JPH08236419A - 位置決め方法 - Google Patents

位置決め方法

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JPH08236419A
JPH08236419A JP7036432A JP3643295A JPH08236419A JP H08236419 A JPH08236419 A JP H08236419A JP 7036432 A JP7036432 A JP 7036432A JP 3643295 A JP3643295 A JP 3643295A JP H08236419 A JPH08236419 A JP H08236419A
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JP
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wafer
stage
substrate
photosensitive substrate
rotation
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Takechika Nishi
健爾 西
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Original Assignee
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7046Strategy, e.g. mark, sensor or wavelength selection
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウエハステージを軽量化して剛性を上げ、回
折光検出型のアライメントセンサの光ビームと検出マー
クとの回転誤差による検出誤差を除去する。 【構成】 ウエハステージの座標系(X,Y)に対する
アライメントセンサからの光ビームの回転角の平均値
(θLSAX+θLSAY)/2分だけレチクルを回転する(ス
テップ101,102)。ウエハを順次ウエハホルダ上
に載置する際に、それまでのウエハの回転誤差の平均値
である平均回転誤差θT 分だけ回転し(ステップ12
1)、残っているわずかな回転誤差Δθ’はレチクルの
回転で対応する(ステップ115)。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、露光装置でマスク上の
パターンを感光基板上に露光する際の感光基板の位置決
め方法に関し、特に露光装置のステージ上で感光基板の
回転方向の位置決めを行う場合に適用して好適なもので
ある。
【0002】
【従来の技術】半導体素子又は液晶表示素子等の製造に
使用されるステッパー等の投影露光装置においては、マ
スクとしてのレチクル上に形成された回路パターンを感
光基板としてのウエハ(又はガラスプレート等)上のフ
ォトレジスト層に高い重ね合わせ精度で転写するため
に、レチクルとウエハとを高精度に位置合わせ(アライ
メント)することが求められている。
【0003】このためのアライメントセンサとしては、
特開平5−21314号公報に開示されているように、
レーザー光をウエハ上のドット列状のアライメントマー
クに照射し、そのマークにより回折又は散乱された光を
用いてそのマークの位置を検出するLSA(Laser Step
Alignment)方式、ハロゲンランプを光源とする波長帯
域幅の広い光で照明して撮像したアライメントマークの
画像データを画像処理して計測するFIA(Field Image
Alignment)方式、あるいはウエハ上の回折格子状のア
ライメントマークに、周波数を僅かに変えたレーザー光
を2方向から照射し、発生した2つの回折光を干渉さ
せ、その位相からアライメントマークの位置を計測する
LIA(Laser Interferometric Alignment)方式等のア
ライメントセンサがある。また、アライメント方式は、
投影光学系を介してウエハの位置を測定するTTL(ス
ルー・ザ・レンズ)方式、投影光学系及びレチクルを介
してレチクルとウエハとの位置関係を測定するTTR
(スルー・ザ・レチクル)方式、及び投影光学系を介す
ることなく直接ウエハの位置を測定するオフ・アクシス
方式に大別される。
【0004】これらのアライメントセンサによりウエハ
ステージ上に載置されたウエハの少なくとも2点の位置
検出を行うことにより、並進方向ばかりでなく回転方向
の位置(回転角)の検出も行われる。ウエハの回転角の
計測にも使用されるセンサとしては、TTL方式でLI
A(Laser Interferometric Alignment)方式、TTL方
式でLSA(Laser Step Alignment)方式、又はオフ・
アクシス方式でFIA(Field Image Alignment)方式の
アライメントセンサ等がある。
【0005】投影露光装置に対しては、これらのアライ
メントセンサの検出結果よりレチクルとウエハとを高精
度に位置合わせすると同時に、このアライメントにかか
