JPH08234409A

JPH08234409A - 露光用マスクの製造方法およびそれを用いたカラーフィルターの製造方法

Info

Publication number: JPH08234409A
Application number: JP3529795A
Authority: JP
Inventors: Yuichi Kumamoto; 優一熊本
Original assignee: Toppan Printing Co Ltd
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 1995-02-23
Filing date: 1995-02-23
Publication date: 1996-09-13
Anticipated expiration: 2016-01-29
Also published as: JP3127763B2

Abstract

(57)【要約】【目的】カラー液晶表示装置等に内装されるカラーフィ
ルターの製造方法およびそれに用いる露光用マスクの製
造方法に係わり、特に、ＴＦＴ基板との整合性の良いカ
ラーフィルターの製造方法に関する。【構成】カラーフィルターの製造方法において、ＴＦＴ
基板表面に形成されたパターンを読み取り、パターンデ
ータとして変換する手段と、前記パターンデータから所
望するパターンデータを抽出する手段と、前記抽出した
パターンデータを、前記抽出時の位置関係を保ちつつ所
望する別の形状のパターンデータに加工する手段と、前
記加工後のパターンデータを描画用データに変換する手
段と、前記描画用データを用い露光用マスクを作成する
手段と、前記露光用マスクを用い透明基板上またはＴＦ
Ｔ基板上に遮光層および赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）
画素層を形成する手段とを具備したことを特徴とするカ
ラーフィルターの製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、カラー液晶表示装置等
に内装されるカラーフィルターの製造方法およびそれに
用いる露光用マスクの製造方法に係わり、特に、ＴＦＴ
基板との整合性の良いカラーフィルターの製造方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来のカラー液晶表示装置の構造とし
て、例えば図３および図４の断面図に示すものが知られ
ている。ここで、図３の例に示すカラー液晶表示装置は
大きく分けて３層の領域に区分出来るといえる。

【０００３】まず、図３中Ａの領域はカラーフィルター
と呼称されており、透明基板13上に遮光層２およびカラ
ーフィルター層が形成されたカラーフィルター、さらに
共通透明電極層14および必要に応じて保護膜３により形
成されている。なお、カラーフィルター層とは、例え
ば、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）およびＢ（青色）の画素、
または、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）およびＹ（イエ
ロー）の画素等で構成される画素の層を示している。ま
た、遮光層２とは、カラーフィルター層（以下、Ｒ
（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）画素層１と記す）領域部に
開口部12を持つよう例えば格子（マトリックス）状に形
成され、開口部12の縁で各画素の輪郭をハッキリと区切
ることで画像表示のコントラストを向上させるととも
に、遮光部でＴＦＴ基板に設けられた薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）部への遮光を行っている。

【０００４】次いで、Ｃの領域はＴＦＴ基板と呼称さ
れ、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を透明基板13’上の点
線Ｘ部に示す領域に形成し、また、信号線および透明画
素電極４等が形成された後、保護膜３’が形成されてい
る。

【０００５】次いで、Ｂの領域は液晶５であり、カラー
フィルターおよびＴＦＴ基板の間に封入、封止されてい
る。なお、カラー液晶表示装置を構成するものとして上
記の他に偏向板、酸化金属膜および配向膜等が上げられ
るが、説明を簡便にするため図から省略している。

【０００６】図３のカラー液晶表示装置の製造において
は、別々の製造工程においてカラーフィルターおよびＴ
ＦＴ基板を製造した後、カラーフィルターとＴＦＴ基板
とを対向させ、両者の間に液晶を封入、封止する工程を
とることが一般的に行われている。

【０００７】次いで図４の例に示すカラー液晶表示装置
においては、上記のＣ領域と同様なＴＦＴ基板上に直
接、遮光層２およびＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）画素
層１からなるカラーフィルターを形成した後、共通透明
電極層14を形成した透明基板13を対向させ、両者の間に
液晶５が封入、封止されているものである。なお、図４
においても偏向板、酸化金属膜および配向膜等は、説明
を簡便にするため図から省略している。また、図４はＲ
（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）画素層１の材質として高誘
電率のものを用いた例を示しているが、Ｒ（赤）、Ｇ
（緑）、Ｂ（青）画素層１の材質が低誘電率の場合もあ
る。この場合、各Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）画素層
１領域上に透明電極層を設け、この透明電極層と下部に
位置する透明画素電極４とをスルーホール等で電気的に
接続することが望ましいといえる。

