JPH08223595A

JPH08223595A - カラーｃｒｔ用消磁システム、ディスプレィ・モニタ・システム、及びｃｒｔの消磁方法

Info

Publication number: JPH08223595A
Application number: JP7299782A
Authority: JP
Inventors: Robert M Bentley; ロバート・エム・ベントレイ
Original assignee: Hughes Aircraft Co
Current assignee: Raytheon Co
Priority date: 1994-11-18
Filing date: 1995-11-17
Publication date: 1996-08-30
Anticipated expiration: 2015-11-17
Also published as: ES2107969A1; NO317319B1; BE1009190A3; JP3120030B2; US5499156A; ES2107969B1; NO954632D0; NO954632L

Abstract

(57)【要約】【課題】短時間で再利用でき、温度並びに電源変動に対
し比較的鈍感な、高速で効率の良い消磁方法及びシステ
ムを提供すること。【解決手段】カラーモニタ用の消磁システム２０は、消
磁サイクルの間、消磁コイル２７を流れる反対向きの消
磁電流を発生するように、消磁コイル２７とストレージ
・キャパシタ２８との間のブリッジ回路２２における結
合状態を連続的に反転する。消磁後の残留磁気がほぼゼ
ロになるということを保証するために、フィードバック
回路２６においてフィードバック信号が発生され、制御
回路２４を介して上記ブリッジ回路に供給されて、上記
コイルの電流の大きさを、所定の閾値に達するまで連続
的に減少させる。同時に、上記フィードバック信号が調
整され、上記コイルの一方向の積分電流を他方向の積分
電流にほぼ等しくさせる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、カラー・ディスプ
レィ・モニタに関し、特に、カラー・モニタの消磁に関
する。

【０００２】

【従来の技術】良く知られているように、磁場は、カラ
ー・モニタ（ＣＲＴ）における走査電子ビームのスクリ
ーン到達点を変えてしまうので、周囲の磁場がカラー・
モニタの表示品質を下げてしまう。通常、このようなモ
ニタにおいては、原色、例えば赤、緑及び青の蛍光ドッ
トが、複数のドット・トライアッド（三つ組）のパター
ンで、ビューイング・スクリーン上に蓄積されていく。
これらドット・トライアッドのパターンは、各トライア
ッドの３つの内の１つを各色の蛍光ドットが形成するも
のである。走査電子ビームが各色のために発生され、そ
れらのそれぞれの電子ビームによってドットが引き起こ
されるとき、それらドットは蛍光を発し、フル・カラー
画を生成する。このようなドットは、受像管自体の一部
もしくは別体の内部ガラス板の一部となることができる
蛍光ドット・フェース面上に形成される。

【０００３】ビーム偏向装置の一つの形態として、シャ
ドウマスクがある。これは、蛍光ドット・フェース板か
ら間隔を開けて受像管内方に配置された穴の開けられた
薄い板である。このシャドウマスクのアパーチャ（開
孔）はそれぞれ、異なるトライアッドに関連するもので
あり、そのトライアッドの各ドットに、そのそれぞれの
電子ビームによってのみ引き起こされることを許すよう
に、位置決めされている。

【０００４】電子ビームが環境磁場を通過するにつれ
て、電子ビームの電子は、Lorentz（ローレンツ）の法
則に従って、偏向力が加えられる。この偏向力は、電子
ビームに、それらのそれぞれの蛍光ドットからずらせて
しまい、結果として、表示色の劣化、例えば、色純度の
損失や、画像の回転及び変形を生じてしまう。

【０００５】強い変化する磁場をもつ環境、例えば、海
軍軍艦や、医療の核磁気共鳴映像法（ＭＲＩ）において
は、特にカラー表示のゆがみが厄介な問題である。地球
の磁場を通る海軍軍艦の移動も磁気ゆがみの一つの源で
はあるが、もっと強力なゆがみの源は、この自然の磁場
に反対してしばしば故意に発生され、従って、例えば機
雷を磁気的に付勢する索敵磁気センサから船を隠してし
まうような外部磁場である。

【０００６】環境磁場のゆがみの影響を軽減するため
に、カラー・モニタは通常、モニタのＣＲＴ内に配置さ
れた金属シールドを含んでいる。もし、この内部シール
ドの磁区が最初、環境磁場と反対方向に向けられている
ならば、その磁場は十分に減じられ、内部シールドは不
所望の電子ビームの偏向を妨げるのに有効である。しか
しながら、次に環境磁場が新しい方向又は大きさに変化
した場合、内部シールドのヒステリシス効果のために、
その新しい方向と反対の方向にその磁区が完全に再調整
されることは妨げられるでしょう。従って、残余磁場が
存在し、これは、電子ビームのそれぞれの蛍光ドットに
重要なずれを生じさせるに十分なほど強いものである。

【０００７】内部シールド及びシャドウマスクの局部磁
区に、再び向きを変えた環境磁場と反対の方向に再調整
することを許す行為は、消磁と称されている。通常の消
磁システムは、その磁場中のＣＲＴの筐体に配されてい
る消磁コイルに交流を流すものである。この交互の磁場
の初期の高い強さを、その停止に先立って、小さな値に
単調に減少することは、環境磁場と反対方向に再調整す
るように、初期のシールド磁区の能力を高める。

【０００８】典型的なシステムにおいては、消磁コイル
は、サーミスタ、交流電源（通常、ＡＣ線間電圧）、及
びスイッチと直列に配置されている。そして、上記スイ
ッチが閉じたときに、当該消磁コイルを介して正弦波電
圧が送られる。サーミスタ抵抗が増大し、一連の電流に
よってサーミスタが熱せられるので、磁場の強度は衰え
ていく。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなサーミスタを用いたシステムにおいては、通常、そ
のサーミスタの熱時定数によって当該システムの消磁時
間が決まるものであるので、ゆっくり、例えば、１乃至
３秒である。さらに、それらのシステムが再び消磁され
ることができるようになるまでの時間は、サーミスタが
さめるまでの時間によって限定され、例えば５乃至１０
分である。

【００１０】また、上記のようなサーミスタを用いた消
磁システムは、一般に、かなりの電力、例えば１０００
ワットのピーク電力を必要とするものであり、さらに、
それらの高いサージ電流は、関連する回路中に電磁妨害
雑音（ＥＭＩ）問題を引き起こしてしまう。一般に、サ
ーミスタを用いたシステムの性能パラメータは、それら
が線間電圧の変動や環境温度によるサーミスタ抵抗の変
動に影響されやすいものであるので、不十分に定義され
る。

【００１１】そこで、高速、例えば＜５００ミリ秒であ
るべきであり、短時間、例えば＜１０秒で反復できるべ
きであり、また、効率の良いものであるべき改善された
消磁方法が望まれている。そして、改善された消磁方法
は、好ましくは、モニタを消すことを必要としないだけ
でなく、重大な残留磁気を消去すべきであり、また、高
サージ電流を防止することによってＥＭＩ問題を最小に
すべきである。さらには、線間電圧の変動並びに温度変
化に対して比較的鈍感であるべきであり、また、安価
で、多種多様なモニタ、例えば、市販規格品（ＣＯＴ
Ｓ）モニタと互換性があるべきである。