る時間を短縮し、高い生産性(スループット)を維持す
ることも求められている。従ってウエハをウエハステー
ジへ搬送する段階から最終露光に至るすべての段階で生
産性を高めることが必要となる。ここで、従来の露光装
置における最終的なアライメントに至る前のウエハの受
け渡し工程における動作について、図5を参照して説明
する。
【0006】図5は、従来の露光装置におけるウエハの
受け渡し機構を説明するためのウエハステージ周辺の構
成を示し、この図5においてウエハ搬送装置から、Xス
テージ11上の伸縮機構20を介して設けられたセンタ
ーアップ19上にウエハ6が受け渡された状態が示され
ている。センターアップ19は、試料台9、θ回転補正
機構8、及びウエハホルダ7の開口に遊嵌する3本のス
ピンドル部(図5ではその内2本のスピンドル部19
a,19bを示す)を有し、伸縮機構20の上下の移動
により3本のスピンドル部がウエハ6の受け渡しに対応
してウエハ6を上下させるようになっている。また、セ
ンターアップ19のウエハの裏面との3箇所の接触部は
外部の真空ポンプにより吸引(真空吸引)されており、
センターアップ19を上下させるときにウエハ6がずれ
ないようになっている。
【0007】ウエハ6がウエハホルダ7上に真空吸着に
より静置された後、アライメントセンサによってウエハ
6の両端に形成されているアライメントマークの検出信
号を生成し、例えばその検出信号がピークとなるとき
の、試料台9の端部に固定された移動鏡13と外部のレ
ーザ干渉計とにより計測される試料台9の座標を求める
ことにより、ウエハステージ系の座標系上での回転誤差
を算出する。その結果に基づいて試料台9上のθ回転補
正機構(θテーブル)8を駆動してウエハ6の回転誤差
を取り除き、レチクルとウエハ6との回転方向の位置合
わせを行う構成となっている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】以上の如き従来の技術
においては、ウエハステージ系の座標系の基準となる移
動鏡13を設置した試料台9とウエハ6との間にウエハ
を回転させるためのθ回転補正機構8が設けられている
ので、ウエハ6を吸着するウエハホルダ7の真空系の吸
着力が弱い場合にウエハ6の横ずれが発生したり、試料
台9上に複雑な機構を設けてあるのでステージ全体の剛
性が弱くなったり、ステージ全体の重量が増すことによ
りステージ制御性能が向上しないという不都合があっ
た。そこで、例えばθ回転補正機構を試料台9の下に配
置することも考えられるが、θ回転補正機構を駆動して
ウエハ6の回転角を調整する時に、試料台9上の移動鏡
13に当たるレーザ干渉計の光ビームの角度が変化する
ので、θ回転補正機構の回転角が制限され、例えばウエ
ハのプリアライメント精度が悪い場合、それを十分に修
正できないという不都合がある。
【0009】また、従来の技術において、LSA方式や
LIA方式のように回折光検出型のアライメントセンサ
を使用した場合、ウエハ6上のアライメントマークと位
置検出用の光ビームとの傾斜角に応じて特有の検出誤差
が生ずることがある。図6は、アライメントマークにレ
ーザビームが照射されている状態を説明するためのもの
で、図6(a)は、LIA用のアライメントマーク(格
子状マーク)にレーザビームが照射され、、図6(b)
は、LSA用のアライメントマーク(点列状マーク)に
レーザビームが照射されている状態を示す。この図6
(a)に示すように、LIA方式のアライメント系では
格子状のアライメントマークに対して2方向から矩形の
照明領域をもつレーザビームを照射して、アライメント
マークからの2つの回折光の干渉光の位相に基づいてウ
エハを位置決めするものである。図6(a)において、
左右方向に所定ピッチで形成された格子状マーク25の
長手方向(非計測方向)に沿った中心軸25Yに対して
レーザビームの照射領域26はΔθA だけ傾いて入射し
ている。
【0010】また、図6(b)に示すように、LSA方
式のアライメント系では複数の小さな正方形のパターン
を上下方向に所定ピッチで並べた点列状マーク27でス
リット状の照射領域28に集光されるレーザビームを走
査して、そのマークからの回折光の光量が最大になる位
置を検出するものである。図6(b)において、点列状
マーク27の配列方向(非計測方向)に沿った中心軸2
7Yに対してレーザビームのスリット状の照射領域28
の長辺方向の中心軸28YはΔθB だけ傾いて入射して
いる。
【0011】従って、図6(a)及び図6(b)どちら
の場合もアライメントマークとレーザビームとの傾き角
による検出位置誤差が発生することがある。即ち、アラ
イメントマーク上にはフォトレジストが塗布されている
ので、そのマークの非計測方向の位置によるフォトレジ
ストの膜厚等の相違により戻り回折光の強弱が発生する
と、マークの位置が戻り光の強い方向にシフトして検出
されるため、図6(a)のLIA方式での検出誤差は最
大で、格子状マーク25の長手方向の長さL3と角度Δ
θA との積であるL3×ΔθA となる。また、図6
(b)のLSA方式での検出誤差は最大で、点列状マー
ク27の長さL4と角度ΔθB との積であるL4×Δθ
