JPH0822648A - 光分離素子 - Google Patents
光分離素子Info
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- JPH0822648A JPH0822648A JP6150783A JP15078394A JPH0822648A JP H0822648 A JPH0822648 A JP H0822648A JP 6150783 A JP6150783 A JP 6150783A JP 15078394 A JP15078394 A JP 15078394A JP H0822648 A JPH0822648 A JP H0822648A
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- separating
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Abstract
(57)【要約】
【構成】相直交する第1と第2の偏光成分を有する光
を、第1,第2,第3の偏光膜3,4,5と全反射面
で、第1の偏光成分の光束と,第1の偏光成分と第2の
偏光成分が略等量含まれた2本の光束と,第2の偏光成
分の光束に、それぞれ所定の割合で分離し、同一方向に
出射させる機能を有する光分離素子を用いる。また、光
分離素子と受光素子を位置調整し固定した後、一体的に
切り出す。 【効果】簡単な構成の光分離受光素子で、光磁気信号と
フォーカスエラー信号及びトラックエラー信号を一括し
て検出することができる。また、光分離受光素子の位置
調整も簡略化できる。
を、第1,第2,第3の偏光膜3,4,5と全反射面
で、第1の偏光成分の光束と,第1の偏光成分と第2の
偏光成分が略等量含まれた2本の光束と,第2の偏光成
分の光束に、それぞれ所定の割合で分離し、同一方向に
出射させる機能を有する光分離素子を用いる。また、光
分離素子と受光素子を位置調整し固定した後、一体的に
切り出す。 【効果】簡単な構成の光分離受光素子で、光磁気信号と
フォーカスエラー信号及びトラックエラー信号を一括し
て検出することができる。また、光分離受光素子の位置
調整も簡略化できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気ディスク装置な
どに使用されて偏光成分により光を分離し受光する光分
離受光素子と、この光分離受光素子を用いた光磁気ディ
スク装置に関する。また、光通信の分野において光を分
離したり結合させる光分離素子や光結合素子に関する。
どに使用されて偏光成分により光を分離し受光する光分
離受光素子と、この光分離受光素子を用いた光磁気ディ
スク装置に関する。また、光通信の分野において光を分
離したり結合させる光分離素子や光結合素子に関する。
【0002】
【従来の技術】光磁気ディスク装置の情報信号の再生に
は、ディスクに記録されている記録ビットの磁化の方向
により、ディスクからの戻り光の偏光方向が変化するカ
ー効果を利用する。このため、光磁気ディスク装置の光
学系には、偏光方向を検出し分離する手段と、記録ビッ
トに光スポットを追従させるためのフォーカスエラー信
号とトラックエラー信号を得る手段が必要となる。光磁
気ディスク装置の小型化を図るには、いかに光学系を小
型化させるかが重要となる。
は、ディスクに記録されている記録ビットの磁化の方向
により、ディスクからの戻り光の偏光方向が変化するカ
ー効果を利用する。このため、光磁気ディスク装置の光
学系には、偏光方向を検出し分離する手段と、記録ビッ
トに光スポットを追従させるためのフォーカスエラー信
号とトラックエラー信号を得る手段が必要となる。光磁
気ディスク装置の小型化を図るには、いかに光学系を小
型化させるかが重要となる。
【0003】光学系の小型化を図る技術として、例え
ば、特開平4−362554 号公報に記載のように、平板ガラ
スに位相差板と偏光膜を配置した光分離素子により、偏
光分離とフォーカスエラー信号及びトラックエラー信号
の検出を行うことがなされている。
ば、特開平4−362554 号公報に記載のように、平板ガラ
スに位相差板と偏光膜を配置した光分離素子により、偏
光分離とフォーカスエラー信号及びトラックエラー信号
の検出を行うことがなされている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、フ
ォーカスエラー信号を検出するために、いわゆる非点収
差法を用いている。非点収差法は簡単な構成でフォーカ
スエラー信号が検出できるという利点を有しているもの
の、ディスクのトラック溝で回折された戻り光が光検出
器上で干渉する影響を避けることはできず、フォーカス
エラー信号にオフセットが生じ易いという問題点があ
る。フォーカスエラー信号にオフセットが生じると、デ
ィスクの記録面上に光がしぼり込まれず、情報の記録再
生に誤りが生じることになる。
ォーカスエラー信号を検出するために、いわゆる非点収
差法を用いている。非点収差法は簡単な構成でフォーカ
スエラー信号が検出できるという利点を有しているもの
の、ディスクのトラック溝で回折された戻り光が光検出
器上で干渉する影響を避けることはできず、フォーカス
エラー信号にオフセットが生じ易いという問題点があ
る。フォーカスエラー信号にオフセットが生じると、デ
ィスクの記録面上に光がしぼり込まれず、情報の記録再
生に誤りが生じることになる。
【0005】また、ディスクからの戻り光を検出する光
検出器は、作業者が1個ずつ高精度に位置調整する必要
があり、時間のかかる作業となっていた。
検出器は、作業者が1個ずつ高精度に位置調整する必要
があり、時間のかかる作業となっていた。
【0006】本発明の目的は、簡単な構成により光の偏
光分離とオフセットの少ないフォーカスエラー信号及び
トラックエラー信号の検出ができ、かつ光検出器の位置
調整も簡略化できる光分離受光素子を提供し、これを用
いた光磁気ディスク装置の小型化,低価格化を図ること
にある。
光分離とオフセットの少ないフォーカスエラー信号及び
トラックエラー信号の検出ができ、かつ光検出器の位置
調整も簡略化できる光分離受光素子を提供し、これを用
いた光磁気ディスク装置の小型化,低価格化を図ること
にある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、光分離素子であって、相直交する第1と
第2の偏光成分を有する光を、第1,第2,第3の偏光
膜と全反射面にて、第1の偏光成分の光束と,第1の偏
光成分と第2の偏光成分が略等量含まれた2本の光束
と,第2の偏光成分の光束に、それぞれ所定の割合で分
離し、同一方向に出射させる機能を有する光分離素子を
用いる。
に、本発明は、光分離素子であって、相直交する第1と
第2の偏光成分を有する光を、第1,第2,第3の偏光
膜と全反射面にて、第1の偏光成分の光束と,第1の偏
光成分と第2の偏光成分が略等量含まれた2本の光束