【００１２】本発明は、上記の点に鑑みてなされたもの
で、短時間で再利用でき、温度並びに電源変動に対し比
較的鈍感なものである、高速で効率の良いカラーＣＲＴ
用消磁システム、ディスプレィ・モニタ・システム、及
びＣＲＴの消磁方法を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明によるカラーＣＲＴ用消磁システムは、ア
ウトレット・ポート（６９）を有するエネルギー源（２
８）と、第１及び第２の端部（７０，７１）を有し、Ｃ
ＲＴ（３４）と結合する磁場を持つように配置されたコ
イル（２７）と、第１及び第２の結合命令を連続的に発
生するよう構成された制御回路（２４）と、前記第１の
結合命令に応答して、前記コイルと前記エネルギー源と
を、前記第１の端部が前記アウトレット・ポートに隣接
するように直列に結合すると共に、前記第２の結合命令
に応答して、前記コイルと前記エネルギー源とを、前記
第２の端部が前記アウトレット・ポートに隣接するよう
に直列に結合するように配置されたスイッチング・ネッ
トワーク（２２）とを具備し、前記エネルギー源と前記
コイルとの間の上記結合によって、前記コイルを流れる
連続的な反対向きの電流と、連続的な異なった向きの磁
場とを生成することを特徴する。

【００１４】また、本発明によるディスプレィ・モニタ
・システムは、カラーＣＲＴ（３４）と、アウトレット
・ポート（６９）を有するエネルギー源（２８）と、第
１及び第２の端部（７０，７１）を有し、前記カラーＣ
ＲＴと結合する磁場を持つように配置されたコイル（２
７）と、第１及び第２の結合命令を連続的に発生するよ
う構成された制御回路（２４）と、前記第１の結合命令
に応答して、前記コイルと前記エネルギー源とを、前記
第１の端部が前記アウトレット・ポートに隣接するよう
に直列に結合すると共に、前記第２の結合命令に応答し
て、前記コイルと前記エネルギー源とを、前記第２の端
部が前記アウトレット・ポートに隣接するように直列に
結合するように配置されたスイッチング・ネットワーク
（２２）とを具備し、前記エネルギー源と前記コイルと
の間の上記結合によって、前記コイルを流れる連続的な
反対向きの電流と、連続的な異なった向きの磁場とを生
成することを特徴する。

【００１５】さらに、本発明によるＣＲＴの消磁方法
は、その磁場がＣＲＴ（３４）と結合するようにコイル
（２７）を配置するステップと、エネルギー源（２８）
（５２，５４）への前記コイルの結合方向を連続的に反
転して、前記コイルを連続的に反対向きに流れる連続電
流を発生するステップと、それぞれの連続的な反転の後
に、先の結合において前記コイルで発生された電流の少
なくとも一部を、前記エネルギー源で回収するステップ
とを具備することを特徴とする。

【００１６】即ち、短時間で再利用でき、温度並びに電
源変動に対し比較的鈍感なものである、高速で効率の良
い消磁方法及びシステムを提供するという上記目的は、
コイルとエネルギー源の結合方向が連続的に反転され
て、連続的に異なった方向にコイルを介する連続的な電
流を発生することができるということと、それぞれの連
続的な反転の後、上記エネルギー源が、引き続き起こる
結合において上記コイルに発生された電流の少なくとも
一部を回収することができるということとを認識するこ
とで達成される。従って、連続的な異なった方向の磁場
が発生されると同時に、コイルとエネルギー源との間で
エネルギーが行き来する即ち交換される。

【００１７】さらに、それぞれの連続的な結合反転はタ
イミングを調整されて、引き続き起こる結合においてコ
イルを介して発生される電流の大きさを連続的に減じる
ことができるということと、このタイミングが調整され
て、コイルの一方向における時間積分電流に、コイルの
他方向における時間積分電流とほぼ等しくさせることが
できるということとが認識される。この連続的な反転
は、いずれかの結合の間に、電流の大きさが所定の閾値
よりも小さくなったときに、停止されることができる。

【００１８】システムの実施の形態においては、エネル
ギー源（例えば、ストレージ・キャパシタ）と消磁コイ
ルとの間の結合は、スイッチング・ネットワークによっ
て連続的に反転されて、コイルを通る連続的な反対方向
の電流並びに連続的な異なった方向の磁場を発生する。
電流検知信号と時間と共に減少する基準信号、例えばラ
ンプ信号との比較に従って、上記反転のタイミングを調
整するために、フィードバック回路が構成される。この
フィードバック回路は、上記電流検知信号に応答する積
分器に従って上記時間と共に減少する基準信号を調節す
る比較ネットワークを含む。エネルギー源は、電流制御
スイッチを介して再充電され、ＥＭＩの発生を最小にす
る。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。

【００２０】図１は、本発明の第１の実施の形態におけ
る消磁システム２０の回路構成図である。この消磁シス
テム２０は、ブリッジ回路２２、制御回路２４、及び電
流フィードバック回路２６を含む。この消磁システム２
０は、消磁コイル２７を流れる反対向きの消磁電流を発
生するように、消磁コイル２７とストレージ・キャパシ
タ２８の形のエネルギー源との間の上記ブリッジ回路２
２における結合を連続的に反転する。環境磁場と反対向
きのシールド磁区のアラインメントを向上させるため
に、フィードバック回路２６でフィードバック信号が発
生され、これが上記ブリッジ回路２２に上記制御回路２
４を介して供給され、コイルのピーク電流の大きさが所
定の閾値に達するまで、そのピーク電流の大きさを連続
的に増大させる。同時に、上記フィードバック信号は、
上記消磁コイル２７の一方向における時間積分電流を他
方向における時間積分電流とほぼ等しくさせるように調
整される。

【００２１】この新規な結合反転は、ある結合フェーズ
の後半部分で上記消磁コイル２７に蓄積されたエネルギ
ーが、連続する結合フェーズの最初の部分で、エネルギ
ー散逸のロス分を除いて、上記ストレージ・キャパシタ
２８に戻されるので、効率の良い消磁システムの実現を
容易にする。このエネルギー回収の自然の頻度は、この
システム・フィードバックによって、連続的に減少する
コイル電流とほぼゼロである時間積分電流とを得る頻度
にさせられる。

【００２２】図２及び図３は、典型的なカラー・モニタ
３０での上記消磁コイル２７と、高透磁率の外部金属シ
ールド３２との配置を示す図である。モニタ３０は、ケ
ース３５内に取り付けられたＣＲＴ３４を含む。蛍光ド
ット・フェースプレート３６は、このＣＲＴ３４のフェ
ース３８の内面側上にトライアッド・パターンを通常も
つ複数の蛍光ドットを含む（もしくは、分離した蛍光ド
ット・フェースプレートが、上記ＣＲＴフェース３８の
内面側に隣接して設けられることもできる）。ビーム振
り向け装置４０、例えば穴の開けられたシャドウマスク
やアパーチャ・グリルが、上記蛍光ドット・フェースプ
レート３６から内部に間を開けて配置されている（図示
の目的のために、このビーム振り向け装置は、以下、シ
ャドウマスクとして参照される）。

