JPH08218174A - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
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- JPH08218174A JPH08218174A JP4634395A JP4634395A JPH08218174A JP H08218174 A JPH08218174 A JP H08218174A JP 4634395 A JP4634395 A JP 4634395A JP 4634395 A JP4634395 A JP 4634395A JP H08218174 A JPH08218174 A JP H08218174A
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- JP
- Japan
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- gas
- pipe
- exhaust
- connecting member
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 排気管を構成する配管及び配管の接続部分へ
の排気物の付着を防止することができる処理装置を提供
すること。 【構成】 処理室２に排気路をなす複数の配管５１を介
して真空ポンプ９を接続し、隣接する配管５１のフラン
ジ部５２同士をカップリングなどと呼ばれる開閉自在な
接続部材６で接続することにより構成する。配管５１の
外周囲にテープヒータ７１を設けると共に接続部材６の
外周面にラバーヒータ８を貼設する。成膜処理の際配管
５１をテープヒータ７１により、配管５１の接続部分を
接続部材６に設けられたラバーヒータ８により、排気物
の昇華温度以上となるように加熱すると、配管５１内や
配管５１の継手部分付近への排気物の付着防止される。
の排気物の付着を防止することができる処理装置を提供
すること。 【構成】 処理室２に排気路をなす複数の配管５１を介
して真空ポンプ９を接続し、隣接する配管５１のフラン
ジ部５２同士をカップリングなどと呼ばれる開閉自在な
接続部材６で接続することにより構成する。配管５１の
外周囲にテープヒータ７１を設けると共に接続部材６の
外周面にラバーヒータ８を貼設する。成膜処理の際配管
５１をテープヒータ７１により、配管５１の接続部分を
接続部材６に設けられたラバーヒータ８により、排気物
の昇華温度以上となるように加熱すると、配管５１内や
配管５１の継手部分付近への排気物の付着防止される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばＣＶＤ（chemic
al vapor deposition ）装置等の処理装置に関するもの
である。
al vapor deposition ）装置等の処理装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）
の製造プロセスの一つにＣＶＤ処理があり、この処理に
用いられるＣＶＤ装置は例えば図５に示すように、気密
シール構造の処理室１０内に、サセプタ支持部１１に支
持された下部電極をなすサセプタ１２と、これに対向す
るように上部電極をなすガス導入室１３とを配置し、処
理室１０の下部側に、真空ポンプ１４と接続される排気
管１５を設けて構成される。
の製造プロセスの一つにＣＶＤ処理があり、この処理に
用いられるＣＶＤ装置は例えば図５に示すように、気密
シール構造の処理室１０内に、サセプタ支持部１１に支
持された下部電極をなすサセプタ１２と、これに対向す
るように上部電極をなすガス導入室１３とを配置し、処
理室１０の下部側に、真空ポンプ１４と接続される排気
管１５を設けて構成される。
【０００３】排気管１５は、多数の配管１６を接続して
構成されており、各配管１６の両端部にはフランジ部１
６ａが形成されていて、これらフランジ部１６ａ同士を
接合し、両フランジ部１６ａの外周囲を、カップリング
と呼ばれるリング状の開閉自在な接続部材で覆い、この
カップリング１７の内周面に周方向に形成された溝の中
にフランジ部１６ａの接合端を挟み込み、こうして各配
管を気密に接合している。また配管の接続方法として
は、両フランジ部１６ａをボルトで固定する手法もある
が、使用するガスにより液化物あるいは生成物の付着が
考えられる個所においては、配管を取り外して洗浄をし
やすくするという理由からカップリングが一般的に使用
されている。
構成されており、各配管１６の両端部にはフランジ部１
