JPH08217589A - 単結晶の製造方法 - Google Patents
単結晶の製造方法Info
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- JPH08217589A JPH08217589A JP4506695A JP4506695A JPH08217589A JP H08217589 A JPH08217589 A JP H08217589A JP 4506695 A JP4506695 A JP 4506695A JP 4506695 A JP4506695 A JP 4506695A JP H08217589 A JPH08217589 A JP H08217589A
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- solvent
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】高融点で高解離圧を有する化合物半導体単結晶
を育成するにあたり、育成する結晶を溶媒に溶かし飽和
溶液としこれを水平温度勾配法(HGF法)、水平ブリッジ
マン法(HB法)により結晶を育成する。 【効果】高純度で低転位密度の単結晶が安価に得られ
る。
を育成するにあたり、育成する結晶を溶媒に溶かし飽和
溶液としこれを水平温度勾配法(HGF法)、水平ブリッジ
マン法(HB法)により結晶を育成する。 【効果】高純度で低転位密度の単結晶が安価に得られ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は単結晶の製造方法に関
し、特に水平温度勾配法(HGF法)、水平ブリッジマン法
(HB法)による単結晶の製造方法に関するものである。
し、特に水平温度勾配法(HGF法)、水平ブリッジマン法
(HB法)による単結晶の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】II-VI族やIII-V族化合物半導体は融点に
おける蒸気圧が高いため、単結晶の育成には種々の工夫
がなされている。III-V族化合物半導体は、B2O3などの
封止剤を用いて結晶を引き上げる液体封止チョクラルス
キー(LEC)法が、III-V族化合物半導体単結晶の製造に工
業的に用いられている。一方、II-VI族化合物半導体
は、III-V族化合物半導体と比較し熱伝導率が著しく低
く、B2O3と比較しても低いので液体封止チョクラルスキ
ー(LEC)法ではII-VI族化合物半導体単結晶の育成はでき
ない。そこで、CdTeなどでは、石英アンプルを用い、垂
直温度勾配法(VGF法)や垂直ブリッジマン法(VB法)での
育成が一般的に行われている。
おける蒸気圧が高いため、単結晶の育成には種々の工夫
がなされている。III-V族化合物半導体は、B2O3などの
封止剤を用いて結晶を引き上げる液体封止チョクラルス
キー(LEC)法が、III-V族化合物半導体単結晶の製造に工
業的に用いられている。一方、II-VI族化合物半導体
は、III-V族化合物半導体と比較し熱伝導率が著しく低
く、B2O3と比較しても低いので液体封止チョクラルスキ
ー(LEC)法ではII-VI族化合物半導体単結晶の育成はでき
ない。そこで、CdTeなどでは、石英アンプルを用い、垂
直温度勾配法(VGF法)や垂直ブリッジマン法(VB法)での
育成が一般的に行われている。
【０００３】しかしながら、同じII-VI族化合物半導体
のZnTeやZnSeでは融点が石英ガラスの軟化点よりも著し
く高く、しかも蒸気圧も〜10atmと高いため石英アンプ
ルに封止する方法は使用できない。そこで、Moなどの高
融点金属容器に化合物半導体原料を封入しての育成方法
などが開発されている(特開昭63-310786)。しかし、こ
の方法は、Moなどが高価であるためコスト的に不利であ
る。そこで、垂直温度勾配法(VGF法)や垂直ブリッジマ
ン法(VB法)で、化合物半導体原料を溶媒に溶かし飽和溶
液とし、これを徐々に冷却することにより単結晶を育成
する方法が開発された。この方法では、原料を融解する
必要がないため石英ガラスの軟化点よりも低温での結晶
育成が可能であり、しかも蒸気圧も1atm以下にできるた
め高圧容器の必要も無い。しかし、この方法は、縦型炉
であるためにガス対流が生じやすく、また原料容器も縦