【００２３】上記外部シールド３２は、見るためにＣＲ
Ｔフェース３８をさらしいる一端の開部４２を除いて、
ほぼＣＲＴ３４を覆うように形成されている（図面を見
やすくするために、図２にはこのシールド３２は示され
ていない）。消磁コイル２７は、ＣＲＴ３４を取り巻い
て配置され、ほぼＣＲＴフェース３８の平面に位置して
おり、また、ＣＲＴ３４とケース３５の間に位置するよ
うな大きさにされている。このような消磁コイル２７の
端部４３，４４は、図１のブリッジ回路２２に示される
ように、消磁システム２０内で連続的に切り換えられ
る。

【００２４】外部シールド３２は、低いヒステリシスを
持つ高透磁率物質から作られている。これは、該外部シ
ールド３２の磁区に、環境磁場の変更された方向と反対
方向に容易に再調整することを許す。この外部シールド
３２は、モニタの内部シールド及びシャドウマスク上の
環境磁場の影響を減少する。しかしながら、大きな環境
磁場における方向の変化は、なお、表示品質低下を妨げ
るためにモニタの消磁を必要とする。

【００２５】消磁システム２０についは、まず図１のブ
リッジ回路２２から説明する。

【００２６】このブリッジ回路２２においては、上記消
磁コイル２７が、制御可能なスイッチ４８，４９，５
０，及び５１で形成された全波ブリッジ４６を横切って
接続されている。電流検知抵抗５２及び５４が、上記ス
イッチ４９及び５１とグラウンドとの間にそれぞれ挿入
されている。全波ブリッジ４６の頂部は、充電制御回路
５５に接続された上記ストレージ・キャパシタ２８に接
続されている。上記スイッチ５０及び４９はドライバ５
６に応答し、スイッチ４８及び５１はドライバ５８に応
答する。

【００２７】本実施の形態の全波ブリッジ４６において
は、上記制御可能なスイッチ４８乃至５１は、それぞれ
積分高速回復ダイオードを含む、Ｎチャネル、エンハン
スメント・モードの絶縁ゲート・バイポーラ・トランジ
スタ（ＩＧＢＴ）である。これらのトランジスタは、Ｍ
ＯＳＦＥＴの高いインピーダンスとバイポーラ・トラン
ジスタの低いオン状態伝導損失とを併せ持つものであっ
て、比較的安価なものである。もちろん、多様な能動ス
イッチ、例えばパーワーＭＯＳＦＥＴやバイボーら接合
トランジスタを有し、好ましくは、妥当なスイッチング
時間、例えば＜９００ナノ秒で、高電圧（例えば６００
ボルト）且つ大電流（例えば２４アンペア）に耐えるこ
とができる他の適当なブリッジの態様も形成されること
ができる。

【００２８】全波ブリッジ４６のＩＧＢＴのためのドラ
イバは、半波ブリッジ・トポロジーのために設計される
ことが好ましい。例示的なドライバは、Harris Semicon
ductor Corporation, Melbourne, Florida, 32901 によ
って製造されているＨＩＰ２５００半波ブリッジ・ドラ
イバ／トランスレータである。これらのドライバの種類
は、高容量のＩＧＢＴ及びパワーＭＯＳＦＥＴを駆動す
るように設計されており、半波ブリッジの上方（ハイ）
及び下方（ロー）スイッチと互換性があることを必要と
するレベル・トランスレーションを提供する。それらは
典型的に、ハイ及びロー入力ポート（ＨＩＧＨ，ＬＯ
Ｗ）の論理信号にそれぞれ応答する出力ドライブ・ポー
ト６０及び６１を持っている。このブリッジ回路２２に
おいては、ドライブ・ポート６０と６１は、上方スイッ
チ４８及び５０と下方スイッチ４９及び５１の反対側の
ゲートに接続されている。

【００２９】このブリッジ回路２２の動作においては、
消磁サイクルに先立って、まず、ストレージ・キャパシ
タ２８が充電制御回路５５によって充電される。即ち、
充電制御回路５５は、反転消磁信号ＤＥＧＡＵＳＳバー
に反応するものである。そして、充電の完了は、論理信
号Ｖ_Cによって当該システム２０の残りの部分に伝えら
れる。上記ストレージ・キャパシタ２８がフル充電され
た後、消磁電流が上記全波ブリッジ４６によって消磁コ
イル２７を流れるように向けられることができる。

【００３０】消磁コイル２７を通るそれらの電流の流れ
は、２つの例示的なイネーブル信号、及び時間に関して
コイル電流６３を示す図４のグラフ６２を用いて説明さ
れることができる。第１のイネーブル信号がドライバ５
８のハイ入力端とドライバ２６のロー入力端に供給され
たとき、消磁コイル２７は、スイッチ４８及び４９及び
電流検知抵抗５２を介して上記ストレージ・キャパシタ
２８と直列に結合される。そして、Ｖ＝Ｌ（ｄＩ／ｄ
ｔ）に従って、電流がストレージ・キャパシタ２８から
消磁コイル２７を通って流れ始める。ここで、Ｖはスト
レージ・キャパシタ２８上の電圧であり（但し、上記ス
イッチ４８，４９と電流検知抵抗５２による電圧降下分
は少ない）、Ｌは消磁コイル２７のインダクタンスであ
る。これは、図４に、電流フェーズとして示されてい
る。そして、短時間の間、Ｖは本質的に一定になり、そ
のため、電流勾配ｄＩ／ｄｔもまた上記グラフに示され
るように一定となるだろう。第１のイネーブル信号が無
くなると、電流が振幅６５を持ってこの初期電流フェー
ズ６４は終了するだろう。

【００３１】第２のイネーブル信号がドライバ５６のハ
イ入力端とドライバ５８のロー入力端に直ちに供給され
たならば、消磁コイル２７は、スイッチ５０及び５１及
び電流検知抵抗５４を介して上記ストレージ・キャパシ
タ２８と直列に結合される。図４に示されるように、コ
イル電流は、瞬間振幅６５からゼロに減少し、その後、
当該消磁コイル２７の反対方向に、上記第２のイネーブ
ル信号が無くされる点である振幅６６に向けて増大す
る。この続けて起こる電流フェーズの第１の部分６７の
間は、電流は上記ストレージ・キャパシタ２８に向けて
流れ、抵抗損失分少ないが、先の電流フェーズ６４で消
磁コイル２７に転送されたエネルギーが上記ストレージ
・キャパシタ２８に戻される。そして、この引き続き起
こる電流フェーズの第２の部分６８の間は、コイル電流
の大きさがゼロから振幅６６にまで増加する。

【００３２】ここで、上記ストレージ・キャパシタ２８
の一端をアウトレット・ポート６９と呼び、また、消磁
コイル２７が図１に示すように第１及び第２の端部７０
及び７１を持つものとすると、上記第１のイネーブル信
号の間は、上記消磁コイル２７及びストレージ・キャパ
シタ２８は、上記アウトレット・ポート６９とコイルの
第１端部７０とが並んで直列に結合されると称されるこ
とができる。また、上記第２のイネーブル信号の間、こ
の消磁コイル２７とストレージ・キャパシタ２８は、上
記アウトレット・ポート６９とコイルの第２端部７１と
が並んで直列に結合される。

