JPH08220385A - 自己整列型光繊維−光素子結合装置の製造方法 - Google Patents

自己整列型光繊維−光素子結合装置の製造方法

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JPH08220385A
JPH08220385A JP31283795A JP31283795A JPH08220385A JP H08220385 A JPH08220385 A JP H08220385A JP 31283795 A JP31283795 A JP 31283795A JP 31283795 A JP31283795 A JP 31283795A JP H08220385 A JPH08220385 A JP H08220385A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】Ｖ溝とソルダバンプの整列誤差の発生を防止
し、光素子と光繊維の光結合効率を向上する自己整列型
の光繊維−光素子結合装置の製造方法を提供する。 【解決手段】シリコン基板１１の表面に第１絶縁膜１３
及び１対の金属パッド１５を形成する工程と、第１絶縁
膜１３及び金属パッド１５の上部に第２絶縁膜１７を形
成する工程と、金属パッド１５のそれぞれに対応する部
位に第２開口部２３を、さらに当該２つの第２開口部２
３の中間位置に第１開口部２１を形成するように感光膜
１９を形成する工程と、感光膜１９をマスクとして第１
及び第２絶縁膜１３、１７を除去してシリコン基板１１
と金属パッド１５を露出させる工程と、感光膜１９を除
去して第１及び第２絶縁膜１３、１７を蝕刻マスクとし
てシリコン基板１１の露出した部分にＶ溝２７を形成す
る工程と、金属パッド１５の上部にソルダバンプ２９を
形成する工程とを具備する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、自己整列型光繊維
−光素子結合装置の製造方法に関する事で、特に実装さ
れる光素子の導波路と光繊維の中心を整列させる、自己
整列型光繊維−光素子結合装置の製造方法に関する事で
有る。
【０００２】
【従来の技術】レーザーダイオード又はフォトダイオー
ド等の如き光素子を光繊維と結合させた時、光素子の導
波路と光繊維の中心（ｃｏｒｅ）が、水平及び垂直方向
に±１．０μｍの精度で一直線に整列させなければ、光
素子から発生した光を損失なく光繊維に伝送させる事が
出来ない。光素子と光繊維を精密に整列させる為に光繊
維を実装させる為のＶ溝と光素子をフリップチップボン
ディングする為のソルタバンプ（Ｓｏｌｄｅｒ ｂｕｍ
ｐ：半田付け用バンプ）が形成された光繊維−光素子結
合装置が使用されている。
【０００３】上述した光繊維−光素子結合装置を利用し
て光繊維と光素子を自己整列させる方法は、ＩＥＥＥ
ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＣＯＭＰＯＮＥＮＴ
Ｓ，ＨＹＢＲＩＤＳ，ＡＮＤ ＭＡＮＵＦＡＣＴＵＲＩ
ＮＧ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ，ＶＯＬ．１３，ＮＯ．４
ＰＰ．７８０−７８６，ＤＥＣＥＭＢＥＲ（１９９
０）に例示されている。
【０００４】上記方法は精密な寸法制御が可能なるＶ溝
を持つシリコン基板に、光繊維を実装して、光素子をソ
ルダバンプを利用して、導波路が光繊維の中心と一致す
るようにフリップチップボンディングする。
【０００５】此の方法は光素子の導波路と光繊維が、垂
直及び水平方向に各々±１μｍ程度の少ない誤差で整列
されるので、良好なる光結合効率を得る事が出来、既存
のワイヤボンディングに較べて優秀なる電気的特性と熱
特性を持つのである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】一方、上記従来の、光
繊維と光素子を自己整列させる光繊維−光素子結合装置
は、表面に絶縁膜を形成したシリコン基板上の所定部分
に、真空蒸着及びフォトエッチング方法に依り金属パッ
ド（Ｐａｄ）が形成され、異方性蝕刻（ａｎｉｓｏｔｒ
ｏｐｉｃ ｅｔｃｈｉｎｇ）方法に依りＶ溝が形成され
る。それから、絶縁膜が形成された後、上記金属パッド
上部のソルダバンプが形成される所定部分が露出される
