JPH08220563A - 薄膜ダイオードの製造方法 - Google Patents
薄膜ダイオードの製造方法Info
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 65
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 15
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 10
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 238000006757 chemical reactions by type Methods 0.000 abstract 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 abstract 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 14
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 6
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 5
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 5
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 基板１上に第１の電極２を形成する工程と、
全面に第１の絶縁膜３を形成する工程と、絶縁膜３を第
１の電極２が露出するまで全面をエッチングする工程
と、露出した第１の電極２上に第２の絶縁膜４を形成す
る工程と、第２の電極５を形成する工程を有する。 【効果】 第１の絶縁膜は第１の電極の形成にともなっ
て発生する基板上の第１の電極の非形成部分を埋める役
割を果たしており、第２の電極の形成時に生じている段
差は第１の電極の厚さによらず第２の絶縁膜の厚さで規
定されるので非常に良好な段差被覆性が得られ、良好な
表示品質をもつ液晶表示装置を任意の大きさで製造する
ことが可能となる。
全面に第１の絶縁膜３を形成する工程と、絶縁膜３を第
１の電極２が露出するまで全面をエッチングする工程
と、露出した第１の電極２上に第２の絶縁膜４を形成す
る工程と、第２の電極５を形成する工程を有する。 【効果】 第１の絶縁膜は第１の電極の形成にともなっ
て発生する基板上の第１の電極の非形成部分を埋める役
割を果たしており、第２の電極の形成時に生じている段
差は第１の電極の厚さによらず第２の絶縁膜の厚さで規
定されるので非常に良好な段差被覆性が得られ、良好な
表示品質をもつ液晶表示装置を任意の大きさで製造する
ことが可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置の製造方法
に関連し、さらに詳しくは表示画素のそれぞれに薄膜ダ
イオードからなるスイッチング素子を有するアクティブ
マトリックス型の液晶表示装置の製造方法に関する。
に関連し、さらに詳しくは表示画素のそれぞれに薄膜ダ
イオードからなるスイッチング素子を有するアクティブ
マトリックス型の液晶表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術における薄膜ダイオードの製造
方法を図９と図１０とを用いて説明する。図９は薄膜ダ
イオードの平面パターン形状を示す平面図であり、図１
０は図９のＸ−Ｘ線における断面を示す断面図である。
以下、図９と図１０とを交互に用いて従来技術の薄膜ダ
イオードの製造方法を説明する。
方法を図９と図１０とを用いて説明する。図９は薄膜ダ
イオードの平面パターン形状を示す平面図であり、図１
０は図９のＸ−Ｘ線における断面を示す断面図である。
以下、図９と図１０とを交互に用いて従来技術の薄膜ダ
イオードの製造方法を説明する。
【０００３】まず基板１上に第１の電極２としてたとえ