型なため熱対流が大きく温度が変動するため、単結晶が
得にくい。種付けについても、種を原料底部にセットす
るため特別の方法を取らなければならない(石川、「「高
純度化合物半導体結晶」プロジェクト研究概要集」((財)
神奈川科学技術アカデミー)、P19〜P33)などの欠点があ
った。
のZnTeやZnSeでは融点が石英ガラスの軟化点よりも著し
く高く、しかも蒸気圧も〜10atmと高いため石英アンプ
ルに封止する方法は使用できない。そこで、Moなどの高
融点金属容器に化合物半導体原料を封入しての育成方法
などが開発されている(特開昭63-310786)。しかし、こ
の方法は、Moなどが高価であるためコスト的に不利であ
る。そこで、垂直温度勾配法(VGF法)や垂直ブリッジマ
ン法(VB法)で、化合物半導体原料を溶媒に溶かし飽和溶
液とし、これを徐々に冷却することにより単結晶を育成
する方法が開発された。この方法では、原料を融解する
必要がないため石英ガラスの軟化点よりも低温での結晶
育成が可能であり、しかも蒸気圧も1atm以下にできるた
め高圧容器の必要も無い。しかし、この方法は、縦型炉
であるためにガス対流が生じやすく、また原料容器も縦
型なため熱対流が大きく温度が変動するため、単結晶が
得にくい。種付けについても、種を原料底部にセットす
るため特別の方法を取らなければならない(石川、「「高
純度化合物半導体結晶」プロジェクト研究概要集」((財)
神奈川科学技術アカデミー)、P19〜P33)などの欠点があ
った。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題点
を解決したもので、その目的は、高融点で高解離圧を有
する化合物半導体単結晶を低コストで再現性良く作製す
ることにある。
を解決したもので、その目的は、高融点で高解離圧を有
する化合物半導体単結晶を低コストで再現性良く作製す
ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決する手
段として、溶媒に原料を溶解し、水平温度勾配法(HGF
法)、水平ブリッジマン法(HB法)により単結晶を育成す
る手段を考案した。すなわち、本発明は、アンプル内
に、単結晶用原料とその溶媒を入れその一端に種結晶を
配置したボートを設置し、該アンプルを真空封印した
後、該アンプルを加熱炉内で加熱して前記原料を溶媒中
に溶解させ原料溶液とし、該加熱炉の水平方向の温度分
布を種結晶側の温度が前記原料溶液側の温度より低くな
るように制御しながら、該加熱炉の温度を徐々に下げな
がら単結晶を育成することを特徴とする単結晶の製造方
法、及びアンプル内に、単結晶用原料とその溶媒を入れ
たボートを設置し、該アンプルを真空封印した後、該ア
ンプルを加熱炉内で加熱して前記原料を溶媒中に溶解さ
せ原料溶液とし、該加熱炉の水平方向の温度分布を前記
ボートの片側の温度が他方側の温度より高くなるように
制御しながら、該加熱炉の温度を徐々に下げながら単結
晶を育成することを特徴とする単結晶の製造方法、及び
アンプル内に、単結晶用原料および溶媒を入れその一端
に種結晶を配置したボートを設置し、該アンプルを真空
封印した後、該アンプルを加熱炉内で加熱して前記原料
を溶媒中に融解し原料溶液とし、該加熱炉の水平方向の
温度分布を種結晶側の温度が前記原料溶液側の温度より
低くなるように制御しながら、該アンプルと該加熱炉と
を相対的に移動させて単結晶を育成することを特徴とす
る単結晶の製造方法を提供するものである
段として、溶媒に原料を溶解し、水平温度勾配法(HGF
法)、水平ブリッジマン法(HB法)により単結晶を育成す
る手段を考案した。すなわち、本発明は、アンプル内
に、単結晶用原料とその溶媒を入れその一端に種結晶を
配置したボートを設置し、該アンプルを真空封印した
後、該アンプルを加熱炉内で加熱して前記原料を溶媒中
に溶解させ原料溶液とし、該加熱炉の水平方向の温度分
布を種結晶側の温度が前記原料溶液側の温度より低くな
るように制御しながら、該加熱炉の温度を徐々に下げな
がら単結晶を育成することを特徴とする単結晶の製造方
法、及びアンプル内に、単結晶用原料とその溶媒を入れ
たボートを設置し、該アンプルを真空封印した後、該ア
ンプルを加熱炉内で加熱して前記原料を溶媒中に溶解さ
せ原料溶液とし、該加熱炉の水平方向の温度分布を前記
