JPH0822983A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0822983A JPH0822983A JP15336294A JP15336294A JPH0822983A JP H0822983 A JPH0822983 A JP H0822983A JP 15336294 A JP15336294 A JP 15336294A JP 15336294 A JP15336294 A JP 15336294A JP H0822983 A JPH0822983 A JP H0822983A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の最終の保護膜として、ＰＳＧ膜
とナイトライド膜とを使用する構造において、ＰＳＧ膜
中のリンと大気中の水分との反応によるリン酸が配線を
腐食するのを防止するため、パッド部のＰＳＧ膜を露出
させない。 【構成】 配線パターン形成後、ＰＳＧ膜４を全面に形
成し、パッド１を形成する領域を開口するように感光性
樹脂を形成し、これをエッチングマスクに、等方性エッ
チングでオーバーエッチングを行い、ＰＳＧ膜４を感光
性樹脂より後退させて、その後に形成するナイトライド
膜３のパット１の開口径より大きくして、ナイトライド
膜でパット１開口部のＰＳＧ膜４を覆い、ＰＳＧ膜４を
表面に露出させないようにする。
とナイトライド膜とを使用する構造において、ＰＳＧ膜
中のリンと大気中の水分との反応によるリン酸が配線を
腐食するのを防止するため、パッド部のＰＳＧ膜を露出
させない。 【構成】 配線パターン形成後、ＰＳＧ膜４を全面に形
成し、パッド１を形成する領域を開口するように感光性
樹脂を形成し、これをエッチングマスクに、等方性エッ
チングでオーバーエッチングを行い、ＰＳＧ膜４を感光
性樹脂より後退させて、その後に形成するナイトライド
膜３のパット１の開口径より大きくして、ナイトライド
膜でパット１開口部のＰＳＧ膜４を覆い、ＰＳＧ膜４を
表面に露出させないようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、とくに配線の保護膜の形成方法に関する。
関し、とくに配線の保護膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術における半導体装置の形成方法
を、図１１から図１４の断面図を用いて説明する。
を、図１１から図１４の断面図を用いて説明する。
【０００３】図１１に示すように、Ｐ型の半導体基板１
１上の素子分離領域にフィールド酸化膜１０を形成す
る。その後、熱酸化処理を行うことにより、酸化シリコ
ン膜からなるゲート酸化膜９を形成する。
１上の素子分離領域にフィールド酸化膜１０を形成す
る。その後、熱酸化処理を行うことにより、酸化シリコ
ン膜からなるゲート酸化膜９を形成する。
【０００４】その後、化学気相成長法（以下ＣＶＤ法と
記す）により、多結晶シリコン膜からなるゲート電極８
を形成する。その後、ゲート電極９とゲート酸化膜１０
とを所定の形状にパターニングする。
記す）により、多結晶シリコン膜からなるゲート電極８
を形成する。その後、ゲート電極９とゲート酸化膜１０
とを所定の形状にパターニングする。
【０００５】その後、ゲート電極８とフィールド酸化膜
１０との整合する半導体基板１１にイオン注入法によ
り、不純物を導入して高濃度拡散領域７を形成する。
１０との整合する半導体基板１１にイオン注入法によ
り、不純物を導入して高濃度拡散領域７を形成する。
【０００６】その後、ＣＶＤ法によりリンとボロンとを
含んだ酸化シリコン膜からなる層間絶縁膜６を形成す
る。その後、窒素雰囲気中で、温度９００℃で３０分間
の熱処理を行い、層間絶縁膜６を流動化させる、いわゆ
るリフローを行い、層間絶縁膜６の表面を平坦化させる
と同時に、イオン注入により形成した高濃度拡散領域７
の不純物を活性化する。
含んだ酸化シリコン膜からなる層間絶縁膜６を形成す
る。その後、窒素雰囲気中で、温度９００℃で３０分間
の熱処理を行い、層間絶縁膜６を流動化させる、いわゆ
るリフローを行い、層間絶縁膜６の表面を平坦化させる
と同時に、イオン注入により形成した高濃度拡散領域７
の不純物を活性化する。
【０００７】その後、ホトエッチング工程によって、層
間絶縁膜６に接続穴を形成する。その後、スパッタリン
グ法を用いてアルミニウムからなる配線５を全面に形成
し、配線５をホトエッチング工程によって、所定の形状
にパターン形成する。
間絶縁膜６に接続穴を形成する。その後、スパッタリン
グ法を用いてアルミニウムからなる配線５を全面に形成
し、配線５をホトエッチング工程によって、所定の形状
にパターン形成する。
【０００８】つぎに、図１２に示すように、配線５の保
護膜を形成するため、ＣＶＤ法によって、リンを含んだ
酸化シリコン膜からなるＰＳＧ膜４を全面に形成する。
その後、ＣＶＤ法により、窒化シリコン膜からなるナイ
トライド膜３を全面に形成する。
護膜を形成するため、ＣＶＤ法によって、リンを含んだ
酸化シリコン膜からなるＰＳＧ膜４を全面に形成する。
その後、ＣＶＤ法により、窒化シリコン膜からなるナイ
トライド膜３を全面に形成する。
【０００９】つぎに、図１３に示すように、回転塗布法
によって、感光性樹脂２を全面に形成し、所定のホトマ
スクを用いて露光し、現像処理を行って、感光性樹脂２
が、引き出し電極として使用するパッド部を開口するよ
うに形成する。
によって、感光性樹脂２を全面に形成し、所定のホトマ
スクを用いて露光し、現像処理を行って、感光性樹脂２
が、引き出し電極として使用するパッド部を開口するよ
うに形成する。
【００１０】つぎに、図１４に示すように、感光性樹脂
２をエッチングマスクに使用して、ナイトライド膜３を
ドライエッチング法によって、エッチングして開口を形
成する。
２をエッチングマスクに使用して、ナイトライド膜３を
ドライエッチング法によって、エッチングして開口を形
成する。
【００１１】その後、感光性樹脂２をエッチングマスク
に用いてウェットエッチング法によって、ＰＳＧ膜４に
開口を形成し、半導体装置の引き出し電極として使用す
るパッド１を形成し、感光性樹脂２を除去する。
に用いてウェットエッチング法によって、ＰＳＧ膜４に
開口を形成し、半導体装置の引き出し電極として使用す