と,第2の偏光成分の光束に、それぞれ所定の割合で分
離し、同一方向に出射させる機能を有する光分離素子を
用いる。
【0008】または、単数あるいは複数の光分離面を有
する光分離素子であって、該光分離素子に入射した光
を、それぞれ所定の反射率,透過率を有する前記単数あ
るいは複数の光分離面において複数の光に分離し、前記
光分離素子から出射させる機能を有する光分離素子を用
いる。
する光分離素子であって、該光分離素子に入射した光
を、それぞれ所定の反射率,透過率を有する前記単数あ
るいは複数の光分離面において複数の光に分離し、前記
光分離素子から出射させる機能を有する光分離素子を用
いる。
【0009】または、光分離素子において、光分離素子
中に偏光方向を90度回転させる手段を有する光分離素
子を用いる。
中に偏光方向を90度回転させる手段を有する光分離素
子を用いる。
【0010】さらに、受光素子と光分離素子とからなる
光分離受光素子であって、光分離素子から出射される複
数の光を、それぞれ受光する受光部が設けられている光
分離受光素子を用いる。
光分離受光素子であって、光分離素子から出射される複
数の光を、それぞれ受光する受光部が設けられている光
分離受光素子を用いる。
【0011】さらに、レーザ光源と,前記レーザ光源か
ら射出されたレーザ光を光情報記録媒体に集光させる光
学系と,前記光情報記録媒体からの反射光を検出する光
学系とを有する光磁気ディスク装置において、前記光情
報記録媒体からの反射光を検出する光学系に光分離受光
素子を用いた光磁気ディスク装置を用いる。
ら射出されたレーザ光を光情報記録媒体に集光させる光
学系と,前記光情報記録媒体からの反射光を検出する光
学系とを有する光磁気ディスク装置において、前記光情
報記録媒体からの反射光を検出する光学系に光分離受光
素子を用いた光磁気ディスク装置を用いる。
【0012】さらに、レーザ光源と,前記レーザ光源か
ら射出されたレーザ光を光情報記録媒体に集光させる光
学系と,前記光情報記録媒体からの反射光を検出する光
学系とを有する光磁気ディスク装置において、前記光情
報記録媒体からの反射光を検出する光学系に、前記光分
離受光素子を用い、相直交する第1の偏光成分と第2の
偏光成分に対応する受光部の受光光量差から光磁気信号
を得、第1の偏光成分と第2の偏光成分が略等量含まれ
た光に対応する受光部の受光光量から前記光情報記録媒
体の記録ビットに光スポットを追従させるためのフォー
カスエラー信号とトラックエラー信号を得る光磁気ディ
スク装置を用いる。
ら射出されたレーザ光を光情報記録媒体に集光させる光
学系と,前記光情報記録媒体からの反射光を検出する光
学系とを有する光磁気ディスク装置において、前記光情
報記録媒体からの反射光を検出する光学系に、前記光分
離受光素子を用い、相直交する第1の偏光成分と第2の
偏光成分に対応する受光部の受光光量差から光磁気信号
を得、第1の偏光成分と第2の偏光成分が略等量含まれ
た光に対応する受光部の受光光量から前記光情報記録媒
体の記録ビットに光スポットを追従させるためのフォー
カスエラー信号とトラックエラー信号を得る光磁気ディ
スク装置を用いる。
【0013】さらに、光分離受光素子の位置調整簡略化
のために、1組の受光部のパターンが複数組並列に配置
された受光素子と前記光分離素子とを位置調整し固定し
た後、前記受光素子と光分離素子を一体的に切り出した
光分離受光素子を用いる。
のために、1組の受光部のパターンが複数組並列に配置
された受光素子と前記光分離素子とを位置調整し固定し
た後、前記受光素子と光分離素子を一体的に切り出した
光分離受光素子を用いる。
【0014】また、例えば光通信において、光を分離す
るための素子として上記述べてきた光分離素子を用い
る。また、光を結合するための素子として、光路を変化
させるための複数の面を有する光結合素子であって、前
記光結合素子に入射した複数の光を、それぞれ所定の反
射率,透過率を有する前記複数の面において、同一方向
に光路を変化させ、前記光結合素子から射出させる機能
を有する光結合素子を用いる。
るための素子として上記述べてきた光分離素子を用い
る。また、光を結合するための素子として、光路を変化
させるための複数の面を有する光結合素子であって、前
記光結合素子に入射した複数の光を、それぞれ所定の反
射率,透過率を有する前記複数の面において、同一方向
に光路を変化させ、前記光結合素子から射出させる機能
を有する光結合素子を用いる。
【0015】
【作用】上記手段によれば、例えば、光磁気ディスク装
置において、ディスクからの戻り光を、簡単な構成の光
分離受光素子にて所定の偏光成分の光に分離し、光磁気
信号とフォーカスエラー信号及びトラックエラー信号を
一括して検出することができる。また、1組の受光部の
パターンが複数組並列に配置された受光素子と光分離素
子とを位置調整し固定した後、受光素子と光分離素子を
一体的に切り出すことにより、光分離受光素子の位置調
整も簡略化でき、光磁気ディスク装置の小型化,低価格
化が図れる。
置において、ディスクからの戻り光を、簡単な構成の光
分離受光素子にて所定の偏光成分の光に分離し、光磁気
信号とフォーカスエラー信号及びトラックエラー信号を
一括して検出することができる。また、1組の受光部の
パターンが複数組並列に配置された受光素子と光分離素
子とを位置調整し固定した後、受光素子と光分離素子を
一体的に切り出すことにより、光分離受光素子の位置調
整も簡略化でき、光磁気ディスク装置の小型化,低価格
化が図れる。
【0016】
【実施例】以下、本発明の光分離素子の一実施例を図1
を用いて説明する。光分離素子1は、4枚の平板ガラス
が3層の偏光膜を介して積層され、図1に示すような台
形状に加工されたものである。図1において、光分離素
子1への入射光2の偏光方向を、紙面内方向をp偏光,
紙面に垂直な方向をs偏光とする。また、光分離素子1
への入射光2の偏光状態をp偏光成分100%,s偏光
成分100%とする。
を用いて説明する。光分離素子1は、4枚の平板ガラス
が3層の偏光膜を介して積層され、図1に示すような台
形状に加工されたものである。図1において、光分離素
子1への入射光2の偏光方向を、紙面内方向をp偏光,
紙面に垂直な方向をs偏光とする。また、光分離素子1
への入射光2の偏光状態をp偏光成分100%,s偏光
成分100%とする。
【0017】第1の偏光膜3は、p偏光成分の透過率1
00%,s偏光成分の反射率60%と設定されている。
したがって、第1の偏光膜3で反射した光7は、60%
のs偏光成分を有している。
00%,s偏光成分の反射率60%と設定されている。
したがって、第1の偏光膜3で反射した光7は、60%
のs偏光成分を有している。
【0018】第1の偏光膜3を透過した光は、100%
のp偏光成分と40%のs偏光成分を有しており、第2
の偏光膜4は、p偏光の反射率20%,s偏光の反射率
50%と設定されている。したがって、第2の偏光膜4
