JPH08233723A - 粒子検出装置 - Google Patents

粒子検出装置

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JPH08233723A
JPH08233723A JP7037041A JP3704195A JPH08233723A JP H08233723 A JPH08233723 A JP H08233723A JP 7037041 A JP7037041 A JP 7037041A JP 3704195 A JP3704195 A JP 3704195A JP H08233723 A JPH08233723 A JP H08233723A
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liquid crystal
particle
particles
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Application number
JP7037041A
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English (en)
Inventor
Masakazu Sakata
雅一 坂田
Masayuki Fujita
政行 藤田
Yoshitaka Nishio
佳高 西尾
Kenichi Shibata
賢一 柴田
Kazuhiko Kuroki
和彦 黒木
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Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 所定粒子径の粒子を簡単な光検出手段を用
いて選択性よく検出可能な粒子検出装置を提供すること
を目的とする。 【構成】 粒子に光を照射するための半導体レーザ1
と、透光状態と光遮蔽状態の切り換え可能な複数の光取
出部が同心円上に配置された液晶素子5と、液晶素子5
を透過した回折光を検出する光検出手段7と、を備え、
上記複数の光取出部の透光状態と光遮蔽状態の切り換え
により、光検出手段7で少なくとも所定の2つの光取出
部からの光を光検出手段7で独立に検出し、独立に検出
した上記少なくとも2つの光取出部からの光強度を用い
て粒子を判別するようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、花粉等の粒子を検出す
る粒子検出装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、杉、ヒノキ等の植物の花粉に起因
する花粉症をはじめとして、空気中の花粉などの粒子に
よるアレルギー症に悩む人の数は増加の傾向にあり、大
きな社会問題となっている。
【0003】このアレルギー症の人にとっては、症状が
出るのを防止するため、環境雰囲気中のその症状を引き
起こす特定の花粉などの粒子濃度を知ることが重要であ
る。
【0004】この雰囲気中の粒子を検出する方法とし
て、発光ダイオード(LED)から出力される光を照射
し、空気中の粒子による散乱光を受光素子で検出して粒
子を特定することなく検出する方法が知られている。
【0005】また、特開昭62−100637号(G0
1N 15/02)や特開平2−203246号(G0
1N 15/02)には、フラウンホーファー回折を利
用した粒子群の粒度分布を測定する方法が開示されてい
る。この方法は、粒子群にレーザ光を照射し回折された
光をレンズで集光することにより得られるリング状の回
折像における半径方向の光強度分布(フラウンホーファ
ー回折光強度分布)と、粒子群の粒度分布と、の相関関
係を用いている。
【0006】上記公報では、リング状の光強度分布を検
出するために、同心円状に配置された複数のフォトダイ
オードからなるリングデテクタや半径方向に向かって受
光面積が大きい複数のフォトダイオードからなる扇状デ
テクタを使用することが記載されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記L
EDを使用した散乱光を検出する方法では、粒子を選択
的に検出できなかった。