【００３３】図１に示すように、スイッチ４８及び４９
を通る電流の大きさに比例する電圧信号ＩＳＥＮＳＥＵ
Ｐが、電流検知抵抗５２の両端間に発生される。また、
スイッチ５０及び５１を通る電流の大きさに比例する電
圧信号ＩＳＥＮＳＥＤＯＷＮが、電流検知抵抗５４の両
端間に発生される。

【００３４】次に、制御回路２４について説明する。

【００３５】これは、上記ブリッジ回路２２のドライバ
５６及び５８に接続された制御信号線７３及び７４上に
それぞれ信号を発生する一対のＪＫフリップ・フロップ
７６及び７８を持っている。フリップ・フロップ７６の
Ｑポートは、ディレイ８０を介してフリップ・フロップ
７８のクロック（Ｃ）ポートに結合されている。また、
フリップ・フロップ７８のＱバー・ポートは、ディレイ
８２を介してフリップ・フロップ７６のクロック・ポー
トに結合されているが、この場合は、フリップ・フロッ
プ８８のＱポートからの消磁信号ＤＥＧＡＵＳＳによっ
てイネーブルにされるＡＮＤゲート８４も介している。
フリップ・フロップ７６のリセット（Ｒ）ポートは、Ｎ
ＡＮＤゲート９０によって上記消磁信号ＤＥＧＡＵＳＳ
に結合され、フリップ・フロップ７８のＲポートは、Ｎ
ＡＮＤゲート９２によってこの消磁信号ＤＥＧＡＵＳＳ
に結合されている。

【００３６】これらのＮＡＮＤゲート９０及び９２はま
た、制御線９３及び９４で電流フィードバック回路２６
から信号ＵＰＲＥＳＥＴバー及びＤＯＷＮＲＥＳＥＴバ
ーをそれぞれ受ける。フリップ・フロップ８８のＪポー
トは、上記磁誘電制御回路５５からイネーブル信号ＶC
を受け、また、このフリップ・フロップ８８のクロック
・ポートは、ＯＲゲート９８を介して消磁開始信号を受
ける。フリップ・フロップ７６，７８及び８８のそれぞ
れは、グラウンドに接続されたそれらのセット（Ｓ）及
びＫポートを有している。さらに、フリップ・フロップ
７６及び７８のＪポートとＱバー・ポートとは、互いに
接続されている。ランプ（ＲＡＭＰ）ジェネレータ１０
０は、上記消磁信号ＤＥＧＡＵＳＳを受け、それに応答
して、電流フィードバック回路２６にランプ電圧信号Ｖ
_rampを送る。コンパレータ１０２は、上記ランプ電圧Ｖ
_rampがランプ閾値Ｒ_Tよりも下がったときに、上記フリ
ップ・フロップ８８に対してリセット信号を加える。

【００３７】動作においては、消磁サイクルは、上記Ｊ
Ｋフリップ・フロップ８８を介して開始される。このフ
リップ・フロップ８８は、上記キャパシタ充電信号Ｖ_C
によってイネーブルされる。この信号が真になった後、
ＯＲゲート９８に供給されたいずれかの信号によって、
消磁サイクルが始められる。そのような信号としては、
例えば、当該消磁システム２０を含む全システムのター
ン・オンの後に自動的に始められるパワー・オン信号Ｐ
ＯＷＥＲＯＮ、コントロール・パネルのスイッチから
の消磁信号ＤＥＧＡＵＳＳ、及び全システムによって始
められるシステム信号ＳＹＳＴＥＭを含むことができ
る。

【００３８】フリップ・フロップ８８のＱポートでの消
磁信号ＤＥＧＡＵＳＳに応答して、フリップ・フロップ
７６は、制御信号線７３をディレィ８２の遅延時間の後
にハイに行かせるだろう。この信号は、信号ＵＰＲＥＳ
ＥＴバーが信号線９３で受信されるまで、真のままであ
るだろう。この信号ＵＰＲＥＳＥＴバーは、フリップ・
フロップ７６をリセットし、ディレィ８０の遅延時間の
後に、フリップ・フロップ７８は、制御信号線７４をハ
イに行かせるだろう。フリップ・フロップ７６と７８の
間の交差結合のために、続く信号ＤＯＷＮＲＥＳＴバー
及びＵＰＲＥＳＴバーに応答して、このプロセスが続け
られるだろう。即ち、ひとたびフリップ・フロップ８８
が消磁サイクルを始めたならば、電流フィードバック回
路２６からの交互の信号ＤＯＷＮＲＥＳＴバー及びＵＰ
ＲＥＳＴバーは、制御信号線７３と７４上の信号を交互
にさせ、そして、消磁コイル２７に反対の極性の電流を
流させるだろう。

【００３９】本実施の形態の制御回路２４においては、
ランプ・ジェネレータ１００は、抵抗を介してキャパシ
タを放電して、図４のグラフ６２に示す指数関数的に減
少するランプ信号Ｖ_rampを発生する。このランプ信号Ｖ
_rampの大きさが（図４にまた示される）Ｒ_Tよりも下が
ったとき、コンパレータ１０２は、フリップ・フロップ
８８をリセットし、この消磁サイクルを終わらせる。消
磁サイクルのこの終了の後、上記充電制御回路５５は、
反転消磁信号ＤＥＧＡＵＳＳバーに応答に応答して、上
記ストレージ・キャパシタ２８を再充電することにで次
の消磁サイクルに備える。なお、本実施の形態の制御回
路２４においては、指数関数的に減少するランプ信号が
述べられているとはいえ、本発明は、他のランプ信号、
例えば線形ランプ信号で実行することができることは勿
論である。

【００４０】制御信号線７３及び７４上の連続的な信号
は、ディレィ９０及び９２の時間遅延によって時間的に
間隔をあけられている。この時間遅延は、スイッチ対４
８，４９と５０，５１とが決して同時にオンしないとい
うことを保証する。この時間遅延は、セーフ・マージ
ン、例えば１０マイクロ秒を見込んだＩＧＢＴのターン
・オフ時間よりも長いものである。

【００４１】次に、電流フィードバック回路２６につい
て説明する。

【００４２】この電流フィードバック回路２６は、上記
電流検知信号ＩＳＥＮＳＥＵＰとＩＳＥＮＳＥＤＯＷＮ
を加算する加算機１１０を含んでいる。この加算機１１
０の出力は、（コンパレータ１１３と並列キャパシタ１
１４によって形成された）積分器１１２によって積分さ
れ、エラー信号Ｖ_errを形成する。上記ランプ信号Ｖ
_rampとこのエラー信号Ｖ_errが加算機１１６で加算さ
れ、その加算結果がコンパレータ１１８に基準信号とし
て供給される。一方、加算機１１７は、上記ランプ信号
Ｖ_rampとエラー信号Ｖ_errの差を取り、その結果の信号
をコンパレータ１２０に基準信号として供給する（図
中、加算機と区別するために、コンパレータ１１８，１
２０にはＣの記号を付して示す）。そして、上記コンパ
レータ１１８及び１２０において、それぞれの基準信号
と上記電流検知信号ＩＳＥＮＳＥＵＰ及びＩＳＥＮＳＥ
ＤＯＷＮの比較が行われる。これらコンパレータ１１８
及び１２０の出力が、上記制御回路２４のＮＡＮＤゲー
ト９０及び９２にそれぞれ結合される上記信号ＵＰＲＥ
ＳＥＴバー及びＤＯＷＮＲＥＳＥＴバーを形成する。

