JPH10247681A - 位置ずれ検出方法及び装置、位置決め装置並びに露光装置 - Google Patents

位置ずれ検出方法及び装置、位置決め装置並びに露光装置

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JPH10247681A
JPH10247681A JP9065315A JP6531597A JPH10247681A JP H10247681 A JPH10247681 A JP H10247681A JP 9065315 A JP9065315 A JP 9065315A JP 6531597 A JP6531597 A JP 6531597A JP H10247681 A JPH10247681 A JP H10247681A
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outer edge
wafer
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detecting
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JP9065315A
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Inventor
Naomasa Shiraishi
直正 白石
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Control Of Conveyors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板ステージ上では基板の切り欠き部を含む
2箇所の外縁位置を検出するだけで基板の搬送に伴う位
置ずれを正確に検出する。 【解決手段】 基板位置決め装置14上では搬送前の基
板Wの切り欠き部を含む3箇所の外縁位置をセンサ32
a〜32cにより検出し、基板Wの真円度に製造誤差等
があっても該基板Wの位置(回転を含む)を正確に検出
する。基板ステージWS上に搬送後に基板位置決め装置
14上で検出された基板Wの3箇所の外縁位置の内、切
り欠き部を含む2箇所の外縁位置をセンサ40a、40
bで検出する。そして、当該2箇所の検出結果と基板位
置決め装置14上で検出された検出結果とに基づいて基
板Wの搬送前後での位置ずれを正確に算出する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、位置ずれ検出方法
及び装置、位置決め装置並びに露光装置に係り、更に詳
しくはウエハローダ等の搬送系によって基板位置決め装
置、例えばウエハプリアライメント装置から1又は2以
上の基板ステージ上に搬送されるウエハ等の基板の搬送
前後の位置ずれを検出する位置ずれ検出方法及びその装
置、該基板を基板ステージ上の所望の位置に位置決めす
る位置決め装置、並びにこれらの装置が適用される露光
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、半導体素子、撮像素子(CC
D等)、液晶表示素子又は薄膜磁気ヘッド等を製造する
ためのフォトリソグラフィ工程(マスクパターンのレジ
スト像を基板上に形成する工程)では、マスクとしての
レチクルのパターンを投影光学系を介して、フォトレジ
ストが塗布されたウエハ(又はガラスプレート等)上に
露光する投影露光装置(ステッパー等)、あるいはマス
クのパターンを直接ウエハ上に転写するプロキシミティ
方式の露光装置等の露光装置が使用されている。
【0003】例えば、半導体素子はウエハ上に多数層の
回路パターンを所定の位置関係で積み重ねて形成される
ので、そのような露光装置で2層目以降の回路パターン
をウエハ上に露光する際には、露光時にレチクルとウエ
ハの各ショット領域内の回路パターンとの位置合わせ
(アライメント)を高精度に行う必要がある。
【0004】この場合、レチクルとウエハ上の回路パタ
ーンとの最終的な位置合わせ(ファインアライメント)
は、ウエハ上に形成された位置検出マークを露光装置に
装備されたアライメントセンサによって位置検出するこ
とによって行なうが、その前段階として、ウエハ外縁に
基づいてウエハの2次元面内の位置ズレ及び回転ズレを
ある程度の許容値以内に追い込んでおくプリアライメン
トが必要となる。
【0005】一般に露光装置では、ウエハホルダとよば
れる保持機構を介してウエハが基板ステージ上に例えば
真空吸着等により保持されており、このステージを移動
させながらウエハ上の各ショット領域に露光が行われ
る。この場合、被露光基板であるウエハは、ウエハロー
ダと呼ばれる搬送系によってウエハホルダ上に搬入さ
れ、露光終了後に搬出される。従来の露光装置における
ウエハのプリアライメント方法は、次の3つの方法に大
別される。すなわち、 ウエハプリアライメント装置上でウエハを所定の位置
にプリアライメントした後、ウエハローダにてウエハホ
ルダ上に搬送(搬入)する。すなわち、この場合は、搬
送後にはプリアライメントは行なわない。
【0006】ウエハプリアライメント装置上でウエハ
を所定の位置にプリアライメントした後、ウエハローダ
にてウエハホルダ上に搬送(搬入)する。続いて、ウエ
ハホルダ上でウエハ位置を再計測し、その結果をウエハ
ステージ位置及び回転量にフィードバックする。
【0007】ウエハプリアライメント装置上でウエハ
をラフにプリアライメントした後、ウエハローダにてウ
エハホルダ上に搬送(搬入)する。続いて、ウエハホル
ダ上で再度正確にプリアライメントし直す。
【0008】上記3つの方法の内、の方法は、精度的
に問題があり、将来の高精度化要求には対応できないと
いう不都合がある。また、の方法は、プリアライメン
トに時間が掛かりスループット面で問題があり、また、
ウエハホルダ(又はウエハステージ)上に高精度な位置
決め機構等が必要になるので、ウエハステージ、ひいて
は装置全体の大型化を招き、この結果フットプリント
(装置設置面積)が増大するので好ましくない。従っ
て、将来的には上記の方法が最も現実的な方法である
と言える。
【0009】ウエハは、一般に円形で、かつその面内回
転位置の基準とするためのノッチ又はオリエンテーショ
ンフラット(以下、「OF」と略称する)等の切り欠き
が外周部に形成されている。但し、OFを形成すると1
枚のウエハの面積がノッチの場合より狭くなり、ウエハ
1枚当たりのデバイス生産量の低下等につながるので、
将来的には回転位置の基準はノッチ(V字状の切り欠
き)に統一されていくようである。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ノッチ付き
のウエハの場合、ウエハ自体の真円度ないしウエハ中心
