JPH08232020A

JPH08232020A - 方向性電磁鋼板の製造方法

Info

Publication number: JPH08232020A
Application number: JP3810195A
Authority: JP
Inventors: Jiro Harase; 二郎原勢; Nobunori Fujii; 宣憲藤井; Fumio Kurosawa; 文夫黒澤
Original assignee: Nippon Steel Corp
Current assignee: Nippon Steel Corp
Priority date: 1995-02-27
Filing date: 1995-02-27
Publication date: 1996-09-10

Abstract

(57)【要約】【目的】方向性電磁鋼板の製造方法を提供する。【構成】Ｎ≦０．００２０、ＡｌＮ及びＭｎＳ（Ｓ
ｅ），Ｂｉ，Ｃｕを主インヒビター成分とし、更にＰ，
Ｓｎ，Ｂ，Ｐ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ等を適宜含有した方向性
電磁鋼板冷延板を一次再結晶焼鈍後窒化処理の工程を経
て焼鈍分離剤を塗布後二次再結晶焼鈍を行う。この場合
一次再結晶焼鈍後の結晶平均粒径を限定する。【効果】方向性電磁鋼板を熱延条件Ｆｒｅｅで安定し
て安価に製造できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、方向性電磁鋼板の製造
方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】結晶粒成長を抑える析出物や溶質原子等
をインヒビターと呼ぶが、ＡｌＮを主たるインヒビター
として使用し、一次再結晶前の冷延率が７５％以上９５
％以下である方法で製造されている一方向性電磁鋼板に
は、特公昭５７−９４１９、６２−５４８４６、５９−
４８９３５、６０−４８８６２、６３−１１４０６、６
３−１１４０７号各公報等で開示された製造法（以下Ａ
法と呼ぶ）と特公昭６１−６０８９６、６２−４５２８
５号各公報等で開示された製造法（以下Ｂ法と呼ぶ）が
知られている。

【０００３】Ａ法では、二次再結晶粒成長に必要なイン
ヒビターとして微細分散させたＡｌＮとＭｎＳを主とし
て活用している。このためスラブ加熱時にこれら析出相
を完全に溶解させた後、熱延及び熱延板焼鈍工程で微細
析出させる。このためスラブ加熱温度は１４００℃程度
の高温にする必要がある。このように微細分散した析出
物が存在するため一次再結晶粒径は８μｍ程度と小さ
い。

【０００４】一方Ｂ法ではインヒビターとしてＡｌＮを
主として使っている。このＡｌＮの主たる部分は一次再
結晶後の窒化によって形成された鋼板表面相の窒化物を
二次再結晶焼鈍過程でＡｌＮとして板厚方向にほぼ均等
に析出させることで構成される。Ｂ法ではスラブ加熱温
度が１１５０℃程度と低い。この段階では既にＡｌＮが
析出しているため一次再結晶焼鈍時には微細分散したＡ
ｌＮやＭｎＳ析出物が殆ど存在しない。そのためＡ法と
ほぼ同一の８４０℃程度の一次再結晶焼鈍温度で一次再
結晶焼鈍後の結晶粒径は２４μｍ程度と大きい。

【０００５】従ってＢ法では一次再結晶焼鈍後の状態で
インヒビター強度が弱いので二次再結晶焼鈍過程でイン
ヒビターを強化するため一次再結晶焼鈍後窒化処理を行
い窒素量を２００ppm 程度とする。