【０００８】ここで、カラーフィルターおよびＴＦＴ基
板を製造する手段として、従来より写真的手法が用いら
れている。すなわち、特定のパターンを有する露光用マ
スクを用いる手段である。ここで、上記の露光用マスク
の作成においても写真的手法が用いられ、例えば以下の
様なフォトエッチング法にて作成されるものである。ま
ず、ガラス等の透明基板上に例えば金属クロム層等を蒸
着形成する。次いで、基板上に感光性樹脂層を塗布形成
後、例えば電子ビーム描画装置を用いることで特定部位
の感光性樹脂を選択的に光硬化させる。次いで、現像を
行い、未露光未硬化の樹脂を除去し、光硬化した部位の
樹脂を耐エッチング層として残す。次いで、基板に対し
エッチング等の処理を行なって耐エッチング層より露出
していた金属クロム層を溶解除去した後、耐エッチング
層を剥離し、基板上に所望するパターンを有する露光用
マスクを得るものである。

【０００９】次いで、ＴＦＴ基板の製造にあたっては、
まずパターン設計されたパターンを描画データ化し、例
えば電子ビーム描画装置を用いることでフォトマスクを
製造する。しかる後、金属層またはシリコン層等が形成
された透明基板上に感光性樹脂層を塗布形成後、例えば
ステッパー露光装置等を用いフォトマスク上のパターン
を感光性樹脂層に光露光する。これにより、フォトマス
ク上に形成されたパターンで感光性樹脂が選択的に光硬
化される。次いで、現像を行い、未露光未硬化の樹脂を
除去し、光硬化した部位の樹脂を残す。次いで、基板に
対しエッチング等の処理を行なった後、樹脂を剥離す
る。なお、ＴＦＴ基板製造に必要なフォトマスクとし
て、信号線用マスク、イオン注入用マスク、透明画素電
極用マスク、絶縁層用マスク等種々のものが上げられ、
これらのフォトマスクを用い上記の写真的手法を繰り返
すことで、透明基板上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等
が形成されたＴＦＴ基板を製造するものである。

【００１０】また、カラーフィルターの製造においても
同様に、遮光層パターンおよび、例えばＲ（赤）、Ｇ
（緑）、Ｂ（青）画素層パターンを上記ＴＦＴ基板に対
し整合するようパターン設計後、描画データ化し、例え
ば電子ビーム描画装置を用い各露光用マスクを製造す
る。次いで、この露光用マスクを用い、写真的手法によ
る公知の方法、例えば顔料分散法、染色法等によりＴＦ
Ｔ基板上または透明基板上に遮光層および複数のＲ
（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）画素層を形成しカラーフィ
ルターを製造するものである。

【００１１】上述したように、図３に示すカラー液晶表
示装置の製造においては、別々に製造されたカラーフィ
ルターおよびＴＦＴ基板とを対向させ間に液晶を封入さ
せるものであるが、その際、両者に設けられた位置合わ
せ用マーク等を用いることで、カラーフィルターおよび
ＴＦＴ基板とで対向すべき部位の整合をとる必要があ
る。例えば、カラーフィルター上の遮光層２に設けられ
た開口部12を覆うように形成されたＲ（赤）、Ｇ
（緑）、Ｂ（青）画素層１はＴＦＴ基板の透明画素電極
４と対向し、かつ、遮光層２の開口部12は対向する透明
画素電極４の領域内に収まっていることが必要となる。
また、遮光層２の遮光部は対向する薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）部を覆う必要がある。

【００１２】また、図４に示すカラー液晶表示装置の製
造においては、ＴＦＴ基板用のフォトマスクとは別にパ
ターン設計され作成された露光用マスクを、例えば両者
に設けられた位置合わせ用マーク等を用いＴＦＴ基板上
に整合して当て、写真的手法による公知の方法、例えば
顔料分散法、染色法等によりＴＦＴ基板上にカラーフィ
ルターを製造するものである。その際、上記と同様に遮
光層２およびＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）画素層１
は、ＴＦＴ基板の対向すべき部位との整合がとれている
ことが必要となる。

