JPH08236308A - セラミック電子部品とその特性値調整方法 - Google Patents
セラミック電子部品とその特性値調整方法Info
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- JPH08236308A JPH08236308A JP7034011A JP3401195A JPH08236308A JP H08236308 A JPH08236308 A JP H08236308A JP 7034011 A JP7034011 A JP 7034011A JP 3401195 A JP3401195 A JP 3401195A JP H08236308 A JPH08236308 A JP H08236308A
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- Non-Adjustable Resistors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 特性値ばらつきの小さいセラミック電子部品
を得るとともに、バレル研磨のような簡易で大量処理で
きる研削方法を用いて、抵抗値などの電気的特性のばら
つきが小さい高精度のセラミック電子部品とその特性値
調整方法を提供することである。 【構成】 負特性サーミスタ４ａは、負の抵抗温度特性
を有するセラミック素体１の一方の主面に、間隔をおい
て各一端が互いに対向するように形成された一対の第１
表面電極２ａ、第２表面電極２ｂを形成し、負の抵抗温
度特性を有するセラミック素体１の端部に第１表面電極
２ａの他端と電気的に接続する端子電極３ａ、第２表面
電極２ｂの他端と電気的に接続する端子電極３ｂを一対
形成している。負の抵抗温度特性を有するセラミック素
体１の第１、第２表面電極２ａ，２ｂの一部を、バレル
研磨法またはサンドブラスト法で除去することにより抵
抗値を調整する。
を得るとともに、バレル研磨のような簡易で大量処理で
きる研削方法を用いて、抵抗値などの電気的特性のばら
つきが小さい高精度のセラミック電子部品とその特性値
調整方法を提供することである。 【構成】 負特性サーミスタ４ａは、負の抵抗温度特性
を有するセラミック素体１の一方の主面に、間隔をおい
て各一端が互いに対向するように形成された一対の第１
表面電極２ａ、第２表面電極２ｂを形成し、負の抵抗温
度特性を有するセラミック素体１の端部に第１表面電極
２ａの他端と電気的に接続する端子電極３ａ、第２表面
電極２ｂの他端と電気的に接続する端子電極３ｂを一対
形成している。負の抵抗温度特性を有するセラミック素
体１の第１、第２表面電極２ａ，２ｂの一部を、バレル
研磨法またはサンドブラスト法で除去することにより抵
抗値を調整する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、セラミック電子部品
とその特性値調整方法に関する。
とその特性値調整方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】セラミック電子部品は、セラミック素体
とセラミック素体の端部に形成した端子電極からなるも
の、あるいはセラミック素体とセラミック素体の内部に
形成した内部電極と内部電極と電気的に接続するように
セラミック素体の端部に形成した端子電極からなるもの
があり、代表的なものとして、正特性サーミスタ、負特
性サーミスタ、コンデンサ、インダクタ、バリスタ、固
定抵抗器等が知られている。
とセラミック素体の端部に形成した端子電極からなるも
の、あるいはセラミック素体とセラミック素体の内部に
形成した内部電極と内部電極と電気的に接続するように
セラミック素体の端部に形成した端子電極からなるもの
があり、代表的なものとして、正特性サーミスタ、負特
性サーミスタ、コンデンサ、インダクタ、バリスタ、固
定抵抗器等が知られている。
【０００３】セラミック電子部品の一例として、負特性
サーミスタがある。図１５は負特性サーミスタの斜視図
である。図１５に示すように、負特性サーミスタは、負
の抵抗温度特性を有するセラミック素体１と端子電極３
ａ，３ｂとからなる。
サーミスタがある。図１５は負特性サーミスタの斜視図
である。図１５に示すように、負特性サーミスタは、負
の抵抗温度特性を有するセラミック素体１と端子電極３
ａ，３ｂとからなる。
【０００４】図１６，図１７は、それぞれ図１５の負特
性サーミスタのＦ−Ｆ線の断面図である。図１６に示し
た負特性サーミスタ４０は、負の抵抗温度特性を有する
セラミック素体１の内部に、内部電極が形成されていな
いタイプのものであり、図１７に示した負特性サーミス
タ４１は、内部電極５ａ，５ｂが形成されたタイプのも
のである。そして、図１７に示した負特性サーミスタ４
１は、負の抵抗温度特性を有するセラミック素体１の内
部に内部電極５ａ，５ｂが形成されており、この内部電
極５ａ，５ｂが端子電極３ａ，３ｂと電気的に接続され
ている。
性サーミスタのＦ−Ｆ線の断面図である。図１６に示し
た負特性サーミスタ４０は、負の抵抗温度特性を有する
セラミック素体１の内部に、内部電極が形成されていな
いタイプのものであり、図１７に示した負特性サーミス
タ４１は、内部電極５ａ，５ｂが形成されたタイプのも
のである。そして、図１７に示した負特性サーミスタ４
１は、負の抵抗温度特性を有するセラミック素体１の内
部に内部電極５ａ，５ｂが形成されており、この内部電
極５ａ，５ｂが端子電極３ａ，３ｂと電気的に接続され
ている。
【０００５】図１８は、負特性サーミスタ４１の製造方
法を説明するための分解平面図である。図１８に示すよ
うに、内部電極５ａ，５ｂとなる導体パターン７ｐ，８
ｐを形成したセラミックグリーンシート６ｐの上に、導
体パターンを形成していないダミーシートとなるセラミ
ックグリーンシート６ｃを積層し、一体プレスし、焼成
する。得られた焼結体の端部に図１７に示した端子電極
３ａ，３ｂとなる導電性ペーストを塗布し、焼き付けて
負特性サーミスタ４１が得られる。
法を説明するための分解平面図である。図１８に示すよ
うに、内部電極５ａ，５ｂとなる導体パターン７ｐ，８
ｐを形成したセラミックグリーンシート６ｐの上に、導
体パターンを形成していないダミーシートとなるセラミ
ックグリーンシート６ｃを積層し、一体プレスし、焼成
する。得られた焼結体の端部に図１７に示した端子電極
３ａ，３ｂとなる導電性ペーストを塗布し、焼き付けて
負特性サーミスタ４１が得られる。
【０００６】これらの負特性サーミスタ４０，４１は、
温度補償や温度検知用に使用されるが、特に温度検知用
の場合、その検知精度を上げるために、抵抗値ばらつき
を少なく（狭偏差化）する必要がある。
温度補償や温度検知用に使用されるが、特に温度検知用
の場合、その検知精度を上げるために、抵抗値ばらつき
を少なく（狭偏差化）する必要がある。
【０００７】図１６に示した負特性サーミスタ４０の抵
抗値は、主に端子電極３ａ，３ｂ間距離Ｌ14，負の抵抗
温度特性を有するセラミック素体１厚みｔ12の寸法、ま
た図１７に示した負特性サーミスタ４１においては、主
に端子電極３ａ，３ｂ間距離Ｌ15、内部電極５ａ，５ｂ
間距離Ｌ16、負の抵抗温度特性を有するセラミック素体
１厚みｔ13、端子電極３ａ，３ｂと内部電極５ａ，５ｂ
の負の抵抗温度特性を有するセラミック素体１厚み方向
の距離ｔ14，ｔ15寸法で決定される。
抗値は、主に端子電極３ａ，３ｂ間距離Ｌ14，負の抵抗
温度特性を有するセラミック素体１厚みｔ12の寸法、ま
た図１７に示した負特性サーミスタ４１においては、主
に端子電極３ａ，３ｂ間距離Ｌ15、内部電極５ａ，５ｂ
間距離Ｌ16、負の抵抗温度特性を有するセラミック素体
１厚みｔ13、端子電極３ａ，３ｂと内部電極５ａ，５ｂ
の負の抵抗温度特性を有するセラミック素体１厚み方向
の距離ｔ14，ｔ15寸法で決定される。
【０００８】したがって、負特性サーミスタ４０は端子
電極３ａ，３ｂ間の距離Ｌ14が負の抵抗温度特性を有す