B となる。しかしながら、従来の技術ではこれらの検出
誤差が容易には除去できないという不都合があった。
【0012】本発明は斯かる点に鑑み、回折光検出型の
アライメントセンサの光ビームとアライメント用のマー
クとの回転誤差によって生じる検出誤差が除去でき、高
精度にウエハを位置決めできる位置決め方法を提供する
ことを目的とする。本発明は更に、ウエハステージの構
成が簡略化でき、それによりウエハステージの剛性向上
及び軽量化を図ることができ、結果としてウエハの位置
決めを高速且つ高精度に行うことができる位置決め方法
を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明による第1の位置
決め方法は、所定方向(Y方向)に移動自在な基板ステ
ージ(30,29,10,11,12)上に保持された
感光基板(6)上にマスクパターン(1)を転写する際
の前処理工程として、その基板ステージのその所定方向
における位置を計測すると共にその感光基板(6)上に
形成されたマーク(46Y)に帯状光束(42Y)を照
射してその基板ステージに対するその感光基板(6)の
位置を検出し、この検出結果に基づいてその感光基板
(6)をその基板ステージ上に位置決めする位置決め方
法において、その帯状光束(42Y)の長手方向(X’
方向)とその所定方向(Y方向)との関係を計測し(ス
テップ101)、その帯状光束(42Y)の長手方向と
その所定方向との関係に基づいてそのマスクパターン
(1)とその感光基板(6)とを相対的に移動させる
(ステップ102)ものである。
【0014】この場合、その帯状光束(42Y)の長手
方向とその所定方向との関係に基づいて、その基板ステ
ージ上にその感光基板(6)を位置決めすることが好ま
しい。また、本発明による第2の位置決め方法は、基板
ホルダ(30)上に保持された感光基板(6)上にマス
クパターン(1)を転写する際の前処理工程として、所
定の二次元座標系(X,Y)を基準としてその基板ホル
ダ(30)上にその感光基板(6)を位置決めする位置
決め方法において、その基板ホルダ(30)上に載置さ
れたその感光基板(6)のその座標系に対する回転誤差
(ΔθN )を求め(ステップ109)、その基板ホルダ
(30)からその感光基板(6)を離脱させ(ステップ
112)、その回転誤差を補正するようにその感光基板
(6)を回転させた(ステップ113)後、再びその感
光基板(6)をその基板ホルダ(30)上に載置する
(ステップ114)ものである。
【0015】この場合、その感光基板(6)のその回転
誤差の補正後にその感光基板(6)のその二次元座標系
に対する微少回転誤差(Δθ’)を計測し(ステップ1
15)、この微少回転誤差を補正するようにそのマスク
パターン(1)を回転させる(ステップ116)ことが
好ましい。
【0016】
【作用】斯かる本発明の第1の位置決め方法によれば、
例えば図4に示すように、アライメントセンサからの帯
状光束(42Y)の長手方向(X’方向)と基板ステー
ジの座標系との回転角θLSAYが計測され、その基板ステ
ージの所定の移動方向(Y方向)に対して回転角θLSAY
だけ例えばマスクパターン及び感光基板が回転される。
従って、アライメントセンサからの帯状光束(42Y)
の方向に合わせて感光基板(6)を回転することになる
ため、アライメントを行うことによってその帯状光束と
感光基板(6)上のマークとの回転誤差はなくなり、位
置検出誤差が除去される。
【0017】また、帯状光束(42Y)の長手方向と所
定方向との関係を考慮して、その基板ステージ上に感光
基板(6)を位置決めする場合には、基板ステージ上で
感光基板(6)上のマークとアライメントセンサからの
帯状光束との回転誤差を低減できる。また、本発明の第
2の位置決め方法によれば、感光基板(6)の所定の座
標系に対する回転誤差(ΔθN )を求め、基板ホルダ
(30)から感光基板(6)を離脱させ、その回転誤差
を補正するように感光基板(6)を回転させた後、再び
感光基板(6)を基板ホルダ(30)上に載置するの
で、基板ステージ側に回転補正機構が不要となり、基板
ステージの剛性向上及び軽量化が行われる。
【0018】また、感光基板(6)の回転誤差の補正後
に感光基板(6)の二次元座標系に対する微少回転誤差
(Δθ’)を計測し、この微少回転誤差を補正するよう
にそのマスクパターン(1)を回転させる場合には、例
えば基板ステージ側に微少回転誤差を補正する機構を設
けることなく、迅速に回転方向の位置合わせが行われ
る。
【0019】
【実施例】以下、本発明による位置決め方法の一実施例
につき、図1〜図4を参照して説明する。本例は、レチ
クル上のパターンを投影光学系を介してウエハ上の各シ
ョット領域に縮小して投影するステッパー型の投影露光
装置でウエハの交換を行う場合に本発明を適用したもの
である。
【0020】図2は、本例の投影露光装置の概略構成を
示し、この図2において、水銀灯等からなる光源、フラ
イアイレンズ、及びコンデンサレンズ等を含む照明光学
系IAからの照明光ILのもとで、レチクル1上のパタ
ーンが投影光学系3を介してウエハ6の各ショット領域
上に投影露光される。ここで図2において、投影光学系