【００１３】しかし近年、液晶表示装置においては大型
化、薄型化が要求され、かつ、カラーフィルターおよび
ＴＦＴ基板に形成されるパターンも高精細化により微細
化が進んでいる。例えば、透明基板として使用されるガ
ラス基板の厚みも従来の 1.1mmから 0.7mm、0.5mm と非
常に薄いものが使用されるようになってきている。

【００１４】このため、基板の大型化と合わせ、透明基
板の歪み等によるパターンの位置ズレが問題となってき
ている。特に、ＴＦＴ基板においてはトランジスタを形
成するため、金属膜、シリコン膜、透明電極膜等複数の
層を透明基板上に設けなければならず、各層の形成毎に
エッチング、スパッタリング、焼成等の工程を行ってい
る。薄い透明基板にはその都度、熱および外力等が加え
られることで歪みが生じ、その結果ＴＦＴ基板に形成さ
れるパターンの位置ズレはカラーフィルターに比べ大き
いといえる。また、ＴＦＴ基板に生じる、ＴＦＴ基板の
機能上問題の無い程度のパターンズレ、例えばステッパ
ー露光装置を用いフォトマスク上のパターンをＴＦＴ基
板にパターン露光していく際のステッピングの若干のズ
レ、および製造条件のブレによる配線パターンの若干の
ピッチズレ等も、形成されるパターンが微細化するにつ
れて無視出来なくなってきている。

【００１５】このため、従来の製造方法、すなわち、カ
ラーフィルター用の露光用マスクおよびＴＦＴ基板用の
フォトマスクを別々にパターン設計し作成後、カラーフ
ィルターおよびＴＦＴ基板を別々に製造し、両者の整合
を取って重ね合わせるという方法、または、別にパター
ン設計し作成した露光用マスクを当てＴＦＴ基板上にカ
ラーフィルターを製造するという方法は、ＴＦＴ基板上
のパターンの位置ズレが大きく、かつ、整合させるパタ
ーンも微細化してきているため非常に困難になってきて
いる。例えば、カラーフィルターおよびＴＦＴ基板を重
ね合わせた際、ＴＦＴ基板上の透明画素電極４の領域か
ら開口部12がはみ出したり、薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）部が遮光層２により覆われない等の問題が生じてし
まう。

【００１６】従来、製造されたＴＦＴ基板に対し整合の
とれないカラーフィルターは廃棄され、ＴＦＴ基板に形
成されたパターンと整合のとれるようパターンの位置等
を修正した露光用マスクの製造からやり直し、再度カラ
ーフィルターを製造しなければならなかった。また、Ｔ
ＦＴ基板上に整合のとれないカラーフィルターを製造し
てしまった場合には、一旦ＴＦＴ基板上に製造したカラ
ーフィルターを剥がした上で、新たに製造した露光用マ
スクを用い再度ＴＦＴ基板上にカラーフィルターを製造
しなければならず、かつ、最悪の場合にはＴＦＴ基板自
体を廃棄しなければならない等、生産効率、資源等の面
で非常に無駄の多いものであった。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上のよう
な事情に鑑み、カラー液晶表示装置等に内装されるカラ
ーフィルターの製造方法において、ＴＦＴ基板との整合
性の良いカラーフィルターの製造方法を提供しようとす
るものである。

【００１８】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、遮
光層およびカラーフィルター層の形成に用いられる露光
用マスクの製造方法において、ＴＦＴ基板表面に形成さ
れたパターンを読み取り、パターンデータとして変換す
る手段と、前記パターンデータから所望するパターンデ
ータを抽出する手段と、前記抽出したパターンデータ
を、前記抽出時の位置関係を保ちつつ所望する別の形状
のパターンデータに加工する手段と、前記加工後のパタ
ーンデータを描画用データに変換する手段と、前記描画
用データを用い露光用マスクを作成する手段とを具備し
たことを特徴とする露光用マスクの製造方法を提供する
ことで上記の課題を解決したものである。

【００１９】以下に本発明の工程フローを表す図１を用
い、説明を行う。本発明においては、ＴＦＴ基板は従来
通りに製造するものである。（従来の技術）の項に記し
たように、パターン設計したパターンを描画データ化
し、例えば電子ビーム描画装置を用いることで種々のフ
ォトマスクを製造し、次いで、これらのフォトマスクを
用い写真的手法を用いた公知の方法により透明基板上に
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を形成しＴＦＴ基板を製
造するものである。