【００４３】また、上記積分器１１２の出力は、（コン
パレータ１２４と並列キャパシタ１２６からなる）積分
器１２２においてグラウンド電位と比較され、この積分
器１２２の出力端は、上記積分器１１２の入力端に戻さ
れるように結合されている。なおこの場合、上記積分器
１１２の出力端は、上記制御回路２４のフリップ・フロ
ップ８８からの反転消磁信号ＤＥＧＡＵＳＳバーによっ
て制御されるスイッチ１３０によって上記積分器１２２
に結合されるようになっている。

【００４４】このような構成の電流フィードバック回路
２６の動作においては、上記電流検知信号ＩＳＥＮＳＥ
ＵＰ及びＩＳＥＮＳＥＤＯＷＮがコンパレータ１１８及
び１２０において基準信号と比較されて、上記制御回路
２４のフリップ・フロップ７６及び７８の状態を変化さ
せる信号を発生する。これら電流検知信号ＩＳＥＮＳＥ
ＵＰ及びＩＳＥＮＳＥＤＯＷＮの比較対照となる基準信
号は、ランプ信号Ｖ_ra _mpとエラー信号Ｖ_errとの合計及
び差分から形成される。

【００４５】フィードバック動作は、上記エラー信号Ｖ
_errがゼロであると先ず仮定することによって述べられ
ることができる。この理想的なケースにおいては、上記
電流検知信号ＩＳＥＮＳＥＵＰ及びＩＳＥＮＳＥＤＯＷ
Ｎが上記ランプ信号Ｖ_rampに等しくなる点にまで上記電
流検知信号ＩＳＥＮＳＥＵＰ及びＩＳＥＮＳＥＤＯＷＮ
が増大したそれぞれの時に、上記フリップ・フロップ７
６及び７８が上記信号ＵＰＲＥＳＥＴバー及びＤＯＷＮ
ＲＥＳＥＴバーによってリセットされる。上記電流検知
信号ＩＳＥＮＳＥＵＰ及びＩＳＥＮＳＥＤＯＷＮが、上
記ブリッジ回路２２の電流検知抵抗５２及び５４をそれ
ぞれ流れる電流を表すので、このフィードバックは、上
記消磁コイル２７を流れる連続的な電流が上記ランプ・
ジェネレータ１００によって供給される時間と共に減少
するランプ信号Ｖ_rampによって制限されるということを
保証する。

【００４６】図２及び図３のモニタの内部磁気シールド
及びシャドウマスク４０の磁区は、上記消磁コイル２７
を流れる電流の積分値が消磁サイクル時間にわたって実
質的にゼロにさせられないならば、環境磁場と反対方向
に完全には再調整されないだろう。この時間積分がゼロ
であるということを保証するために、上記電流検知信号
ＩＳＥＮＳＥＵＰ及びＩＳＥＮＳＥＤＯＷＮが積分器１
１２によって積分されて、エラー信号Ｖ_errを得る。こ
のエラー信号Ｖ_errは、両方向に消磁コイル２７を通過
した電流のアンペア−秒の積分値を表す。このエラー信
号Ｖ_errは、消磁コイル２７を流れる電流の積分値を消
磁サイクルの存続期間にわたってほぼゼロにさせるよう
上記ランプ信号Ｖ_rampを修正する。この補正を行わない
と、当該消磁システム２０中の種々の電圧及びタイミン
グ・エラーは、アンペア−秒積分値をゼロとすることを
できなくし、内部磁気シールド及びシャドウマスク４０
に残留磁気を残してしまうだろう。

【００４７】上記エラー信号Ｖ_errがゼロになると、そ
の時は電流が消磁コイル２７を流れていないので、それ
ぞれの消磁サイクルが開始されることとなる。しかしな
がら、エラー信号Ｖ_errは、コンパレータのオフセット
（例えば、各コンパレータを実現するのに使用される演
算増幅器のオフセット）、抵抗の初期公差、及び熱ドリ
フトのため、ゼロにならないであろう。従って、積分器
１１２は、上記スイッチ１３０と積分器１２２を通るフ
ィードバックによって形成されるケージング回路を含ん
でいる。

【００４８】消磁サイクルと次の消磁サイクルとの間、
上記スイッチ１３０は、上記反転消磁信号ＤＥＧＡＵＳ
Ｓバーによって閉じられるだろう。上記積分器１１３の
出力信号とグラウンド（例えばゼロ出力）との間の差分
が積分器１２２によって積分され、積分器１１２にエラ
ー信号としてフィードバックされる。このエラー信号
は、積分器１１３の出力をほぼゼロに駆動する。よっ
て、消磁サイクルが始まってスイッチ１３０が開放され
たとき、積分器１１２の出力によって表されるアンペア
−秒積分値は、それがあるべきように、ゼロとなるであ
ろう。そして続く消磁サイクルの間、積分器１２２はそ
のエラー信号をホールドし、この信号は当該消磁サイク
ルの間、積分器１１３のための基準信号を形成する。つ
まり、積分器１２２は、アンペア−秒積分器１１２のた
めのゼロ積分器として機能し、その出力は、各消磁サイ
クルの間、「ケージされる」と言い表される。

【００４９】上記ブリッジ回路２２、制御回路２４、及
びフィードバック回路２６の組み合わされた動作は、図
４の消磁コイルの電流波形６３を生成する。消磁サイク
ルの開始で、制御信号線７３上の信号がスイッチ４８と
４９をターン・オンし、電流フェーズ６４によって示さ
れるように、消磁コイル２７を通して電流が流れる。電
流検知抵抗５２を流れる電流によって引き起こされる電
流検知信号ＩＳＥＮＳＥＵＰがコンパレータ１１８でそ
の基準信号と等しいと判定されたとき、フリップ・フロ
ップ７６と７８が状態を変化させる。これにより、上記
スイッチ４８と４９がターン・オフし、ディレィ８０に
よって設定された遅延の後、制御信号線７４上の信号が
スイッチ５０と５１をターン・オンさせる。

【００５０】そして、電流検知抵抗５４を流れる電流に
よって引き起こされる電流検知信号ＩＳＥＮＳＥＤＯＷ
Ｎがコンパレータ１２０でその基準信号と等しいと判定
されたとき、フリップ・フロップ７６と７８が再び状態
を変化させる。これにより、上記スイッチ５０と５１が
ターン・オフし、ディレィ８２によって設定された遅延
の後、制御信号線７３上の信号が再び上記スイッチ４８
と４９をターン・オンさせて、電流フェーズ部分６７及
び６８によって示されるように消磁コイル２７に電流を
流す。コンパレータ１０２にフリップ・フロップ８８を
リセットさせるＲ_Tにランプ信号Ｖ_rampが落ちるまで、
このようなシーケンスが続けられる。これは、消磁サイ
クルを終了させる。