【０００６】Ａ法はＢ法と比べて最終製品の磁束密度が
若干高いが、極めて高い温度でスラブを加熱する必要が
あり、Ｓを０．０３％程度含有しているため熱延時耳割
れの発生が多いという欠点がある。Ｂ法はこのような高
温の加熱は必要なく、Ｓも低いため耳割れの発生もな
い。しかしＡ法と比較すると僅かながら磁束密度が低い
という欠点がある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明はスラブ加熱温
度が１０００℃程度と低い場合でもスラブ加熱の段階で
は窒化物がほぼ固溶するように窒化物を形成する基とな
るＮを好ましくは０．００２重量％以下とした後、窒化
部が殆ど存在しないようにすることで一次再結晶時の結
晶粒径を容易に制御し、一次再結晶焼鈍窒化処理を施す
ことで、二次再結晶過程で微細均質分散した窒化物を形
成させてインヒビターの強度を確保することでＢ法同様
の低温スラブ加熱でありながらＡ法と同等以上の高い磁
束密度を持った製品を安定して安価に製造する方法を提
供するものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の手段は、次の通
りである。Ｃ：０．００１〜０．０９０重量％、Ｓｉ：
２．０〜４．５重量％、酸可溶性Ａｌ：０．０１０〜
０．０８０重量％、Ｎ：０．０００１〜０．００４０重
量％、好ましくは０．００２重量％以下、ＳまたはＳｅ
の和：０．００８０〜０．０６０重量％、Ｃｕ：０．０
１〜１重量％、Ｍｎ：０．０１〜０．５重量％、及びＢ
ｉ：０．００５〜０．１５重量％、Ｐ：０．００１〜
０．１５重量％、Ｓｎ：０．００１〜０．３重量％、Ｓ
ｂ：０．００１〜０．１５重量％、Ｐｂ：０．００１〜
０．１５重量％、Ｂ：０．００１０〜０．１重量％、
Ｖ：０．０１〜０．１０重量％、Ｎｂ：０．００１〜
０．１０重量％、Ｚｒ：０．００１〜０．１０重量％の
範囲で１種またはそれ以上含有し、残部Ｆｅ及び不可避
的不純物を含んだ一次再結晶焼鈍前の冷延率が７５％以
上９５％以下とした電磁鋼冷延板を８００℃以上１００
０℃以下の温度で１秒以上３００秒以内加熱後全窒素量
が５０ppm 以上１０００ppm の範囲に入るように調整し
た後焼鈍分離剤を塗布し、仕上焼鈍を施す方向性電磁鋼
板の製造方法において、一次再結晶焼鈍後の平均結晶粒
径が図１で示した範囲となるように制御することにあ
る。

【０００９】

【作用】以下本発明について詳細に説明する。発明者は
方向性電磁鋼板の（１１０）〔００１〕二次再結晶粒の
優先発現の条件について研究を行い以下の結論を得た。
一般にインヒビターは、一次再結晶焼鈍工程において
結晶粒成長を抑えて一次再結晶粒径を小さくし、二次
再結晶焼鈍過程でのマトリクス結晶粒の成長を抑えて二
次再結晶開始温度に影響を与え、発現する二次再結晶
方位の選択に影響を与える。

【００１０】一次再結晶組織の形成から二次再結晶の完
了までに働くインヒビターの役割を理解しやすくする目
的で、ここでは一次再結晶粒径を決めるともいうべきイ
ンヒビターを一次インヒビターと呼ぶ。一次インヒビタ
ーは、溶解から一次再結晶までの工程で形成されたもの
であり、一次再結晶焼鈍後窒化処理することでインヒビ
ターを付与するＢ法と対比させて先天的インヒビターと
も呼ぶべきものである。

【００１１】一次インヒビター強度が強いほど一次再結
晶粒径が小さい。一次再結晶完了後二次再結晶発現まで
のインヒビターを二次インヒビターと呼ぶ。

【００１２】Ｂ法の窒化処理の第一の目的は二次インヒ
ビターを付与することである。この窒化によるインヒビ
ター付与は後天的インヒビターとも呼ぶべきものであ
る。二次再結晶粒の駆動力は粒界エネルギーなので、駆
動力が小さい即ちマトリクス粒径が大きい程、二次再結
晶温度は高温となる。同じ結晶粒径であれば二次インヒ
ビター強度が強いほど二次再結晶温度は高温となる。

【００１３】二次インヒビターの強さだけでは二次再結
晶温度は決まらないが、ここでは結晶粒径も考慮して、
二次再結晶温度が低いときに二次インヒビターが弱い、
二次再結晶温度が高温ほど二次インヒビターが強いと表
現する。