ばタンタルを、薄膜ダイオードを駆動するための配線６
をも兼ねるように形成し、つぎに第２の絶縁膜４として
陽極酸化法を用いて酸化タンタルを形成する。さらに第
２の電極５としてたとえば酸化インジウムスズ（ＩＴ
Ｏ）を液晶を駆動するための表示電極７を兼ねるように
形成して、薄膜ダイオードを形成している。
ばタンタルを、薄膜ダイオードを駆動するための配線６
をも兼ねるように形成し、つぎに第２の絶縁膜４として
陽極酸化法を用いて酸化タンタルを形成する。さらに第
２の電極５としてたとえば酸化インジウムスズ（ＩＴ
Ｏ）を液晶を駆動するための表示電極７を兼ねるように
形成して、薄膜ダイオードを形成している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】第１の電極２は構造
上、配線６の役割を担うため従来の製造方法による場
合、以下に述べる問題点がある。
上、配線６の役割を担うため従来の製造方法による場
合、以下に述べる問題点がある。
【０００５】液晶表示装置は大画面化が進み、これにと
もない配線６の長さはますます長くなり、小画面の液晶
表示装置と同等の画質を表示しようとした場合には、配
線６の抵抗値を充分に小さくする必要がある。
もない配線６の長さはますます長くなり、小画面の液晶
表示装置と同等の画質を表示しようとした場合には、配
線６の抵抗値を充分に小さくする必要がある。
【０００６】配線抵抗を小さくするためには配線６の幅
寸法を大きくする方法や、配線６である第１の電極２の
厚さ寸法を大きくする方法とが考えられる。しかしなが
ら、図９に示すように、配線６の幅寸法を大きくしたと
きには、必然的に表示電極７の面積が小さくなってしま
い、この結果液晶表示装置は明瞭な表示品質が得られな
い。
寸法を大きくする方法や、配線６である第１の電極２の
厚さ寸法を大きくする方法とが考えられる。しかしなが
ら、図９に示すように、配線６の幅寸法を大きくしたと
きには、必然的に表示電極７の面積が小さくなってしま
い、この結果液晶表示装置は明瞭な表示品質が得られな
い。
【０００７】これを避けるために第１の電極２膜厚を厚
くすると、スパッタリング法などの通常使用される膜形
成方法で第２の電極５を形成した場合、図１０に示すよ
うに第１の電極２の段差部における段差被覆性が第１の
電極２の膜厚の増加にともない悪化し、第２の電極５の
断線欠陥が多発してしまう。
くすると、スパッタリング法などの通常使用される膜形
成方法で第２の電極５を形成した場合、図１０に示すよ
うに第１の電極２の段差部における段差被覆性が第１の
電極２の膜厚の増加にともない悪化し、第２の電極５の
断線欠陥が多発してしまう。
【０００８】本発明の目的は、上記課題を解決して大画
面の液晶表示装置であっても配線抵抗の小さく、したが
って良好な表示品質を得られる液晶表示装置における薄
膜ダイオードの製造方法を提供することである。
面の液晶表示装置であっても配線抵抗の小さく、したが
って良好な表示品質を得られる液晶表示装置における薄
膜ダイオードの製造方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の薄膜ダイオードの製造方法は、下記記載の
方法を採用する。
に、本発明の薄膜ダイオードの製造方法は、下記記載の
方法を採用する。
【００１０】すなわち本発明の薄膜ダイオードの製造方
法は、基板上に第１の電極を形成する工程と全面に第１
の絶縁膜を形成する工程と、第１の絶縁膜を第１の電極
が露出するまで全面をエッチングする工程と、露出した
第１の電極上に第２の絶縁膜を形成する工程と、第２の
電極を形成する工程を有することを特徴とする。
法は、基板上に第１の電極を形成する工程と全面に第１
の絶縁膜を形成する工程と、第１の絶縁膜を第１の電極
が露出するまで全面をエッチングする工程と、露出した
第１の電極上に第２の絶縁膜を形成する工程と、第２の
電極を形成する工程を有することを特徴とする。
【００１１】
【作用】本発明においては、第１の絶縁膜は第１の電極
