JPH0822938A - 投影露光方法および装置 - Google Patents
投影露光方法および装置Info
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- JPH0822938A JPH0822938A JP6153189A JP15318994A JPH0822938A JP H0822938 A JPH0822938 A JP H0822938A JP 6153189 A JP6153189 A JP 6153189A JP 15318994 A JP15318994 A JP 15318994A JP H0822938 A JPH0822938 A JP H0822938A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
- G03F7/70441—Optical proximity correction [OPC]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 投影露光において焦点深度や解像度を向上さ
せながら、同時に微細パターンに対し、設計パターンに
近い光学像を得る。 【構成】 照明光の形状を中心部が暗くなるように変形
し、同時に被露光パターンとして設計パターンに露光条
件による補正を加えた被露光パターン５を用いる。
せながら、同時に微細パターンに対し、設計パターンに
近い光学像を得る。 【構成】 照明光の形状を中心部が暗くなるように変形
し、同時に被露光パターンとして設計パターンに露光条
件による補正を加えた被露光パターン５を用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路等の製造
工程で、回路パターンの転写に利用される投影露光方法
および装置に関するものである。
工程で、回路パターンの転写に利用される投影露光方法
および装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路などの微細パターン加工
では、生産効率の高い投影露光装置が広く用いられてい
る。投影露光装置の解像度および焦点深度は投影レンズ
の開口数（ＮＡ）と露光波長に依存する。解像度を向上
するために開口数を大きくしたり、露光波長を短くする
とそれにともなって焦点深度は浅くなってしまう。
では、生産効率の高い投影露光装置が広く用いられてい
る。投影露光装置の解像度および焦点深度は投影レンズ
の開口数（ＮＡ）と露光波長に依存する。解像度を向上
するために開口数を大きくしたり、露光波長を短くする
とそれにともなって焦点深度は浅くなってしまう。
【０００３】解像度を高め、さらに焦点深度を深める露
光方法として変形照明法が知られている。ＫＴＩマイク
ロエレクトロニクスセミナー（Ｎｏｖｅｍｂｅｒ １９
８９，ｐ２１７−２３０）には照明光学系の光路中に光
ファイバを設け、光束を輪帯状に変換する輪帯照明法が
述べられている。また、特開平４−１８０６１２号公報
には照明光学系の光路中に光束変換部材を入れ光束を分
割する分割照明法が述べられている。輪帯照明法や分割
照明法などの変形照明法では、光束の中心部を暗くする
ことにより大焦点深度化あるいは高解像度化の効果を得
ている。
光方法として変形照明法が知られている。ＫＴＩマイク
ロエレクトロニクスセミナー（Ｎｏｖｅｍｂｅｒ １９
８９，ｐ２１７−２３０）には照明光学系の光路中に光
ファイバを設け、光束を輪帯状に変換する輪帯照明法が
述べられている。また、特開平４−１８０６１２号公報
には照明光学系の光路中に光束変換部材を入れ光束を分
割する分割照明法が述べられている。輪帯照明法や分割
照明法などの変形照明法では、光束の中心部を暗くする
ことにより大焦点深度化あるいは高解像度化の効果を得
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】変形照明法を用いると
光学系の空間周波数応答は通常の光学系と異なる振る舞
いを示す。図５に通常照明法を用いた場合の空間周波数
応答９と変形照明法を用いた場合の空間周波数応答１０
とを示す。これは１：１の幅を持つライン＆スペースパ
ターンのコントラストを空間周波数（パターンピッチの