で反射した光8は、20%のp偏光成分と20%のs偏
光成分を有している。
のp偏光成分と40%のs偏光成分を有しており、第2
の偏光膜4は、p偏光の反射率20%,s偏光の反射率
50%と設定されている。したがって、第2の偏光膜4
で反射した光8は、20%のp偏光成分と20%のs偏
光成分を有している。
【0019】第2の偏光膜4を透過した光は、80%の
p偏光成分と20%のs偏光成分を有しており、第3の
偏光膜5は、p偏光の反射率25%,s偏光の反射率1
00%と設定されている。したがって、第3の偏光膜5
で反射した光9は、20%のp偏光成分と20%のs偏
光成分を有している。
p偏光成分と20%のs偏光成分を有しており、第3の
偏光膜5は、p偏光の反射率25%,s偏光の反射率1
00%と設定されている。したがって、第3の偏光膜5
で反射した光9は、20%のp偏光成分と20%のs偏
光成分を有している。
【0020】第3の偏光膜5を透過した60%のp偏光
成分は、全反射面6で反射し光分離素子から射出する光
10となる。
成分は、全反射面6で反射し光分離素子から射出する光
10となる。
【0021】したがって、図1に示した光分離素子1を
用いることにより、光分離素子1に入射した光2を、6
0%のs偏光成分を有する光7と,20%のp偏光成分
と20%のs偏光成分を有する光8,9と,60%のp
偏光成分を有する光10に分離し、同一方向に射出する
光分離素子が得られる。
用いることにより、光分離素子1に入射した光2を、6
0%のs偏光成分を有する光7と,20%のp偏光成分
と20%のs偏光成分を有する光8,9と,60%のp
偏光成分を有する光10に分離し、同一方向に射出する
光分離素子が得られる。
【0022】なお、ここに示した数値はそれぞれ数%の
誤差が含まれてもよい。また、図1では光分離素子1へ
の入射光2の偏光状態をp偏光100%,s偏光100
%としたが、この偏光状態は任意で良く、また、分離の
比率も任意に設定可能である。また、図1では図の左方
からs偏光成分の光,p偏光成分とs偏光成分の光,p
偏光成分とs偏光成分の光,p偏光成分の光に分離され
るが、この分離の順番に関しても任意である。
誤差が含まれてもよい。また、図1では光分離素子1へ
の入射光2の偏光状態をp偏光100%,s偏光100
%としたが、この偏光状態は任意で良く、また、分離の
比率も任意に設定可能である。また、図1では図の左方
からs偏光成分の光,p偏光成分とs偏光成分の光,p
偏光成分とs偏光成分の光,p偏光成分の光に分離され
るが、この分離の順番に関しても任意である。
【0023】また、図2に示すように、図面上で光分離
素子11の上方から光が入射する構成としてもよい。図
2では、図の左方からp偏光成分の光,p偏光成分とs
偏光成分の光,s偏光成分の光,p偏光成分とs偏光成
分の光に分離する構成を示している。
素子11の上方から光が入射する構成としてもよい。図
2では、図の左方からp偏光成分の光,p偏光成分とs
偏光成分の光,s偏光成分の光,p偏光成分とs偏光成
分の光に分離する構成を示している。
【0024】この時、第1の偏光膜13は、p偏光成分
の透過率60%,s偏光成分の反射率100%と設定さ
れている。したがって、第1の偏光膜13を透過した光
17は、60%のp偏光成分を有している。
の透過率60%,s偏光成分の反射率100%と設定さ
れている。したがって、第1の偏光膜13を透過した光
17は、60%のp偏光成分を有している。
【0025】第1の偏光膜13で反射した光は、40%
のp偏光成分と100%のs偏光成分を有しており、第
2の偏光膜14は、p偏光の反射率50%,s偏光の反
射率20%と設定されている。したがって、第2の偏光
膜14で反射した光18は、20%のp偏光成分と20
%のs偏光成分を有している。
のp偏光成分と100%のs偏光成分を有しており、第
2の偏光膜14は、p偏光の反射率50%,s偏光の反
射率20%と設定されている。したがって、第2の偏光
膜14で反射した光18は、20%のp偏光成分と20
%のs偏光成分を有している。
【0026】第2の偏光膜14を透過した光は、20%
のp偏光成分と80%のs偏光成分を有しており、第3
の偏光膜15は、p偏光の透過率100%,s偏光の反
射率75%と設定されている。したがって、第3の偏光
膜15で反射した光19は、60%のs偏光成分を有し
ている。
のp偏光成分と80%のs偏光成分を有しており、第3
の偏光膜15は、p偏光の透過率100%,s偏光の反
射率75%と設定されている。したがって、第3の偏光
膜15で反射した光19は、60%のs偏光成分を有し
ている。
【0027】第3の偏光膜15を透過した20%のp偏
光成分と20%のs偏光成分は、全反射面16で反射し
光分離素子から射出する光20となる。
光成分と20%のs偏光成分は、全反射面16で反射し
光分離素子から射出する光20となる。
【0028】この構成によっても、光分離素子11に入
射した光12を、60%のp偏光成分を有する光17
と,20%のp偏光成分と20%のs偏光成分を有する
光18,20と,60%のs偏光成分を有する光19に
分離し、同一方向に射出する光分離素子が得られる。
射した光12を、60%のp偏光成分を有する光17
と,20%のp偏光成分と20%のs偏光成分を有する
光18,20と,60%のs偏光成分を有する光19に
分離し、同一方向に射出する光分離素子が得られる。
【0029】なお、前述と同様ここに示した数値はそれ
ぞれ数%の誤差が含まれてもよい。また、入射光の偏光
状態、及び分離の比率及び順番は任意に設定可能であ
り、上記はその一例を示したものである。
ぞれ数%の誤差が含まれてもよい。また、入射光の偏光
状態、及び分離の比率及び順番は任意に設定可能であ
り、上記はその一例を示したものである。
【0030】次に、本発明の光分離受光素子の実施例を
図3及び図4を用いて説明する。図3では、光分離受光
素子が、光磁気ディスク装置においてディスクからの戻
り光の経路に配置された場合を示している。図3では、
光分離素子として図1で説明した光分離素子1を用いた
構成を示しているが、図2で説明した光分離素子11を
用いてもよい。図4は、図3に示した受光素子21の受
光部パターンの上面図である。
図3及び図4を用いて説明する。図3では、光分離受光
素子が、光磁気ディスク装置においてディスクからの戻
り光の経路に配置された場合を示している。図3では、
光分離素子として図1で説明した光分離素子1を用いた
構成を示しているが、図2で説明した光分離素子11を
用いてもよい。図4は、図3に示した受光素子21の受
光部パターンの上面図である。
【0031】光分離素子1から射出される各々の光に対
して、これらを受光する受光部22,23,24,25
を設けた受光素子21が配置される。なお、図中には示
していないが受光部から信号を外部に取り出すための配
線が設けられている。
して、これらを受光する受光部22,23,24,25