【００１４】二次再結晶粒が選択的に成長している過程
でのインヒビター強度、即ち既に発現した二次再結晶粒
の優先成長に深く係わるインヒビター強度を三次インヒ
ビターと呼ぶ。三次インヒビター強度が強いほど、一般
粒界と対応粒界の粒界移動差が大きくなり、二次再結晶
粒が優先的に成長する。

【００１５】二次再結晶開始時のインヒビター強度は二
次再結晶開始という点を強調すれば二次インヒビター強
度といえるし、二次再結晶粒が発生し成長しつつあると
いう点を強調すれば三次インヒビターともいえる。一次
再結晶焼鈍後窒化処理を行うＢ法では、一次再結晶完了
時と二次再結晶焼鈍開始時ではインヒビター強度が著し
く異なるが、Ａ法の場合一次インヒビター強度と、二次
再結晶焼鈍開始時の二次インヒビター強度とはほぼ同一
である。

【００１６】上に述べたように一次再結晶粒径は一次イ
ンヒビターの強度でほぼ決まる。Ａ法で例えばＭｎＳの
みをインヒビターとした場合は１８μｍ、ＡｌＮのみで
は１４μｍ、ＡｌＮとＭｎＳを併用している通常のＡ法
では８μｍとなる。またスラブ加熱温度が１１５０℃と
低いＢ法の場合は同じＡｌＮを使っているが、ＡｌＮの
析出サイズが大きいため一次インヒビターが弱いので一
次再結晶粒径は２４μｍ程度と大きい。即ちＡｌＮの析
出分散状況の差のみで粒径が１０μｍ程度異なるといえ
る。

【００１７】本発明鋼のスラブ加熱温度はＢ法同様低い
が、窒素が０．００４％、好ましくは０．００２％以下
であるためＡｌＮその他窒化物からなる析出物はスラブ
加熱の段階では析出しているとしても極めて僅かであ
る。このためこの析出物による一次再結晶粒径の微細化
効果は殆どない。しかしＭｎＳ（Ｓｅ），ＣｕＳ（Ｓ
ｅ），Ｂｉ等のインヒビター及びＰ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｐ
ｂ，Ｂの１種または２種以上を含んでいるため一次再結
晶粒径はＡ法より大きく、Ｂ法と同程度またはそれ以下
である。

【００１８】インヒビターの存在下においては二次再結
晶焼鈍により粒界移動による粒成長が僅かに起きるが、
ある温度（臨界二次再結晶温度Ｔｃｒ）に達すると一般
粒界と対応粒界の粒界移動速度に大きな差がある状態に
なる。この状態で、対応粒界と接する確率の最も高い結
晶方位が周囲の結晶粒を食べて大きくなり、サイズ効果
（寸法の優位性）を得て異常成長を開始する。即ち二次
再結晶の発現である。

【００１９】二次再結晶粒成長過程で動きやすい対応粒
界にはΣ５対応粒界からΣ３３対応粒界まで存在する
が、方向性電磁鋼板の二次再結晶に関与する存在頻度の
高い対応粒界はΣ５，Σ７，Σ９の３種類であり、この
中でΣ７粒界は１方向性電磁鋼板で存在頻度が低いの
で、Σ５粒界とΣ９粒界を考慮すればよい。

【００２０】冷延率を７５％以上９５％以下とした本発
明の一次再結晶板では（１１０）〔００１〕方位粒は他
の方位と比べてΣ９対応粒界を形成する確率が最も高
い。また理想（１１０）〔００１〕方から外れた方位で
はΣ５対応粒界を形成する確率も高い。

【００２１】Σ５対応粒界はΣ９対応粒界では動きやす
くなる温度領域及び、インヒビター強度範囲が若干異な
っており、Σ５粒界とΣ９粒界が共存する場合は、Σ５
粒界がより弱いインヒビター強度、またインヒビター強
度が同じならより低温で優先的に動きやすくなる。

