記緑色，及び赤色ＬＥＤ成長工程は、ｐ−ＧａＰ共通
基板上に赤色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成するｐ−ＧａＰ
層，及びｎ−ＧａＰ層，さらに続いて該ｎ−ＧａＰ層と
ともに緑色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成するｐ−ＧａＰ層
を連続的に成長させる１つの工程で行うものであること
を特徴とする可視光ＬＥＤ装置の製造方法。 - 【請求項１６】 請求項８に記載の可視光ＬＥＤ装置の
製造方法において、 上記青色ＬＥＤ成長工程は、サファイア基板上に青色Ｌ
ＥＤのＧａＮバッファ層，ｎ−ＧａＮコンタクト層，ｎ
−ＡｌＧａＮクラッド層，ｐ−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−
ＡｌＧａＮクラッド層，及びｐ−ＧａＮコンタクト層を
順次成長させるものであり、 上記緑色，及び赤色ＬＥＤ成長工程は、ｐ−ＧａＰ共通
基板上の第１の電極を形成する領域を含む領域に選択マ
スクを形成し、これをマスクにして、緑色ＬＥＤのｐｎ
接合面を形成するｐ−ＧａＰ層，及びｎ−ＧａＰ層を連
続的に成長させ、上記ｎ−ＧａＰ層上の第２の電極を形
成する領域を含む領域に選択マスクを形成し、これをマ
スクにして、上記ｎ−ＧａＰ層とともに、赤色ＬＥＤの
ｐｎ接合面を形成するｐ−ＧａＰ層を成長させる工程で
あることを特徴とする可視光ＬＥＤ装置の製造方法。 - 【請求項１７】 請求項９に記載の可視光ＬＥＤ装置の
製造方法において、 上記青色ＬＥＤ成長工程は、サファイア基板上に青色Ｌ
ＥＤのＧａＮバッファ層，ｎ−ＧａＮコンタクト層，ｎ
−ＡｌＧａＮクラッド層，ｐ−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−
ＡｌＧａＮクラッド層，及びｐ−ＧａＮコンタクト層を
順次成長させるものであり、 上記緑色，及び赤色ＬＥＤ成長工程は、ｐ−ＧａＰ共通
基板上に先ず，絶縁膜を形成し、〈１１／１〉方向
〔［１１／１］方向を含むこれと等価な方向〕のライン
を含むラインにより形成された開口を設け、該開口部に
より上記共通基板をエッチングし、該エッチングにより
削られた領域に上記絶縁膜をマスクとして、緑色ＬＥＤ
のｐｎ接合面を形成するｐ−ＧａＰ層，及びｎ−ＧａＰ
層，さらに続いて該ｎ−ＧａＰ層とともに赤色ＬＥＤの
ｐｎ接合面を形成するｐ−ＧａＰ層を連続的に成長させ
たのち、上記絶縁膜を除去して、上記各結晶が基板と同
一の表面に露出するように形成する工程であることを特
徴とする可視光ＬＥＤ装置の製造方法。 - 【請求項１８】 可視光ＬＥＤ装置において、 青色の光を発光する半導体結晶を含む青色ＬＥＤと、 緑色の光を発光する半導体結晶を含む緑色ＬＥＤと、 赤色の光を発光する半導体結晶を含む赤色ＬＥＤとの３
つのＬＥＤがアニールにより直接接着され、一体化され
ていることを特徴とする可視光ＬＥＤ装置。 - 【請求項１９】 可視光ＬＥＤ装置において、 青色の光を発光する半導体結晶を含む青色ＬＥＤと、 緑色の光を発光する半導体結晶，及び赤色の光を発光す
る半導体結晶を含む緑色，及び赤色の２色ＬＥＤとが、
アニールにより直接接着され、一体化されていることを
特徴とする可視光ＬＥＤ装置。 - 【請求項２０】 請求項１８に記載の可視光ＬＥＤ装置
において、 上記青色ＬＥＤは、青色ＬＥＤ用の基板上に第１導電型
結晶，及び第２導電型結晶が順次形成されたものであ
り、 上記緑色ＬＥＤは、緑色ＬＥＤ用の第２導電型基板上に
第２導電型結晶，及び第１導電型結晶が順次形成された
ものであり、 上記赤色ＬＥＤは、赤色ＬＥＤ用の第２導電型基板上に
第２導電型結晶，及び第１導電型結晶が順次形成された
ものであり、 上記青色ＬＥＤの成長表面が上記緑色ＬＥＤの第２導電
型基板に、かつ上記緑色ＬＥＤの成長表面が上記赤色Ｌ
ＥＤの成長表面に直接アニールにより接着されており、 赤色ＬＥＤ用の電極が上記赤色ＬＥＤの第２導電型基板
の表面に形成され、 緑色ＬＥＤ，及び赤色ＬＥＤの共通電極が、上記赤色Ｌ
ＥＤの各結晶，及び上記赤色ＬＥＤ用の第２導電型基板
の所望の部分を除去することにより露出した上記緑色Ｌ
ＥＤの第１導電型結晶の領域に形成され、 青色ＬＥＤ，及び緑色ＬＥＤの共通電極が、上記緑色Ｌ
ＥＤの各結晶，及び上記緑色ＬＥＤ用の第２導電型基板
の所望の部分を除去することにより露出した上記青色Ｌ
ＥＤの第２導電型結晶の領域に形成され、 青色ＬＥＤ用の電極が、上記青色ＬＥＤの第２導電型結
晶を少なくとも上記青色ＬＥＤの第１導電型結晶に達す
る領域まで除去することにより露出した該青色ＬＥＤの
第１導電型結晶の領域に形成されていることを特徴とす
る可視光ＬＥＤ装置。 - 【請求項２１】 請求項１８に記載の可視光ＬＥＤ装置
において、 上記青色ＬＥＤは、青色ＬＥＤ用の基板上に第１導電型
結晶，及び第２導電型結晶が順次形成されたものであ
り、 上記緑色ＬＥＤは、緑色ＬＥＤ用の第２導電型基板上に
第２導電型結晶，及び第１導電型結晶が順次形成された
ものであり、 上記赤色ＬＥＤは、赤色ＬＥＤ用の第２導電型基板上に
第２導電型結晶，及び第１導電型結晶が順次形成された
ものであり、 上記青色ＬＥＤの成長表面が上記緑色ＬＥＤの第２導電
型基板に、かつ上記緑色ＬＥＤの成長表面が上記赤色Ｌ
ＥＤの成長表面に直接アニールにより接着されており、 赤色ＬＥＤ用の電極が上記赤色ＬＥＤの第２導電型基板
を除去することにより露出した上記赤色ＬＥＤの第２導
電型結晶の表面に形成され、 緑色ＬＥＤ，及び赤色ＬＥＤの共通電極が、上記赤色Ｌ
ＥＤの各結晶の所望の部分を除去することにより露出し
た上記緑色ＬＥＤの第１導電型結晶の領域に形成され、 青色ＬＥＤ，及び緑色ＬＥＤの共通電極が、上記緑色Ｌ
ＥＤの各結晶，及び上記緑色ＬＥＤ用の第２導電型基板
の所望の部分を除去することにより露出した青色ＬＥＤ
の第２導電型結晶の領域に形成され、 青色ＬＥＤ用の電極が、上記青色ＬＥＤの第２導電型結
晶を少なくとも上記青色ＬＥＤの第１導電型結晶に達す
る領域まで除去することにより露出した該青色ＬＥＤの
第１導電型結晶の領域に形成されていることを特徴とす
る可視光ＬＥＤ装置。 - 【請求項２２】 請求項１８に記載の可視光ＬＥＤ装置
において、 上記青色ＬＥＤは、青色ＬＥＤ用の基板上に第１導電型
結晶，及び第２導電型結晶が順次形成されたものであ
り、 上記緑色ＬＥＤは、緑色ＬＥＤ用の第１導電型基板上に