るセラミック素体１の厚みｔ12よりも抵抗値に強く影響
し、端子電極３ａ，３ｂ間の距離Ｌ14のばらつきが抵抗
値ばらつきにも影響する。
電極３ａ，３ｂ間の距離Ｌ14が負の抵抗温度特性を有す
るセラミック素体１の厚みｔ12よりも抵抗値に強く影響
し、端子電極３ａ，３ｂ間の距離Ｌ14のばらつきが抵抗
値ばらつきにも影響する。
【０００９】また、負特性サーミスタ４１は、端子電極
３ａ，３ｂ間の距離Ｌ15が内部電極５ａ，５ｂ間の距離
Ｌ16よりも長いため、Ｌ15のばらつきはＬ16のばらつき
に比べて問題とならない。内部電極５ａ，５ｂ間の距離
Ｌ16は印刷技術の高精度化により、負の抵抗温度特性を
有するセラミック素体１の厚みｔ13や各電極間の厚みｔ
14，ｔ15もシート法により比較的精度良く作れることか
ら、負特性サーミスタ４０と比較して抵抗値ばらつきが
小さいものが得られるが、近年の高精度品の要求に対し
て満足できるレベルではなかった。
３ａ，３ｂ間の距離Ｌ15が内部電極５ａ，５ｂ間の距離
Ｌ16よりも長いため、Ｌ15のばらつきはＬ16のばらつき
に比べて問題とならない。内部電極５ａ，５ｂ間の距離
Ｌ16は印刷技術の高精度化により、負の抵抗温度特性を
有するセラミック素体１の厚みｔ13や各電極間の厚みｔ
14，ｔ15もシート法により比較的精度良く作れることか
ら、負特性サーミスタ４０と比較して抵抗値ばらつきが
小さいものが得られるが、近年の高精度品の要求に対し
て満足できるレベルではなかった。
【００１０】しかも、負特性サーミスタ４０，４１の端
子電極３ａ，３ｂ間の距離Ｌ14，Ｌ15は、電極材の粘度
等の影響を受けるため、寸法精度のばらつきを現状以上
に小さくすることは困難で、抵抗値の高精度化ができな
かった。
子電極３ａ，３ｂ間の距離Ｌ14，Ｌ15は、電極材の粘度
等の影響を受けるため、寸法精度のばらつきを現状以上
に小さくすることは困難で、抵抗値の高精度化ができな
かった。
【００１１】そのため、抵抗値を高精度に調整する方法
として、雰囲気熱処理法、レーザートリミング法、バレ
ル研磨法等が用いられている。
として、雰囲気熱処理法、レーザートリミング法、バレ
ル研磨法等が用いられている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】このうち、雰囲気熱処
理法により抵抗値を調整する場合、大量の負特性サーミ
スタを一括して熱処理するため雰囲気をコントロールす
ることが難しく、また、熱処理炉内でのガスの分布が一
様でないため、全体の抵抗値の変化（シフト）ばらつき
が大きくて、高精度（狭偏差）化することは困難であ
る。
理法により抵抗値を調整する場合、大量の負特性サーミ
スタを一括して熱処理するため雰囲気をコントロールす
ることが難しく、また、熱処理炉内でのガスの分布が一
様でないため、全体の抵抗値の変化（シフト）ばらつき
が大きくて、高精度（狭偏差）化することは困難であ
る。
【００１３】また、レーザートリミング法により抵抗値
を調整する場合、負の抵抗温度特性を有するセラミック
素体１や端子電極３ａ，３ｂをレーザー照射によりトリ
ミングしている。この方法は一つ一つの抵抗値を測定し
ながらトリミング量を決めるため、比較的容易に精度良
く行えるが、負の抵抗温度特性を有するセラミック素体
１によっては、レーザー照射によりそれ自体の温度が上
昇し、常温での抵抗値を正確に得ることが困難であっ
た。しかも、一つ一つ調整することから時間がかかり、
費用面での上昇につながっていた。
を調整する場合、負の抵抗温度特性を有するセラミック
素体１や端子電極３ａ，３ｂをレーザー照射によりトリ
ミングしている。この方法は一つ一つの抵抗値を測定し
ながらトリミング量を決めるため、比較的容易に精度良
く行えるが、負の抵抗温度特性を有するセラミック素体
１によっては、レーザー照射によりそれ自体の温度が上
昇し、常温での抵抗値を正確に得ることが困難であっ
た。しかも、一つ一つ調整することから時間がかかり、
費用面での上昇につながっていた。
【００１４】さらに、バレル研磨により負の抵抗温度特
性を有するセラミック素体１を削って抵抗値を調整する
場合、簡易で、大量に処理することが可能であるが、負
の抵抗温度特性を有するセラミック素体１そのものを削
るため微調整することは容易ではなかった。
性を有するセラミック素体１を削って抵抗値を調整する
場合、簡易で、大量に処理することが可能であるが、負
の抵抗温度特性を有するセラミック素体１そのものを削
るため微調整することは容易ではなかった。
【００１５】しかも、バレル研磨では負の抵抗温度特性
を有するセラミック素体１を削りながら、端子電極３
ａ，３ｂも同時に削られるため、端子電極３ａ，３ｂが
負の抵抗温度特性を有するセラミック素体１よりも削ら
れにくいように、電極材料として硬いものを使用する
か、電極厚みを厚くするといった配慮が必要となり、実
用化に際して制約が伴うという問題もあった。
を有するセラミック素体１を削りながら、端子電極３
ａ，３ｂも同時に削られるため、端子電極３ａ，３ｂが
負の抵抗温度特性を有するセラミック素体１よりも削ら
れにくいように、電極材料として硬いものを使用する
か、電極厚みを厚くするといった配慮が必要となり、実
用化に際して制約が伴うという問題もあった。
【００１６】この発明の目的は、特性値ばらつきの小さ
いセラミック電子部品を得るとともに、バレル研磨のよ
うな簡易で大量処理できる研削方法を用いて、抵抗値な
どの電気的特性のばらつきが小さい高精度のセラミック
電子部品とその特性値調整方法を提供することである。
いセラミック電子部品を得るとともに、バレル研磨のよ
うな簡易で大量処理できる研削方法を用いて、抵抗値な
どの電気的特性のばらつきが小さい高精度のセラミック
電子部品とその特性値調整方法を提供することである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
セラミック素体と、セラミック素体の一方の主面に、間
隔をおいて各一端が互いに対向するように形成された一
対の第１、第２表面電極と、各第１、第２表面電極の他
端と電気接続し、セラミック素体の端部に形成された一
対の端子電極と、からなるセラミック電子部品である。
セラミック素体と、セラミック素体の一方の主面に、間
隔をおいて各一端が互いに対向するように形成された一
対の第１、第２表面電極と、各第１、第２表面電極の他
端と電気接続し、セラミック素体の端部に形成された一
対の端子電極と、からなるセラミック電子部品である。
【００１８】請求項２に係る発明は、セラミック素体
と、セラミック素体の一方の主面と他方の主面にそれぞ
れ形成された第１表面電極および第２表面電極と、各第
１、第２表面電極の他端と電気接続し、セラミック素体
の端部に形成された一対の端子電極とからなり、第１表
面電極は、その一端がセラミック素体の一方の端部から
他方の端部へ延びるように形成され、第２表面電極は、
その一端がセラミック素体の他方の端部から一方の端部
へ延びるように形成されているセラミック電子部品であ
る。
と、セラミック素体の一方の主面と他方の主面にそれぞ
れ形成された第１表面電極および第２表面電極と、各第
１、第２表面電極の他端と電気接続し、セラミック素体
の端部に形成された一対の端子電極とからなり、第１表
面電極は、その一端がセラミック素体の一方の端部から
他方の端部へ延びるように形成され、第２表面電極は、
その一端がセラミック素体の他方の端部から一方の端部
へ延びるように形成されているセラミック電子部品であ
る。
【００１９】請求項３に係る発明は、セラミック素体
と、セラミック素体の一方の主面に、その一端がセラミ
ック素体の一方の端部から他方の端部へ延びるように形
成された表面電極と、セラミック素体の内部に、その一
端がセラミック素体の他方の端部から一方の端部へ延び
るように形成された内部電極と、セラミック素体の一方
の端部に形成され、表面電極の一端と電気接続する一方
の端子電極と、セラミック素体の他方の端部に形成さ