を設けた受光素子21が配置される。なお、図中には示
していないが受光部から信号を外部に取り出すための配
線が設けられている。
【0032】光分離素子1から射出される60%のs偏
光成分の光7は受光部22により検出され、20%のp
偏光成分と20%のs偏光成分を有する光8,9は受光
部23,24により検出され、60%のp偏光成分の光
10は受光部25により検出される。等量のp偏光成分
とs偏光成分を有する光23,24に対応する受光部2
3,24は図4に示すように4分割されている。
光成分の光7は受光部22により検出され、20%のp
偏光成分と20%のs偏光成分を有する光8,9は受光
部23,24により検出され、60%のp偏光成分の光
10は受光部25により検出される。等量のp偏光成分
とs偏光成分を有する光23,24に対応する受光部2
3,24は図4に示すように4分割されている。
【0033】なお、等量のp偏光成分とs偏光成分を有
する光に対する受光部が4分割されるため、例えば図2
に示した光分離素子を用いた場合は、左から2番目と右
端の受光部が4分割された受光部となる。
する光に対する受光部が4分割されるため、例えば図2
に示した光分離素子を用いた場合は、左から2番目と右
端の受光部が4分割された受光部となる。
【0034】いずれにせよ、p偏光成分とs偏光成分の
光に対する受光部の受光光量の差から光磁気信号が得ら
れ、等量のp偏光成分とs偏光成分を有する光に対して
4分割受光部が設けられ、この4分割受光部の受光光量
を所定の処理を行うことにより、ディスクに記録された
ビットに光スポットを追従させるためのフォーカスエラ
ー信号とトラックエラー信号が得られ、p偏光成分とs
偏光成分の光に対する受光部の受光光量の差から光磁気
信号が得られる。
光に対する受光部の受光光量の差から光磁気信号が得ら
れ、等量のp偏光成分とs偏光成分を有する光に対して
4分割受光部が設けられ、この4分割受光部の受光光量
を所定の処理を行うことにより、ディスクに記録された
ビットに光スポットを追従させるためのフォーカスエラ
ー信号とトラックエラー信号が得られ、p偏光成分とs
偏光成分の光に対する受光部の受光光量の差から光磁気
信号が得られる。
【0035】フォーカスエラー信号とトラックエラー信
号の検出方法について説明する。受光部23,24は図
4に示したように4分割されており、ディスクの記録面
上に光スポットの焦点位置があるときディスクからの戻
り光の集束点26に対して等距離離れた位置に配置され
ている。フォーカスエラー信号は、次のような処理によ
り得られる。以下、例えば(23a)の様に記したもの
は、受光部23aの出力を表すものとする。
号の検出方法について説明する。受光部23,24は図
4に示したように4分割されており、ディスクの記録面
上に光スポットの焦点位置があるときディスクからの戻
り光の集束点26に対して等距離離れた位置に配置され
ている。フォーカスエラー信号は、次のような処理によ
り得られる。以下、例えば(23a)の様に記したもの
は、受光部23aの出力を表すものとする。
【0036】・フォーカスエラー信号=(23a)+(2
3b)−(24a)−(24b) このような処理によりフォーカスエラー信号を得ること
で、ディスクのトラック溝からの回折光の影響を受けに
くくすることができ、オフセットの少ないフォーカスエ
ラー信号を得ることができる。
3b)−(24a)−(24b) このような処理によりフォーカスエラー信号を得ること
で、ディスクのトラック溝からの回折光の影響を受けに
くくすることができ、オフセットの少ないフォーカスエ
ラー信号を得ることができる。
【0037】また、受光部23,24の分割線27,2
8の方向は、ディスクのトラック溝の方向と平行であ
り、トラックエラー信号はいわゆるプッシュプル法によ
り、次のような処理により得られる。
8の方向は、ディスクのトラック溝の方向と平行であ
り、トラックエラー信号はいわゆるプッシュプル法によ
り、次のような処理により得られる。
【0038】・トラックエラー信号=(23c)−(23
d) または ・トラックエラー信号=(24c)−(24d) または ・トラックエラー信号=(23c)−(23d)−(24c)
+(24d) 最後のような処理を行うとトラックエラー信号のオフセ
ットを低減させることができる。
d) または ・トラックエラー信号=(24c)−(24d) または ・トラックエラー信号=(23c)−(23d)−(24c)
+(24d) 最後のような処理を行うとトラックエラー信号のオフセ
ットを低減させることができる。
【0039】受光部の分割線27,28の方向は、ディ
スクのトラック溝の方向と平行であれば良く、光学系の
配置によっては図5に示すような構成、あるいは所定の
角度だけ傾いた構成でもよい。
スクのトラック溝の方向と平行であれば良く、光学系の
配置によっては図5に示すような構成、あるいは所定の
角度だけ傾いた構成でもよい。
【0040】本実施例によれば、簡単な構成の光分離受
光素子により所定の偏光成分の光に分離でき、光磁気信
号とフォーカスエラー信号及びトラックエラー信号を一
括して検出することができる。
光素子により所定の偏光成分の光に分離でき、光磁気信
号とフォーカスエラー信号及びトラックエラー信号を一
括して検出することができる。
【0041】次に、本発明の光分離受光素子を用いた光
磁気ディスク装置の光学系の構成を図6に示す。半導体
レーザ29から射出した光は、コリメートレンズ30に
より平行光となり、ビームスプリッタ31を透過し、立
ち上げプリズム32で光路を曲げ、対物レンズ33によ
り集光されて、光磁気ディスク34に照射される。光磁
気ディスク34により反射された光は元の光路を戻り、
ビームスプリッタ31で反射し、1/2波長板35によ
り偏光方向が回転され、検出レンズ36により集束させ
られて、光分離受光素子37に入射する。ここでは、光
分離受光素子37として図3及び図4に示した光分離受
光素子を考えているが、前述したように光学系の配置に
よっては図5に示した構成でも良い。
磁気ディスク装置の光学系の構成を図6に示す。半導体
レーザ29から射出した光は、コリメートレンズ30に
より平行光となり、ビームスプリッタ31を透過し、立
ち上げプリズム32で光路を曲げ、対物レンズ33によ
り集光されて、光磁気ディスク34に照射される。光磁
気ディスク34により反射された光は元の光路を戻り、
ビームスプリッタ31で反射し、1/2波長板35によ
り偏光方向が回転され、検出レンズ36により集束させ
られて、光分離受光素子37に入射する。ここでは、光
分離受光素子37として図3及び図4に示した光分離受
光素子を考えているが、前述したように光学系の配置に
よっては図5に示した構成でも良い。
【0042】また、ビームスプリッタ31を半導体レー
ザ29からのレーザ光を透過させ、光磁気ディスク34
からの戻り光を反射させる構成としたが、ビームスプリ
