JPH08226858A - 静電容量型圧力センサ及びそれを用いた血圧計 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 シリコン基板とガラス基板との陽極接合時
に、ダイアフラムがガラス基板に固着するのを可及的に
なくした静電容量型の圧力センサを提供すること 【構成】 シリコン基板１０の上に平板状のガラス基板
１１を陽極接合により一体化している。シリコン基板の
所定位置にはダイアフラム１５が形成され、それと対向
するガラス基板上には固定電極１８が形成される。固定
電極の周囲のガラス基板表面１１ａには、ポリイミドか
らなる保護膜１９が形成される。これにより、陽極接合
時にダイアフラムがガラス基板側に撓んだとしても、両
者間には保護膜が存在するため、直接接触しない。よっ
て不必要にダイアフラムとガラス基板とが陽極接合され
てしまうことがなくなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、静電容量型圧力センサ
及びそれを用いた血圧計に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の静電容量型の圧力センサの一例を
示すと、図９に示すようになっている。同図に示すよう
に、シリコン基板１のほぼ中央を両面からエッチングを
行い所定量だけ除去することにより薄肉のダイアフラム
２を一体に形成する。このダイアフラム２の下面は可動
電極３が形成される。また、このシリコン基板１の下面
にはガラス基板４が陽極接合され一体化される。この接
合された状態でダイアフラム２の下側には、ガラス基板
４との間に所定の空間が形成され圧力室５となる。この
圧力室５内でダイアフラム２が厚さ方向に自由に変位で
きるようになっている。さらに、その圧力室５に対向す
るガラス基板４の上面の中央部分には固定電極６が形成
され、この固定電極６と、可動電極３とが微小なギャッ
プを隔てて対向配置される。

【０００３】係る構成からなるセンサの動作原理を簡単
に説明すると、例えばダイアフラム２の上面から測定対
象たるガス圧（測定圧力）が加えられると、導入された
ガス圧に応じてダイアフラムが厚さ方向に撓む（ガス圧
が大きいほど撓み量も大きい）。すると、可動電極３と
固定電極６間には、ギャップ並びに電極面積により決定
される静電容量が存在するので、上記のように可動電極
３が撓むと、両電極３，６間のギャップが小さくなり、
両電極３，６間に発生する静電容量も変化する（増加す
る）。よって、その変化量を検知することにより加えら
れたガス圧の大きさを知ることができる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、この種のセ
ンサでは、センサ特性に鑑みると静電容量をできるだけ
大きくした方が好ましい。そして、周知のごとく静電容
量は、電極面積に比例し電極間距離（ギャップ）に反比
例するので、装置の小型化を図るためには、ギャップを
小さくするのが良い。

【０００５】一方、固定電極６と可動電極３（シリコン
基板１）との短絡を防止するため並びに出力特性の直線
性を良好にするために、固定電極６は可動電極３よりも
小さく形成される。従って、固定電極６の周囲には、ガ
ラス基板４の表面が露出することになり、可動電極３と
対向する。従って、シリコン基板１とガラス基板４とを
陽極接合する際に両基板１，４間に印加する高い電圧
（数百Ｖ程度）により静電引力が発生し、その静電引力
によりダイアフラム２が撓んでガラス基板４側に引き寄
せられる（同図中破線で示す状態になる）。そして、ギ
ャップを小さくすると、ダイアフラム２が撓んだ時にダ
イアフラム（可動電極３）２と、固定電極６の周囲に露
出するガラス基板４とが接触されるおそれが高くなり、
そのように接触すると当該接触部位で陽極接合され、上
記撓んだ状態のままダイアフラム２がガラス基板４側に
固着されてしまい、不良品となる。

【０００６】本発明は、上記した背景に鑑みてなされた
もので、その目的とするところは、上記した問題を解決
し、シリコン基板とガラス基板との陽極接合時に、ダイ
アフラムとガラス基板とが固着してしまうおそれを可及
的になくし、歩留まりの向上を図り、しかも、製造され
た製品が製造直後から所望の特性を発揮することができ
る静電容量型圧力センサ及びそれを用いた血圧計を提供
することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明に係る静電容量型圧力センサでは、圧力
によって撓み量が変化するダイアフラムを設けたシリコ
ン基板と、固定電極を設けたガラス基板とを陽極接合さ
せて、前記ダイアフラムと前記固定電極とが対向した状
態で一体化するとともに、そのダイアフラムと、ガラス
基板表面との間で圧力室を形成し、前記ダイアフラムに
形成された可動電極と前記固定電極間の静電容量に基づ
いて圧力を検出するようにしてなる構造からなる圧力セ
ンサを前提とし、前記圧力室内の前記固定電極が未形成
の前記ガラス基板の表面部分または、その表面部分に対
向するダイアフラムの所定領域の少なくとも一方に、陽
極接合されにくい材質からなる保護膜を形成するように
した。

