JPH08227150A - ポジ型フォトレジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レジストとして要求される感度、解像度、γ
値、残膜率、焦点深度、プロファイル、耐熱性等の諸性
能のバランスに優れているもので、集積回路作成用とし
て好適なポジ型レジスト組成物を得る。 【解決手段】 アルカリ可溶性樹脂と、感光剤としてキ
ノンジアジド化合物と、下記式（１）で示されるフェノ
ール化合物とを含有してなることを特徴とするポジ型フ
ォトレジスト組成物。 【化１】 （但し、式中Ｘ ₁〜Ｘ ₅はそれぞれ水素原子、アルキル基
又は水酸基であり、少なくとも１つは水酸基である。ま
た、Ｒ¹〜Ｒ³はそれぞれ水素原子、アルキル基又は置換
もしくは非置換のアリール基であり、少なくとも１つは
置換もしくは非置換のアリール基である。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、紫外線、遠紫外線
（エキシマレーザー等を含む）、電子線、イオンビー
ム、Ｘ線等の放射線に感応し、集積回路作成用として好
適なポジ型フォトレジスト組成物に関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】ＬＳＩ
の高集積化と高速度化に伴い、パターンルールの微細化
が求められ、現在パターン幅が約２μｍ以下の微細加工
にはポジ型フォトレジスト組成物が広く使用されてい
る。このポジ型フォトレジスト組成物は、通常アルカリ
溶液可溶性のノボラック樹脂とフォトセンシタイザーと
呼ばれるキノンジアジド基を含有する感放射線性化合物
とから構成され、３００〜５００ｎｍの波長の光照射に
より感放射線性化合物中のキノンジアジド基が分解して
カルボキシル基が生じることにより、組成物がアルカリ
不溶状態からアルカリ可溶性に変化するものである。こ
のようなポジ型レジスト組成物は、ネガ型レジスト組成
物に比べて解像度が著しく優れているという特長を有す
る。

【０００３】一方、近年、フォトレジスト膜については
益々微細化が進み、今やサブミクロンのパターン形成が
要求されるに至り、プロファイル、解像度、感度、耐熱
性及びγ値の優れたポジ型フォトレジスト組成物の開発
が要望されている。

【０００４】しかしながら、ポジ型フォトレジスト組成
物の高感度化を達成するにはアルカリ可溶性樹脂の分子
量を下げてアルカリ現像液に溶け易くするという方法が
あるが、この方法では、未露光部のアルカリ現像液に対
する溶解速度までも増してしまい、膜減りが大きくなっ
たり、プロファイルの悪化、γ値の低下やレジスト耐熱
性の低下が生じ、これらの結果、解像度の低下につなが
り好ましくないという欠点があった。

【０００５】従って、現状では感度、解像度、焦点深度
及び残膜率とプロファイル、耐熱性はそれぞれトレード
オフの関係にあり、一方を改良すると他方が悪化すると
いった不都合な状況にあった。

【０００６】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたもので、プロファイル、耐熱性等の諸性能を維持
したまま感度、解像度及びγ値に優れたフォトレジスト
膜を与え、集積回路作成用として好適なポジ型フォトレ
ジスト組成物を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結
果、アルカリ可溶性樹脂と、感光剤としてキノンジアジ
ド化合物とを含有するポジ型フォトレジスト組成物に、
下記一般式（１）で示されるフェノール化合物を配合す
ること、特に下記式（１）のフェノール化合物と下記式
（４）で示されるフェノール化合物とを併用することに
より、それぞれトレードオフの関係にある感度、解像
度、焦点深度及び残膜率とプロファイル、耐熱性等のい
ずれの特性にも優れ、集積回路作成用として好適なポジ
型フォトレジスト組成物が得られ、更にアルカリ可溶性
樹脂として重量平均分子量８５０以下のものがアルカリ
可溶性樹脂全体の１５重量％以下であるものを使用する
ことにより、上記特性がより向上することを知見し、本
発明をなすに至った。