【００２２】従って（１１０）〔００１〕方位の集積度
の高い二次再結晶粒が優先的に成長するためには、Σ５
粒界が優先的に動きやすくなる温度域や、Σ９粒界もΣ
５粒界も動きやすい温度域においてはΣ９粒界がより動
きやすくなるように二次インヒビターを強くする必要が
ある。

【００２３】Ａ法は一次再結晶粒径が小さいので二次イ
ンヒビターが弱く低温で二次再結晶が発現する。Ａ法で
はＡｌが０．０２２〜０．０３０％の範囲にあるがその
範囲でＡｌが低いと一次再結晶粒径は１〜２μｍ程度小
さくなり、二次再結晶焼鈍過程でＡｌが酸化することに
より鋼板表面近傍のＡｌ量が更に減少し、この部分のイ
ンヒビター強度が弱くなる。

【００２４】従ってこの部分から二次再結晶が発現する
が、この二次再結晶が発現する温度は９２５℃以下の低
温でΣ５粒界が優先的に動くため、発現する二次再結晶
方位は理想Ｇｏｓｓ方位から１０°以上離れた方位とな
る。

【００２５】一方Ａｌが０．０３３％以上と高くなる場
合、一次粒径が大きくなるので駆動力が減少するため
と、Ａｌの濃度そのものが高いので、直ちにＡｌＮが
形成されてインヒビター強度が低下しないため、二次イ
ンヒビターが相対的に強くなり低温での二次再結晶の発
現は防止できる。そのためΣ５粒界の優先的粒界移動に
基づく方位の悪い二次再結晶の発現は防止できる。

【００２６】しかしながら二次再結晶温度が１１００℃
以上の高温ではＡｌの酸化が急激に起き、三次インヒビ
ター強度が急激に低下して選択的な粒界移動が起き難く
なり、二次再結晶が発現せず細粒組織となる。

【００２７】従ってＡ法で（１１０）〔００１〕方位の
集積度の高い二次再結晶を発現させるためには、低温で
二次再結晶が発現することを防ぐことと、高温で三次イ
ンヒビター強度が急激に低下して細粒が発生するのを防
ぐため、Ａｌ含有量を極めて狭い範囲に管理する必要が
ある。

【００２８】一方Ｂ法ではＡｌが低く表面相近傍でＡｌ
が減少しても、粒径が大きいためΣ５粒界が優先的に
動きやすくなる９２５℃以下の低温では二次再結晶が発
現しない、表面相から窒化してあるので、脱Ａｌが起
きても、直ちにＡｌＮが形成されるため表面相近傍のイ
ンヒビターの低下を防止でき、９２５℃以下の低温では
二次再結晶の発現を防止できる。しかしながらＢ法では
一次インヒビター強度が弱いため、仕上げ熱延開始温度
や固溶Ａｌ、一次再結晶焼鈍温度のばらつき等により一
次再結晶粒径は変動しやすい。

【００２９】一次再結晶粒径が大すぎる場合や、窒化量
が多すぎる場合、二次再結晶温度が１１００℃以上とな
りＡｌの酸化速度が著しく速まり、三次インヒビター強
度が急激に減少し、Σ９粒界の選択的移動速度が相対的
に遅くなり、（１１０）〔００１〕方位の二次再結晶の
集積度が低下する。

【００３０】ところでＡ法ではＢ法と比べて低温で二次
再結晶が発現するが、発現する二次再結晶方位の（１１
０）〔００１〕方位集積度はＢ法と同等またはそれ以上
である。この理由はＡ法では微細分散したＡｌＮに加え
て微細分散したＭｎＳが存在するのでインヒビターが主
としてＡｌＮのみで構成されているＢ法と比べて三次イ
ンヒビター強度がＢ法と同等またはそれ以上の強さのた
めである。

【００３１】Ｂ法では一次再結晶後窒化することと、一
次再結晶粒径が大きいので二次再結晶発現まで殆ど粒成
長は認められず、二次再結晶開始温度はＡ法と比べて高
い。即ち二次インヒビターの強さはＡ法より強い。しか
し発現する二次再結晶粒の方位集積度はＡ法と同等また
は僅かに劣る。これは三次インヒビターはＡ法と同等ま
たは若干弱いためである。