第１導電型結晶，及び第２導電型結晶が順次形成された
ものであり、 上記赤色ＬＥＤは、赤色ＬＥＤ用の第２導電型基板上に
第２導電型結晶，及び第１導電型結晶が順次形成された
ものであり、 上記青色ＬＥＤの成長表面が上記緑色ＬＥＤの成長表面
に直接アニールにより接着され、かつ上記緑色ＬＥＤ用
の第１導電型基板が除去されて露出した上記緑色ＬＥＤ
の第１導電型結晶が上記赤色ＬＥＤの成長表面に直接ア
ニールにより接着されており、 赤色ＬＥＤ用の電極が上記赤色ＬＥＤの第２導電型基板
を除去することにより露出した上記赤色ＬＥＤの第２導
電型結晶の表面に形成され、 緑色ＬＥＤ，及び赤色ＬＥＤの共通電極が、上記赤色Ｌ
ＥＤの各結晶の所望の部分を除去することにより露出し
た上記緑色ＬＥＤの第１導電型結晶の領域に形成され、 青色ＬＥＤ，及び緑色ＬＥＤの共通電極が、上記緑色Ｌ
ＥＤの各結晶の所望の部分を除去することにより露出し
た上記青色ＬＥＤの第２導電型結晶の領域に形成され、 青色ＬＥＤ用の電極が、上記青色ＬＥＤの第２導電型結
晶を少なくとも上記青色ＬＥＤの第１導電型結晶に達す
る領域まで除去することにより露出した該青色ＬＥＤの
第１導電型結晶の領域に形成されていることを特徴とす
る可視光ＬＥＤ装置。 - 【請求項２３】 請求項１９に記載の可視光ＬＥＤ装置
において、 上記青色ＬＥＤは、青色ＬＥＤ用の基板上に第１導電型
結晶，及び第２導電型結晶が順次形成されたものであ
り、 上記緑色，及び赤色ＬＥＤは、緑色，及び赤色ＬＥＤ用
の共通の第２導電型基板上に緑色ＬＥＤのｐｎ接合面を
形成する第２導電型結晶，及び第１導電型結晶，さらに
続いて該第１導電型結晶とともに、赤色ＬＥＤのｐｎ接
合面を形成する第２導電型結晶が順次形成されたもので
あり、 上記青色ＬＥＤの成長表面が上記緑色，及び赤色ＬＥＤ
の共通の第２導電型基板に直接アニールにより接着され
ており、 赤色ＬＥＤ用の電極が赤色ＬＥＤの第２導電型結晶の表
面に形成され、 緑色ＬＥＤ，及び赤色ＬＥＤの共通電極が、上記赤色Ｌ
ＥＤの第２導電型結晶の所望の部分を除去することによ
り露出した上記緑色，及び赤色ＬＥＤ共通の第１導電型
結晶の領域に形成され、 青色ＬＥＤ，及び緑色ＬＥＤの共通電極が、上記緑色，
及び赤色ＬＥＤ共通の第１導電型結晶の所望の部分を除
去することにより露出した上記緑色ＬＥＤの第２導電型
結晶の領域に形成され、 青色ＬＥＤ用の電極が、上記緑色ＬＥＤの第２導電型結
晶，上記緑色ＬＥＤの第２導電型基板，及び上記青色Ｌ
ＥＤの第２導電型結晶を、少なくとも上記青色ＬＥＤの
第１導電型結晶に達する領域まで除去することにより露
出した該青色ＬＥＤの第１導電型結晶の領域に形成され
ていることを特徴とする可視光ＬＥＤ装置。 - 【請求項２４】 請求項１９に記載の可視光ＬＥＤ装置
において、 上記青色ＬＥＤは、青色ＬＥＤ用の基板上に第１導電型
結晶，及び第２導電型結晶が順次形成されたものであ
り、 上記緑色，及び赤色ＬＥＤは、緑色，及び赤色ＬＥＤ用
の共通の第２導電型基板上に赤色ＬＥＤのｐｎ接合面を
形成する第２導電型結晶，及び第１導電型結晶，さらに
続いて該第１導電型結晶とともに、緑色ＬＥＤのｐｎ接
合面を形成する第２導電型結晶が順次形成されたもので
あり、 上記青色ＬＥＤの成長表面が上記緑色，及び赤色ＬＥＤ
の成長表面に直接アニールにより接着されており、 赤色ＬＥＤ用の電極が上記緑色，及び赤色ＬＥＤの共通
基板を除去することにより露出した上記赤色ＬＥＤの第
２導電型結晶の表面に形成され、 緑色ＬＥＤ，及び赤色ＬＥＤの共通電極が、上記赤色Ｌ
ＥＤの第２導電型結晶の所望の部分を除去することによ
り露出した上記緑色，及び赤色ＬＥＤ共通の第１導電型
結晶の領域に形成され、 青色ＬＥＤ，及び緑色ＬＥＤの共通電極が、上記緑色，
及び赤色ＬＥＤ共通の第１導電型結晶の所望の部分を除
去することにより露出した上記緑色ＬＥＤの第２導電型
結晶の領域に形成され、 青色ＬＥＤ用の電極が、上記緑色ＬＥＤの第２導電型結
晶，及び上記青色ＬＥＤの第２導電型結晶の一部の領域
を、少なくとも上記青色ＬＥＤの第１導電型結晶に達す
る領域まで除去することにより露出した該青色ＬＥＤの
第１導電型結晶の領域に形成されていることを特徴とす
る可視光ＬＥＤ装置。 - 【請求項２５】 請求項１９に記載の可視光ＬＥＤ装置
において、 上記青色ＬＥＤは、青色ＬＥＤ用の基板上に第１導電型
結晶，及び第２導電型結晶が順次形成されたものであ
り、 上記緑色，及び赤色ＬＥＤは、緑色，及び赤色ＬＥＤ用
の共通の第２導電型基板上の第１の領域に、緑色ＬＥＤ
のｐｎ接合面を形成する第２導電型結晶，及び第１導電
型結晶が形成され、さらに該第１導電型結晶ととともに
赤色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成する第２導電型結晶が上
記第１導電型結晶上の第２の領域に形成されたものであ
り、 上記青色ＬＥＤの成長表面が上記緑色，及び赤色ＬＥＤ
の共通基板に直接アニールにより接着されており、 赤色ＬＥＤ用の電極が、赤色ＬＥＤの第２導電型結晶の
表面に形成され、 緑色ＬＥＤ，及び赤色ＬＥＤの共通電極が、上記緑色，
及び赤色ＬＥＤの第１導電型結晶上の上記第２の領域を
除く領域に形成され、 青色ＬＥＤ，及び緑色ＬＥＤの共通電極が、上記緑色，
及び赤色ＬＥＤの共通の第２導電型基板上の上記第１の
領域を除く領域に形成され、 青色ＬＥＤ用の電極が、上記青色ＬＥＤの第２導電型結
晶の一部を少なくとも上記青色ＬＥＤの第１導電型結晶
に達するまで除去することにより露出した該青色ＬＥＤ
の第１導電型結晶の領域に形成されていることを特徴と
する可視光ＬＥＤ装置。 - 【請求項２６】 請求項１９に記載の可視光ＬＥＤ装置
において、 上記青色ＬＥＤは、青色ＬＥＤ用の基板上に第１導電型
結晶，及び第２導電型結晶が順次形成されたものであ
り、 上記緑色，及び赤色ＬＥＤは、少なくとも１つの内壁面
の表面が上方に向かって拡がった形状の凹部をその表面
に有する，緑色，及び赤色ＬＥＤの第２導電型の共通基
板の該凹部内に、緑色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成する第
２導電型結晶，及び第１導電型結晶，さらに続いて該第
１導電型結晶とともに、赤色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成
する第２導電型結晶が、上記緑色ＬＥＤの第２導電型結