【０００８】

【化５】 （但し、式中Ｘ ₁〜Ｘ ₅はそれぞれ水素原子、アルキル基
又は水酸基であり、少なくとも１つは水酸基である。ま
た、Ｒ¹〜Ｒ³はそれぞれ水素原子、アルキル基又は置換
もしくは非置換のアリール基であり、少なくとも１つは
置換もしくは非置換のアリール基である。）

【０００９】

【化６】

【００１０】なお、上記ポジ型フォトレジスト組成物
は、比較的分子量の大きなアルカリ可溶性樹脂に分子量
の小さな上記式（１）のフェノール化合物を添加剤とし
て配合することにより、分子量の大きなアルカリ可溶性
樹脂と分子量の小さなフェノール化合物とが共存してタ
ンデム型（石垣モデル）となり、現像時に分子量の小さ
なフェノール化合物が簡単に抜けて石垣構造が崩れ、そ
れ故、アルカリ可溶性樹脂の分子量が大きいにもかかわ
らず感度が良好となるものである。更に、通常はポジ型
フォトレジスト組成物に上記のような低分子量のものを
添加すると耐熱性が損なわれるが、上記式（４）のフェ
ノール化合物を併用配合した場合、このフェノール化合
物は−ＣＯＮＨ基を有することからアルカリ現像液に接
触すると架橋反応を起こすため、耐熱性が低下しないと
いう特性を有するものである。

【００１１】従って、本発明は、アルカリ可溶性樹脂、
キノンジアジド化合物及び上記式（１）で示されるフェ
ノール化合物を含有してなるポジ型フォトレジスト組成
物を提供する。

【００１２】以下、本発明につき更に詳細に説明する
と、本発明のポジ型フォトレジスト組成物は、アルカリ
可溶性樹脂、感光剤としてキノンジアジド化合物及びフ
ェノール化合物を含有してなるものである。

【００１３】ここで、アルカリ可溶性樹脂としては、例
えばノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン又はその
誘導体、ポリビニルフェノール等が挙げられる。ノボラ
ック樹脂として具体的には、フェノール、ｏ−クレゾー
ル、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−エチルフェ
ノール、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノー
ル、２，３−キシレノール、２，４−キシレノール、
２，５−キシレノール、３，４−キシレノール、３，５
−キシレノール、２，３，５−トリメチルフェノール、
ｐ−フェニルフェノール、ヒドロキノン、カテコール、
レゾルシノール、２−メチルレゾルシノール、ピロガロ
ール、４−ｔ−ブチルフェノール、２−ｔ−ブチルフェ
ノール、３−ｔ−ブチルフェノール、α−ナフトール、
β−ナフトール、ビスフェノールＡ、ｏ−ニトロフェノ
ール、ｍ−ニトロフェノール、ｐ−ニトロフェノール等
のフェノール類の１種を単独で又は２種以上を組み合わ
せ、これとアルデヒド類とを常法により重縮合させた樹
脂が好適に使用される。

【００１４】また、アルカリ可溶性樹脂の重量平均分子
量は、ポリスチレン換算で通常１，０００〜２０，００
０、特に１，５００〜１０，０００の範囲が好ましい。
重量平均分子量が１，０００より小さいと耐熱性に劣る
場合があり、２０，０００より大きいと解像度に劣る場
合がある。更に、とりわけ本発明では、重量平均分子量
８５０以下のものがアルカリ可溶性樹脂全体の１５重量
％以下、特に１０重量％以下であるアルカリ可溶性樹脂
を使用することが望ましい。このような低分子量樹脂を
取り除いた分子量分布をもつアルカリ可溶性樹脂に後述
するフェノール化合物を添加すると、上述のようにアル
カリ溶解速度を制御できるだけでなく、フォトレジスト
組成物の性能（解像度、焦点深度、耐熱性）をより向上
させることができる。

【００１５】更に、感光剤としてのキノンジアジド化合
物としては特に限定されないが、例えば１，２−ベンゾ
キノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１，２−ナ
フトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１，２
−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル等の
キノンジアジド化合物のエステル類が好適に用いられ
る。