【００３２】本発明鋼の場合は熱延の段階では硫化物の
み析出させ、一次再結晶焼鈍後窒化処理をすることで、
窒化物をこれら硫化物を核として形成させることで、一
次インヒビター、二次インヒビターの強度はＡ法とＢ法
の中間の強度となり、三次インヒビター強度はＡ法と同
等またはそれ以上となる。

【００３３】即ち一次再結晶焼鈍前は殆ど窒化物が存在
せず、硫化物やその他の添加物のみであるので、一次イ
ンヒビター強度は硫化物と窒化物が微細分散したＡ法よ
り弱いが、ＭｎＳ（Ｓｅ），ＣｕＳ（Ｓｅ），Ｂｉを含
有し更に必要に応じてＰ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｂ，Ｓｂを添加
しているのでこれらの効果によりＢ法より強い。

【００３４】従って本発明材の一次再結晶後の結晶粒径
はＡ法より大きくＢ法より小さいか同等である。本発明
法の場合の二次再結晶開始温度はＢ法と比べて同等か若
干低く、Ａ法のそれと比べると高い。この理由は、Ａ法
と比べると粒径が大きいためである。

【００３５】本発明法で発現する二次再結晶の（１１
０）〔００１〕方位集積度はＡ，Ｂ何れの方法より若干
良好である。その理由は、三次インヒビターがＡ，Ｂ何
れの方法より強いためである。

【００３６】以下その他の条件を限定した理由を説明す
る。本発明法に従って処理すればＣは０．０９０％を超
えても磁束密度の高い二次再結晶が得られるが、これ以
上Ｃが高い場合一次再結晶焼鈍の脱炭時間が長くなり経
済的でない。Ｃの下限を０．００１％としたのはこれ以
下のＣとしても特性向上には影響しないので、これ以下
にＣを下げることは経済的でないためである。

【００３７】Ｓｉは含有量が多いほど固有抵抗が増加し
て製品の渦流損を減少させるので、渦流損を減少させる
ためにはＳｉは多いほどよい。Ｓｉを２．０％以上と限
定したのはこれ以下では渦流損が大きく好ましくないの
で下限を２．０％としたものである。しかしＳｉは添加
量が増すほど冷間圧延工程で割れやすくなる。Ｓｉが
４．５％以上では冷間圧延に特別の工夫が必要で経済的
に製造するという本発明の目的にそれるので上限を４．
５％とした。

【００３８】Ａｌは（Ａｌ，Ｓｉ）Ｎを形成しインヒビ
ターとして働くが、酸可溶性Ａｌとして０．０１０％以
上ないとその効果が発揮されないので下限を０．０１０
％とした。上限を０．０８０％としたのはこれ以上のＡ
ｌが存在するとインヒビターとして有効に働かなくなる
ためである。

【００３９】ＶはＶＮを形成しインヒビターとして働く
が、０．０１％以上ないとその効果が発揮されないので
下限を０．０１％とした。上限を０．１０％としたのは
これ以上のＶが存在するとインヒビターとして有効に働
かなくなるためである。

【００４０】ＮｂはＮｂ窒化物を形成しインヒビターと
して働くが、０．００１％以上ないとその効果が発揮さ
れないので下限を０．００１％とした。上限を０．１０
％としたのはこれ以上のＮｂが存在するとインヒビター
として有効に働かなくなるためである。

【００４１】ＺｒはＺｒ窒化物を形成しインヒビターと
して働くが、０．００１％以上ないとその効果が発揮さ
れないので下限を０．００１％とした。上限を０．１０
％としたのはこれ以上のＺｒが存在するとインヒビター
として有効に働かなくなるためである。