晶と上記緑色，及び赤色ＬＥＤの第１導電型結晶とが上
記凹部の内壁面の上方で上記赤色ＬＥＤの第２導電型結
晶の上面と同一表面に露出して、上記３つの結晶表面が
平坦になるように形成されており、 上記青色ＬＥＤの成長表面が上記緑色，及び赤色ＬＥＤ
の共通基板に直接アニールにより接着されており、 赤色ＬＥＤ用の電極が、上記赤色ＬＥＤの第２導電型結
晶の表面に形成され、 緑色ＬＥＤ，及び赤色ＬＥＤの共通電極が、上記緑色，
及び赤色ＬＥＤの第１導電型結晶が露出した表面の領域
に形成され、 青色ＬＥＤ，及び緑色ＬＥＤの共通電極が、上記緑色Ｌ
ＥＤの第２導電型結晶が露出した表面の領域に形成さ
れ、 青色ＬＥＤ用の電極が、上記青色ＬＥＤの第２導電型結
晶の一部を少なくとも上記青色ＬＥＤの第１導電型結晶
に達するまで除去することにより露出した該青色ＬＥＤ
の第１導電型結晶の領域に形成されていることを特徴と
する可視光ＬＥＤ装置。 - 【請求項２７】 請求項１８ないし２６のいずれかに記
載の可視光ＬＥＤ装置において、 上記それぞれのＬＥＤを、アニールにより直接接着する
各面の少なくとも一方にＩｎを含む化合物半導体膜が形
成されていることを特徴とする可視光ＬＥＤ装置。 - 【請求項２８】 請求項２０に記載の可視光ＬＥＤ装置
において、 上記青色ＬＥＤは、サファイア基板上に青色ＬＥＤのＧ
ａＮバッファ層，ｎ−ＧａＮコンタクト層，ｎ−ＡｌＧ
ａＮクラッド層，ｐ−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−ＡｌＧａ
Ｎクラッド層，及びｐ−ＧａＮコンタクト層が順次形成
されたものであり、 上記緑色ＬＥＤは、ｐ−ＧａＰ基板上に緑色ＬＥＤのｐ
−ＧａＰ層，及びｎ−ＧａＰ層が順次形成されたもので
あり、 上記赤色ＬＥＤは、ｐ−ＧａＡｓ基板上に赤色ＬＥＤの
ｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド層，ｐ−ＧａＡｌＡｓ活性
層，ｎ−ＧａＡｌクラッド層，及びｎ−ＧａＡｌＡｓコ
ンタクト層が順次形成されたものであることを特徴とす
る可視光ＬＥＤ装置。 - 【請求項２９】 請求項２１に記載の可視光ＬＥＤ装置
において、 上記青色ＬＥＤは、サファイア基板上に青色ＬＥＤのＧ
ａＮバッファ層，ｎ−ＧａＮコンタクト層，ｎ−ＡｌＧ
ａＮクラッド層，ｐ−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−ＡｌＧａ
Ｎクラッド層，及びｐ−ＧａＮコンタクト層が順次形成
されたものであり、 上記緑色ＬＥＤは、ｐ−ＧａＰ基板上に緑色ＬＥＤのｐ
−ＧａＰ層，及びｎ−ＧａＰ層が順次形成されたもので
あり、 上記赤色ＬＥＤは、ｐ−ＧａＡｓ基板上に赤色ＬＥＤの
ｐ−ＧａＡｌＡｓバッファ層，ｐ−ＧａＡｌＡｓクラッ
ド層，ｐ−ＧａＡｌＡｓ活性層，ｎ−ＧａＡｌクラッド
層，及びｎ−ＧａＡｌＡｓコンタクト層が順次形成され
たものであることを特徴とする可視光ＬＥＤ装置。 - 【請求項３０】 請求項２２に記載の可視光ＬＥＤ装置
において、 上記青色ＬＥＤは、サファイア基板上に青色ＬＥＤのＧ
ａＮバッファ層，ｎ−ＧａＮコンタクト層，ｎ−ＡｌＧ
ａＮクラッド層，ｐ−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−ＡｌＧａ
Ｎクラッド層，及びｐ−ＧａＮコンタクト層が順次形成
されたものであり、 上記緑色ＬＥＤは、ｎ−ＧａＰ基板上に緑色ＬＥＤのｎ
−ＧａＰ層，及びｐ−ＧａＰ層が順次形成されたもので
あり、 上記赤色ＬＥＤは、ｐ−ＧａＡｓ基板上に赤色ＬＥＤの
ｐ−ＧａＡｌＡｓバッファ層，ｐ−ＧａＡｌＡｓクラッ
ド層，ｐ−ＧａＡｌＡｓ活性層，ｎ−ＧａＡｌクラッド
層，及びｎ−ＧａＡｌＡｓコンタクト層が順次形成され
たものであることを特徴とする可視光ＬＥＤ装置。 - 【請求項３１】 請求項２３に記載の可視光ＬＥＤ装置
において、 上記青色ＬＥＤは、サファイア基板上に青色ＬＥＤのＧ
ａＮバッファ層，ｎ−ＧａＮコンタクト層，ｎ−ＡｌＧ
ａＮクラッド層，ｐ−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−ＡｌＧａ
Ｎクラッド層，及びｐ−ＧａＮコンタクト層が順次形成
されたものであり、 上記緑色，及び赤色ＬＥＤは、ｐ−ＧａＰ共通基板上に
緑色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成するｐ−ＧａＰ層，及び
ｎ−ＧａＰ層，さらに続いて該ｎ−ＧａＰ層とともに赤
色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成するｐ−ＧａＰ層が順次形
成されたものであることを特徴とする可視光ＬＥＤ装
置。 - 【請求項３２】 請求項２４に記載の可視光ＬＥＤ装置
において、 上記青色ＬＥＤは、サファイア基板上に青色ＬＥＤのＧ
ａＮバッファ層，ｎ−ＧａＮコンタクト層，ｎ−ＡｌＧ
ａＮクラッド層，ｐ−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−ＡｌＧａ
Ｎクラッド層，及びｐ−ＧａＮコンタクト層が順次形成
されたものであり、 上記緑色，及び赤色ＬＥＤは、ｐ−ＧａＰ共通基板上に
赤色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成するｐ−ＧａＰ層，及び
ｎ−ＧａＰ層，さらに続いて該ｎ−ＧａＰ層とともに緑
色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成するｐ−ＧａＰ層が順次形
成されたものであることを特徴とする可視光ＬＥＤ装置
の製造方法。 - 【請求項３３】 請求項２５に記載の可視光ＬＥＤ装置
において、 上記青色ＬＥＤは、サファイア基板上に青色ＬＥＤのＧ
ａＮバッファ層，ｎ−ＧａＮコンタクト層，ｎ−ＡｌＧ
ａＮクラッド層，ｐ−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−ＡｌＧａ
Ｎクラッド層，及びｐ−ＧａＮコンタクト層が順次形成
されたものであり、 上記緑色，及び赤色ＬＥＤは、ｐ−ＧａＰ共通基板上の
第１の領域に、緑色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成するｐ−
ＧａＰ層，及びｎ−ＧａＰ層が形成され、さらに該ｎ−