逆数）の関数として表したものである。計算に用いた投
影露光装置はＮＡ＝０．５のＫｒＦエキシマステッパ
（波長λ＝０．２４８μm ）とし、通常照明法の場合に
はコヒーレンス因子σ＝０．７、変形照明法の場合には
図６（ａ）に示す輪帯状の遮光板１１（遮光円の半径は
σの７０％）を光束変換部材として用いたものとした。
図５よりわかるように変形照明法では空間周波数応答の
高周波数成分が大きくなる。これは特に空間周波数がＮ
Ａ／λより大きい部分で顕著である。このため、解像度
は向上するが通常と異なる光学像が形成される。
光学系の空間周波数応答は通常の光学系と異なる振る舞
いを示す。図５に通常照明法を用いた場合の空間周波数
応答９と変形照明法を用いた場合の空間周波数応答１０
とを示す。これは１：１の幅を持つライン＆スペースパ
ターンのコントラストを空間周波数（パターンピッチの
逆数）の関数として表したものである。計算に用いた投
影露光装置はＮＡ＝０．５のＫｒＦエキシマステッパ
（波長λ＝０．２４８μm ）とし、通常照明法の場合に
はコヒーレンス因子σ＝０．７、変形照明法の場合には
図６（ａ）に示す輪帯状の遮光板１１（遮光円の半径は
σの７０％）を光束変換部材として用いたものとした。
図５よりわかるように変形照明法では空間周波数応答の
高周波数成分が大きくなる。これは特に空間周波数がＮ
Ａ／λより大きい部分で顕著である。このため、解像度
は向上するが通常と異なる光学像が形成される。
【０００５】通常照明と変形照明の光学像の差を図７に
示す被露光パターンを例として以下に述べる。被露光パ
ターンは遮光部１３と透明部１４から形成され、遮光部
１３は上下左右ともに周期的に繰り返されている。被露
光パターンは１／５のサイズでレジスト膜を塗布したウ
エファ上に投影される。通常照明の場合の光学像１５を
図８に、変形照明の場合の光学像１７を図９に示す。露
光条件は図５と同じものとした。光学像は光強度分布の
等強度曲線で与えられている。変形照明の場合には光学
像が歪み、設計パターン１６から大きなずれを示す。特
に長方形の上下方向の幅は設計値０．３５μm から０．
４２μm へと２０％太くなっている。これは通常のデバ
イス設計上の許容値である±１０％を大きく越えてい
る。
示す被露光パターンを例として以下に述べる。被露光パ
ターンは遮光部１３と透明部１４から形成され、遮光部
１３は上下左右ともに周期的に繰り返されている。被露
光パターンは１／５のサイズでレジスト膜を塗布したウ
エファ上に投影される。通常照明の場合の光学像１５を
図８に、変形照明の場合の光学像１７を図９に示す。露
光条件は図５と同じものとした。光学像は光強度分布の
等強度曲線で与えられている。変形照明の場合には光学
像が歪み、設計パターン１６から大きなずれを示す。特
に長方形の上下方向の幅は設計値０．３５μm から０．
４２μm へと２０％太くなっている。これは通常のデバ
イス設計上の許容値である±１０％を大きく越えてい
る。
【０００６】このパターンは０．２５μm のスペースで
周期的に長方形を配置しており、これがパターンの最小
寸法となっている。０．２５μm のスペースは空間周波
数として１／０．２５μm ＝４μm -1を中心とする空間
周波数成分を持っており、これはＮＡ／λ＝２．０２μ
m -1よりずっと大きい。これが変形照明を用いた場合に
大きなパターン変形を引き起こす原因となっている。
周期的に長方形を配置しており、これがパターンの最小
寸法となっている。０．２５μm のスペースは空間周波
数として１／０．２５μm ＝４μm -1を中心とする空間
周波数成分を持っており、これはＮＡ／λ＝２．０２μ
m -1よりずっと大きい。これが変形照明を用いた場合に
大きなパターン変形を引き起こす原因となっている。
【０００７】本発明の目的は変形照明法による大焦点深
度性や高解像性を維持しつつ、レジスト膜を塗布したウ
エファ上で、パターンが微細な場合でも設計パターンに
近い光学像を得る投影露光方法および装置を提供するこ
とにある。
度性や高解像性を維持しつつ、レジスト膜を塗布したウ
エファ上で、パターンが微細な場合でも設計パターンに
近い光学像を得る投影露光方法および装置を提供するこ
とにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、被露光パター