【００４２】Ｎはナイトライドを形成しインヒビターと
して働くが、スラブの段階で０．００４０％以下、好ま
しくは０．００２％以下であれば熱延条件に関係なく一
次再結晶焼鈍までは窒化物の形成を防止できる。次いで
窒化することでの均質に微細分散したが窒化物の形成が
可能となる。Ｎが０．００４％を超えて含まれると一次
再結晶前に、窒化物が形成されるが、この窒化物は数が
少なくサイズが大きく、引き続く窒化処理で更に大きく
成長して、均質に微細分散しなくなることが多く、方位
に優れた二次再結晶粒を発現させることに効果的に働か
ない。このためＮの上限を０．００４０％、好ましくは
０．００２％とした。

【００４３】下限を０．０００１％としたのはこれまで
窒素量を下げれば熱延工程での窒化物の形成が皆無とな
り、一次再結晶焼鈍後の窒化により、強度の強い窒化物
を均一に分散させることが可能だがこれ以上下げても、
一次再結晶焼鈍後に窒化物を均質に微細分散させる効果
は変わらないので下限を０．０００１％とした。

【００４４】以下の元素は一次インヒビターを強化する
働きがあるが主に三次インヒビターを強化する目的で添
加したものである。Ｂｉは三次インヒビターを強くする
働きがあるが、０．００５０％以下では効果が小さいの
で下限を０．００５％とした。Ｂｉは０．１５％以上で
も効果はあるが、これ以上添加することは経済的でない
ので上限を０．１５％とした。

【００４５】ＳまたはＳｅ単独またはそれらを合計した
ものを０．００８０〜０．０６０％の範囲に限定したの
は本発明素材成分においてはＳまたはＳｅ単独またはそ
れらを合計したものが０．００８０％未満では、三次イ
ンヒビターが弱く（１１０）〔００１〕から外れた二次
再結晶粒の発現が多くなるためである。

【００４６】Ｓｅ，Ｓは多いほど三次インヒビターを強
化する効果があり、磁束密度が向上するが、それらが
０．０６０％以上では熱延時に耳割れが発生しやすくな
るので上限を０．０６０％とした。

【００４７】ＣｕはＳ，Ｓｅと析出物を形成したりまた
は単独で三次インヒビターを強化する働きがあるが、
０．０１％以下ではその効果が小さいので下限を０．０
１％とした。１％以上添加しても三次インヒビター強化
効果があるが、それ以上添加するのは経済的でないので
上限を１％とした。

【００４８】ＭｎはＳ，Ｓｅと析出物を形成して三次イ
ンヒビターを強化する働きがあるが、０．０１％以下で
はその効果が小さいので下限を０．０１％とした。０．
５％以上添加しても三次インヒビター強化効果がある
が、それ以上添加するのは経済的でないので上限を０．
５％とした。

【００４９】Ｐは三次インヒビターを強くする働きがあ
るが、０．００１％以下では効果が小さいので下限を
０．００１％とした。Ｐは０．１５％以上でも効果はあ
るがこれ以上添加することは経済的でないので上限を
０．１５％とした。

【００５０】Ｓｎは三次インヒビターを強くする働きが
あるが、０．００１％以下では効果が小さいので下限を
０．００１％とした。Ｓｎは０．３％以上でも効果はあ
るがこれ以上添加することは経済的でないので上限を
０．３％とした。

【００５１】Ｓｂは三次インヒビターを強くする働きが
あるが、０．００１％以下では効果が小さいので下限を
０．００１％とした。Ｓｂは０．１５％以上でも効果は
あるがこれ以上添加することは経済的でないので上限を
０．１５％とした。

【００５２】Ｐｂは三次インヒビターを強くする働きが
あるが、０．００１％以下では効果が小さいので下限を
０．００１％とした。Ｐｂは０．１５％以上でも効果は
あるがこれ以上添加することは経済的でないので上限を
０．１５％とした。

【００５３】Ｂは三次インヒビターを強くする働きがあ
るが、０．００１０％以下では効果が小さいので下限を
０．００１０％とした。Ｂは０．１％以上でも効果はあ
るがこれ以上添加することは経済的でないので上限を
０．１％とした。