【０００８】そして、この保護膜を絶縁性を有する材質
にて形成するとより好ましく、例えばポリイミドを使用
することができる。また、ダイアフラム側に形成する場
合には、シリコンを窒化処理または酸化処理することに
より形成される窒化膜または酸化膜を用いても良い。

【０００９】さらに、前記圧力室内のガラス基板表面に
おける前記固定電極の周囲に凹溝を形成し、その凹溝内
に前記保護膜を充填するようにするとなおよい。そし
て、前記保護膜が、前記固定電極全面または固定電極に
対向する前記ダイアフラムの中央部分にまで延長形成す
るようにしても良い。

【００１０】

【作用】シリコン基板とガラス基板とを陽極接合し一体
化する際に、高電圧を印加し、それにともない生じる静
電引力によって、ダイアフラムがガラス基板側に引き寄
せられる。そして、両電極間のギャップを小さくしてい
くと、静電引力によりダイアフラムが撓むと、その先端
がガラス基板側と接触するおそれがある。しかし本発明
では、ガラス基板とダイアフラムとの間には上記保護膜
が存在するため、ダイアフラムとガラス基板が直接接触
せず、その結果、両者が接合することがなく、陽極接合
処理を終了して印加電圧をなくすとダイアフラムは元の
状態に戻る。

【００１１】保護膜として絶縁性能をさらに有する材質
で使用すると、製造を比較的ラフに行い、固定電極とシ
リコン基板との両方に接触したとしても、固定電極とシ
リコン基板とが導通することはなく、また固定電極を可
動電極に対して一回り小さくした状態を確実に保持でき
る。

【００１２】また、保護膜を固定電極を覆うようにした
場合には、陽極接合時に生じる放電から電極が保護され
る。また、ガラス基板に凹溝を形成し、その凹溝内に保
護膜を充填形成すると、保護膜を比較的厚くしても電極
間のギャップを小さくすることができ、製造が容易に行
える。

【００１３】

【実施例】以下、本発明に係る静電容量型圧力センサ及
びそれを用いた血圧計の好適な実施例を添付図面を参照
にして詳述する。図１は本発明に係る静電容量型圧力セ
ンサの第１実施例を示している。同図に示すように、本
実施例では、シリコン基板１０の上に平板状のガラス基
板１１を陽極接合により一体化している。本実施例で
は、ガラス基板１１の長さをシリコン基板１０よりも短
くし、シリコン基板１０の表面の一部が外部に露出する
ようにしている。そして、当該露出部分には、所定のメ
タルを蒸着させることにより電極取り出し用のパッド１
２を形成している。なお、このパッド１２は、後述する
可動電極用と固定電極用に２個設けている。そして、こ
のパッド１２に、ワイヤボンディングによりリード線が
接続され、図外の測定器に接続可能としている。

【００１４】このシリコン基板１０の中央部には、上下
両側からそれぞれ所定量ずつ除去されて薄肉のダイアフ
ラム１５が形成されている。そして、ガラス基板１１側
（図中では上側）は比較的底浅の凹部１０ａが形成さ
れ、反対側は比較的深い凹所１０ｂが形成される。この
凹部１０ａは、例えばドライエッチングにより形成さ
れ、ガラス基板１１との間で圧力室１６を形成する。ま
た、凹所１０ｂは、ＫＯＨ溶液等を用いてウエットエッ
チングを行うことにより形成される。