６ａが形成されていて、これらフランジ部１６ａ同士を
接合し、両フランジ部１６ａの外周囲を、カップリング
と呼ばれるリング状の開閉自在な接続部材で覆い、この
カップリング１７の内周面に周方向に形成された溝の中
にフランジ部１６ａの接合端を挟み込み、こうして各配
管を気密に接合している。また配管の接続方法として
は、両フランジ部１６ａをボルトで固定する手法もある
が、使用するガスにより液化物あるいは生成物の付着が
考えられる個所においては、配管を取り外して洗浄をし
やすくするという理由からカップリングが一般的に使用
されている。
【０００４】このようなＣＶＤ装置では、処理室１０内
を排気管１５により排気して所定の圧力に維持しなが
ら、成膜ガスをガス導入室１３から処理室１０内に導入
し、電極１２、１３間に高周波電力を印加して成膜ガス
をプラズマ化すると、サセプタ１２上に載置された基板
に所定の薄膜が形成される。ここで排気管１５内の温度
が低いと、上述のようなＣＶＤ処理を行った際、温度の
低下による凝集作用により反応生成物や成膜ガスの液化
物等からなる排気物が析出して、排気管１５内に付着す
るが、このように排気管１５内に排気物が付着すると、
処理室１０内の排気効率が経時的に変化し、被処理体の
処理のバラツキが生じたり、また処理室１０内を減圧雰
囲気から大気雰囲気に変化させる等の処理室内の圧力変
動によって、排気管１５から処理室１０内に排気管１５
内壁に付着している排気物が飛散し、パーティクルとな
って被処理体に付着してしまい被処理体の歩留りが低下
してしまうという問題が生じる。
を排気管１５により排気して所定の圧力に維持しなが
ら、成膜ガスをガス導入室１３から処理室１０内に導入
し、電極１２、１３間に高周波電力を印加して成膜ガス
をプラズマ化すると、サセプタ１２上に載置された基板
に所定の薄膜が形成される。ここで排気管１５内の温度
が低いと、上述のようなＣＶＤ処理を行った際、温度の
低下による凝集作用により反応生成物や成膜ガスの液化
物等からなる排気物が析出して、排気管１５内に付着す
るが、このように排気管１５内に排気物が付着すると、
処理室１０内の排気効率が経時的に変化し、被処理体の
処理のバラツキが生じたり、また処理室１０内を減圧雰
囲気から大気雰囲気に変化させる等の処理室内の圧力変
動によって、排気管１５から処理室１０内に排気管１５
内壁に付着している排気物が飛散し、パーティクルとな
って被処理体に付着してしまい被処理体の歩留りが低下
してしまうという問題が生じる。
【０００５】そこで各配管１６の外周囲にテ−プヒ−タ
１８を巻装すると共に、例えば配管１６の外壁に温度検
出計１８ａを設け、温調器１８ｂにより温度制御しなが
らテ−プヒータ１８により排気管１５を排気物が付着し
ない程度に加熱し、これらの付着を防いでいる。一方例
えば真空ポンプ１４の直前にはトラップ１９が設けら
れ、廃棄物が配管内を気体のまま通過して、このトラッ
プ１９にて析出捕集されるようになっている。
１８を巻装すると共に、例えば配管１６の外壁に温度検
出計１８ａを設け、温調器１８ｂにより温度制御しなが
らテ−プヒータ１８により排気管１５を排気物が付着し
ない程度に加熱し、これらの付着を防いでいる。一方例
えば真空ポンプ１４の直前にはトラップ１９が設けら
れ、廃棄物が配管内を気体のまま通過して、このトラッ
プ１９にて析出捕集されるようになっている。
【０００６】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら上述
のＣＶＤ装置では、各配管１６の接続部分の周囲には、
テ−プヒータ１８を巻装することは困難であったため、
この部分を加熱していなかった。従って各配管１６の接
続部分は低温となり、このためこの部分に排気物が付着
してしまい、上述のように、排気効率の変化による処理
のバラツキや、パーティクルによる被処理体の歩留りの
低下の原因となっていた。またこれらの問題を解決する
ためには、付着物を除去することが必要であるが、付着
物の除去作業は各配管のカップリングの取り外しや各配
管の分離、洗浄といった面倒な作業を伴うと共に、ＣＶ
Ｄ装置の稼働効率の低下を引き起こし、また成膜ガスの
液化物自体や反応生成物が腐食性を有している場合には
排気管の腐食を引き起こすおそれがあった。
のＣＶＤ装置では、各配管１６の接続部分の周囲には、
テ−プヒータ１８を巻装することは困難であったため、
この部分を加熱していなかった。従って各配管１６の接
続部分は低温となり、このためこの部分に排気物が付着
してしまい、上述のように、排気効率の変化による処理