【0008】また、上記複数のフォトダイオードを用い
る方法では、光検出手段が複雑で装置が高価であるとい
った問題があった。
【0009】従って、本発明は上述の問題点を鑑みなさ
れたものであり、粒子を簡単な光検出手段を用いて選択
性よく検出可能な粒子検出装置を提供することを目的と
する。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の粒子検出装置
は、粒子に光を照射するための光源手段と、透光状態と
光遮蔽状態の切り換え可能な複数の光取出部が同心円上
に配置された遮蔽手段と、該遮蔽手段を透過した回折光
を検出する光検出手段と、を備え、上記複数の光取出部
の透光状態と光遮蔽状態の選択により、上記光検出手段
で少なくとも所定の2つの光取出部からの光強度を独立
に検出し、該独立に検出した上記少なくとも2つの光取
出部からの光強度を用いて粒子を検出するようにしたこ
とを特徴とする。
【0011】特に、上記遮蔽手段は、互いに対向する一
対の偏光板と、該一対の偏光板の間に設けられた液晶層
と、該液晶層を挟むように対向配置された該液晶層の液
晶配向を偏向させるための一対の透明電極と、からな
り、上記光取出部は上記透明電極が同心円上に配置され
ることにより形成されることを特徴とする。
【0012】更に、上記2つの光取出部は、それぞれ所
定粒子径に係る回折光の副極大ピークと、該所定粒子径
に係る回折光の他の副極大ピーク又は極小ピークに対応
するように設けられていることを特徴とする。
【0013】
【作用】本発明によれば、遮蔽手段に同心円上に所定配
置された少なくとも所定の2つの光取出部を透光状態と
光遮蔽状態に切り換えることにより、粒子に光が照射さ
れて生じた所定粒子径に関するフラウンホーファー回折
光強度分布を有するフラウンホーファー回折光の副極大
ピークに対応する光取出部と他の副極大又は極小ピーク
に対応する光取出部を独立に透光状態にできるので、所
定粒子径の2つの副極大ピーク、又は副極大ピークと極
小ピークに対応する光取出部からの光量を独立に検出で
き、これら光量から所望粒子径の粒子を選択性よく検出
できる。しかも、本発明の装置は、複雑な光検出手段を
使用せずに検出可能であるので、安価にできる。
【0014】特に、液晶を用いた遮蔽手段の場合、上記
光透過状態と光遮蔽状態を電気的制御により殆ど瞬時且
つ容易に切り換えできるので、装置が複雑化しない。
【0015】
【実施例】本発明の第1実施例に係る粒子検出装置を図
面を用いて説明する。図1は本実施例装置の概略構成
図、図2はその装置の概略断面図、図3はその装置に用
いられる遮蔽手段の概略断面図、及び図4は遮蔽手段の
透明電極の概略上面図である。
【0016】図1及び図2中、1はレーザ光を出力する
半導体レーザ(光源手段)、2は半導体レーザ1の前方
に位置し、上記レーザ光を略平行光(平行レーザ光)に
変換するコリメータレンズ、3は図示しない吸気ポンプ
に連結され、内部に一定流量、例えば3リットル/分の
外部空気が図中矢印方向に流れる表面黒塗りの金属製又
は樹脂製フローセルである。
【0017】このセル3には、コリメータレンズ2にて
変換された平行レーザ光が入射する入射開口3aと、該
平行レーザ光が上記外部空気に含まれる花粉等の略球形
粒子によって回折され、粒子径に応じたフラウンホーフ
ァー回折強度分布を有する回折光が出射する上記入射開
口3aに対向した位置に設けられた出射開口3bと、が
設けられている。これら入射開口3a、出射開口3b
は、セル3中に迷光が入射するのを防止するためにそれ
ぞれ円筒状、円錐状の遮蔽部材3c、3dが設けられて
いる。
【0018】また、セル3は、吸引した花粉等の略球形
粒子に平行レーザ光を効率よく照射するためと、吸引し
た外部空気が入射開口3a及び出射開口3bから漏れ出
るのを防止するために、入射開口3a及び出射開口3b
の設けられた狭い部分(照射部:φ3mm)と、その両
側を円錐状に拡がる形状から構成されている。尚、斯る
狭い部分の吸引した外部空気の線速度は7m/秒であ
る。
【0019】4はセル3に導入される外部空気の中に含
まれるある粒子径以上(本実施例では100μm以上)
の粒子等を除去するフィルターである。
【0020】5は透光状態と光遮蔽状態が切り換え可能
な各光取出部を同心円上に有する遮蔽手段としての液晶