【００１６】これらのエステル類は公知の方法、例えば
ナフトキノンジアジドスルホン酸クロライド、ベンゾキ
ノンジアジドスルホン酸クロライド等のキノンジアジド
スルホン酸ハロゲン化物とヒドロキシル基を有する化合
物、例えば２，３，４−トリ−４−ヒドロキシベンゾフ
ェノン等のポリヒドロキシベンゾフェノン、ノボラック
樹脂等のフェノール樹脂の低核体とを弱アルカリの存在
下で縮合反応させることにより得ることができる。

【００１７】上記キノンジアジド化合物の配合量は、ア
ルカリ可溶性樹脂１００部（重量部、以下同様）に対し
て１５〜６５部、特に２０〜５０部の範囲が好適であ
り、１５部に満たないとレジスト膜の解像性に劣る場合
があり、６５部を超えると基板面の切れ込み（マイクロ
グルーブ）が発生する場合がある。

【００１８】次に、本発明では、下記一般式（１）で示
されるフェノール化合物を配合する。

【００１９】

【化７】 （但し、式中Ｘ ₁〜Ｘ ₅はそれぞれ水素原子、アルキル基
又は水酸基であり、少なくとも１つは水酸基である。ま
た、Ｒ¹〜Ｒ³はそれぞれ水素原子、アルキル基又は置換
もしくは非置換のアリール基であり、少なくとも１つは
置換もしくは非置換のアリール基である。）

【００２０】上記式（１）においてＸ ₁〜Ｘ ₅基として
は、例えば水素原子、メチル基、エチル基、ブチル基等
の好ましくは炭素数１〜４のアルキル基又は水酸基等が
挙げられ、少なくとも１つは水酸基である。Ｒ¹〜Ｒ³と
しては、水素原子、好ましくは炭素数１〜４のアルキル
基、好ましくは炭素数６〜２０の置換もしくは非置換の
アリール基であり、少なくとも１つは置換もしくは非置
換のアリール基である。

【００２１】ここで、置換もしくは非置換のアリール基
としては下記式で示されるものが挙げられる。

【００２２】

【化８】

【００２３】このような上記式（１）のフェノール化合
物として具体的には、下記化合物を例示することができ
る。

【００２４】

【化９】

【００２５】本発明では、上記式（１）で示されるフェ
ノール化合物として特に下記一般式（２）及び（３）で
示されるフェノール化合物から選ばれるものを使用する
ことが好適である。

【００２６】

【化１０】 （但し、式中ｍ，ｎはそれぞれ０〜４の整数である。）

【００２７】ここで、上記式（２）、（３）のフェノー
ル化合物は、１種を単独で又は２種以上を併用してもよ
く、式（２）の化合物と式（３）の化合物とを混合して
使用することもでき、この場合は式（２）のフェノール
化合物の割合が多いほど解像性に優れ、式（３）のフェ
ノール化合物の割合が多いほど耐熱性に優れる。

【００２８】また、本発明において上記式（３）のフェ
ノール化合物は、メチレン結合部位がｏ位−ｏ位である
異性体の含有量が５０重量％以下、特に４０重量％以下
であることが好適であり、ｏ位−ｏ位である異性体の含
有量が５０重量％より大きいと解像性、焦点深度が劣化
する場合がある。

【００２９】上記式（１）のフェノール化合物の配合量
は、アルカリ可溶性樹脂全体の５〜５０重量％、特に１
０〜４０重量％となる範囲が好適であり、５重量％より
少ないと解像性に劣る場合があり、５０重量％を超える
とマイクログルーブが発生する場合がある。

【００３０】本発明では、上記式（１）のフェノール化
合物に加え、本発明の効果を妨げない範囲で下記一般式
（４）で示されるフェノール化合物を添加することがで
きる。

【００３１】

【化１１】

【００３２】上記式（４）のフェノール化合物は、１種
を単独で又は２種以上を混合して使用することができる
が、その添加量は、アルカリ可溶性樹脂全体の０〜３０
重量％、特に５〜１０重量％の範囲が好適であり、３０
重量％を超えるとマイクログルーブの発生や解像度の低
下の原因となる場合がある。