【００１５】そして、ダイアフラム１５のガラス基板１
１側（凹部１０ａの底面）が可動電極１７となる。ま
た、これに対応するガラス基板１１の表面所定位置に
は、アルミニウムをスパッタリングして所定形状の固定
電極１８が形成される。この固定電極１８は、シリコン
基板１０と導通するのを防ぐために、可動電極１７より
も一回り小さく形成している。これにより、圧力室１６
内のガラス基板１１の表面は、その中心部分の所定領域
が固定電極１６で覆われ、その周囲には固定電極未形成
領域１１ａとなる。また、この固定電極１８の形成と同
時に、この固定電極１８とパッド１２を接続するための
配線パターン１８ａも同時に形成する。そして、可動電
極１７と固定電極１８は、所定のギャップ（凹部１０ａ
の深さから電極の厚さを引いた距離）を隔てて対向し、
所定の引き出し用配線パターンを介して各パッド１２に
接続される。なお、上記した各構成は、従来の静電容量
型圧力センサの構成と同様であるので、各部の詳細な説
明は省略する。

【００１６】ここで本発明では、圧力室１６内のガラス
基板１１の表面のうち、固定電極１８の周囲、すなわ
ち、上記未形成領域１１ａの表面に、保護膜１９を形成
している。この保護膜１９は、シリコンと陽極接合しな
い材質からなり、本例ではポリイミドを用いて形成し
た。また、ポリイミドのように絶縁性を有する材質で保
護膜を形成すると、その保護膜１９が圧力室１６内に存
在する未形成領域１１ａの全面に形成し、固定電極１８
とシリコン基板１０の両方に接触していても固定電極１
８とシリコン基板１０との間の絶縁は保たれるので、係
る保護膜形成時のパターン精度を比較的ラフに行えるば
かりでなく、確実に未形成領域１１ａを覆うことができ
る。なお、同図（Ａ）は、説明の便宜上ガラス基板１１
を外す（二点鎖線で示す）とともに、固定電極１８，保
護膜１９を残した状態を図示している。

【００１７】係る構成にすると、所定形状に形成したシ
リコン基板１０とガラス基板１１とを陽極接合し一体化
する際に生じる静電引力によって、ダイアフラム１５が
ガラス基板１１側に引き寄せられても、ガラス基板１１
との間には上記保護膜１９が存在するため、ダイアフラ
ム１５がガラス基板１１に接触せず、その結果、両者１
１，１５が接合し不良品となるおそれがない。

【００１８】そして、陽極接合処理を終了して印加電圧
をなくすと、それにともない静電引力も消失するので、
ダイアフラム１５は元の平坦な状態に戻る。この時、ダ
イアフラム１５の撓んだ先端部分は保護膜１９の平坦な
表面と接触しているだけであるので、静電引力の消失に
ともない自己が有する弾性復元力によって、他に引っ掛
かることなくスムーズに上記定常状態に戻る。

【００１９】また、動作時（圧力検出時）には、固定電
極１８の表面には保護膜１９が形成されていないので、
湿度変化にともなう出力特性の変動が可及的に抑制でき
る。すなわち、保護膜としてポリイミドを用いると、そ
のポリイミドは湿度によって誘電率が変化する。従っ
て、比較対象の大気圧や測定対象のガスを内部に供給す
る構造とすると、その湿度変化により保護膜の誘電率が
変化する。しかし本実施例では両電極間に係る誘電率が
変動する保護膜が存在しないので、湿度変化に安定的と
なる。

【００２０】図２は本発明の第２実施例を示している。
上記した第１実施例では、保護膜１９を固定電極１８の
周囲に形成したが、同図に示すように、本実施例では固
定電極１８の上面も覆うようにして保護膜２０を形成し
ている。そして本実施例でも保護膜２０として、絶縁性
を有するポリイミドを用いて製造した。

【００２１】係る構成にしたことにより、電極表面の保
護がなされ、陽極接合時に発生する放電から電極を保護
でき、その放電発生に伴う電極のダメージを抑制でき
る。一方、このように電極１７，１８間に保護膜が存在
するため、上記実施例で説明したように湿度変化によっ
ても電極間の誘電率が変化してしまうので、より正確な
測定を行うためには、湿度による校正処理を行えば良
い。また、内部を真空にしダイアフラムの外側から測定
圧力が印加するようにした場合には、湿度変化の影響を
受けないので、係る構成をとっても良い。なお、その他
の構成並びに作用効果は上記した第１実施例と同様であ
るので、同一符号を付し、その説明を省略する。