ように除去され、上記金属パッドの露出した部分にソル
ダバンプが形成される。
【０００７】しかし、上記Ｖ溝の形成処理と、ソルダバ
ンプ形成のための金属パッドの露出処理とは、各々別の
マスク及び工程にて実行されるので、Ｖ溝が広い幅と深
い深さを持つ場合に、整列誤差が増加され、光素子と光
繊維の間の光結合効率が低下するという問題点が有っ
た。
【０００８】従って、本発明の目的は、Ｖ溝とソルダバ
ンプの整列誤差の発生を防止して、光素子と光繊維の光
結合効率を向上し得る、自己整列型光繊維−光素子結合
装置の製造方法を提供することに有る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する為、
本発明に従う自己整列型光繊維−光素子結合装置の製造
方法は、シリコン基板の表面に第１絶縁膜を形成し、此
の第１絶縁膜の上部に所定離隔距離を持つ金属パッド
（Ｐａｄ）を形成する工程と、上記第１絶縁膜と金属パ
ッドの上部に第２絶縁膜を形成する工程と、上記第２絶
縁膜の上部に上記金属パッドの周囲は所定部分が重畳
（積み重ねる）され対応する第１開口部と上記第１開口
部間の中間で片側（一側）が上記第１開口部と重畳され
ず反対側（他側）の上記シリコン基板の側面まで延長さ
れる第２開口部とを持つ感光膜を形成する工程と、上記
感光膜をマスクに使用して上記第１及び第２開口部に依
って露出された上第１及び第２絶縁膜を除去して上記シ
リコン基板と上記金属パッドを露出させる工程と、上記
感光膜を除去し上記第１及び第２絶縁膜を蝕刻マスクを
利用して上記シリコン基板の露出した部分にＶ溝を形成
する工程と、上記金属パッドの上部にソルダバンプを形
成する工程とを備える。
【００１０】また、他の実施態様として、本発明による
自己整列型光繊維−光素子結合装置の製造方法は、シリ
コン基板の表面に第１絶縁膜を形成し、当該第１絶縁膜
の上部に所定間隔だけ離して、１対の金属パッドを形成
する工程と、上記第１絶縁膜と上記１対の金属パッドの
上部に、第２絶縁膜を形成する工程と、上記第２絶縁膜
の上部に、上記１対の金属パッドのそれぞれに対応する
１対の第２開口部、及び、上記１対の第２開口部の中間
に、当該両第２開口部を結ぶ方向と直交しかつ上記シリ
コン基板の表面と平行な方向に沿って、一方の端が上記
両第２開口部と重畳されず、他端が上記シリコン基板の
側端面まで延長される、第１開口部を持つ感光膜を形成
する工程と、上記感光膜をマスクに使って、上記第１及
び第２開口部に依り露出した上記第１及び第２絶縁膜を
除去して、上記シリコン基板及び上記金属パッドの表面
を露出させる工程と、上記感光膜を除去して、上記第１
及び第２絶縁膜を蝕刻マスクに利用して上記シリコン基
板の露出された部分にＶ溝を形成する工程と、上記金属
パッドの上部にソルダバンプを形成する工程とを具備す
る。
【００１１】また、上記発明において、前記第２開口部
は、例えば、対応する上記金属パッドの表面積よりも小
さい開口面積を備え、その中心が当該対応する上記金属
パッド表面上の中心位置と略一致する位置に形成するも
のとする。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態の一
例を、添付したる図面を参照して詳しく説明する。
【００１３】ここで、図１（Ａ）〜（Ｄ）は、本実施形
態における自己整列型光繊維−光素子結合装置の製造工
程図で有る。また、図２は、本実施形態の製造方法によ
り製造された、自己整列型光繊維−光素子結合装置に、
光素子３３と光繊維３１とを装着した状態を上面から見
た図であり、図３は図２のＩ−Ｉ断面図である。なお、
図２の３５は光素子３３の光導波路を示し、図１（Ｄ）
は図２の結合装置を紙面に向かって右方向から見た側面
図である。
【００１４】図１（Ａ）を参照すれば、結晶面が（１０
０）なるシリコン基板１１上部及び下部表面に、シリコ
ン窒化膜又はシリコン酸化膜等を化学気相蒸着法（ＣＶ
Ｄ）又は熱酸化法にて蒸着して、第１絶縁膜１３を形成
する。
【００１５】上記にて金属パッド１５は、Ａｕ／Ｐｔ／
Ｃｕ／Ｃｒ又はＡｕ／Ｐｔ／Ｎｉ／Ｔｉ等の、複数の金
属を順次積層して形成する。ここで、上記第１絶縁膜１
３は、上記シリコン基板１１と金属パッド（Ｐａｄ）１
５との間を絶縁させている。