素子であり、上記同心円の中心は前記入射平行レーザ光
の中心光軸に位置すると共に、該光軸と光取出部面は直
交している。
【0021】図3はこの液晶素子5の模式構造断面図で
あり、この図から判るように、液晶素子5は、電界に対
する応答速度の速い強誘電性液晶、例えばデシルオキシ
ベンジリデン−アミノ−メチルブチルエステル(DOB
ANBC)からなる厚み2〜3μmの液晶液(液晶層)
5aが一対の対向した厚み500μmの透明ガラス板5
b、5b間に充填され、液晶層5aを挟むように透明ガ
ラス板5b、5bの外側に一対の対向した厚み100μ
mの偏光板5c、5cが配置されると共に、上記各透明
ガラス板5b、5bの内側側壁には一対の対向した厚み
0.2μmのITO(InとSnを含む合金)からなる
透明電極5d、5dがそれぞれ被着形成されている。
尚、図示しないが、透明電極5d上を覆うように透明ガ
ラス板5bの内側側壁上には、無電界において液晶層5
a中の液晶を所定方向に配向するためのポリイミドから
なる配向層が形成されている。
【0022】図4に示すように、上記各透明電極5dは
同心円状に配置された第1、第2、第3電極パターン部
51d、52d、53dを有し、第1、第2、第3電極
パターン部51d、52d、53dはそれぞれ独立に通
電できるように図示しないSiO2からなる絶縁膜によ
り対応しない電極パターン部等と絶縁分離されたITO
からなる各導線を介して制御電源Vに電気的に接続され
ている。
【0023】この液晶素子5は、透明電極5d、5dに
電界が印加されない場合、回折光を遮蔽し、透明電極5
d、5dの対向する第1電極パターン部51d、51d
間、第2電極パターン部52d、52d間、又は第3電
極パターン部53d、53d間に電界が印加された場
合、対応する電極パターン部間の液晶層5aの液晶配向
が変化し、第1電極パターン部51d、51d、第2電
極パターン部52d、52d、又は第3電極パターン部
53d、53dに対応する部分を介して回折光を透過す
る。即ち、斯る液晶素子5は、各対向する電極パターン
部に対応する部分が電圧印加により遮光状態から透光状
態に変わる光取出部に当る。
【0024】上記第1電極パターン部51d、51d
は、所定粒子径に応じたフラウンホーファー回折光強度
分布を有するフラウンホーファー回折光の副極大ピーク
に対応する部分に、第2電極パターン部52d、52d
は、同極小ピークに対応する部分に設定配置されてい
る。
【0025】6は遮蔽手段5の前方に配置された集光手
段で、第1、第2のレンズ6a、6bで構成されてい
る。
【0026】7は集光手段6で集光された光取出部から
出射された光を受光し、その受光量に応じた電気信号に
変換するフォトダイオード等からなる光検出手段であ
る。
【0027】8は光検出手段7にて得られた電気信号か
ら所定積算流量(単位体積)中の所望粒子径を有する略
球形粒子の個数についての信号に変換する信号検出回
路、9は信号検出回路8で出力される信号に応じて空気
中の所望粒子径を有する略球形粒子の濃度を表示する表
示部、10は半導体レーザを駆動するための発振回路、
11は容器であって、その内壁は迷光が乱反射しないよ
うに黒塗りされている。
【0028】尚、本実施例では、半導体レーザ1は、後
方側に出力されるモニター用レーザ光を図示しない受光
手段で検出し、該検出信号を用いてAPC(自動出力制
御)駆動回路にて駆動され、上記前方側に出力されるレ
ーザ光の出力を一定にするように制御される。また、上
記レーザ光の波長は790nm、上記遮蔽手段5と照射
部の距離Xは40mmと設定されている。
【0029】以下、本実施例装置の原理について詳細に
説明する。
【0030】粒子に平行光をなすコヒーレント光(レー
ザ光)が照射され生じる回折光は、所謂フラウンホーフ
ァー回折光と呼ばれ、粒子が球形粒子である場合、例え
ば図5〜図7に示すような同心円状を有するフラウンホ
ーファー回折光強度分布を生じる。尚、図5〜図7はそ
れぞれ粒子径が15μm、30μm、50μmである。
【0031】上記図5〜図7から判るように、球形粒子
によるフラウンホーファー回折光強度分布には、主極大
の周りに極小を介して同心円状に第1の副極大、第2の
副極大、第3の副極大、・・・が存在し、しかもこれら