【００２２】図３は本発明の第３実施例を示している。
同図に示すように、本実施例は上記した第１実施例を改
良したもので、固定電極１８の周囲のガラス基板１１の
所定部位に凹溝２２を形成し、その凹溝２２内にポリイ
ミドからなる保護膜２３を充填形成している。この凹溝
２２は、ガラス加工により固定電極１８の周囲を囲むよ
うにして環状に形成される。

【００２３】係る構成にしたことにより、保護膜２３の
ガラス基板１１との接触面積が拡大するので接着強度も
増加し、剥離することなく確実に保護膜２３が形成され
る。さらに保護膜２３の形成精度の許容範囲が緩和さ
れ、製造しやすくなる。すなわち、ポリイミドの場合に
は、形成時の精度出しが低く膜厚がばらつく。従って、
設計値よりも非常に厚くなってしまった場合には、保護
膜２３がダイアフラム１５と接触または非常に近接して
しまうおそれがある。係る場合に、圧力がかかった場合
にダイアフラム１５が膨らむ（固定電極１８から離れ
る）構成の場合にはさほど問題がないが、固定電極１８
側に近付くタイプとするとダイアフラム１５が保護膜２
３に接触した後は撓みにくくなるので設計値通りに撓ま
ず、出力誤差を生じるおそれがある。しかし、本実施例
のように溝２２を設けることにより、たとえ保護膜２３
が厚くなったとしてもダイアフラム１５に接触するおそ
れがなくなり、上記いずれのタイプの圧力さん差におい
ても所望の特性が得られる。

【００２４】なお、その他の構成並びに作用効果は上記
した各実施例と同様であるので、同一符号を付し、その
説明を省略する。また、このように凹溝を形成する構造
を採りつつ第２実施例のように固定電極を覆うように保
護膜を形成するようにしてももちろん良い。

【００２５】図４は本発明の第４実施例を示している。
同図に示すように、本実施例では上記した各実施例と相
違して、可動電極１７側に保護膜２５を形成している。
この保護膜２５は、窒化膜から構成している。すなわ
ち、シリコン基板１０に対し所定のドライエッチングを
行い凹部１０ａを形成後、その凹部１０ａの底面の可動
電極１６の表面にＰ−ＣＶＤにより窒化膜を形成するこ
とにより製造する。なお、上記形成する保護膜２５は、
ダイアフラムの全面に形成しても良く、或いはガラス基
板１１が露出する未形成領域１１ａに対向する部分に形
成しても良い。

【００２６】係る構成にしても、シリコン基板１０とガ
ラス基板１１とを陽極接合し一体化する際に生じる静電
引力によって、ダイアフラム１５がガラス基板１１側に
引き寄せられるが、ガラス基板１１との間には上記保護
膜２５が存在するため、ダイアフラム１５がガラス基板
１１に接触せず、その結果、両者１１，１５が接合し不
良品となるおそれがない。

【００２７】なお、上記した各実施例では、いずれも平
板状のガラス基板１１を用い、圧力室１６は、シリコン
基板１０側に凹部１０ａを設けることにより形成した
が、本発明はこれに限ることなく、例えば図６に示すよ
うに、ガラス基板１１′側に凹部１１′ｂを形成し、そ
の凹部１１′ｂの底面に固定電極１８を形成し、シリコ
ン基板１０′のガラス基板１１′側は平坦にしても良
い。なお、その他の構成は第１実施例と同様であるの
で、同一符号を付しその説明を省略する。そして、この
図示の例では第１実施例に対する変形例を示したが、他
の実施例についても同様な構成を採ることができる。

【００２８】また、ダイアフラム１５に対して加わるガ
ス圧は、外部（各図中下側）から加わるようにしても良
く、或いは、導入経路を設け係るガス圧を圧力室１６内
に導き、ダイアフラム１５の内側から加わるようにして
も良い。そして、外部から加わるようにした場合には構
成が簡略化されるという利点を生じる。また、内部から
加わるようにした場合には、ガス圧が加わるとダイアフ
ラム１５はガラス基板１１側から離れる方向に撓むの
で、両電極１７，１８間のギャップが狭くても測定可能
な圧力範囲が広くなるという利点を生じる。