ＧａＰ層ととともに赤色ＬＥＤのｐｎ接合面を形成する
ｐ−ＧａＰ層が上記ｎ−ＧａＰ層上の第２の領域に形成
されたものであることを特徴とする可視光ＬＥＤ装置の
製造方法。 - 【請求項３４】 請求項２６に記載の可視光ＬＥＤ装置
において、 上記青色ＬＥＤは、サファイア基板上に青色ＬＥＤのＧ
ａＮバッファ層，ｎ−ＧａＮコンタクト層，ｎ−ＡｌＧ
ａＮクラッド層，ｐ−ＩｎＧａＮ活性層，ｐ−ＡｌＧａ
Ｎクラッド層，及びｐ−ＧａＮコンタクト層が順次形成
されたものであり、 上記緑色，及び赤色ＬＥＤは、少なくとも１つの内壁面
の表面が上方に向かって拡がった形状の凹部をその表面
に有する，ｐ−ＧａＰ共通基板の該凹部内に、緑色ＬＥ
Ｄのｐｎ接合面を形成するｐ−ＧａＰ層，及びｎ−Ｇａ
Ｐ層，さらに続いて該ｎ−ＧａＰ層とともに、赤色ＬＥ
Ｄのｐｎ接合面を形成するｐ−ＧａＰ層が、上記緑色Ｌ
ＥＤのｐ−ＧａＰ層と上記緑色，及び赤色ＬＥＤのｎ−
ＧａＰ層とが上記凹部の内壁面の上方で上記赤色ＬＥＤ
のｐ−ＧａＰ層の上面と同一表面に露出して、上記３つ
の結晶表面が平坦になるように形成されていることを特
徴とする可視光ＬＥＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7275997A JPH08213657A (ja) | 1994-10-24 | 1995-10-24 | 可視光ｌｅｄ装置，及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-258365 | 1994-10-24 | ||
| JP25836594 | 1994-10-24 | ||
| JP7275997A JPH08213657A (ja) | 1994-10-24 | 1995-10-24 | 可視光ｌｅｄ装置，及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08213657A true JPH08213657A (ja) | 1996-08-20 |
Family
ID=26543659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7275997A Pending JPH08213657A (ja) | 1994-10-24 | 1995-10-24 | 可視光ｌｅｄ装置，及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08213657A (ja) |
Cited By (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10256605A (ja) * | 1997-03-13 | 1998-09-25 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
| KR100298205B1 (ko) * | 1998-05-21 | 2001-08-07 | 오길록 | 고집적삼색발광소자및그제조방법 |
| JP2001274462A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Aiwa Co Ltd | 発光装置 |
| JP2003197968A (ja) * | 2001-12-18 | 2003-07-11 | Shuko Cho | 透明導電層及び反射層で直接結合されたチップの積み重ねによるフルカラー発光ダイオード光源のパッケージ構造 |
| JP2004327719A (ja) * | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子 |
| US6846686B2 (en) | 2000-10-31 | 2005-01-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2005072628A (ja) * | 2004-12-13 | 2005-03-17 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
| JP2006332688A (ja) * | 2006-07-10 | 2006-12-07 | Rabo Sufia Kk | Ｌｅｄチップ積層体及びｌｅｄチップ配列体 |
| JP2006339646A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 白色発光素子およびその製造方法 |
| JP2010062201A (ja) * | 2008-09-01 | 2010-03-18 | Sony Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| KR100987451B1 (ko) * | 2003-12-04 | 2010-10-13 | 엘지전자 주식회사 | 면발광 소자 |
| JP2011524994A (ja) * | 2008-05-26 | 2011-09-08 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 小さな投影面積を有するプロジェクタ、ならびに、プロジェクタに対するマルチカラーｌｅｄの使用 |
| JP2012504856A (ja) * | 2008-10-03 | 2012-02-23 | ヴァーシテック・リミテッド | 半導体カラー調節可能広帯域光源及びフルカラーマイクロディスプレイ |
| JP2012060165A (ja) * | 2011-12-14 | 2012-03-22 | Sony Corp | 半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、及び半導体発光装置 |
| US9202994B2 (en) | 2013-03-07 | 2015-12-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same |
| JP2018506187A (ja) * | 2015-02-18 | 2018-03-01 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． | 複数の積み重ねられた発光デバイスを有するデバイス |