れ、内部電極の一端と電気接続する他方の端子電極と、
からなるセラミック電子部品である。
と、セラミック素体の一方の主面に、その一端がセラミ
ック素体の一方の端部から他方の端部へ延びるように形
成された表面電極と、セラミック素体の内部に、その一
端がセラミック素体の他方の端部から一方の端部へ延び
るように形成された内部電極と、セラミック素体の一方
の端部に形成され、表面電極の一端と電気接続する一方
の端子電極と、セラミック素体の他方の端部に形成さ
れ、内部電極の一端と電気接続する他方の端子電極と、
からなるセラミック電子部品である。
【００２０】請求項４に係る発明は、セラミック素体
と、セラミック素体の一方の主面と他方の主面に、その
一端がセラミック素体の一方の端部から他方の端部へ延
びるようにそれぞれ形成された第１表面電極および第２
表面電極と、セラミック素体の内部に、その一端がセラ
ミック素体の他方の端部から一方の端部へ延びるように
形成された内部電極と、各第１、第２表面電極の他端と
電気接続し、セラミック素体の端部に形成された一方の
端子電極と、内部電極の他端と電気接続し、セラミック
素体の端部に形成された他方の端子電極と、からなるセ
ラミック電子部品である。
と、セラミック素体の一方の主面と他方の主面に、その
一端がセラミック素体の一方の端部から他方の端部へ延
びるようにそれぞれ形成された第１表面電極および第２
表面電極と、セラミック素体の内部に、その一端がセラ
ミック素体の他方の端部から一方の端部へ延びるように
形成された内部電極と、各第１、第２表面電極の他端と
電気接続し、セラミック素体の端部に形成された一方の
端子電極と、内部電極の他端と電気接続し、セラミック
素体の端部に形成された他方の端子電極と、からなるセ
ラミック電子部品である。
【００２１】請求項５に係る発明は、セラミック素体
と、セラミック素体の一方の主面と他方の主面に、その
一端がセラミック素体の一方の端部から他方の端部へ延
びるようにそれぞれ形成された第１表面電極および第２
表面電極と、セラミック素体の内部に、その一端がセラ
ミック素体の他方の端部から一方の端部へ延びるように
形成された複数層の内部電極と、各第１、第２表面電極
の他端と電気接続し、セラミック素体の端部に形成され
た一方の端子電極と、内部電極の他端と電気接続し、セ
ラミック素体の端部に形成された他方の端子電極と、か
らなるセラミック電子部品である。
と、セラミック素体の一方の主面と他方の主面に、その
一端がセラミック素体の一方の端部から他方の端部へ延
びるようにそれぞれ形成された第１表面電極および第２
表面電極と、セラミック素体の内部に、その一端がセラ
ミック素体の他方の端部から一方の端部へ延びるように
形成された複数層の内部電極と、各第１、第２表面電極
の他端と電気接続し、セラミック素体の端部に形成され
た一方の端子電極と、内部電極の他端と電気接続し、セ
ラミック素体の端部に形成された他方の端子電極と、か
らなるセラミック電子部品である。
【００２２】請求項６に係る発明は、表面電極が、セラ
ミック素体よりも硬度が小さなものであるセラミック電
子部品である。
ミック素体よりも硬度が小さなものであるセラミック電
子部品である。
【００２３】請求項７に係る発明は、表面電極が、その
先端が鋭角な形状を有しているセラミック電子部品であ
る。
先端が鋭角な形状を有しているセラミック電子部品であ
る。
【００２４】請求項８に係る発明は、セラミック素体
が、正特性サーミスタ素体、負特性サーミスタ素体、コ
ンデンサ素体、インダクタ素体、バリスタ素体、固定抵
抗素体のいずれか、またはこれらの複合体であるセラミ
ック電子部品である。
が、正特性サーミスタ素体、負特性サーミスタ素体、コ
ンデンサ素体、インダクタ素体、バリスタ素体、固定抵
抗素体のいずれか、またはこれらの複合体であるセラミ
ック電子部品である。
【００２５】請求項９に係る発明は、請求項１ないし請
求項８のいずれかに記載のセラミック電子部品を対象と
し、表面電極の一部を除去するセラミック電子部品の特
性値調整方法である。
求項８のいずれかに記載のセラミック電子部品を対象と
し、表面電極の一部を除去するセラミック電子部品の特
性値調整方法である。
【００２６】請求項１０に係る発明は、請求項１ないし
請求項８のいずれかに記載のセラミック電子部品を対象
とし、表面電極の一部をバレル研磨法またはサンドブラ
スト法で除去するセラミック電子部品の特性値調整方法
である。
請求項８のいずれかに記載のセラミック電子部品を対象
とし、表面電極の一部をバレル研磨法またはサンドブラ
スト法で除去するセラミック電子部品の特性値調整方法
である。
【００２７】
【作用】この発明のセラミック電子部品によれば、セラ
ミック素体に表面電極およびまたは内部電極を設けてお
き、表面電極の一部を除去できる構造とすることによ
り、表面電極の一部を削ることにより表面電極間または
表面電極と内部電極の電極間の距離を調整でき、様々な
特性値のセラミック電子部品を得られるとともに、ばら
つきの小さいセラミック電子部品が得られ、特性値を容
易に高精度化することができる。
ミック素体に表面電極およびまたは内部電極を設けてお
き、表面電極の一部を除去できる構造とすることによ
り、表面電極の一部を削ることにより表面電極間または
表面電極と内部電極の電極間の距離を調整でき、様々な
特性値のセラミック電子部品を得られるとともに、ばら
つきの小さいセラミック電子部品が得られ、特性値を容
易に高精度化することができる。
【００２８】さらに、この発明のセラミック電子部品の
特性値調整方法によれば、表面電極の一部を削ること
で、簡易に、大量に特性値調整が行える。なお、ここで
特性値とは、正特性サーミスタ、負特性サーミスタ、バ
リスタ、固定抵抗については抵抗値を対象としているこ
とを意味する。また、コンデンサについては静電容量値
を対象としていることを意味する。さらに、インダクタ
についてはインダクタンス値を対象としていることを意
味する。
特性値調整方法によれば、表面電極の一部を削ること
で、簡易に、大量に特性値調整が行える。なお、ここで
特性値とは、正特性サーミスタ、負特性サーミスタ、バ
リスタ、固定抵抗については抵抗値を対象としているこ
とを意味する。また、コンデンサについては静電容量値
を対象としていることを意味する。さらに、インダクタ
についてはインダクタンス値を対象としていることを意
味する。
【００２９】
【実施例】以下、この発明に係るセラミック電子部品の
実施例を図面に基づいて説明する。なお、上記の従来技
術に相当する部分については、同一符号を付して説明す
る。
実施例を図面に基づいて説明する。なお、上記の従来技
術に相当する部分については、同一符号を付して説明す
る。
【００３０】図１は第１の実施例であり、セラミック電
子部品として負特性サーミスタを例とした斜視図であ
り、図２は図１のＡ−Ａ線の断面図である。
子部品として負特性サーミスタを例とした斜視図であ
り、図２は図１のＡ−Ａ線の断面図である。
【００３１】負特性サーミスタ４ａは、負の抵抗温度特
性を有するセラミック素体１の一方の主面に、間隔をお
いて各一端が互いに対向するように形成された一対の第
１表面電極２ａ、第２表面電極２ｂを形成し、負の抵抗
温度特性を有するセラミック素体１の端部には、第１表
面電極２ａの他端と電気的に接続する端子電極３ａ、第
２表面電極２ｂの他端と電気的に接続する端子電極３ｂ
を一対形成している。
性を有するセラミック素体１の一方の主面に、間隔をお
いて各一端が互いに対向するように形成された一対の第
１表面電極２ａ、第２表面電極２ｂを形成し、負の抵抗
温度特性を有するセラミック素体１の端部には、第１表
面電極２ａの他端と電気的に接続する端子電極３ａ、第
２表面電極２ｂの他端と電気的に接続する端子電極３ｂ
を一対形成している。
【００３２】より具体的には、負の抵抗温度特性を有す
るセラミック素体１は、酸化マンガン、酸化ニッケル、
酸化コバルト、酸化鉄、酸化銅などを所定の比率で調合