の形成にともなって発生する基板上の第１の電極の非形
成部分を埋める役割を果たしている。
の形成にともなって発生する基板上の第１の電極の非形
成部分を埋める役割を果たしている。
【００１２】これによって第２の電極の形成時に生じて
いる基板上の段差は、第１の電極の厚さによらず第２の
絶縁膜の厚さで規定される。このため非常に良好な段差
被覆性が得られ、第１の電極の厚さを自由に厚くするこ
とができる。つまり第１の電極がどんなに厚くなって
も、第２の電極の段差被覆性は良好である。すなわち表
示品質の高い液晶表示装置を製造することが可能とな
る。
いる基板上の段差は、第１の電極の厚さによらず第２の
絶縁膜の厚さで規定される。このため非常に良好な段差
被覆性が得られ、第１の電極の厚さを自由に厚くするこ
とができる。つまり第１の電極がどんなに厚くなって
も、第２の電極の段差被覆性は良好である。すなわち表
示品質の高い液晶表示装置を製造することが可能とな
る。
【００１３】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例における
薄膜ダイオードの製造方法を説明する。まずはじめに図
１から図５の断面図を用いて本発明の第１の実施例にお
ける薄膜ダイオードの製造方法を説明する。さらに図９
は薄膜ダイオードの平面パターン形状を示す平面図であ
る。以下、図１から図５と図９を用いて説明する。
薄膜ダイオードの製造方法を説明する。まずはじめに図
１から図５の断面図を用いて本発明の第１の実施例にお
ける薄膜ダイオードの製造方法を説明する。さらに図９
は薄膜ダイオードの平面パターン形状を示す平面図であ
る。以下、図１から図５と図９を用いて説明する。
【００１４】まずはじめに図１に示すように、基板１上
の全面に第１の電極２としてタンタルをスパッタリング
法を用いて５００ｎｍの厚さに形成する。その後、全面
に回転塗布法によりフォトレジストを形成し、所定のフ
ォトマスクを用いて露光処理と、現像処理とを行い、フ
ォトレジストをパターニングする。その後、このパター
ニングしたフォトレジストパターンをエッチングマスク
に用いて、タンタルをエッチング処理し、さらにフォト
レジストを剥離して第１の電極２を形成する。
の全面に第１の電極２としてタンタルをスパッタリング
法を用いて５００ｎｍの厚さに形成する。その後、全面
に回転塗布法によりフォトレジストを形成し、所定のフ
ォトマスクを用いて露光処理と、現像処理とを行い、フ
ォトレジストをパターニングする。その後、このパター
ニングしたフォトレジストパターンをエッチングマスク
に用いて、タンタルをエッチング処理し、さらにフォト
レジストを剥離して第１の電極２を形成する。
【００１５】この第１の電極２のパターニング後の平面
パターン形状を図９に示す。図９に示すように、第１の
電極２の形状は薄膜ダイオードの一方の電極として機能
し、さらにこの薄膜ダイオードを駆動するための配線６
としても使用できるので、配線電極としても機能するよ
うなパターン形状にする。
パターン形状を図９に示す。図９に示すように、第１の
電極２の形状は薄膜ダイオードの一方の電極として機能
し、さらにこの薄膜ダイオードを駆動するための配線６
としても使用できるので、配線電極としても機能するよ
うなパターン形状にする。
【００１６】第１の電極２のエッチング処理は、六フッ
化イオウと酸素とヘリウムの混合ガスのプラズマに、タ
ンタルを形成した基板１を曝してエッチングを行う反応
性イオンエッチング法を用いる。ここで、第１の電極２
は硝酸とフッ酸の混合溶液中に基板１を浸漬して行うウ
ェットエッチング法を用いてもエッチングすることがで
きる。
化イオウと酸素とヘリウムの混合ガスのプラズマに、タ
ンタルを形成した基板１を曝してエッチングを行う反応
性イオンエッチング法を用いる。ここで、第１の電極２
は硝酸とフッ酸の混合溶液中に基板１を浸漬して行うウ
ェットエッチング法を用いてもエッチングすることがで
きる。
【００１７】つぎに図２に示すように、基板１上の全面