【００２９】そして、係る場合の導入経路としては、例
えば図６に示すようにガラス基板１１に貫通孔２６を形
成することにより対応できる。また、貫通孔２６の圧力
室１６側に開口は、図示のように固定電極１８にしても
良く、或いは固定電極以外の部分（保護膜側或いは第４
実施例のようにシリコン基板側に保護膜を形成した場合
にはガラス基板表面）にしてももちろん良い。また、図
７に示すように、ガラス基板１１に切欠部２８を形成
し、その切欠部２８を介して圧力室１６内にガス圧を導
入するようにしても良いなど、種々変更実施が可能であ
る。

【００３０】さらには、上記各実施例並びに変形例はい
ずれも１枚のシリコン基板とガラス基板からなる２層構
造のものに適用した例について説明したが、例えばガラ
ス基板を挟んで両側にシリコン基板を配置する３層構造
にしても良く、また電極や圧力室の形状も任意であり、
センサの基本構造としては種々の形態のものを使用する
ことができ、要は、固定電極の周囲に露出するガラス基
板表面と、それに対向するダイアフラムの部分の少なく
とも一方に所定の保護膜を形成すれば良い。

【００３１】また使用する保護膜としては、上記したポ
リイミドや窒化膜に限ることなく、ガラス基板上に形成
する材質としては各種の樹脂を使用することができ、ま
た、シリコン基板側に形成する場合には、窒化膜に替え
て酸化膜を設けても良く、陽極接合されないという条件
を満たしていれば（より好ましくは絶縁性を有する）、
その他種々の材質のものを使用することができる。さら
に、絶縁性を有していると、固定電極が保護膜を介して
シリコン基板と導通することがないので上記のように保
護膜成形（パターン）を比較的ラフに行うことができる
が、本発明ではこれに限ることなく金属などの絶縁性を
有しない材料で構成してもよい。但しその場合には固定
電極とシリコン基板との導通を回避するため、固定電極
とシリコン基板の少なくとも一方とは所定距離だけ離れ
るように保護膜を形成する必要がある。さらに、使用す
る材質が電極の機能を発揮する場合には、固定電極と接
続されることにより実質的に固定電極の面積が広がるの
で、少なくとも固定電極側とは非導通状態にすることで
ある。

【００３２】本発明の圧力センサは、血圧計などに用い
ることができる。図８は本発明による血圧計の概略構成
図であって、血圧計は本発明による静電容量型圧力セン
サ３１、カフ３２、ポンプ３３やＣＰＵからなる制御部
３４などから構成されている。カフ３２と圧力センサ３
１との間は導圧管３５で接続されており、導圧管３５に
はポンプ３３が接続され、ポンプ３３からカフ３２に空
気を送ることができるように構成する。

【００３３】この血圧計で血圧を測定する場合には、ま
ずカフ３２を被測定者の上腕部にまきつけ、キーボード
などの入力部３６から必要に応じて被測定者の年齢や性
別などを入力し、血圧計をスタートする。制御部３４は
入力部３６からスタート信号を受信すると、制御弁３８
を閉成し、ポンプ３３を起動させてカフ３２に所定の圧
力になるまで空気を送り出し、上腕部を締め付ける。カ
フ３２に印加された圧力は圧力センサ３１によって常に
検知されており、一定の圧力になると制御部３４はポン
プ３３を停止する。

【００３４】次いで制御部３４は制御弁３８を開き、徐
々にカフ３２内に空気を抜いて減圧する。このとき、導
圧管３５を介して圧力センサ３１に印加される圧力は、
上腕部を流れる血流の圧力と相まって周期的に変化しな
がら小さくなる。したがって、導圧管３５を介して圧力
センサ３１に印加される圧力の変化を制御部３４で検知
することによって、最高血圧や最低血圧並びに脈拍数を
求めることができる。

【００３５】このようにして最低血圧が求められたら制
御部３４は制御弁３８を全開し、カフ３２内の空気を大
気圧まで排出する。そして求められた最高血圧や最低血
圧などはディスプレイなどからなる出力部３７に表示
し、あるいは入力された年齢などを参考にし、必要に応
じて異常値であることなどの注意を促すことができる。

【００３６】

【発明の効果】以上のように、本発明に係る静電容量型
圧力センサ及びそれを用いた血圧計では、圧力室内のシ
リコン基板（ダイアフラム）とガラス基板との保護膜が
形成されるので、陽極接合時に、ダイアフラムとガラス
基板とが固着してしまうおそれが可及的になくなる。よ
って、センサ並びに血圧計の製造時の歩留まりが向上す
る。