ンを有するマスクを照明光学系を用いて照明するととも
に前記被露光パターンをレジスト膜を塗布したウエファ
上に投影光学系を用いて投影する投影露光方法におい
て、前記照明光学系中に照明光束変換部材を設け、この
照明光束変換部材により照明光の光束の中心部を暗くす
るとともに、前記マスク上の前記被露光パターンとし
て、前記ウエファ上に転写されるべき設計パターンに露
光条件による補正を加えたパターンを用いることを特徴
とする。
ンを有するマスクを照明光学系を用いて照明するととも
に前記被露光パターンをレジスト膜を塗布したウエファ
上に投影光学系を用いて投影する投影露光方法におい
て、前記照明光学系中に照明光束変換部材を設け、この
照明光束変換部材により照明光の光束の中心部を暗くす
るとともに、前記マスク上の前記被露光パターンとし
て、前記ウエファ上に転写されるべき設計パターンに露
光条件による補正を加えたパターンを用いることを特徴
とする。
【０００９】また本発明は、被露光パターンを有するマ
スクを照明光学系を用いて照明するとともに前記被露光
パターンをレジスト膜を塗布したウエファ上に投影光学
系を用いて投影する投影露光装置において、前記照明光
学系中に設けられ、照明光の光束の中心部を暗くするた
めの照明光束変換部材を備え、前記マスクは、前記ウエ
ファ上に転写されるべき設計パターンに露光条件による
補正を加えたパターンを前記被露光パターンとして有す
ることを特徴とする。
スクを照明光学系を用いて照明するとともに前記被露光
パターンをレジスト膜を塗布したウエファ上に投影光学
系を用いて投影する投影露光装置において、前記照明光
学系中に設けられ、照明光の光束の中心部を暗くするた
めの照明光束変換部材を備え、前記マスクは、前記ウエ
ファ上に転写されるべき設計パターンに露光条件による
補正を加えたパターンを前記被露光パターンとして有す
ることを特徴とする。
【００１０】
【作用】設計パターンに補正を加えたパターンをマスク
上に形成することにより、投影光学系により生じる光学
像の歪みを補正し、レジストへの転写パターンを設計パ
ターンに近づけることができる。
上に形成することにより、投影光学系により生じる光学
像の歪みを補正し、レジストへの転写パターンを設計パ
ターンに近づけることができる。
【００１１】マスクを補正する方法は特開昭６３−１６
５８５１号公報、特開昭６３−２１６０５２号公報、特
開平４−１７９９５２号公報にも述べられている。しか
し、これらの方法では解像力や焦点深度を向上すること
はできない。
５８５１号公報、特開昭６３−２１６０５２号公報、特
開平４−１７９９５２号公報にも述べられている。しか
し、これらの方法では解像力や焦点深度を向上すること
はできない。
【００１２】本発明によれば変形照明法で微細パターン
を転写する際に特に問題となる光学像の歪みをマスク補
正法により矯正し、大焦点深度化あるいは高解像化の効
果を得つつ設計パターンに近い光学像を得ることができ
る。
を転写する際に特に問題となる光学像の歪みをマスク補
正法により矯正し、大焦点深度化あるいは高解像化の効
果を得つつ設計パターンに近い光学像を得ることができ
る。
【００１３】
【実施例】図１は本発明方法の実施例を実施するための
投影露光装置を示す図である。
投影露光装置を示す図である。
【００１４】この投影露光装置は、遮光板よりなる照明
光束変換部材１と、レンズよりなる照明光学系３と、投
影光学系６より構成されている。設計パターンに補正を
加えた被露光パターン５をガラス基板４上に形成したマ
スクは、照明光学系３と投影光学系６との間に配置され
る。投影光学系６の下方のステージ８上には、レジスト
を塗布したウエファ７を配置する。
光束変換部材１と、レンズよりなる照明光学系３と、投
影光学系６より構成されている。設計パターンに補正を
加えた被露光パターン５をガラス基板４上に形成したマ
スクは、照明光学系３と投影光学系６との間に配置され
る。投影光学系６の下方のステージ８上には、レジスト
を塗布したウエファ７を配置する。
【００１５】照明光束変換部材としては図６（ａ）のよ
うな遮光板１１を用いる。この遮光板１１は、円形遮光
部を同心状に遮光部が取り囲んだ輪帯状のものである。