し、仮焼し、仮焼後、粉砕、成形、焼成して得る。得ら
れた負の抵抗温度特性を有するセラミック素体１の一方
の主面に、表面電極２ａ，２ｂとなるＡｇ−Ｐｄの導電
ペーストを塗布し、さらに前記表面電極２ａ，２ｂと電
気接続して、端子電極３ａ，３ｂとなるＡｇ等の導電ペ
ーストを負の抵抗温度特性を有するセラミック素体１の
両端部に塗布し焼き付けて負特性サーミスタ４ａが得ら
れる。なお、負の抵抗温度特性を有するセラミック素体
１は、セラミックグリーンシートを用いて製造してもよ
い。
るセラミック素体１は、酸化マンガン、酸化ニッケル、
酸化コバルト、酸化鉄、酸化銅などを所定の比率で調合
し、仮焼し、仮焼後、粉砕、成形、焼成して得る。得ら
れた負の抵抗温度特性を有するセラミック素体１の一方
の主面に、表面電極２ａ，２ｂとなるＡｇ−Ｐｄの導電
ペーストを塗布し、さらに前記表面電極２ａ，２ｂと電
気接続して、端子電極３ａ，３ｂとなるＡｇ等の導電ペ
ーストを負の抵抗温度特性を有するセラミック素体１の
両端部に塗布し焼き付けて負特性サーミスタ４ａが得ら
れる。なお、負の抵抗温度特性を有するセラミック素体
１は、セラミックグリーンシートを用いて製造してもよ
い。
【００３３】図３は第２の実施例であり、セラミック電
子部品として負特性サーミスタを例とした斜視図であ
り、図４は図３のＢ−Ｂ線の断面図である。
子部品として負特性サーミスタを例とした斜視図であ
り、図４は図３のＢ−Ｂ線の断面図である。
【００３４】負特性サーミスタ４ｂは、負の抵抗温度特
性を有するセラミック素体１の一方の主面と他方の主面
にそれぞれ形成された第１表面電極２ａおよび第２表面
電極２ｂと、第１表面電極２ａ、第２表面電極２ｂの他
端と電気的に接続し、負の抵抗温度特性を有するセラミ
ック素体１の端部に形成された一対の端子電極３ａ，３
ｂとからなる。
性を有するセラミック素体１の一方の主面と他方の主面
にそれぞれ形成された第１表面電極２ａおよび第２表面
電極２ｂと、第１表面電極２ａ、第２表面電極２ｂの他
端と電気的に接続し、負の抵抗温度特性を有するセラミ
ック素体１の端部に形成された一対の端子電極３ａ，３
ｂとからなる。
【００３５】そして、第１表面電極２ａはその一端が負
の抵抗温度特性を有するセラミック素体１の一方の端部
から他方の端部へ延びるように形成され、第２表面電極
２ｂはその一端が負の抵抗温度特性を有するセラミック
素体１の他方の端部から一方の端部へ延びるように形成
されている。図３，図４に示した負特性サーミスタ４ｂ
は第１の実施例と同じ材料、製造方法で得られる。
の抵抗温度特性を有するセラミック素体１の一方の端部
から他方の端部へ延びるように形成され、第２表面電極
２ｂはその一端が負の抵抗温度特性を有するセラミック
素体１の他方の端部から一方の端部へ延びるように形成
されている。図３，図４に示した負特性サーミスタ４ｂ
は第１の実施例と同じ材料、製造方法で得られる。
【００３６】図５は第３の実施例であり、セラミック電
子部品として負特性サーミスタを例とした斜視図であ
り、図６は図５のＣ−Ｃ線の断面図、図７は図５のＤ−
Ｄ線の断面図である。
子部品として負特性サーミスタを例とした斜視図であ
り、図６は図５のＣ−Ｃ線の断面図、図７は図５のＤ−
Ｄ線の断面図である。
【００３７】負特性サーミスタ４ｃは、負の抵抗温度特
性を有するセラミック素体１の一方の主面に、その一端
が負の抵抗温度特性を有するセラミック素体１の一方の
端部から他方の端部へ延びるように形成された表面電極
２ａと、負の抵抗温度特性を有するセラミック素体１の
内部に、その一端が負の抵抗温度特性を有するセラミッ
ク素体１の他方の端部から一方の端部へ延びるように形
成された内部電極５ｂとからなる。
性を有するセラミック素体１の一方の主面に、その一端
が負の抵抗温度特性を有するセラミック素体１の一方の
端部から他方の端部へ延びるように形成された表面電極
２ａと、負の抵抗温度特性を有するセラミック素体１の
内部に、その一端が負の抵抗温度特性を有するセラミッ
ク素体１の他方の端部から一方の端部へ延びるように形
成された内部電極５ｂとからなる。
【００３８】そして、負の抵抗温度特性を有するセラミ
ック素体１の一方の端部に、表面電極２ａの一端と電気
的に接続する一方の端子電極３ａが、負の抵抗温度特性
を有するセラミック素体１の他方の端部に、内部電極５
ｂの一端と電気的に接続する他方の端子電極３ｂが形成
されている。
ック素体１の一方の端部に、表面電極２ａの一端と電気
的に接続する一方の端子電極３ａが、負の抵抗温度特性
を有するセラミック素体１の他方の端部に、内部電極５
ｂの一端と電気的に接続する他方の端子電極３ｂが形成
されている。
【００３９】図８は、負特性サーミスタ４ｃの製造方法
を説明するための分解平面図である。Ｍｎ−Ｎｉ−Ｃｏ
−Ｆｅからなるセラミックグリーンシート６ａ，６ｂ，
６ｃは次のように準備される。つまり、セラミック粉末
にバインダと溶剤を添加して混合したスラリーからセラ
ミックグリーンシート６ａ，６ｂ，６ｃを成形する。
を説明するための分解平面図である。Ｍｎ−Ｎｉ−Ｃｏ
−Ｆｅからなるセラミックグリーンシート６ａ，６ｂ，
６ｃは次のように準備される。つまり、セラミック粉末
にバインダと溶剤を添加して混合したスラリーからセラ
ミックグリーンシート６ａ，６ｂ，６ｃを成形する。
【００４０】セラミックグリーンシート６ａ，６ｂ上に
は、それぞれ表面電極２ａ、内部電極５ｂとなる導体パ
ターン７ａ，８ｂが形成されている。これら導体パター
ン７ａ，８ｂは、Ａｇ−Ｐｄを主成分とするペーストで
印刷により形成される。導体パターン７ａ，８ｂは一例
であり、形状は図のものに限らない。
は、それぞれ表面電極２ａ、内部電極５ｂとなる導体パ
ターン７ａ，８ｂが形成されている。これら導体パター
ン７ａ，８ｂは、Ａｇ−Ｐｄを主成分とするペーストで
印刷により形成される。導体パターン７ａ，８ｂは一例
であり、形状は図のものに限らない。
【００４１】上記のパターンを形成したセラミックグリ
ーンシート６ａ，６ｂ，６ｃを矢印の順序に積層し、１
０００kg/cm2の圧力で圧着し、所定の大きさ、例えば焼
成後の形状が、４．５×３．２×１．２mmになるように
切断し、１０００℃で２時間焼成して、負の抵抗温度特
性を有するセラミック素体１が得られる。
ーンシート６ａ，６ｂ，６ｃを矢印の順序に積層し、１
０００kg/cm2の圧力で圧着し、所定の大きさ、例えば焼
成後の形状が、４．５×３．２×１．２mmになるように
切断し、１０００℃で２時間焼成して、負の抵抗温度特
性を有するセラミック素体１が得られる。
【００４２】この負の抵抗温度特性を有するセラミック
素体１に第１の実施例と同じ方法で端子電極３ａ，３ｂ
を形成し、負特性サーミスタ４ｃが得られる。セラミッ
クグリーンシート６ａと６ｂの間に、ダミーのセラミッ
クグリーンシート６ｃを任意の枚数積層することにより
抵抗値を変えることができる。
素体１に第１の実施例と同じ方法で端子電極３ａ，３ｂ
を形成し、負特性サーミスタ４ｃが得られる。セラミッ
クグリーンシート６ａと６ｂの間に、ダミーのセラミッ
クグリーンシート６ｃを任意の枚数積層することにより
抵抗値を変えることができる。
【００４３】図９は、第４の実施例であり、セラミック
電子部品として負特性サーミスタを例とした斜視図であ
り、図１０は図９のＥ−Ｅ線の断面図である。
電子部品として負特性サーミスタを例とした斜視図であ
り、図１０は図９のＥ−Ｅ線の断面図である。
【００４４】負特性サーミスタ４ｄは、負の抵抗温度特
性を有するセラミック素体１の一方の主面と他方の主面
に、その一端が負の抵抗温度特性を有するセラミック素
体１の一方の端部から他方の端部へ延びるようにそれぞ
れ形成された第１表面電極２ａおよび第２表面電極２ｃ
と、負の抵抗温度特性を有するセラミック素体１の内部
に、その一端が負の抵抗温度特性を有するセラミック素
体１の他方の端部から一方の端部へ延びるように形成さ
れた内部電極５ｂとからなる。
性を有するセラミック素体１の一方の主面と他方の主面