【００２０】次いで、本発明による露光用マスクの製造
においては、以下のごとく製造を行うものである。ま
ず、上述した製造済のＴＦＴ基板表面、すなわちカラー
フィルターと対向することになる面に形成されたパター
ンを、例えばイメージスキャナー等で読み取り、パター
ンデータ、例えば画像データとする。なお、複数のＴＦ
Ｔ基板が製造されるため、ＴＦＴ基板同志を比較すると
各々のパターンデータは若干のバラツキを持ち、かつ、
パターンデータを読み取る際にも若干の読み取り誤差が
生じる。このため、複数枚のＴＦＴ基板に対し上記の読
み取りを行い、パターンデータの平均化を行っておくこ
とが望ましいといえる。

【００２１】次いで、得られたパターンデータから、カ
ラーフィルターにとって必要とされる部位のパターンデ
ータ、例えばＴＦＴ基板上に形成された透明画素電極部
位のパターンおよび、位置合わせ用パターン等を抽出す
る。

【００２２】次いで、抽出したパターンデータに対し加
工を加えカラーフィルターに形成される赤（Ｒ）、緑
（Ｇ）、青（Ｂ）画素層および遮光層の各パターンを得
る。なお、パターンデータ加工の際、ＴＦＴ基板より抽
出した時のパターンデータの位置関係のままで、カラー
フィルター用のフォトマスクパターンにとって必要な形
状にすることが肝要である。なお、抽出したパターンデ
ータの個数は非常に多数となるので、形状の加工を個々
に行う、例えばコンピュータとの対話形式で個々の形状
加工を行なうと非常に手間となる。そこで、抽出した全
パターンデータに対し一括してパターン加工処理を行
う、例えば半導体チップのパターン設計時に使用される
論理処理用ソフトを用いる等して、コンピュータ上でソ
フトを用い行うことが望ましいといえる。

【００２３】次いで、加工後の各パターンデータに最終
的な加工、例えば抽出された位置合わせ用パターンと同
一の位置にて、カラーフィルター用の位置合わせ用パタ
ーンに入れ換える、カラーフィルター用のアクセサリー
パターンの追加、および外周枠の追加等を行った後、例
えば電子ビーム描画装置の描画用データに各々変換す
る。ここで、前述したように描画用データに変換される
位置決め用パターンと加工後のパターンデータとは、Ｔ
ＦＴ基板よりパターン抽出された時点の位置関係を保っ
ているものである。次いで、従来の露光用マスク製造と
同様に、例えば電子ビーム描画装置を用い、カラーフィ
ルター用の露光用マスクすなわち赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、
青（Ｂ）画素層用および遮光層用の露光用マスクを得る
ものである。

【００２４】次いで、得られた露光用マスクを用い公知
の方法により透明基板上またはＴＦＴ基板上に遮光層を
形成後、公知の方法、すなわち、染色法、顔料分散法ま
たは印刷法にて赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）画素層を
形成し、透明基板上またはＴＦＴ基板上にカラーフィル
ターを製造するものである。

【００２５】なお、上記の染色法、顔料分散法または印
刷法とは以下の方法である。すなわち、基板上に、例え
ばゼラチン等の染色用の層を形成後、露光用マスクを用
いフォトリソグラフィ法等にてＲＧＢ画素層形成領域以
外の染色用の層を除去し、残った領域を各々赤（Ｒ）、
緑（Ｇ）、青（Ｂ）の染料で染める方法が染色法であ
る。また、例えば、基板上に粒径0.01〜1 μm の各々赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の顔料を含有する感光性樹
脂を塗布し、露光用マスクを用いフォトリソグラフィ法
等にてＲＧＢ画素層形成領域以外の感光性樹脂を除去
し、残った領域を赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）画素層
とする方法が顔料分散法である。また、前述した描画用
データを元に版を作成し、各々赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青
（Ｂ）の顔料を含有するインキを、スクリーン印刷方
式、または凹版オフセット方式等にて基板上に印刷する
方法が印刷法である。