ッタ31を半導体レーザ29からのレーザ光を反射さ
せ、光磁気ディスク34からの戻り光を透過させても良
い。
ザ29からのレーザ光を透過させ、光磁気ディスク34
からの戻り光を反射させる構成としたが、ビームスプリ
ッタ31を半導体レーザ29からのレーザ光を反射さ
せ、光磁気ディスク34からの戻り光を透過させても良
い。
【0043】カー効果による光磁気ディスク34からの
戻り光の偏光方向の回転量は、光分離受光素子37によ
りs偏光成分とp偏光成分の受光量として検出される。
したがって、受光部22,25の受光量の差から光磁気
信号が得られる。
戻り光の偏光方向の回転量は、光分離受光素子37によ
りs偏光成分とp偏光成分の受光量として検出される。
したがって、受光部22,25の受光量の差から光磁気
信号が得られる。
【0044】フォーカスエラー信号とトラックエラー信
号は、偏光に依存しない受光部23,24の受光量から
得られ、オフセットの少ない良質な信号が得られる。
号は、偏光に依存しない受光部23,24の受光量から
得られ、オフセットの少ない良質な信号が得られる。
【0045】本実施例によれば、簡単な構成の光分離受
光素子により所定の偏光成分の光に分離でき、光磁気信
号とフォーカスエラー信号及びトラックエラー信号を一
括して検出することができるので、光磁気ディスク装置
の小型化が図れる。
光素子により所定の偏光成分の光に分離でき、光磁気信
号とフォーカスエラー信号及びトラックエラー信号を一
括して検出することができるので、光磁気ディスク装置
の小型化が図れる。
【0046】次に、本発明の光分離受光素子を用いた光
磁気ディスク装置の光学系の別構成を図7に示す。半導
体レーザ29から射出した光は、コリメートレンズ30
により平行光となり、回折格子38により主ビームと2
本の副ビームに分けられ、ビームスプリッタ31を透過
し、立ち上げプリズム32で光路を曲げ、対物レンズ3
3により集光されて、光磁気ディスク34に照射され
る。光磁気ディスク34により反射された光は元の光路
を戻り、ビームスプリッタ31で反射し、1/2波長板
35により偏光方向が回転され、検出レンズ36により
集束させられて、光分離受光素子37′に入射する。受
光素子21′の受光部パターンの上面図を図8に示す。
図4に示した受光部パターンに追加して、2本の副ビー
ムに対応した受光部41a,41b,43a,43bが
設けられている。
磁気ディスク装置の光学系の別構成を図7に示す。半導
体レーザ29から射出した光は、コリメートレンズ30
により平行光となり、回折格子38により主ビームと2
本の副ビームに分けられ、ビームスプリッタ31を透過
し、立ち上げプリズム32で光路を曲げ、対物レンズ3
3により集光されて、光磁気ディスク34に照射され
る。光磁気ディスク34により反射された光は元の光路
を戻り、ビームスプリッタ31で反射し、1/2波長板
35により偏光方向が回転され、検出レンズ36により
集束させられて、光分離受光素子37′に入射する。受
光素子21′の受光部パターンの上面図を図8に示す。
図4に示した受光部パターンに追加して、2本の副ビー
ムに対応した受光部41a,41b,43a,43bが
設けられている。
【0047】ここではビームスプリッタ31を半導体レ
ーザ29からのレーザ光を透過させ、光磁気ディスク3
4からの戻り光を反射させる構成としたが、ビームスプ
リッタ31を半導体レーザ29からのレーザ光を反射さ
せ、光磁気ディスク34からの戻り光を透過させても良
い。
ーザ29からのレーザ光を透過させ、光磁気ディスク3
4からの戻り光を反射させる構成としたが、ビームスプ
リッタ31を半導体レーザ29からのレーザ光を反射さ
せ、光磁気ディスク34からの戻り光を透過させても良
い。
【0048】カー効果による光磁気ディスク34からの
戻り光の偏光方向の回転量は、光分離受光素子37′に
よりs偏光成分とp偏光成分の受光量として検出され
る。したがって、受光部39,44の受光量の差から光
磁気信号が得られる。
戻り光の偏光方向の回転量は、光分離受光素子37′に
よりs偏光成分とp偏光成分の受光量として検出され
る。したがって、受光部39,44の受光量の差から光
磁気信号が得られる。
【0049】フォーカスエラー信号とトラックエラー信
号は、偏光に依存しない受光部40〜43の受光量から
得られる。フォーカスエラー信号は、前述と同様な方法
を用いることによりオフセットの少ない良質な信号が得
られる。トラックエラー信号は、2本の副ビームに対応
した受光部41a,41bあるいは43a,43bの受
光量の差から得られる。また、前述したプッシュプル法
と併用することも可能であり、これにより光磁気ディス
ク34上の記録ビットへの追従精度を向上できる。
号は、偏光に依存しない受光部40〜43の受光量から
得られる。フォーカスエラー信号は、前述と同様な方法
を用いることによりオフセットの少ない良質な信号が得
られる。トラックエラー信号は、2本の副ビームに対応
した受光部41a,41bあるいは43a,43bの受
光量の差から得られる。また、前述したプッシュプル法
と併用することも可能であり、これにより光磁気ディス
ク34上の記録ビットへの追従精度を向上できる。
【0050】本実施例によれば、簡単な構成の光分離受
光素子により所定の偏光成分の光に分離でき、光磁気信
号とフォーカスエラー信号及びトラックエラー信号を一
括して検出することができるので、光磁気ディスク装置
の小型化が図れる。
光素子により所定の偏光成分の光に分離でき、光磁気信
号とフォーカスエラー信号及びトラックエラー信号を一
括して検出することができるので、光磁気ディスク装置
の小型化が図れる。
【0051】次に、本発明の光分離受光素子を用いた光
磁気ディスク装置の光学系の別構成を図9に示す。半導
体レーザ29から射出した光は、コリメートレンズ30
により平行光となり、複合ビームスプリッタ45を透過
し、立ち上げプリズム32で光路を曲げ、対物レンズ3
3により集光されて、光磁気ディスク34に照射され
る。光磁気ディスク34により反射された光は元の光路
を戻り、複合ビームスプリッタ45で2回反射し、1/
2波長板35により偏光方向が回転され、検出レンズ3
6により集束させられて、光分離受光素子37に入射す
る。
磁気ディスク装置の光学系の別構成を図9に示す。半導
体レーザ29から射出した光は、コリメートレンズ30
により平行光となり、複合ビームスプリッタ45を透過
し、立ち上げプリズム32で光路を曲げ、対物レンズ3
3により集光されて、光磁気ディスク34に照射され
る。光磁気ディスク34により反射された光は元の光路
を戻り、複合ビームスプリッタ45で2回反射し、1/
2波長板35により偏光方向が回転され、検出レンズ3
6により集束させられて、光分離受光素子37に入射す
る。
【0052】ここでは複合ビームスプリッタ45を半導
体レーザ29からのレーザ光を透過させ、光磁気ディス
ク34からの戻り光を反射させる構成としたが、複合ビ