に、その一端が負の抵抗温度特性を有するセラミック素
体１の一方の端部から他方の端部へ延びるようにそれぞ
れ形成された第１表面電極２ａおよび第２表面電極２ｃ
と、負の抵抗温度特性を有するセラミック素体１の内部
に、その一端が負の抵抗温度特性を有するセラミック素
体１の他方の端部から一方の端部へ延びるように形成さ
れた内部電極５ｂとからなる。
【００４５】そして、第１表面電極２ａ、第２表面電極
２ｃの他端と電気的に接続し、負の抵抗温度特性を有す
るセラミック素体１の端部に一方の端子電極３ａが、内
部電極２ｂの他端と電気的に接続し、負の抵抗温度特性
を有するセラミック素体１の端部に他方の端子電極３ｂ
が形成されている。
２ｃの他端と電気的に接続し、負の抵抗温度特性を有す
るセラミック素体１の端部に一方の端子電極３ａが、内
部電極２ｂの他端と電気的に接続し、負の抵抗温度特性
を有するセラミック素体１の端部に他方の端子電極３ｂ
が形成されている。
【００４６】図１１は、負特性サーミスタ４ｄの製造方
法を説明するための分解平面図である。第３の実施例で
示した製造方法と同様にセラミックグリーンシート６
ａ，６ｂを準備し、図１１の矢印の順序に積層、焼成し
て負の抵抗温度特性を有するセラミック素体１を得る。
この負の抵抗温度特性を有するセラミック素体１の端部
に第３の実施例と同じ方法で端子電極３ａ，３ｂを形成
することにより負特性サーミスタ４ｄが得られる。
法を説明するための分解平面図である。第３の実施例で
示した製造方法と同様にセラミックグリーンシート６
ａ，６ｂを準備し、図１１の矢印の順序に積層、焼成し
て負の抵抗温度特性を有するセラミック素体１を得る。
この負の抵抗温度特性を有するセラミック素体１の端部
に第３の実施例と同じ方法で端子電極３ａ，３ｂを形成
することにより負特性サーミスタ４ｄが得られる。
【００４７】図１１では第３の実施例において図８に示
したダミーのセラミックグリーンシート６ｃは図示され
ていないが、セラミックグリーンシート６ａとセラミッ
クグリーンシート６ｂの間に任意の枚数のセラミックグ
リーンシート６ｃを積層することにより抵抗値を変える
ことができる。
したダミーのセラミックグリーンシート６ｃは図示され
ていないが、セラミックグリーンシート６ａとセラミッ
クグリーンシート６ｂの間に任意の枚数のセラミックグ
リーンシート６ｃを積層することにより抵抗値を変える
ことができる。
【００４８】図１２は、第５の実施例であり、セラミッ
ク電子部品として負特性サーミスタを例とした断面図で
あり、この負特性サーミスタ４ｅの外観は負特性サーミ
スタ４ｄと同じものであり、斜視図は省略して、図９の
Ｅ−Ｅ線に相当する断面図を示す。
ク電子部品として負特性サーミスタを例とした断面図で
あり、この負特性サーミスタ４ｅの外観は負特性サーミ
スタ４ｄと同じものであり、斜視図は省略して、図９の
Ｅ−Ｅ線に相当する断面図を示す。
【００４９】負特性サーミスタ４ｅは、負の抵抗温度特
性を有するセラミック素体１の一方の主面と他方の主面
に、その一端が負の抵抗温度特性を有するセラミック素
体１の一方の端部から他方の端部へ延びるようにそれぞ
れ形成された第１表面電極２ａおよび第２表面電極２ｃ
と、負の抵抗温度特性を有するセラミック素体１の内部
に、その一端が負の抵抗温度特性を有するセラミック素
体１の他方の端部から一方の端部へ延びるように形成さ
れた複数の内部電極５ｂ，５ｃとからなる。
性を有するセラミック素体１の一方の主面と他方の主面
に、その一端が負の抵抗温度特性を有するセラミック素
体１の一方の端部から他方の端部へ延びるようにそれぞ
れ形成された第１表面電極２ａおよび第２表面電極２ｃ
と、負の抵抗温度特性を有するセラミック素体１の内部
に、その一端が負の抵抗温度特性を有するセラミック素
体１の他方の端部から一方の端部へ延びるように形成さ
れた複数の内部電極５ｂ，５ｃとからなる。
【００５０】そして、第１表面電極２ａ、第２表面電極
２ｃの他端と電気的に接続し、負の抵抗温度特性を有す
るセラミック素体１の端部に一方の端子電極３ａが、内
部電極５ｂ，５ｃの他端と電気的に接続し、負の抵抗温
度特性を有するセラミック素体１の端部に他方の端子電
極３ｂが形成されている。
２ｃの他端と電気的に接続し、負の抵抗温度特性を有す
るセラミック素体１の端部に一方の端子電極３ａが、内
部電極５ｂ，５ｃの他端と電気的に接続し、負の抵抗温
度特性を有するセラミック素体１の端部に他方の端子電
極３ｂが形成されている。
【００５１】図１３は、負特性サーミスタ４ｅの製造方
法を説明するための分解平面図である。第３の実施例で
示した製造方法と同様にセラミックグリーンシート６
ａ，６ｂを準備し、図１３に示した矢印の順序に積層、
焼成して負の抵抗温度特性を有するセラミック素体１を
得る。この負の抵抗温度特性を有するセラミック素体１
の端部に第３の実施例と同じ方法で端子電極３ａ，３ｂ
を形成することにより、負特性サーミスタ４ｅが得られ
る。
法を説明するための分解平面図である。第３の実施例で
示した製造方法と同様にセラミックグリーンシート６
ａ，６ｂを準備し、図１３に示した矢印の順序に積層、
焼成して負の抵抗温度特性を有するセラミック素体１を
得る。この負の抵抗温度特性を有するセラミック素体１
の端部に第３の実施例と同じ方法で端子電極３ａ，３ｂ
を形成することにより、負特性サーミスタ４ｅが得られ
る。
【００５２】図１３では第３の実施例において図８に示
したダミーのセラミックグリーンシート６ｃは図示され
ていないが、セラミックグリーンシート６ａとセラミッ
クグリーンシート６ｂの間に任意の枚数のセラミックグ
リーンシート６ｃを積層することにより抵抗値を変える
ことができる。
したダミーのセラミックグリーンシート６ｃは図示され
ていないが、セラミックグリーンシート６ａとセラミッ
クグリーンシート６ｂの間に任意の枚数のセラミックグ
リーンシート６ｃを積層することにより抵抗値を変える
ことができる。
【００５３】次に、前記の各実施例で得られたセラミッ
ク電子部品について、抵抗値を調整する方法を説明す
る。この抵抗値調整は、表面電極の一部をバレル研磨法
またはサンドブラスト法で除去する方法である。
ク電子部品について、抵抗値を調整する方法を説明す
る。この抵抗値調整は、表面電極の一部をバレル研磨法
またはサンドブラスト法で除去する方法である。
【００５４】第１の実施例の場合、負特性サーミスタ４
ａについてバレル研磨法またはサンドブラスト法を施
し、表面電極２ａ，２ｂの先端部を含めて削ることで、
表面電極２ａ，２ｂ間の距離Ｌ2が変化し、抵抗値が調
整される。なお、このときに負の抵抗温度特性を有する
セラミック素体１の一部が削られる場合もあり、この場
合においては抵抗値の調整に部分的に寄与することにな
る。
ａについてバレル研磨法またはサンドブラスト法を施
し、表面電極２ａ，２ｂの先端部を含めて削ることで、
表面電極２ａ，２ｂ間の距離Ｌ2が変化し、抵抗値が調
整される。なお、このときに負の抵抗温度特性を有する
セラミック素体１の一部が削られる場合もあり、この場
合においては抵抗値の調整に部分的に寄与することにな
る。
【００５５】第２の実施例の場合、負特性サーミスタ４
ｂについてバレル研磨法またはサンドブラスト法を施
し、表面電極２ａ，２ｂの先端部を含めて削ることで、
両表面電極２ａ，２ｂ間の距離Ｌ4と表面電極２ａ，２
ｂと端子電極３ｂ，３ａ間の距離Ｌ3が変化し、抵抗値
が調整される。なお、このときに負の抵抗温度特性を有
するセラミック素体１の一部が削られる場合もあり、こ
の場合においては抵抗値の調整に部分的に寄与すること
になる。
ｂについてバレル研磨法またはサンドブラスト法を施
し、表面電極２ａ，２ｂの先端部を含めて削ることで、
両表面電極２ａ，２ｂ間の距離Ｌ4と表面電極２ａ，２
ｂと端子電極３ｂ，３ａ間の距離Ｌ3が変化し、抵抗値
が調整される。なお、このときに負の抵抗温度特性を有
するセラミック素体１の一部が削られる場合もあり、こ
の場合においては抵抗値の調整に部分的に寄与すること
になる。