に第１の絶縁膜３として酸化タンタルを、スパッタリン
グ法を用いて１μｍの厚さに形成する。ここで酸化タン
タルの厚さは、第１の電極２であるタンタルの形状によ
ってできる基板１表面上の段差を埋める必要があるの
で、５００ｎｍ以上である必要がある。
に第１の絶縁膜３として酸化タンタルを、スパッタリン
グ法を用いて１μｍの厚さに形成する。ここで酸化タン
タルの厚さは、第１の電極２であるタンタルの形状によ
ってできる基板１表面上の段差を埋める必要があるの
で、５００ｎｍ以上である必要がある。
【００１８】つぎに図３に示すように、基板１上の第１
の絶縁膜３の全面エッチング処理を行う。この全面エッ
チングは反応性イオンエッチング法を用いて行い、第１
の電極２であるタンタル表面が露出するまでエッチング
を行う。ここでエッチング後の第１の絶縁膜３の膜厚と
第１の電極２の膜厚とは、ほぼ同じ厚さにする。なお図
９の平面図において、第１の絶縁膜３は図示していな
い。
の絶縁膜３の全面エッチング処理を行う。この全面エッ
チングは反応性イオンエッチング法を用いて行い、第１
の電極２であるタンタル表面が露出するまでエッチング
を行う。ここでエッチング後の第１の絶縁膜３の膜厚と
第１の電極２の膜厚とは、ほぼ同じ厚さにする。なお図
９の平面図において、第１の絶縁膜３は図示していな
い。
【００１９】この第１の絶縁膜３の全面エッチングに用
いる反応性イオンエッチング法においては、エッチング
ガスとして六フッ化イオウと酸素とヘリウムの混合ガス
を使用する。
いる反応性イオンエッチング法においては、エッチング
ガスとして六フッ化イオウと酸素とヘリウムの混合ガス
を使用する。
【００２０】つぎに図４に示すように、第１の絶縁膜３
から露出した第１の電極２の表面に第２の絶縁膜４とし
て酸化タンタルを、陽極酸化法を用いて７０ｎｍの厚さ
に形成する。第２の絶縁膜４としての酸化タンタルの厚
さは、薄膜ダイオードの電流−電圧特性を決定するもの
であるから要求される特性に応じて決定する。
から露出した第１の電極２の表面に第２の絶縁膜４とし
て酸化タンタルを、陽極酸化法を用いて７０ｎｍの厚さ
に形成する。第２の絶縁膜４としての酸化タンタルの厚
さは、薄膜ダイオードの電流−電圧特性を決定するもの
であるから要求される特性に応じて決定する。
【００２１】なお第２の絶縁膜４を形成する陽極酸化処
理は、クエン酸０．１ｗｔ％溶液中に基板１を浸漬させ
て行い、電圧は３５Ｖを印加する。ここで図９の平面図
において、第２の絶縁膜４は図示していない。
理は、クエン酸０．１ｗｔ％溶液中に基板１を浸漬させ
て行い、電圧は３５Ｖを印加する。ここで図９の平面図
において、第２の絶縁膜４は図示していない。
【００２２】つぎに図５に示すように、第２の電極５と
して酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）をスパッタリング法
を用いて１００ｎｍの厚さに基板１上の全面に形成す
る。その後、全面にフォトレジストを形成し、所定のフ
ォトマスクを用いて露光と、現像処理とを行う。その
後、これによって得られたフォトレジストのパターンを
もとにＩＴＯのエッチング処理を行い、フォトレジスト
を剥離して第２の電極５を形成する。この第２の電極５
の平面パターン形状を図９の平面図に示す。この結果、
薄膜ダイオードを形成することができる。
して酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）をスパッタリング法
を用いて１００ｎｍの厚さに基板１上の全面に形成す
る。その後、全面にフォトレジストを形成し、所定のフ
ォトマスクを用いて露光と、現像処理とを行う。その
後、これによって得られたフォトレジストのパターンを
もとにＩＴＯのエッチング処理を行い、フォトレジスト
を剥離して第２の電極５を形成する。この第２の電極５
の平面パターン形状を図９の平面図に示す。この結果、
薄膜ダイオードを形成することができる。
【００２３】なお第２の電極５であるＩＴＯのエッチン