ームスプリッタ45を半導体レーザ29からのレーザ光
を反射させ、光磁気ディスク34からの戻り光を透過さ
せても良い。
体レーザ29からのレーザ光を透過させ、光磁気ディス
ク34からの戻り光を反射させる構成としたが、複合ビ
ームスプリッタ45を半導体レーザ29からのレーザ光
を反射させ、光磁気ディスク34からの戻り光を透過さ
せても良い。
【0053】またここでは、回折格子を用いない構成を
示したが、図7,図8で説明したのと同様に回折格子を
用いても良い。
示したが、図7,図8で説明したのと同様に回折格子を
用いても良い。
【0054】光磁気信号,フォーカスエラー信号,トラ
ックエラー信号の検出方法は、前述と同様である。
ックエラー信号の検出方法は、前述と同様である。
【0055】このように、本実施例によれば、光学系の
まとまりが良くなり光磁気ディスク装置のいっそうの小
型化が図れる。
まとまりが良くなり光磁気ディスク装置のいっそうの小
型化が図れる。
【0056】次に、本発明の光分離素子の別実施例を図
10を用いて説明する。光分離素子46は、これまで述
べてきた光分離素子中に位相差板47が挟まれている。
図10において、光分離素子46への入射光48の偏光
方向を、紙面内方向をp偏光,紙面に垂直な方向をs偏
光とする。また、光分離素子46への入射光48の偏光
状態をp偏光成分100%,s偏光成分100%とす
る。
10を用いて説明する。光分離素子46は、これまで述
べてきた光分離素子中に位相差板47が挟まれている。
図10において、光分離素子46への入射光48の偏光
方向を、紙面内方向をp偏光,紙面に垂直な方向をs偏
光とする。また、光分離素子46への入射光48の偏光
状態をp偏光成分100%,s偏光成分100%とす
る。
【0057】第1の偏光膜49は、p偏光成分の反射率
20%,s偏光成分の反射率20%と設定されている。
したがって、第1の偏光膜49で反射した光53は、2
0%のp偏光成分と20%のs偏光成分を有している。
20%,s偏光成分の反射率20%と設定されている。
したがって、第1の偏光膜49で反射した光53は、2
0%のp偏光成分と20%のs偏光成分を有している。
【0058】第1の偏光膜49を透過した光は、80%
のp偏光成分と80%のs偏光成分を有しており、第2
の偏光膜50は、p偏光の透過率100%,s偏光の反
射率75%と設定されている。したがって、第2の偏光
膜50で反射した光54は、60%のs偏光成分を有し
ている。
のp偏光成分と80%のs偏光成分を有しており、第2
の偏光膜50は、p偏光の透過率100%,s偏光の反
射率75%と設定されている。したがって、第2の偏光
膜50で反射した光54は、60%のs偏光成分を有し
ている。
【0059】第2の偏光膜50を透過した光は、80%
のp偏光成分と20%のs偏光成分を有している。位相
差板47はこれを通過する光に対して、その偏光方向を
90度回転させる機能を有している。したがって、位相
差板47を通過した光は、20%のp偏光成分(元はs
偏光)と80%のs偏光成分(元はp偏光)を有してい
る。第3の偏光膜51は、第2の偏光膜50と同様に、
p偏光の透過率100%,s偏光の反射率75%と設定
されている。したがって、第3の偏光膜51で反射した
光55は、60%のs偏光成分(元はp偏光)を有して
いる。
のp偏光成分と20%のs偏光成分を有している。位相
差板47はこれを通過する光に対して、その偏光方向を
90度回転させる機能を有している。したがって、位相
差板47を通過した光は、20%のp偏光成分(元はs
偏光)と80%のs偏光成分(元はp偏光)を有してい
る。第3の偏光膜51は、第2の偏光膜50と同様に、
p偏光の透過率100%,s偏光の反射率75%と設定
されている。したがって、第3の偏光膜51で反射した
光55は、60%のs偏光成分(元はp偏光)を有して
いる。
【0060】第3の偏光膜51を透過した20%のp偏
光成分(元はs偏光)と20%のs偏光成分(元はp偏
光)は、全反射面52で反射し、光分離素子から射出さ
れる光56となる。
光成分(元はs偏光)と20%のs偏光成分(元はp偏
光)は、全反射面52で反射し、光分離素子から射出さ
れる光56となる。
【0061】したがって、図10に示した光分離素子4
6を用いることにより、光分離素子46に入射した光4
8を、20%のp偏光成分と20%のs偏光成分を有す
る光53,56と,60%のs偏光成分を有する光54
と,60%の元p偏光成分を有する光55に分離し、同
一方向に射出する光分離素子が得られる。
6を用いることにより、光分離素子46に入射した光4
8を、20%のp偏光成分と20%のs偏光成分を有す
る光53,56と,60%のs偏光成分を有する光54
と,60%の元p偏光成分を有する光55に分離し、同
一方向に射出する光分離素子が得られる。
【0062】このように位相差板を用いる構成とするこ
とで、偏光膜の設計が容易になる。
とで、偏光膜の設計が容易になる。
【0063】なお、ここに示した数値はそれぞれ数%の
誤差が含まれてもよい。また、図10では光分離素子4
6への入射光48の偏光状態をp偏光100%,s偏光
100%としたが、この偏光状態は任意で良く、また、
分離の比率も任意に設定可能である。また、図10では
図の左方からp偏光成分とs偏光成分の光,s偏光成分
の光,p偏光成分の光,p偏光成分とs偏光成分の光に
分離されるが、この分離の順番に関しても任意である。
また、図2と同様に、光分離素子の上方から光が入射し
てもよい。また、図3から図9で示した光分離受光素子
及び光磁気ディスク装置に用いる光分離素子として同様
に用いることができる。
誤差が含まれてもよい。また、図10では光分離素子4
6への入射光48の偏光状態をp偏光100%,s偏光
100%としたが、この偏光状態は任意で良く、また、
分離の比率も任意に設定可能である。また、図10では
図の左方からp偏光成分とs偏光成分の光,s偏光成分
の光,p偏光成分の光,p偏光成分とs偏光成分の光に
分離されるが、この分離の順番に関しても任意である。
また、図2と同様に、光分離素子の上方から光が入射し
てもよい。また、図3から図9で示した光分離受光素子
及び光磁気ディスク装置に用いる光分離素子として同様
に用いることができる。
【0064】次に、本発明の光分離素子と受光素子の位
置調整方法、及び光分離受光素子の製造方法について図
11から図14を用いて説明する。
置調整方法、及び光分離受光素子の製造方法について図
11から図14を用いて説明する。
【0065】受光素子57は、これまで述べてきたいず
れかの受光素子の受光部パターン58を1組として、受
光部パターン58が複数組並列に配置されている。な
お、図11ではこの受光部パターン58が6組の場合を
示したが、素子の寸法により何組でもよい。光分離素子
59は、これまで述べてきたいずれかの光分離素子であ
り、受光素子57に対応するものである。