に対する円周方向の半径に製造バラツキが無ければ、原
理的にはノッチ位置とノッチ以外のウエハ外周部の1箇
所の外縁2箇所を検出すれば、ウエハの位置(より正確
にはウエハ中心の位置)及び回転は求まる筈である。し
かし、実際のウエハには製造バラツキがあり、この影響
を押さえるために、さらにもう1箇所を追加し、ウエハ
外縁3箇所の位置検出を行なうことにより、ウエハの位
置検出を行なっている。
【0011】図4には、前述したのプリアライメント
方法を採用する従来の露光装置におけるプリアライメン
ト装置114と、ウエハステージWS近傍の概略平面図
が示されている。この図4の装置では、プリアライメン
ト装置114上の不図示のプリアライメント機構に保持
されたウエハWのノッチを含む3箇所をプリアライメン
トセンサ132a、132b、132cで位置検出して
ウエハWを所定位置にプリアライメントした後、該ウエ
ハW搬送アーム138によりウエハステージWS上の不
図示のウエハホルダ上に搬送した後、ウエハホルダ上に
受け渡すのであるが、この受け渡しの際に、装置全体の
振動の影響等でウエハWをウエハホルダ上の所望の位置
へ載置できない場合がある。
【0012】このため、ウエハホルダに載置後、ウエハ
Wの位置を検出し直すために、図4に示されるローディ
ングポジションにあるウエハステージWSの上方にもウ
エハWのノッチを含む3箇所を検出するプリアライメン
トセンサ140a、140b、140cが設けれてお
り、これらのプリアライメントセンサ140a〜140
cの検出結果からウエハWの所望の位置からの位置ずれ
を再度求め、この位置ずれ量を、例えばウエハステージ
WSの位置を管理する不図示の干渉計のオフセットとし
てその後のウエハステージWSの位置制御がなされてい
た。
【0013】しかしながら、最近では半導体素子の高集
積化に対応すべく、ウエハサイズは大口径化し、露光装
置においては、大NA化及び大フィールド化に伴い投影
光学系PLはますます大口径化する傾向にあり(図4中
に実線で示されるPL及び仮想線で示されるPL参
照)、もはや露光装置内に、従来の如くウエハホルダに
載置されたウエハの外縁位置3箇所を検出可能な3つの
センサを全て配置することは、スペース的に困難となっ
てきた。図4の場合には、センサ140cが配置できな
くなった状態が示されている。
【0014】かかる不都合を回避するための第1の方策
として、ウエハホルダへウエハWを受け渡すウエハステ
ージWSの位置(ローディングポジション)を、図4に
示される位置より同図中の右側又は上側に設定すれば、
図4に示される位置にセンサ140cを設置することは
可能にはなるが、そのためには、ウエハステージWSの
移動距離(ストローク)をより長くする必要があり、ウ
エハステージWSを始め露光装置全体が大型化するとい
う不都合があった。
【0015】また、第2の方法として、図4中のセンサ
140a、140bの如き、2つのセンサのみを用い
て、ウエハWの外形に基づいてその位置を検出すること
が原理的には考えられるが、この2つのセンサ140
a、140bのみを用いた位置合わせシーケンスとして
は、ノッチ部を検出するセンサ140aの出力に基づい
てノッチ部のX,Y方向を合わせ、残りのセンサ140
bでウエハWの半径方向(r方向)の位置を合わせる特
殊なシーケンスしか採用できない。しかしながら、実際
の露光工程、あるいはその他の半導体製造工程では新旧
を含めて様々な装置が混用されており、これらの装置で
は、後述するような種々のシーケンスが採用されてお
り、しかもこれらは全て、上述したウエハの製造バラツ
キを考慮した3つのセンサ出力に基づくシーケンスであ
ることから、上記の特殊な位置合わせシーケンスを採用
すると、これらの装置との間でプリアライメントシーケ
ンスの互換性が保てず、プリアライメント装置の共用が
不可能になってしまうという不都合を有している。
【0016】本発明は、かかる事情の下になされたもの
で、請求項1に記載の発明の目的は、基板ステージ上で
は基板の切り欠き部を含む2箇所の外縁位置を検出する
だけで基板の搬送に伴う位置ずれを正確に検出すること
ができるとともに、複数の基板ステージがそれぞれ別の
装置に設けられたものであっても、特に支障なく、基板
位置決め装置を共用できるようになる位置ずれ検出方法
を提供することにある。
【0017】また、請求項2及び3に記載の発明の目的
は、基板ステージ上に基板の切り欠き部を含む2箇所の
外縁位置を検出する第2の外縁位置検出系を配置するだ
けで基板の搬送前後の位置ずれを正確に算出することが
できる位置ずれ検出装置を提供することにある。
【0018】また、請求項4に記載の発明の目的は、基
板ステージ上に基板の切り欠き部を含む2箇所の外縁位
置を検出する第2の外縁位置検出系を配置するだけで基
板を基板ステージ上の所望の位置へ位置決めすることが
できる位置決め装置を提供することにある。
【0019】また、請求項5に記載の発明の目的は、感
応基板として大口径ウエハを使用しても、基板ステージ
の移動範囲(ストローク)の増大がなく、装置の大型化
を防止することができる露光装置を提供することにあ
る。
【0020】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、搬送系(16)によって基板位置決め装置(14)
から1又は2以上の基板ステージ(WS)上に搬送され
る基板(W)の搬送前後の位置ずれを検出する位置ずれ
検出方法であって、前記基板位置決め装置(14)上で
搬送前の前記基板(W)の所定の切り欠き部(N)を含
む少なくとも3箇所の外縁位置を検出する第1工程と;
前記いずれかの基板ステージ(WS)上で、前記第1工
程で検出された前記基板の前記少なくとも3箇所の外縁
位置の内、前記切り欠き部(N)を含む少なくとも2箇
所の外縁位置を検出する第2工程と;前記第1及び第2
工程の検出結果に基づいて前記基板(W)の搬送前後で
の位置ずれを算出する第3工程とを含む。
【0021】これによれば、第1工程において、基板位
置決め装置上で搬送前の基板の所定の切り欠き部を含む
少なくとも3箇所の外縁位置が検出される。次いで、そ
の基板が搬送系によって基板位置決め装置から所定の基
板ステージ上に搬送されると、第2工程において、その
基板ステージ上で、第1工程で検出された基板の少なく
とも3箇所の外縁位置の内、切り欠き部を含む少なくと
も2箇所の外縁位置が検出される。そして、第3工程に
おいて、第1及び第2工程の検出結果に基づいて基板の
搬送前後での位置ずれが算出される。このように、本発
明によれば、基板位置決め装置上では搬送前の基板の切
り欠き部を含む3箇所の外縁位置を検出することによ
り、基板の真円度に製造誤差等があっても該基板の位置
(回転を含む)を正確に検出することができ、基板ステ
ージ上に搬送後に基板位置決め装置上で検出された基板