グ処理は、塩酸と塩化鉄の水溶液中に基板１を浸漬させ
て行うウェットエッチングを用いる。
グ処理は、塩酸と塩化鉄の水溶液中に基板１を浸漬させ
て行うウェットエッチングを用いる。
【００２４】図９に示すように、ＩＴＯからなる第２の
電極５を形成するとき、ＩＴＯによって液晶表示装置の
表示電極７も兼ねるように形成している。
電極５を形成するとき、ＩＴＯによって液晶表示装置の
表示電極７も兼ねるように形成している。
【００２５】本発明の第１の実施例では、第１の絶縁膜
３として酸化タンタルを用い、スパッタリング法を用い
て形成を行ったが、第１の絶縁膜３材料としては酸化タ
ンタルに限らず充分な絶縁性をもっていればよく、たと
えば酸化シリコンや窒化シリコンや酸化アルミニウムな
どが適用可能である。その形成方法としては材料に適し
た形成方法でよく、たとえば真空蒸着法や化学的気相成
長法や回転塗布法があげられる。
３として酸化タンタルを用い、スパッタリング法を用い
て形成を行ったが、第１の絶縁膜３材料としては酸化タ
ンタルに限らず充分な絶縁性をもっていればよく、たと
えば酸化シリコンや窒化シリコンや酸化アルミニウムな
どが適用可能である。その形成方法としては材料に適し
た形成方法でよく、たとえば真空蒸着法や化学的気相成
長法や回転塗布法があげられる。
【００２６】つぎに本発明の第２の実施例における薄膜
ダイオードの製造方法を説明する。図１と図２と図６か
ら図８は本発明の第２の実施例における薄膜ダイオード
の製造方法を示す工程断面図である。また図９は薄膜ダ
イオードの平面パターン形状を示す平面図である。以下
図１と図２と図６から図８と図９とを交互に用いて説明
する。
ダイオードの製造方法を説明する。図１と図２と図６か
ら図８は本発明の第２の実施例における薄膜ダイオード
の製造方法を示す工程断面図である。また図９は薄膜ダ
イオードの平面パターン形状を示す平面図である。以下
図１と図２と図６から図８と図９とを交互に用いて説明
する。
【００２７】まず図１に示すように、基板上の全面に第
１の電極２としてタンタルをスパッタリング法を用いて
５００ｎｍの厚さに形成する。その後、全面にフォトレ
ジストを形成し、所定のフォトマスクを用いて露光と、
現像処理とを行い、フォトレジストをパターニングす
る。その後これによって得られたフォトレジストパター
ンをエッチングマスクに用いてタンタルのエッチング処
理を行い、フォトレジストを剥離して第１の電極２を形
成する。
１の電極２としてタンタルをスパッタリング法を用いて
５００ｎｍの厚さに形成する。その後、全面にフォトレ
ジストを形成し、所定のフォトマスクを用いて露光と、
現像処理とを行い、フォトレジストをパターニングす
る。その後これによって得られたフォトレジストパター
ンをエッチングマスクに用いてタンタルのエッチング処
理を行い、フォトレジストを剥離して第１の電極２を形
成する。
【００２８】図９に示すように、第１の電極２の形状は
薄膜ダイオードの一方の電極として機能する。そしてこ
の第１の電極２は薄膜ダイオードを駆動するための配線
６としても使用できるので、配線電極としても機能する
ようなパターン形状にする。
薄膜ダイオードの一方の電極として機能する。そしてこ
の第１の電極２は薄膜ダイオードを駆動するための配線
６としても使用できるので、配線電極としても機能する
ようなパターン形状にする。
【００２９】第１の電極２のエッチング処理は、六フッ
化イオウと酸素とヘリウムの混合ガスのプラズマに、タ
ンタルを形成した基板１を曝してエッチングを行う反応
性イオンエッチング法を用いる。このエッチング処理
は、硝酸とフッ酸の混合溶液中に基板全体を浸漬して行
う、ウェットエッチング法を用いても第１の電極２のエ
ッチング処理を行うことができる。
化イオウと酸素とヘリウムの混合ガスのプラズマに、タ
ンタルを形成した基板１を曝してエッチングを行う反応
性イオンエッチング法を用いる。このエッチング処理
は、硝酸とフッ酸の混合溶液中に基板全体を浸漬して行