【００５６】第３の実施例の場合、負特性サーミスタ４
ｃについてバレル研磨法またはサンドブラスト法を施
し、表面電極２ａの先端部を含めて削ることで、表面電
極２ａと端子電極３ｂの距離Ｌ6や表面電極２ａと内部
電極５ｂ間の距離Ｌ7が変化し、抵抗値が調整される。
なお、このときに負の抵抗温度特性を有するセラミック
素体１の一部が削られる場合もあり、この場合において
は抵抗値の調整に部分的に寄与することになる。
ｃについてバレル研磨法またはサンドブラスト法を施
し、表面電極２ａの先端部を含めて削ることで、表面電
極２ａと端子電極３ｂの距離Ｌ6や表面電極２ａと内部
電極５ｂ間の距離Ｌ7が変化し、抵抗値が調整される。
なお、このときに負の抵抗温度特性を有するセラミック
素体１の一部が削られる場合もあり、この場合において
は抵抗値の調整に部分的に寄与することになる。
【００５７】第４の実施例の場合、負特性サーミスタ４
ｄについてバレル研磨法またはサンドブラスト法を施
し、表面電極２ａ，２ｃの先端部を含めて削ることで、
表面電極２ａ，２ｃと端子電極３ｂの距離Ｌ10や表面電
極２ａ，２ｃと内部電極５ｂ間の距離Ｌ11が変化し、抵
抗値が調整される。なお、このときに負の抵抗温度特性
を有するセラミック素体１の一部が削られる場合もあ
り、この場合においては抵抗値の調整に部分的に寄与す
ることになる。
ｄについてバレル研磨法またはサンドブラスト法を施
し、表面電極２ａ，２ｃの先端部を含めて削ることで、
表面電極２ａ，２ｃと端子電極３ｂの距離Ｌ10や表面電
極２ａ，２ｃと内部電極５ｂ間の距離Ｌ11が変化し、抵
抗値が調整される。なお、このときに負の抵抗温度特性
を有するセラミック素体１の一部が削られる場合もあ
り、この場合においては抵抗値の調整に部分的に寄与す
ることになる。
【００５８】第５の実施例の場合、負特性サーミスタ４
ｅについてバレル研磨法またはサンドブラスト法を施
し、表面電極２ａ，２ｃの先端部を含めて削ることで、
表面電極２ａ，２ｃと端子電極３ｂの距離Ｌ12や表面電
極２ａ，２ｃと内部電極５ｂ，５ｃ間の距離Ｌ13が変化
し、抵抗値が調整される。なお、このときに負の抵抗温
度特性を有するセラミック素体１の一部が削られる場合
もあり、この場合においては抵抗値の調整に部分的に寄
与することになる。
ｅについてバレル研磨法またはサンドブラスト法を施
し、表面電極２ａ，２ｃの先端部を含めて削ることで、
表面電極２ａ，２ｃと端子電極３ｂの距離Ｌ12や表面電
極２ａ，２ｃと内部電極５ｂ，５ｃ間の距離Ｌ13が変化
し、抵抗値が調整される。なお、このときに負の抵抗温
度特性を有するセラミック素体１の一部が削られる場合
もあり、この場合においては抵抗値の調整に部分的に寄
与することになる。
【００５９】抵抗値を調整するには、硬いセラミックを
削って調整するよりも、一般的にセラミックより柔らか
い表面電極を削る方が調整し易く効果的である。このた
め、表面電極の形状をバレル研磨等の研削によって、電
極形状が変化し易いようにその先端に鋭角部などを有す
るようにしてもよい。
削って調整するよりも、一般的にセラミックより柔らか
い表面電極を削る方が調整し易く効果的である。このた
め、表面電極の形状をバレル研磨等の研削によって、電
極形状が変化し易いようにその先端に鋭角部などを有す
るようにしてもよい。
【００６０】例えば、図１４（ａ）〜図１４（ｌ）は、
図１に示した表面電極２ａ，２ｂの代わりに、他の形状
の表面電極７ｄ〜７ｏ，８ｄ〜８ｏを示す平面図であ
る。なお、図３〜図７、図９、図１０および図１２に示
す表面電極２ａ，２ｂの代わりに、表面電極７ｄ〜７
ｏ，８ｄ〜８ｏを形成してもよい。
図１に示した表面電極２ａ，２ｂの代わりに、他の形状
の表面電極７ｄ〜７ｏ，８ｄ〜８ｏを示す平面図であ
る。なお、図３〜図７、図９、図１０および図１２に示
す表面電極２ａ，２ｂの代わりに、表面電極７ｄ〜７
ｏ，８ｄ〜８ｏを形成してもよい。
【００６１】これら表面電極７ｄ〜７ｏ，８ｄ〜８ｏの
形状は、抵抗値や用途によりそれぞれ組み合わせて用い
られるものである。例えば、図１４（ａ），図１４
（ｂ），図１４（ｄ）〜図１４（ｆ）の様に導体パター
ン７ｄ，７ｅ，７ｇ〜７ｉ、導体パターン８ｄ，８ｅ，
８ｇ〜８ｉの先端を鋭角化することで、削られ易くなっ
ている。また、図１４（ｇ）〜図１４（ｌ）は導体パタ
ーン７ｊ〜７ｏ、導体パターン８ｊ〜８ｏの電極幅が狭
いことで削られ易くなっている。
形状は、抵抗値や用途によりそれぞれ組み合わせて用い
られるものである。例えば、図１４（ａ），図１４
（ｂ），図１４（ｄ）〜図１４（ｆ）の様に導体パター
ン７ｄ，７ｅ，７ｇ〜７ｉ、導体パターン８ｄ，８ｅ，
８ｇ〜８ｉの先端を鋭角化することで、削られ易くなっ
ている。また、図１４（ｇ）〜図１４（ｌ）は導体パタ
ーン７ｊ〜７ｏ、導体パターン８ｊ〜８ｏの電極幅が狭
いことで削られ易くなっている。
【００６２】また、端子電極３ａ，３ｂは、表面電極２
ａ，２ｂ，２ｃ、内部電極５ｂ，５ｃの基部より小さく
設ける方が、端子電極３ａ，３ｂによる抵抗値変動の影
響を少なくできるので良い。また、表面電極２ａ，２
ｂ，２ｃと内部電極５ｂ，５ｃは厚み方向に重なり合わ
ないよう形成した方が、導体部の厚み方向の寸法を、耐
電圧等の要因に制限されずに、バレル研磨法やサンドブ
ラスト法での抵抗値の調整能力を制御することに使用で
きるので良い。
ａ，２ｂ，２ｃ、内部電極５ｂ，５ｃの基部より小さく
設ける方が、端子電極３ａ，３ｂによる抵抗値変動の影
響を少なくできるので良い。また、表面電極２ａ，２
ｂ，２ｃと内部電極５ｂ，５ｃは厚み方向に重なり合わ
ないよう形成した方が、導体部の厚み方向の寸法を、耐
電圧等の要因に制限されずに、バレル研磨法やサンドブ
ラスト法での抵抗値の調整能力を制御することに使用で
きるので良い。
【００６３】また、第１の実施例や第３の実施例のセラ
ミック電子部品４ａ，４ｃは負の抵抗温度特性を有する
セラミック素体１の一方の主面のみに表面電極２ａ，２
ｂを設けているため、配線基板に実装する際、半田ブリ
ッジによる短絡現象を発生させることがないという利点
も兼ね備えている。
ミック電子部品４ａ，４ｃは負の抵抗温度特性を有する
セラミック素体１の一方の主面のみに表面電極２ａ，２
ｂを設けているため、配線基板に実装する際、半田ブリ
ッジによる短絡現象を発生させることがないという利点
も兼ね備えている。
【００６４】さらに、上記の負の抵抗温度特性を有する
セラミック素体としては、マンガン、ニッケル、コバル
ト、銅、鉄に限らず、負の抵抗温度特性を示すセラミッ
ク、例えばＢａＴｉｏ3にＬｉ2Ｏ3を添加したものや、
希土類元素系酸化物の一例としてランタンコバルト系酸
化物などでも良い。
セラミック素体としては、マンガン、ニッケル、コバル
ト、銅、鉄に限らず、負の抵抗温度特性を示すセラミッ
ク、例えばＢａＴｉｏ3にＬｉ2Ｏ3を添加したものや、
希土類元素系酸化物の一例としてランタンコバルト系酸
化物などでも良い。
【００６５】上記の負特性サーミスタ以外に、誘電体、
磁性体、抵抗体、バリスタ、正特性サーミスタなどのセ
ラミック材料を用いて、コンデンサ、インダクタ、抵抗
体、バリスタ、正特性サーミスタなどのセラミック電子
部品にも適用することができる。また、セラミック電子
部品は、負特性サーミスタのみの構成に限らず、例え
ば、負特性サーミスタと正特性サーミスタを一体化した
複合電子部品にも適用できる。
磁性体、抵抗体、バリスタ、正特性サーミスタなどのセ
ラミック材料を用いて、コンデンサ、インダクタ、抵抗
体、バリスタ、正特性サーミスタなどのセラミック電子
部品にも適用することができる。また、セラミック電子
部品は、負特性サーミスタのみの構成に限らず、例え
ば、負特性サーミスタと正特性サーミスタを一体化した
複合電子部品にも適用できる。
【００６６】また、セラミック電子部品の形状は特に限
定されるものではなく、実施例で示した角板状に限ら
ず、円板状など、少なくとも一対の平行面を有する板状
であれば良い。
定されるものではなく、実施例で示した角板状に限ら