るパッド１を形成し、感光性樹脂２を除去する。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】図１１から図１４を用
いて説明した従来の半導体装置の形成方法は、配線５の
保護膜として、ＰＳＧ膜５とナイトライド膜４とを使用
している。
いて説明した従来の半導体装置の形成方法は、配線５の
保護膜として、ＰＳＧ膜５とナイトライド膜４とを使用
している。
【００１３】このＰＳＧ膜５とナイトライド膜４との２
層膜を形成する理由は、ナイトライド膜４の形成時に生
じる応力をＰＳＧ膜５で緩和し、応力による配線５の断
線を防止する目的のためである。
層膜を形成する理由は、ナイトライド膜４の形成時に生
じる応力をＰＳＧ膜５で緩和し、応力による配線５の断
線を防止する目的のためである。
【００１４】ＰＳＧ膜４は、リンを含んでおり、吸湿性
が高いため、水分とリンとがリン酸を生成し、配線５の
アルミニウムを腐食し、断線してしまい、保護膜として
信頼性が低下してしまう。
が高いため、水分とリンとがリン酸を生成し、配線５の
アルミニウムを腐食し、断線してしまい、保護膜として
信頼性が低下してしまう。
【００１５】したがって、従来の半導体装置の製造方法
は、パッド１の側壁にＰＳＧ膜４が露出しおり、吸湿性
の高いＰＳＧ膜４が、水分を吸収するため、保護膜とし
て信頼性が低下してしまう。
は、パッド１の側壁にＰＳＧ膜４が露出しおり、吸湿性
の高いＰＳＧ膜４が、水分を吸収するため、保護膜とし
て信頼性が低下してしまう。
【００１６】本発明の目的は、上記課題を解決して、信
頼性の高い保護膜を有する半導体装置の製造方法を提供
することである。
頼性の高い保護膜を有する半導体装置の製造方法を提供
することである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の半導体装置の形成方法は、下記記載の工程を
採用する。
に本発明の半導体装置の形成方法は、下記記載の工程を
採用する。
【００１８】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体
基板上の素子分離領域にフィールド酸化膜を形成する工
程と、ゲート酸化膜とゲート電極とを形成し、ホトエッ
チング工程により、ゲート電極とゲート酸化膜をパター
ニングする工程と、ゲート電極とフィールド酸化膜との
整合する半導体基板に高濃度拡散領域を形成する工程
と、全面に層間絶縁膜を形成する工程と、加熱処理を行
い、高濃度拡散領域との不純物を活性化する工程と、ホ
トエッチング工程により層間絶縁膜に接続穴を形成する
工程と、配線を形成する工程と、全面にリンを含んだ酸
化シリコンからなるＰＳＧ膜を形成する工程と、パッド
形成部以外に第１の感光性樹脂を形成し、第１の感光性
樹脂とホトマスクに第１の感光性樹脂の形成部より、Ｐ
ＳＧ膜が後退するようにパターニングし、第１の感光性
樹脂を除去する工程と、窒化シリコンからなるナイトラ
イド膜を全面に形成する工程と、第１の感光性樹脂と同
じホトマスクにより第２の感光性樹脂をパターニング
し、第２の感光性樹脂をエッチングマスクにナイトライ
ド膜をパターニングし、第２の感光性樹脂を除去する工
程とを有することを特徴する。
基板上の素子分離領域にフィールド酸化膜を形成する工
程と、ゲート酸化膜とゲート電極とを形成し、ホトエッ
チング工程により、ゲート電極とゲート酸化膜をパター
ニングする工程と、ゲート電極とフィールド酸化膜との
整合する半導体基板に高濃度拡散領域を形成する工程
と、全面に層間絶縁膜を形成する工程と、加熱処理を行
い、高濃度拡散領域との不純物を活性化する工程と、ホ
トエッチング工程により層間絶縁膜に接続穴を形成する
工程と、配線を形成する工程と、全面にリンを含んだ酸
化シリコンからなるＰＳＧ膜を形成する工程と、パッド
形成部以外に第１の感光性樹脂を形成し、第１の感光性
樹脂とホトマスクに第１の感光性樹脂の形成部より、Ｐ
ＳＧ膜が後退するようにパターニングし、第１の感光性
樹脂を除去する工程と、窒化シリコンからなるナイトラ
イド膜を全面に形成する工程と、第１の感光性樹脂と同
じホトマスクにより第２の感光性樹脂をパターニング
し、第２の感光性樹脂をエッチングマスクにナイトライ
ド膜をパターニングし、第２の感光性樹脂を除去する工
程とを有することを特徴する。
【００１９】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体
基板上の素子分離領域にフィールド酸化膜を形成する工
程と、ゲート酸化膜とゲート電極とを形成し、ホトエッ
チング工程により、ゲート電極とゲート酸化膜をパター
ニングする工程と、ゲート電極とフィールド酸化膜との
整合する半導体基板に高濃度拡散領域を形成する工程
と、全面に層間絶縁膜を形成する工程と、加熱処理を行
い、高濃度拡散領域との不純物を活性化する工程と、ホ
トエッチング工程により層間絶縁膜に接続穴を形成する
工程と、第１の配線を形成する工程と、全面に第１の配
線間絶縁膜を形成し、全面にＳＯＧを形成し、熱処理に
よりＳＯＧを焼結し、平坦部のＳＯＧを除去し、第２の
配線間絶縁膜を形成し、スルーホールを形成する工程
と、第２の配線を形成する工程と、全面にリンを含んだ
酸化シリコンからなるＰＳＧ膜を形成する工程と、パッ
ド形成部以外に第１の感光性樹脂を形成し、第１の感光
性樹脂とホトマスクに第１の感光性樹脂の形成部より、
ＰＳＧ膜が後退するようにパターニングし、第１の感光
性樹脂を除去する工程と、窒化シリコンからなるナイト
ライド膜を全面に形成する工程と、第１の感光性樹脂と
同じホトマスクにより第２の感光性樹脂をパターニング
し、第２の感光性樹脂をエッチングマスクにナイトライ
ド膜をパターニングし、第２の感光性樹脂を除去する工
程とを有することを特徴する。
基板上の素子分離領域にフィールド酸化膜を形成する工
程と、ゲート酸化膜とゲート電極とを形成し、ホトエッ
チング工程により、ゲート電極とゲート酸化膜をパター
ニングする工程と、ゲート電極とフィールド酸化膜との
整合する半導体基板に高濃度拡散領域を形成する工程
と、全面に層間絶縁膜を形成する工程と、加熱処理を行
い、高濃度拡散領域との不純物を活性化する工程と、ホ
トエッチング工程により層間絶縁膜に接続穴を形成する
工程と、第１の配線を形成する工程と、全面に第１の配
線間絶縁膜を形成し、全面にＳＯＧを形成し、熱処理に