う、ウェットエッチング法を用いても第１の電極２のエ
ッチング処理を行うことができる。
【００３０】つぎに図２に示すように、基板上の全面に
第１の絶縁膜３として酸化タンタルをスパッタリング法
を用いて１μｍの厚さに形成する。ここで酸化タンタル
の厚さは、第１の電極２であるタンタルの形状によって
できる基板表面上の段差を埋める必要があるので、５０
０ｎｍ以上である必要がある。
第１の絶縁膜３として酸化タンタルをスパッタリング法
を用いて１μｍの厚さに形成する。ここで酸化タンタル
の厚さは、第１の電極２であるタンタルの形状によって
できる基板表面上の段差を埋める必要があるので、５０
０ｎｍ以上である必要がある。
【００３１】つぎに図６に示すように、六フッ化イオウ
と酸素とヘリウムの混合ガスによる反応性イオンエッチ
ング法を用いて、第１の絶縁膜３の全面エッチングを行
い、第１の電極２であるタンタルが露出するまでエッチ
ングを行う。ここでエッチング後の第１の絶縁膜３の膜
厚は、第１の電極２の膜厚より厚くなるようにする。な
お図９の平面図では、第２の絶縁膜３は図示していな
い。
と酸素とヘリウムの混合ガスによる反応性イオンエッチ
ング法を用いて、第１の絶縁膜３の全面エッチングを行
い、第１の電極２であるタンタルが露出するまでエッチ
ングを行う。ここでエッチング後の第１の絶縁膜３の膜
厚は、第１の電極２の膜厚より厚くなるようにする。な
お図９の平面図では、第２の絶縁膜３は図示していな
い。
【００３２】この際、第１の絶縁膜３の全面エッチング
処理におけるオーバーエッチングを用いて、第１の電極
２の厚さを第１の絶縁膜３の厚さよりも薄くすることが
可能である。これは六フッ化イオウと酸素とヘリウムの
混合ガスを使用した反応性イオンエッチング法を用いた
場合、タンタルのエッチング速度の方が酸化タンタルの
エッチング速度よりも速いためである。
処理におけるオーバーエッチングを用いて、第１の電極
２の厚さを第１の絶縁膜３の厚さよりも薄くすることが
可能である。これは六フッ化イオウと酸素とヘリウムの
混合ガスを使用した反応性イオンエッチング法を用いた
場合、タンタルのエッチング速度の方が酸化タンタルの
エッチング速度よりも速いためである。
【００３３】つぎに図７に示すように、第１の絶縁膜３
から露出した第１の電極２表面に陽極酸化法を用いて第
２の絶縁膜４を７０ｎｍの厚さに形成する。第２の絶縁
膜４としての酸化タンタルの厚さは、薄膜ダイオードの
電流−電圧特性を決定するものであるから要求される特
性に応じて決定する。これにより、基板１表面はほとん
ど平坦形状になる。
から露出した第１の電極２表面に陽極酸化法を用いて第
２の絶縁膜４を７０ｎｍの厚さに形成する。第２の絶縁
膜４としての酸化タンタルの厚さは、薄膜ダイオードの
電流−電圧特性を決定するものであるから要求される特
性に応じて決定する。これにより、基板１表面はほとん
ど平坦形状になる。
【００３４】第２の絶縁膜４を形成するための陽極酸化
処理は、クエン酸０．１ｗｔ％溶液中に基板を浸漬させ
て行い、電圧は３５Ｖを印加する。なおこの第２の絶縁
膜４は図９の平面図には図示していない。
処理は、クエン酸０．１ｗｔ％溶液中に基板を浸漬させ
て行い、電圧は３５Ｖを印加する。なおこの第２の絶縁
膜４は図９の平面図には図示していない。
【００３５】つぎに図８に示すように、第２の電極５と
して酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）をスパッタリング法
を用いて１００ｎｍの厚さに基板上の全面に形成する。
その後、全面にフォトレジストを形成し、所定のフォト
マスクを用いて露光と、現像処理とを行う。その後、こ
れによって得られたフォトレジストパターンをエッチン
グマスクに用いてＩＴＯのエッチング処理を行い、さら
にフォトレジストを剥離して第２の電極５を形成する。
なおこの第２の電極５の平面パターン形状を図９に示
す。この結果、薄膜ダイオードを形成することができ
る。
して酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）をスパッタリング法
を用いて１００ｎｍの厚さに基板上の全面に形成する。
その後、全面にフォトレジストを形成し、所定のフォト
マスクを用いて露光と、現像処理とを行う。その後、こ
れによって得られたフォトレジストパターンをエッチン
グマスクに用いてＩＴＯのエッチング処理を行い、さら
にフォトレジストを剥離して第２の電極５を形成する。
なおこの第２の電極５の平面パターン形状を図９に示
す。この結果、薄膜ダイオードを形成することができ
る。
【００３６】なお第２の電極５であるＩＴＯのエッチン
グには、塩酸と塩化鉄の水溶液中に基板を浸漬させて行
うウェットエッチングを用いる。
グには、塩酸と塩化鉄の水溶液中に基板を浸漬させて行
うウェットエッチングを用いる。
【００３７】図９に示すように、第２の電極５を形成す
る際にＩＴＯの形状を液晶表示装置の表示電極７も兼ね
るように形成している。
る際にＩＴＯの形状を液晶表示装置の表示電極７も兼ね
るように形成している。
【００３８】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
製造方法においては第１の電極の形成によって発生する
基板上の段差を第１の絶縁膜により完全に埋めることが
可能である。
製造方法においては第１の電極の形成によって発生する
基板上の段差を第１の絶縁膜により完全に埋めることが
可能である。
【００３９】したがって、第２の電極を形成する際に生
じている基板上の段差は、ほとんど解消することが可能
となり、第２の電極は段差部での断線の発生を防ぐこと
が可能となる。このため液晶表示装置は安定して薄膜ダ
イオードを製造することが可能である。つまり表示品質
の良好な液晶表示装置を画面サイズによらず製造するこ
とができる。
じている基板上の段差は、ほとんど解消することが可能
となり、第２の電極は段差部での断線の発生を防ぐこと
が可能となる。このため液晶表示装置は安定して薄膜ダ
イオードを製造することが可能である。つまり表示品質
の良好な液晶表示装置を画面サイズによらず製造するこ
とができる。
【図１】本発明の実施例における薄膜ダイオードの製造
方法を示す工程断面図である。
方法を示す工程断面図である。
【図２】本発明の実施例における薄膜ダイオードの製造
方法を示す工程断面図である。
方法を示す工程断面図である。
【図３】本発明の実施例における薄膜ダイオードの製造
方法を示す工程断面図である。
方法を示す工程断面図である。
【図４】本発明の実施例における薄膜ダイオードの製造
方法を示す工程断面図である。
方法を示す工程断面図である。
【図５】本発明の実施例における薄膜ダイオードの製造
方法を示す工程断面図である。
方法を示す工程断面図である。
【図６】本発明の実施例における薄膜ダイオードの製造
方法を示す工程断面図である。
方法を示す工程断面図である。
【図７】本発明の実施例における薄膜ダイオードの製造
方法を示す工程断面図である。
方法を示す工程断面図である。
【図８】本発明の実施例における薄膜ダイオードの製造
方法を示す工程断面図である。
方法を示す工程断面図である。
【図９】薄膜ダイオードの平面パターン形状を示す平面
図である。
図である。
【図１０】従来例における薄膜ダイオードの製造方法を
示す断面図である。
示す断面図である。
１ 基板 ２ 第１の電極 ３ 第１の絶縁膜 ４ 第２の絶縁膜 ５ 第２の電極 ６ 配線 ７ 表示電極
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に第１の電極を形成する工程と、
全面に第１の絶縁膜を形成する工程と、第１の絶縁膜を
第１の電極が露出するまで全面をエッチングする工程
と、露出した第１の電極上に第２の絶縁膜を形成する工
程と、第２の電極を形成する工程を有することを特徴と
する薄膜ダイオードの製造方法。 - 【請求項２】 基板上に第１の電極を形成する工程と、
全面に第１の絶縁膜を形成する工程と、第１の絶縁膜を