ボートの片側の温度が他方側の温度より高くなるように
制御しながら、該加熱炉の温度を徐々に下げながら単結
晶を育成することを特徴とする単結晶の製造方法、及び
アンプル内に、単結晶用原料および溶媒を入れその一端
に種結晶を配置したボートを設置し、該アンプルを真空
封印した後、該アンプルを加熱炉内で加熱して前記原料
を溶媒中に融解し原料溶液とし、該加熱炉の水平方向の
温度分布を種結晶側の温度が前記原料溶液側の温度より
低くなるように制御しながら、該アンプルと該加熱炉と
を相対的に移動させて単結晶を育成することを特徴とす
る単結晶の製造方法を提供するものである
【０００６】垂直温度勾配法(VGF法)や垂直ブリッジマ
ン法(VB法)は、円形のウェハーを歩留まりよく取得でき
る他、熱応力のかかり方が均等であるため低転移密度の
結晶を得やすいという長所がある。欠点としては、炉が
縦型であるためガス対流が激しいため、原料の融液の対
流が起こりやすく結晶に双晶や多結晶が発生するなどが
ある。溶媒を用いる方法では、融液の場合よりも組成的
過冷却が生じやすいため温度勾配を大きく付ける必要が
あるが、垂直温度勾配法(VGF法)や垂直ブリッジマン法
(VB法)などは、ガス対流の影響で温度勾配が小さくなり
やすく、これを防止するためにはヒーターを細かく分割
する必要がある。このような欠点は、縦型炉を使用する
ために生じた欠点であり横型炉を使用すればよい。
ン法(VB法)は、円形のウェハーを歩留まりよく取得でき
る他、熱応力のかかり方が均等であるため低転移密度の
結晶を得やすいという長所がある。欠点としては、炉が
縦型であるためガス対流が激しいため、原料の融液の対
流が起こりやすく結晶に双晶や多結晶が発生するなどが
ある。溶媒を用いる方法では、融液の場合よりも組成的
過冷却が生じやすいため温度勾配を大きく付ける必要が
あるが、垂直温度勾配法(VGF法)や垂直ブリッジマン法
(VB法)などは、ガス対流の影響で温度勾配が小さくなり
やすく、これを防止するためにはヒーターを細かく分割
する必要がある。このような欠点は、縦型炉を使用する
ために生じた欠点であり横型炉を使用すればよい。
【０００７】水平温度勾配法(HGF法)による単結晶の育
成方法について図１を用いて説明する。原料と溶媒をボ
ートに入れ、種結晶６をボートの所定の位置に設置して
アンプル２、例えば石英アンプル内に真空封入する。こ
のアンプル２をヒーター１で加熱し、溶媒を融解しこれ
に原料を溶解する。この融液を飽和濃度となるように温
度を保ちながら、種結晶６と接触させた後、徐々に温度
を下げて単結晶４を育成する。なお、種結晶６は必要に
応じて用いられる。
成方法について図１を用いて説明する。原料と溶媒をボ
ートに入れ、種結晶６をボートの所定の位置に設置して
アンプル２、例えば石英アンプル内に真空封入する。こ
のアンプル２をヒーター１で加熱し、溶媒を融解しこれ
に原料を溶解する。この融液を飽和濃度となるように温
度を保ちながら、種結晶６と接触させた後、徐々に温度
を下げて単結晶４を育成する。なお、種結晶６は必要に
応じて用いられる。
【０００８】この方法では800℃を下回るような温度で
もZnTe、ZnSe、GaAs、GaP等の単結晶の育成が可能であ
るが、原料の溶解度、成長速度など考えると、800℃〜1
200℃での育成が好ましい。また、この方法では温度勾
配を大きくできるため、成長速度もかなり早くできる
が、あまり早すぎると双晶や多結晶が発生したり、転位
密度が高くなったりするため、5mm/hr以下の成長速度が
好ましい。
もZnTe、ZnSe、GaAs、GaP等の単結晶の育成が可能であ
るが、原料の溶解度、成長速度など考えると、800℃〜1
200℃での育成が好ましい。また、この方法では温度勾
配を大きくできるため、成長速度もかなり早くできる
が、あまり早すぎると双晶や多結晶が発生したり、転位
密度が高くなったりするため、5mm/hr以下の成長速度が
好ましい。
【０００９】水平ブリッジマン法(HB法)でも同様である
(図２)。原料と溶媒をボートに入れ、種結晶６をボート
３の所定の位置に設置してアンプル２内に真空封入す
る。適切な温度、温度勾配となるようにヒータ1a、1bを
調整し、種結晶６を低温側に位置するようにアンプル２
を設置後、アンプル２と加熱炉とを相対的に移動させて
単結晶３を育成する。