のバラツキや、パーティクルによる被処理体の歩留りの
低下の原因となっていた。またこれらの問題を解決する
ためには、付着物を除去することが必要であるが、付着
物の除去作業は各配管のカップリングの取り外しや各配
管の分離、洗浄といった面倒な作業を伴うと共に、ＣＶ
Ｄ装置の稼働効率の低下を引き起こし、また成膜ガスの
液化物自体や反応生成物が腐食性を有している場合には
排気管の腐食を引き起こすおそれがあった。
【０００７】本発明はこのような事情の下になされたも
のであり、その目的は排気路を構成する配管の継手部へ
の排気物の付着を抑えることができる処理装置を提供す
ることにある。
のであり、その目的は排気路を構成する配管の継手部へ
の排気物の付着を抑えることができる処理装置を提供す
ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、排気
路をなすガス配管同士を互に接続して固定するために配
管の継手部に接続部材を設け、処理室内に処理ガスを導
入して被処理体を処理すると共に前記ガス配管を加熱し
ながら排気する処理装置において、前記接続部材に加熱
手段を設けたことを特徴とする。
路をなすガス配管同士を互に接続して固定するために配
管の継手部に接続部材を設け、処理室内に処理ガスを導
入して被処理体を処理すると共に前記ガス配管を加熱し
ながら排気する処理装置において、前記接続部材に加熱
手段を設けたことを特徴とする。
【０００９】請求項２の発明は、排気路をなすガス配管
の端部のフランジ部同士を互に接合して継手部を形成す
ると共に、内周面に溝部が周方向に形成されたリング状
の接続部材により前記継手部の周囲を着脱自在に囲み、
前記溝部内に前記継手部を挟み込むことによりフランジ
部同士を固定し、処理室内に処理ガスを導入して被処理
体を処理すると共に前記ガス配管を加熱しながら排気す
る処理装置において、前記接続部材に加熱手段を設けた
ことを特徴とする。
の端部のフランジ部同士を互に接合して継手部を形成す
ると共に、内周面に溝部が周方向に形成されたリング状
の接続部材により前記継手部の周囲を着脱自在に囲み、
前記溝部内に前記継手部を挟み込むことによりフランジ
部同士を固定し、処理室内に処理ガスを導入して被処理
体を処理すると共に前記ガス配管を加熱しながら排気す
る処理装置において、前記接続部材に加熱手段を設けた
ことを特徴とする。
【００１０】請求項３の発明は、請求項１または２記載
の発明において、加熱手段は、接続部材の外周面に設け
られた柔軟な面状の発熱体であることを特徴とする。
の発明において、加熱手段は、接続部材の外周面に設け
られた柔軟な面状の発熱体であることを特徴とする。
【００１１】請求項４の発明は、請求項３記載の発明に
おいて、面状の発熱体は、絶縁性のラバーの中に抵抗発
熱フィルムを埋設してなるものであることを特徴とす
る。
おいて、面状の発熱体は、絶縁性のラバーの中に抵抗発
熱フィルムを埋設してなるものであることを特徴とす
る。
【００１２】請求項５の発明は、請求項１、２、３また
は４記載の発明において、接続部材に設けられた温度検
出手段と、この温度検出手段の検出温度に基づいて、加
熱手段を、継手部の内面の温度が排気物の蒸気圧曲線の
気体領域となるように制御する制御手段とを備えたこと
を特徴とする。
は４記載の発明において、接続部材に設けられた温度検
出手段と、この温度検出手段の検出温度に基づいて、加
熱手段を、継手部の内面の温度が排気物の蒸気圧曲線の
気体領域となるように制御する制御手段とを備えたこと
を特徴とする。
【００１３】
【作用】配管の加熱に加えて、配管の継手部を加熱手段
により所定温度以上に加熱すると、排気物例えば反応生
成物や処理ガスの液化物は排気管内を気体のまま通過す
るため、これら排気物が凝集作用により析出して配管の
継手部に付着することを防止できる。またリング状の接
続部材にラバ−ヒ−タを貼設する構成とすれば、加熱手
段の装着が容易であり、また継手部の内面を確実に所定
温度に加熱できる。さらに制御手段を設けて加熱手段の
加熱温度を制御すれば、不要な加熱エネルギーを少なく
しながら確実に排気物の付着を抑えることができる。
により所定温度以上に加熱すると、排気物例えば反応生
成物や処理ガスの液化物は排気管内を気体のまま通過す
るため、これら排気物が凝集作用により析出して配管の
継手部に付着することを防止できる。またリング状の接
続部材にラバ−ヒ−タを貼設する構成とすれば、加熱手
段の装着が容易であり、また継手部の内面を確実に所定
温度に加熱できる。さらに制御手段を設けて加熱手段の
加熱温度を制御すれば、不要な加熱エネルギーを少なく