副極大、極小は粒子径が異なれば、異なる回折角度に生
じる。尚、このフラウンホーファ回折光強度分布は略球
形粒子でも略同様であると共に、粒子が略球形でない場
合には同心円状の強度分布を示さない。
【0032】本実施例装置では、上述したように一対の
第1電極パターン部51d、51dが所定粒子径に関す
るフラウンホーファー回折光強度分布の副極大に対応す
るように配置されると共に、一対の第2電極パターン部
52d、52dが所定粒子径に関するフラウンホーファ
ー回折光強度分布を有する極小に対応するように配置さ
れている。よって、第1電極パターン部51d、51d
と第2電極パターン部52d、52dとを独立に通電し
て、透光状態となった各電極パターン部からの光検出強
度を比較することにより、所望粒子径の粒子を精度よく
検出できる。
【0033】しかも、本実施例装置では、回折光をリン
グ状の光取出部を有する遮蔽手段5を介して取り出して
検出するので、略球形でない粒子による回折光を殆ど検
出することがなく、且つ遮蔽手段5により直進光及び回
折角の小さい光が光検出手段7に入射するのを防止でき
る。よって、本装置は高感度である。
【0034】以下、環境雰囲気中の花粉症を引き起こす
杉の花粉を選択的に検出する場合について説明する。こ
れら杉花粉の平均粒子径は30μm程度である。従っ
て、杉花粉を検出する場合、例えば第1電極パターン部
51d、51dは第3の副極大に対応した直径7.5m
m、幅0.3mm、第2電極パターン部52d、52d
は第3の極小に対応した直径6.7mm、幅0.3mm
を有するように形成されている。
【0035】まず、図示しない吸気ポンプを動作してフ
ローセル3内にフィルタ4で100μm以上の粒子等を
除去した外部空気を上記一定流量で流すと共に、透明電
極5d、5dに電圧を印加しない状態(無印加状態
A)、第1電極パターン部51d、51dのみに電圧を
印加する状態(印加状態B)、第2電極パターン部52
d、52dのみに電圧を印加する状態(印加状態C)を
短時間間隔、例えばそれぞれ100μsec、50μs
ec、50μsec間隔で繰り返す。
【0036】この結果、図8に示すように、光検出手段
7から各状態A、B、Cに対応した受光量IA、IB、I
Cが得られる。尚、図8は、縦軸は受光量、横軸は経過
時間を示す。
【0037】そして、信号検出回路8にて、(IB
A)−(IC−IA)の演算処理を行い、この演算処理
値が所定水準以上の場合に杉花粉と判定・カウントし、
所定積算流量内におけるそのカウント数を積算する。こ
のカウント数に係る信号が表示部9に送られて表示部9
に空気中の杉花粉の濃度として表示される。尚、本実施
例の場合、同一粒子による重複カウントをさけるため、
所定期間0.001秒以内の複数のカウントは1カウン
トとした。
【0038】本実施例装置では、所定粒子径のフラウン
ホーファー回折光強度分布の副極大、極小に設定して検
出・比較するので、副極大のみに設定して検出した場合
に起こる所望粒子径以外の粒子をカウントする恐れを低
減でき、所望粒子径の粒子を高精度に検出できる。しか
も、光検出手段は従来の簡単なフォトダイオード等を使
用でき、且つ遮蔽手段としての液晶素子は簡単に形成で
きるので、安価である。
【0039】尚、上述では、所定粒子径のフラウンホー
ファー回折光強度分布の副極大、極小に設定して検出す
るようにしたが、所定粒子径のフラウンホーファー回折
光強度分布の異なる2つの副極大に設定して検出するこ
とにより、好ましくはその強度比から所望粒子径の粒子
を検出するようにもできる。
【0040】勿論、所定粒子径のフラウンホーファー回
折光強度分布の複数の副極大、極小に設定して検出する
ようにしてもよい。例えば、上記装置を用いた杉花粉検
出の場合、第3電極パターン部53d、53dを杉花粉
に係る他の極小に対応するように設置し、これに対応し
た受光量をIDを用いて、 (IB−IA)−(IC−IA
の他、(IB−IA)−(ID−IA)の両方がそれぞれの
所定水準値以上の場合に杉花粉と判定するようにして更
に高精度化してもよく、また第3電極パターン部53
d、53dを杉花粉に係る他の副極大に対応するように
設置し、これに対応した受光量をIEを用いて、(IB
A)−(IC−IA)の他、(IE−IA)/(IC
A)がそれぞれの所定水準値以上の場合に杉花粉と判