(図２)。原料と溶媒をボートに入れ、種結晶６をボート
３の所定の位置に設置してアンプル２内に真空封入す
る。適切な温度、温度勾配となるようにヒータ1a、1bを
調整し、種結晶６を低温側に位置するようにアンプル２
を設置後、アンプル２と加熱炉とを相対的に移動させて
単結晶３を育成する。
【００１０】これらの方法では、ボートの深さが浅いた
め、上下の温度差により溶液の熱対流が起こりにくく温
度変動が小さいので双晶や多結晶が発生しにくい。ま
た、ガス対流も発生しにくいため成長方向の温度勾配を
大きくでき組成的過冷却も生じにくい。ボートの断面が
Ｄ型であるため円形ウェハを取得すると原料の歩留まり
が低下するが、多結晶の発生確率が垂直温度勾配法(VGF
法)や垂直ブリッジマン法(VB法)と比較してそれを補う
にあまりあるほど低い。また、転位密度は垂直温度勾配
法(VGF法)や垂直ブリッジマン法(VB法)と同様であり、
液体封止チョクラルスキ−法(LEC法)などど比較して著
しく低いものが得られる。
め、上下の温度差により溶液の熱対流が起こりにくく温
度変動が小さいので双晶や多結晶が発生しにくい。ま
た、ガス対流も発生しにくいため成長方向の温度勾配を
大きくでき組成的過冷却も生じにくい。ボートの断面が
Ｄ型であるため円形ウェハを取得すると原料の歩留まり
が低下するが、多結晶の発生確率が垂直温度勾配法(VGF
法)や垂直ブリッジマン法(VB法)と比較してそれを補う
にあまりあるほど低い。また、転位密度は垂直温度勾配
法(VGF法)や垂直ブリッジマン法(VB法)と同様であり、
液体封止チョクラルスキ−法(LEC法)などど比較して著
しく低いものが得られる。
【００１１】
（実施例１）ZnTe単結晶の育成を例に取って説明する。
ZnTeの融点は1295℃、融点における蒸気圧は約4気圧
で、石英ガラスアンプルを使用すると軟化破裂を起こし
てしまう。そこで、溶媒として金属Teを用い、Te:Zn=7:
3(モル比)の比で混合した。この時のZnTeの飽和温度は1
080℃、蒸気圧は約0.7atmである。
ZnTeの融点は1295℃、融点における蒸気圧は約4気圧
で、石英ガラスアンプルを使用すると軟化破裂を起こし
てしまう。そこで、溶媒として金属Teを用い、Te:Zn=7:
3(モル比)の比で混合した。この時のZnTeの飽和温度は1
080℃、蒸気圧は約0.7atmである。
【００１２】まず、ZnTe;500 gとTe;440 gをボートに入
れ、ボートの所定の位置にZnTeの種結晶を設置する。こ
のボートを石英アンプル内にセットした後、石英アンプ
ル内を真空排気しながら酸水素バーナーによって真空封
印する。これを炉内にセットしヒーターでボートの温度
を1085℃まで上げてZnTeをTe溶媒に溶かしこむ。その
後、ボートの種結晶側の温度を1080℃、他端を1100℃と
してボート内に温度勾配をつけ(図３中の実線)、融液と
種結晶を接触させる。種結晶を十分なじませてから、炉
内の温度を図３のように徐々に下げて、ZnTe単結晶を育
成した。得られた結晶は、種結晶側の約半分がZnTe単結
晶、他はTeであった。同様に実験を５回行ったが、石英
アンプルが破裂するなどのトラブルは発生せず、また５
回とも単結晶が育成できた。単結晶が高い確率で育成で
きたのは、先に述べた温度変動が小さい他、結晶の成長
が溶液表面からボートの底に向かって進行するため、ボ
ートと融液の接触点からの多結晶成長が起こらないこと
によるものである。
れ、ボートの所定の位置にZnTeの種結晶を設置する。こ
のボートを石英アンプル内にセットした後、石英アンプ
ル内を真空排気しながら酸水素バーナーによって真空封
印する。これを炉内にセットしヒーターでボートの温度
を1085℃まで上げてZnTeをTe溶媒に溶かしこむ。その
後、ボートの種結晶側の温度を1080℃、他端を1100℃と
してボート内に温度勾配をつけ(図３中の実線)、融液と
種結晶を接触させる。種結晶を十分なじませてから、炉
内の温度を図３のように徐々に下げて、ZnTe単結晶を育
成した。得られた結晶は、種結晶側の約半分がZnTe単結
晶、他はTeであった。同様に実験を５回行ったが、石英
アンプルが破裂するなどのトラブルは発生せず、また５
回とも単結晶が育成できた。単結晶が高い確率で育成で
きたのは、先に述べた温度変動が小さい他、結晶の成長