れかの受光素子の受光部パターン58を1組として、受
光部パターン58が複数組並列に配置されている。な
お、図11ではこの受光部パターン58が6組の場合を
示したが、素子の寸法により何組でもよい。光分離素子
59は、これまで述べてきたいずれかの光分離素子であ
り、受光素子57に対応するものである。
【0066】光分離素子59から射出される各々の光が
受光素子57の所定の受光部に入射するよう位置調整し
接着固定する。光分離素子59と受光素子57の位置調
整の方法は、図12に示すように受光素子57上に光分
離素子59の位置決め用マーク60を設け、このマーク
に沿って光分離素子59を位置決めする方法がある。
受光素子57の所定の受光部に入射するよう位置調整し
接着固定する。光分離素子59と受光素子57の位置調
整の方法は、図12に示すように受光素子57上に光分
離素子59の位置決め用マーク60を設け、このマーク
に沿って光分離素子59を位置決めする方法がある。
【0067】また、図13に示すように、受光素子57
上に位置決め用分割受光部61,62を設け、まず光分
離素子59が無い状態で、位置決め用参照光63に対し
て分割受光部61の中心を合わせる。次に、光分離素子
59を受光素子57上に配置すると光分離素子59の斜
面で位置決め用参照光63は屈折する。この屈折角度は
良く知られているスネルの法則により、入射角度をθ
1,屈折角度をθ2,入射側媒質の屈折率をn1,光分
離素子59の屈折率をn2とすると、n1・sinθ1=
n2・sinθ2の関係から求まる。光分離素子59の底
角をα,分割受光部61,62の中心間隔をx,光分離
素子59への入射位置と受光素子57の間隔をhとする
と、x=h・tan(α−θ2)の関係がある。したがっ
て、ちょうど位置調整がなされたときに位置決め用参照
光63が分割受光部62の中心に入射するよう分割受光
部61,62を配置しておき、その出力を見ながら光分
離素子59の位置調整をすることができる。
上に位置決め用分割受光部61,62を設け、まず光分
離素子59が無い状態で、位置決め用参照光63に対し
て分割受光部61の中心を合わせる。次に、光分離素子
59を受光素子57上に配置すると光分離素子59の斜
面で位置決め用参照光63は屈折する。この屈折角度は
良く知られているスネルの法則により、入射角度をθ
1,屈折角度をθ2,入射側媒質の屈折率をn1,光分
離素子59の屈折率をn2とすると、n1・sinθ1=
n2・sinθ2の関係から求まる。光分離素子59の底
角をα,分割受光部61,62の中心間隔をx,光分離
素子59への入射位置と受光素子57の間隔をhとする
と、x=h・tan(α−θ2)の関係がある。したがっ
て、ちょうど位置調整がなされたときに位置決め用参照
光63が分割受光部62の中心に入射するよう分割受光
部61,62を配置しておき、その出力を見ながら光分
離素子59の位置調整をすることができる。
【0068】また、実際に信号検出用受光部からの出力
を見ながら位置調整することもできる。
を見ながら位置調整することもできる。
【0069】このようにして、光分離素子59と受光素
子57を位置調整し接着固定した後、図14に示すよう
に受光部パターン58の境界線に沿って、光分離素子5
9と受光素子57を一体的に切り出す。この場合は一度
に6個の光分離受光素子が切り出され、しかもそれらは
既に位置調整がなされている。
子57を位置調整し接着固定した後、図14に示すよう
に受光部パターン58の境界線に沿って、光分離素子5
9と受光素子57を一体的に切り出す。この場合は一度
に6個の光分離受光素子が切り出され、しかもそれらは
既に位置調整がなされている。
【0070】これにより、従来は光分離素子と受光素子
を1個ずつ位置調整していたのに比べて、本実施例によ
れば、一回の位置調整で複数の光分離受光素子の位置調
整がなされ、調整工程の簡略化が図れる。
を1個ずつ位置調整していたのに比べて、本実施例によ
れば、一回の位置調整で複数の光分離受光素子の位置調
整がなされ、調整工程の簡略化が図れる。
【0071】次に、本発明の光結合素子の実施例を図1
5を用いて説明する。これまで述べてきた光分離素子
は、1本の光束を複数に分離するものであったが、図1
5に示す光結合素子64は、光結合素子64に入射した
複数の光束65を光結合素子64から同一方向に出射さ
せる機能を有する。光結合素子64は、例えば、光通信
用の光結合素子として用いたり、また、複数の半導体レ
ーザを用いて多重記録を行う場合などの複数の光源から
の光をまとめる素子として用いることができる。
5を用いて説明する。これまで述べてきた光分離素子
は、1本の光束を複数に分離するものであったが、図1
5に示す光結合素子64は、光結合素子64に入射した
複数の光束65を光結合素子64から同一方向に出射さ
せる機能を有する。光結合素子64は、例えば、光通信
用の光結合素子として用いたり、また、複数の半導体レ
ーザを用いて多重記録を行う場合などの複数の光源から
の光をまとめる素子として用いることができる。
【0072】図16に光結合素子の一例として、光結合
素子66に4本の光束67〜70が入射し、同強度の光
束として出射させる場合を示す。光結合素子66への入
射光67〜70の強度をいずれも100とする。
素子66に4本の光束67〜70が入射し、同強度の光
束として出射させる場合を示す。光結合素子66への入
射光67〜70の強度をいずれも100とする。
【0073】第1の膜71は、反射率25%,透過率7
5%と設定されている。したがって、光結合素子66へ
の第1の入射光67は、第1の膜71で反射され、強度
25として光結合素子66から出射される。
5%と設定されている。したがって、光結合素子66へ
の第1の入射光67は、第1の膜71で反射され、強度
25として光結合素子66から出射される。
【0074】第2の膜72は、反射率33%,透過率6
7%と設定されている。したがって、光結合素子66へ
の第2の入射光68は、第2の膜72で反射される。こ
の時の強度は33であり、次に第1の膜71を透過し、
強度25として光結合素子66から出射される。
7%と設定されている。したがって、光結合素子66へ
の第2の入射光68は、第2の膜72で反射される。こ
の時の強度は33であり、次に第1の膜71を透過し、
強度25として光結合素子66から出射される。
【0075】第3の膜73は、反射率50%,透過率5
0%と設定されている。したがって、光結合素子66へ
の第3の入射光69は、第3の膜73で反射される。こ
の時の強度は50であり、次に第2の膜72を透過し、
強度33となる。次に第1の膜71を透過し、強度25
として光結合素子66から出射される。
0%と設定されている。したがって、光結合素子66へ
の第3の入射光69は、第3の膜73で反射される。こ
の時の強度は50であり、次に第2の膜72を透過し、
強度33となる。次に第1の膜71を透過し、強度25
として光結合素子66から出射される。