しながら確実に排気物の付着を抑えることができる。
【００１４】
【実施例】以下本発明の実施例について説明する。図１
は本発明の実施例に係る処理装置例えばプラズマＣＶＤ
装置の全体構成を示す略断面図である。図中２は気密構
造の処理室であり、この処理室２の一側壁面には図示し
ないロードロック室との間を気密にシールするゲートバ
ルブ２１、２２が設けられると共に、処理室２内の底面
中央部には、例えばアルミナ等よりなる、例えば円柱状
の絶縁部材３１が配設されている。絶縁部材３１の上に
は、プラズマを生起するための一方の電極として導電性
金属例えばアルミニウム等よりなり、下部電極をなすサ
セプタ３が配設されており、半導体ウエハＷはこのサセ
プタ３上に載置される。なおサセプタ３は５０ｋＨｚ〜
２００ＭＨｚ高周波電源Ｅ例えば１３．５６ＭＨｚ電源
の一端側に接続されている。
は本発明の実施例に係る処理装置例えばプラズマＣＶＤ
装置の全体構成を示す略断面図である。図中２は気密構
造の処理室であり、この処理室２の一側壁面には図示し
ないロードロック室との間を気密にシールするゲートバ
ルブ２１、２２が設けられると共に、処理室２内の底面
中央部には、例えばアルミナ等よりなる、例えば円柱状
の絶縁部材３１が配設されている。絶縁部材３１の上に
は、プラズマを生起するための一方の電極として導電性
金属例えばアルミニウム等よりなり、下部電極をなすサ
セプタ３が配設されており、半導体ウエハＷはこのサセ
プタ３上に載置される。なおサセプタ３は５０ｋＨｚ〜
２００ＭＨｚ高周波電源Ｅ例えば１３．５６ＭＨｚ電源
の一端側に接続されている。
【００１５】サセプタ３の上方には、ガス導入部を兼用
する、接地された上部電極４１がこれと対向するように
配設されている。この上部電極４１は、例えば２本のガ
ス供給管４２ａ，４２ｂからの異なった処理ガスを処理
室２内に噴射孔４１ａを通じて別々に例えばシャワ−状
に供給するように構成されている。
する、接地された上部電極４１がこれと対向するように
配設されている。この上部電極４１は、例えば２本のガ
ス供給管４２ａ，４２ｂからの異なった処理ガスを処理
室２内に噴射孔４１ａを通じて別々に例えばシャワ−状
に供給するように構成されている。
【００１６】また処理室２の下部には、排気口５０を介
して排気路をなす排気管５が接続されており、この排気
管５の端部はトラップ５３を介して排気手段、例えば真
空ポンプ９に接続されている。ここで排気管５は、複数
の配管５１を接続してなり、これら配管５１の両端部に
はフランジ部５２が形成されていて、図２に示すように
隣接するフランジ部５２同士を例えばＯリング５３を介
して接合させると共に、配管５１の継手部即ちこれらフ
ランジ部５２の接合部外周囲をカップリングなどと呼ば
れる接続部材６で覆うことによりフランジ部５２同士を
固定して、隣接する配管５１同士が接続されている。さ
らに各配管５１の外周面には第一の加熱手段例えばテー
プヒータ７１が巻装されると共に、排気管５の例えば複
数個所には第一の温度検出計７２が設けられて、この検
出値に基づいて制御手段例えば温調器７３によりテープ
ヒータ７１の温度が所定温度に制御される。
して排気路をなす排気管５が接続されており、この排気
管５の端部はトラップ５３を介して排気手段、例えば真
空ポンプ９に接続されている。ここで排気管５は、複数
の配管５１を接続してなり、これら配管５１の両端部に
はフランジ部５２が形成されていて、図２に示すように
隣接するフランジ部５２同士を例えばＯリング５３を介
して接合させると共に、配管５１の継手部即ちこれらフ
ランジ部５２の接合部外周囲をカップリングなどと呼ば
れる接続部材６で覆うことによりフランジ部５２同士を
固定して、隣接する配管５１同士が接続されている。さ
らに各配管５１の外周面には第一の加熱手段例えばテー
プヒータ７１が巻装されると共に、排気管５の例えば複
数個所には第一の温度検出計７２が設けられて、この検
出値に基づいて制御手段例えば温調器７３によりテープ
ヒータ７１の温度が所定温度に制御される。
【００１７】また接続部材６は、図２〜図４に示すよう
に、一端側が外方に屈曲している円弧状の一対の円弧バ
ンド６ａ，６ｂを用い、この円弧バンド６ａ，６ｂの一
端側（図中６１ａ，６１ｂ側）同士に跨がって図示しな
い固定部材（図３、図４では裏側に位置するため見えな
い）を設け、図３中前記一端部の手前側から回転軸６４
ａ，６４ｂを夫々円弧バンド６ａ，６ｂを通して前記固
定部材に固定し、こうして円弧バンド６ａ，６ｂが夫々
回転軸６４ａ，６４ｂを中心に拡開した状態と、配管の
継手部の外周囲を囲むようにリング状になる状態との間