【００１６】図１（Ｂ）を参照すれば、上記第１絶縁膜
１３と金属パッド１５の全面に、化学気相法にてシリコ
ン窒化膜あるいはシリコン酸化膜を蒸着して、第２絶縁
膜１７を形成する。
【００１７】続いて、第２絶縁膜１７の全面に感光膜１
９を塗布した後、これをパターニングし、上記金属パッ
ド１５の上側の第２絶縁膜１７が露出されると共に、２
つの上記金属パッド１５の間の第２絶縁膜１７が所定の
幅で露出されるように、２つの第２開口部２３と、１つ
の第１開口部２１とを形成する。
【００１８】すなわち、本実施形態においては、上記第
１開口部２１と第２開口部２３を形成する感光膜１９の
パターニング工程は、１枚のフォトマスクを用い、遂行
される。
【００１９】その次に、上記第１開口部２１により露出
された第２絶縁膜１７と第１絶縁膜１３を蝕刻して、半
導体基板１１が露出されるようにすると同時に、第２開
口部２３を介して露出された第２絶縁膜１７を除去し
て、上記金属パッド１５が所定の幅で露出されるように
する。
【００２０】この時、上記第１開口部２１の幅（図面の
左右方向）は、後で実装される光繊維３１の直径と大略
同一な直径とする。さらに、上記第１開口部２１の、図
１の紙面に対して垂直な方向での形状（シリコン基板１
１表面と平行な面での形状）は、図２に示されているＶ
溝２７の平面形状に対応しているものである。より具体
的には、上記第１開口部の前記平面形状は、一端が上記
第２開口部２３の形成位置の後端側、すなわち、図２に
示されている、第２開口部２３に対応するソルダバンプ
２９の右側の位置から始められ、他端がシリコン基板１
１の右側側端まで延長されるような長方形状を成し、当
該長方形状の開口面がシリコン基板１１の（１００）面
の平坦面と平行し、その長手方向が＜１１０＞方向とな
るように配置される。
【００２１】また、上記第２開口部２３は、例えば、上
記金属パッド１５の表面積よりも小さな開口面積を備え
ると共に、当該第２開口部２３の中心が当該金属パッド
１５表面の中心位置を略一致するように配置される。
【００２２】それから、上記感光膜１９をマスクに使っ
て反応性イオン蝕刻方法等の乾式蝕刻に依り、第１開口
部２１及び第２開口部２３に依り露出せる上記第１絶縁
膜１３及び第２絶縁膜１７を除去して、シリコン基板１
１と金属パッド１５を露出させる。此の時、金属パッド
１５上部の第２絶縁膜１７は、第２開口部２３を通じて
露出されている部分だけ蝕刻され、感光膜１９に依って
露出されない所定部分は除去されず残る。
【００２３】上記にて、金属パッド１５上部の除去され
ない第２絶縁膜１７は、其の後形成せる、フリップチッ
プボンディング時のソルダバンプ２９の位置を、金属パ
ッド１５の上部に限る為のソルダダム（Ｓｏｌｄｅｒ
ｄａｍ）２５を形成する。
【００２４】図１（Ｃ）を参照すれば、上記感光膜１９
を除去し上記第１絶縁膜１３及び第２絶縁膜１７を蝕刻
マスクに利用して、第１開口部２１に依り上記シリコン
基板１１の露出せる部分を、ＫＯＨ溶液又はＥＤＰ（Ｅ
ｔｈｙｌｅｎｅ Ｄｉａｍｉｎｅ Ｐｙｒｏｃａｔｅｃ
ｈｏｌ）溶液にて蝕刻して、Ｖ溝２７を形成する。
【００２５】上記にてシリコン基板１１に形成するＶ溝
２７の傾斜面は＜１１１＞の結晶面を持つ。これは、シ
リコン基板１１では、ＫＯＨ溶液又はＥＤＰ溶液に対し
（１００）及び（１１１）面の間の蝕刻率が数１０−５
００：１程度に成るので、水平方向より垂直方向に蝕刻
速度が速く成るため、Ｖ溝２７が形成される。
【００２６】此の際上記金属パッド１５は、当該金属パ
ッド１５を構成するＡｕとＰｔ薄膜に依り、下部の成分
等が蝕刻されるのを防止することが出来る。
【００２７】図１（Ｄ）を参照すれば、上記金属パッド
１５の上部に、リフトオフ（ｌｉｆｔ ｏｆｆ）方法に
依り、Ｐｂ，Ｓｎ等の如き電気伝導度が良好にて融点が
低い金属でソルダバンプ２９を形成する。一般的に、ソ
ルダバンプ２９は、光素子をフリップチップボンディン
グする為のリフロウ（ｒｅｆｌｏｗ）時に、上記第２絶
縁膜１７よりも金属パッド１５に接触しやすい特性を持
っている。
【００２８】上述した本実施形態による製造方法により
製造された、光繊維−光素子結合装置は、図２及び図３
に示すように、光繊維３１がシリコン基板１１に形成し
たＶ溝２７内に実装され、光素子３３がソルダバンプ２
９に依ってボンディングされた事を示している。