よりＳＯＧを焼結し、平坦部のＳＯＧを除去し、第２の
配線間絶縁膜を形成し、スルーホールを形成する工程
と、第２の配線を形成する工程と、全面にリンを含んだ
酸化シリコンからなるＰＳＧ膜を形成する工程と、パッ
ド形成部以外に第１の感光性樹脂を形成し、第１の感光
性樹脂とホトマスクに第１の感光性樹脂の形成部より、
ＰＳＧ膜が後退するようにパターニングし、第１の感光
性樹脂を除去する工程と、窒化シリコンからなるナイト
ライド膜を全面に形成する工程と、第１の感光性樹脂と
同じホトマスクにより第２の感光性樹脂をパターニング
し、第２の感光性樹脂をエッチングマスクにナイトライ
ド膜をパターニングし、第２の感光性樹脂を除去する工
程とを有することを特徴する。
【００２０】
【作用】本発明の半導体装置の製造方法は、ＰＳＧ膜と
ナイトライド膜との形成と、パターニングとを別々に行
い、パッド開口部のＰＳＧ膜をナイトライド膜で覆う。
ナイトライド膜との形成と、パターニングとを別々に行
い、パッド開口部のＰＳＧ膜をナイトライド膜で覆う。
【００２１】そのため、ＰＳＧ膜が表面に露出せず、水
分の吸湿によるリン酸の生成がないため、配線の断線が
なく、従来の半導体装置の形成方法より、配線の保護膜
の信頼性を向上させることができる。
分の吸湿によるリン酸の生成がないため、配線の断線が
なく、従来の半導体装置の形成方法より、配線の保護膜
の信頼性を向上させることができる。
【００２２】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例における
半導体装置の製造方法を説明する。
半導体装置の製造方法を説明する。
【００２３】まずはじめに図１から図５を用いて、本発
明の第１の実施例における半導体装置の製造方法を説明
する。図１から図５は、本発明の第１の実施例における
半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
明の第１の実施例における半導体装置の製造方法を説明
する。図１から図５は、本発明の第１の実施例における
半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【００２４】まずはじめに図１に示すように、Ｐ型の半
導体基板１１上に、ＣＶＤ法によって、膜厚１５０ｎｍ
の窒化シリコン膜（図示せず）を全面に形成する。
導体基板１１上に、ＣＶＤ法によって、膜厚１５０ｎｍ
の窒化シリコン膜（図示せず）を全面に形成する。
【００２５】その後、膜厚１．１μｍの感光性樹脂（図
示せず）を回転塗布法により全面に形成し、所定のホト
マスクを用いて露光し、現像処理を行い、素子領域上に
感光性樹脂をパターニングする。
示せず）を回転塗布法により全面に形成し、所定のホト
マスクを用いて露光し、現像処理を行い、素子領域上に
感光性樹脂をパターニングする。
【００２６】その後、この感光性樹脂をエッチングマス
クに、エッチングガスとして四フッ炭素を使用して、反
応性イオンエッチング法（以下ＲＩＥ法と記す）によ
り、窒化シリコン膜を素子領域上に残存するようにパタ
ーニングする。その後、感光性樹脂を除去する。
クに、エッチングガスとして四フッ炭素を使用して、反
応性イオンエッチング法（以下ＲＩＥ法と記す）によ
り、窒化シリコン膜を素子領域上に残存するようにパタ
ーニングする。その後、感光性樹脂を除去する。
【００２７】その後、窒化シリコンを酸化防止膜に用い
て、水蒸気を添加した酸素雰囲気中で、温度１０００℃
の熱処理を１０５分間行い、半導体基板１１に酸化シリ
コンを形成する、いわゆる選択酸化により、膜厚５５０
ｎｍの酸化シリコン膜からなるフィールド酸化膜１０を
素子分離領域に形成する。その後、窒化シリコンを温度
１８０℃に加熱したリン酸で除去する。
て、水蒸気を添加した酸素雰囲気中で、温度１０００℃
の熱処理を１０５分間行い、半導体基板１１に酸化シリ
コンを形成する、いわゆる選択酸化により、膜厚５５０
ｎｍの酸化シリコン膜からなるフィールド酸化膜１０を
素子分離領域に形成する。その後、窒化シリコンを温度
１８０℃に加熱したリン酸で除去する。
【００２８】つぎに、図２に示すように、酸素雰囲気中
で温度１０００℃の熱処理を１２分行い、膜厚２０ｎｍ
の酸化シリコン膜からなるゲート酸化膜９を形成する。
で温度１０００℃の熱処理を１２分行い、膜厚２０ｎｍ
の酸化シリコン膜からなるゲート酸化膜９を形成する。
【００２９】その後、反応性ガスとしてモノシランを使
用して、ＣＶＤ法により膜厚３５０ｎｍの多結晶シリコ
ン膜からなるゲート電極８を全面に形成する。
用して、ＣＶＤ法により膜厚３５０ｎｍの多結晶シリコ
ン膜からなるゲート電極８を全面に形成する。
【００３０】その後、膜厚１．１μｍの感光性樹脂（図
示せず）を回転塗布法により全面に形成し、所定のホト
マスクを用いて露光し現像し、ゲート電極パターンの形
成領域上に感光性樹脂をパターニングする。
示せず）を回転塗布法により全面に形成し、所定のホト
マスクを用いて露光し現像し、ゲート電極パターンの形
成領域上に感光性樹脂をパターニングする。
【００３１】その後、この感光性樹脂をエッチングマス
クに用いて、エッチングガスとして六フッイオウを使用
するＲＩＥ法によりゲート電極８をパータニングする。
クに用いて、エッチングガスとして六フッイオウを使用
するＲＩＥ法によりゲート電極８をパータニングする。
【００３２】さらに引き続いて、感光性樹脂をエッチン
グマスクに用いて、フッ酸水溶液でゲート酸化膜９をパ
ターニングする。その後、感光性樹脂を除去する。
グマスクに用いて、フッ酸水溶液でゲート酸化膜９をパ
ターニングする。その後、感光性樹脂を除去する。
【００３３】その後、ゲート電極８とフィールド酸化膜
１０との整合する半導体基板１１にリンを加速エネルギ
ー５０ｋｅＶ、注入量３．０×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ
2 の条件でイオン注入し、高濃度拡散領域７を形成す
る。
１０との整合する半導体基板１１にリンを加速エネルギ
ー５０ｋｅＶ、注入量３．０×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ
2 の条件でイオン注入し、高濃度拡散領域７を形成す
る。
【００３４】その後、反応性ガスとしてモノシランとホ