が溶液表面からボートの底に向かって進行するため、ボ
ートと融液の接触点からの多結晶成長が起こらないこと
によるものである。
【００１３】（実施例２）実施例１と同様に、ZnTe;500
gとTe;440 gをボートに入れ、このボートを石英アンプ
ル内にセットした後、石英アンプル内を真空排気しなが
ら酸水素バーナーによって真空封印する。これを炉内に
セットしヒーターでボートの温度を1085℃まで上げてZn
TeをTe溶媒に溶かしこむ。その後、ボートの低温側の温
度を1080℃、他端を1100℃としてボート内に温度勾配を
つける。そして、温度勾配の低温側に成長核が生成する
ように徐々に低温度帯を高温側に移動していくようにヒ
ータを制御する。本育成方法は、溶液成長で行っている
ためZnの拡散速度を考慮して、成長速度は0.36mm/hrと
した。育成された結晶は、低温に設定した方の約半分が
ZnTe単結晶、他はTeであった。同様に実験を５回行った
が、石英アンプルが破裂するなどのトラブルは発生せ
ず、また５回ともZnTe単結晶が育成でき再現性が確認で
きた。また、育成した結晶の品質を調べるために、液体
窒素温度である77Kにおけるフォトルミネッセンス法に
よる発光を調べた結果、530nm付近に鋭いピークを持っ
た純緑色の単一ピークが観測され、高純度で低転位な単
結晶であることがわかった。
gとTe;440 gをボートに入れ、このボートを石英アンプ
ル内にセットした後、石英アンプル内を真空排気しなが
ら酸水素バーナーによって真空封印する。これを炉内に
セットしヒーターでボートの温度を1085℃まで上げてZn
TeをTe溶媒に溶かしこむ。その後、ボートの低温側の温
度を1080℃、他端を1100℃としてボート内に温度勾配を
つける。そして、温度勾配の低温側に成長核が生成する
ように徐々に低温度帯を高温側に移動していくようにヒ
ータを制御する。本育成方法は、溶液成長で行っている
ためZnの拡散速度を考慮して、成長速度は0.36mm/hrと
した。育成された結晶は、低温に設定した方の約半分が
ZnTe単結晶、他はTeであった。同様に実験を５回行った
が、石英アンプルが破裂するなどのトラブルは発生せ
ず、また５回ともZnTe単結晶が育成でき再現性が確認で
きた。また、育成した結晶の品質を調べるために、液体
窒素温度である77Kにおけるフォトルミネッセンス法に
よる発光を調べた結果、530nm付近に鋭いピークを持っ
た純緑色の単一ピークが観測され、高純度で低転位な単
結晶であることがわかった。
【００１４】（実施例３）pBNボートにGa:GaAs=75:25(a
t%)で予めGa溶媒に多結晶を溶解した原料を1500g入れ、
石英アンプル内を2×10-6torrまで排気してから封止し
た。ヒータ1aで高温均熱帯1100℃、ヒータ1bで低温均熱
帯1000℃となるようにした。ヒータ1bに種結晶が位置す
るように石英アンプルを設置して、石英アンプルを0.1m
m/hrで移動させGaAs単結晶を育成した。得られたGaAs単
結晶の<100>面出しを行い溶融KOHでエッチングして転位
密度を測定したところ100個/cm3以下であった。このよ
うに本発明は、II-VI族化合物半導体以外のIII-V族化合
物半導体にも応用可能である。
t%)で予めGa溶媒に多結晶を溶解した原料を1500g入れ、
石英アンプル内を2×10-6torrまで排気してから封止し
た。ヒータ1aで高温均熱帯1100℃、ヒータ1bで低温均熱
帯1000℃となるようにした。ヒータ1bに種結晶が位置す
るように石英アンプルを設置して、石英アンプルを0.1m
m/hrで移動させGaAs単結晶を育成した。得られたGaAs単
結晶の<100>面出しを行い溶融KOHでエッチングして転位
密度を測定したところ100個/cm3以下であった。このよ
うに本発明は、II-VI族化合物半導体以外のIII-V族化合
物半導体にも応用可能である。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では高融点
で高解離圧を有する化合物半導体単結晶を育成するにあ
たり、育成する結晶を溶媒に溶かし飽和溶液としこれを
水平温度勾配法(HGF法)、水平ブリッジマン法(HB法)に
より結晶を育成するため、高純度で低転位密度の単結晶
が安価に得られることがわかった。
で高解離圧を有する化合物半導体単結晶を育成するにあ