| CN110249435A (zh) * | 2017-03-07 | 2019-09-17 | 信越半导体株式会社 | 发光元件及其制造方法 |
| JP2021504959A (ja) * | 2017-11-27 | 2021-02-15 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | ディスプレイ用発光ダイオードおよびこれを有するディスプレイ装置 |
| JP2021508170A (ja) * | 2017-12-20 | 2021-02-25 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | ディスプレイ用ｌｅｄユニットおよびこれを有するディスプレイ装置 |
| US20210351230A1 (en) | 2017-11-27 | 2021-11-11 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode (led) stack for a display |
| US20220130898A1 (en) | 2017-11-27 | 2022-04-28 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device having commonly connected led sub-units |
| US11522008B2 (en) | 2018-01-02 | 2022-12-06 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Display device having light emitting stacked structure |
| US11522006B2 (en) | 2017-12-21 | 2022-12-06 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting stacked structure and display device having the same |
| US11527519B2 (en) | 2017-11-27 | 2022-12-13 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED unit for display and display apparatus having the same |
| US11552061B2 (en) | 2017-12-22 | 2023-01-10 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
| US11557577B2 (en) | 2018-01-03 | 2023-01-17 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
| US20230119031A1 (en) * | 2020-03-18 | 2023-04-20 | Plessey Semiconductors Ltd | High Resolution Monolithic RGB Arrays |
| US11804512B2 (en) | 2017-12-14 | 2023-10-31 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting stacked structure and display device having the same |
| US11804511B2 (en) | 2017-12-05 | 2023-10-31 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
| US12550482B2 (en) | 2017-11-27 | 2026-02-10 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Passivation covered light emitting unit stack |
-
1995
- 1995-10-24 JP JP7275997A patent/JPH08213657A/ja active Pending
Cited By (62)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10256605A (ja) * | 1997-03-13 | 1998-09-25 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
| KR100298205B1 (ko) * | 1998-05-21 | 2001-08-07 | 오길록 | 고집적삼색발광소자및그제조방법 |
| JP2001274462A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Aiwa Co Ltd | 発光装置 |
| US6846686B2 (en) | 2000-10-31 | 2005-01-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2003197968A (ja) * | 2001-12-18 | 2003-07-11 | Shuko Cho | 透明導電層及び反射層で直接結合されたチップの積み重ねによるフルカラー発光ダイオード光源のパッケージ構造 |
| JP2004327719A (ja) * | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子 |
| KR100987451B1 (ko) * | 2003-12-04 | 2010-10-13 | 엘지전자 주식회사 | 면발광 소자 |
| JP2005072628A (ja) * | 2004-12-13 | 2005-03-17 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
| US7935974B2 (en) | 2005-05-31 | 2011-05-03 | Samsung Led Co., Ltd. | White light emitting device |
| JP2006339646A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 白色発光素子およびその製造方法 |