スフィンとジボランと酸素と窒素ととを使用するＣＶＤ
法により、膜厚４５０ｎｍのリンとボロンとを含んだ酸
化シリコンの層間絶縁膜６を形成する。
スフィンとジボランと酸素と窒素ととを使用するＣＶＤ
法により、膜厚４５０ｎｍのリンとボロンとを含んだ酸
化シリコンの層間絶縁膜６を形成する。
【００３５】その後、窒素雰囲気中で温度９００℃の熱
処理を３０分間行い層間絶縁膜６を流動化させる、いわ
ゆるリフローを行い、層間絶縁膜６の表面を平坦化させ
ると同時に、イオン注入により形成した高濃度拡散領域
７の不純物を活性化する。
処理を３０分間行い層間絶縁膜６を流動化させる、いわ
ゆるリフローを行い、層間絶縁膜６の表面を平坦化させ
ると同時に、イオン注入により形成した高濃度拡散領域
７の不純物を活性化する。
【００３６】その後、膜厚１．１μｍの感光性樹脂（図
示せず）を全面に形成し、所定のホトマスクを用いて露
光し現像し感光性樹脂を接続穴形成領域のみを開口する
ようにパターニングする。
示せず）を全面に形成し、所定のホトマスクを用いて露
光し現像し感光性樹脂を接続穴形成領域のみを開口する
ようにパターニングする。
【００３７】その後、感光性樹脂をエッチングマスクと
して使用し、エッチングガスとしてＣＨＦ3 を使用する
ＲＩＥ法により層間絶縁膜６をエッチングして接続穴を
形成する。その後、感光性樹脂を除去する。
して使用し、エッチングガスとしてＣＨＦ3 を使用する
ＲＩＥ法により層間絶縁膜６をエッチングして接続穴を
形成する。その後、感光性樹脂を除去する。
【００３８】その後、スパッタリング法により膜厚１μ
ｍのアルミニウム膜からなる配線５を全面に形成する。
ｍのアルミニウム膜からなる配線５を全面に形成する。
【００３９】その後、膜厚１．６μｍの感光性樹脂（図
示せず）を回転塗布法により全面に形成し、所定のホト
マスクを用いて露光し、現像処理を行い、感光性樹脂を
配線パターンの形成領域にパターニングする。
示せず）を回転塗布法により全面に形成し、所定のホト
マスクを用いて露光し、現像処理を行い、感光性樹脂を
配線パターンの形成領域にパターニングする。
【００４０】その後、感光性樹脂をエッチングマスクと
して使用し、エッチングガスとしてＢＣｌ3 とＣＨＣｌ
3 とを用いて、ＲＩＥ法により配線５をパターニングす
る。その後、感光性樹脂を除去する。
して使用し、エッチングガスとしてＢＣｌ3 とＣＨＣｌ
3 とを用いて、ＲＩＥ法により配線５をパターニングす
る。その後、感光性樹脂を除去する。
【００４１】この結果、配線５と高濃度拡散領域７、お
よび配線５とゲート電極８とを接続する。
よび配線５とゲート電極８とを接続する。
【００４２】つぎに図３に示すように、反応性ガスとし
てモノシランとホスフィンと酸素ととを使用して、ＣＶ
Ｄ法によって、膜厚４００ｎｍのリンを含んだ酸化シリ
コンのＰＳＧ膜４を全面に形成する。
てモノシランとホスフィンと酸素ととを使用して、ＣＶ
Ｄ法によって、膜厚４００ｎｍのリンを含んだ酸化シリ
コンのＰＳＧ膜４を全面に形成する。
【００４３】その後、膜厚１．６μｍの第１の感光性樹
脂２１を全面に形成し、所定のホトマスクを用いて露光
し現像し、パッド形成部以外に第１の感光性樹脂２１を
残すようにパターニングする。
脂２１を全面に形成し、所定のホトマスクを用いて露光
し現像し、パッド形成部以外に第１の感光性樹脂２１を
残すようにパターニングする。
【００４４】その後、第１の感光性樹脂２１をエッチン
グマスクとして、等方性エッチング法により、オーバー
エッチングを行い、ＰＳＧ膜４を第１の感光性樹脂２１
の開口部より大きくなるようにパターニングする。
グマスクとして、等方性エッチング法により、オーバー
エッチングを行い、ＰＳＧ膜４を第１の感光性樹脂２１
の開口部より大きくなるようにパターニングする。
【００４５】これは、その後に形成する第２の感光性樹
脂２２を、第１の感光性樹脂２１と同じホトマスクによ
り露光するため、第１の感光性樹脂２１と第２の感光性
樹脂２２の合わせズレ量より、ＰＳＧ膜４と第１の感光
性樹脂２１とのオーバーエッチングによる後退量が大き
くなるようにパターニングを行い、その後に形成する第
２の感光性樹脂がＰＳＧ膜を充分に被覆できるようにす
るためである。
脂２２を、第１の感光性樹脂２１と同じホトマスクによ
り露光するため、第１の感光性樹脂２１と第２の感光性
樹脂２２の合わせズレ量より、ＰＳＧ膜４と第１の感光
性樹脂２１とのオーバーエッチングによる後退量が大き
くなるようにパターニングを行い、その後に形成する第
２の感光性樹脂がＰＳＧ膜を充分に被覆できるようにす
るためである。
【００４６】また、この等方性エッチングは、硝酸を含
んだフッ酸によるウェットエッチング法や、エッチング
ガスとしてＣＨＦ3 を使用して、半導体基板１１にイオ
ンが等方的に入射するように、プラズマイオンを制御す
る電界を小さくした等方性のＲＩＥ法により、ＰＳＧ膜
４をパターニングする。
んだフッ酸によるウェットエッチング法や、エッチング
ガスとしてＣＨＦ3 を使用して、半導体基板１１にイオ
ンが等方的に入射するように、プラズマイオンを制御す
る電界を小さくした等方性のＲＩＥ法により、ＰＳＧ膜
４をパターニングする。
【００４７】つぎに、図４に示すように、第１の感光性
樹脂２１を除去する。そして、反応性ガスとしてモノシ
ランとアンモニアとを使用するＣＶＤ法により、膜厚８
００ｎｍの窒化シリコン膜からなるナイトライド膜３を
全面に形成する。
樹脂２１を除去する。そして、反応性ガスとしてモノシ
ランとアンモニアとを使用するＣＶＤ法により、膜厚８
００ｎｍの窒化シリコン膜からなるナイトライド膜３を
全面に形成する。
【００４８】その後、膜厚１．６μｍの第２の感光性樹
脂２２を全面に形成し、第１の感光性樹脂２１を露光す
るホトマスクと同じホトマスクを用いて露光し現像しパ
ッド形成部以外に第２の感光性樹脂２２を残すようにパ
ターニングする。
脂２２を全面に形成し、第１の感光性樹脂２１を露光す
るホトマスクと同じホトマスクを用いて露光し現像しパ
ッド形成部以外に第２の感光性樹脂２２を残すようにパ
ターニングする。
【００４９】第２の感光性樹脂２２は、ＰＳＧ膜４をパ
ターニングするために使用した第１の感光性樹脂２１と
同じホトマスクを使用して露光するので、露光時の合わ
せズレ程度の精度で、ほぼ同じ位置を被覆するようにパ