の3箇所の外縁位置の内、切り欠き部を含む2箇所の外
縁位置を検出するのみでも、当該2箇所の検出結果と基
板位置決め装置上で検出された外縁位置の検出結果とに
基づいて基板の搬送前後での位置ずれを正確に算出する
ことができる。従って、基板ステージ上では基板の切り
欠き部を含む2箇所の外縁位置を検出するだけで基板の
搬送に伴う位置ずれを正確に検出することができる。ま
た、この場合、基板位置決め装置上では基板の3箇所の
外縁位置に基づき基板の位置を正確に検出するので、複
数の基板ステージがそれぞれ別の装置、例えば新旧いろ
いろなタイプの露光装置に設けられたものであっても特
に支障なく、基板位置決め装置を共用することができる
ようになる。
【0022】請求項2に記載の発明は、搬送系(16)
によって基板位置決め装置(14)から基板ステージ
(WS)上に搬送される基板(W)の搬送前後の位置ず
れを検出する位置ずれ検出装置であって、前記基板位置
決め装置(14)上で搬送前の前記基板(W)の所定の
切り欠き部(N)を含む少なくとも3箇所の外縁位置を
検出する第1の外縁検出系(32a,32b,32c)
と;前記基板ステージ(WS)上で前記第1の外縁検出
系で検出された前記基板(W)の前記少なくとも3箇所
の外縁位置の内、前記切り欠き部(N)を含む少なくと
も2箇所の外縁位置を検出する第2の外縁検出系(40
a,40b)と;前記第1及び第2の外縁検出系の検出
結果に基づいて前記基板(W)の搬送前後での位置ずれ
を算出する算出手段(50)とを有する。
【0023】これによれば、第1の外縁検出系により、
基板位置決め装置上で搬送前の基板の所定の切り欠き部
を含む少なくとも3箇所の外縁位置が検出される。次い
で、その基板が搬送系によって基板位置決め装置から基
板ステージ上に搬送されると、第2の外縁検出系により
基板ステージ上で第1の外縁検出系で検出された基板の
前記少なくとも3箇所の外縁位置の内、切り欠き部を含
む少なくとも2箇所の外縁位置が検出される。そして、
算出手段により、第1及び第2の外縁検出系の検出結果
に基づいて基板の搬送前後での位置ずれが算出される。
このように、本発明によれば、第1の外縁位置検出系に
より基板位置決め装置上で搬送前の基板の切り欠き部を
含む3箇所の外縁位置が検出されるので、基板の真円度
に製造誤差等があっても該基板の位置(回転を含む)を
正確に検出することができ、基板ステージ上に搬送後に
第2の外縁位置位置検出系により第1の外縁位置検出系
で検出された基板の3箇所の外縁位置の内、切り欠き部
を含む2箇所の外縁位置を検出するのみでも、当該2箇
所の検出結果と第1の外縁位置検出系の検出結果とに基
づいて、算出手段では基板の搬送前後での位置ずれを正
確に算出することができる。従って、基板ステージ上
(ここでいう基板ステージ上とは、ステージ自体の上と
いう意味のみではなく、ステージの上方、又はステージ
上及びステージ上方の両者のいずれの意味をも含む:以
下の請求項4、5においても同じ)には基板の切り欠き
部を含む2箇所の外縁位置を検出する第2の外縁位置検
出系を配置すれば足りる。
【0024】この場合において、第1の外縁検出系の検
出値と第2の外縁検出系の検出値とが正確に対応付けら
れていることが、位置ずれを正確に検出する前提となる
が、例えば、請求項3に記載の発明の如く、前記第1の
外縁検出系(32a,32b,32c)の検出値と前記
第2の外縁検出系(40a,40b)の検出値との対応
付けは、予め前記基板(W)を前記搬送系(16)によ
り前記基板位置決め装置(14)上から前記基板ステー
ジ(WS)上に搬送した際に、前記第1、第2の外縁検
出系でそれぞれ検出された同一の基準位置と外縁位置と
の差を用いて行なっても良い。この場合、複数枚の基板
を予め前記搬送系により基板位置決め装置上から基板ス
テージ上に搬送し、各基板について、第1、第2の外縁
検出系でそれぞれ同一の基準位置と外縁位置との差を検
出し、それらの平均値を用いて、第1の外縁検出系の検
出値と第2の外縁検出系の検出値との対応付けを行なう
ようにしても良い。
【0025】請求項4に記載の発明は、搬送系(16)
によって基板位置決め装置(14)から搬送される基板
(W)を基板ステージ(WS)上の所定の位置に位置決
めする位置決め装置であって、前記基板位置決め装置
(14)上で搬送前の前記基板(W)の所定の切り欠き
部(N)を含む少なくとも3箇所の外縁位置を検出する
第1の外縁検出系(32a,32b,32c)と;前記
基板ステージ(WS)上で前記第1の外縁検出系で検出
された前記基板(W)の前記少なくとも3箇所の外縁位
置の内、前記切り欠き部(N)を含む少なくとも2箇所
の外縁位置を検出する第2の外縁検出系(40a,40
b)と;前記基板ステージ(WS)に対し前記基板
(W)を2次元平面内で相対移動させる移動手段(2
4)と;前記第1及び第2の外縁検出系の検出結果に基
づいて前記基板が前記基板ステージ上の所望の位置に位
置決めされるように前記移動手段を制御する制御手段
(50)とを有する。
【0026】これによれば、第1の外縁検出系により、
基板位置決め装置上で搬送前の基板の所定の切り欠き部
を含む少なくとも3箇所の外縁位置が検出される。次い
で、その基板が搬送系によって基板位置決め装置から基
板ステージ上に搬送されると、第2の外縁検出系により
基板ステージ上で第1の外縁検出系で検出された基板の
前記少なくとも3箇所の外縁位置の内、切り欠き部を含
む少なくとも2箇所の外縁位置が検出される。そして、
制御手段により、第1及び第2の外縁検出系の検出結果
に基づいて基板が基板ステージ上の所望の位置に位置決
めされるように移動手段が制御される。ここで、制御手
段による移動手段の制御は、第1の外縁検出系と第2外
縁検出系との検出結果に基づく位置ずれ量を算出して、
これを零とするような制御方法であっても良いが、第1
外縁検出系の検出結果に第2の外縁検出系の検出結果が
一致するようなサーボ制御によるものであっても良い。
【0027】このように、本発明によれば、第1の外縁
位置検出系により基板位置決め装置上で搬送前の基板の
切り欠き部を含む3箇所の外縁位置が検出されるので、
基板の真円度に製造誤差等があっても該基板の位置(回
転を含む)を正確に検出することができ、基板ステージ
上に搬送後に第2の外縁位置位置検出系により第1の外
縁位置検出系で検出された基板の3箇所の外縁位置の
内、切り欠き部を含む2箇所の外縁位置を検出するのみ
でも、当該2箇所の検出結果と第1の外縁位置検出系の
検出結果とに基づいて、制御手段により基板が基板ステ
ージ上の所望の位置に位置決めされる。従って、基板ス
テージ上には基板の切り欠き部を含む2箇所の外縁位置
を検出する第2の外縁位置検出系を配置すれば足り、し
かも基板を基板ステージ上の所望の位置へ位置決めでき
る。
【0028】請求項5に記載の発明は、マスク(R)の