第１の電極が露出するまで全面をエッチングし第１の絶
縁膜と第１の電極とをほぼ同じ膜厚とする工程と、露出
した第１の電極上に第２の絶縁膜を形成する工程と、第
２の電極を形成する工程を有することを特徴とする薄膜
ダイオードの製造方法。 - 【請求項３】 基板上に第１の電極を形成する工程と、
全面に第１の絶縁膜を形成する工程と、第１の絶縁膜を
第１の電極が露出するまで全面をエッチングし第１の絶
縁膜の膜厚より第１の電極の膜厚を薄くする工程と、露
出した第１の電極上に第２の絶縁膜を形成する工程と、
第２の電極を形成する工程を有することを特徴とする薄
膜ダイオードの製造方法。 - 【請求項４】 基板上にタンタルからなる第１の電極を
形成する工程と、全面に酸化タンタルからなる第１の絶
縁膜を形成する工程と、第１の絶縁膜を第１の電極が露
出するまで全面をエッチングする工程と、露出した第１
の電極上に第２の絶縁膜を形成する工程と、第２の電極
を形成する工程を有することを特徴とする薄膜ダイオー
ドの製造方法。 - 【請求項５】 基板上にタンタルからなる第１の電極を
形成する工程と、全面に酸化タンタルからなる第１の絶
縁膜を形成する工程と、第１の絶縁膜を第１の電極が露
出するまで全面エッチングし第１の絶縁膜と第１の電極
とをほぼ同じ膜厚とする工程と、露出した第１の電極上
に第２の絶縁膜を形成する工程と、第２の電極を形成す
る工程を有することを特徴とする薄膜ダイオードの製造
方法。 - 【請求項６】 基板上にタンタルからなる第１の電極を
形成する工程と、全面に酸化タンタルからなる第１の絶
縁膜を形成する工程と、第１の絶縁膜を第１の電極が露
出するまで全面をエッチングして第１の絶縁膜の膜厚よ
り第１の電極の膜厚を薄くする工程と、露出した第１の
電極上に第２の絶縁膜を形成する工程と、第２の電極を
形成する工程を有することを特徴とする薄膜ダイオード
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2257695A JPH08220563A (ja) | 1995-02-10 | 1995-02-10 | 薄膜ダイオードの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2257695A JPH08220563A (ja) | 1995-02-10 | 1995-02-10 | 薄膜ダイオードの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08220563A true JPH08220563A (ja) | 1996-08-30 |
Family
ID=12086704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2257695A Pending JPH08220563A (ja) | 1995-02-10 | 1995-02-10 | 薄膜ダイオードの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08220563A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100526836B1 (ko) * | 2002-09-18 | 2005-11-08 | 전자부품연구원 | 연성 고분자 기반 기판 위에 형성된 박막 다이오드 소자및 그의 제조 방법 |
-
1995
- 1995-02-10 JP JP2257695A patent/JPH08220563A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100526836B1 (ko) * | 2002-09-18 | 2005-11-08 | 전자부품연구원 | 연성 고분자 기반 기판 위에 형성된 박막 다이오드 소자및 그의 제조 방법 |
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