ターニングする。
ターニングするために使用した第１の感光性樹脂２１と
同じホトマスクを使用して露光するので、露光時の合わ
せズレ程度の精度で、ほぼ同じ位置を被覆するようにパ
ターニングする。
【００５０】そのため、第２の感光性樹脂２２は、第１
の感光性樹脂２１の開口部より開口径を大きくなるよう
にパターニングしたＰＳＧ膜４の開口部の内側にパター
ニングする。
の感光性樹脂２１の開口部より開口径を大きくなるよう
にパターニングしたＰＳＧ膜４の開口部の内側にパター
ニングする。
【００５１】その後、第２の感光性樹脂２２をエッチン
グマスクに使用して、エッチングガスとして四フッ化炭
素を用いるＲＩＥ法により、ナイトライド膜３をパター
ニングし、パッド１を形成する。
グマスクに使用して、エッチングガスとして四フッ化炭
素を用いるＲＩＥ法により、ナイトライド膜３をパター
ニングし、パッド１を形成する。
【００５２】第２の感光性樹脂２２は、ＰＳＧ膜４の開
口径より小さいので、ナイトライド膜３は、ＰＳＧ膜４
の開口径より小さくなり、ＰＳＧ膜４のエッチング断面
部分は、ナイトライド膜３で、被覆できる。この結果、
ＰＳＧ膜４が表面に露出することはない。
口径より小さいので、ナイトライド膜３は、ＰＳＧ膜４
の開口径より小さくなり、ＰＳＧ膜４のエッチング断面
部分は、ナイトライド膜３で、被覆できる。この結果、
ＰＳＧ膜４が表面に露出することはない。
【００５３】つぎに、図５に示すように、第２の感光性
樹脂２２を除去する。
樹脂２２を除去する。
【００５４】このように本発明の半導体装置の製造方法
では、パッド１開口部のＰＳＧ膜４をナイトライド膜３
で覆っている。
では、パッド１開口部のＰＳＧ膜４をナイトライド膜３
で覆っている。
【００５５】このため、ＰＳＧ膜４による水分の吸湿に
よる配線の断線がなくなる。したがって、従来の製造方
法で形成した半導体装置より、信頼性が向上できる。
よる配線の断線がなくなる。したがって、従来の製造方
法で形成した半導体装置より、信頼性が向上できる。
【００５６】さらにまた、配線構造が、２層以上になる
と、表面の凹凸が１層のものより大きくなるため、配線
の保護膜の応力が大きくなる。
と、表面の凹凸が１層のものより大きくなるため、配線
の保護膜の応力が大きくなる。
【００５７】そのため、応力を緩和するＰＳＧ膜４とナ
イトライド膜３とを使用する製造方法が有効だが、２層
以上の配線構造にも本発明は使用できるので、その製造
方法を第２の実施例で説明する。
イトライド膜３とを使用する製造方法が有効だが、２層
以上の配線構造にも本発明は使用できるので、その製造
方法を第２の実施例で説明する。
【００５８】以下、図６から図１０を用いて、本発明の
第２の実施例における半導体装置の製造方法を説明す
る。図６から図１０は、本発明の第２の実施例における
半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
第２の実施例における半導体装置の製造方法を説明す
る。図６から図１０は、本発明の第２の実施例における
半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【００５９】図６に示すように、第１の実施例と同様
に、Ｐ型の半導体基板１１に、フィールド酸化膜１０と
ゲート酸化膜９とゲート電極８と高濃度拡散領域７と層
間絶縁膜６とを形成する。
に、Ｐ型の半導体基板１１に、フィールド酸化膜１０と
ゲート酸化膜９とゲート電極８と高濃度拡散領域７と層
間絶縁膜６とを形成する。
【００６０】その後、スパッタリング法により膜厚１μ
ｍのアルミニウムからなる第１の配線３０を全面に形成
する。
ｍのアルミニウムからなる第１の配線３０を全面に形成
する。
【００６１】つぎに膜厚１．６μｍの感光性樹脂（図示
せず）を回転塗布法により全面に形成し、所定のホトマ
スクを用いて露光し、現像処理を行い、感光性樹脂を配
線パターンの形成領域にパターニングする。
せず）を回転塗布法により全面に形成し、所定のホトマ
スクを用いて露光し、現像処理を行い、感光性樹脂を配
線パターンの形成領域にパターニングする。
【００６２】その後、感光性樹脂をエッチングマスクと
して用いて、エッチングガスとしてＢＣｌ3 とＣＨＣｌ
3 とを用いて、ＲＩＥ法により第１の配線３０をパター
ニングする。その後、感光性樹脂を除去する。
して用いて、エッチングガスとしてＢＣｌ3 とＣＨＣｌ
3 とを用いて、ＲＩＥ法により第１の配線３０をパター
ニングする。その後、感光性樹脂を除去する。
【００６３】この結果、第１の配線３０と高濃度拡散領
域７、および第１の配線３０とゲート電極８とを接続す
ることができる。
域７、および第１の配線３０とゲート電極８とを接続す
ることができる。
【００６４】つぎに、図７に示すように、反応性ガスと
してモノシランと酸素と窒素を使用するＣＶＤ法によ
り、膜厚５００ｎｍの酸化シリコンからなる第１の配線
間絶縁膜３１を全面に形成する。
してモノシランと酸素と窒素を使用するＣＶＤ法によ
り、膜厚５００ｎｍの酸化シリコンからなる第１の配線
間絶縁膜３１を全面に形成する。
【００６５】その後、回転塗布法によって、ケイ素化合
物を有機溶剤に溶解した溶液、いわゆるＳＯＧ３２を膜
厚３００ｎｍに全面に形成する。
物を有機溶剤に溶解した溶液、いわゆるＳＯＧ３２を膜
厚３００ｎｍに全面に形成する。
【００６６】液体のＳＯＧ３２を回転塗布法によって形
成するので、ＳＯＧ３２の表面は、滑らかな表面形状に
なる。
成するので、ＳＯＧ３２の表面は、滑らかな表面形状に
なる。
【００６７】その後、温度３２０℃の窒素雰囲気中で加
熱処理を行い、ＳＯＧ２の溶剤を蒸発させ、ＳＯＧ２を
焼結する。
熱処理を行い、ＳＯＧ２の溶剤を蒸発させ、ＳＯＧ２を
焼結する。
【００６８】その後、エッチングガスとしてＣＨＦ3 使
用したＲＩＥ法により、ＳＯＧ３２をエッチングし、膜
厚を薄くする。
用したＲＩＥ法により、ＳＯＧ３２をエッチングし、膜
厚を薄くする。
【００６９】このとき、平坦部のＳＯＧ３２は除去し、
下地段差部にＳＯＧ３２を形成するように、エッチング
時間を制御する。
下地段差部にＳＯＧ３２を形成するように、エッチング
時間を制御する。
【００７０】その後、反応性ガスとしてモノシランと酸
素と窒素を使用するＣＶＤ法によって、膜厚５００ｎｍ
の酸化シリコン膜からなる第２の配線間絶縁膜３３を全