定するようにして更に高精度化してもよい。
【0041】また、上述では、杉花粉について説明した
が、他の花粉も選択性よく検出可能である。
【0042】例えば、稲花粉の平均粒子径は50μm程
度であるので、例えば第1電極パターン部51d、51
dは第5の副極大に対応した直径7.3mm、幅0.3
mm、第2電極パターン部52d、52dは第5の極小
に対応した直径6.7mm、幅0.3mmを有するよう
に形成され、ブタクサ花粉の平均粒子径は15μm程度
であるので、例えば第1電極パターン部51d、51d
は第1の副極大に対応した直径6.8mm、幅0.3m
m、第2電極パターン部52d、52dは第1の極小に
対応した直径5.0mm、幅0.3mmを有するように
形成されされる。
【0043】更に、液晶素子5の透明電極5dが、複数
の所定粒子径に対応するように電極パターン部を有する
ようにしてもよい。
【0044】図9は、複数の所定粒子径に対応する複数
の電極パターン部を有する透明電極5dの概略上面図で
ある。
【0045】第1〜第4電極パターン部151d〜15
4dは、それぞれ直径7.6mm、7.2mm、6.7
5mm、5.00mmであり、これらは共に幅0.3m
mである。従って、この液晶素子5では、杉花粉の検出
には第1及び第3電極パターン部、稲花粉の検出には第
2及び第3電極パターン部、ブタクサ花粉の検出には第
3及び第4電極パターン部を使用することにより検出で
きるので、複数の花粉を1つの装置で検出することが可
能となる。
【0046】次に、斯る装置を組み込んだ空調装置の一
種である空気清浄機を図面を用いて説明する。図10は
この空気清浄機を模式的に示す概略斜視図、図11はこ
の空気清浄機の構成を模式的に示す構造断面図である。
この清浄機では、内部に組み込まれた粒子検出装置に空
気清浄機の吸気機構を用いて外部空気が導入され、また
清浄機の表示部が表示部9を兼ねる。
【0047】図中、21は空気清浄機本体、22、23
はこの本体21前面に設けられた第1、第2の吸気口、
24は第1の吸気口22の後方に設けれた空気中の花粉
や塵を集塵する集塵フィルター、25は第2の吸気口2
3の後方に設けられた上記粒子検出装置である。
【0048】26は、第1、第2の吸気口22、23の
後方に配置された吸気手段としての吸気ファン、27は
本体21の上面側に設けられた排気口である。
【0049】28は上記粒子検出装置25及び前記吸気
ファン26を制御する制御手段、29は本体21上面に
設けられた操作部、30は上記粒子検出装置25で得ら
れた粒子濃度を表示する表示部である。
【0050】この構成において、操作部29にてスイッ
チをオン状態にすると制御手段28が作動し、前記粒子
検出装置25が動作すると共に吸気ファン26が適宜動
作する。この結果、前記第1、第2の吸気口22、23
から外部空気が適宜吸い込れ、上記粒子検出装置25の
フローセル3内に外部空気が適宜導入されると共に、集
塵フィルター24にて花粉や塵が捕捉される。この空気
清浄機では、吸気ファン26の回転数の情報信号が粒子
検出装置25の信号処理回路8に送られ、該回転数から
所定積算流量が算出されて、該所定積算流量内での所望
粒子径の粒子の濃度が上記信号検出回路8にて算出され
て、表示部30に表示される。
【0051】また、上述では、粒子検出装置を空気清浄
機に組み込んだが、空気清浄機の他の空調装置に組み込
んでもよい。
【0052】また、本発明に係るリング状とは、上述し
たように完全なリングを形成しないものも含み、また本
発明に係る平行光とは、略平行光であるものも含む。勿
論、副極大、極小に対応するとは、完全一致の他、略一
致の場合も含む。
【0053】また、照射する光の波長を変える場合、回
折角度が変わるので、透明電極のパターンなどを適宜変
更する必要がある。
【0054】更に、半導体レーザの代わりにガスレーザ
等を用いる場合には、コリメータレンズを用いなくとも
よい。
【0055】
【発明の効果】本発明によれば、遮蔽手段に同心円上に
所定配置された少なくとも所定の2つの光取出部を透光
状態と光遮蔽状態に切り換えることにより、粒子に光が
照射されて生じた所定粒子径に関するフラウンホーファ
ー回折光強度分布を有するフラウンホーファー回折光の