3の光軸AXに平行にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面内
で図2の紙面に垂直にY軸を、図2の紙面に平行にX軸
を取る。
【0021】レチクル1は、レチクル架台31上に載置
されたレチクルステージ32上に保持されている。レチ
クルステージ32は不図示のレチクル駆動系によりXY
平面での並進移動及びθ方向(回転方向)への回転がで
きるようになっている。レチクルステージ32上の端部
にはX方向、Y方向共に移動鏡33が設置されており、
移動鏡33とレチクル架台31上に固定されたレーザ干
渉計34とによってレチクルステージ32のX方向、Y
方向の位置が例えば0.01μm程度の分解能で常時検
出され、同時にレチクルステージ32の回転角も検出さ
れている。レーザ干渉計34の測定値はステージ制御系
16に送られ、ステージ制御系16はその情報に基づい
てレチクル架台31上のレチクル駆動系を制御する。ま
た、ステージ制御系16から中央制御系18にレーザ干
渉計34の測定値の情報が供給されており、中央制御系
18はその情報に基づいてステージ制御系16を制御す
る構成となっている。
【0022】一方ウエハ6は、ウエハXステージ11上
の試料台29に固定されたウエハホルダ30上に真空吸
着により保持されている。試料台29はウエハ6の光軸
AX方向(Z方向)への位置及びチルト(傾き)を補正
するZチルト駆動部(本例では3個のそれぞれZ方向に
移動される部材よりなる)10に支持され、Zチルト駆
動部10はXステージ11上に固定されている。また、
Xステージ11はYステージ12上に載置され、Yステ
ージ12はウエハベース14上に載置され、それぞれ不
図示のウエハステージ駆動系を介してX方向及びY方向
に移動できるように構成されている。また、試料台29
上の端部にはL字型の移動鏡13が固定され、この移動
鏡13と移動鏡13に対応する方向に配置されたレーザ
干渉計17とにより試料台29のX方向、Y方向の座標
及び回転角が検出される。レーザ干渉計17により計測
される座標(X,Y)により規定される座標系をウエハ
ステージの座標系(X,Y)と呼ぶ。
【0023】レーザ干渉計17の測定値はステージ制御
系16に送られ、ステージ制御系16はその情報に基づ
いてウエハステージ駆動系を制御する。また、ステージ
制御系16から中央制御系18にレーザ干渉計17の測
定値の情報が供給されており、中央制御系18はその情
報に基づいてステージ制御系16を制御する構成となっ
ている。また、ウエハステージの近傍にはウエハを受け
渡しするためのウエハ搬送装置39(図3参照)が配置
され、ウエハステージ内にはウエハの受け渡し機構が備
えられているが、これについては後で詳しく説明する。
【0024】更に、本例の投影露光装置にはレチクル4
とウエハ6との位置合わせを行うためのTTL方式のL
SA(Laser Step Alignment)方式のアライメントセン
サ4、及びオフ・アクシス方式でFIA(撮像方式)方
式のアライメントセンサ5が備えられている。なお、ア
ライメントセンサ4の中には、LIA(Laser Interfero
metric Alignment)方式のアライメントセンサも並列に
組み込まれているが、以下ではLSA方式のアライメン
トセンサを使用するものとして説明する。アライメント
時には、これらのアライメントセンサ4,5の何れかに
よりウエハ6上に形成されたウエハマークの位置を検出
し、その検出結果に基づき、常時ウエハ6の各ショット
領域に前工程で形成されたパターンとレチクル上のパタ
ーンとを正確に位置合わせする。これらのアライメント
センサ4,5からの検出信号はアライメント制御系15
によって処理され、アライメント制御系15は中央制御
系18により制御されている。また、試料台29上に、
表面がウエハ6の表面と同じ高さになるように基準マー
ク部材43が固定され、基準マーク部材43の表面にア
ライメントの基準となるマークが形成されている。
【0025】以上のように、ステージ制御系16及びア
ライメント制御系15は中央制御系18により制御さ
れ、中央制御系18が投影露光装置の全体を統轄的に制
御して、一定のシーケンスで露光動作が行われる構成と
なっている。次に、ウエハ搬送系及びウエハステージ上
のウエハの受け渡し機構について図3を参照して説明す
る。なお、ウエハステージはウエハホルダ30、試料台
29、Zチルト駆動部10、Xステージ11、Yステー
ジ12、及びウエハベース14をまとめて総称するもの
である。
【0026】図3(a)は本例のウエハ搬送系及びウエ
ハステージ周辺の構成の平面図、図3(b)はその側面
図を示す。図3(a)及び(b)において、ウエハステ
ージの−X方向の上方には、ウエハを受け渡しするため
のウエハ搬送装置39が配置されている。ウエハ搬送装
置39はX方向に直列に並んだウエハアーム21,2
2、それらのウエハアーム21,22を所定の位置まで
スライドさせるスライダー23、及びウエハアーム2
1,22を駆動する不図示のアーム駆動系から構成され
ている。2つのウエハアーム21,22は共にU字状の
平板部を有し、それらの上表面にウエハが載置されるよ