面に形成する。
素と窒素を使用するＣＶＤ法によって、膜厚５００ｎｍ
の酸化シリコン膜からなる第２の配線間絶縁膜３３を全
面に形成する。
【００７１】その後、膜厚１．１μｍの感光性樹脂（図
示せず）を全面に形成し、所定のホトマスクを用いて露
光し現像し感光性樹脂をパターニングする。
示せず）を全面に形成し、所定のホトマスクを用いて露
光し現像し感光性樹脂をパターニングする。
【００７２】その後、感光性樹脂をエッチングマスクと
して使用して、エッチングガスとしてＣＨＦ3 を使用す
るＲＩＥ法により、第１の配線間絶縁膜３１と第２の配
線間絶縁膜３３とをエッチングし、感光性樹脂を除去
し、スルーホール３５を形成する。
して使用して、エッチングガスとしてＣＨＦ3 を使用す
るＲＩＥ法により、第１の配線間絶縁膜３１と第２の配
線間絶縁膜３３とをエッチングし、感光性樹脂を除去
し、スルーホール３５を形成する。
【００７３】その後、スパッタリング法により膜厚８０
０ｎｍのアルミニウムからなる第２の配線３４を全面に
形成する。
０ｎｍのアルミニウムからなる第２の配線３４を全面に
形成する。
【００７４】そして、膜厚１．６μｍの感光性樹脂（図
示せず）を回転塗布法により全面に形成し、所定のホト
マスクを用いて露光し、現像処理を行い、感光性樹脂を
配線パターンの形成領域にパターニングする。
示せず）を回転塗布法により全面に形成し、所定のホト
マスクを用いて露光し、現像処理を行い、感光性樹脂を
配線パターンの形成領域にパターニングする。
【００７５】つぎに、感光性樹脂をエッチングマスクと
して使用して、エッチングガスとしてＢＣｌ3 とＣＨＣ
ｌ3 とを用いるＲＩＥ法により第２の配線３４をパター
ニングしする。その後、感光性樹脂を除去する。この結
果、第２の配線３４と第１の配線３０とを接続すること
ができる。
して使用して、エッチングガスとしてＢＣｌ3 とＣＨＣ
ｌ3 とを用いるＲＩＥ法により第２の配線３４をパター
ニングしする。その後、感光性樹脂を除去する。この結
果、第２の配線３４と第１の配線３０とを接続すること
ができる。
【００７６】つぎに、図８に示すように、反応性ガスと
してモノシランとホスフィンと酸素とを使用するＣＶＤ
法により、膜厚４００ｎｍのリンを含んだ酸化シリコン
膜からなるＰＳＧ膜４を全面に形成する。
してモノシランとホスフィンと酸素とを使用するＣＶＤ
法により、膜厚４００ｎｍのリンを含んだ酸化シリコン
膜からなるＰＳＧ膜４を全面に形成する。
【００７７】その後、膜厚１．６μｍの第１の感光性樹
脂２１を全面に形成し、所定のホトマスクを用いて露光
し現像し、パッド形成部以外に第１の感光性樹脂２１を
残すようにパターニングする。
脂２１を全面に形成し、所定のホトマスクを用いて露光
し現像し、パッド形成部以外に第１の感光性樹脂２１を
残すようにパターニングする。
【００７８】その後、第１の感光性樹脂２１をエッチン
グマスクとして用いて、等方性エッチング法によって、
オーバーエッチングを行い、ＰＳＧ膜４を第１の感光性
樹脂２１の開口部より大きくなるようにパターニングす
る。
グマスクとして用いて、等方性エッチング法によって、
オーバーエッチングを行い、ＰＳＧ膜４を第１の感光性
樹脂２１の開口部より大きくなるようにパターニングす
る。
【００７９】これは、その後に形成する第２の感光性樹
脂２２を、第１の感光性樹脂２１と同じホトマスクによ
り露光するため、第１の感光性樹脂２１と第２の感光性
樹脂２２の合わせズレ量より、ＰＳＧ膜４と第１の感光
性樹脂２１とのオーバーエッチングによる後退量が大き
くなるようにパターニングを行い、その後に形成する第
２の感光性樹脂がＰＳＧ膜を充分被覆できるようにする
ためである。
脂２２を、第１の感光性樹脂２１と同じホトマスクによ
り露光するため、第１の感光性樹脂２１と第２の感光性
樹脂２２の合わせズレ量より、ＰＳＧ膜４と第１の感光
性樹脂２１とのオーバーエッチングによる後退量が大き
くなるようにパターニングを行い、その後に形成する第
２の感光性樹脂がＰＳＧ膜を充分被覆できるようにする
ためである。
【００８０】さらにまた、この等方性エッチングは、硝
酸を含んだフッ酸によるウェットエッチング法や、エッ
チングガスとしてＣＨＦ3 を使用して、半導体基板１１
にイオンが等方的に入射するように、プラズマイオンを
制御する電界を小さくした等方性のＲＩＥ法により、Ｐ
ＳＧ膜４をパターニングする。
酸を含んだフッ酸によるウェットエッチング法や、エッ
チングガスとしてＣＨＦ3 を使用して、半導体基板１１
にイオンが等方的に入射するように、プラズマイオンを
制御する電界を小さくした等方性のＲＩＥ法により、Ｐ
ＳＧ膜４をパターニングする。
【００８１】つぎに、図９に示すように、第１の感光性
樹脂２１を除去し、反応性ガスとしてモノシランとアン
モニアとを使用するＣＶＤ法により、膜厚８００ｎｍの
窒化シリコンからなるナイトライド膜３を全面に形成す
る。
樹脂２１を除去し、反応性ガスとしてモノシランとアン
モニアとを使用するＣＶＤ法により、膜厚８００ｎｍの
窒化シリコンからなるナイトライド膜３を全面に形成す
る。
【００８２】その後、膜厚１．６μｍの第２の感光性樹
脂２２を全面に形成し、第１の感光性樹脂２１を露光す
るホトマスクと同じホトマスクを用いて露光し現像しパ
ッド形成部以外に第２の感光性樹脂２２を残すようにパ
ターニングする。
脂２２を全面に形成し、第１の感光性樹脂２１を露光す
るホトマスクと同じホトマスクを用いて露光し現像しパ
ッド形成部以外に第２の感光性樹脂２２を残すようにパ
ターニングする。
【００８３】第２の感光性樹脂２２は、ＰＳＧ膜４をパ
ターニングするために使用した第１の感光性樹脂２１と
同じホトマスクを使用して露光するので、露光時の合わ
せズレ程度の精度で、ほぼ同じ位置を被覆するようにパ
ターニングする。
ターニングするために使用した第１の感光性樹脂２１と
同じホトマスクを使用して露光するので、露光時の合わ
せズレ程度の精度で、ほぼ同じ位置を被覆するようにパ
ターニングする。
【００８４】そのため、第２の感光性樹脂２２は、第１
の感光性樹脂２１の開口部より、開口径を大きくパター
ニングしたＰＳＧ膜４の開口部の内側にパターニングす
る。
の感光性樹脂２１の開口部より、開口径を大きくパター
ニングしたＰＳＧ膜４の開口部の内側にパターニングす
る。
【００８５】その後、第２の感光性樹脂２２をエッチン