パターンを基板ステージ(WS)上の感応基板(W)に
露光する露光装置であって、前記感応基板の基板座標系
上の所望の位置に対する位置決め用として請求項2ない
し4のいずれか一項に記載の装置を具備することを特徴
とする。これによれば、前述の如く、基板の切り欠き部
を含む2箇所の外縁位置を検出する第2の外縁位置検出
系を基板ステージ上に配置すれば良いので、感応基板と
して大口径ウエハを使用しても、基板ステージの移動範
囲(ストローク)を増大させる必要がなく、装置の大型
化を防止することができ、特に大口径投影光学系を使用
する投影露光装置の場合にその効果が大きい。
【0029】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図1
ないし図3に基づいて説明する。
【0030】図1には本発明に係る位置決め装置が適用
された一実施形態の露光装置10の概略構成が示されて
いる。
【0031】この露光装置10は、露光装置本体12、
基板位置決め装置としてのプリアライメント装置14、
及び搬送系としてウエハローダの一部を構成するウエハ
搬送機構16等を備えている。
【0032】この内、露光装置本体12は、マスクとし
てのレチクルRを上方から均一に照明する照明光学系I
OP、レチクルRを保持するレチクルホルダRS、レチ
クルRに形成された回路パターンの像を表面にフォトレ
ジストが塗布された基板(及び感応基板)としてのウエ
ハW上に縮小投影する投影光学系PL、ウエハWを保持
してベースBS上をX軸方向(図1における紙面左右方
向)及びこれに直交するY軸方向(図1における紙面直
交方向)に2次元移動する基板ステージとしてのウエハ
ステージWS等を備えている。
【0033】ウエハステージWS上面の端部にはL字ミ
ラーから成る移動鏡20が設けられており、この移動鏡
20に向けて外部に配置されたレーザ干渉計22から測
長ビームが照射され、当該レーザ干渉計22によってウ
エハステージWSのXY座標が計測されるようになって
いる。このレーザ干渉計22の計測値は、主制御装置5
0に供給され、主制御装置50では、このレーザ干渉計
22の計測値をモニタしつつ、ウエハステージWSの位
置制御を行なう。ここで、実際には、図2に示されるよ
うに、移動鏡20にX軸方向の測長ビームを投射するX
レーザ干渉計22Xと、移動鏡20にY軸方向の測長ビ
ームを投射するYレーザ干渉計22Yとが設けられてい
るが、図1ではこれらが代表的にレーザ干渉計22とし
て図示されている。
【0034】また、ウエハステージWSの上面には、ウ
エハホルダ18が載置されており、このウエハホルダ1
8上にウエハWが真空吸着され、この状態でレチクルR
上のパターンのウエハW上への露光が、主制御装置50
によって、例えばステッピングアンドリピート方式で行
われる。この露光に先だって、主制御装置50では、後
述するようにして、ウエハWをウエハホルダ18上の所
定の位置にプリアライメントした後、ウエハW上に形成
されたアライメントマークの位置を、ファインアライメ
ントセンサ23を用いて検出し、ウエハW上の既存の回
路パターンの位置をより正確に位置検出し、その結果に
基づいてウエハWを重ね合わせ露光位置に正確に位置決
めする。従って、本実施形態の露光装置10では高精度
な重ねあわせ露光が行われる。
【0035】さらに、前記ウエハステージWS上には、
XY方向に微小移動及びXY面に直交するZ軸回りの微
小回転が可能でかつZ軸方向に上下動可能な移動手段と
してのセンターアップ24がウエハホルダ18を貫通し
た状態で装備されている。このセンターアップ24の動
作も不図示のセンターアップ駆動機構を介して主制御装
置50によって制御される。なお、このセンターアップ
24を用いたウエハWの位置決め動作については、後に
詳述する。
【0036】前記プリアライメント装置14は、複数の
ウエハWを上下方向に所定間隔で収納するウエハカセッ
ト26が搭載された搬送台28と、この搬送台28上に
設けられたプリアライメント機構30と、このプリアラ
イメント機構30に吸着保持されたウエハWの外縁部3
箇所の位置を検出する3つのプリアライメントセンサ3
2a、32b、32c(図1においては、プリアライメ
ントセンサ32bと32cとが重なった状態が示されて
いる:図2参照)から成る第1の外縁検出系とを備えて
いる。プリアライメント機構30は、前述したセンター
アップ24と同様に、XY方向に微小移動及びXY面に
直交するZ軸回りの微小回転が可能でかつZ軸方向に上
下動可能な駆動軸から構成されており、この駆動軸の上
端面に真空吸着部が設けられている。このプリアライメ
ント機構30の動作も不図示の駆動系を介して主制御装
置50によって制御される。
【0037】前記第1の外縁検出系を構成する3つのプ
リアライメントセンサは、所定半径(ウエハWの半径と
ほぼ同一)の円周上の中心角120度間隔の位置にそれ
ぞれ配置され、その内の1つ、ここではプリアライメン
トセンサ32aがプリアライメント機構30上に保持さ
れたウエハWのノッチN(V字状の切り欠き)を検出可
能な位置に配置されている。これらのプリアライメント
センサとしては、撮像素子と画像処理回路とから成る画
像処理方式のセンサが用いられている。
【0038】ここで、このプリアライメント装置14に
よるウエハWのプリアライメント方法について説明す
る。不図示のウエハローダを構成する不図示の搬送アー
ムによりウエハカセット16から取り出された未処理
(露光前)のウエハWは、プリアライメント機構30上
に載置され真空吸着される。この真空吸着されたウエハ
Wが、図1、図2には仮想線W1で示されている。この
状態で、プリアライメント機構30では、主制御装置5
0の指示に応じてそのウエハWのノッチNの位置が第1
の外縁検出系を構成するプリアライメントセンサ32a
の真下に来るように、ウエハWの回転及び位置を大まか
に合わせる。プリアライメントセンサ32aは、図3
(A)に示されるように、ウエハWの外周上のノッチN
の位置を、図中のX方向及びY方向について検出可能な
構成となっている。
【0039】他方、第1の外縁検出系を構成するプリア
ライメントセンサ32b,32cが検出すべき対象は、
ノッチ部のような2次元パターンではなく、ウエハ外縁
の1次元的な位置で良い。従って、プリアライメントセ
ンサ32b,32cは、図3(B)に示されるウエハW
の半径方向(r方向)の1次元位置が検出可能であれば
良い。また、プリアライメントセンサ32b,32c
は、プリアライメントセンサ32aが検出するノッチN
の位置から、それぞれ中心角120度ずつ離れた場所で
のウエハWの外縁を検出する。
【0040】続いて、主制御装置50では、それぞれの
プリアライメントセンサ32a,32b,32cの検出
値をモニターしつつプリアライメント機構30を駆動す