外円の半径はσ＝０．７に相当し、内円の半径は外円の
７０％である。
うな遮光板１１を用いる。この遮光板１１は、円形遮光
部を同心状に遮光部が取り囲んだ輪帯状のものである。
外円の半径はσ＝０．７に相当し、内円の半径は外円の
７０％である。
【００１６】光源であるＫｒＦエキシマレーザ（図示せ
ず）からの光は、照明光束変換部材１に入り、照明光束
変換部材１を通った光２はその中心部が暗くなってい
る。光２は照明光学系３に入り、照明光学系３より出た
光はマスクを照らす。マスク上の設計パターンに補正を
加えた被露光パターン５を透過した光はＮＡ＝０．５、
縮小率１／５の投影光学系６を通り、レジストを塗布し
たウエファ７上に結像する。
ず）からの光は、照明光束変換部材１に入り、照明光束
変換部材１を通った光２はその中心部が暗くなってい
る。光２は照明光学系３に入り、照明光学系３より出た
光はマスクを照らす。マスク上の設計パターンに補正を
加えた被露光パターン５を透過した光はＮＡ＝０．５、
縮小率１／５の投影光学系６を通り、レジストを塗布し
たウエファ７上に結像する。
【００１７】図２に設計パターンに補正を加えた被露光
パターン５を示す。これは図７に示される被露光パター
ンに補正を加えたものである。図７では被露光パターン
と設計パターン（遮光部１３と重なるために図示せず）
は一致しているが、本発明による図２では設計パターン
２０は被露光パターンと一致していない。
パターン５を示す。これは図７に示される被露光パター
ンに補正を加えたものである。図７では被露光パターン
と設計パターン（遮光部１３と重なるために図示せず）
は一致しているが、本発明による図２では設計パターン
２０は被露光パターンと一致していない。
【００１８】図３にレジスト膜を塗布したウエファ７上
の光学像２１を示す。図９で見られた光学像の設計パタ
ーン１６からの大きなずれは、図３では矯正されている
ことがわかる。特にパターンの上下方向の幅はほぼ設計
値通りになっている。
の光学像２１を示す。図９で見られた光学像の設計パタ
ーン１６からの大きなずれは、図３では矯正されている
ことがわかる。特にパターンの上下方向の幅はほぼ設計
値通りになっている。
【００１９】図４に通常照明法を用いた場合の光学像の
コントラスト２２および変形照明法を用いた場合の光学
像のコントラスト２３を示す。コントラストは通常照明
法の場合は図８中のＡ点およびＢ点、変形照明法の場合
は図３中のＡ′点およびＢ′点の光強度を用いて計算し
た。デフォーカスするとともにコントラストは減少す
る。レジストが解像するためには６０％以上のコントラ
ストが必要とされる。このため、通常照明では１．２μ
m の焦点深度しか得られないのに対し、変形照明法では
１．６μm の焦点深度が得られる。本実施例のように補
正した被露光パターンを用いた場合でも、変形照明法に
よる大焦点深度化の効果は得られる。
コントラスト２２および変形照明法を用いた場合の光学
像のコントラスト２３を示す。コントラストは通常照明
法の場合は図８中のＡ点およびＢ点、変形照明法の場合
は図３中のＡ′点およびＢ′点の光強度を用いて計算し
た。デフォーカスするとともにコントラストは減少す
る。レジストが解像するためには６０％以上のコントラ
ストが必要とされる。このため、通常照明では１．２μ
m の焦点深度しか得られないのに対し、変形照明法では
１．６μm の焦点深度が得られる。本実施例のように補
正した被露光パターンを用いた場合でも、変形照明法に
よる大焦点深度化の効果は得られる。
【００２０】なお、本実施例では光源としてＫｒＦエキ
シマレーザを用いたが、ＡｒＦエキシマレーザ、高圧水
銀ランプのｉ線などを代わりに用いることもできる。ま
た、照明形状変換部材として遮光板の他に振動する反射
鏡やプリズム、あるいは光ファイバなども用いても良
い。照明光束の形状も図６（ａ）のような輪帯状に限ら
ず、図６（ｂ）のように多分割することにより中心部を
暗くしてもよい。
シマレーザを用いたが、ＡｒＦエキシマレーザ、高圧水
銀ランプのｉ線などを代わりに用いることもできる。ま
た、照明形状変換部材として遮光板の他に振動する反射
鏡やプリズム、あるいは光ファイバなども用いても良
い。照明光束の形状も図６（ａ）のような輪帯状に限ら
ず、図６（ｂ）のように多分割することにより中心部を