【００３３】更に、上記式（４）のフェノール化合物の
配合量は、式（１）及び式（４）のフェノール化合物の
合計配合量がアルカリ可溶性樹脂全体の５〜５０重量
％、特に１０〜４０重量％となる範囲で配合することが
好適であり、５重量％より少ないと解像性に劣る場合が
あり、５０重量％を超えるとマイクログルーブが発生す
る場合がある。

【００３４】本発明組成物には、溶剤を添加することが
望ましい。溶剤としては、例えばメチルエチルケトン、
シクロヘキサノン等のケトン類、１−メトキシ−２−プ
ロパノール、４−エトキシ−２−ブタノン等のケトエー
テル類、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロ
ピレングリコールモノメチルエーテル等のアルコールエ
ーテル類、ジオキサン等のエーテル類、メチルセロソル
ブアセテート等のセロソルブエステル類、乳酸エチル等
の脂肪酸エステル類、ジメチルホルムアミド等の高極性
溶剤が好適であり、これらの１種を単独で又は２種以上
を混合して添加することができる。

【００３５】上記溶剤の添加量は、ホール、ストリエー
ション、塗りむらなどのないように成膜可能ならば特に
制限はないが、アルカリ可溶性樹脂及びキノンジアジド
化合物及びフェノール化合物の固形分濃度が１０〜５０
％、特に２０〜４０％となる範囲で用いるのが好まし
い。

【００３６】更に、本発明のポジ型フォトレジスト組成
物には、上記成分に加え、その他の任意成分として例え
ば塗布性改良のためのポリオキシエチレンアルキルエー
テル類、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル
類等のノニオン界面活性剤、フッ素系界面活性剤等の各
種界面活性剤、放射線に対する感度を向上させるための
増感剤、形成像を一層可視的にするための染料や顔料、
接着性改良のための接着助剤、保存安定剤等を添加する
ことができる。なお、これら任意成分の添加量は、本発
明の効果を妨げない範囲で通常量とすることができる。

【００３７】

【発明の効果】本発明のポジ型フォトレジスト組成物
は、レジスト膜として要求される感度、解像度、γ値、
残膜率、焦点深度、プロファイル、耐熱性等の諸性能の
バランスに優れているもので、集積回路作成用として好
適である。

【００３８】

【実施例】以下、合成例、実施例及び比較例を示して本
発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限
されるものではない。

【００３９】〔合成例１〕クレゾールノボラック樹脂の
調製 温度計、撹拌機、リフラックスコンデンサーを備えた４
つ口フラスコにｍ−クレゾール５４．１ｇ（０．５０ｍ
ｏｌ）、ｐ−クレゾール５４．１ｇ（０．５０ｍｏ
ｌ）、３７％ホルムアルデヒド水溶液５０．３ｇ及びシ
ュウ酸３ｇを仕込み、撹拌しながら１００℃まで昇温
し、１６時間反応させた。反応後、メチルイソブチルケ
トン２００ｇに溶解し、十分水洗した後、溶媒を除去し
たところ、重量平均分子量（ＧＰＣポリスチレン換算）
３，２００の図１に示す分子量分布を有する樹脂Ａが収
量８０ｇで得られた。

【００４０】更に、得られた上記樹脂２５ｇをメタノー
ル２５０ｇに溶解し、水１７０ｇを加えて高分子量体を
沈澱させた。固形分を分離・乾燥したところ、重量平均
分子量４８００で重量平均分子量８５０以下のものの含
有率が１０重量％以下の図２に示す分子量分布を有する
樹脂Ｂ１２ｇが得られた。

【００４１】〔合成例２〕クレゾールノボラック樹脂の
調製 ｍ−クレゾールの配合量を４３．３ｇ（０．４ｍｏ
ｌ）、ｐ−クレゾールの配合量を６４．９ｇ（０．６ｍ
ｏｌ）とする以外は合成例１と同様にして重量平均分子
量４，８００で重量平均分子量８５０以下のものの含有
率が１０重量％以下の樹脂Ｃが１２ｇ得られた。