グマスクに用いて、エッチングガスとして四フッ化炭素
を用いるＲＩＥ法により、ナイトライド膜３をパターニ
ングし、パッド１を形成する。
グマスクに用いて、エッチングガスとして四フッ化炭素
を用いるＲＩＥ法により、ナイトライド膜３をパターニ
ングし、パッド１を形成する。
【００８６】第２の感光性樹脂２２は、ＰＳＧ膜４の開
口径より小さいので、ナイトライド膜３は、ＰＳＧ膜４
の開口径より小さくなり、ＰＳＧ膜４のエッチング断面
部分は、ナイトライド膜３で被覆できるので、ＰＳＧ膜
４が表面に露出することがない。
口径より小さいので、ナイトライド膜３は、ＰＳＧ膜４
の開口径より小さくなり、ＰＳＧ膜４のエッチング断面
部分は、ナイトライド膜３で被覆できるので、ＰＳＧ膜
４が表面に露出することがない。
【００８７】つぎに、図１０に示すように、第２の感光
性樹脂２２を除去する。
性樹脂２２を除去する。
【００８８】このように本発明の第２の実施例における
製造方法は、第１の実施例同様に、パッド１開口部のＰ
ＳＧ膜４がナイトライド膜３で被覆している。
製造方法は、第１の実施例同様に、パッド１開口部のＰ
ＳＧ膜４がナイトライド膜３で被覆している。
【００８９】この結果、ＰＳＧ膜４による水分の吸湿に
よる配線の断線がなくなり、従来の製造方法で形成した
半導体装置より、信頼性が向上できる。
よる配線の断線がなくなり、従来の製造方法で形成した
半導体装置より、信頼性が向上できる。
【００９０】さらえにまた、本発明は、配線が２層構造
であるが、３層以上にも本発明は使用でき、半導体装置
の信頼性低下を防止できる。
であるが、３層以上にも本発明は使用でき、半導体装置
の信頼性低下を防止できる。
【００９１】
【発明の効果】以上の説明のように本発明の半導体装置
の製造方法は、最終の保護膜として、パッド開口部のＰ
ＳＧ膜をナイトライド膜で覆うため、水分の吸湿をおさ
えることができ、ＰＳＧ膜と水分との反応によるリン酸
の生成がなくなる。この結果、配線の断線がなくなり、
保護膜として信頼性を従来より向上できる。
の製造方法は、最終の保護膜として、パッド開口部のＰ
ＳＧ膜をナイトライド膜で覆うため、水分の吸湿をおさ
えることができ、ＰＳＧ膜と水分との反応によるリン酸
の生成がなくなる。この結果、配線の断線がなくなり、
保護膜として信頼性を従来より向上できる。
【図１】本発明の実施例における半導体装置の製造方法
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】本発明の実施例における半導体装置の製造方法
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図３】本発明の実施例における半導体装置の製造方法
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図４】本発明の実施例における半導体装置の製造方法
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図５】本発明の実施例における半導体装置の製造方法
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図６】本発明の実施例における半導体装置の製造方法
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図７】本発明の実施例における半導体装置の製造方法
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図８】本発明の実施例における半導体装置の製造方法
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図９】本発明の実施例における半導体装置の製造方法
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図１０】本発明の実施例における半導体装置の製造方
法を示す断面図である。
法を示す断面図である。
【図１１】従来例における半導体装置の製造方法を示す
断面図である。
断面図である。
【図１２】従来例における半導体装置の製造方法を示す
断面図である。
断面図である。
【図１３】従来例における半導体装置の製造方法を示す
断面図である。
断面図である。
【図１４】従来例における半導体装置の製造方法を示す
断面図である。
断面図である。
１ パッド ２ 感光性樹脂 ３ ナイトライド膜 ４ ＰＳＧ膜 ５ 配線 ６ 層間絶縁膜 ７ 高濃度拡散領域 ８ ゲート電極 ９ ゲート酸化膜 １０ フィールド酸化膜 １１ 半導体基板 ２１ 第１の感光性樹脂 ２２ 第２の感光性樹脂 ３０ 第１の配線 ３１ 第１の配線間絶縁膜 ３２ ＳＯＧ ３３ 第２の配線間絶縁膜 ３４ 第２の配線 ３５ スルーホール
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上の素子分離領域にフィール
ド酸化膜を形成する工程と、ゲート酸化膜とゲート電極
とを形成し、ホトエッチング工程により、ゲート電極と
ゲート酸化膜をパターニングする工程と、ゲート電極と
フィールド酸化膜との整合する半導体基板に高濃度拡散
領域を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を形成する工
程と、加熱処理を行い、高濃度拡散領域との不純物を活
性化する工程と、ホトエッチング工程により層間絶縁膜
に接続穴を形成する工程と、配線を形成する工程と、全
面にリンを含んだ酸化シリコンからなるＰＳＧ膜を形成
する工程と、パッド形成部以外に第１の感光性樹脂を形
成し、第１の感光性樹脂とホトマスクに第１の感光性樹
脂の形成領域より、ＰＳＧ膜が後退するようにパターニ
ングし、第１の感光性樹脂を除去する工程と、窒化シリ
コンからなるナイトライド膜を全面に形成する工程と、
第１の感光性樹脂と同じホトマスクにより第２の感光性
樹脂をパターニングし、第２の感光性樹脂をエッチング
マスクにナイトライド膜をパターニングし、第２の感光
性樹脂を除去する工程とを有することを特徴する半導体
装置の製造方法。 - 【請求項２】 半導体基板上の素子分離領域にフィール
ド酸化膜を形成する工程と、ゲート酸化膜とゲート電極
にとを成し、ホトエッチング工程により、ゲート電極と