る。この場合、ウエハWの半径や真円度はその製造誤差
によりばらつくので、所定の位置において各センサの検
出値が常に一定となるわけではない。従って、主制御装
置50では、この製造誤差を踏まえた上でウエハWを正
確に所定の位置に合わせる。
【0041】この位置合わせのための具体的なシーケン
スとしては、次のような3つのシーケンスが採用可能で
ある。
【0042】a.プリアライメントセンサ32b,32
cの検出値とプリアライメントセンサ32aのY方向の
検出値が所定値となるように追い込む方法。すなわち、
ノッチ位置から120度ずつ離れた2点を並進位置の基
準として位置合わせを行なう。
【0043】b.プリアライメントセンサ32aのX,
Y両方向の検出値が所定値となり、かつプリアライメン
トセンサ32b,32cの検出値とそれぞれの所定の値
との各差が等しくなる様に追い込む方法。すなわちノッ
チを並進位置の基準として位置合わせを行なう。
【0044】c.プリアライメントセンサ32aのY検
出値を所定値とし、かつプリアライメントセンサ32a
のX検出値とプリアライメントセンサ32b,32cの
検出値と、それぞれの所定の値との各差が等しくなるよ
うに追い込む方法。すなわちウエハ中心を並進位置の基
準として位置合わせを行なう。
【0045】上記3つの何れのシーケンスを採用する場
合にも、主制御装置50では、位置合わせ完了後に、各
プリアライメントセンサ32a,32b,32cの検出
値をメモリに記憶する。
【0046】前記ウエハ搬送機構16は、ベースBSの
図1における紙面奥側の面とほぼ同一位置の上方に、X
軸方向に延設されたXガイド34と、このXガイド34
に沿って往復移動する(図1、図2の矢印A、A’参
照)スライダ36に一体的に取り付けられた二股の搬送
アーム38とを備えている。この搬送アーム38の動作
も不図示の駆動系を介して主制御装置50によって制御
されるようになっている。
【0047】ここで、この搬送アーム38によるウエハ
Wの搬送動作、及びこの搬送アーム38とプリアライメ
ント機構30、ウエハホルダ18との間のウエハWの受
け渡し動作について簡単に説明する。
【0048】上記の如くして、プリアライメント機構3
0によりウエハWの位置及び回転の調整を行なった後、
主制御装置50ではウエハWを保持したプリアライメン
ト機構30を上昇駆動して、ウエハWを搬送アーム38
の移動面の上方まで持ち上げる。次いで、主制御装置5
0では搬送アーム38を不図示の駆動系を介してスライ
ダ36と一体的に矢印A方向に駆動してウエハWの下方
に位置させる。この状態で主制御装置50ではプリアラ
イメント機構30を下降駆動するとともにウエハWが搬
送アーム38に当接した位置でプリアライメント機構3
0によるウエハWの吸引を解除する。このとき同時に、
主制御装置50では搬送アーム38の吸引を開始する。
これによりウエハWが搬送アーム38により吸着保持さ
れる。次に、主制御装置50ではウエハWを保持した搬
送アームを矢印A’方向に駆動して、ウエハWをウエハ
ホルダ18の上方まで搬送する。この搬送途中のウエハ
Wが図1では仮想線W2で示されている。
【0049】ウエハWが、搬送アーム38によってウエ
ハホルダ上方の所定の位置まで搬送されると、主制御装
置50ではセンターアップ24を不図示のセンターアッ
プ駆動機構を介して所定量上昇駆動する。これにより、
ウエハWにセンターアップ24の上面が当接する。次い
で、主制御装置50ではセンターアップ24の吸引を開
始すると同時に搬送アーム38によるウエハWの吸引を
解除する。その後、主制御装置50では、センターアッ
プ24を更に所定量上昇駆動し、搬送アーム38を矢印
A方向に駆動してウエハホルダ18上から退避させる。
このようにして、ウエハWが搬送アーム38からセンタ
ーアップ24に渡される。図2には、このセンターアッ
プ24に保持されたウエハWが実線で示されている。
【0050】上記の搬送アーム38からセンターアップ
24へのウエハWの受け渡し動作の際の装置全体の振動
の影響等により、上述のようにして搬送アーム38から
ウエハを受け取ったセンターアップ24をそのまま下降
させただけではウエハWをウエハホルダ18上の所望の
位置へ載置できない場合がある。
【0051】かかる点を考慮して、本実施形態では、セ
ンターアップ24に渡されたウエハWの位置を再度検出
(計測)するために、露光装置本体12側に、例えば投
影光学系PLに付設して、第2の外縁検出系が設けられ
ている。この第2の外縁検出系は、図1、図2に示され
るように、ウエハホルダ18上方に、XY面内で所定距
離を隔てて配置された2つのプリアライメントセンサ4
0a、40bとから構成されている。これらのプリアラ
イメントセンサ40a、40bとしては、第1の外縁検
出系と同様に撮像素子と画像処理回路とから成る画像処
理方式のセンサが用いられている。ここで、これらのプ
リアライメントセンサ40a、40bの配置について更
に詳述すると、一方のプリアライメントセンサ40a
は、搬送アーム38からセンターアップ24上に渡され
たウエハWのノッチを撮像可能な位置に配置され、他方
のプリアライメントセンサ40bは、ウエハWとほぼ同
一半径の円周上でプリアライメントセンサ40bの配置
位置から反時計周りに120度の中心角をなす位置に配
置されている。すなわち、本実施形態の場合、第2の外
縁検出系を構成するプリアライメントセンサ40a、4
0bの位置関係は、前述した第1の外縁検出系を構成す
るプリアライメントセンサ32a、32bと同じ位置関
係になっており、しかもプリアライメントセンサ32
a、32bをX軸方向に所定距離平行移動すると、それ
ぞれプリアライメントセンサ40a、40bにほぼ重な
るような位置関係となっている。このため、本実施形態
では第1の外縁検出系で検出されたウエハWの3箇所の
外縁位置の内、ノッチNを含む2箇所の外縁位置を第2
の外縁検出系により検出できるようになっている。
【0052】そして、この第2の外縁検出系を構成する
プリアライメントセンサ40a,40bを用いてウエハ
ホルダ18上方でのウエハWの位置を検出することで、
搬送アーム38からウエハホルダ18へのウエハWの受
け渡し誤差を補正することができる。この詳細について
は後述する。
【0053】次に、搬送アーム38によりプリアライメ
ント装置14からウエハホルダ18上まで搬送されるウ
エハWの搬送前後の位置ずれの補正、主として上述した
搬送アーム38からウエハホルダ18へのウエハWの受
け渡し誤差の補正方法について詳述する。
【0054】前述した如くして、ウエハWがプリアライ
メント機構30から搬送アーム38に渡され、搬送アー
ム38によってウエハホルダ18上方まで搬送され、ウ
エハステージWS上のセンターアップ24に渡される。
このとき、ウエハWは、受け渡し時の装置の振動の影響
等により、所望の位置より僅かにずれたウエハホルダ1