うになっている。これらの2つのウエハアーム21,2
2により露光後のウエハをアンロードすると同時に次の
ウエハをロードすることができるようになっている。
【0027】ウエハアーム21,22は、ローダ制御装
置24からの指令に基づき、スライダー23に沿って、
ウエハがウエハステージ系に受け渡されるローディング
ポジションまで移動し、ウエハアーム22により露光さ
れた前のウエハ6Aを搬出する。次にウエハアーム21
により次に露光するウエハ6をウエハステージ上に移動
し、センターアップ38上に載置する。図3は、スライ
ダー23上のウエハアーム22に前のウエハ6Aが載置
され、ウエハアーム21からセンタアップ38にウエハ
6が渡された状態を示している。
【0028】センターアップ38は、Xステージ11上
に設けられた伸縮機構35に支持され、試料台29、及
びウエハホルダ30の開口に遊嵌する3本のスピンドル
部38a〜38cを有し、伸縮機構35の上下方向(Z
方向)への移動により3本のスピンドル部38a〜38
cがウエハ6を上下させてウエハ6の受け渡しが行われ
る。3本のスピンドル部38a〜38cの先端にはそれ
ぞれ真空吸着の吸着孔が形成され、それらの先端はウエ
ハの受け渡し時にはウエハアーム21,22との間で受
け渡しのできる高さまで移動し、ウエハをウエハホルダ
7上に載置する際には、ウエハホルダ7の表面より低い
位置まで移動する。また、スピンドル部38a〜38c
の先端を真空吸引することにより、センターアップ38
を上下させるときにウエハ6がずれないようになってい
る。
【0029】また、伸縮機構35はその中心軸35Zを
中心としてXY平面上で回転自在に支持され、Xステー
ジ11上に設けられた回転駆動系36により回転する駆
動軸37と係合して、回転駆動系36を制御する中央制
御系18からの指令により所望の角度まで回転できるよ
うになっている。この回転駆動系36、駆動軸37、及
び伸縮機構35からなる回転系は十分な分解能を持って
おり、0.1mradの精度でウエハ6を回転させるこ
とができる。
【0030】次に、本例の投影露光装置における位置決
めの動作の一例につき図1を参照して説明する。本発明
においては、先ず、ステップ101において図2の基準
マーク部材43上の基準マークを用いて、ウエハステー
ジの座標系(X,Y)に対するアライメントセンサ4の
レーザビームの傾きを求める。ここでは、LSA方式の
アライメントセンサ4の帯状(スリット状)のレーザビ
ームのウエハステージの座標系(X,Y)に対する傾き
の状態及び傾き角を計算する例について図4を参照して
説明する。この場合、アライメントセンサ4はY軸用で
あるが、不図示のX軸用のLSA方式のアライメントセ
ンサからも基準マーク部材43上にレーザビームが照射
されているものとする。なお、LIA方式についても同
様である。
【0031】図4(a)は、基準マーク部材43上にア
ライメントセンサ4から投影されたレーザビームの状
態、図4(b)はレーザビームの傾き角の計算方法を説
明する模式図を示す。この図4(a)において、基準マ
ーク部材43の中心Cを原点としたX,Y座標の上にそ
れぞれX軸及びY軸に平行な点列状の基準マーク41
Y,41Xが形成されている。これに対しアライメント
用のY,X方向の位置をそれぞれ検出するレーザビーム
42Y,42Xの長手方向に平行な座標をX’,Y’座
標とすると、X’,Y’座標はウエハステージのX,Y
座標に対してそれぞれθLSAY,θLSAXだけ傾いている。
【0032】先ず回転誤差θLSAXを検出するためには、
例えば図4(b)のように順次ウエハステージをY方向
にLだけステッピングさせて、基準マーク41Xでレー
ザビーム42Xを走査してそれぞれ基準マーク41Xの
位置を検出する。帯状のレーザビーム42XのY’座標
軸に対してウエハステージのY座標軸が傾いているため
に、Y方向にLだけ離して走査したときの基準マーク4
1XのX座標値が異なってくる。基準マーク41の2箇
所で測定されたX座標値をそれぞれx1 ,x2とする
と、x1 −x2 =Δxとして、回転誤差θLSAXはΔx/
Lで求められる。同様に、X座標軸に対するX’座標軸
の回転誤差θLSAYも計測される。また、LIA方式のア
ライメントマークに対するレーザビームの回転誤差θ
LIAX及びθLI AYも同様に求められる。
【0033】LSA方式及びLIA方式のアライメント
センサからのレーザビームの回転誤差の値を中央制御系
18において記憶する。なお、新しいウエハをウエハカ
セットからウエハアーム21,22に載せ換える前にウ
エハ外周のオリエンテーションフラット(切り欠き部)
の検出により、各ウエハを例えば50μm(3σ)程度
にプリアライメントする機構(不図示)は、ウエハステ
ージの座標系(X,Y)に対して回転誤差がないように
調整されているものとする。
【0034】この状態で、ステップ102において、L
SA方式のアライメントセンサ4を使用するものとし
て、レチクル1をウエハステージの座標系(X,Y)に
対して回転誤差θLSAX及びθLSAYの平均値(θLSAX+θ
LSAY)/2分だけ回転する。次に、座標系(X,Y)を