【００２６】なお、図３の例に示すカラー液晶表示装置
の製造にあっては、上記で製造したカラーフィルターに
必要に応じ保護膜３を設けたうえで、共通透明電極層14
を形成する。次いで、カラーフィルターとＴＦＴ基板と
を、例えば両者に設けられた位置決め用パターンをもと
に整合をとる等して重ね合わせ、間に液晶を封入、封止
する等の工程を行うものである。また、図４の例に示す
カラー液晶表示装置の製造にあっては、共通透明電極層
14を形成した透明基板をＴＦＴ基板と対向して重ね合わ
せ、間に液晶を封入、封止する等の工程を行うものであ
る。

【００２７】

【作用】本発明により得られるカラーフィルターは、製
造後のＴＦＴ基板表面に形成されたパターンから読み取
ったパターンデータを元に作成した露光用マスクを用
い、製造している。このため、ＴＦＴ基板の歪み、ＴＦ
Ｔ基板製造時のフォトマスクパターンのパターン露光ズ
レ等を原因とし、ＴＦＴ基板に生じたパターンズレを反
映したカラーフィルターを得ることが出来る。

【００２８】

【実施例】本発明の実施例を示す図面を用い、さらに説
明を行なう。＜実施例＞前述した（課題を解決するための手段）の項
で示した図１の工程に従い、公知の方法にて、透明ガラ
ス基板上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を有するＴＦ
Ｔ基板を製造した。なお、ＴＦＴ基板はカラーフィルタ
ーと対向する基板表面に、例えば図２（ａ）に示すよう
なパターンを有するものである。なお、図２（ａ）中の
パターンは、透明画素電極４、信号線であるゲート線７
およびソース線６、Ｎ型半導体層であるドレイン８、非
晶質シリコンからなるｉ型半導体層９を各々示してい
る。次いで、図２（ａ）のパターンすなわちＴＦＴ基板
表面のパターンをイメージスキャナーを用いスキャンし
て読み取り、上記のパターンを画像データ化した。

【００２９】次いで、上記の画像データよりカラーフィ
ルターにとって必要な部位、すなわち、透明画素電極４
の画像データを抽出し図２（ｂ）を得た。なおこの際、
図中には示していないが、ＴＦＴ基板表面の位置合わせ
用パターンも抽出しているものである。次いで、カラー
フィルターにおける遮光層の開口部12の形状を得るため
図２（ｂ）のパターンデータを加工し、図２（ｃ）のパ
ターンデータを得た。ここで、パターンの加工はコンピ
ュータ上でソフトを用いて行い、必要な部位のみ加工し
ており、パターンの位置関係は変えていない。

【００３０】次いで、（従来の技術）の項で記したよう
に遮光層の開口部12は透明画素電極４より小さいため、
図２（ｃ）のパターンを相似的に大きさを縮小した。次
いで、パターン領域の内と外を白黒反転し図２（ｄ）す
なわちカラーフィルター上で開口部12を有して形成され
る遮光層パターン10を得た。なおこの処理でも、パター
ンの加工はコンピュータ上でソフトを用いて行い、必要
な部位のみ加工しており、パターンの位置関係は変えて
いない。

【００３１】また、別に図２（ｂ）のデータを元に加工
を行ない、図２（ｄ）の点線に示す領域のパターン、す
なわち赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）画素層パターン11
を得た。なお、この処理もコンピュータ上でソフトを用
いて行い、必要な部位のみ加工しており、パターンの位
置関係は変えていない。

【００３２】次いで、上記の遮光層パターンデータおよ
び赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）画素層パターンデータ
に対し各々最終的な加工、すなわち、抽出された位置合
わせ用パターンと同一の位置にてカラーフィルター用の
位置合わせ用パターンに入れ換える、カラーフィルター
用のアクセサリーパターンの追加、および外周枠の追加
等を行った後各々電子ビーム描画装置用データに変換し
た。

【００３３】次いで、上記の各電子ビーム描画装置用デ
ータを電子ビーム描画装置に掛け、遮光層用および赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）画素層用の露光用マスクを
得た。

【００３４】次いで、写真法による公知の方法にて透明
基板上に遮光層を形成し、顔料分散法にて赤（Ｒ）、緑
（Ｇ）、青（Ｂ）画素層１を形成した後、必要に応じ保
護膜３を設けた上で共通透明電極層14を形成し、図２の
Ａの領域に示すカラーフィルターを得た。