【００５４】一次再結晶前の冷延率を７５％以上とした
のは、これ以下の冷延率では（１１０）〔００１〕二次
再結晶粒が優先的に成長するためのΣ９対応粒界を形成
する確率が少なく、製品の磁束密度が低くなるので７５
％以下とした。上限を９５％以下としたのはこれ以上冷
延率を高めると核となる（１１０）〔００１〕方位の存
在量が少なくなり、二次再結晶粒径が著しく大きくなり
鉄損が劣化するので上限を９５％とした。

【００５５】一次再結晶焼鈍温度を８００℃以上とした
のは、これ以下の温度で焼鈍した場合は高い磁束密度が
得られない場合があるので８００℃以上とした。焼鈍温
度を１０００℃以下としたのはこれ以上の温度で焼鈍し
ても高い磁束密度が得られるが、熱的に不経済であるの
で１０００℃以下とした。

【００５６】加熱時間１秒以上としたのはこれより短い
と磁束密度がばらつく傾向が見られるためであり、３０
０秒以下としたのはこれ以上長く加熱しても磁束密度の
向上は見られず、経済的でないためである。必要に応じ
て一次再結晶焼鈍後窒素量を５０ppm 以上としたのはこ
れ以下では三次インヒビターが弱く高い磁束密度が得ら
れないためであり、１０００ppm 以下と限定したのはこ
れ以上高くしても高い磁束密度が得られるが、これ以上
窒素量を高めるために窒化処理を施すことは経済的でな
いためである。一次再結晶焼鈍後の結晶粒径を図１の範
囲に限定したのはこの範囲外では安定して高い磁束密度
を得ることが困難なためである。

【００５７】

【実施例】Ｃ：０．００２％、Ｓｉ：３．２５％、Ｍ
ｎ：０．０７４％、Ｐ：０．０９９％、Ａｌ：０．０３
６％、Ｓ：０．００９０％、Ｓｎ：０．０５１％、Ｃ
ｕ：０．１５％、Ｂｉ：０．０８６％、Ｎ：０．００１
％、Ｓｂ：０．０６２％を主成分としたスラブを１０５
０℃の温度で２時間加熱後、粗圧延、仕上圧延を経て厚
さ２．３mmの熱延板とした。その鋼板は９００℃１２０
秒の熱延板焼鈍を行った後冷間圧延を行い厚さ０．３０
mmとした。この場合冷間圧延途中板厚１．６mm，１．２
mm，０．８mm，０．６mm，０．４mmの各厚みで２５０℃
２０分保持した条件でパスエージング圧延を行った。

【００５８】次いで９００℃の温度で露点６９℃、７５
％Ｈ₂−Ｎ₂雰囲気中で加熱後、窒化処理を行い窒素量
を１０４ppm と１３０ppm とした。このときに一次再結
晶焼鈍後の結晶粒径は２０μｍであった。次に重量でＭ
ｇＯを１００部に対し＋ＴｉＯ₂を５部、Ｎａ₂Ｂ₄Ｏ
₇を０．３部の割合で混合した焼鈍分離剤を塗布し９５
％Ｎ₂−Ｈ₂の雰囲気で昇温速度１５℃／hrで１２００
℃まで加熱後、１００％Ｈ₂雰囲気で２０時間加熱後冷
却した。次いで歪取り焼鈍を行い磁束密度を測定しその
値を表１に示す。

【００５９】比較のためＡ法及びＢ法についても工程処
理を行った。Ａ法としてはＣ：０．０７８％、Ｓｉ：
３．２５％、Ｍｎ：０．０７５％、Ｐ：０．０１％、
Ｓ：０．０２５％、Ａｌ：０．０３０％、Ｎ：０．００
８３％、Ｃｕ：０．０７％、Ｓｎ：０．１２％を主成分
としたスラブを１４００℃で２時間加熱後直ちに厚さ
２．３mmに圧延し５５０℃で巻き取った。次いで１１２
０℃まで１００秒で加熱後９３０℃で約１２０秒加熱後
水冷した。