角度(θLSAX+θLSAY)/2だけ回転した座標系をステ
ージ座標系として、以後はこのステージ座標系を基準と
してウエハステージを駆動する。次に、ステップ103
においてウエハの順序を示す変数Nを1に設定する。な
お、1ロット内のウエハ枚数をMとする。次に、ステッ
プ104で図3に示すように、1枚目のウエハ6をウエ
ハカセットより取り出し、プリアライメント機構によっ
て50μm程度の位置決め誤差に追い込んだ後、ウエハ
6をウエハアーム21にて搬送する。次に、ステップ1
05にてウエハステージをローディングポジション(ウ
エハの受け渡し位置)に移動させ、ステップ106で変
数Nが1かどうか判定し、変数Nが1の場合ステップ1
07に進む。変数Nが1でない場合はステップ119に
進む。
【0035】ステップ107では、ウエハアーム21上
のウエハ6をウエハホルダ30上に移動する。そして次
のステップ108において、ウエハ6をセンターアップ
38に受け渡し、受け渡し終了後ウエハアーム21を引
き抜いて、センターアップ38を下げる。このとき、ス
テップ101で求めたアライメント用のレーザビームの
傾き角の平均値(θLSAX+θLSAY)/2分だけ、回転駆
動系36を駆動してセンタアップ38を回転させる。こ
の回転誤差補正はロット内の全てのウエハについて行わ
れる。ウエハ6がウエハホルダ30上に到着した時点
で、センターアップ38側の吸引動作を停止し、ウエハ
ホルダ30側の吸引動作を開始することでウエハ6がウ
エハホルダ30上に固定される。この場合、図3(a)
に示すように、ウエハ6の左右に位置合わせ用のLSA
方式のアライメントマーク45X,45Y及び44X,
44Yが形成されている。また、ウエハ6上の各ショッ
ト領域SAにはそれぞれ最終アライメント用のLSA方
式のウエハマーク46X,46Yが付設されている。
【0036】次に、ステップ109で、ウエハステージ
を駆動し、図3(a)のウエハ6上のアライメントマー
ク44X,44Y及び45X,45YをLSA方式のア
ライメントセンサ4及び不図示のX軸用のアライメント
センサにて計測する。この場合、例えばウエハの両端に
ある2つのアライメントマーク45Y,44Yの計測結
果のステージ座標系のY軸での座標値をy3 ,y4 とす
れば、これらの座標値及び2つの基準マーク45Y,4
4Y同志の間隔LYから、ステージ座標系に対するウエ
ハ6の回転誤差は(y4 −y3 )/LYで求められる。
この値を回転誤差Δθ1 (ウエハがN枚目の場合は回転
誤差ΔθN )とする。このようにして、ラフな回転誤差
計測が行われたことになる。
【0037】次に、ステップ110で、今はN枚目のウ
エハのローディングを行っているものとして、センター
アップ38によって回転補正された角度をθT とする。
変数Nが1のときには、θT =(θLSAX+θLSAY)/2
である。そして、計測された回転誤差ΔθN とその回転
補正された角度との和を絶対回転誤差ΘN とする。即
ち、次式が成立する。
【0038】ΘN =θT +ΔθN 次に、1枚目のウエハからN枚目のウエハまでの絶対回
転誤差ΘN の平均値である新たな平均回転誤差θT (=
(Θ1 +Θ2 +…+ΘN )/N)を求める。次に、ステ
ップ111で回転誤差ΔθN が許容誤差範囲内かどうか
を判別する。この許容誤差範囲は例えばオペレータより
入力されるが、アライメントセンサ4のレーザビームの
傾きの許容値で決定される数値である。ここで、回転誤
差ΔθNが許容誤差範囲内のときはステップ115に進
み、許容誤差範囲外のときはステップ112に進む。
【0039】ステップ112では、ウエハホルダ30の
吸引動作を停止し、センターアップ38の吸引動作を開
始してウエハを吸着し、持ち上げる。ここで、ステップ
113においてセンターアップ38の回転によって回転
誤差ΔθN を修正するようにウエハを回転させる。補正
後ステップ114において、センターアップ38を下げ
てセンターアップ38の吸引動作を停止し、ウエハをウ
エハホルダ30上に再設置し、ウエハホルダ30での吸
引動作を行ってウエハをウエハホルダ30上に固定す
る。そして、ステップ115に進む。
【0040】ステップ115では、アライメントセンサ
4等によりステージ座標系に対するウエハの回転誤差の
高精度な計測(ファイン計測)を実施する。この場合、
例えばウエハ上の複数個のショット領域に付設されたウ
エハマークの位置を統計処理して回転誤差を求めるた
め、ステップ109における計測結果に比較してより正
確な回転誤差が得られることになる。ここで、このファ
イン計測により得られたウエハのステージ座標系に対す
る回転誤差をΔθ’(残留誤差)とする。この結果に基
づき、次のステップ116において、レチクルステージ
32を駆動して回転誤差Δθ’分だけレチクル1を回転
する。これによりレチクルパターンに対するウエハの各
ショット領域の回転誤差が除去される。そして、その他
の誤差をウエハステージの位置を補正することで除去
し、順次露光を実施する。
【0041】1枚目のウエハの露光が終了後、ステップ
117でウエハの順序を示す変数Nを1だけ増加し、N
=2としてステップ118に進み、ステップ118でN