【００３５】

【発明の効果】以上のように、本発明により得られるカ
ラーフィルターは、製造後のＴＦＴ基板表面に形成され
たパターンから読み取ったパターンデータを元に作成し
た露光用マスクを用い、製造している。このため、ＴＦ
Ｔ基板の歪み、ＴＦＴ基板製造時のフォトマスクパター
ンのパターン露光ズレ等を原因としてＴＦＴ基板に生じ
たパターンズレを反映したカラーフィルターを得ること
が出来る。その結果、カラーフィルターをＴＦＴ基板に
重ね合わせる際、ＴＦＴ基板に生じたパターンズレに妨
げられることなくカラーフィルターをＴＦＴ基板に整合
を持って重ね合わせることが可能となる。

【００３６】このように、カラーフィルターとＴＦＴ基
板との重ね合わせ精度が向上することで、ＴＦＴ基板の
パターン設計の際、パターン形状の許容性が緩和でき
る。例えば、複雑な形状であっても良く、また、画素部
を大きく出来るともいえ、これによりコントラストや表
示開孔率の高い表示品質の良い液晶表示装置を得ること
が可能となる。また、ＴＦＴ基板側に形成されるパター
ンのズレは、液晶表示装置の機能上問題の無い程度であ
ればカラーフィルターとの重ね合わせに支障を来さず、
これにより、ＴＦＴ基板の製造条件が緩和できるとい
え、ＴＦＴ基板の製造を容易に出来るといえる。さら
に、従来のカラーフィルターの製造方法で生じていた、
不整合のカラーフィルターを廃棄し、新たにカラーフィ
ルターを製造し直すという無駄も解消される等、本発明
は実用上優れているといえる。

【００３７】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による露光用マスクの製造方法の一実施
例を示す工程フロー図。

【図２】（ａ）〜（ｄ）は、本発明による露光用マスク
の製造方法の実施例の要部を工程順に示す平面説明図。

【図３】カラー液晶表示装置の構造例の要部を示す断面
説明図。

【図４】他のカラー液晶表示装置の構造例の要部を示す
断面説明図。

【符号の説明】

１画素層２遮光層３保護膜４透明画素電極５液晶６ソース線７ゲート線８ドレイン９ｉ型半導体層 10 遮光層パターン 11 画素層パターン 12 開口部 13 基板 14 共通透明電極層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】遮光層およびカラーフィルター層の形成に
用いられる露光用マスクの製造方法において、ＴＦＴ基
板表面に形成されたパターンを読み取り、パターンデー
タとして変換する手段と、前記パターンデータから所望
するパターンデータを抽出する手段と、前記抽出したパ
ターンデータを、前記抽出時の位置関係を保ちつつ所望
する別の形状のパターンデータに加工する手段と、前記
加工後のパターンデータを描画用データに変換する手段
と、前記描画用データを用い露光用マスクを作成する手
段とを具備したことを特徴とする露光用マスクの製造方
法。
【請求項２】ＴＦＴ基板表面に形成されたパターンを読
み取り、パターンデータとして変換する手段と、前記パ
ターンデータから所望するパターンデータを抽出する手
段と、前記抽出したパターンデータを、前記抽出時の位
置関係を保ちつつ所望する別の形状のパターンデータに
加工する手段と、前記加工後のパターンデータを描画用
データに変換する手段と、前記描画用データを用い露光
用マスクを作成する手段とを用い露光用マスクを作成
し、前記露光用マスクを用い透明基板上に遮光層および
カラーフィルター層を形成する手段を有するカラーフィ
ルターの製造方法。
【請求項３】ＴＦＴ基板表面に形成されたパターンを読
み取り、パターンデータとして変換する手段と、前記パ
ターンデータから所望するパターンデータを抽出する手
段と、前記抽出したパターンデータを、前記抽出時の位
置関係を保ちつつ所望する別の形状のパターンデータに
加工する手段と、前記加工後のパターンデータを描画用
データに変換する手段と、前記描画用データを用い露光
用マスクを作成する手段とを用い露光用マスクを作成
し、前記露光用マスクを用いＴＦＴ基板上に遮光層およ
びカラーフィルター層を形成する手段を有するカラーフ
ィルターの製造方法。
【請求項４】カラーフィルター層形成の手段が染色法、
顔料分散法、または印刷法である請求項２または３記載
のカラーフィルターの製造方法。