で開閉するように構成されている。また円弧バンド６
ａ，６ｂの他端側（図中６２ａ，６２ｂ側）は外方に屈
曲されており、この屈曲端同士を結合するために蝶ネジ
６５が設けられていて、蝶ネジ６５を外すと、円弧バン
ド６ａ，６ｂは回転軸６４ａ，６４ｂを中心に開閉する
ように構成されている。
に、一端側が外方に屈曲している円弧状の一対の円弧バ
ンド６ａ，６ｂを用い、この円弧バンド６ａ，６ｂの一
端側（図中６１ａ，６１ｂ側）同士に跨がって図示しな
い固定部材（図３、図４では裏側に位置するため見えな
い）を設け、図３中前記一端部の手前側から回転軸６４
ａ，６４ｂを夫々円弧バンド６ａ，６ｂを通して前記固
定部材に固定し、こうして円弧バンド６ａ，６ｂが夫々
回転軸６４ａ，６４ｂを中心に拡開した状態と、配管の
継手部の外周囲を囲むようにリング状になる状態との間
で開閉するように構成されている。また円弧バンド６
ａ，６ｂの他端側（図中６２ａ，６２ｂ側）は外方に屈
曲されており、この屈曲端同士を結合するために蝶ネジ
６５が設けられていて、蝶ネジ６５を外すと、円弧バン
ド６ａ，６ｂは回転軸６４ａ，６４ｂを中心に開閉する
ように構成されている。
【００１８】この円弧バンド６ａ、６ｂの内周面には、
配管５１の継手部において、隣接するフランジ部５２を
両側から抑えて固定するように、フランジ部５２同士の
接合部の形状に合わせて凹部６３が形成されている。即
ち前記接合部は断面が配管の外側に向って狭くなる台形
状に形成されると共に、円弧バンド６ａ，６ｂの凹部６
３は、この台形状に適合する形状に形成されており、従
って円弧バンド６ａ，６ｂの他端側の蝶ネジ６５を締め
付けることにより、前記凹部６３と前記接合部とが強固
に密合し、継手部が気密にシ−ルされることとなる。
配管５１の継手部において、隣接するフランジ部５２を
両側から抑えて固定するように、フランジ部５２同士の
接合部の形状に合わせて凹部６３が形成されている。即
ち前記接合部は断面が配管の外側に向って狭くなる台形
状に形成されると共に、円弧バンド６ａ，６ｂの凹部６
３は、この台形状に適合する形状に形成されており、従
って円弧バンド６ａ，６ｂの他端側の蝶ネジ６５を締め
付けることにより、前記凹部６３と前記接合部とが強固
に密合し、継手部が気密にシ−ルされることとなる。
【００１９】さらにこれら、円弧バンド６ａ、６ｂに
は、例えば両端部を除いた略外周面全体に、加熱手段例
えばラバーヒータ８が貼設されている。このラバーヒー
タ８は、薄い導電性フィルムをエッチングしてなる発熱
フィルム８１を絶縁性ラバ−例えばシリコンラバー８２
で被覆して、全体として柔軟に構成された例えば厚さ
１．０ｍｍのヒータであり、例えば接着剤により、円弧
バンド６ａ、６ｂの外周面に貼設される。また円弧バン
ドの外周面には第二の温度検出計８３例えば熱電対が設
けられていて、この検出値に基づいて制御手段例えば温
調器８４によりラバーヒータ８の温度が制御される。
は、例えば両端部を除いた略外周面全体に、加熱手段例
えばラバーヒータ８が貼設されている。このラバーヒー
タ８は、薄い導電性フィルムをエッチングしてなる発熱
フィルム８１を絶縁性ラバ−例えばシリコンラバー８２
で被覆して、全体として柔軟に構成された例えば厚さ
１．０ｍｍのヒータであり、例えば接着剤により、円弧
バンド６ａ、６ｂの外周面に貼設される。また円弧バン
ドの外周面には第二の温度検出計８３例えば熱電対が設
けられていて、この検出値に基づいて制御手段例えば温
調器８４によりラバーヒータ８の温度が制御される。
【００２０】次に上述実施例の作用について述べる。先
ず被処理体である半導体ウエハＷを、図示しない搬送ア
ームによりゲートバルブ２１を介して、処理室２内に搬
入し、サセプタ３のウエハ載置面に載置する。そしてガ
ス供給管４２より、上部電極４１、噴射孔４１ａを介し
て処理室２内に例えばＴｉＣｌ4 ガス及びＮＨ3 ガスか
らなる成膜ガスを所定の流量で供給すると共に、排気管
５を介して真空ポンプ９により排気し、処理室２内を所
定の真空度に維持しながら、更にサセプタ３と上部電極
４１との間に、高周波電圧を印加し、上部電極４１の下
にプラズマを発生させ、ウエハＷ上にＴｉＮ膜を形成す
るための成膜処理を行なう。
ず被処理体である半導体ウエハＷを、図示しない搬送ア
ームによりゲートバルブ２１を介して、処理室２内に搬
入し、サセプタ３のウエハ載置面に載置する。そしてガ
ス供給管４２より、上部電極４１、噴射孔４１ａを介し
て処理室２内に例えばＴｉＣｌ4 ガス及びＮＨ3 ガスか
らなる成膜ガスを所定の流量で供給すると共に、排気管