暗くしてもよい。
【００２１】
【発明の効果】以上説明から明らかなように本発明の方
法または装置を用いると、変形照明法を用いて微細パタ
ーンを転写する際に特に問題となる光学像の歪みを矯正
し、大焦点深度化あるいは高解像化の効果を得つつ設計
パターンに近い光学像を得ることができる。これによ
り、製造される半導体の集積度が向上するとともに信頼
性を保つことができる。
法または装置を用いると、変形照明法を用いて微細パタ
ーンを転写する際に特に問題となる光学像の歪みを矯正
し、大焦点深度化あるいは高解像化の効果を得つつ設計
パターンに近い光学像を得ることができる。これによ
り、製造される半導体の集積度が向上するとともに信頼
性を保つことができる。
【図１】本発明の実施例を示す図である。
【図２】従来の被露光パターン（図７）に補正を加えた
本発明による被露光パターンを示す図である。
本発明による被露光パターンを示す図である。
【図３】図２の本発明による被露光パターンを用いたと
きに、変形照明法により得られる光学像を示す図であ
る。
きに、変形照明法により得られる光学像を示す図であ
る。
【図４】通常照明法および変形照明法を用いた場合の、
コントラストのデフォーカス依存性を示す図である。
コントラストのデフォーカス依存性を示す図である。
【図５】通常照明法および変形照明法の空間周波数応答
を示す図である。
を示す図である。
【図６】照明光束変換部材として用いられる遮光板であ
る。
る。
【図７】従来の被露光パターンの一例を示す図である。
【図８】図７の被露光パターンを用いたときに、通常照
明法により得られる光学像を示す図である。
明法により得られる光学像を示す図である。
【図９】図７の被露光パターンを用いたときに、変形照
明法により得られる光学像を示す図である。
明法により得られる光学像を示す図である。
１ 照明光束変換部材 ２ 光 ３ 照明光学系 ４ ガラス基板 ５ 設計パターンに補正を加えた被露光パターン ６ 投影光学系 ７ レジストを塗布したウエファ ８ ステージ ９ 通常照明法を用いた場合の空間周波数応答 １０ 変形照明法を用いた場合の空間周波数応答 １１ 輪帯状の遮光板 １２ 四つ穴状の遮光板 １３ 遮光部 １４ 透明部 １５ 図７の被露光パターンを用いたとき、通常照明法
により得られる光学像 １６ ウエファ上の設計パターン １７ 図７の被露光パターンを用いたとき、変形照明法
により得られる光学像 １８ 遮光部 １９ 透明部 ２０ マスク上の設計パターン ２１ 図２の被露光パターンを用いたとき、変形照明法
により得られる光学像 ２２ 通常照明法を用いた場合の光学像のコントラスト ２３ 変形照明法を用いた場合の光学像のコントラスト
により得られる光学像 １６ ウエファ上の設計パターン １７ 図７の被露光パターンを用いたとき、変形照明法
により得られる光学像 １８ 遮光部 １９ 透明部 ２０ マスク上の設計パターン ２１ 図２の被露光パターンを用いたとき、変形照明法
により得られる光学像 ２２ 通常照明法を用いた場合の光学像のコントラスト ２３ 変形照明法を用いた場合の光学像のコントラスト
Claims (6)
- 【請求項１】被露光パターンを有するマスクを照明光学
系を用いて照明するとともに前記被露光パターンをレジ
スト膜を塗布したウエファ上に投影光学系を用いて投影
する投影露光方法において、 前記照明光学系中に照明光束変換部材を設け、この照明
光束変換部材により照明光の光束の中心部を暗くすると
ともに、 前記マスク上の前記被露光パターンとして、前記ウエフ
ァ上に転写されるべき設計パターンに露光条件による補
正を加えたパターンを用いることを特徴とする投影露光
方法。 - 【請求項２】前記照明光学系の光源の波長をλとし、前
記投影光学系の開口数をＮＡとしたとき、前記設計パタ
ーンの最小寸法は前記ウエファ上の寸法に換算してλ／
ＮＡより小さいことを特徴とする請求項１記載の投影露
光方法。 - 【請求項３】被露光パターンを有するマスクを照明光学
系を用いて照明するとともに前記被露光パターンをレジ
スト膜を塗布したウエファ上に投影光学系を用いて投影
する投影露光装置において、 前記照明光学系中に設けられ、照明光の光束の中心部を
暗くするための照明光束変換部材を備え、 前記マスクは、前記ウエファ上に転写されるべき設計パ