8上の位置にある場合が殆どである。
【0055】そこで、主制御装置50では、このウエハ
Wの位置を第2の外縁検出系を構成するプリアライメン
トセンサ40a、40bにより検出する。この検出の
際、主制御装置50ではプリアライメントセンサ40a
のX、Y両方向の位置検出値と、プリアライメントセン
サ40bのr方向の位置検出値が、内部のメモリに記憶
されているプリアライメント装置14上でのプリアライ
メント時の、各プリアライメントセンサ32a,32b
の検出値と同じ値になるように、センターアップ24を
XY2次元駆動してウエハWのウエハホルダ18、ひい
てはウエハステージWSに対する相対位置合わせを行な
う。この場合、主制御装置50では、プリアライメント
センサ40aとプリアライメントセンサ32aとの検出
値との差、プリアライメントセンサ40bとプリアライ
メントセンサ32bとの検出値との差に基づいてウエハ
Wの搬送アーム38による搬送前後の位置ずれを算出
し、この位置ずれが零となるようにセンターアップ24
を駆動しても良いが、プリアライメントセンサ40a、
40bの検出値が、メモリに記憶されているプリアライ
メントセンサ32a,32bの検出値に一致するように
センターアップ24をサーボ制御により駆動しても良
い。これにより、上述した搬送アーム38からウエハホ
ルダ18へのウエハWの受け渡し誤差が補正され、ウエ
ハホルダ18上の所望の位置へのウエハWの位置決めが
完了する。
【0056】この状態で主制御装置50ではセンターア
ップ24を下降駆動してセンターアップ24の上面がウ
エハホルダ18の上面と同一高さになった時点でセンタ
ーアップ24によるウエハWの吸引を解除し、ウエハホ
ルダ18によるウエハWの吸引を開始し、これによりウ
エハWの受け渡しが完了する。
【0057】ここで、上述した一連の手順により、ウエ
ハWをウエハホルダ18上の所望の位置に正確に位置決
めするためには、プリアライメント装置40側に設けら
れた第1の外縁検出系を構成するプリアライメントセン
サ32a、32bの検出値と、露光装置本体12側のウ
エハステージWS上方に設けられた第2の外縁検出系を
構成するプリアライメントセンサ40a、40bの検出
値と、「所望の位置」との間に、正確な対応付けを行な
うことが前提となるが、これは例えば装置の初期調整時
に実際に数枚のウエハについて、上述したようなプリア
ライメント機構30上でのプリアライメント→搬送アー
ム38による搬送→ウエハホルダ18上での外縁位置の
再計測という流れに沿った動作を行ない、各ウエハにつ
いて、例えばファインアライメントセンサ23を用いて
計測した「所望の位置」と、各プリアライメントセンサ
32a、32b、40a、40bが検出した「外縁位
置」との差を、各プリアライメントセンサの検出値にフ
ィードバックすることで調整が可能である。この場合、
複数枚のウエハを予め搬送アーム38によりプリアライ
メント装置14上からウエハステージWS上に搬送し、
各ウエハについて、第1、第2の外縁検出系でそれぞれ
同一の基準位置、例えばファインアライメントセンサ2
3を用いて計測した「所望の位置」と外縁位置との差を
検出し、それらの平均値を用いて、第1の外縁検出系の
検出値と第2の外縁検出系の検出値との対応付けを行な
うようにしても良い。勿論、使用中の装置に対しても、
このような調整を一定の期間毎に行ない、プリアライメ
ント精度の確認を行なうことも可能である。
【0058】以上説明したように、本実施形態の露光装
置10によると、プリアライメント装置14上でウエハ
WのノッチNを含む外縁3点の位置を第1の外縁検出系
を構成するプリアライメントセンサ32a,32b,3
2cで検出するとともにこれらの検出値に基づいてウエ
ハWの製造バラツキを考慮した所望の位置に対する位置
決めを行ない、その位置決め状態でのプリアライメント
センサ32a,32b,32cの位置検出値をメモリに
記憶し、ウエハホルダ18上に搬送後に、上記のメモリ
内に記憶しているプリアライメントセンサ32a,32
bの位置検出値と、当該センサ32a,32bと同一の
外縁位置をウエハホルダ18上で検出する第2の外縁検
出系を構成するプリアライメントセンサ40a,40b
の位置検出値とに基づいてウエハWの所望の位置への位
置決めが行なわれる。このため、ウエハホルダ18上で
はウエハWの外縁2箇所のみを検出しても、ウエハWの
製造バラツキの影響を受けることがなく、ウエハWをウ
エハホルダ(ウエハステージ)上の所望の位置に正確に
位置決めすることが可能になる。また、この場合、ウエ
ハが大口径化し、投影光学系PLが大型化しても、外縁
検出系と投影光学系PLとが干渉する恐れがないので、
ウエハステージの移動範囲を拡大する必要もない。
【0059】また、プリアライメント装置14上ではウ
エハWのノッチNを含む外縁3点の位置をプリアライメ
ントセンサ32a,32b,32cで検出するので、前
述したa.〜c.のいずれのシーケンスをも採用するこ
とが可能であり、上記a.〜c.の何れを採用しても、
ウエハホルダ18上で上記の如き位置検出を行なうこと
で、上記a.〜c.の各シーケンスと等価なプリアライ
メントを行なうことが可能である。従って、プリアライ
メント装置14を従来からある他の露光装置、あるいは
その他の半導体製造装置と共用しても何等の不都合を生
じることのない、異機種間互換性の高いプリアライメン
トを実現することが可能となる。
【0060】なお、上記実施形態ではウエハステージW
S上にXY面内での移動が可能なセンターアップ24を
設け、第1及び第2の外縁検出系の検出結果に基づいて
センターアップ24を移動させることにより、所定のロ
ーディングポジションに停止しているウエハステージW
S上の所望の位置にウエハWを位置決めする場合につい
て説明したが、これに限らず、例えば、上記とほぼ同様
の手順でウエハホルダ18上にウエハWを載置した後、
主制御装置50が第1及び第2の外縁検出系の検出結果
に基づいてウエハWの搬送前後の位置ずれを算出し、こ
の位置ずれが零となるようにウエハステージWSを駆動
し、ウエハホルダ18,ひいてはウエハWを所望の位置
に位置合わせすし、このときのウエハステージWSの位
置をレーザ干渉計22X,22Yで計測するようにして
も良い。このようにしても、主制御装置50ではウエハ
Wのウエハ座標系上の正確な位置を検出することができ
る。
【0061】あるいは、また、上記とほぼ同様の手順で
ウエハホルダ18上にウエハWを載置した後、主制御装
置50が第1及び第2の外縁検出系の検出結果に基づい
てウエハWの搬送前後の位置ずれを算出し、この位置ず
れをレーザ干渉計22X、22Yの計測値に対するオフ
セットとして加え、以後このオフセットを用いたウエハ
ステージWSの位置制御するようにしても、上記と同様
の高精度のプリアライメントが可能となり、これに続く