【００２９】本実施形態の光繊維−光素子結合装置にお
いては、Ｖ溝２７とソルダダム２５が整列誤差なく形成
されるから、上記光素子３３のフリップチップボンディ
ングの時ソルダバンプ２９の表面張力に依る位置復元力
に依り、光素子３３の導波路３５が光繊維３１の中心と
一致して整列する。
【００３０】上述した如く本実施形態では、シリコン基
板上にＶ溝を形成する為の蝕刻パターンと、光素子のフ
リップチップボンディング時の実装位置を決定する為の
ソルダダムとが、単一のマスクを用いて単一の工程で露
光する。
【００３１】従って、Ｖ溝とソルダダム間の整列誤差の
発生を防止して、ボンディングされた光素子と実装され
た光繊維間の光結合効率を向上させられる利点が有る。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、Ｖ溝とソルダバンプの
整列誤差の発生を防止して、光素子と光繊維の光結合効
率を向上し得る、自己整列型光繊維−光素子結合装置の
製造方法を提供することができる。
【００３３】
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（Ａ）：本発明による光繊維−光素子結合
装置の製造工程を示す側面図。 図１（Ｂ）：本発明による光繊維−光素子結合装置の製
造工程を示す側面図。 図１（Ｃ）：本発明による光繊維−光素子結合装置の製
造工程を示す側面図。 図１（Ｄ）：本発明による光繊維−光素子結合装置の製
造工程を示す側面図。
【図２】図１の工程に依り製造された、自己整列型光繊
維−光素子結合装置に光繊維と光素子を結合させた場合
の構造を示す平面図。
【図３】図２のＩ−Ｉ線断面図。
【符号の説明】
１１ シリコン基板 １３，１７ 第１及び第２絶縁膜 １５ 金属パッド（Ｐａｄ） １９ 感光膜 ２１，２３ 第１及び第２開口部 ２５ ソルタ（半田付け）ダム ２７ Ｖ溝 ２９ ソルダバンプ ３１ 光繊維 ３３ 光素子 ３５ 導波路
フロントページの続き (72)発明者 金 弘晩 大韓民国大田廣域市儒城区漁隱洞ハンビッ トアパート111−802 (72)発明者 金 東球 大韓民国大田廣域市儒城区新城洞ハヌルア パート109−102

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】シリコン基板の表面に第１絶縁膜を形成し
    て、此の第１絶縁膜の上部に所定離隔距離を持つ金属パ
    ッドを形成する工程と、 上記第１絶縁膜と上記金属パッドの上部に第２絶縁膜を
    形成する工程と、 上記第２絶縁膜の上部に、上記金属パッドの周囲と所定
    部分が重畳され対応する第２開口部と、上記第２開口部
    の中間に、片側が上記第２開口と重畳されず反対側が上
    記シリコン基板の側面まで延長される、第１開口部とを
    持つ感光膜を形成する工程と、 上記感光膜をマスクに使って、上記第１及び第２開口部
    に依り露出した上記第１及び第２絶縁膜を除去して、上
    記シリコン基板と上記金属パッドを露出させる工程と、 上記感光膜を除去して、上記第１及び第２絶縁膜を蝕刻
    マスクに利用して上記シリコン基板の露出された部分に
    Ｖ溝を形成する工程と、 上記金属パッドの上部にソルダバンプを形成する工程と
    を具備することを特徴とする自己整列型光繊維−光素子
    結合装置の製造方法。
  2. 【請求項２】請求項１において、 上記シリコン基板が（１００）結晶面を有することを特
    徴とする自己整列型光繊維−光素子結合装置の製造方
    法。
  3. 【請求項３】請求項１において、 上記金属パッドの周辺部に上記第２絶縁膜が重畳された
    状態で残るように、上記第２絶縁膜を除去することを特
    徴とする自己整列型光繊維−光素子結合装置の製造方
    法。
  4. 【請求項４】請求項１において、 上記Ｖ溝が、上記シリコン基板のフラット（ｆｌａｔ）
    面と平行するように、＜１１０＞方向に形成することを
    特徴とする自己整列型光繊維−光素子結合装置の製造方
    法。
  5. 【請求項５】請求項４において、 上記シリコン基板をＫＯＨ溶液又はＥＤＰ（Ｅｔｈｙｌ
    ｅｎｅ Ｄｉａｍｉｎｅ Ｐｙｒｏｃａｔｅｃｈｏｌ）