【００４２】〔合成例３〕クレゾールノボラック樹脂の
調製 合成例１における樹脂Ａ２５ｇをメタノール２５０ｇに
溶解し、水２３０ｇを加えて高分子量体を沈澱させた。
固形分を分離・乾燥したところ、重量平均分子量３，８
００の樹脂Ｄが１８ｇ得られた。

【００４３】〔合成例４〕感光剤の調製 温度計、撹拌機、リフラックスコンデンサーを備えた４
つ口フラスコにｐ−クレゾール５４ｇ、ホルマリン水溶
液５４ｇ及びシュウ酸３ｇを仕込み、２０時間反応させ
た。メチルイソブチルケトン約１００ｇを加えて抽出、
水洗し、溶媒を除去したところ、重量平均分子量（Ｍ
ｗ）４３０の樹脂４６ｇが得られた。

【００４４】次に、得られた樹脂１２ｇ、１，２−ナフ
トキノン−２−ジアジド−５−スルホニルクロライド１
６．２ｇ（０．０６ｍｏｌ）を３００ｍｌのジオキサン
に溶解し、これにトリエチルアミン／ジオキサン＝６．
１ｇ／２０ｍｌ混合液を徐々に滴下して加え、２０℃で
４時間反応させた。反応混合物を１％塩酸水溶液１リッ
トル中に注ぎ、生じた沈澱生成物を濾別して十分乾燥さ
せたところ、６０％エステル化物（理論エステル化率）
２４．７ｇのｐ−クレゾール樹脂の低核体エステル（キ
ノンジアジド化合物）が得られた。

【００４５】〔合成例５〕フェノール化合物の調製 温度計、撹拌機、リフラックスコンデンサーを備えた４
つ口フラスコに２，３，５−トリメチルフェノール１３
６２ｇ、３７％ホルマリン水溶液１６２ｇ、シュウ酸３
０ｇを仕込み、１５時間反応させた。メチルイソブチル
ケトン約１０００ｇを加えて抽出、水洗し、溶媒を留去
したところ、オリゴマー８５３ｇを得た。これを２００
℃オイルバスの下、１０^-3Ｔｏｒｒ以下で減圧留去する
ことにより、フェノール化合物を５１１ｇ得た。

【００４６】〔合成例６〕フェノール化合物、の調
製 ２，３，５−トリメチルフェノール１３６２ｇの代わり
にそれぞれ２，６−ジメチルフェノール１２２．１ｇ、
ｍ−クレゾール１０８１ｇを使用して４．５時間反応さ
せ、ｐ−クレゾール１０８１ｇを使用する以外は合成例
５と同様にしてフェノール化合物を１２５ｇ、フェノ
ール化合物を４０３ｇ得た。

【００４７】〔合成例７〕フェノール化合物の調製 ２，３，５−トリメチルフェノール１３６２ｇの代わり
にｍ−クレゾール１０８１ｇ、シュウ酸３０ｇの代わり
に酢酸亜鉛５０ｇを使用する以外は合成例５と同様にし
てフェノール化合物を４１９ｇ得た。

【００４８】〔合成例８〕フェノール化合物の調製 ２，３，５−トリメチルフェノール１３６２ｇの代わり
にフェノール９４１ｇ、シュウ酸３０ｇの代わりに酢酸
亜鉛５０ｇを使用する以外は合成例５と同様にしてフェ
ノール化合物を３１５ｇ得た。

【００４９】なお、フェノール化合物、、、は
下記の通り市販品を使用した。 フェノール化合物：ＴＥＰ−ＴＰＡ（旭有機材社製） フェノール化合物：ヒドロキシベンズアミド（東京化
成社製） フェノール化合物：チモール（東京化成社製） フェノール化合物：ＢＩ２６ｘ−ＳＡ（旭有機材社
製）

【００５０】

【表１】

【００５１】

【表２】

【００５２】〔実施例、比較例〕 ポジ型フォトレジスト組成物の調製：表３に示すように
上記合成例１で得られたクレゾールノボラック樹脂と合
成例２で得られた感光剤、更には上記合成例で得られた
表１、２に示す各種のフェノール化合物を表３に示す割
合で乳酸エチル／酢酸ブチル（８５／１５）混合溶液１
２ｇに溶解した後、孔径０．１μｍのミクロフィルター
を用いて濾過し、フォトレジスト組成物を調製した。