ターンに露光条件による補正を加えたパターンを前記被
露光パターンとして有することを特徴とする投影露光装
置。 - 【請求項４】前記照明光学系の光源の波長をλとし、前
記投影光学系の開口数をＮＡとしたとき、前記設計パタ
ーンの最小寸法は前記ウエファ上の寸法に換算してλ／
ＮＡより小さいことを特徴とする請求項３記載の投影露
光装置。 - 【請求項５】前記光束変換部材は、遮光板であることを
特徴とする請求項３記載の投影露光装置。 - 【請求項６】前記光束変換部材は、振動する反射鏡、プ
リズム、あるいは光ファイバであることを特徴とする請
求項３記載の投影露光装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6153189A JP2972521B2 (ja) | 1994-07-05 | 1994-07-05 | 投影露光方法および装置 |
| GB9513723A GB2291219B (en) | 1994-07-05 | 1995-07-05 | Photo-mask fabrication and use |
| KR1019950020105A KR0163471B1 (ko) | 1994-07-05 | 1995-07-05 | 수정된 조명에 이용되는 포토-마스크 제조 방법, 포토-마스크를 이용하는 투영 정렬기 및 포토-마스크로부터 감광층으로 패턴상을 전사하는 방법 |
| US08/498,335 US5631110A (en) | 1994-07-05 | 1995-07-05 | Process of fabricating photo-mask used for modified illumination, projection aligner using the photo-mask and method of transferring pattern image from the photo-mask to photo-sensitive layer |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6811939B2 (en) | 2001-08-09 | 2004-11-02 | Renesas Technology Corp. | Focus monitoring method, focus monitoring system, and device fabricating method |
| US7380233B2 (en) | 2005-08-31 | 2008-05-27 | International Business Machines Corporation | Method of facilitating integrated circuit design using manufactured property values |
Citations (4)
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| JPS63165851A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-09 | Sony Corp | フオトレジストパタ−ンの形成方法 |
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| JPH01248155A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-03 | Matsushita Electron Corp | レチクル製造方法 |
-
1994
- 1994-07-05 JP JP6153189A patent/JP2972521B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
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|---|---|
| JP2972521B2 (ja) | 1999-11-08 |
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