【0076】光結合素子66への第4の入射光70は、
全反射面74で反射され、次に第3の膜73を透過す
る。この時の強度は50であり、次に第2の膜72を透
過し、強度33となる。次に第1の膜71を透過し、強
度25として光結合素子66から出射される。
全反射面74で反射され、次に第3の膜73を透過す
る。この時の強度は50であり、次に第2の膜72を透
過し、強度33となる。次に第1の膜71を透過し、強
度25として光結合素子66から出射される。
【0077】したがって、図16に示した光結合素子6
6を用いることにより、光結合素子66に入射した強度
100の光を、いずれも強度25の光として同一方向に
射出する光結合素子が得られる。
6を用いることにより、光結合素子66に入射した強度
100の光を、いずれも強度25の光として同一方向に
射出する光結合素子が得られる。
【0078】なお、ここに示した数値はそれぞれ数%の
誤差が含まれてもよい。また、光結合素子への入射光の
強度及び出射する光の強度は、膜の反射率,透過率によ
り適当に設定可能である。また、その強度は必ずしも等
しい必要はない。
誤差が含まれてもよい。また、光結合素子への入射光の
強度及び出射する光の強度は、膜の反射率,透過率によ
り適当に設定可能である。また、その強度は必ずしも等
しい必要はない。
【0079】このように、本実施例によれば、複数の光
を結合させ同一方向に出射させる光結合素子が得られ
る。
を結合させ同一方向に出射させる光結合素子が得られ
る。
【0080】
【発明の効果】本発明によれば、例えば光磁気ディスク
装置において、ディスクからの戻り光を、簡単な構成の
光分離受光素子で所定の偏光成分の光に分離し、光磁気
信号とフォーカスエラー信号及びトラックエラー信号を
一括して検出することができる。また、1組の受光部の
パターンが複数組並列に配置された受光素子と光分離素
子とを位置調整し固定した後、受光素子と光分離素子を
一体的に切り出すことにより、光分離受光素子の位置調
整も簡略化でき、光磁気ディスク装置の小型化,低価格
化が図れる。
装置において、ディスクからの戻り光を、簡単な構成の
光分離受光素子で所定の偏光成分の光に分離し、光磁気
信号とフォーカスエラー信号及びトラックエラー信号を
一括して検出することができる。また、1組の受光部の
パターンが複数組並列に配置された受光素子と光分離素
子とを位置調整し固定した後、受光素子と光分離素子を
一体的に切り出すことにより、光分離受光素子の位置調
整も簡略化でき、光磁気ディスク装置の小型化,低価格
化が図れる。
【図1】本発明の光分離素子の一実施例の説明図。
【図2】本発明の光分離素子の第二実施例の説明図。
【図3】本発明の光分離受光素子の第三実施例の説明
図。
図。
【図4】図3の受光素子の上面図。
【図5】本発明の光分離受光素子の第二実施例の上面
図。
図。
【図6】本発明の光分離受光素子を用いた実施例の組立
図。
図。
【図7】本発明の光分離受光素子を用いた第二実施例の
組立図。
組立図。
【図8】図6の受光素子の第三実施例の上面図。
【図9】本発明の光分離受光素子を用いた第三実施例の
組立図。
組立図。
【図10】本発明の光分離素子の第四実施例の説明図。
【図11】本発明の光分離受光素子の位置調整方法の説
明図。
明図。
【図12】本発明の光分離受光素子の位置調整方法の一
実施例の斜視図。
実施例の斜視図。
【図13】本発明の光分離受光素子の位置調整方法の第
二実施例の説明図。
二実施例の説明図。
【図14】本発明の光分離受光素子の位置調整方法及び
切り出し方法の実施例の説明図。
切り出し方法の実施例の説明図。
【図15】本発明の光結合素子の第五実施例の説明図。
【図16】本発明の光結合素子の第六実施例の説明図。
【図17】本発明の光分離受光素子を用いた一実施例の
組立図。
組立図。
1…光分離素子、2…入射光、3…第1の偏光膜、4…
第2の偏光膜、5…第3の偏光膜、6…全反射面、7,
8,9,10…反射光。
第2の偏光膜、5…第3の偏光膜、6…全反射面、7,
8,9,10…反射光。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 貝沼 守 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内 (72)発明者 村西 勝 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内
Claims (1)
- 【請求項1】相直交する第1の偏光成分と第2の偏光成
分を有する光を、第1,第2,第3の偏光膜と全反射面
で、前記第1の偏光成分の光束と,前記第1の偏光成分
と前記第2の偏光成分が略等量含まれた2本の光束と,
前記第2の偏光成分の光束に、それぞれ所定の割合で分
離し、同一方向に出射させる機能を有することを特徴と
する光分離素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6150783A JPH0822648A (ja) | 1994-07-01 | 1994-07-01 | 光分離素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6150783A JPH0822648A (ja) | 1994-07-01 | 1994-07-01 | 光分離素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0822648A true JPH0822648A (ja) | 1996-01-23 |
Family
ID=15504343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6150783A Pending JPH0822648A (ja) | 1994-07-01 | 1994-07-01 | 光分離素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0822648A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0856780A (ja) * | 1994-08-26 | 1996-03-05 | Paramount Bed Co Ltd | ベッド等におけるステアリングキャスタシステム |
-
1994
- 1994-07-01 JP JP6150783A patent/JPH0822648A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0856780A (ja) * | 1994-08-26 | 1996-03-05 | Paramount Bed Co Ltd | ベッド等におけるステアリングキャスタシステム |
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