【００５１】消磁サイクル間のインターバルの間、反転
消磁信号ＤＥＧＡＵＳＳバーは、充電制御回路５５に、
ストレージ・キャパシタ２８を再充電させる。この信号
はまた、スイッチ１３０を閉じ、そのため、ゼロ積分器
１２２は、その出力電圧をゼロにする積分器１１２への
入力に電圧を発生することができる。さらに、ランプ・
ジェネレータ１００がリセットされる。例えば、ランプ
・ジェネレータ１００が抵抗を介したキャパシタの放電
によってそのランプを形成するものである場合には、こ
のキャパシタは、消磁サイクル関のインターバルの間、
再充電される。

【００５２】ランプ電圧信号Ｖ_rampは、図４に示されて
おり、その鏡像が破線１３４として示されている。図面
の明瞭化のために、消磁コイル２７の電流６３は、それ
がランプ信号Ｖ_ramp及びライン１３４に達したときに反
転するように示されている。実際には、消磁コイル電流
６３の反転は、電流検知信号ＩＳＥＮＳＥＵＰ及びＩＳ
ＥＮＳＥＤＯＷＮがランプ信号Ｖ_rampに等しくなったと
きに生じる。

【００５３】電流検知抵抗５４の両端間の電流検知電圧
信号ＩＳＥＮＳＥＤＯＷＮの例示的な部分が破線１３６
として図示されている。電流フェース１３８は、スイッ
チ４８と４９が開放されたときに、１４０の電流振幅で
終了する。そして、スイッチ４８と４９がターン・オフ
するや否や、スイッチ５０と５１がターン・オンする前
の（ディレィ８０のための）時間インターバルの間、消
磁コイル２７に蓄えられたエネルギーは、スイッチ５０
及び５１がターン・オンするまで、それらのスイッチに
含まれるリバース・ダイオードを通して流れる。

【００５４】この短い遅延の後、スイッチ５０及び５１
は、消磁コイル２７とストレージ・キャパシタ２８の間
の結合を反転するだろう。よって、振幅１４０の電流
は、ここで、グラウンドから電流検知抵抗５４を介して
流れる上がる。これは、電流検知信号ＩＳＥＮＳＥＤＯ
ＷＮをレベル１４２まで落ちさせる。消磁コイル電流が
ゼロに減じ、その後振幅１４４に向けて反対方向に増加
して行くと、電流検知信号ＩＳＥＮＳＥＤＯＷＮは、コ
ンパレータ１２０が状態を変化させる点であるレベル１
４６に達する。これは、フリップ・フロップ７６及び７
８に状態を変化させる。これにより、スイッチ５０と５
１が開放し、電流検知信号ＩＳＥＮＳＥＤＯＷＮがゼロ
に落ちる。そして、電流検知電圧信号ＯＳＥＮＳＥＵＰ
が同様のパターンで続けられる。

【００５５】ストレージ・キャパシタ２８と消磁コイル
２７の間でエネルギーが交換されるので、電流検知抵抗
５２及び５４と、スイッチ４８，４９，５０及び５１
と、消磁コイル２７の抵抗成分で、ロスを招く。従っ
て、ストレージ・キャパシタ２８の電圧は若干減少し、
図４における電流勾配は、ランプ信号Ｖ_rampが閾値Ｒ_T
に等しくなる点に近づくように減少する。

【００５６】図１の消磁システムにおいては、ストレー
ジ・キャパシタ２８に消磁コイル電流が流れ戻るとき、
エネルギーが回復される。ストレージ・キャパシタ２８
と消磁コイル２７との間のこのエネルギーの交換は、消
磁サイクルに、非交換的な消磁システムで典型的に使用
されるよりもかなり少ないエネルギーで完了されること
を許す。本実施の形態の消磁システム２０においては、
全波ブリッジ４６の形式で例示的なスイッチング・ネッ
トワークが例示されているとはいえ、他の種々のスイッ
チング・ネットワークも、他の消磁形態、例えば半波ブ
リッジにハイされたスイッチを形成するために使用され
ることができるということを理解すべきである。

【００５７】次に、本発明の第２の実施の形態を説明す
る。

【００５８】消磁システム２０は、それ又はそれに関連
するモニタに別なダメージを与えることができる過電流
状態から保護されているのが好ましいものであり、本第
２の実施の形態は、このような過電流の保護機能を前述
した第１の実施の形態に付加したものである。

【００５９】即ち、図５は、図１に示されたブリッジ回
路２２に適用される保護回路１５０の例を示す図であ
る。この保護回路１５０の形態は、インバータ１６２を
介してフリップ・フロップ１６０のセット・ポートに結
合されたコンパレータ１５４及び１５６を持っている。
このフリップ・フロップ１６０のＱポートは、上記ドラ
イバ５６及び５８の過電流（ＯＣ）ポート１６４及び１
６６に接続されている。これらの過電流ポートでの信号
は、上記スイッチ４８乃至５１の全てをターン・オフす
る。さらに、上記フリップ・フロップ１６０のＪ，Ｋ及
びクロック・ポートは、グラウンドに接続されている。
また、インバータ１６８は、このフリップ・フロップ１
６０のリセット・ポートに上記消磁信号ＤＥＧＡＵＳＳ
を結合する。

【００６０】動作においては、この保護回路１５０は、
上記電流検知信号ＩＳＥＮＳＥＩＵＰ及びＩＳＥＮＳＥ
ＤＯＷＮをそれぞれ、過電流基準電圧ＯＶＥＲＣＵＲＲ
ＥＮＴＲＥＦＥＲＥＮＣＥと比較する。この過電流基
準電圧ＯＶＥＲＣＵＲＲＥＮＴＲＥＦＥＲＥＮＣＥ
は、セーフ過電流、例えば２０アンペアに相当するよう
に設定されることができる。フリップ・フロップ１６０
への過電流信号は、上記ブリッジのスイッチ４８乃至５
１の全てを開放させる。それぞれの消磁サイクルに先立
って、インバータ１６８を介した消磁信号ＤＥＧＡＵＳ
Ｓによって、フリップ・フロップ１６０がリセットされ
る。

【００６１】次に、本発明の第３の実施の形態を説明す
る。

【００６２】関連する回路中にＥＭＩ問題を生じさせて
しまうサージ電流を減じるために、図１の充電制御回路
５５は、制御された電流でストレージ・キャパシタ２８
を充電するのが好ましいものであり、本第３の実施の形
態は、そのような制御された充電を実現する機能を前述
した第１の実施の形態に付加したものである。

【００６３】即ち、図６は、例えば、ダイオード１７
４，１７５、キャパシタ１７６，１７７、及び抵抗１７
８，１７９で形成された倍電圧器１７２に接続された限
流スイッチ１７０を示している。ここで、倍電圧器１７
２は、入力ポート１８２と１８３を持っており、この入
力ポート１８２には直列に抵抗１８４が設けられてい
る。