たり、育成する結晶を溶媒に溶かし飽和溶液としこれを
水平温度勾配法(HGF法)、水平ブリッジマン法(HB法)に
より結晶を育成するため、高純度で低転位密度の単結晶
が安価に得られることがわかった。
【図１】水平温度勾配法(HGF法)(種結晶；有り)による
単結晶の育成を示した図である。
単結晶の育成を示した図である。
【図２】水平ブリッジマン法(HB法)による単結晶の育成
を示した図である。
を示した図である。
【図３】実施例１における、水平温度勾配法(HGF法)(種
結晶；有り)による単結晶の育成時の温度変化を示した
図である。実線は育成前の温度分布、点線は育成中時の
温度分布である。
結晶；有り)による単結晶の育成時の温度変化を示した
図である。実線は育成前の温度分布、点線は育成中時の
温度分布である。
１ ヒータ 1a ヒータ 1b ヒータ ２ アンプル ３ ボート ４ 単結晶 ５ 原料融液 ６ 種結晶
Claims (3)
- 【請求項１】アンプル内に、単結晶用原料とその溶媒を
入れその一端に種結晶を配置したボートを設置し、該ア
ンプルを真空封印した後、該アンプルを加熱炉内で加熱
して前記原料を溶媒中に溶解させ原料溶液とし、該加熱
炉の水平方向の温度分布を種結晶側の温度が前記原料溶
液側の温度より低くなるように制御しながら、該加熱炉
の温度を徐々に下げながら単結晶を育成することを特徴
とする単結晶の製造方法。 - 【請求項２】アンプル内に、単結晶用原料とその溶媒を
入れたボートを設置し、該アンプルを真空封印した後、
該アンプルを加熱炉内で加熱して前記原料を溶媒中に溶
解させ原料溶液とし、該加熱炉の水平方向の温度分布を
前記ボートの片側の温度が他方側の温度より高くなるよ
うに制御しながら、該加熱炉の温度を徐々に下げながら
単結晶を育成することを特徴とする単結晶の製造方法。 - 【請求項３】アンプル内に、単結晶用原料および溶媒を
入れその一端に種結晶を配置したボートを設置し、該ア
ンプルを真空封印した後、該アンプルを加熱炉内で加熱
して前記原料を溶媒中に溶解し原料溶液とし、該加熱炉
の水平方向の温度分布を種結晶側の温度が前記原料溶液
側の温度より低くなるように制御しながら、該アンプル
と該加熱炉を相対的に移動させて単結晶を育成すること
を特徴とする単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4506695A JPH08217589A (ja) | 1995-02-10 | 1995-02-10 | 単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4506695A JPH08217589A (ja) | 1995-02-10 | 1995-02-10 | 単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08217589A true JPH08217589A (ja) | 1996-08-27 |
Family
ID=12708986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4506695A Pending JPH08217589A (ja) | 1995-02-10 | 1995-02-10 | 単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08217589A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105401216A (zh) * | 2015-12-15 | 2016-03-16 | 河南西格马晶体科技有限公司 | 一种温场梯度水平移动法制备片状单晶的方法及装置 |
-
1995
- 1995-02-10 JP JP4506695A patent/JPH08217589A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105401216A (zh) * | 2015-12-15 | 2016-03-16 | 河南西格马晶体科技有限公司 | 一种温场梯度水平移动法制备片状单晶的方法及装置 |
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