アライメントマークを用いたファインアライメントを支
障なく行なうことが可能である。
【0062】これまでの説明から明らかなように、上記
実施形態では、主制御装置50によって算出手段及び制
御手段が構成され、プリアライメントセンサ32a、3
2b、32cと、プリアライメントセンサ40a、40
bと、主制御装置50とによって本発明に係る位置ずれ
検出装置が構成され、また、プリアライメントセンサ3
2a、32b、32cと、プリアライメントセンサ40
a、40bと、センターアップ24と主制御装置50に
よって本発明に係る位置決め装置が構成されている。
【0063】なお、上記実施形態では、第1、第2の外
縁検出系を構成するプリアライメントセンサとしてウエ
ハの外縁形状を撮像しその画像信号から検出する画像処
理方式のセンサを用いる場合を説明したが、本発明がこ
れに限定されることはなく、例えばウエハの外縁近傍に
シート状のレーザビームを照射しその透過率(又は反射
率)からウエハ外縁位置を検出するレーザ検出方式のセ
ンサ等、他の方式のセンサを用いても良いことは言うま
でもない。
【0064】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1に記載の
発明によれば、基板ステージ上では基板の切り欠き部を
含む2箇所の外縁位置を検出するだけで基板の搬送に伴
う位置ずれを正確に検出することができるとともに、複
数の基板ステージがそれぞれ別の装置に設けられたもの
であっても、特に支障なく、基板位置決め装置を共用で
きるようになるという従来にない優れた位置ずれ検出方
法が提供される。
【0065】また、請求項2及び3に記載の発明によれ
ば、基板ステージ上に基板の切り欠き部を含む2箇所の
外縁位置を検出する第2の外縁位置検出系を配置するだ
けで基板の搬送前後の位置ずれを正確に算出することが
できるという優れた位置ずれ検出装置を提供することが
できる。
【0066】また、請求項4に記載の発明によれば、基
板ステージ上に基板の切り欠き部を含む2箇所の外縁位
置を検出する第2の外縁位置検出系を配置するだけで基
板を基板ステージ上の所望の位置へ位置決めすることが
できるという優れた位置決め装置を提供することができ
る。
【0067】また、請求項5に記載の発明によれば、感
応基板として大口径ウエハを使用しても、基板ステージ
の移動範囲(ストローク)の増大がなく、装置の大型化
を防止することができるという優れた露光装置を提供す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】一実施形態に係る露光装置の構成を概略的に示
す図である。
【図2】図1の装置の動作を説明するための図であっ
て、主要な構成部分を示す平面図である。
【図3】第1の外縁検出系を構成する各プリアライメン
トセンサの検出対象を示す図であって、(A)はウエハ
のノッチ部を示す図、(B)はウエハのノッチ以外の外
縁部を示す図である。
【図4】発明が解決しようとする課題を説明するための
図である。
【符号の説明】
10 露光装置 14 プリアライメント装置(基板位置決め装置) 16 ウエハ搬送機構(搬送系) 24 センターアップ(移動手段) 32a,32b,32c プリアライメントセンサ(第
1の外縁検出系) 40a,40b プリアライメントセンサ(第2の外縁
検出系) 50 主制御装置(算出手段、制御手段) WS ウエハステージ(基板ステージ) W ウエハ(基板、感応基板) N ノッチ(切り欠き部) R レチクル(マスク)

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 搬送系によって基板位置決め装置から1
    又は2以上の基板ステージ上に搬送される基板の搬送前
    後の位置ずれを検出する位置ずれ検出方法であって、 前記基板位置決め装置上で搬送前の前記基板の所定の切
    り欠き部を含む少なくとも3箇所の外縁位置を検出する
    第1工程と;前記いずれかの基板ステージ上で、前記第
    1工程で検出された前記基板の前記少なくとも3箇所の
    外縁位置の内、前記切り欠き部を含む少なくとも2箇所
    の外縁位置を検出する第2工程と;前記第1及び第2工
    程の検出結果に基づいて前記基板の搬送前後での位置ず
    れを算出する第3工程とを含む位置ずれ検出方法。
  2. 【請求項2】 搬送系によって基板位置決め装置から基
    板ステージ上に搬送される基板の搬送前後の位置ずれを
    検出する位置ずれ検出装置であって、 前記基板位置決め装置上で搬送前の前記基板の所定の切
    り欠き部を含む少なくとも3箇所の外縁位置を検出する
    第1の外縁検出系と;前記基板ステージ上で前記第1の
    外縁検出系で検出された前記基板の前記少なくとも3箇
    所の外縁位置の内、前記切り欠き部を含む少なくとも2
    箇所の外縁位置を検出する第2の外縁検出系と;前記第
    1及び第2の外縁検出系の検出結果に基づいて前記基板
    の搬送前後での位置ずれを算出する算出手段とを有する
    位置ずれ検出装置。
  3. 【請求項3】 前記第1の外縁検出系の検出値と前記第
    2の外縁検出系の検出値との対応付けは、予め前記基板
    を前記搬送系により前記基板位置決め装置上から前記基
    板ステージ上に搬送した際に、前記第1、第2の外縁検
    出系でそれぞれ検出された同一の基準位置と外縁位置と
    の差を用いて行われていることを特徴とする請求項2に
    記載の位置ずれ検出装置。
  4. 【請求項4】 搬送系によって基板位置決め装置から搬
    送される基板を基板ステージ上の所定の位置に位置決め
    する位置決め装置であって、 前記基板位置決め装置上で搬送前の前記基板の所定の切
    り欠き部を含む少なくとも3箇所の外縁位置を検出する
    第1の外縁検出系と;前記基板ステージ上で前記第1の
    外縁検出系で検出された前記基板の前記少なくとも3箇
    所の外縁位置の内、前記切り欠き部を含む少なくとも2
    箇所の外縁位置を検出する第2の外縁検出系と;前記基
    板ステージに対し前記基板を2次元平面内で相対移動さ
    せる移動手段と;前記第1及び第2の外縁検出系の検出
    結果に基づいて前記基板が前記基板ステージ上の所望の
    位置に位置決めされるように前記移動手段を制御する制
    御手段とを有する位置決め装置。
  5. 【請求項5】 マスクのパターンを基板ステージ上の感
    応基板に露光する露光装置であって、 前記感応基板の基板座標系上の所望の位置に対する位置
    決め用として請求項2ないし4のいずれか一項に記載の