ず、円板状など、少なくとも一対の平行面を有する板状
であれば良い。
【００６７】電極の材料としては、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、
Ｃｕ、Ｎｉあるいはそれらの合金でも良い。また、電極
の形成方法はめっき、塗布、蒸着、スパッタリング等や
未焼成のセラミック素体に電極となる導電性ペーストを
形成して、セラミック素体を焼成するときに、同時に電
極を形成しても良い。
Ｃｕ、Ｎｉあるいはそれらの合金でも良い。また、電極
の形成方法はめっき、塗布、蒸着、スパッタリング等や
未焼成のセラミック素体に電極となる導電性ペーストを
形成して、セラミック素体を焼成するときに、同時に電
極を形成しても良い。
【００６８】
【発明の効果】この発明のセラミック電子部品によれ
ば、表面電極、または表面電極と内部電極を形成した構
造からなるため、表面電極間または表面電極と内部電極
間の距離をいろいろ変化させて抵抗値を変えることがで
きる。
ば、表面電極、または表面電極と内部電極を形成した構
造からなるため、表面電極間または表面電極と内部電極
間の距離をいろいろ変化させて抵抗値を変えることがで
きる。
【００６９】また、セラミックの一方の主面あるいは両
主面に表面電極を設け、この表面電極の一部を除去する
ことで、簡易に特性値が調整ができるようになり、さら
に、表面電極の先端を鋭角化したり、細くしているの
で、バレル研磨法またはサンドブラスト法等の研削方法
にて特性値を高精度に調整できる。
主面に表面電極を設け、この表面電極の一部を除去する
ことで、簡易に特性値が調整ができるようになり、さら
に、表面電極の先端を鋭角化したり、細くしているの
で、バレル研磨法またはサンドブラスト法等の研削方法
にて特性値を高精度に調整できる。
【００７０】この発明のセラミック電子部品の特性値調
整方法によれば、表面電極の一部を除去するという簡単
な方法で特性値が調整できる。しかも、バレル研磨法ま
たはサンドブラスト法等の方法で、大量処理ができ、な
おかつ高精度に特性値調整ができる。
整方法によれば、表面電極の一部を除去するという簡単
な方法で特性値が調整できる。しかも、バレル研磨法ま
たはサンドブラスト法等の方法で、大量処理ができ、な
おかつ高精度に特性値調整ができる。
【図１】この発明の第１の実施例のセラミック電子部品
の斜視図である。
の斜視図である。
【図２】この発明の第１の実施例のセラミック電子部品
の図１のＡ−Ａ線の断面図である。
の図１のＡ−Ａ線の断面図である。
【図３】この発明の第２の実施例のセラミック電子部品
の斜視図である。
の斜視図である。
【図４】この発明の第２の実施例のセラミック電子部品
の図３のＢ−Ｂ線の断面図である。
の図３のＢ−Ｂ線の断面図である。
【図５】この発明の第３の実施例のセラミック電子部品
の斜視図である。
の斜視図である。
【図６】この発明の第３の実施例のセラミック電子部品
の図５のＣ−Ｃ線の断面図である。
の図５のＣ−Ｃ線の断面図である。
【図７】この発明の第３の実施例のセラミック電子部品
の図５のＤ−Ｄ線の断面図である。
の図５のＤ−Ｄ線の断面図である。
【図８】この発明の第３の実施例のセラミック電子部品
の製造方法を説明するための分解平面図である。
の製造方法を説明するための分解平面図である。
【図９】この発明の第４の実施例のセラミック電子部品
の斜視図である。
の斜視図である。
【図１０】この発明の第４の実施例のセラミック電子部
品の図９のＥ−Ｅ線の断面図である。
品の図９のＥ−Ｅ線の断面図である。
【図１１】この発明の第４の実施例のセラミック電子部
品の製造方法を説明するための分解平面図である。
品の製造方法を説明するための分解平面図である。
【図１２】この発明の第５の実施例のセラミック電子部
品の断面図である。
品の断面図である。
【図１３】この発明の第５の実施例のセラミック電子部
品の製造方法を説明するための分解平面図である。
品の製造方法を説明するための分解平面図である。
【図１４】他の形状の表面電極を示す平面図である。
【図１５】従来のセラミック電子部品の斜視図である。
【図１６】従来のセラミック電子部品の図１５のＦ−Ｆ
線の断面図である。
線の断面図である。
【図１７】従来の他のセラミック電子部品の図１５のＦ
−Ｆ線の断面図である。
−Ｆ線の断面図である。
【図１８】従来の他のセラミック電子部品の他の製造方
法を示すための分解平面図である。
法を示すための分解平面図である。
１ 負の抵抗温度特性を有
するセラミック素体 ２ａ 第１表面電極 ２ｂ，２ｃ 第２表面電極 ３ａ，３ｂ 端子電極 ４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ 負特性サーミスタ ５ｂ，５ｃ 内部電極 Ｌ1〜Ｌ13 電極間の距離 ｔ1〜ｔ11 各電極間の厚み方向の
距離
するセラミック素体 ２ａ 第１表面電極 ２ｂ，２ｃ 第２表面電極 ３ａ，３ｂ 端子電極 ４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ 負特性サーミスタ ５ｂ，５ｃ 内部電極 Ｌ1〜Ｌ13 電極間の距離 ｔ1〜ｔ11 各電極間の厚み方向の
距離
Claims (10)
- 【請求項１】 セラミック素体と、 前記セラミック素体の一方の主面に、間隔をおいて各一
端が互いに対向するように形成された一対の第１、第２
表面電極と、 前記各第１、第２表面電極の他端と電気接続し、前記セ
ラミック素体の端部に形成された一対の端子電極と、か
らなることを特徴とするセラミック電子部品。 - 【請求項２】 セラミック素体と、 前記セラミック素体の一方の主面と他方の主面にそれぞ
れ形成された第１表面電極および第２表面電極と、 前記各第１、第２表面電極の他端と電気接続し、前記セ
ラミック素体の端部に形成された一対の端子電極とから
なり、 前記第１表面電極は、その一端が前記セラミック素体の
一方の端部から他方の端部へ延びるように形成され、 前記第２表面電極は、その一端が前記セラミック素体の
他方の端部から一方の端部へ延びるように形成されてい
ることを特徴とするセラミック電子部品。 - 【請求項３】 セラミック素体と、 前記セラミック素体の一方の主面に、その一端が前記セ
ラミック素体の一方の端部から他方の端部へ延びるよう
に形成された表面電極と、 前記セラミック素体の内部に、その一端が前記セラミッ
ク素体の他方の端部から一方の端部へ延びるように形成
された内部電極と、 前記セラミック素体の一方の端部に形成され、前記表面
電極の一端と電気接続する一方の端子電極と、 前記セラミック素体の他方の端部に形成され、前記内部
電極の一端と電気接続する他方の端子電極と、からなる
ことを特徴とするセラミック電子部品。 - 【請求項４】 セラミック素体と、 前記セラミック素体の一方の主面と他方の主面に、その
一端が前記セラミック素体の一方の端部から他方の端部
へ延びるようにそれぞれ形成された第１表面電極および
第２表面電極と、 前記セラミック素体の内部に、その一端が前記セラミッ
ク素体の他方の端部から一方の端部へ延びるように形成
された内部電極と、 前記各第１、第２表面電極の他端と電気接続し、前記セ
ラミック素体の端部に形成された一方の端子電極と、 前記内部電極の他端と電気接続し、前記セラミック素体
の端部に形成された他方の端子電極と、からなることを
特徴とするセラミック電子部品。 - 【請求項５】 セラミック素体と、 前記セラミック素体の一方の主面と他方の主面に、その
一端が前記セラミック素体の一方の端部から他方の端部
へ延びるようにそれぞれ形成された第１表面電極および
第２表面電極と、 前記セラミック素体の内部に、その一端が前記セラミッ
ク素体の他方の端部から一方の端部へ延びるように形成
された複数層の内部電極と、 前記各第１、第２表面電極の他端と電気接続し、前記セ
ラミック素体の端部に形成された一方の端子電極と、 前記内部電極の他端と電気接続し、前記セラミック素体