【００６０】次いで本発明材と同一条件で冷延を行い、
８３０℃で１２０秒本発明材と同じ雰囲気で加熱した。
一次再結晶焼鈍後の結晶粒径は８μｍであった。次いで
本発明と同一の焼鈍分離剤を塗布し、２５％Ｎ₂−Ｈ₂
の雰囲気で昇温速度１５℃／hrで１２００℃まで加熱
後、１００％Ｈ₂雰囲気で２０時間加熱後冷却した。次
いで歪取り焼鈍を行い磁束密度を測定しその結果を表１
に示す。

【００６１】Ｂ法としてはＣ：０．０５５％、Ｓｉ：
３．２５％、Ｍｎ：０．１００％，Ｐ：０．０２５％、
Ｓ：０．００７％、Ａｌ：０．０３０％、Ｎ：０．００
７７％、Ｃｕ：０．０７％、Ｓｎ：０．０５％、Ｃｒ：
０．１２％を主成分としたスラブを１１５０℃で２時間
加熱後直ちに厚さ２．３mmに圧延し５５０℃で巻き取っ
た。次いで１１２０℃まで１００秒で加熱後９３０℃で
約１２０秒加熱後水冷した。

【００６２】次いで本発明材と同一条件で冷延を行い、
８３０℃で１２０秒本発明材と同じ雰囲気で加熱後７７
０℃で３６秒間窒化処理を行い窒素量を２００ppm とし
た。一次再結晶後の結晶粒径は２４μｍであった。

【００６３】次いで本発明と同一の焼鈍分離剤を塗布
し、５０％Ｎ₂−Ｈ₂の雰囲気で昇温速度１５℃／hrで
１２００℃まで加熱後、１００％Ｈ₂雰囲気で２０時間
加熱後冷却した。次いで歪取り焼鈍を行い磁束密度を測
定し表１に示す。表１に示した如く本発明で作成した電
磁鋼板は熱延板焼鈍を省略しているにもかかわらず著し
く磁束密度が高い。表１に示したように本発明材は比較
材と同等以上の良好な磁気特性が得られた。

【００６４】

【表１】

【００６５】

【発明の効果】本発明により、磁気特性の優れた電磁鋼
板が安価に製造できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】Ａ法、Ｂ法及び本発明法の一次再結晶焼鈍後の
結晶粒径と一次再結晶温度の関係を示す図表。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】重量比でＣ：０．００１〜０．０９０％、Ｓｉ：２．０〜４．５％、酸可溶性Ａｌ：０．０１０〜０．０８０％、Ｎ：０．０００１〜０．００４０％、ＳまたはＳｅ単独またはそれらの和：０．００８０〜
０．０６０％、Ｃｕ：０．０１〜１％、Ｍｎ：０．０１〜０．５％、及びＢｉ：０．００５〜０．１５％、Ｐ：０．００１〜０．１５％、Ｓｎ：０．００１〜０．３％、Ｓｂ：０．００１〜０．１５％、Ｐｂ：０．００１〜０．１５％、Ｂ：０．００１０〜０．１％、Ｖ：０．０１〜０．１０％、Ｎｂ：０．００１〜０．１０％、Ｚｒ：０．００１〜０．１０％の１種または２種以上、残部Ｆｅ及び不可避的不純物を含んだ一次再結晶焼鈍前
の冷延率が７５％以上９５％以下とした電磁鋼冷延板を
８００℃以上１０００℃以下の温度で１秒以上３００秒
以内焼鈍後全窒素量が５０ppm 以上１０００ppm に入る
ように調整した後焼鈍分離剤を塗布し、仕上焼鈍を施す
ことを特徴とする方向性電磁鋼板の製造方法。
【請求項２】一次再結晶焼鈍後の平均結晶粒径が図１
に示すＡ点（８００℃，１８μｍ）、Ｂ点（８００℃，
１４μｍ）、Ｃ点（１０００℃，１４μｍ）、Ｄ点（１
０００℃，２６μｍ）で囲まれる範囲にあることを特徴
とする請求項１記載の方向性電磁鋼板の製造方法。