=Mであるかどうかを判定する。N≠Mである場合は再
びステップ104からのシーケンスを繰り返す。ステッ
プ118においてN=Mと判定された場合は終了とな
る。
【0042】ここで、ステップ106において変数Nが
1でないときのシーケンスを説明する。変数Nが1でな
いときは前述のようにステップ119に進む。ウエハホ
ルダ30上には前のウエハが載置されているので、ここ
でウエハを次のウエハと交換する。ステップ119で先
ず、ウエハホルダ30の吸引動作を停止し、センターア
ップ38の吸引動作を開始してウエハを吸着し、持ち上
げる。次に、ステップ120において、搬出用のウエハ
アーム(ウエハアーム22)にウエハを載せ換え、搬入
用のウエハアーム(ウエハアーム21)上のウエハをウ
エハホルダ30上に移動し、センターアップ38上にウ
エハを移す。
【0043】ここで、ステップ121においてセンター
アップ38の吸引を開始してウエハをセンターアップ3
8上に固定させた後、センターアップ38の回転によっ
てそれまでの平均回転誤差θT を修正するようにウエハ
を回転させ、ウエハの回転誤差を補正する。補正後、ス
テップ122において、センターアップ38を下げてセ
ンターアップ38の吸引動作を停止し、ウエハをウエハ
ホルダ30上に再設置し、ウエハホルダ30での吸引動
作を行ってウエハをウエハホルダ30上に固定する。そ
して、ステップ109に進み、回転誤差ΔθN の計測を
行う。
【0044】以上のように、変数Nが1でないときは、
既に前のウエハの計測を終えているので平均回転誤差θ
T が求められている。一般的にウエハの回転誤差は、ウ
エハ上のアライメントマークを形成した工程の露光装置
とのマッチング誤差と、プリアライメント誤差とによっ
て決定される。従って、同一ロットでは一定の回転誤差
が発生している可能性が高く、そのため、予め補正すべ
き回転誤差を推定する方法としてステップ110に示す
ように、それまでの絶対回転誤差Θ1 ,Θ2 ,…,ΘN
の平均値(平均回数誤差)θT を求めている。
【0045】ステップ109でアライメントセンサによ
りウエハの回転誤差を計測する前に、ステップ121に
おいてこれを予め補正することで、ウエハをウエハホル
ダ30に搭載後、ステップ112〜114のように再搭
載する確率が少なくなるようにしている。この一連の動
作が119〜122に示されており、ウエハ枚数が増え
る程、平均回転誤差θT の信頼性が高まり、ステップ1
12〜114へ進む頻度が減ることになる。この一連の
シーケンスによってアライメントセンサのレーザビーム
の傾きによる回転誤差が少なく、更に高いスループット
(生産性)でウエハへの露光が行われる。
【0046】以上のように本例においては、アライメン
トセンサ4のレーザビームの方向を基準としてウエハ6
及びレチクル1の回転角を決定するので、ウエハ上のア
ライメントマーク及びウエハマークとレーザビームとの
傾きによる回転誤差の発生を防止することができる。ま
た、レーザビームの傾きに合わせてウエハ6の回転角を
決定するので、レーザビームの傾きを機械的及び光学的
に高精度に合わせる必要がなくコストが低減できる。ま
た、Xステージ11上のセンターアップ38に回転する
機能を設け、回転誤差を補正するシステムを設けたの
で、試料台29の軽量化及びウエハステージにおけるよ
り高い剛性性が達成される。従って、ウエハステージの
ステッピング時の静定精度が向上し静定時間も短縮され
る。
【0047】更に、本例の回転誤差を計測するシステム
によれば、ウエハの推定回転誤差を1枚のウエハの結果
で決めるのではなく複数枚のウエハの平均した平均回転
誤差θT で決めるので、ウエハステージ上でセンターア
ップ38の回転機能を利用してウエハを回転し直すこと
が少なくなり、スループット(生産性)が向上する。ま
た、センターアップ38を下げるのとほぼ同時に回転補
正を行い、残留誤差(回転誤差Δθ’)をレチクルステ
ージ32により補正するので、同様にスループットが向
上する。
【0048】例えば、図5に示すような従来の方法では
ラフアライメントにより回転誤差を計測後、試料台9上
のウエハのθ回転補正機構8によってウエハの回転を補
正していた。これに要する時間は1〜2秒であるのに対
し、本例のシステムではセンターアップ38を下げるの
と同時に許容誤差内になるように予め回転補正を行うの
で、そのような時間が発生しない。但し、ロットの先頭
付近では数枚のウエハをウエハホルダ上で再載置するた
めに時間を要するが、学習効果でロット内のウエハ枚数
が多いほど再載置する回数及び時間が減少し、本発明の
効果が高くなる。
【0049】また、図5に示す従来の投影露光装置に
は、移動鏡13が載置された試料台9とウエハ6との間
に駆動系としてのウエハのθ回転補正機構8が存在する
が、本例では移動鏡13とウエハ6との間に駆動システ
ムがないためステッピング精度の安定性が高まる。な
お、本発明はステップ・アンド・リピート型の露光装置
のみでなく、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装
置等あらゆる分野に適用できる。
【0050】このように本発明は上述実施例に限定され