５を介して真空ポンプ９により排気し、処理室２内を所
定の真空度に維持しながら、更にサセプタ３と上部電極
４１との間に、高周波電圧を印加し、上部電極４１の下
にプラズマを発生させ、ウエハＷ上にＴｉＮ膜を形成す
るための成膜処理を行なう。
【００２１】またこの成膜処理の際、上述のガスの液化
物や反応生成物が温度の低下による凝集作用により析出
して排気管５を構成する各配管５１の内壁や各配管５１
の接続部分付近に付着することを防止するために、各配
管５１はテープヒータ７により、また接続部分は接続部
材６に貼設されたラバーヒータ８によりそれぞれ加熱さ
れる。
物や反応生成物が温度の低下による凝集作用により析出
して排気管５を構成する各配管５１の内壁や各配管５１
の接続部分付近に付着することを防止するために、各配
管５１はテープヒータ７により、また接続部分は接続部
材６に貼設されたラバーヒータ８によりそれぞれ加熱さ
れる。
【００２２】この際、ガスの液化物や反応生成物等の排
気管５内への付着を防止するためには、排気管５内を成
膜ガス自体や反応生成物等の排気物を気体状態のまま通
過させることが必要であり、このためには各配管５１や
各接続部材６の内壁面を排気物の昇華温度以上に加熱す
ることが必要である。従って各配管５１は、温度検出計
７２により温度が検出され、温調器７３によりこの検出
値に基づいて、各配管５１の内壁温度が排気物の昇華温
度以上となるように、各テープヒータ７１への電力供給
量が制御され、各テープヒータ７１の加熱温度が制御さ
れる。また各接続部材６は、温度検出計８３により温度
が検出され、温調器８４によりこの検出値に基づいて、
各接続部材６の内面付近の温度が排気物の昇華温度以上
となるように、各ラバーヒータ８への電力供給量が制御
され、各ラバーヒータ８の加熱温度が制御される。そし
て排気管５内を気体状態の儘通過した廃棄物は、トラッ
プ５３にて、凝縮作用により析出させ、捕集される。
気管５内への付着を防止するためには、排気管５内を成
膜ガス自体や反応生成物等の排気物を気体状態のまま通
過させることが必要であり、このためには各配管５１や
各接続部材６の内壁面を排気物の昇華温度以上に加熱す
ることが必要である。従って各配管５１は、温度検出計
７２により温度が検出され、温調器７３によりこの検出
値に基づいて、各配管５１の内壁温度が排気物の昇華温
度以上となるように、各テープヒータ７１への電力供給
量が制御され、各テープヒータ７１の加熱温度が制御さ
れる。また各接続部材６は、温度検出計８３により温度
が検出され、温調器８４によりこの検出値に基づいて、
各接続部材６の内面付近の温度が排気物の昇華温度以上
となるように、各ラバーヒータ８への電力供給量が制御
され、各ラバーヒータ８の加熱温度が制御される。そし
て排気管５内を気体状態の儘通過した廃棄物は、トラッ
プ５３にて、凝縮作用により析出させ、捕集される。
【００２３】このように上述実施例においては、薄い導
電性フィルムをエッチングしてなる発熱フィルムの外面
を絶縁性のラバ−例えばシリコンラバーで被覆すること
により、厚さが例えば１．０ｍｍの薄い面状であって、
柔軟性を有するラバーヒータを構成しているので、表面
形状が曲面である円弧バンドを組み合わせてなる接続部
材の外表面にも、その形状に合わせてヒータを設けるこ
とができる。
電性フィルムをエッチングしてなる発熱フィルムの外面
を絶縁性のラバ−例えばシリコンラバーで被覆すること
により、厚さが例えば１．０ｍｍの薄い面状であって、
柔軟性を有するラバーヒータを構成しているので、表面
形状が曲面である円弧バンドを組み合わせてなる接続部
材の外表面にも、その形状に合わせてヒータを設けるこ
とができる。
【００２４】このため各配管の継手部及びその付近を接
続部材を介して加熱することができ、これにより各配管
の接続部付近の温度を排気物の昇華温度以上に加熱し
て、排気物の付着を防止することができる。この結果、
排気物の付着が原因となる排気効率の変化を抑えると共
に、パーティクルを減少させて被処理体の歩留まりを向
上させることができる。また排気管の洗浄回数が減少す
ることから、洗浄に要する労力を軽減させると共に、処
理装置の稼働効率を向上させることができる。
続部材を介して加熱することができ、これにより各配管
の接続部付近の温度を排気物の昇華温度以上に加熱し
て、排気物の付着を防止することができる。この結果、
排気物の付着が原因となる排気効率の変化を抑えると共
に、パーティクルを減少させて被処理体の歩留まりを向
上させることができる。また排気管の洗浄回数が減少す
ることから、洗浄に要する労力を軽減させると共に、処