| JP2011044733A (ja) * | 2005-05-31 | 2011-03-03 | Samsung Led Co Ltd | 白色発光素子 |
| JP2006332688A (ja) * | 2006-07-10 | 2006-12-07 | Rabo Sufia Kk | Ｌｅｄチップ積層体及びｌｅｄチップ配列体 |
| JP2011524994A (ja) * | 2008-05-26 | 2011-09-08 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 小さな投影面積を有するプロジェクタ、ならびに、プロジェクタに対するマルチカラーｌｅｄの使用 |
| US8562142B2 (en) | 2008-05-26 | 2013-10-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Projector for micro projection surfaces and use of a multicolour LED in a projector |
| JP2010062201A (ja) * | 2008-09-01 | 2010-03-18 | Sony Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP2012504856A (ja) * | 2008-10-03 | 2012-02-23 | ヴァーシテック・リミテッド | 半導体カラー調節可能広帯域光源及びフルカラーマイクロディスプレイ |
| JP2012060165A (ja) * | 2011-12-14 | 2012-03-22 | Sony Corp | 半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、及び半導体発光装置 |
| US9202994B2 (en) | 2013-03-07 | 2015-12-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same |
| US9337400B2 (en) | 2013-03-07 | 2016-05-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same |
| JP2018506187A (ja) * | 2015-02-18 | 2018-03-01 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． | 複数の積み重ねられた発光デバイスを有するデバイス |
| CN110249435A (zh) * | 2017-03-07 | 2019-09-17 | 信越半导体株式会社 | 发光元件及其制造方法 |
| US12040351B2 (en) | 2017-11-27 | 2024-07-16 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode stack including organic and inorganic layers |
| US12009384B2 (en) | 2017-11-27 | 2024-06-11 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode (LED) stack for a display |
| US20210351230A1 (en) | 2017-11-27 | 2021-11-11 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode (led) stack for a display |
| US20220130898A1 (en) | 2017-11-27 | 2022-04-28 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device having commonly connected led sub-units |
| US12550482B2 (en) | 2017-11-27 | 2026-02-10 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Passivation covered light emitting unit stack |
| US12142602B2 (en) | 2017-11-27 | 2024-11-12 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode for display and display apparatus having the same |
| US11527519B2 (en) | 2017-11-27 | 2022-12-13 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED unit for display and display apparatus having the same |
| US12100696B2 (en) | 2017-11-27 | 2024-09-24 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode for display and display apparatus having the same |
| US12062684B2 (en) | 2017-11-27 | 2024-08-13 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode (LED) stack for a display |
| US11532664B2 (en) | 2017-11-27 | 2022-12-20 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode (LED) stack for a display |
| JP2021504959A (ja) * | 2017-11-27 | 2021-02-15 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | ディスプレイ用発光ダイオードおよびこれを有するディスプレイ装置 |