副極大ピークに対応する光取出部と他の副極大又は極小
ピークに対応する光取出部を独立に透光状態にできるの
で、所定粒子径の2つの副極大ピーク、又は副極大ピー
クと極小ピークに対応する光取出部からの光量を独立に
検出でき、これら光量から所望粒子径の粒子を選択性よ
く検出できる。しかも、本発明の装置は、複雑な光検出
手段を使用せずに検出可能であるので、安価にできる。
【0056】特に、液晶を用いた遮蔽手段の場合、上記
光透過状態と光遮蔽状態を電気的制御により殆ど瞬時且
つ容易に切り換えできるので、装置が複雑化しない。よ
って、より安価にできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例に係る粒子検出装置の模式
概略構成図である。
【図2】上記実施例の粒子検出装置の模式概略断面図で
ある。
【図3】上記実施例で用いた液晶素子の模式概略断面図
である。
【図4】上記実施例で用いた液晶素子の透明電極の模式
概略上面図である。
【図5】粒子径が15μmの粒子に係るフラウンホファ
ー回折光強度分布を示す図である。
【図6】粒子径が30μmの粒子に係るフラウンホファ
ー回折光強度分布を示す図である。
【図7】粒子径が50μmの粒子に係るフラウンホファ
ー回折光強度分布を示す図である。
【図8】上記装置を用いて杉花粉を検出した場合の受光
量と時間の関係を示す図である。
【図9】上記装置に使用する液晶素子の他の透明電極を
示す模式概略上面図である。
【図10】上記粒子検出装置を組み込んだ空気清浄機の
模式概略斜視図である。
【図11】上記空気清浄機の模式概略断面図である。
【符号の説明】
1 半導体レーザ(光源手段) 5 液晶素子(遮蔽手段) 5a 液晶層 5c 偏光板 5d 透明電極 7 光検出手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柴田 賢一 大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 黒木 和彦 大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 三 洋電機株式会社内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 粒子に光を照射するための光源手段と、
    透光状態と光遮蔽状態の切り換え可能な複数の光取出部
    が同心円上に配置された遮蔽手段と、該遮蔽手段を透過
    した回折光を検出する光検出手段と、を備え、上記複数
    の光取出部の透光状態と光遮蔽状態の選択により、上記
    光検出手段で少なくとも所定の2つの光取出部からの光
    強度を独立に検出し、該独立に検出した上記少なくとも
    2つの光取出部からの光強度を用いて粒子を検出するよ
    うにしたことを特徴とする粒子検出装置。
  2. 【請求項2】 上記遮蔽手段は、互いに対向する一対の
    偏光板と、該一対の偏光板の間に設けられた液晶層と、
    該液晶層を挟むように対向配置された該液晶層の液晶配
    向を偏向させるための一対の透明電極と、からなり、上
    記光取出部は上記透明電極が同心円上に配置されること
    により形成されたことを特徴とする請求項1記載の粒子
    検出装置。
  3. 【請求項3】 上記2つの光取出部は、それぞれ所定粒
    子径に係る回折光の副極大ピークと、該所定粒子径に係
    る回折光の他の副極大ピーク又は極小ピークに対応する
    ように設けられていることを特徴とする請求項1又は2
    記載の粒子検出装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998002731A1 (en) * 1996-07-11 1998-01-22 Sunbeam Products, Inc. Allergen detector system and method
US5969622A (en) * 1997-10-07 1999-10-19 Robert N. Hamburger Allergen detector system and method

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