    装置を具備することを特徴とする露光装置。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6845292B2 (en) 2001-02-20 2005-01-18 Tokyo Electron Limited Transfer apparatus and method for semiconductor process and semiconductor processing system
JP2006173233A (ja) * 2004-12-14 2006-06-29 Nikon Corp 露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
JP2009088184A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Yamatake Corp 画像処理装置
US8054465B2 (en) 2004-11-18 2011-11-08 Nikon Corporation Position measurement method
US8395136B2 (en) 2007-06-12 2013-03-12 Tokyo Electron Limited Positional deviation detection apparatus and process system employing the same
TWI453155B (zh) * 2011-04-11 2014-09-21 東京威力科創股份有限公司 基板運送方法、基板運送裝置及塗布顯影裝置
US9740106B2 (en) 2004-12-10 2017-08-22 Asml Netherlands B.V. Substrate placement in immersion lithography
JP2022161335A (ja) * 2021-04-08 2022-10-21 キヤノン株式会社 基板搬送装置および基板搬送方法

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6845292B2 (en) 2001-02-20 2005-01-18 Tokyo Electron Limited Transfer apparatus and method for semiconductor process and semiconductor processing system
US9298108B2 (en) 2004-11-18 2016-03-29 Nikon Corporation Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
US9223230B2 (en) 2004-11-18 2015-12-29 Nikon Corporation Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
US8054465B2 (en) 2004-11-18 2011-11-08 Nikon Corporation Position measurement method
US8059260B2 (en) * 2004-11-18 2011-11-15 Nikon Corporation Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
US8072578B2 (en) 2004-11-18 2011-12-06 Nikon Corporation Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
US10222708B2 (en) 2004-11-18 2019-03-05 Nikon Corporation Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
US8576379B2 (en) 2004-11-18 2013-11-05 Nikon Corporation Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
US9857692B2 (en) 2004-11-18 2018-01-02 Nikon Corporation Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
US9348238B2 (en) 2004-11-18 2016-05-24 Niko Corporation Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
US9223231B2 (en) 2004-11-18 2015-12-29 Nikon Corporation Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
US9740106B2 (en) 2004-12-10 2017-08-22 Asml Netherlands B.V. Substrate placement in immersion lithography
US10345711B2 (en) 2004-12-10 2019-07-09 Asml Netherlands B.V. Substrate placement in immersion lithography
JP2006173233A (ja) * 2004-12-14 2006-06-29 Nikon Corp 露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
US8395136B2 (en) 2007-06-12 2013-03-12 Tokyo Electron Limited Positional deviation detection apparatus and process system employing the same
JP2009088184A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Yamatake Corp 画像処理装置
KR101462717B1 (ko) * 2011-04-11 2014-11-18 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 반송 방법, 기판 반송 장치, 및 도포 현상 장치
TWI453155B (zh) * 2011-04-11 2014-09-21 東京威力科創股份有限公司 基板運送方法、基板運送裝置及塗布顯影裝置
JP2022161335A (ja) * 2021-04-08 2022-10-21 キヤノン株式会社 基板搬送装置および基板搬送方法

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