    溶液に蝕刻して、上記Ｖ溝を形成することを特徴とする
    自己整列型光繊維−光素子結合装置の製造方法。
  6. 【請求項６】シリコン基板の表面に第１絶縁膜を形成
    し、当該第１絶縁膜の上部に所定間隔だけ離して、１対
    の金属パッドを形成する工程と、 上記第１絶縁膜と上記１対の金属パッドの上部に、第２
    絶縁膜を形成する工程と、 上記第２絶縁膜の上部に、上記１対の金属パッドのそれ
    ぞれに対応する１対の第２開口部、及び、上記１対の第
    ２開口部の中間に、当該両第２開口部を結ぶ方向と直交
    しかつ上記シリコン基板の表面と平行な方向に沿って、
    一方の端が上記両第２開口部と重畳されず、他端が上記
    シリコン基板の側端面まで延長される、第１開口部を持
    つ感光膜を形成する工程と、 上記感光膜をマスクに使って、上記第１及び第２開口部
    に依り露出した上記第１及び第２絶縁膜を除去して、上
    記シリコン基板及び上記金属パッドの表面を露出させる
    工程と、 上記感光膜を除去して、上記第１及び第２絶縁膜を蝕刻
    マスクに利用して上記シリコン基板の露出された部分に
    Ｖ溝を形成する工程と、 上記金属パッドの上部にソルダバンプを形成する工程と
    を具備することを特徴とする自己整列型光繊維−光素子
    結合装置の製造方法。
  7. 【請求項７】請求項６において、 前記各第２開口部は、対応する上記金属パッドの表面積
    よりも小さい開口面積を備え、その中心が当該対応する
    上記金属パッド表面上の中心位置と略一致する位置に形
    成されることを特徴とする自己整列型光繊維−光素子結
    合装置の製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040022270A (ko) * 2002-09-03 2004-03-12 우리로광통신주식회사 광섬유 어레이용 브이홈블럭의 제조방법
KR100458285B1 (ko) * 2002-12-10 2004-11-26 한국과학기술연구원 감광제를 이용한 Ｖ ｇｒｏｏｖｅ 구조물 제조방법
JP2005051233A (ja) * 2003-07-15 2005-02-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置およびその製造方法

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998012589A1 (de) * 1996-09-20 1998-03-26 Ascom Tech Ag Verfahren zur herstellung eines lichtleiterschalters und lichtleiterschalter
JPH10223505A (ja) * 1997-02-05 1998-08-21 Oki Electric Ind Co Ltd ホトリソグラフィ用マスクアライメントマークの形成方法
KR100248049B1 (ko) * 1997-07-31 2000-03-15 윤종용 정렬용 플랫폼을 이용한 광섬유의 수동정렬 장치
CA2325022A1 (en) * 1998-04-16 1999-10-21 Genentech, Inc. Secretion of glycosylated proteins using a tissue plasminogen activator pro-sequence
DE19921054A1 (de) * 1998-05-08 1999-12-02 Kummler & Matter Ag Zuerich Träger- und Befestigungsanordnung für Fahrdrähte
KR100277695B1 (ko) * 1998-09-12 2001-02-01 정선종 에스 오 아이 광도파로를 이용한 하이브리드 광집적회로용 기판 제조방법
GB2344933B (en) * 1998-12-14 2001-08-29 Bookham Technology Ltd Process for making optical waveguides
JP3722279B2 (ja) * 2001-01-26 2005-11-30 日本電気株式会社 光送受信モジュール