【００６４】上記限流スイッチ１７０は、そのドレイン
が上記倍電器１７２に接続されたエンハンスメント・モ
ードのＭＯＳＦＥＴトランジスタ１８６を含んでいる。
このＭＯＳＦＥＴトランジスタ１８６のソースは、抵抗
１８８とダイオード１８９を介してコンパレータ１９０
に接続されており、このコンパレータ１９０は、当該充
電制御回路（図１における５５）のキャパシタ充電信号
Ｖ_Cを発生する。また、上記ＭＯＳＦＥＴトランジスタ
１８６のゲートとドレインの間には抵抗１９２が接続さ
れると共に、ゲートと上記抵抗１８８とダイオード１８
９の接合点との間にツェナー・ダイオード１９４が接続
されている。さらに上記ゲートは、ドライバ１９６（他
のエンハンスメント・モードＭＯＳＦＥＴ）を介してグ
ラウンドに結合されている。このドライバ１９６のゲー
トは、抵抗１９８と並列キャパシタ１９９及び直列イン
バータ２００を介して反転消磁信号ＤＥＧＡＵＳＳバー
に接続されている。また、このＭＯＳＦＥＴ１９６のゲ
ート端子とドレイン端子の間にキャパシタ２０１が接続
されている。そして、上記スイッチ１８６、抵抗１８８
及びダイオード１８９をまたぐダイオード２０２によっ
て、高速放電経路が形成される。また、ＭＯＳＦＥＴ１
９６、抵抗１９８及びキャパシタ２０１は、Miller（ミ
ラー）積分器２０４を形成する。そして、抵抗１９８と
並列のダイオード１９９は、トランジスタ１９６の素早
いターン・オンを許すが、このMiller積分器の影響のた
めにターン・オフはゆっくりとなる。

【００６５】動作においては、倍電器１７２のポート１
８２と１８３との間に接続されたＡＣ源によって、ある
いは、上記ポート１８２とグラウンドとの間に接続され
たＤＣ源によって、上記スイッチ１７０のための供給電
圧が発生されることができる。消磁信号ＤＥＧＡＵＳＳ
は、上記ドライバ１９６に、上記スイッチ１８６のゲー
トをグラウンドに素早く引き込ませ、そのため、このス
イッチ１８６は消磁サイクルの間オフとなる。逆バイア
スされたダイオード１８９は、ストレージ・キャパシタ
（図１における２８）から当該充電制御回路を切断す
る。消磁サイクルと次の消磁サイクルとの間に、スイッ
チ１８６のゲートは、上記Miller積分器２０４の動作に
よってゆっくりと上昇することを許される。スイッチ１
８６を流れる電流は、ここで、供給ポート即ちコンパレ
ータ１９０を介して上記ストレージ・キャパシタ２８を
充電する。

【００６６】充電電流は、ソース抵抗１８８の電圧降下
が、ツェナー・ダイオード１９４の電圧とＭＯＳＦＥＴ
スイッチ１８６の閾値電圧即ちMiller積分器２０４によ
って発生されたランプとの小さい方に等しいような電流
に制限されるだろう。この電流は、スイッチ１８６に過
度の圧力を加えないばかりでなく、重大なＥＭＩ信号を
発生しないような値、例えば２０ミリアンペアに設定さ
れることができる。上記ポート４８２もしくは１８３へ
のソース電圧の除去によってこのシステムがターン・オ
フするとき、上記ストレージ・キャパシタ２８は、安全
に、ダイオード２０２を素早く放電する。

【００６７】このような限流スイッチ１７０及び倍電器
１７２の構成は、ストレージ・キャパシタ（図１におけ
る２８）の充電が環境温度の変化並びにソース電圧の変
動に関して調節されるということを保証する。コンパレ
ータ１９０の出力Ｖ_Cは、ストレージ・キャパシタ（図
１の２８）が十分に充電されるまえに、（図１の）フリ
ップ・フロップ８８がイネーブルされないということを
確実にする。

【００６８】出願人は、以上のような消磁システム２０
の試作品として、上記充電制御回路５５によってほぼ３
２０ボルトまで充電される２３０マイクロファラドのス
トレージ・キャパシタ２８を用いたものを作成した。こ
の試作品では、ブリッジ回路４６のスイッチは、２４ア
ンペア、６００ボルトのＩＧＢＴデバイス（Harris Sem
iconductorの部品番号ＨＧＴＧ２４Ｎ６０ＤＩＤ）であ
り、ブリッジ回路ドライバ５６及び５８は、Harris Sem
iconductorの部品番号ＨＩＰ２５００のドライバ／トラ
ンスレータである。電流検知抵抗５２，５４の抵抗値は
それぞれ０．１オームである。ランプ・ジェネレータ１
００は、３０ミリ秒のＲＣ時定数をもって減衰するラン
プを発生するものであり、ここで、ランプ閾値Ｒ_Tはラ
ンプの初期電圧のほぼ４％に設定している。また、制御
回路２４のディレィ８０及び８２は、１０マイクロ秒に
設定している。それぞれの消磁サイクルは、ほぼ１００
ミリ秒で完了される。回路は、ほぼ４秒で再充電し、別
の消磁サイクルのための準備が整う。

【００６９】この試作品は、色純度のロスがまさに出始
めるように調整された環境磁場中で、赤い平らなフィー
ルドを表示したモニタでテストされた。これは、消磁人
工物に対する最大感度を持つモニタを作るのに役だっ
た。これらのテストは、最も高い動作温度、例えば５０
℃で消磁コイルの抵抗値が１８．３オームを越えないの
が好ましいということを示した。この試作品の消磁コイ
ルは、内寸３６．７×４４．８センチメートルの１５０
巻きの＃２３ＡＷＧマグネット・ワイヤーで形成され
た。この消磁コイルのインダクタンスは、外部磁気シー
ルド（図３の３２）内部の時には３５ミリヘンリーであ
り、外部磁気シールドの外側の時には３１ミリヘンリー
であると測定された。また、その抵抗値は、１６オーム
であると測定された。

【００７０】なお、本明細書中で述べられた本発明の実
施の形態は例示的なものであり、当業者には、種々の変
形、寸法変更、配置が容易に想像できるものである。そ
のような変更及び変形の形態は、予期されるものであ
り、本発明を逸脱すること無しになされることができる
ものである。

【００７１】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
短時間で再利用でき、温度並びに電源変動に対し比較的
鈍感なものである、高速で効率の良いカラーＣＲＴ用消
磁システム、ディスプレィ・モニタ・システム、及びＣ
ＲＴの消磁方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態における消磁システ
ムの回路構成図である。