ず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り
得る。
【0051】
【発明の効果】本発明による第1の位置決め方法によれ
ば、感光基板(ウエハ)上のマークの方向を帯状光束の
長手の方向に対応して調節することができ、その帯状光
束とマークとの回転誤差に基づく検出誤差が除去でき
る。また、例えば帯状光束の方向に合わせて感光基板の
回転角を決定することができるので、帯状光束の方向を
機械的又は光学的に高精度に調節する必要がなくコスト
が低減できる利点がある。
【0052】また、帯状光束の長手方向と所定方向との
関係を考慮して、基板ステージ上に感光基板を位置決め
する場合には、感光基板を基板ステージに載せた時点で
感光基板とマスクパターンとの方向の調整が終了し、基
板ステージの方向を調節する必要がない。従ってスルー
プット(生産性)が向上すると共に基板ステージにマス
クパターンと感光基板との方向を調節する機構を必要と
しない。
【0053】また、本発明の第2の位置決め方法によれ
ば、基板ホルダに再置された時点で感光基板の所定の座
標系に対する回転誤差が補正され、感光基板の位置合わ
せが迅速に行われスループットが向上する。また、感光
基板の回転誤差の補正後に感光基板の二次元座標系に対
する微少回転誤差を計測し、この微少回転誤差を補正す
るようにマスクパターンを回転させる場合には、例えば
基板ステージ側に微少回転誤差を補正する機構を必要と
しない。従って基板ステージの軽量化及び剛性のアップ
が可能となり、基板ステージのステッピング時の静定精
度が向上し静定時間も短縮する。また基板ステージ側で
行うより補正動作が簡単になる利点もある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による位置合わせ方法の一実施例を説明
するためのフローチャートである。
【図2】図1の位置合わせ方法を実施するための投影露
光装置の一例の概略構成を示す図である。
【図3】図2の投影露光装置で用いられるウエハ搬送装
置及びウエハの受け渡し機構を示す図である。
【図4】図1のレーザビームとウエハ上の基準マークと
の回転誤差を説明する図である。
【図5】従来の投影露光装置に用いられるウエハの受け
渡し機構を示す図である。
【図6】従来の投影露光装置におけるアライメント用の
LIA及びLSAのマークとビームとの傾きを示す図で
ある。
【符号の説明】
1 レチクル AX 光軸 IL 照明光 3 投影光学系 34 レーザ干渉計(レチクル用) 4 LIA用のアライメントセンサ 5 LSA用のアライメントセンサ 6 ウエハ 10 Zチルト駆動部 11 Xステージ 12 Yステージ 15 アライメント制御系 16 ステージ制御系 17 レーザ干渉計(ウエハ用) 18 中央制御系 29 試料台 30 ウエハホルダ 35 伸縮機構 36 回転駆動系 37 回転体 38 センターアップ 41X,41Y 基準マーク(基準板) 44X,44Y 基準マーク(ウエハ)

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所定方向に移動自在な基板ステージ上に
    保持された感光基板上にマスクパターンを転写する際の
    前処理工程として、前記基板ステージの前記所定方向に
    おける位置を計測すると共に前記感光基板上に形成され
    たマークに帯状光束を照射して前記基板ステージに対す
    る前記感光基板の位置を検出し、該検出結果に基づいて
    前記感光基板を前記基板ステージ上に位置決めする位置
    決め方法において、 前記帯状光束の長手方向と前記所定方向との関係を計測
    し、前記帯状光束の長手方向と前記所定方向との関係に
    基づいて前記マスクパターンと前記感光基板とを相対的
    に移動させることを特徴とする位置決め方法。
  2. 【請求項2】 前記帯状光束の長手方向と前記所定方向
    との関係に基づいて、前記基板ステージ上に前記感光基
    板を位置決めすることを特徴とする請求項1記載の位置
    決め方法。
  3. 【請求項3】 基板ホルダ上に保持された感光基板上に
    マスクパターンを転写する際の前処理工程として、所定
    の二次元座標系を基準として前記基板ホルダ上に前記感
    光基板を位置決めする位置決め方法において、 前記基板ホルダ上に載置された前記感光基板の前記二次
    元座標系に対する回転誤差を求め、 前記基板ホルダから前記感光基板を離脱させ、前記回転
    誤差を補正するように前記感光基板を回転させた後、再
    び前記感光基板を前記基板ホルダ上に載置することを特
    徴とする位置決め方法。
  4. 【請求項4】 前記感光基板の前記回転誤差の補正後に
    前記感光基板の前記二次元座標系に対する微少回転誤差
    を計測し、 該微少回転誤差を補正するように前記マスクパターンを
    回転させることを特徴とする請求項3記載の位置決め方
    法。
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