理装置の稼働効率を向上させることができる。
【００２５】さらに各配管と各接続部材とは共に温度制
御され、排気物が付着しない程度の適切な温度で加熱さ
れることから、不要な加熱エネルギーを減らしながら確
実に排気物の付着を防止することができる。
御され、排気物が付着しない程度の適切な温度で加熱さ
れることから、不要な加熱エネルギーを減らしながら確
実に排気物の付着を防止することができる。
【００２６】以上において本発明は処理の結果、排気路
に排気物が付着する可能性がある処理装置に適用でき、
例えばＣＶＤ装置以外にエッチング装置やアッシング装
置あるいはバッチ式の熱処理装置等に対しても適用でき
る。
に排気物が付着する可能性がある処理装置に適用でき、
例えばＣＶＤ装置以外にエッチング装置やアッシング装
置あるいはバッチ式の熱処理装置等に対しても適用でき
る。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、排気路をなす配管の継
手部を、接続部材に設けられた加熱手段例えばラバーヒ
ータにより加熱しているため、配管のみならず配管の接
続部分についても排気物の付着を抑えることができる。
また制御手段を設けて加熱手段の加熱温度を制御した場
合には、不要な加熱エネルギーを減らしながら確実に排
気物の付着を抑えることができる。
手部を、接続部材に設けられた加熱手段例えばラバーヒ
ータにより加熱しているため、配管のみならず配管の接
続部分についても排気物の付着を抑えることができる。
また制御手段を設けて加熱手段の加熱温度を制御した場
合には、不要な加熱エネルギーを減らしながら確実に排
気物の付着を抑えることができる。
【図１】本発明の処理装置の一例を示す断面図である。
【図２】排気管を構成する配管と接続部材とを示す断面
図である。
図である。
【図３】配管の接続部材を示す斜視図である。
【図４】配管の接続部材を示す平面図である。
【図５】従来の処理装置の一例を示す断面図である。
２ 処理室 ３ サセプタ ４１ 上部電極 ５ 排気管 ５１ 配管 ６ 接続部材 ７１ ヒータ ７２、８３ 温度検出計 ７３、８４ 温調器 ８ ラバーヒータ ９ 真空ポンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｃ２１Ｄ 1/74 Ｃ２１Ｄ 1/74 Ｚ
Claims (5)
- 【請求項１】 排気路をなすガス配管同士を互に接続し
て固定するために配管の継手部に接続部材を設け、 処理室内に処理ガスを導入して被処理体を処理すると共
に前記ガス配管を加熱しながら排気する処理装置におい
て、 前記接続部材に加熱手段を設けたことを特徴とする処理
装置。 - 【請求項２】 排気路をなすガス配管の端部のフランジ
部同士を互に接合して継手部を形成すると共に、内周面
に溝部が周方向に形成されたリング状の接続部材により
前記継手部の周囲を着脱自在に囲み、前記溝部内に前記
継手部を挟み込むことによりフランジ部同士を固定し、 処理室内に処理ガスを導入して被処理体を処理すると共
に前記ガス配管を加熱しながら排気する処理装置におい
て、 前記接続部材に加熱手段を設けたことを特徴とする処理
装置。 - 【請求項３】 加熱手段は、接続部材の外周面に設けら
れた柔軟な面状の発熱体であることを特徴とする請求項
１または２記載の処理装置。 - 【請求項４】 面状の発熱体は、絶縁性のラバーの中に
抵抗発熱フィルムを埋設してなるものであることを特徴
とする請求項３記載の処理装置。 - 【請求項５】 接続部材に設けられた温度検出手段と、
この温度検出手段の検出温度に基づいて、加熱手段を、
継手部の内面の温度が排気物の蒸気圧曲線の気体領域と
なるように制御する制御手段とを備えたことを特徴とす
る請求項１、２、３または４記載の処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04634395A JP3597903B2 (ja) | 1995-02-10 | 1995-02-10 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04634395A JP3597903B2 (ja) | 1995-02-10 | 1995-02-10 | 処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08218174A true JPH08218174A (ja) | 1996-08-27 |
| JP3597903B2 JP3597903B2 (ja) | 2004-12-08 |