【図２】カラーモニタに関して消磁コイルを示す正面図
である。

【図３】図２中の３−３線断面図である。

【図４】図１の消磁システムにおいて消磁コイルを流れ
る電流のグラフを示す図である。

【図５】図１の消磁システムに適用可能な本発明の第２
の実施の形態における過電流保護回路の回路図である。

【図６】図１の消磁システムに適用可能な本発明の第３
の実施の形態における充電制御回路の回路図である。

【符号の説明】

２０…消磁システム、２２…ブリッジ回路、２４…制御
回路、２６…電流フィードバック回路、２７…消磁コイ
ル、２８…ストレージ・キャパシタ、３４…ＣＲＴ、５
２，５４…電流検知抵抗、６９…アウトレット・ポー
ト、７０…消磁コイルの第１の端部、７１…消磁コイル
の第２の端部、１１２…積分器、１１６…加算機、１１
８，１２０…コンパレータ、１２２…ゼロ積分器、１３
０…スイッチ、１５０…保護回路、１７０…限流スイッ
チ、１７２…倍電器。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】アウトレット・ポート（６９）を有する
エネルギー源（２８）と、第１及び第２の端部（７０，７１）を有し、ＣＲＴ（３
４）と結合する磁場を持つように配置されたコイル（２
７）と、第１及び第２の結合命令を連続的に発生するよう構成さ
れた制御回路（２４）と、前記第１の結合命令に応答して、前記コイルと前記エネ
ルギー源とを、前記第１の端部が前記アウトレット・ポ
ートに隣接するように直列に結合すると共に、前記第２
の結合命令に応答して、前記コイルと前記エネルギー源
とを、前記第２の端部が前記アウトレット・ポートに隣
接するように直列に結合するように配置されたスイッチ
ング・ネットワーク（２２）と、を具備し、前記エネルギー源と前記コイルとの間の上記
結合によって、前記コイルを流れる連続的な反対向きの
電流と、連続的な異なった向きの磁場とを生成すること
を特徴するカラーＣＲＴ用消磁システム。
【請求項２】前記スイッチング・ネットワークはさら
に、前記アウトレット・ポートが前記第１及び第２のコ
イル端部にそれぞれ隣接して結合されたときに前記コイ
ルを流れる電流に比例する第１及び第２の検知信号を生
成するように構成された電流検知ネットワーク（５２，
５４）を含み、前記制御回路はさらに、第１及び第２のフィードバック
信号にそれぞれ応答して、前記第１及び第２の結合命令
を発生するように構成されており、前記カラーＣＲＴ用消磁システムはさらに、基準信号と
前記第２及び第１の検知信号それぞれとの間の差分に応
答して、前記第１及び第２のフィードバック信号を発生
するように構成されたコンパレータ回路（１１８，１２
０）を含むことを特徴とする請求項１に記載のカラーＣ
ＲＴ用消磁システム。
【請求項３】前記スイッチング・ネットワークはさら
に、前記アウトレット・ポートが前記第１及び第２のコ
イル端部にそれぞれ隣接して結合されたときに前記コイ
ルを流れる電流に比例する第１及び第２の検知信号を生
成するように構成された電流検知ネットワーク（５２，
５４）を含み、前記制御回路はさらに、第１及び第２のフィードバック
信号にそれぞれ応答して、前記第１及び第２の結合命令
を発生するように構成されており、前記カラーＣＲＴ用消磁システムはさらに、前記第１の検知信号と第２の検知信号との間の積分され
た差に比例するエラー信号を生成するように配置された
エラー積分器（１１２）と、基準信号と前記エラー信号との間の差分を表す修正基準
信号と前記第２及び第１の検知信号それぞれとの間の差
分に応答して、前記第１及び第２のフィードバック信号
を発生するように構成されたコンパレータ回路（１１
６，１１８，１２０）とを含むことを特徴とする請求項
１に記載のカラーＣＲＴ用消磁システム。
【請求項４】ゼロ積分器（１２２）と、前記エラー信号をゼロにさせるフィードバック・ループ
中で、前記ゼロ積分器と前記エラー積分器とを結合する
ように配置されたケージング・スイッチ（１３０）と、をさらに具備することを特徴する請求項３に記載のカラ
ーＣＲＴ用消磁システム。
【請求項５】カラーＣＲＴ（３４）と、アウトレット・ポート（６９）を有するエネルギー源
（２８）と、第１及び第２の端部（７０，７１）を有し、前記カラー
ＣＲＴと結合する磁場を持つように配置されたコイル
（２７）と、第１及び第２の結合命令を連続的に発生するよう構成さ
れた制御回路（２４）と、前記第１の結合命令に応答して、前記コイルと前記エネ
ルギー源とを、前記第１の端部が前記アウトレット・ポ
ートに隣接するように直列に結合すると共に、前記第２
の結合命令に応答して、前記コイルと前記エネルギー源
とを、前記第２の端部が前記アウトレット・ポートに隣
接するように直列に結合するように配置されたスイッチ
ング・ネットワーク（２２）と、を具備し、前記エネルギー源と前記コイルとの間の上記
結合によって、前記コイルを流れる連続的な反対向きの
電流と、連続的な異なった向きの磁場とを生成すること
を特徴するディスプレィ・モニタ・システム。
【請求項６】前記スイッチング・ネットワークはさら
に、前記アウトレット・ポートが前記第１及び第２のコ
イル端部にそれぞれ隣接して結合されたときに前記コイ
ルを流れる電流に比例する第１及び第２の検知信号を生
成するように構成された電流検知ネットワーク（５２，
５４）を含み、前記制御回路はさらに、第１及び第２のフィードバック
信号にそれぞれ応答して、前記第１及び第２の結合命令
を発生するように構成されており、前記カラーＣＲＴ用消磁システムはさらに、前記第１の検知信号と第２の検知信号との間の積分され
た差に比例するエラー信号を生成するように配置された
エラー積分器（１１２）と、基準信号と前記エラー信号との間の差分を表す修正基準
信号と前記第２及び第１の検知信号それぞれとの間の差
分に応答して、前記第１及び第２のフィードバック信号
を発生するように構成されたコンパレータ回路（１１
６，１１８，１２０）とを含むことを特徴とする請求項
５に記載のディスプレィ・モニタ・システム。
【請求項７】その磁場がＣＲＴ（３４）と結合するよ
うにコイル（２７）を配置するステップと、エネルギー源（２８）（５２，５４）への前記コイルの
結合方向を連続的に反転して、前記コイルを連続的に反
対向きに流れる連続電流を発生するステップと、それぞれの連続的な反転の後に、先の結合において前記
コイルで発生された電流の少なくとも一部を、前記エネ
ルギー源で回収するステップと、を具備することを特徴とするＣＲＴの消磁方法。
【請求項８】先の結合において前記コイルで発生され
た電流の大きさを連続的に減じるように、それぞれの連
続的な結合反転を開始するステップをさらに具備するこ
とを特徴とする請求項７に記載のＣＲＴの消磁方法。
【請求項９】いずれかの結合中に、所定の閾値よりも
上記電流の振幅が下がったときに、前記連続的な結合反
転を停止するステップをさらに具備することを特徴とす
る請求項８に記載のＣＲＴの消磁方法。
【請求項１０】前記開始ステップは、それぞれの連続
的な結合反転を調節して、コイルの一方向における時間
積分電流を、コイルの他方向における時間積分電流とほ
ぼ等しくさせるステップを含むことを特徴とする請求項
８に記載のＣＲＴの消磁方法。