【００５３】得られたフォトレジスト組成物をオートコ
ーターを用いてヘキサメチルジシラザンで蒸気処理した
シリコンウェハーにスピンコートし、９０℃で６０秒間
プリベークし、厚さ１．０５μｍの膜を得た。このレジ
スト塗布ウェハーを縮小投影露光装置（ニコン社製、Ｎ
ＳＲ １７５５ｉ７Ａ）を用い、マスクパターンを介し
て露光し、１１０℃で６０秒間露光後ベーク〔ＰＥＢ
（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）〕し、２．
３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液
で６５秒間現像し、水洗乾燥させて（オートディベロッ
パーによる）レジストパターンを得た。

【００５４】得られたレジストパターンを走査電子顕微
鏡で観察し、下記方法で評価を行った。結果を表３に示
す。 感度：マスクパターンとレジストパターンのラインアン
ドスペース像寸法が１：１を再現する（±１０％許容
量）時の露光量を感度とした。 解像度：上記露光量における最小寸法を表示した。 焦点深度：実施例１〜７は、０．５μｍラインアンドス
ペースの値で表示し、実施例８及び９、比較例１では
０．３５μｍラインアンドスペースの値を表示した。 耐熱性：１０μｍライン像をホットプレートで９０秒間
加熱し、パターンの変形が生じない温度を表した。 γ値：露光量の対数に対する膜厚をプロットし、その傾
きθを求め、ｔａｎθの値を表示した。 残膜率：未露光部における露光前の膜厚に対する露光Ｐ
ＥＢ現像を経た後の膜厚の比の百分率。

【００５５】

【表３】

【００５６】表３の結果より、本発明のポジ型フォトレ
ジスト組成物は、感度、解像度、γ値、焦点深度及び耐
熱性に優れたレジストパターンを与えることが確認され
た。

【図面の簡単な説明】

【図１】合成例１で得られた高分子量体を分離前のクレ
ゾールノボラック樹脂の分子量分布を示すグラフであ
る。

【図２】合成例１で得られた高分子量体を分離後のクレ
ゾールノボラック樹脂の分子量分布を示すグラフであ
る。

フロントページの続き (72)発明者 梅村 光雄 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 (72)発明者 西川 和宏 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 (72)発明者 神原 浩 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 (72)発明者 岡崎 智 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 アルカリ可溶性樹脂と、感光剤としてキ
   ノンジアジド化合物と、下記式（１）で示されるフェノ
   ール化合物とを含有してなることを特徴とするポジ型フ
   ォトレジスト組成物。 【化１】 （但し、式中Ｘ ₁〜Ｘ ₅はそれぞれ水素原子、アルキル基
   又は水酸基であり、少なくとも１つは水酸基である。ま
   た、Ｒ¹〜Ｒ³はそれぞれ水素原子、アルキル基又は置換
   もしくは非置換のアリール基であり、少なくとも１つは
   置換もしくは非置換のアリール基である。）
2. 【請求項２】 置換もしくは非置換のアリール基が下記
   式 【化２】 で示されるものである請求項１記載のポジ型フォトレジ
   スト組成物。
3. 【請求項３】 上記一般式（１）で示されるフェノール
   化合物が下記一般式（２）又は下記一般式（３）で示さ
   れる化合物から選ばれるものである請求項１記載のポジ
   型フォトレジスト組成物。 【化３】 （但し、式中ｍ，ｎはそれぞれ０〜４の整数である。）
4. 【請求項４】 下記一般式（４）で示されるフェノール
   化合物を配合した請求項１，２又は３記載のポジ型フォ
   トレジスト組成物。 【化４】
5. 【請求項５】 アルカリ可溶性樹脂として重量平均分子
   量８５０以下のものがアルカリ可溶性樹脂全体の１５重
   量％以下であるものを使用する請求項１乃至４のいずれ
   か１項記載のポジ型フォトレジスト組成物。