の端部に形成された他方の端子電極と、からなることを
特徴とするセラミック電子部品。 - 【請求項６】 前記表面電極は、前記セラミック素体よ
りも硬度が小さなものであることを特徴とする請求項１
ないし請求項５のいずれかに記載のセラミック電子部
品。 - 【請求項７】 前記表面電極は、その先端が鋭角な形状
を有していることを特徴とする請求項１ないし請求項６
のいずれかに記載のセラミック電子部品。 - 【請求項８】 前記セラミック素体は、正特性サーミス
タ素体、負特性サーミスタ素体、コンデンサ素体、イン
ダクタ素体、バリスタ素体、固定抵抗素体のいずれか、
またはこれらの複合体であることを特徴とする請求項１
ないし請求項７のいずれかに記載のセラミック電子部
品。 - 【請求項９】 請求項１ないし請求項８のいずれかに記
載のセラミック電子部品を対象とし、表面電極の一部を
除去することを特徴とするセラミック電子部品の特性値
調整方法。 - 【請求項１０】 請求項１ないし請求項８のいずれかに
記載のセラミック電子部品を対象とし、表面電極の一部
をバレル研磨法またはサンドブラスト法で除去すること
を特徴とするセラミック電子部品の特性値調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7034011A JPH08236308A (ja) | 1995-02-22 | 1995-02-22 | セラミック電子部品とその特性値調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7034011A JPH08236308A (ja) | 1995-02-22 | 1995-02-22 | セラミック電子部品とその特性値調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08236308A true JPH08236308A (ja) | 1996-09-13 |
Family
ID=12402488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7034011A Pending JPH08236308A (ja) | 1995-02-22 | 1995-02-22 | セラミック電子部品とその特性値調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08236308A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10256005A (ja) * | 1997-03-10 | 1998-09-25 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の製造方法 |
| US6171884B1 (en) * | 1998-02-16 | 2001-01-09 | Murata Manufacturing Co, Ltd | Method of manufacturing a chip type electronic element |
| JP2001250725A (ja) * | 2000-03-07 | 2001-09-14 | Murata Mfg Co Ltd | 可変インダクタンス素子およびその製造方法 |
| US6606783B1 (en) | 1997-08-07 | 2003-08-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of producing chip thermistors |
| JP2004507069A (ja) * | 1999-07-06 | 2004-03-04 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 低容量多層バリスタ |
| US8669841B2 (en) | 2012-03-03 | 2014-03-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor ceramic composition for NTC thermistors |
| US10074465B2 (en) | 2014-12-15 | 2018-09-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of manufacturing electronic component, and electronic component |
| WO2019087777A1 (ja) * | 2017-11-02 | 2019-05-09 | 株式会社村田製作所 | サーミスタ素子およびその製造方法 |
-
1995
- 1995-02-22 JP JP7034011A patent/JPH08236308A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10256005A (ja) * | 1997-03-10 | 1998-09-25 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の製造方法 |
| US6606783B1 (en) | 1997-08-07 | 2003-08-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of producing chip thermistors |
| US6171884B1 (en) * | 1998-02-16 | 2001-01-09 | Murata Manufacturing Co, Ltd | Method of manufacturing a chip type electronic element |
| JP2004507069A (ja) * | 1999-07-06 | 2004-03-04 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 低容量多層バリスタ |
| JP2001250725A (ja) * | 2000-03-07 | 2001-09-14 | Murata Mfg Co Ltd | 可変インダクタンス素子およびその製造方法 |
| US8669841B2 (en) | 2012-03-03 | 2014-03-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor ceramic composition for NTC thermistors |
| US10074465B2 (en) | 2014-12-15 | 2018-09-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of manufacturing electronic component, and electronic component |
| WO2019087777A1 (ja) * | 2017-11-02 | 2019-05-09 | 株式会社村田製作所 | サーミスタ素子およびその製造方法 |
| CN111295724A (zh) * | 2017-11-02 | 2020-06-16 | 株式会社村田制作所 | 热敏电阻元件及其制造方法 |
| JPWO2019087777A1 (ja) * | 2017-11-02 | 2020-10-22 | 株式会社村田製作所 | サーミスタ素子およびその製造方法 |
| US10854361B2 (en) | 2017-11-02 | 2020-12-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Thermistor element and manufacturing method therefor |
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