TW560102B (en) * 2001-09-12 2003-11-01 Itn Energy Systems Inc Thin-film electrochemical devices on fibrous or ribbon-like substrates and methd for their manufacture and design
WO2003022564A1 (en) * 2001-09-12 2003-03-20 Itn Energy Systems, Inc. Apparatus and method for the design and manufacture of multifunctional composite materials with power integration
US20030059526A1 (en) * 2001-09-12 2003-03-27 Benson Martin H. Apparatus and method for the design and manufacture of patterned multilayer thin films and devices on fibrous or ribbon-like substrates
US6819841B2 (en) * 2002-08-29 2004-11-16 International Business Machines Corporation Self-aligned optical waveguide to optical fiber connection system
KR100524778B1 (ko) * 2003-10-06 2005-10-31 엘지전자 주식회사 실리콘 광벤치 제조 방법
JP2013092758A (ja) * 2011-10-04 2013-05-16 Citizen Holdings Co Ltd 光デバイス及び光デバイスの製造方法
US10539815B2 (en) 2016-09-22 2020-01-21 Mellanox Technologies Silicon Photonics Inc. Edge construction on optical devices
US9835801B1 (en) * 2016-09-22 2017-12-05 Mellanox Technologies Silicon Photonics Inc. Edge construction on optical devices
US10641976B2 (en) * 2017-02-23 2020-05-05 Ayar Labs, Inc. Apparatus for optical fiber-to-photonic chip connection and associated methods
KR102570902B1 (ko) * 2018-11-23 2023-08-25 삼성전자주식회사 반도체 패키지
CN111323878B (zh) * 2020-04-01 2021-10-15 联合微电子中心有限责任公司 一种激光器芯片与硅基光电子芯片的耦合对准装置及方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2208943B (en) * 1987-08-19 1991-07-31 Plessey Co Plc Alignment of fibre arrays

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040022270A (ko) * 2002-09-03 2004-03-12 우리로광통신주식회사 광섬유 어레이용 브이홈블럭의 제조방법
KR100458285B1 (ko) * 2002-12-10 2004-11-26 한국과학기술연구원 감광제를 이용한 Ｖ ｇｒｏｏｖｅ 구조물 제조방법
JP2005051233A (ja) * 2003-07-15 2005-02-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置およびその製造方法

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