| US12021111B2 (en) | 2017-11-27 | 2024-06-25 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode stack including hydrophilic material layer |
| US12494461B2 (en) | 2017-11-27 | 2025-12-09 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode for display and display apparatus having the same |
| US11563052B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-01-24 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode (LED) stack for a display |
| US11610939B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-03-21 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode (LED) stack for a display |
| US12456716B2 (en) | 2017-11-27 | 2025-10-28 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED unit for display and display apparatus having the same |
| US11935912B2 (en) | 2017-11-27 | 2024-03-19 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device having commonly connected LED sub-units |
| US11804511B2 (en) | 2017-12-05 | 2023-10-31 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
| US12356760B2 (en) | 2017-12-05 | 2025-07-08 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
| US12274106B2 (en) | 2017-12-14 | 2025-04-08 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting stacked structure including epitaxial layers connecting with electrodes and display device having the same |
| US11804512B2 (en) | 2017-12-14 | 2023-10-31 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting stacked structure and display device having the same |
| US11527513B2 (en) | 2017-12-20 | 2022-12-13 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED unit for display and display apparatus having the same |
| JP2021508170A (ja) * | 2017-12-20 | 2021-02-25 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | ディスプレイ用ｌｅｄユニットおよびこれを有するディスプレイ装置 |
| US11552057B2 (en) | 2017-12-20 | 2023-01-10 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED unit for display and display apparatus having the same |
| US11527514B2 (en) | 2017-12-20 | 2022-12-13 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED unit for display and display apparatus having the same |
| US12107081B2 (en) | 2017-12-20 | 2024-10-01 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED unit for display and display apparatus having the same |
| US11973104B2 (en) | 2017-12-21 | 2024-04-30 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting stacked structure and display device having the same |
| US11756984B2 (en) | 2017-12-21 | 2023-09-12 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting stacked structure and display device having the same |
| US11522006B2 (en) | 2017-12-21 | 2022-12-06 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting stacked structure and display device having the same |