Family
ID=12744503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04634395A Expired - Lifetime JP3597903B2 (ja) | 1995-02-10 | 1995-02-10 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3597903B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006326553A (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 排ガス処理装置 |
| US7211708B2 (en) | 2000-04-03 | 2007-05-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Exhaust processing method, plasma processing method and plasma processing apparatus |
| JP2007204855A (ja) * | 2007-05-20 | 2007-08-16 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
| JP2015214746A (ja) * | 2014-04-21 | 2015-12-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 排気システム |
| US9314824B2 (en) | 2013-11-08 | 2016-04-19 | Mks Instruments, Inc. | Powder and deposition control in throttle valves |
| CN106041082A (zh) * | 2016-07-27 | 2016-10-26 | 沈阳航空航天大学 | 一种用于金属激光增材制造的模块化箱体 |
| KR20230164013A (ko) | 2021-03-31 | 2023-12-01 | 에드워즈 가부시키가이샤 | 가스 배관 온도 조절 시스템 및 온도 동작 장치 |
-
1995
- 1995-02-10 JP JP04634395A patent/JP3597903B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7211708B2 (en) | 2000-04-03 | 2007-05-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Exhaust processing method, plasma processing method and plasma processing apparatus |
| JP2006326553A (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 排ガス処理装置 |
| JP2007204855A (ja) * | 2007-05-20 | 2007-08-16 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
| US9314824B2 (en) | 2013-11-08 | 2016-04-19 | Mks Instruments, Inc. | Powder and deposition control in throttle valves |
| JP2015214746A (ja) * | 2014-04-21 | 2015-12-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 排気システム |
| CN106041082A (zh) * | 2016-07-27 | 2016-10-26 | 沈阳航空航天大学 | 一种用于金属激光增材制造的模块化箱体 |
| KR20230164013A (ko) | 2021-03-31 | 2023-12-01 | 에드워즈 가부시키가이샤 | 가스 배관 온도 조절 시스템 및 온도 동작 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3597903B2 (ja) | 2004-12-08 |
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