【００３７】また、保護膜として絶縁性能をさらに有す
る材質で使用した場合には（請求項２）、製造（パター
ン形状）を比較的ラフに行い、保護膜が固定電極とシリ
コン基板との両方に接触したとしても、固定電極とシリ
コン基板とが導通することはなく、またたとえば固定電
極を可動電極に対して一回り小さくしたような所望の状
態を確実に保持できる。よって、固定電極は可動電極よ
りも一回り小さい形状を保持できるので、出力特性の直
線性を維持できる。

【００３８】また、保護膜を固定電極を覆うようにした
場合には（請求項３）、陽極接合時に生じる放電から電
極を保護でき、損傷することがなくなる。また、ガラス
基板に凹溝を形成し、その凹溝内に保護膜を充填形成た
場合には（請求項４）、保護膜を比較的厚くしても電極
間のギャップを小さくすることができ、センサ感度の向
上を図りつつ製造が容易に行える。

【００３９】さらに、保護膜として窒化膜や酸化膜を使
用する場合には、所定の半導体プロセスによりシリコン
基板の所定部位を酸化させたり、窒化させたのすること
により簡単かつ高精度に製造できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る静電容量型圧力センサの第１実施
例を示す図である。

【図２】本発明に係る静電容量型圧力センサの第２実施
例を示す図である。

【図３】本発明に係る静電容量型圧力センサの第３実施
例を示す図である。

【図４】本発明に係る静電容量型圧力センサの第４実施
例を示す図である。

【図５】本発明に係る静電容量型圧力センサの第１実施
例の変形例を示す図である。

【図６】本発明に係る静電容量型圧力センサの他の変形
例を示す図である。

【図７】本発明に係る静電容量型圧力センサの他の変形
例を示す図である。

【図８】本発明に係る血圧計の一実施例を示す図であ
る。

【図９】従来例を示す図である。

【符号の説明】

１０，１０′ シリコン基板 １１，１１′ ガラス基板 １５ ダイアフラム １６ 圧力室 １７ 可動電極 １８ 固定電極 １９，２０，２３ 保護膜（ポリイミド） ２２ 凹溝 ２５ 保護膜（窒化膜）

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 圧力によって撓み量が変化するダイアフ
   ラムを設けたシリコン基板と、固定電極を設けたガラス
   基板とを陽極接合させて、前記ダイアフラムと前記固定
   電極とが対向した状態で一体化するとともに、そのダイ
   アフラムと、ガラス基板表面との間で圧力室を形成し、 前記ダイアフラムに形成された可動電極と前記固定電極
   間の静電容量に基づいて圧力を検出する静電容量型圧力
   センサにおいて、 前記圧力室内の前記固定電極が未形成の前記ガラス基板
   の表面部分または、その表面部分に対向するダイアフラ
   ムの所定領域の少なくとも一方に、陽極接合されにくい
   材質からなる保護膜を形成したことを特徴とする静電容
   量型圧力センサ。
2. 【請求項２】 前記保護膜が、絶縁性を有する材質から
   なることを特徴とする請求項１に記載の静電容量型圧力
   センサ。
3. 【請求項３】 前記圧力室内のガラス基板表面における
   前記固定電極の周囲に凹溝を形成し、 その凹溝内に前記保護膜を充填してなることを特徴とす
   る請求項１または２に記載の静電容量型圧力センサ。
4. 【請求項４】 前記保護膜が、前記固定電極全面または
   固定電極に対向する前記ダイアフラムの中央部分にまで
   延長形成したことを特徴とする請求項１〜３のいずれか
   １項に記載の静電容量型圧力センサ。
5. 【請求項５】 前記ガラス基板側に形成する保護膜が、
   ポリイミドであることを特徴とする請求項１〜４のいず
   れか１項に記載の静電容量型圧力センサ。
6. 【請求項６】 前記ダイアフラムに形成する保護膜が、
   窒化膜または酸化膜のいずれかであることを特徴とする
   請求項１〜４のいずれか１項に記載の静電容量型圧力セ
   ンサ。
7. 【請求項７】 請求項１〜６のいずれか１項に記載の静
   電容量型圧力センサを備えた血圧計。