| US12183773B2 (en) | 2017-12-21 | 2024-12-31 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting stacked structure and display device having the same |
| US12453232B2 (en) | 2017-12-21 | 2025-10-21 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Lighting emitting stacked structure and display device having the same |
| US11552061B2 (en) | 2017-12-22 | 2023-01-10 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
| US12334482B2 (en) | 2017-12-22 | 2025-06-17 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
| USRE50439E1 (en) | 2018-01-02 | 2025-05-20 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Display device having light emitting stacked structure |
| US12230666B2 (en) | 2018-01-02 | 2025-02-18 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Display device having light emitting stacked structure |
| US11522008B2 (en) | 2018-01-02 | 2022-12-06 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Display device having light emitting stacked structure |
| US12255190B2 (en) | 2018-01-03 | 2025-03-18 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
| US11923348B2 (en) | 2018-01-03 | 2024-03-05 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
| US11557577B2 (en) | 2018-01-03 | 2023-01-17 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
| US12426429B2 (en) * | 2020-03-18 | 2025-09-23 | Plessey Semiconductors Ltd | High resolution monolithic RGB arrays |
| US20230119031A1 (en) * | 2020-03-18 | 2023-04-20 | Plessey Semiconductors Ltd | High Resolution Monolithic RGB Arrays |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08213657A (ja) | 可視光ｌｅｄ装置，及びその製造方法 | |
| JP4126749B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP7402962B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JP3557033B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| US20020136932A1 (en) | GaN-based light emitting device | |
| CN101262118A (zh) | 半导体激光元件的制作方法和半导体激光元件 | |
| JPH06296040A (ja) | 発光ダイオードの製造方法 | |
| JP2010114337A (ja) | 発光素子 | |
| TWI760434B (zh) | 發光元件及其製造方法 | |
| KR20100068839A (ko) | 발광 소자의 제조 방법 | |
| KR101000276B1 (ko) | 반도체 발광소자 | |
| CN112599554B (zh) | 一种微型发光二极管垂直芯片结构、其制备方法及应用 | |
| JP2007042664A (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
| WO2014167773A1 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JPH10261818A (ja) | 発光半導体装置 | |
| JP2002185044A (ja) | 窒化物半導体多色発光素子 | |
| JP2021129119A (ja) | 半導体光デバイスの製造方法及び半導体光デバイス | |
| JP4569859B2 (ja) | 発光素子の製造方法 | |
| JP4341623B2 (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
| JPH09129922A (ja) | 発光素子と発光素子の製造方法 | |
| JP2003017741A (ja) | ＧａＮ系発光素子 | |
| JP3691202B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2000174333A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及び製造方法 | |
| JP2003060233A (ja) | 半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、及び半導体発光装置 | |
| JPH09283798A (ja) | 半導体発光素子およびその製法 |