ゲート酸化膜をパターニングする工程と、ゲート電極と
フィールド酸化膜との整合する半導体基板に高濃度拡散
領域を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を形成する工
程と、加熱処理を行い、高濃度拡散領域との不純物を活
性化する工程と、ホトエッチング工程により層間絶縁膜
に接続穴を形成する工程と、第１の配線を形成する工程
と、全面に第１の配線間絶縁膜を形成し、全面にＳＯＧ
を形成し、加熱処理によりＳＯＧを焼結し、平坦部のＳ
ＯＧを除去し、第２の配線間絶縁膜を形成し、スルーホ
ールを形成する工程と、第２の配線を形成する工程と、
全面にリンを含んだ酸化シリコンからなるＰＳＧ膜を形
成する工程と、パッド形成部以外に第１の感光性樹脂を
形成し、第１の感光性樹脂とホトマスクに第１の感光性
樹脂の形成領域より、ＰＳＧ膜が後退するようにパター
ニングし、第１の感光性樹脂を除去する工程と、窒化シ
リコンからなるナイトライド膜を全面に形成する工程
と、第１の感光性樹脂と同じホトマスクにより第２の感
光性樹脂をパターニングし、第２の感光性樹脂をエッチ
ングマスクにナイトライド膜をパターニングし、第２の
感光性樹脂を除去する工程とを有することを特徴する半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15336294A JPH0822983A (ja) | 1994-07-05 | 1994-07-05 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15336294A JPH0822983A (ja) | 1994-07-05 | 1994-07-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0822983A true JPH0822983A (ja) | 1996-01-23 |
Family
ID=15560801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15336294A Pending JPH0822983A (ja) | 1994-07-05 | 1994-07-05 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0822983A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0856886A1 (en) * | 1997-01-31 | 1998-08-05 | STMicroelectronics S.r.l. | Process for forming an edge structure to seal integrated electronic devices, and corresponding device |
| US6977940B1 (en) | 2000-04-28 | 2005-12-20 | Switchcore, Ab | Method and arrangement for managing packet queues in switches |
| JP2007294605A (ja) * | 2006-04-24 | 2007-11-08 | Oki Data Corp | 半導体装置、ｌｅｄヘッド及び画像形成装置 |
| JP2010278320A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | パターン形成方法、薄膜トランジスタ及びその作製方法 |
| GB2504880A (en) * | 2011-04-07 | 2014-02-12 | American Axle & Mfg Inc | Two position actuator with sensing and control |
-
1994
- 1994-07-05 JP JP15336294A patent/JPH0822983A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0856886A1 (en) * | 1997-01-31 | 1998-08-05 | STMicroelectronics S.r.l. | Process for forming an edge structure to seal integrated electronic devices, and corresponding device |
| US6977940B1 (en) | 2000-04-28 | 2005-12-20 | Switchcore, Ab | Method and arrangement for managing packet queues in switches |
| JP2007294605A (ja) * | 2006-04-24 | 2007-11-08 | Oki Data Corp | 半導体装置、ｌｅｄヘッド及び画像形成装置 |
| US7893455B2 (en) | 2006-04-24 | 2011-02-22 | Oki Data Corporation | Semiconductor light emitting device with stress absorber, LED printhead, and image forming apparatus |
| JP2010278320A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | パターン形成方法、薄膜トランジスタ及びその作製方法 |
| GB2504880A (en) * | 2011-04-07 | 2014-02-12 | American Axle & Mfg Inc | Two position actuator with sensing and control |
| GB2504880B (en) * | 2011-04-07 | 2018-03-07 | American Axle & Mfg Inc | Two position actuator with sensing and control |
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